KR20020063258A - 에폭시 수지 조성물 및 그 용도 - Google Patents

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오카모토가즈히사
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Abstract

본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과 경화제와 경화 촉진제와 무기 충전제를 주성분으로 하고, 그 무기 충전제가 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하이며, 전체 수지 조성물 중에 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어 있다. 이 구배 n은 1.0 이상임이 바람직하다.
상기 조성물은 트랜스퍼 성형용 및 사출 성형용으로서 매우 적합하다. 상기 조성물은 유동성 저하에 의한 성형성의 악화를 일으키지 않고, 금형의 전사성이 우수한 동시에 치수 안정성이 우수한 정밀 성형체를 제공할 수 있다. 상기 조성물을 사용함으로써, 정밀 광통신용 커넥터의 수지화가 가능하다. 또한, 상기 조성물은 금형의 전사성이 우수하며, 사출 성형이 가능하다.

Description

에폭시 수지 조성물 및 그 용도{EPOXY RESIN COMPOSITION AND ITS USE}
반도체 밀봉용 또는 정밀 성형용의 에폭시 수지 조성물에는, 일반적으로 평균 입경 10㎛ 이상 30㎛ 이하인 실리카가 60중량% 이상 90중량% 이하의 양으로 함유되어 있고, 전기 절연성, 치수 안정성, 접착성, 저압 성형성이 우수하기 때문에, 전자부품 밀봉 및 정밀 성형부품의 제조에 널리 사용되고 있다.
그러나, 정밀 성형부품의 용도에서는, 종래부터 사용되고 있는 무기 충전제의 입경으로는, 성형품의 표면 조도 및 진원도를 1㎛ 이하로 함이 곤란했다. 또한, 무기 충전제의 입경이 작아질수록 에폭시 수지 조성물 중에 충전제 첨가량을 증가시킴이 어려워지며, 금형 내에서의 유동성도 나빠져 성형성 악화의 요인이 되었다.
그런데, 반도체 밀봉용 또는 정밀 부품용의 에폭시 수지 조성물에는, 일반적으로 최대 입경이 30∼100㎛, 또한, 평균 입경이 3㎛ 이상인 무기 충전제가 20∼90중량%의 양으로 포함되어 있고, 접착 강도, 기계적 강도, 전기 절연성이 우수하기 때문에, 전기부품 및 전자부품에 널리 응용되고 있다.
그러나, 종래 첨가되어 있는 무기 충전제의 평균 입경은 5㎛ 이상인 것이 많아, 무기 충전제의 입경이 크기 때문에, 성형품의 표면 조도를 1㎛ 이하로 함이 곤란하고, 금형에 형성한 미세한 패턴을 양호한 정밀도로 전사함이 어려웠다.
또한, 상기한 바와 같이, 종래, 무기 충전제의 입경이 작아질수록 에폭시 수지 조성물 중에 대한 충전제 첨가량을 증가시키기 어려워지며, 금형 내에서의 유동성도 나빠져, 성형성 악화의 요인이 되었다. 또한, 에폭시 수지의 특성상, 에폭시 수지 조성물은 100℃ 근방의 온도에서의 열 안정성이 부족하므로, 성형 방법으로서는 프레스 성형 또는 트랜스퍼 성형에 의한 방법만이 있기 때문에, 사출 성형에 의한 성형품을 얻을 수 없어, 생산성이 나쁘다는 점이 문제로 되었다.
본 발명은 금형 전사성이 우수하며 높은 치수 안정성을 갖는 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 특히 성형품의 표면 조도(粗度), 진원도(circularity; JIS B0182)가 작은 광통신 커넥터용의 수지 조성물에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 금형 전사성이 우수한 사출 성형 가능한 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로서, 특히, 성형품의 표면 조도가 작은 스탬퍼 전사 도금 회로 부품 및 기판용 정밀 성형용의 수지 조성물에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물로 제조되는 정밀 성형체의 일례인 단심 페룰의 개략도이다. 여기서, 도 1 중의 부호 D 및 L은 각각 페룰의 외경 및 길이를 나타내고, 예를 들어, 외경 D가 2.499㎜, 길이 L이 8㎜이다. 진원도는 페룰의 L의 중앙 외주부에서 측정한다.
또한, 도 2는 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물로 제조되는 정밀 성형체의 일례인 다심 페룰의 개략도이다. 도 2 중의 부호 21은 다심 커넥터 페룰, 부호 22는 결합 핀 삽입용 구멍, 부호 23은 광섬유 삽입용 구멍, 부호 24는 광섬유 삽입용 개구부를 나타낸다.
도 3은 실시예에서의 겔화 시간(T)의 측정 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 3 중의 부호 ①은 토크가 저하되기 시작하고 나서 최소값에 도달할 때까지의 구배가 가장 커지는 점의 접선, 부호 ②는 최저 토크 값을 나타내는 선, 부호 ③은 점 A로부터의 수선, 부호 A는 최고 토크 점을 나타낸다.
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
이하, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 및 그 용도에 대해서 구체적으로 설명한다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과, 경화제와, 경화 촉진제와, 특정의 무기 충전제를 주성분으로 하는 수지 조성물이다. 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 이형제 및 그 이외의 첨가제를 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위에서 더 함유하고 있어도 좋다.
본 발명에 따른 정밀 성형체는, 상기 조성물을 성형하여 얻어지는 정밀 성형체이다.
