KR102408095B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 - Google Patents

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자 Download PDF

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Abstract

에폭시 수지, 소정의 액상 산무수물 중 적어도 일부를 수화시켜 고상화한 경화제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자가 개시된다.

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED USING THE SAME}
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다. 보다 상세하게는 저온 경화가 가능하고 휨 문제를 개선할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것이다.
전자 기기의 소형화에 따라 반도체 제품의 소형화, 박형화가 진행되고 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼 기판 상에 복수의 베어 반도체 칩(bare semiconductor chip)을 실장하고 반도체 밀봉재로 밀봉하는 웨이퍼-레벨-칩-사이즈 패키지(wafer-level-chip-size package) 기술이 주목받고 있다.
반도체 밀봉재는 주로 열경화성 수지를 포함하기 때문에 반도체 밀봉재 성형 공정에서 경화 반응 촉진을 위해 고온으로 가열되고, 이후 냉각되는데, 이때 베어 반도체 칩, 반도체 밀봉재 및 반도체 웨이퍼 기판 사이의 열팽창계수 및 탄성률 등의 차이로 인해 웨이퍼-레벨-칩-사이즈 패키지는 필연적으로 휨 문제가 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 밀봉재의 열 팽창(thermal expansion)을 줄일 필요가 있다.
본 발명의 목적은 저온 경화가 가능한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 휨 문제를 개선할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하는 것이다.
1. 일 측면에 따르면, 에폭시 수지, 하기 화학식 1의 액상 산무수물 중 적어도 일부를 수화시켜 고상화한 경화제, 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 제공된다:
<화학식 1>
Figure 112019101228705-pat00001
상기 화학식 1 중, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소 및 C1-5알킬기 중에서 선택된다.
2. 상기 1에서, R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 C1-5알킬기 중에서 선택되거나, 또는 R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 C1-5알킬기 중에서 선택될 수 있다.
3. 상기 1 또는 2에서, R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 메틸기 또는 tert-부틸기이거나, 또는 R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 메틸기 또는 tert-부틸기일 수 있다.
4. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에서, 상기 경화제 중 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비(산무수물 : 산무수물의 수화물)는 1 : 0.05 내지 1 : 1일 수 있다.
5. 상기 1 내지 4 중 어느 하나에서, 상기 에폭시 수지 조성물은
상기 에폭시 수지 0.5 내지 20 중량%;
상기 경화제 0.1 내지 13 중량%; 및
상기 무기 충전제 70 내지 95 중량%를 포함할 수 있다.
6. 다른 측면에 따르면, 상기 1 내지 5 중 어느 하나의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자가 제공된다.
본 발명은 저온 경화가 가능하고 휨 문제를 개선할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자를 제공하는 효과를 가질 수 있다.
본 명세서 중 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서 중 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에서 수치 범위를 나타내는 "a 내지 b" 에서 "내지"는 a 이상 b 이하로 정의한다.
일 측면에 따르면, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 하기 화학식 1의 액상 산무수물 중 적어도 일부를 수화시켜 고상화한 경화제, 및 무기 충전제를 포함할 수 있다.
이하, 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 각 성분에 대해 보다 상세히 설명한다.
에폭시 수지
에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 에폭시 수지들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 구체적으로, 에폭시 수지는 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 예를 들면, 에폭시 수지는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시바이페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 일 구현예에 따르면, 에폭시 수지로 다관능형 에폭시 수지를 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
에폭시 수지는 경화성 측면을 고려할 때 에폭시 당량이 100 내지 500g/eq인 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 상기 범위에서 경화도를 높일 수 있다.
에폭시 수지는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 에폭시 수지에 경화제, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제 및 응력 완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터 배치(melt master batch)와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물 형태로 사용할 수도 있다.
