KR20020064216A

KR20020064216A - 진공 펌프

Info

Publication number: KR20020064216A
Application number: KR1020020005845A
Authority: KR
Inventors: 야마우치아키라
Original assignee: 세이코 인스트루먼트 가부시키가이샤
Priority date: 2001-02-01
Filing date: 2002-02-01
Publication date: 2002-08-07
Also published as: JP2002227765A; US6679677B2; JP4657463B2; EP1231383A1; US20020108569A1

Abstract

진공펌프의 온도의 상승에 의한 부품의 악화를 억제하는 진공펌프를 제공한다. 진공펌프의 흡기구에 형성된 플랜지의 배관과의 접합면에 열의 불량도체를 설치하고, 이 불량도체를 통해 이 진공펌프와 피배기용기를 접속하여, 흡기구에 접속된 파이프를 통해 진공펌프로 유입하는 열을 차단하는 것이 가능하므로, 이 진공펌프의 온도 상승을 억제할 수 있다. 또, 진공펌프의 흡기구와 피배기용기에서의 파이프를 높은 열전도성을 갖는 부재의 중재를 통해 서로에 대해 접속되어, 수냉 또는 공냉을 이루므로, 단열효과를 한층 높힐 수 있다.

Description

진공 펌프{VACUUM PUMP}

본 발명은 진공펌프에 관한 것으로서, 예컨대, 반도체 제조 장치의 프로세스 가스의 배기에 사용하는 터보분자펌프에 관한 것이다.

최근의 집적회로 등의 반도체 제조기술의 급격한 진보와 그 생산량의 증가의 결과로서, 반도체 제조장치의 챔버로부터 프로세스 가스를 배기하는 진공펌프의 중요성이 높아지고 있다.

일반적으로, 이러한 진공펌프로서, 단위 시간 당 배기량이 크고 고진공이 달성될 수 있는 터보분자펌프가 사용된다.

반도체 제조장치의 챔버로부터의 가스 배기장치는, 이 챔버의 바로 아래에 파이프를 통해 전도성밸브를 접속하고, 이 전도성밸브에 다시 터보분자펌프를 접속함으로써 구성된다. 여기서, 전도성밸브는 챔버압력을 조절하기 위한 밸브이다.

이와 같이 챔버에 근접하게 터보분자밸브를 배치함으로써, 챔버로부터 터보분자펌프까지의 파이프 접속이 단축되므로, 이 파이프 접속에 의한 전도성(배기가스의 이송의 용이함)의 저하를 억제하고 있다.

또, 일부 경우에 있어서, 어떠한 전도성 밸브를 구비하지 않고, 반도체 제조장치의 챔버에 직접적으로 터보분자펌프를 접속하는 경우도 있다.

반도체 제조장치의 챔버 내에는, 플라즈마 형태의 고온 프로세스 가스를 반도체 기판에 조사하고, 그 위에 에칭하는 작업이 실행된다.

이런 프로세스 가스는, 충분히 냉각되지 않고, 전도성밸브를 통해 터보분자펌프에 의해 배기된다.

이 때문에, 챔버에 접속한 파이프 및 전도성 밸브로 열이 전가되고, 이 열이 터보분자펌프로 전달되는 현상이 발생한다.

또, 일부 경우에 있어서, 프로세스 가스의 반응성을 향상하기 위해서, 이 챔버 자체를 가열하는 경우도 있다. 또, 최근에는, 프로세스 가스에 의한 생성물의 석출물을 방지하기 위해서, 전도성밸브를 가열하는 경우도 있다.

이런 요인에 의한 열전도의 결과로서, 터보분자펌프의 흡기구에 형성된 플랜지 부분의 온도가 60 [℃] 를 초과하는 경우도 있다.

터보분자펌프 내부에는, 다수의 반경방향으로 배열된 회전자 블레이드를 갖는 회전자가 대략 수 만 rpm 정도의 고속으로 회전한다.

회전자 블레이드는 기계적 강도와 경량면에서 우수한 알루미늄 합금 등으로 구성되어 있다.

그러나, 회전자 블레이드의 허용온도는, 예컨대 120[℃] 내지 150[℃] 의 범위로 비교적 낮다. 이 허용온도보다 높은 온도에서 터보분자펌프를 장시간 사용하면, 고속회전에 의해 발생하는 원심력에 의한 회전자 블레이드의 크리프 변형이 진행하여, 고장을 초래하거나 부품 교환까지의 기간이 비교적 짧게 된다.

또, 배기기체의 유량이 많을 때, 가스를 구성하는 분자와 회전자 블레이드와의 충돌 및 이들 사이의 마찰에 의한 회전자 블레이드 등의 온도가 상승하기 때문에, 허용온도 이하에서 터보분자펌프를 사용하기 위해서, 배기가스를 연속하여 터보분자펌프를 통해 연속적으로 흐르도록 양(허용유량)이 제한되는 경우도 있다.

따라서, 본 발명의 목적은, 진공펌프의 온도의 상승을 억제하는 것에 의해, 온도 상승에 의한 진공펌프의 악화가 용이하게 발생하지 않는 진공펌프를 제공하는 데에 있다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따르면, 외장체를 구성하는 케이싱, 상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구, 상기 케이싱에 형성된 배기구, 상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단, 및 상기 흡기구의 단면에 배열된 열의 불량도체를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프를 제공한다(제1 구성).

제1 구성은, 상기 흡기구에는 플랜지가 장착되고, 상기 열의 불량도체는 플랜지의 개구면에 형성된 코팅 또는 도금으로 이루어질 수 있다(제2 구성).

게다가, 제1 구성의 상기 상기 열의 불량도체는, 그 일단부가 상기 흡기구에 접속되고 그 타단부가 피배기용기에 접속되는 관상부재일 수 있다(제3 구성).

이상 제1 구성에서 제3 구성까지의 어느 하나의 기재의 열의 불량도체는, 예컨대, 세라믹, 수지, 유리, 열전도율이 작은 금속 등으로 형성할 수 있다.

또, 본 발명은, 외장체를 구성하는 케이싱, 상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구, 상기 케이싱에 형성된 배기구, 및 상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단으로 구성되는 진공펌프에 있어서, 상기 흡기구로부터 상기 배기수단이 수용되는 위치까지 케이싱 부분의 적어도 일부가 케이싱의 전체 원주에 걸쳐 열의 불량도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공펌프를 제공한다(제4 구성).