에폭시 수지 조성물
이하, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 구성하는 상기 각 성분에 대해서 설명한다.
<에폭시 수지 및 에폭시 화합물>
본 발명에서 사용되는 에폭시 수지 또는 에폭시 화합물로서는 특별히 제한은 없으나, 오르토크레졸 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지 또는 화합물, 비페닐 골격 함유 에폭시 수지 또는 화합물 등의 2관능 이상의 에폭시 수지 또는 화합물이 바람직하다. 그 중에서도 오르토크레졸 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 비페닐 골격 함유 에폭시 수지가 바람직하다. 이들 에폭시 수지 및 에폭시 화합물로서, 종래 공지의 에폭시 수지 및 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 및 에폭시 화합물은 1종류 단독, 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 에폭시 수지 또는 화합물의 에폭시 당량은 300g/eq 이하임이 바람직하다. 특히, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형용으로서 사용할 경우, 에폭시 수지 또는 에폭시 화합물의 에폭시 당량은 100∼300g/eq임이 바람직하다.
에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물은, 에폭시 수지 조성물 중에 통상 5∼30중량%, 바람직하게는 5∼20중량%의 양으로 함유됨이 바람직하다.
<경화제>
본 발명에서 사용되는 경화제는, 상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과 경화 반응하는 것이라면 특별히 제한은 없다. 그 중에서도 페놀 수지가 바람직하고, 특히, 페놀 노볼락 수지 및 아랄킬 페놀 수지가 바람직하다.
경화제는, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물 100중량부에 대하여 20∼100중량부, 바람직하게는 35∼95중량부의 양으로 사용되고, 그 배합량을 화학 당량비로 나타낸 경우, 내습성 및 기계 강도의 면에서 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물에 대한 경화제의 화학 당량비가 0.5∼1.5, 바람직하게는 0.7∼1.3의 범위내임이 요망된다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 사출 성형용으로서 사용할 경우에는, 경화제는, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물 100중량부에 대하여 20∼95중량부, 바람직하게는 35∼95중량부의 양으로 사용되고, 그 배합량을 화학 당량비로 나타낸 경우, 내습성 및 기계적 특성의 관점에서 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물에 대한 경화제의 화학 당량비가 0.5∼1.5, 바람직하게는 0.7∼1.3의 범위내임이 요망된다.
<경화 촉진제>
본 발명에서 사용되는 경화 촉진제는, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 트랜스퍼 성형용으로서 사용될 경우, 상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과 경화제의 가교 반응을 촉진하는 것이면 된다.
이러한 경화 촉진제로서는, 구체적으로는, 1,8-디아자비시클로(5.4.0)운데센 -7(이하, DBU라 함)의 페놀염, DBU의 페놀노볼락염, DBU의 탄산염 등의 DBU 유도체;
2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸류;
트리페닐포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등의 유기 포스핀류 등을 들 수 있다.
이들 경화 촉진제는, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물 100중량부에 대하여 0.5∼10중량부의 양으로 사용된다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 사출 성형용으로서 사용될 경우, 본 발명에서 사용되는 경화 촉진제로서는, 상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과 경화제의 가교 반응을 촉진시키며, 에폭시 수지 조성물에 사출 성형 가능한 열 안정성을 부여하는 잠재성을 갖는 경화 촉진제가 사용된다. 즉, 성형 시의 온도 이하에서는 수지 조성물의 안정성을 유지하고, 성형 온도에서 신속하게 반응이 진행되는 경화 촉진제가 사용된다.
이러한 경화 촉진제로서는, 구체적으로는, 1,8-디아자비시클로(5.4.0)운데센 -7(이하, DBU라 함)의 페놀염, DBU의 페놀노볼락염, DBU의 탄산염 등의 DBU 유도체;
디시안디아미드, 하기 일반식으로 표시되는 요소 유도체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 물성이 우수한 사출 성형체를 제조할 수 있는 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 얻기 위해서는, 하기 일반식으로 표시되는 요소 유도체를 사용함이 바람직하다.
Ar-NH-CO-NR2
(식 중에서 Ar은 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R은 각각 동일하거나 상이한 알킬기를 나타냄)
이러한 요소 유도체로서, 하기 식 (a)∼(f)로 표시되는 알킬 요소 유도체를 경화 촉진제로서 사용함으로써, 10O℃ 근방의 온도에서의 수지 조성물의 열 안정성이 대폭으로 향상되고, 그 결과, 사출 성형기의 실린더 내에서의 열 안정성이 향상된다.
(식(a)에서 X1및 X2는 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 알콕시기 또는 니트로기를 나타내고, 양자는 동일하거나 상이하며, R은 각각 동일하거나 상이한 알킬기를 나타냄)
식(a) 중의 X1및 X2의 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기 등의 탄소수 1∼5의 저급 알킬기가 바람직하다.
또한, X1및 X2의 알콕시기로서는, 구체적으로는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 등의 탄소수 1∼5의 저급 알콕시기가 바람직하다.
X1및 X2의 할로겐 원자로서는, 구체적으로는 염소, 취소, 불소, 옥소 등의 원자를 들 수 있다.
식(a) 중의 R의 알킬기로서는, 구체적으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, t-펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기 등의 탄소수 1∼10의 알킬기가 바람직하고, 특히 탄소수 1∼5의 알킬기가 바람직하다.