에폭시 수지의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들어 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중에 0.5 내지 20 중량%(예를 들어, 1 내지 15 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않을 수 있다.
경화제
경화제는 하기 화학식 1의 액상 산무수물 중 적어도 일부를 수화시켜 고상화한 경화제일 수 있다:
<화학식 1>
Figure 112019101228705-pat00002
.
상기 화학식 1 중, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소 및 C1-5알킬기 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 C1-5알킬기 중에서 선택되거나, 또는 R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 C1-5알킬기 중에서 선택될 수 있다. 다른 구현예에 따르면, R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 메틸기 또는 tert-부틸기이거나, 또는 R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 메틸기 또는 tert-부틸기일 수 있다. 또 다른 구현예에 따르면, R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 메틸기이거나, 또는 R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 메틸기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
경화제는 상기 화학식 1의 액상 산무수물에 물을 첨가하여 제조될 수 있으며, 액상 산무수물에 물을 첨가하면 수화 반응에 의해 산무수물의 적어도 일부가 하기 화학식 2의 디카르복시산(이하, '산무수물의 수화물'로 지칭함)으로 전환되면서 고상화된다:
<화학식 2>
Figure 112019101228705-pat00003
상기 화학식 2 중, R1 내지 R4는 상술한 바를 참조하여 이해될 수 있다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 상술한 경화제를 포함함으로써 경화 개시 온도를 낮출 수 있고, 그 결과 저온 경화를 가능케 하여 휨 문제를 개선할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 경화제 중 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비(산무수물 : 산무수물의 수화물)는 1 : 0.05 내지 1 : 1일 수 있다. 상기 범위에서, 높은 warpage 조절 효과가 있을 수 있다. 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 액상 산무수물에 첨가되는 물의 양을 조절하여 제어될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 1 : 0.1 내지 1 : 0.7일 수 있다. 다른 구현예에 따르면, 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 1 : 0.1 내지 1 : 0.5일 수 있다. 또 다른 구현예에 따르면, 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 1 : 0.1 내지 1 : 0.3일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있다. 또한, 경화제에 에폭시 수지, 경화 촉진제, 이형제 및 응력 완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터 배치와 같은 선반응을 시켜 만든 부가 화합물로도 사용할 수 있다.
경화제의 사용량은 특별히 한정되는 것은 아니나, 예를 들어 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13 중량%(예를 들면, 1 내지 10 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않을 수 있다.
무기 충전제
무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성의 향상과 저응력화를 달성하기 위해 사용될 수 있다. 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한 없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 무기 충전제로서 용융 실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등을 사용할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 저응력화를 위하여 선팽창계수가 낮은 용융 실리카를 사용할 수 있다. 용융 실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로, 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함될 수 있다. 용융 실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지 않으나, 평균 입경(D50) 5 내지 30㎛의 구상 용융 실리카를 50 내지 99 중량%, 평균 입경(D50) 0.001 내지 10㎛의 구상 용융 실리카를 1 내지 50 중량%를 포함한 용융 실리카　혼합물을　전체 충전제에　대하여 40 내지 100 중량%가 되도록　포함할 수 있다. 여기서, 평균 입경(D50)은 입도 분석기를 사용하여 측정될 수 있다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 15㎛, 25㎛, 45㎛, 55㎛　및　75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수 있다.