게다가, 본 발명은, 상기 목적을 달성하기 위해서, 외장체를 구성하는 케이싱, 상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구, 상기 케이싱에 형성된 배기구, 상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단, 상기 흡기구에 배열된 양호한 열전도체, 및 상기 양호한 열전도체를 냉각하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프를 제공한다(제5 구성). 이 양호한 열전도체는, 예컨대 알루미늄이나 동 등에 의해 구성할 수 있다. 여기서, 예컨대, 상기 양호한 열전도체는, 일단이 상기 흡기구에 접속되고, 그 타단이 상기 피배기용기에 접속하는 파이프의 형상을 갖는 부재로서, 상기 냉각수단은, 상기 양호한 열전도체의 주위에 냉각수를 공급하는 냉각수공급수단, 또는, 상기 양호한 열도체의 주위에 공기의 흐름을 공급하는 송풍수단 등을 구비하는 것에 의해 구성하는 것이 가능하다. 상기 양호한 열전도체를 공냉하는 경우에는, 예컨대 상기 양호한 열전도체의 주위에 공냉용의 냉각핀을 설치할 수도 있다. 게다가 상기 냉각수단은 수냉식 또는 공냉식에 한하지 않고, 예컨대 펠티어(Peltier) 소자 등의 펠티어 효과를 이용하여 장착이나 다른 방법으로이용할 수 있다.

게다가 제5 구성에서, 상기 양호한 열전도체는 열의 불량도체를 통해 상기 피배기용기에 접속하도록 구성하는 것에 의해, 흡기구에서 진공펌프로 전도하는 열을 저감할 수 있는 동시에, 상기 피배기용기가 상기 냉각수단에서 과잉냉각되는 것을 방지할 수 있다(제6 구성).

제1 구성에서 제6 구성까지의 어느 하나의 기재의 상기 진공펌프는, 상기 흡기구가 상기 케이싱의 일단에 형성되고, 상기 배기구가 상기 케이싱의 타단에 형성되며, 상기 배기수단이 상기 케이싱에 수용되고 회전가능하게 지지되는 회전자, 이 회전자의 원주에 반경방향으로 배열되는 복수 개의 회전자 블레이드, 그 축 둘레에 회전하도록 상기 회전자를 구동하는 구동수단, 및 상기 케이싱의 중앙을 향해 상기 케이싱의 내주면으로부터 배열된 복수 개의 고정자 블레이드를 구비한 터보분자펌프가 구비되는 것을 특징으로 하는 진공펌프로 할 수 있다(제7 구성).

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 배기장치의 구성을 도시하는 개략도이다.

도 2는 터보분자펌프의 플랜지와 전도성밸브의 플랜지의 접속면의 구조를 도시하는 단면도이다.

도 3a 및 도 3b는 터보분자펌프의 플랜지와 전도성밸브의 플랜지의 접속면의 구성을 도시하는 단면도로서, 도 3a는 플랜지의 접속면의 변형예를 도시하고, 도 3b는 터보분자펌프의 플랜지 단면을 도금한 경우를 도시한다.

도 4는 터보분자펌프의 단면도이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 배기장치의 구조를 도시하는 개략도이다.

도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 터보분자펌프와 터보분자펌프에 접속된 배기장치의 일부를 도시하는 개략도이다.

도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 배기장치의 구조를 도시하는 개략도이다.

도 8은 온도 컨트롤러의 동작을 도시하는 순서도이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

1 : 터보분자펌프2 : 플랜지

2 : 회전자 축4 : 커넥터

5 : 볼트6 : 보호베어링

7 : 보호베어링8 : 자기베어링부

9 : 변위센서10 : 모터부

11 : 회전자12 : 자기베어링부

13 : 변위센서14 : 전자석

15 : 전자석16 : 케이싱

17 : 변위센서18 : 금속디스크

19 : 배기구20 : 자기베어링부

21 : 회전자 블레이드22 : 고정자 블레이드

23 : 회전수센서24 : 흡기구

25 : 제어장치31 : 전도성밸브(conductance valve)

32 : 파이프33 : 플랜지

34 : 밸브체38 : O링

41 : 단열부42 : 플랜지

43 : 단열파이프44 : 플랜지

47 : 단열부48 : 플랜지

49 : 접합부

[제1 실시 형태]

이하, 본 발명의 바람직한 제1 실시 형태에 관해서, 도 1 내지 도 4를 참조로 상세히 설명한다.

도 1은, 본 실시 형태의 배기장치의 구조를 도시하는 개략도이다.

이 배기장치는, 파이프(32), 전도성밸브(31), 및 터보분자펌프(1)로 구성된다.

파이프(32)의 일 단부는, 반도체 제조장치의 챔버 등의 진공장치의 개구부에 접합되어 있고, 진공장치 내의 고온 가스가 파이프(32) 속을 통해 흐른다. 파이프(32)의 타단부에는 플랜지가 형성되어 있고, 전도성밸브(31)의 플랜지가 접합되어 있다.

이 접합 부분에는, 양 플랜지 사이에 O링 또는 금속성 개스켓 등을 끼우고,볼트 또는 클램퍼 등에 의해 접합되어 있다. O링 또는 개스켓의 작용에 의해 이 접합부는 진공 밀봉된다. 또, 이 접합부는 용접에 의해 접합하여도 좋다.

전도성밸브(31)는, 예컨대 버터플라이(butterfly)밸브로 구성되는 밸브이다. 버터플라이밸브는, 원통형 밸브 케이스 내에, 흐름 도관의 내경과 동일한 직경을 갖는 디스크 형상 밸브부재(34)가 구비되고, 이 밸브부재는 직경축의 둘레에 회전하여 개폐를 실행하게 된다. 전도성밸브(31)의 외부에서 밸브부재(34)를 회전시켜 흐름 도관의 단면적을 조절하도록 되어 있다. 또, 도 1에는 전도성밸브(31)의 내부에 배치된 밸브부재(34)를 도시하고 있다.

전도성밸브(31)는, 전도성(가스의 흐름 용이함)을 조절하는 밸브이다. 터보분자펌프(1)가 배기가스를 흡입하는 정도를 조절하기 위해 설치된다.