상기 식 (a)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어, 3-페닐-1,1-디메틸우레아, 3-(p-클로로페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-(o-메틸페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-(p-메틸페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-(메톡시페닐)-1,1-디메틸우레아, 3-(니트로페닐)-1,1-디메틸우레아 등을 들 수 있다.
식(b) 중에서 Y 및 Z는 각각 수소 원자, 할로겐 원자 또는 알킬기를 나타내고, 양자는 동일하거나 상이하며, R은 각각 동일하거나 상이한 저급 알킬기를 나타냄)
식(b) 중의 Y 및 Z가 알킬기인 경우, 이들은 탄소수 1∼5의 저급 알킬기임이 바람직하다. 이 저급 알킬기의 구체적인 예는 상기한 바와 같다. 또한, Y 및 Z의 할로겐 원자의 구체적인 예도 상기한 바와 같다.
식(b)로 표시되는 화합물로서는, 예를 들어, 1,1'-페닐렌비스(3,3-디메틸우레아), 1,1'-(4-메틸-m-페닐렌)-비스(3,3-디메틸우레아) 등을 들 수 있다.
(식(c)에서, R은 각각 동일하거나 상이한 저급 알킬기를 나타냄)
(식(d)에서, p는 0∼5의 정수를 나타내고, R은 각각 동일하거나 상이한 저급 알킬기를 나타냄)
식(c) 및 식(d)의 R은, 바람직하게는 탄소수 1∼10의 알킬기, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼5의 저급 알킬기이다. 이들 알킬기의 구체적인 예는 상기한 바와 같다.
(식(e) 및 (f)에서, R은 각각 동일하거나 상이한 알킬기를 나타냄)
식(e) 및 식(f)의 R은, 바람직하게는 탄소수 1∼10, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼5의 저급 알킬기이다. 이들 알킬기의 구체적인 예는 상기한 바와 같다.
상기 식(a)∼(f)에서의 X1, X2및 R의 알킬기 또는 알콕시기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기 및 부틸기, 또는 그에 대응하는 알콕시기가 바람직하다.
또한, 상기 식(f)으로 표시되는 화합물로서는, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트의 디메틸아민 부가물[상기 식(f)에서 R이 메틸기인 화합물]이 바람직하다.
경화 촉진제로서 디메틸아민 부가물을 사용함으로써, 100℃ 근방의 온도에서의 수지 조성물의 열 안정성이 대폭으로 향상되고, 본 발명의 사출 성형에 적합한 경화 특성을 나타내기 때문에, 디메틸아민 부가물이 바람직하게 사용된다.
이들 경화 촉진제는, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물 100중량부에 대하여 3∼20중량부, 바람직하게는 3∼10중량부의 양으로 사용된다.
또한, 잠재성을 손상시키지 않는 경화 촉진제라면, 성형 사이클 속도상승 및 성형 버(burr) 발생량의 저감이라는 관점에서, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸류; 트리페닐포스핀, 트리(p-메틸페닐)포스핀 등의 유기 포스핀류를 병용함이 바람직하다.
<무기 충전제>
본 발명에서 사용되는 무기 충전제로서는, 구체적으로는 페라이트, 흑연, 탄산칼슘, 알루미나, 실리카, 수산화알루미늄, 카본 등을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 무기 충전제로서는, 바람직하게는 실리카, 알루미나, 탄산칼슘, 보다 바람직하게는 구상 실리카, 구상 알루미나, 탄산칼슘이고, 용도에 따라서는, 바람직하게는 구상 실리카, 구상 알루미나, 보다 바람직하게는 구상의 실리카 분말이다. 예를 들면, 금형 전사성과 내환경성 등의 관점에서는, 구상 실리카 및/또는 구상 알루미나임이 바람직하며, 전자회로 용도에서의 도금성 향상을 위해서는 탄산칼슘을 첨가함이 보다 바람직하다.
이들 무기 충전제는 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 구상 실리카와 구상 알루미나를 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 무기 충전제는, 최대 입경 1O㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하, 바람직하게는 2㎛ 이하의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하, 통상은 0.6∼4.0, 바람직하게 1.0∼4.0, 더 바람직하게는 1.0∼3.0, 특히 바람직하게는 1.5∼3.0이며(입경 및 입도 분포의 측정에는 코울터 카운터(Beckman Coulter Inc., LS-230)를 사용), 에폭시 수지 조성물 중에 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어 있다. 입도(최대 입경 및 평균 입경)가 상기 범위내이고, RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 상기 범위내인 무기 충전제, 특히 구상의 실리카 분말을 상기 범위 내의 양으로 사용하면, 유동성 및 성형성이 우수하며, 금형의 전사성이 우수한 에폭시 수지 조성물을 얻을 수 있다. 이 조성물을 사용함으로써, 단심 페룰 및 다심 페룰 등의 정밀 광통신용 커넥터의 수지화가 가능하다. 또한, 이 조성물은 사출 성형성 및 금형 전사성이 우수하고, 점차 파인 패턴화하는 전자회로 부품 및 전자회로 기판 용도에 사용 가능하며, 스탬퍼로 형성한 회로 패턴을 양호한 정밀도로 전사할 수 있다. 또한, 이 조성물은 도금에 의한 회로 형성이 가능하기 때문에, 그 성형품의 표면 조도가 작다는 특징을 살려, 라인 앤드 스페이스가 1O㎛ 이하인 미세 전자회로 부품 및 미세 전자회로 기판의 제조에 매우 적합하게 사용할 수 있다.