무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온 강도 등의 요구 물성에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70 내지 95 중량%, 예를 들면 80 내지 95 중량%, 다른 예를 들면 85 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 난연성, 유동성 및 신뢰성을 확보할 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질을 일컬을 수 있다. 경화 촉진제로는 공지의 경화 촉진제를 제한 없이 사용할 수 있다. 경화 촉진제의 예로는, 1,8-디아자-비시클로(5.4.0)운데센-7,1,5-디아자-비시클로(4.3.0)노넨-5,6-디부틸아미노-1,8-디아자-비시클로(5.4.0)운데센-7 등의 시클로아미딘 화합물, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민 화합물, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 트리부틸포스핀 등의 트리알킬포스핀, 디메틸페닐포스핀 등의 디알킬아릴 포스핀, 메틸디페닐포스핀 등의 알킬디아릴포스핀, 트리페닐포스핀, 알킬기 치환 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류 및 이들 화합물에 무수 말레산, 1,4-벤조퀴논, 2,5-톨루퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸벤조퀴논, 2,6-디메틸벤조퀴논, 2,3-디메톡시-5-메틸-1,4-벤조퀴논, 2,3-디메톡시-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논 등의 퀴논 화합물, 디아조페닐메탄, 페놀 수지 등의 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자 내 분극을 갖는 화합물 및 이들 화합물의 유도체, 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트 등의 페닐보론염 등을 들 수 있다. 또한, 잠재성을 갖는 경화 촉진제로서, 상온에서 고체의 아미노기를 갖는 화합물을 코어로 하고, 상온에서 고체의　에폭시　화합물의 쉘을 피복하여 이루어지는 코어-쉘 입자를 들 수 있다. 이러한 코어-쉘 입자의 시판품으로는 Ajinomoto社의 Ajicure 등을 들 수 있다. 이들 경화 촉진제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선 반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능할 수 있다.
경화 촉진제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 경화 촉진제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중　0.01 내지 2 중량%(예를 들면, 0.02 내지 1.5 중량%)로 포함될 수 있다.　상기 범위에서, 조성물의 경화를 촉진하고, 경화도도 좋은 장점이 있을 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 커플링제, 이형제 및 착색제 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
커플링제
커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여 계면 강도를 향상시키기 위한 것으로, 커플링제의 예로는 실란 커플링제를 들 수 있다. 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 실란 커플링제의 예로는 에폭시 실란, 아미노 실란, 우레이도 실란, 머캅토 실란, 알킬 실란 등을 들 수 있다. 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
커플링제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 커플링제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 5 중량%(예를 들면, 0.05 내지 3 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물 경화물의 강도가 향상될 수 있다.
이형제
이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염 중 1종 이상을 사용할 수 있다.
이형제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 이형제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.
착색제
착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물 및 운모 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
착색제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 착색제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 5 중량%(예를 들면, 0.05 내지 3 중량%)로 포함될 수 있다.
이외에도, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane 등의 산화방지제; 수산화알루미늄 등의 난연제　등을　필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 헨셀　믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 소정의 배합비로 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법으로 제조될 수 있다.
상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자, 특히 모바일 디스플레이 또는 자동차의 지문 인식 센서에 장착되는 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로서는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이 가능할 수 있다.
다른 측면에 따르면, 상술한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치가 개시된다.
이하, 실시예를 들어 본 발명의 일 구현예를 따르는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 예시로 제시된 것이며, 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예
(A) 에폭시수지: EPPN-501H(NIPPON KAYAKU社)
(B) 경화제
(b1) Rikacid-MH(New Japan Chemical社) 168g에 물 5.4g을 혼합하여 고상화한 경화제(산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 1 : 0.3임)
(b2) Rikacid-MH(New Japan Chemical社) 168g에 물 1.8g을 혼합하여 고상화한 경화제(산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비는 1 : 0.1임)
(C) Rikacid-MH(New Japan Chemical社)
(D) Rikacid MH-700(New Japan Chemica社)