이와 같이 하여, 터보분자펌프(1)가 진공장치로부터 배기가스를 흡입하는 정도를 조정하는 전도성밸브(31)을 개폐함으로써, 챔버 내의 압력을 조정하는 것이 가능하다.

터보분자펌프(1)는, 케이싱의 내주면에 다단으로 설치된 다수의 고정자 블레이드와, 고정자 블레이드와 다른 단에 설치되고, 고속 회전하는 회전자 블레이드의 작용에 의해, 플랜지(2)가 형성된 흡기구에서 배기가스를 흡인하고, 배기구(19)에서 배출한다. 터보분자펌프(1)의 구조는 이하 상세히 설명한다.

터보분자펌프(1)는 메인진공펌프로 사용되며, 보조펌프가 배기구(19)에 접속되어 있다.

보조펌프에 의해 터보분자펌프(1)의 배기구(19) 내부의 압력이 대기압상태에서 터보분자펌프(1)가 정상적으로 기능하는 진공상태까지 감소하여, 터보분자펌프 (1)의 성능이 발휘되어, 챔버 내의 압력상태를 고진공으로 하는 것이 가능하게 된다.

도 2는, 터보분자펌프(1)의 플랜지(2)와 전도성밸브(31)의 플랜지(33) 사이의 접합부의 구조를 도시하는 단면도이다.

또 이 도면에서는 너무 번잡하지 않도록 하기 위해서, 도면의 평면의 배면에 볼 수 있는 개구부의 가장자리 라인는 생략하였다. 또, 도 2에서, 플랜지(33)가 플랜지(2)에서 제거된 상태가 도시되어 있다.

플랜지(2)와 플랜지(33)에서, 볼트 구멍(도시 생략)이 동심원으로 형성되어 있다. 이 양자가 서로 접합될 때, 플랜지(33)는 도면에서 화살표로 지시된 방향으로 이 볼트구멍을 통과하는 볼트에 의해 고착된다.

플랜지(2)의 플랜지면(접촉면)에는, 환형 홈이 형성되어 있고, 이 홈 내에 O링(38)이 장착되어 있다. O링은 원형 단면의 합성수지로 형성된다. 플랜지(2)(33)가 볼트에 의해 견고하게 서로 고착될 때, 쌍방의 플랜지에서 미치는 압력에 의해 단면의 원형이 압착되며, 이 때의 합성고무의 복원력에 의해 쌍방의 플랜지에 밀착한다. 또, 도 3a에 도시한 바와 같이, O링을 배치하기 위한 홈을 형성하기 위해서 중앙 링(39)(40)을 사용하는 것이 가능하므로, 이에 의해 전술한 바와 같은 동일 효과가 얻어질 수 있다.

중앙 링(39)(40)을 사용하지 않는 경우에는, 플랜지(2)에 O링을 장착하기 위한 원환형의 홈을 형성하는 것이 필요하고, 중앙 링(39)(40)은 서로 평면 접합면을갖는 플랜지 사이에 O링을 끼워 양자를 접합할 수 있다. 중앙 링(40)은 원환의 외측을 향해 돌출하는 단면 형상을 갖고, 돌출부의 계단부가 플랜지(2)(38)의 내경에 고정되도록 놓여진다.

여기서, 도 3a에 도시하는 중앙 링을 사용하는 경우에는, 중앙 링을, 예컨대 수지 등의 열의 불량도체로 제작하는 것이 가능하므로, 이에 의해, 플랜지(33)로부터 전달되는 열을 단열하는 것이 가능하다.

이와 대조적으로, 도 2의 경우에서, O링 홈의 경우에는, 중앙 링이 존재하지 않으므로, 플랜지(33)가 플랜지(2)에 직접 접합되어 있다. 이 경우, 열이 플랜지(33)로부터 차단되는 것이 불가능하게 된다.

이 관점에서, 도 3b에 도시한 바와 같이, 플랜지(33)에 접속되는 플랜지(2)의 접합면에 열의 불량도체를 코팅, 또는 도금하는 것으로 플랜지에서의 열차단을 실현한다. 열의 불량도체의 재료로서, 예컨대, 플루오르화수지와 세라믹 등을 열거할 수 있다.

또, 코팅(또는 도금)(36)은 반드시 필요하지 않다. 코팅(또는 도금)(37)만으로 바람직한 효과를 달성하는 것이 가능하다. 코팅(또는 도금)(37)만이 사용되는 경우는, 코팅(또는 도금)(36)으로부터 배기장치로의 가스가 배출되는 등의 문제를 방지할 수 있다.

또한 플랜지(2) 또는 플랜지(33)의 단면을 플랜지(2) 또는 플랜지(33)를 구성하는 물질보다 낮은 열전도성을 갖는 물질로 도금하는 것이 가능하다.

또, 본 실시예에서는, 플랜지(2)와 플랜지(33) 사이의 접합부를 밀봉하기 위해 O링(38)이 사용되지만, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한 O링(38) 대신에 개스켓을 사용하는 것이 가능하다.

또, 볼트 대신에, 플랜지(2)와 플랜지(33)의 접합을 위해 클램퍼를 사용할 수도 있다.

이하에 터보분자펌프(1)의 구조에 관해서 설명한다.

도 4는, 회전자 축방향을 따라 취한 터보분자펌프(1)의 단면도이다.

원통형 형상의 케이싱(16)은 터보분자펌프(1)의 외장체를 형성한다.

케이싱(16)의 중심에는 회전자 축(3)이 설치되어 있다.

도면의 평면에 대해서 회전자 축(3)의 상부, 하부, 및 저부에는, 각각 자기베어링부(8)(12)(20)가 설치되어 있다. 터보분자펌프(1)가 동작할 때는, 회전자 축(3)은 자기베어링부(8)(12)에 의해 그 반경방향으로 자기 부상하고 비접촉으로 지지되고, 자기베어링부(20)에 의해 그 스러스트(축)방향으로 자기 부상하고 비접촉으로 지지된다.

이들 자기베어링부는, 소위 5축 제어형의 자기베어링을 구성하고, 회전자 축(3) 및 이 회전자 축(3)에 견고하게 부착된 회전자(11)는, 회전자 축(3)의 축선 둘레의 회전 자유도를 갖는다.