여기서, 로진 램러(RRS) 선도는, 무기 충전제의 적산 잔류 중량으로부터 입도 분포의 폭을 나타내는 것이며, 얻어지는 입도 분포의 구배 n은 입도의 균일성을 나타낸다. 로진 램러 선도는 정립(unsifted)되어 있지 않은 분쇄물에 잘 적용할 수 있고, 비교적 직선성을 확보하기 쉽기 때문에, 실리카 등의 메이커는 통상 이 입도 분포의 표현법을 사용하고 있다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 사출 성형용으로서 사용될 경우, 무기 충전제는, 특히 구상의 실리카 분말이며, 최대 입경 1O㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하, 바람직하게는 2㎛ 이하의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 바람직하게는 1.0∼4.0, 더 바람직하게는 1.0∼3.0, 특히 바람직하게는 1.5∼3.0의 범위 내에 있음이 요망된다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 사출 성형용으로서 사용될 경우, 무기 충전제는, 에폭시 수지 조성물 100중량%에 대하여 바람직하게는 30∼80중량%, 특히 바람직하게는 60∼80중량%의 양으로 사용된다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 트랜스퍼 성형용으로서 사용될 경우, 무기 충전제는, 특히 구상의 실리카 분말이며, 바람직하게는 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도, 보다 바람직하게는 최대 입경 3∼7㎛, 평균 입경 0.5∼2㎛의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 바람직하게는 1.0∼4.0, 보다 바람직하게는 1.0∼3.0이다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 트랜스퍼 성형용으로서 사용될 경우, 무기 충전제는, 에폭시 수지 조성물 100중량%에 대하여 바람직하게는 40∼85중량%, 특히 바람직하게는 60∼80중량%의 양으로 사용된다.
본 발명에서는, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n은 다음 식으로 구했다.
n=[log(2-logR2)-log(2-logR1)]/(logDp2-logDp1)
Dp1 : 포인트 1의 입경(0.2㎛ 또는 2㎛)
Dp2 : 포인트 2의 입경(1㎛ 또는 10㎛)
R1 : 최대 입경으로부터 포인트 1까지의 누적 중량 %
R2 : 최대 입경으로부터 포인트 2까지의 누적 중량 %
다만, 본 발명에서 평균 입경이 1O㎛ 이하인 무기 충전제는, 전체 분포 중의 충전제의 함유 비율을 고려하여 입경 0.2㎛와 입경 1.0㎛의 점으로부터 구배 n을 구하고, 평균 입경이 10㎛ 이상인 무기 충전제는, 입경 2㎛와 입경 10㎛의 점으로부터 구배 n을 구했다.
<이형제>
본 발명에서 필요에 따라 사용되는 이형제로서는, 구체적으로는 몬탄산, 스테아린산, 베헤닌산, 올레인산 등의 고급 지방산;
카르나우바 왁스 등의 고급 지방산의 에스테르;
베헤닌산 아연, 올레인산 아연, 스테아린산 마그네슘, 스테아린산 바륨, 스테아린산 알루미늄 등의 고급 지방산의 금속염;
스테아린산염 아연(Zinc stearate) 등의 금속 비누 등을 들 수 있다. 이들 이형제는 1종 단독으로, 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 사출 성형용으로서 사용될 경우, 이형제는 에폭시 수지 조성물 중에 0.03∼1.0중량%, 바람직하게는 0.05∼0.8중량%의 양으로 사용된다. 이형제의 배합량이 상기 범위내이면, 사출 성형기의 실린더 내에서의 에폭시 수지 조성물의 부착이 거의 없어, 안정되게 사출 성형을 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 트랜스퍼 성형용으로서 사용될 경우, 이형제는 에폭시 수지 조성물 중에 O.2∼1중량%, 바람직하게는 0.3∼0.8중량%의 양으로 사용된다. 이형제의 배합량이 상기 범위내이면, 수지 조성물을 압축하여 정제(tablet)화할 때에, 금형 부착이 거의 없으며, 성형 시의 금형 부착도 거의 없기 때문에, 안정되게 트랜스퍼 성형을 행할 수 있다.
<기타 첨가제>
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 중에, 필요에 따라 실란 커플링제(예를 들어, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란); 브롬화 에폭시 수지, 삼산화 안티몬, 수산화 알루미늄, 폴리인산 멜라민 등의 난연제; 카본 블랙, 프탈로시아닌 등의 착색제 등을 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위로 첨가할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물이 사출 성형용으로서 사용할 경우에는, 저응력화제, 천연 또는 합성 왁스 등을 더 첨가할 수 있다.
에폭시 수지 조성물의 제조
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 상기한 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과 경화제와 경화 촉진제와 무기 충전제와 필요에 따라 이형제 및 상기 기타 첨가제를 상기한 비율로 2축 압출기 또는 가열 니더나 열 롤(roll)에 의해 가열 혼합하고, 이어서 냉각 및 분쇄함으로써 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 사출 성형 또는 트랜스퍼 성형에 매우 적합하게 이용된다.