(E) YH-306(MITSUBISHI Chemical社)
(F) 페놀성 경화제: MEH-8000H(Meiwa plastic industry社)
(G) 무기 충전제: 80sx(Admatech社)
(H) 경화촉진제: Ajicure PN-23(Ajinomoto社)
(I) 착색제: MA-600(Matsusita Chemical社)
실시예 1 및 2 및 비교예 1 내지 4
상기 각 성분들을 하기 표 1의 조성에 따라 평량한 후 혼합하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 하기 표 1에서 각 조성물의 사용량 단위는 중량%이다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
(A) 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7 6.7
(B) (b1) 5.0 - - - - -
(b2) - 5.0 - - - -
(C) - - 5.0 - - -
(D) - - - 5.0 - -
(E) - - - - 5.0 -
(F) - - - - - 5.0
(G) 87.5 87.5 87.5 87.5 87.5 87.5
(H) 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
(I) 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30 0.30
상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기 물성 평가 방법에 따라 측정하였다. 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
물성 평가 방법
(1) 열시차주사열량계(DSC)상 개시 온도(onset point)(℃): 에폭시 수지 조성물에 대해 열시차주사열량계(DSC)(Q20, TA instruments社)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min의 승온 속도로 -50 내지 250℃의 범위에서 열시차주사열량계상 개시 온도를 측정하였다. 열시차주사열량계상 개시 온도란 열시차주사열량계 측정시 발열에 의해 그래프의 기울기가 최초로 증가하게 되는 시점의 온도를 말한다.
(2) 경화 여부: 에폭시 수지 조성물에 대하여 90℃에서 10분 동안 열경화한 후, 경화 여부를 육안으로 확인하고, 경화가 완료된 경우를 ○로, 그렇지 않은 경우를 ×로 표시하였다.
(3) 유리전이온도(Tg, ℃): 기계 분석기(Thermomechanical Analyzer, TMA)를 이용하여 측정하였다. 이때 TMA는 25℃에서 분당 10℃씩 온도를 상승시켜 300℃까지 측정하는 조건으로 설정하였다.
(3) 선팽창계수(ppm/℃): ASTM D696에 의해 평가하였다. 유리전이온도 이하의 온도에서의 선팽창계수를 CTE1, 유리전이온도 초과의 온도에서의 선팽창계수를 CTE2로 나타냈다.
(4) 유동성(inch): 저압 트랜스퍼 성형기를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에 성형온도 90℃, 성형압력 70kgf/cm2에서 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 유동장(遊動長)(단위: inch)을 측정하였다.
(5) 모듈러스(Mpa): 에폭시 수지 조성물에 대하여 트랜스퍼 성형기를 사용하여 금형 온도 90℃±5℃, 주입 압력 1,000psi±200psi, 경화 시간 120초 조건에서 경화시켜 시편(길이 × 폭 × 두께, 20mm × 13mm × 1.6mm)을 성형하였다. 상기 시편을 90℃±5℃ 열풍 건조기에서 2시간 동안 후경화시킨 후 동적점탄성분석기(Dynamic Mechanical Analyzer: DMA)로 Q8000(TA사)를 이용하여 모듈러스를 측정하였다. 모듈러스 측정 시, 승온 속도는 5℃/분으로, -10℃에서 300℃까지 승온시켰으며, 25℃ 및 260℃에서의 값을 저장 모듈러스(storage modulus)로 구하였다.
실시예 1 실시예 2 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
온셋 온도(℃) 85 85 85 90 95 155
경화 여부 @90℃, 10분 ○ ○ × ○ × ×
유리전이온도(Tg, ℃) 155 158 - 165 - -
선팽창계수
(ppm/℃)		 CTE1 8.3 8.5 - 12.5 - -
CTE2 28 27 - 28 - -
유동성(inch) 52 53 - 38 - -
모듈러스
(Mpa)		 @25℃ 13.8 13.6 - 16.5 - -
@260℃ 0.91 0.90 - 2.2 - -
상기 표 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 본 발명의 경화제를 포함하는 실시예 1, 2의 조성물은 경화 개시 온도가 낮아져 90℃의 저온에서 경화가 가능하면서 낮은 CTE, 모듈러스를 나타낸 반면, 그렇지 않은 비교예 1 내지 4의 조성물은 90℃의 저온에서 경화가 불가능하거나, 경화되더라도 높은 CTE, 모듈러스를 나타냈다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.

Claims (6)

  1. 에폭시 수지 0.5 내지 20중량%, 하기 화학식 1의 액상 산무수물 중 적어도 일부를 수화시켜 고상화한 경화제 0.1 내지 13중량%, 및 무기 충전제 70 내지 95중량%를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
    <화학식 1>
    Figure 112022017819992-pat00005

    상기 화학식 1 중, R1 내지 R4는 서로 독립적으로, 수소 및 C1-5알킬기 중에서 선택된다.
  2. 제1항에 있어서,
    R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 C1-5알킬기 중에서 선택되거나; 또는
    R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 C1-5알킬기 중에서 선택되는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    R1, R2 및 R4는 수소이고, R3는 메틸기 또는 tert-부틸기이거나; 또는
    R1, R3 및 R4는 수소이고, R2는 메틸기 또는 tert-부틸기인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 경화제 중 산무수물과 산무수물의 수화물의 몰비(산무수물 : 산무수물의 수화물)가 1 : 0.05 내지 1 : 1인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 소자.

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