자기베어링부(8)에는, 90 도의 간격으로 회전자 축(3) 둘레에 네 개의 전자석이 대향방향으로 배치된다. 이들 전자석에 대향하는 회전자 축(3) 부분에 형성된 타켓(target)은, 실리콘 강 적층을 통해 구성된 강자성체로 형성되고, 이들 전자석의 자력에 의해 인력되도록 되어 있다.

변위센서(9)는 회전자 축(3)의 반경방향 변위를 검출한다. 회전자 축(3)이 미리 정해진 위치에서 반경방향으로 변위되는 것이 변위센서(9)로부터의 변위신호가 검출될 때, 제어장치(25)는 각 전자석의 자력을 조정하여 회전자 축(3)이 다시 미리 정해진 위치로 복귀하도록 동작한다. 전자석의 자력의 조정은, 각 전자석의 여자전류의 피드백제어를 통해 유효하게 된다.

변위센서(9), 자기베어링부(8), 및 제어장치(25)에 의한 이 피드백제어에 의해, 반경방향으로 회전자 축(3)은 자기 부상하여, 미리 정해진 틈새가 축과 자기베어링부(8)의 전자석과의 사이에 유지되고, 비접촉으로 공간에 유지된다.

자기베어링부(12)의 구조와 동작은 자기베어링부(8)와 동일하다.

자기베어링부(12)에는, 네 개의 전자석이 회전자 축(3) 둘레에 90도의 간격으로 배치되고, 이들 전자석의 끌어당기는 자력에 의해, 회전자 축(3)이 반경방향으로 비접촉으로 자기베어링부(12)에 의해 지지되어 있다.

변위센서(13)는 반경방향으로 회전자 축(3)의 변위를 검출한다.

회전자 축(3)의 반경방향 변위를 지시하는 변위센서(13)로부터의 변위신호를 수신할 때, 제어장치(25)는 이 변위를 보정하고 전자석의 여자전류의 피드백제어를 실행하여 회전자 축(3)을 미리 정해진 위치에 유지하도록 한다. 변위센서(13)에 의한 이 피드백제어에 의해, 자기베어링부(12)의 반경방향으로 회전자 축(3)이 자기 부상하며, 비접촉으로 공간에 유지된다.

이와 같이, 회전자 축(3)은 두 위치, 자기베어링부(8)(12)에서 반경방향으로 유지되므로, 회전자 축(3)이 반경방향으로 소정의 위치에 유지된다.

회전자 축(3)의 하단부에 설치된 자기베어링부(20)는 원반상의 금속디스크(18), 전자석(14)(15), 변위센서(17)로 구성되고, 회전자 축(3)을 스러스트방향으로 유지한다.

금속디스크(18)는, 높은 자기투과성을 갖는 물질로 형성되어 있다. 이 물질의 실례로는 강자성 물질의 철을 포함한다. 금속디스크(18)는 회전자 축(3)에 수직하기 위해 그 중앙에 고정되어 있다. 전자석(14)(15)은 각각 금속디스크(18) 위와 아래에 각각 설치되어 있다. 전자석(14)은 자력에 의해 금속디스크(18)를 상방으로 끌어 당기며, 전자석(15)은 자력에 의해 금속디스크(18)를 하방으로 끌어 당긴다. 제어장치(25)는 전자석(14)(15)에 의해 금속디스크(18)에 인가된 자력을 적절하게 조정하여, 회전자 축(3)을 스러스트 방향으로 자기 부상하도록 하여 비접촉으로 공간에 유지한다.

변위센서(17)는, 회전자 축(3)의 스러스트 방향으로 변위를 검출하고, 제어장치(25)로 신호를 전달한다. 제어장치(25)는, 변위센서(13)로부터 수신된 변위검출신호에 의해 스러스트방향으로 회전자 축(3)의 변위를 감시한다.

회전자 축(3)이 미리 정해진 위치에서 변위도록 스러스트방향으로 일 방향으로 이동할 때, 제어장치(25)는 전자석(14)(15)의 여자전류의 피드백제어를 실행하고 변위를 보정하기 위해서 자력을 조정하여, 회전자 축(3)이 미리 정해진 위치로 복귀한다. 제어장치(25)에 의한 이 피드백제어에 의해, 스러스트 방향으로 미리 정해진 위치에서 회전자 축(3)이 자기 부상하고 이 위치에 유지한다.

전술한 바와 같이, 회전자 축(3)은 자기베어링부(8)(12)에 의해 반경방향으로 유지되며, 자기베어링부(20)에 의해 스러스트방향으로 유지되므로, 회전자 축(3)의 축 둘레에 회전 자유도만을 갖는다.

회전자 축(3)의 축방향에, 보호베어링(6)이 자기베어링부(8) 위에 구비되며, 보호베어링(7)이 자기베어링부(12) 아래에 구비되어 있다.

자기 부상을 유발하고 비접촉상태에서 공간에 유지하는 회전자 축(3)은, 예컨대 회전자 축(3)의 축 둘레에 런아웃(run-out)의 결과로서 유지위치로부터 상당히 편향될 수 있다. 이런 경우에서, 보호베어링(6)(7)은 회전자 축(3)이 자기베어링부(8)(12)(20)의 전자석과 접촉하는 것을 방해하거나, 또는 모터부(10)의 전자석과 접촉하는 것을 방해한다.

회전자 축(3)이 특정량 보다 작지 않은 양에 의해 미리 정해진 위치로부터 이동할 때, 회전자 축(3)은 보호베어링(6)(7)과 접촉하여, 회전자 축(3)이 보호베어링(6)(7)과 접촉하여, 회전자 축(3)의 이동을 실제로 제한한다.

회전자 축(3)에서, 자기베어링부(8)(12) 사이에 모터부(10)가 구비되어 있다. 이하 기술한 바와 같이, 모터부(10)는 DC 브러시리스 모터를 구성한다.

모터부(10)에서, 영구자석은 회전자 축(3) 둘레에 고정된다.

이 영구자석은, 예컨대 N 및 S극이 180도로 회전자 축(3)의 축 둘레에 배열되도록 장착된다.

이 영구자석의 원주에는, 예컨대 영구자석으로부터 일정 간격 이격되는 여섯 개의 전자석이 미리 정해진 틈새에 의해 회전자 축(3)의 축에 대해서 대칭적으로 배열되어 60도의 간격으로 서로에 대해 대향하고 있다.