정밀 성형체
본 발명에 따른 정밀 성형체는, 상술한 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형 및 사출 성형 등의 성형법에 의해 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 사출 성형함으로써, 정밀 성형체, 예를 들어, 전자회로 부품을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형함으로써, 예를 들어, 도 1에 나타낸 바와 같은 고정밀도의 단심 페룰 또는 도 2에 나타낸 바와 같은 고정밀도의 다심 페룰 등의 정밀 성형체를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 설명하나, 본 발명이 이들 실시예에 한정되지는 않는다.
실시예 1∼4 및 비교예 1, 2
실시예 1∼4 및 비교예 1, 2의 에폭시 수지 조성물은, 각각 표 1에 나타낸전체 원료를 헨쉘(Henschel) 믹서에 의해 혼합한 후, 온도 90℃의 롤에 의해 가열 혼련(混練)하고, 냉각시킨 후, 분쇄하여 얻었다.
이어서, 이들 에폭시 수지 조성물을 각각 트랜스퍼 성형하고, 포스트 큐어(post-cure)를 180℃에서 90분간 실시하여 수지제 단심 페룰(도 1에 나타낸 D=2.499㎜, L=8㎜인 것)을 얻었다.
상기 트랜스퍼 성형의 성형 조건은 하기와 같았다.
·금형 온도 : 185℃
·주입 압력 : 450㎏/㎠(4.4×107㎩)
·주입 시간 설정 : 30초
·경화 시간 설정 : 90초
상기와 같이 하여 얻어진 수지제 단심 페룰의 평가는 하기의 방법에 따라 행하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
<평가 방법>
(1) 표면 조도
표면 최대 조도 Rt를 측정하고, 이것에 의해 표면 조도의 평가를 행하였다. 측정 조건은 하기와 같다.
구동 속도 : 0.3㎜/s
절단(Cut-off) : 0.8㎜
측정기 : SURFCOM 570A(상품명)(Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 제)
성형품 사이즈 : 30㎜×6㎜, 두께 ; 2㎜
성형품의 길이 방향 중앙부 5㎜를 기준 길이로 하여 측정
(2) 진원도
단심 페룰의 외주측 중앙 부분을 측정하여, 진원도를 구했다.
측정기 : RONDCOM 52B(상품명)(Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 제)
<표 1>
표 1 중의 성분
에폭시 수지 : 비페닐형 에폭시 수지[Yuka Shell Epoxy Co., Ltd. 제, Epikote YX4000HK(상품명)]
경화제 : 아랄킬페놀 수지[Mitsui Chemicals, Inc. 제, MILEX XLC-LL(상품명)]
경화 촉진제 : DBU 페놀 노볼락염[SAN-APRO Ltd. 제, U-CAT SA841(상품명)]
구상 실리카(a) : 최대 입경=3㎛, 평균 입경=0.5㎛, RRS 분포 구배 n=2.7
구상 실리카(b) : 최대 입경=7㎛, 평균 입경=1.0㎛, RRS 분포 구배 n=2.3
구상 실리카(c) : 최대 입경=8㎛, 평균 입경=1.5㎛, RRS 분포 구배 n=2.0
구상 실리카(d) : 최대 입경=24㎛, 평균 입경=3.5㎛, RRS 분포 구배 n=1.3
구상 실리카(e) : 최대 입경=64㎛, 평균 입경=6.5㎛, RRS 분포 구배 n=1.0
구상 알루미나 : 최대 입경=3㎛, 평균 입경=0.7㎛, RRS 분포 구배 n=2.8
브롬화 에폭시 수지 : Nippon Kayaku Co., Ltd. 제, BREN-S(상품명), 에폭시 당량=285g/eq
삼산화 안티몬 : Nippon Seiko Co., Ltd. 제, PATOX-M(상품명)
γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 : Shin-etsu Chemical Co., Ltd. 제, KBM-403(상품명)
카르나우바 왁스 : S. Kato & Co. 제, 카르나우바 왁스 1호(상품명)
카본 블랙 : Mitsubishi Chemical Co. 제, 미츠비시 카본 블랙 #45
표 1에 나타낸 결과로부터, 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하, RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하인 구상 실리카를 사용한 에폭시 수지 조성물(실시예 1∼4)에서는, 금형 전사성이 특별히 우수하며, 표면 조도 Rt를 1㎛ 이하, 진원도를 1㎛ 이하로 할 수 있었다. 그 결과, 단심 페룰에 필요로 하는 정밀도를 만족할 수 있음을 알 수 있다.
실시예 5
표 2에 나타낸 전체 원료를 헨쉘 믹서에 의해 혼합한 후, 롤을 사용하여 온도 90∼110℃에서 가열 혼련하고, 냉각시킨 후, 분쇄하여 에폭시 수지 조성물을 얻었다.
얻어진 수지 조성물에 대해서 하기의 방법에 따라 스파이럴 플로우(spiral flow), 겔화 시간 및 성형품의 표면 조도 값을 측정했다. 또한, 사출 성형의 연속 성형성을 하기의 방법에 따라 평가했다. 그 결과를 표 2에 나타낸다.
(1) 스파이럴 플로우
EMMI1-66 규격에 의거한 내부가 스파이럴 형상으로 된 금형을 사용하고, 수지 조성물을 금형 온도 150℃, 실효 압력 6.9×1O6㎩(7Okgf/㎠)로 트랜스퍼 성형하고, 18O초간 경화시켰을 때의 금형 내에서 수지 조성물이 유동한 길이를 측정했다.