또, 회전수센서(23)가 회전자 축(3)의 하단부에 장착되어 있다. 회전수센서(23)로부터의 검출신호에 의해, 제어부(25)는 회전자 축(3)의 속도를 검출할 수 있다. 또, 변위센서(13) 근방에, 회전자 축(3)의 회전 위상을 검출하는 센서(도시 생략)가 장착되며, 제어장치(25)는 이 센서와 회전수센서(23)의 검출신호와 영구자석의 위치를 검출할 수 있다.

검출된 자기 극성의 위치에 따라, 제어장치(25)는 연속적으로 전자석의 전류를 전환하므로 회전자 축(3)의 회전이 유지될 수 있다. 즉, 여섯 개의 전자석에 대한 여자전류를 전환함으로써, 제어장치(25)는 회전자 축(3)에 고정된 영구자석 둘레에 회전 자기장을 발생하며, 영구자석이 회전 자기장을 추종하도록 함으로써 회전자 축(3)을 회전한다.

회전자(11)는 볼트(5)에 의해 회전자 축(3)에 고정되어 있다. 회전자 축(3)이 모터부(10)에 의해 구동될 때, 회전자(11)도 또한 회전한다.

회전자 축(3)의 축에 수직한 평면으로부터 미리 정해진 각도로 경사지는 복수 개의 회전자 블레이드(21)가 회전자(11)에 반경방향으로 장착되어 있다. 회전자 블레이드(21)는 회전자(11)에 견고하게 고정되어 회전자(11)와 함께 고속으로 회전한다.

또, 고정자 블레이드(22)는 케이싱(16)의 내측을 향해 연장하기 위해 케이싱(16)에 고정되고 회전자 블레이드(21)와 교대로 배열되어 있다. 회전자 축(3)의 축선에 수직한 평면으로부터 미리 정해진 각도를 이루도록 고정자 블레이드(22)는 케이싱(16)에 고정되어 있다.

회전자(11)와 회전 축(3)이 모터부(10)에 의해 회전될 때, 회전자 블레이드(21)와 고정자 블레이드(22)의 작용에 의해 흡기구(24)를 통해 기체가 흡입되며, 배기구(19)를 통해 방출된다.

플랜지(2)가 흡기구(24)의 원주에 형성되어, 반도체 제조장치 등의 진공용기에 접속되도록 터보분자펌프(1)가 접속되는 것이 가능하다.

제어장치(25)는, 터보분자펌프(1)의 커넥터(4)에 접속되어, 자기베어링부(8) (12)(20)와 모터부(10)를 제어한다.

전술한 바와 같이 구성된 배기장치가 다음과 같이 동작한다.

터보분자펌프(1)가 작동할 때, 회전자(11)는 자기베어링부(8)(12)(20)에 의해 미리 정해진 위치로 자기 부상하면서, 제어장치(25)에 의해 제어된다. 그리고, 회전자 축(3)이 모터부(10)에 의해 구동되며, 그 축선 둘레에 회전하여, 회전자(11)가 회전하도록 한다.

이에 의해 회전자 블레이드(21)가 회전하도록 하며, 회전자 블레이드(21)와 고정자 블레이드(22)의 작용에 의해, 진공장치의 기체가 전도성밸브(31)와 흡기구(24)를 통해 흡입되고 배기구(19)를 통해 배기된다. 또, 보조펌프가 또한 동작한다.

진공장치의 진공도가 충분히 높을 때, 반도체 제조 프로세스를 시작한다. 고온 프로세스 가스가 진공장치로 도입된다. 이 기체는 충분히 냉각되지 않고 파이프(32)를 통해 터보분자펌프(1)에 의해 배기된다. 파이프(32)의 온도는 점차로 상승하기 시작하며, 순차적으로 전도성밸브(31)의 온도가 또한 상승하기 시작한다.일부 경우에 있어서, 전도성밸브(31)의 플랜지(33)는 대략 60 [℃] 의 온도를 달성한다. 플랜지(33)와 플랜지(2) 사이의 단열에 의해, 플랜지(33)로부터 터보분자펌프(1)로 전달되는 열의 양이 감소된다.

본 실시 형태에서, 배기장치를 통해 터보분자펌프(1)로 전달된 열은 플랜지(2)의 접속면에 제공된 코팅(또는 도금)(36)(37)에 의해 차단될 수 있다.

이처럼, 회전자 블레이드(21)의 온도의 증가를 억제하는 것이 가능하며, 온도의 증가의 결과로서 발생하는 크리프에 의한 회전자 블레이드(21)와 다른 부품의 악화를 완화하는 것이 가능하다.

[제2 실시 형태]

지금부터 제2 실시 형태는 도 5를 참조로 설명한다. 도 5는 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 배기장치의 구조를 도시하는 개략도이다.

배기장치는 파이프(32), 전도성밸브(31), 단열부(41), 및 터보분자펌프(1)로 구성된다.

파이프(32)의 일 단부는, 예컨대 반도체 제조장치의 챔버 등의 진공장치의 개구부에 접합되어 있고, 진공장치 내의 고온 가스를 배기하기 위한 배기관으로 기능한다. 파이프(32), 전도성밸브(31), 및 터보분자펌프(1)는 제1 실시 형태의 것과 동일하다. 제1 실시 형태에서는, 플랜지(33)가 중앙 링(39)(40)을 통해 플랜지(2)에 접속되고 있지만, 제2 실시 형태에서는 플랜지(33)와 플랜지(2) 사이의 접속은 단열부(41)를 통해 접속하고 있다.

단열부(41)는 플랜지(42)(44) 및 단열파이프(43)로 구성되어 있다.

플랜지(42)(44)는 그 중앙에 원형 구멍이 형성되며, 각각 플랜지(33)와 플랜지(2)를 접합하는 볼트에 의해 볼트 구멍이 각 원형 구멍 둘레에 동심원으로 형성되어 있다.

단열파이프(43)는 접착제, 용접, 또는 납땜 등의 이들 부재의 적절한 물질에 의해 플랜지(42)(44)의 원형 구멍부에 의해 접속되어 있다.