(2) 겔화 시간
라보 플라스토밀(Toyo Seiki Seisakusho Co., Ltd. 제)을 사용하여, 이하의 방법에 의해 도 3에 나타낸 차트로부터 겔화 시간을 측정했다.
장치에 시료를 투입한 후, 토크가 저하되기 시작하고 나서 최소값에 도달할 때까지의 구배가 가장 커지는 점의 접선①을 긋는다. 다음으로, 최저 토크를 유지하는 영역에 시간축과 평행하게 최저 토크를 나타내는 선②을 긋는다. 또한, 최고 토크 점 A로부터 수선③을 긋고, ①과 ②의 교점으로부터 ③까지의 길이를 구하여, 겔화 시간(T)으로 했다.
(3) 사출 성형의 연속 성형성
성형품 사이즈 30㎜×6㎜, 두께 2㎜의 금형을 사용하고, 금형 온도 180℃, 성형 시간 60초의 조건으로 사출 성형하며, 연속 1시간 이상 성형할 수 있는지의 여부를 판단했다. 사출 성형이 1시간 이상 가능한 것을 「AA」, 사출 성형이 1시간 이상 불가능한 것을 「BB」로 표시하여, 사출 성형의 연속 성형성을 평가했다.
(4) 성형품의 표면 조도
표면 조도의 파라미터는 몇 개가 제안되어 있으나, 조도 곡선으로부터 기준 길이를 샘플링하고 샘플 부분을 그 중심선에 평행한 2직선으로 사이에 끼웠을 때의 2직선 사이의 거리, 즉, 표면 최대 조도 Rt를 측정했다.
또한, Rt의 측정은, 표면 조도계(Tokyo Seimitsu Co., Ltd. 제)를 사용하고, 사이즈 30㎜×6㎜, 두께 2㎜의 성형품을 사용하며, 성형품의 길이 방향 중앙부 5㎜를 기준 길이로 하여, 구동 속도 0.3㎜/s, 절단 0.8㎜의 조건으로 측정했다.
실시예 6
실시예 5에서, 최대 입경이 3㎛, 평균 입경이 0.5㎛, RRS 분포 구배 n이 2.7인 구상 실리카 (a) 대신에, 최대 입경이 7㎛, 평균 입경이 1.0㎛, RRS 분포 구배 n이 2.3인 구상 실리카 (b)를 사용한 것 이외는 실시예 5와 동일하게 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
실시예 7
실시예 5에서, 구상 실리카 (a) 대신에, 최대 입경이 8㎛, 평균 입경이 1.5㎛, RRS 분포 구배 n이 2.0인 구상 실리카 (c)를 사용한 것 이외는 실시예 5와 동일하게 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예 3
실시예 5에서, 구상 실리카 (a) 대신에, 최대 입경이 24㎛, 평균 입경이 3.0㎛, RRS 분포 구배 n이 1.3인 구상 실리카 (f)를 사용한 것 이외는 실시예 5와 동일하게 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
비교예 4
실시예 5에서, 구상 실리카 (a) 대신에, 최대 입경이 64㎛, 평균 입경이 6.5㎛, RRS 분포 구배 n이 1.0인 구상 실리카 (e)를 사용한 것 이외는 실시예 5와 동일하게 행하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
[표 2]
표 2 중의 성분
에폭시 수지 : 오르토크레졸 노볼락 수지[Nippon Kayaku Co., Ltd. 제, EOCN-103S(상품명), 에폭시 당량=214g/eq]
경화제 : 페놀 노볼락 수지[Nippon Kayaku Co., Ltd. 제, PN-100(상품명)]
경화 촉진제 : 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트의 디메틸아민 부가물[SAN-APRO Ltd. 제, U-CAT3502T(상품명)]
탄산칼슘 : Bihoku Funka Kogyo K.K. 제, μ-POWDER 3N(상품명)
그 이외는 표 1의 성분과 동일.
표 2에 나타낸 결과로부터, 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하, RRS 분포 구배 n이 4.0 이하인 구상 실리카를 사용한 에폭시 수지 조성물(실시예 5∼7)은, 스파이럴 플로우로 나타낸 유동성을 크게 손상시키지 않고, 사출 성형에 의한 연속 성형이 가능하고, 또한, 이 조성물로 성형한 성형품은, 표면 조도 Rt를 1㎛ 이하로 억제하는 것이 가능하며, 종래 첨가되어 있는 평균 입경 5㎛ 이상의 구상 실리카를 사용한 조성물(비교예 3∼4)에 비하여 표면 조도가 향상됨을 알 수 있다. 그 결과, 스탬퍼 등에 형성한 미세한 패턴의 전사를 양호한 정밀도로 행할 수 있음도 알 수 있었다.
[발명의 목적]
본 발명은 상기와 같은 종래 기술에 따른 문제점을 해결하고자 하는 것으로서, 유동성 저하에 의한 성형성의 악화를 일으키지 않고, 금형의 전사성이 우수한 동시에 치수 안정성이 우수한 에폭시 수지 조성물을 제공하며, 단심 페룰(single-core ferrule) 및 다심 페룰(multi-core ferrule) 등의 정밀 광통신용 커넥터의 수지화를 가능하게 함을 목적으로 한다. 또한, 이 에폭시 수지 조성물을 성형하여얻어지는 정밀 성형체, 예를 들어, 단심 및 다심 페룰, 전자회로 부품 등을 제공함도 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 유동성 저하에 의한 성형성 악화를 일으키지 않고, 금형의 전사성이 우수한 사출 성형 가능한 에폭시 수지 조성물을 제공하며, 점차 파인(fine) 패턴화하는 전자회로 부품 및 전자회로 기판 용도에 이용 가능하고, 스탬퍼로 형성한 회로 패턴을 양호한 정밀도로 전사하는 것을 가능하게 함을 목적으로 한다. 또한, 이 에폭시 수지 조성물은 도금에 의한 회로 형성이 가능하기 때문에, 그 성형품의 표면 조도가 작다는 특징을 살려, 라인 앤드 스페이스가 1O㎛ 이하인 미세 전자회로 부품 및 미세 전자회로 기판을 제공함도 목적으로 한다.