통상적으로, 전도성밸브(31), 플랜지(33), 터보분자펌프(1)의 케이싱(16), 및 플랜지(2)는 스테인레스 강, 철, 알루미늄 등으로 형성되는 반면, 단열부(41)는 열전도성이 이들 물질보다 낮은 물질로 형성되어 있다. 이런 물질의 실례로는 수지, 세라믹, 및 니켈 크롬(18Cr8Ni)과 같은 금속을 포함한다.

플랜지(42) 및 플랜지(33)는, 플랜지(42)(33)에 형성된 볼트 구멍을 통과하는 볼트(도시생략)를 체결함으로써 서로에 접합되어 있다. 플랜지(42)와 플랜지(33) 사이의 접합부에는, 밀봉용 O링 또는 개스켓이 놓여져 있다.

플랜지(42)(33)의 접합은, 플랜지(42)와 플랜지(33)의 접합과 동일하게, 이들 사이에 놓여지는 O링 또는 개스켓과 함께, 볼트 고정에 의해 행해진다.

또, 이들의 접합은 볼트에 의하지 않고, 클램퍼를 사용하여도 좋다.

제2 실시 형태에서는, 터보분자펌프(1)가 반도체 제조장치의 챔버와 같은 진공장치에 사용된 고온의 프로세스 가스를 배기하는 경우에, 파이프(32)와 전도성밸브(31)를 통해 전달된 열을 단열부(41)에 의해 차단하고, 터보분자펌프(1)로의 열전도를 완화할 수 있다. 또, 제2 실시 형태에서는, 단열파이프(43)가 열의 전달방향에 대해서 길이를 갖고, 또 대기에 노출되기 때문에, 열이 단열파이프(43)를 전도하는 사이에 단열파이프(43)의 표면에서 주위로의 방열을 행하고, 우수한 단열효과를 높힐 수 있다.

이 때문에, 터보분자펌프(1)의 흡기구로부터의 열전도에 의한 온도 상승을 제한하는 것이 가능하므로, 이에 의해, 예컨대 온도 상승의 결과로서 회전자 블레이드의 크리프 등의 터보분자펌프(1)의 악화를 저감하는 것이 가능하다.

또한, 전도성밸브(31) 자체를 불량도체에 의해 구성하고, 단열부재(41) 대신 사용하는 것이 가능하다.

[제3 실시 형태]

이하에 도 6을 참조로 제3 실시 형태를 설명한다.

도 6은, 본 발명의 제3 실시 형태에 따른 터보분자펌프(50)와 이 터보분자펌프(50)에 접속된 배기장치를 도시하는 도면이다.

제3 실시 형태의 배기장치에서, 제1 실시 형태의 터보분자펌프(1)가 터보분자펌프(50)로 대체된 것이다.

터보분자펌프(50)의 외장체는, 케이싱(51)과 흡기구를 형성하는 흡기구부(47)로 구성되어 있다.

케이싱(51)은, 스테인레스, 스틸, 알루미늄 등으로 형성된 거의 원통형 부재로 형성되고, 회전자와 같은 펌프 본체를 포함한다.

흡기구부(47)는 단열부재로 형성되어 있고, 접합부(49)에 의해 케이싱(51)에접합되어 있다.

터보분자펌프(50)의 구성는, 흡기구부(1)가 단열부재에 의해 구성되는 것을 제외하곤 터보분자펌프(1)의 구조와 동일하다.

흡기구부(47)는, 예컨대 열전도성이 스테인레스 스틸 보다 낮은 물질로 크롬 니켈(18Cr8Ni) 등에 의해 구성되어 있다.

흡기구부(47)에 형성된 플랜지(48)는, 그 중앙에 원형구멍을 가지며, 원형 구멍의 원주에 볼트구멍이 형성되어 있다. 플랜지(48)와 플랜지(33)는, 볼트 구멍을 관통하는 체결 볼트에 의해 서로 접속되고, 이들 사이에 O링이 놓여져 있다. 플랜지(48)와 플랜지(33) 사이의 접속부는 O링으로 밀봉된다.

제3 실시 형태에 있어서, 전도성밸브(31) 등을 통해 전달된 열은, 흡기구부(47)에 의해 차단되므로, 터보분자펌프 파이프(50)로의 열전도를 완화한다.

또, 제3 실시 형태에 있어서, 터보분자펌프(1)의 흡기구(24) 부근 재질을 단열재로 대체한 것이기 때문에, 배기장치의 배기관의 총 길이는 종래 배기장치와 동일하다. 이처럼, 본 실시 형태에서, 배기관의 길이의 증가에 기인한 전도의 악화가 발생하지 않으며, 배기장치의 파이프를 통해 터보분자펌프(1)로 전달되는 열의 양을 감소하는 것이 가능하다.

전술한 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 터보분자펌프(50)의 배기구를 통해 열의 흐름을 제한하면서 만족스런 전도를 유지하는 것이 가능하다.

[제4 실시 형태]

이하, 제4 실시 형태는 도 7을 참조로 설명한다. 도 7은 제2 실시 형태의 배기장치의 구조를 도시하는 도면이다.

이 배기장치는 파이프(32), 전도성밸브(31), 냉각부(58), 및 터보분자펌프(1)로 구성되어 있다.

파이프(32)의 일 단부는, 예컨대 반도체 제조장치의 챔버와 같은 진공장치의 개구에 접속되어, 진공장치에서 고온 기체를 배기하는 배기 덕트로서 기능한다. 파이프(32), 전도성밸브(31), 및 터보분자펌프(1)는 제1 실시 형태의 것과 동일하다. 터보분자펌프(1)의 배기구는 보조펌프(도시 생략)에 접속되어 있다.

냉각부(58)는 플랜지(55)(57), 열전도파이프(56), 및 수냉파이프(61)로 구성되어 있다.

플랜지(55)(57) 및 열전도파이프(56)는, 예컨대 구리 또는 알루미늄과 같은 고열전도성을 갖는 물질로 형성되어 있다. 플랜지(55)(57)는 그 중앙에 원형 구멍을 가지며, 볼트 구멍이 이들 원형 구멍의 원주에 동심원에 형성되어 있다.

열전도파이프(56)는 배기기체를 이송하는 파이프이며, 플랜지(55)(57)는 용접 또는 납땜에 의해 그 단부에 접속되어 있다.