[발명의 개시]
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 주성분으로 하는 수지 조성물로서, 그 무기 충전제가 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도(粒度)를 갖는 동시에, 로진 램러(Rosin-Rammler's; RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하이며, 전체 수지 조성물 중에 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 무기 충전제의 RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n은 1.0 이상임이 바람직하다.
또한, 상기 무기 충전제는 구상(球狀) 실리카, 구상 알루미나 및 탄산칼슘에서 선택되는 적어도 1종임이 바람직하다. 용도에 따라서는, 특히, 구상 실리카및/또는 구상 알루미나임이 바람직하다.
상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물로서는, 2관능 이상의 에폭시 수지 및/또는 2관능 이상의 에폭시 화합물이 바람직하다. 에폭시 수지로서는, 특히, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 또는 비페닐 골격 함유 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 경화제로서는, 페놀 노볼락 수지 또는 아랄킬 페놀 수지가 바람직하다.
본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 트랜스퍼 성형용 에폭시 수지 조성물로서 매우 적합하게 사용된다.
또한, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은, 사출 성형용 에폭시 수지 조성물로서도 매우 적합하게 사용된다. 이 경우, 경화 촉진제는,
일반식 Ar-NH-CO-NR2
(식 중에서 Ar은 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R은 각각 동일하거나 상이한 알킬기를 나타냄)
로 표시되는 요소 유도체임이 바람직하다.
본 발명에 따른 정밀 성형체는, 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 주성분으로 하는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 성형체로서, 그 무기 충전제가 최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하이며, 전체 수지 조성물 중에 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어있는 것을 특징으로 한다.
상기 무기 충전제의 RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n은 1.0 이상임이 바람직하다.
또한, 상기 무기 충전제는 구상 실리카, 구상 알루미나 및 탄산칼슘에서 선택되는 적어도 1종임이 바람직하다. 용도에 따라서는, 특히, 구상 실리카 및/또는 구상 알루미나임이 바람직하다.
상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물로서는, 2관능 이상의 에폭시 수지 및/또는 2관능 이상의 에폭시 화합물이 바람직하다. 에폭시 수지로서는, 특히, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 또는 비페닐 골격 함유 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 경화제로서는, 페놀 노볼락 수지 또는 아랄킬 페놀 수지가 바람직하다.
본 발명에 따른 정밀 성형체는, 통상, 트랜스퍼 성형 또는 사출 성형에 의해 제조된다.
본 발명에 따른 정밀 성형체로서는, 예를 들어, 단심 페룰 또는 다심 페룰, 전자회로 부품 등을 들 수 있다.
본 발명에 의하면, 유동성 저하에 의한 성형성의 악화를 일으키지 않고, 금형의 전사성이 우수한 동시에 치수 안정성이 우수한 정밀 성형체, 예를 들어, 표면 조도 및 진원도가 작은 정밀 성형부품을 제조할 수 있는 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다. 이 수지 조성물을 사용함으로써, 단심 페룰 및 다심 페룰 등의 정밀 광통신용 커넥터의 수지화가 가능하다. 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 단심 페룰은, 진원도가 작고, 수지화가 가능하며, 종래의 세라믹제 단심 페룰에 비하여 저렴한 단심 페룰을 제공함이 가능하다. 또한, 이 수지 조성물을 사용하여 제작한 다심 페룰은, 치수 안정성이 우수하고, 수지화가 가능하며, 종래의 세라믹제 다심 페룰에 비하여 저렴한 다심 페룰을 제공함이 가능하다.
또한, 본 발명에 의하면, 유동성 저하에 의한 성형성 악화를 일으키지 않고, 금형의 전사성이 우수하며, 사출 성형이 가능한 에폭시 수지 조성물을 제공할 수 있다. 이 수지 조성물은, 표면 조도가 작고, 금형 전사성이 우수한 정밀 성형부품을 제공할 수 있으며, 스탬퍼로 형성한 표면 형상을 양호한 정밀도로 전사할 수 있다. 따라서, 이 수지 조성물은, 성형 후에 도금을 행함으로써 미세 전자회로를 형성하는 부품 및 기판용 재료로서 적합하다. 이 수지 조성물은 도금에 의한 회로 형성이 가능하기 때문에, 표면 조도가 작은 성형품을 제조할 수 있다는 특징을 살려, 라인 앤드 스페이스가 1O㎛ 이하인 미세 전자회로 부품 및 미세 전자회로 기판을 제조할 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은, 트랜스퍼 성형 이외에 사출 성형에 의한 연속 성형이 가능하기 때문에, 성형 조건의 범위를 넓힐 수 있다.