수냉파이프(61)는 열전도파이프(56) 둘레에 나선형으로 권취되어, 열전도파이프(56)와 수냉파이프(61)를 통해 흐르는 수냉 사이의 열교환을 유효하게 하는 것이 가능하다.

수냉파이프(61)는 전자석밸브(62), 물공급펌프(도시생략), 및 열교환기에 접속되어 있다. 물공급펌프는 냉각수를 수냉파이프(61)에 공급하여, 물이 수냉파이프(61)를 순환하도록 한다. 열교환기는 냉각부(58)에서 열교환을 실행하고, 온도가 상승한 냉각수를 냉각부(58)로 보내 다시 열교환을 위해 냉각한다.

전자석밸브(62)는 온도컨트롤러(64)에 전기적으로 접속되며, 이 온도컨트롤러로부터 공급된 전기적 신호에 응답하여 개폐되므로, 수냉파이프(61)로의 냉각수의 흐름을 조정한다.

또, 온도컨트롤러(64)는 온도센서(63)에 접속되어 있다. 온도센서(63)는 터보분자펌프(1)의 플랜지(2)에 장착되며, 온도컨트롤러(64)는 플랜지(2)의 온도를 감시한다. 온도센서(63)는, 예컨대 열전대로 구성되어도 좋다.

터보분자펌프(1)가 예컨대, 반도체 제조장치의 고온처리기체를 배기하도록 작동할 때, 파이프(32)와 전도성밸브(31)를 통해 열이 전달된다. 이처럼, 전자석밸브(62)가 수냉파이프(61)에서 수냉의 순환을 정지하도록 밀폐될 때, 냉각부(58)의 온도가 상승하고, 열이 터보분자펌프(1)로 전달된다. 수냉파이프(61)에서 냉각수를 순환하도록 전자석밸브(62)가 개방될 때, 열전도파이프(56)가 냉각수에 의해 냉각되므로, 터보분자펌프(1)로의 열전도를 제한하는 것이 가능하다.

상기 구성에 의해, 플랜지(2)의 온도가 소정의 범위 내, 예컨대 T1에서 T2까지(T1<T2)가 되도록 온도컨트롤러(64)는 전자석밸브(62)를 개폐하므로, 냉각부(58)에서 열교환을 조정한다.

[제5 실시 형태]

제4 실시 형태에서 플랜지(55)(57)와 열전도파이프(56)는 열의 양호한 전도체이므로, 또한 플랜지(55)가 불량 열도체가 되고 플랜지(57)와 열전도파이프(56)가 열의 양호한 전도체가 되는 것이 가능하다.

챔버에서 프로세스 가스와 함께 반응의 결과로 발생한 생성물은 파이프의 내측면에 점착하는 경우가 있다. 이처럼 점착하는 생성물은, 일부 경우에서, 역방향으로 흐를 수 있고 먼지 형태로 챔버의 물 표면에 점착한다. 물 표면의 이런 먼지의 점착은 반도체 제조장치에 발생하여 정상 방법으로 작동하는 것을 정지한다. 예컨대, 물에 올바르게 형태를 형성하는 것이 불가능하게 되어, 산출량의 감소를 유발한다.

이 관점에서, 전도성밸브(31)와 파이프(32)가 열의 불량도체로 형성된 플랜지(55)에 의해 열적으로 단열되므로 과도하게 냉각될 수 없고, 열의 양호한 전도체로 형성된 열전도성파이프(56) 및 플랜지(57)가 냉각되므로, 플랜지(57)에 접속된 터보분자펌프(1)의 플랜지(2)를 효율적으로 냉각하는 것이 가능하게 된다.

또한 제4 실시 형태에서와 같은 방법으로 온도 제어를 실행하는 것이 가능하다.

도 8은 온도컨트롤러(64)의 동작을 도시하는 순서도이다.

수냉파이프(61)에 접속되어 있는 물공급펌프와 열교환기가 동작하고, 열이 파이프(32)와 전도성밸브(31)를 통해 냉각부(58)로 흘러 전달된다고 가정한다.

온도컨트롤러(64)의 전원스위치가 켜질 때 동작을 개시한다. 우선, 전자석밸브(62)가 밀폐된다(스텝 10). 그 결과, 수냉파이프(61)의 냉각수가 순환하지 않고, 냉각부(58)가 열을 전도하여, 플랜지(2)의 온도의 상승을 유발한다.

다음에, 파워 스위치가 꺼져 있는지 여부를 온도컨트롤러(64)가 체크한다. 파워스위치가 켜져 있을 때(즉, 스텝 20에서 답이 예 일때), 플랜지(2)의 온도(T)가 온도센서(63)의 전압으로부터 얻어진다(스텝 30).

다음에, 온도컨트롤러(64)가 온도(T)와 온도컨트롤러(64)의 저장부에 미리 저장된 미리 정해진 온도(T2)를 비교한다. 온도(T)가 온도(T2)보다 높을 때(즉, 스텝 40에서 답이 예 일 때), 전자석밸브(62)가 개방되어, 냉각수가 수냉파이프(61)를 순환하도록 한다(스텝 50). 그 결과, 전도성밸브(31)에서 전달된 열은 냉각부(58)에 의해 흡수되고, 플랜지(2)의 온도가 하강하기 시작한다.

다음에, 온도컨트롤러(54)의 과정은 스텝 20으로 복귀하며, 파워스위치가 꺼질 때까지(스텝 20에서의 답이 아니오) 또는 T가 T2보다 낮아질 때까지(스텝 40에서 답이 아니오) 스텝 20에서 스텝 50으로의 루프가 반복된다. 이 모든 것은, 플랜지(2)의 온도가 하강되도록 계속된다.

온도컨트롤러(64)가 스텝(40)에서 T가 T2보다 낮다고 판정할 때(즉, 스텝 40에서 답이 아니오), T는 온도 컨트롤러(64)의 저장부에 미리 저장된 미리 정해진 온도(T1)와 추가로 비교한다(단계 60). T1은 T2 보다 낮다.

T가 T1보다 높을 때(즉 단계 60에서 답이 아니오), 온도 컨트롤러(64)의 과정은 스텝 20으로 복귀하며, 스텝 20에서 스텝 60으로의 동작은 파워스위치가 꺼질 때까지 계속되고(스텝 20에서 답이 예), 전자석밸브(62)가 개방상태로 유지된다. 즉, 이 모든 것은, 플랜지(2)의 온도가 하강하도록 계속된다.