본 발명에 따른 정밀 성형체는, 상기 수지 조성물로 이루어지기 때문에, 금형 전사성이 우수한 동시에 치수 안정성이 우수하다. 본 발명에 따른 정밀 성형체로서는, 예를 들어, 표면 조도 및 진원도가 작은 단심 페룰 등의 정밀 성형부품, 표면 조도가 작으며 치수 안정성이 우수한 다심 페룰 등의 정밀 성형부품, 전자회로 부품 등을 들 수 있다.

Claims (16)

  1. 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 주성분으로 함유하는 수지 조성물로서,
    상기 무기 충전제가,
    최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도(粒度)를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하이며, 수지 조성물 합계량 기준 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 무기 충전제의 RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 충전제가 구상(球狀) 실리카, 구상 알루미나 및 탄산칼슘에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 무기 충전제가 구상 실리카 및/또는 구상 알루미나인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물이 2관능 이상의 에폭시 수지 및/또는 2관능 이상의 에폭시 화합물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지가 오르토크레졸 노볼락 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 또는 비페닐 골격 함유 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화제가 페놀 노볼락 수지 또는 아랄킬 페놀 수지인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    트랜스퍼 성형용 에폭시 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 7 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    사출 성형용 에폭시 수지 조성물인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  10. 제 9 항에 있어서,
    경화 촉진제가 일반식 Ar-NH-CO-NR2(식 중에서 Ar은 치환 또는 비치환의 아릴기를 나타내고, R은 각각 동일하거나 상이한 알킬기를 나타냄)로 표시되는 요소 유도체인 것을 특징으로 하는 에폭시 수지 조성물.
  11. 에폭시 수지 및/또는 에폭시 화합물과, 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 주성분으로 함유하는 에폭시 수지 조성물로부터 얻어지는 정밀 성형체로서,
    상기 무기 충전제가,
    최대 입경 10㎛ 이하, 평균 입경 3㎛ 이하의 입도를 갖는 동시에, 로진 램러(RRS) 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 4.0 이하이며, 수지 조성물 합계량 기준 30중량% 이상 85중량% 이하의 양으로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 무기 충전제의 RRS 선도로 나타낸 입도 분포의 구배 n이 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 무기 충전제가 구상 실리카, 구상 알루미나 및 탄산칼슘에서 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
  14. 제 11 항 내지 제 13 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    트랜스퍼 성형 또는 사출 성형에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
  15. 제 11 항 내지 제 14 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 정밀 성형체가 단심 페룰 또는 다심 페룰인 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
  16. 제 11 항 내지 제 14 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 정밀 성형체가 전자회로 부품인 것을 특징으로 하는 정밀 성형체.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513343B1 (ko) * 2003-12-11 2005-09-07 삼성전기주식회사 구형 충진제를 함유하는 ｅｍｃ로 외장이 형성된 탄탈콘덴서

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5010112B2 (ja) * 2004-07-26 2012-08-29 新神戸電機株式会社 プリプレグの製造法、積層板およびプリント配線板の製造法
JP4731884B2 (ja) * 2004-11-10 2011-07-27 ニチアス株式会社 導電性エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂成形体及び燃料電池用セパレータの製造方法
DE102009003132A1 (de) * 2009-05-15 2010-11-18 Robert Bosch Gmbh Kunststoffformmasse sowie Verfahren zu deren Herstellung
JP5272199B2 (ja) * 2010-11-10 2013-08-28 日立化成株式会社 半導体装置の製法
JP2012167162A (ja) * 2011-02-14 2012-09-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物および液状封止樹脂組成物を用いた半導体装置
JP5649126B2 (ja) * 2011-08-04 2015-01-07 株式会社日立製作所 注型用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電気機器
EP3196351B1 (en) * 2014-09-19 2019-06-05 Sanyo Chemical Industries, Ltd. Fiber sizing agent composition, fiber sizing agent dispersion, fiber sizing agent solution, method for producing fiber bundles, composite intermediate and fiber-reinforced composite material
JP5994961B1 (ja) * 2015-03-05 2016-09-21 住友ベークライト株式会社 封止用樹脂組成物、車載用電子制御ユニットの製造方法、および車載用電子制御ユニット
CN105385110A (zh) * 2015-12-25 2016-03-09 科化新材料泰州有限公司 环保型环氧树脂组合物及其制备方法
TWI665255B (zh) * 2018-07-17 2019-07-11 恩良企業股份有限公司 用於形成套管的組合物
CN109652977B (zh) * 2018-12-07 2021-05-25 苏州大学 一种阻燃型耐紫外芳纶纤维
CN114933775B (zh) * 2022-05-26 2023-06-20 浙江嘉民新材料有限公司 一种耐热高强度的无氨酚醛注塑料

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63128020A (ja) * 1986-11-18 1988-05-31 Hitachi Ltd 樹脂封止型半導体装置
US5064881A (en) * 1989-01-18 1991-11-12 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Epoxy resin composition and semiconductor sealing material comprising same based on spherical silica
JP2825332B2 (ja) * 1990-09-21 1998-11-18 株式会社日立製作所 樹脂封止型半導体装置、該装置の製法および半導体封止用樹脂組成物
US6300244B1 (en) * 1998-05-25 2001-10-09 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100513343B1 (ko) * 2003-12-11 2005-09-07 삼성전기주식회사 구형 충진제를 함유하는 ｅｍｃ로 외장이 형성된 탄탈콘덴서

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