플랜지(2)의 온도(T)가 T1보다 낮을 때(즉, 스텝 60에서 답이 예), 온도컨트롤러(64)의 과정은 스텝 10으로 복귀하며, 전자석(62)이 밀폐된다. 그리고, 수냉파이프(61)의 냉각수의 순환이 정지되며, 플랜지(2)의 온도(T)가 상승하기 시작한다. 이 다음에, 파워스위치가 꺼질 때까지(스텝 20에서 답이 아니오) 또는 T가 T2보다 높은 때까지 온도컨트롤러(64)는 스텝 10, 20, 30, 40 및 60으로 이루어지는 루프를 반복하며, 밀폐 상태로 전자석밸브(62)를 유지한다. 즉, 이 루프가 실행되는 동안, 플랜지(2)의 온도가 상승한다.

온도컨트롤러(64)는 파워스위치가 꺼질 때까지(스텝 20에서 답이 아니오) 상기 동작을 반복하며, 플랜지(2)의 온도가 T1과 T2 사이를 반복적으로 상승 및 하강한다.

예컨대, T1이 40℃이고 T2가 50℃일 때, 40℃와 50℃ 사이에 유지되도록 하기 위해 플랜지(2)의 온도가 제어된다.

제4 실시 형태에서는, 터보분자펌프(1)로 유입되는 파이프(32)와 전도성밸브(31)를 통해 전달된 열의 양은 적절한 값으로 제어될 수 있으므로, 터보분자펌프(1)의 회전자 블레이드(21)의 비정상적 온도 상승에 의한 회전자 블레이드(21)에서의 악화와 터보분자펌프(1)의 과도한 냉각에 의한 터보분자펌프(1) 내부의 생성물의 석출을 방지하는 것이 가능하다.

전술한 제4 실시 형태에서 냉각수를 이용한 수냉시스템이 냉각부(58)를 냉각하는 수단으로 사용되지만, 이에 한정하는 것은 아니다. 또한 공냉 팬을 이용한 공냉시스템이 채택되는 것이 가능하다.

이상, 제1 내지 제5 실시 형태에서 터보분자펌프가 진공펌프로 사용되었지만, 이에 한정하는 것은 아니다. 본 발명은 또한, 예컨대 회전 펌프 또는 이온 펌프와 같은 진공펌프가 진공장치와 열적으로 절연되는 경우에도 적용할 수 있다.

본 발명에 따르면, 파이프를 통해 진공펌프로의 열의 흐름에 의한 진공펌프의 온도 상승을 제한하는 것이 가능하므로 온도 상승의 결과로 부품의 악화를 최소화하는 진공펌프를 제공하는 것이 가능하다.

Claims

외장체를 구성하는 케이싱,

상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구,

상기 케이싱에 형성된 배기구,

상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단, 및

상기 흡기구의 단면에 배열된 열의 불량도체를 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제1항에 있어서,

상기 흡기구에는 플랜지가 장착되고, 상기 열의 불량도체는 플랜지의 개구면에 형성된 코팅 또는 도금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제1항에 있어서,

상기 열의 불량도체는, 그 일단부가 상기 흡기구에 접속되고 그 타단부가 피배기용기에 접속되는 관상부재인 것을 특징으로 하는 진공펌프.
외장체를 구성하는 케이싱,

상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구,

상기 케이싱에 형성된 배기구, 및

상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단으로 구성되는 진공펌프에 있어서,

상기 흡기구로부터 상기 배기수단이 수용되는 위치까지 케이싱 부분의 적어도 일부가 케이싱의 전체 원주에 걸쳐 열의 불량도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
외장체를 구성하는 케이싱,

상기 케이싱에 형성되고, 피배기용기에 접속된 흡기구,

상기 케이싱에 형성된 배기구,

상기 흡기구를 통해 기체를 흡입하고, 상기 흡기구를 통해 흡입된 기체를 상기 배기구를 통해 배출하는 배기수단,

상기 흡기구에 배열된 양호한 열전도체, 및

상기 양호한 열전도체를 냉각하는 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제5항에 있어서,

상기 양호한 열전도체는 열의 불량도체를 통해 상기 피배기용기에 접속하는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제1항에 있어서, 상기 진공펌프는,

상기 흡기구가 상기 케이싱의 일단에 형성되고,

상기 배기구가 상기 케이싱의 타단에 형성되며,

상기 배기수단이 상기 케이싱에 수용되고 회전가능하게 지지되는 회전자, 이 회전자의 원주에 반경방향으로 배열되는 복수 개의 회전자 블레이드, 그 축 둘레에 회전하도록 상기 회전자를 구동하는 구동수단, 및 상기 케이싱의 중앙을 향해 상기 케이싱의 내주면으로부터 배열된 복수 개의 고정자 블레이드를 포함하는 터보분자펌프가 구비되는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제4항에 있어서, 상기 진공펌프는,

상기 흡기구가 상기 케이싱의 일단에 형성되고,

상기 배기구가 상기 케이싱의 타단에 형성되며,

상기 배기수단이 상기 케이싱에 수용되고 회전가능하게 지지되는 회전자, 이 회전자의 원주에 반경방향으로 배열되는 복수 개의 회전자 블레이드, 그 축 둘레에 회전하도록 상기 회전자를 구동하는 구동수단, 및 상기 케이싱의 중앙을 향해 상기 케이싱의 내주면으로부터 배열된 복수 개의 고정자 블레이드를 포함하는 터보분자펌프가 구비되는 것을 특징으로 하는 진공펌프.
제5항에 있어서, 상기 진공펌프는,

상기 흡기구가 상기 케이싱의 일단에 형성되고,

상기 배기구가 상기 케이싱의 타단에 형성되며,

상기 배기수단이 상기 케이싱에 수용되고 회전가능하게 지지되는 회전자, 이 회전자의 원주에 반경방향으로 배열되는 복수 개의 회전자 블레이드, 그 축 둘레에 회전하도록 상기 회전자를 구동하는 구동수단, 및 상기 케이싱의 중앙을 향해 상기 케이싱의 내주면으로부터 배열된 복수 개의 고정자 블레이드를 포함하는 터보분자펌프가 구비되는 것을 특징으로 하는 진공펌프.