KR102158873B1 - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 유리전이온도가 높고 저수축 특성을 갖는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 반도체 소자를 포장하고 반도체 장치를 얻는 방법으로는 에폭시(epoxy) 수지 조성물를 이용한 트랜스퍼(transfer) 성형이 저비용, 대량 생산에 적합하다는 점에서 널리 사용되고 있다. 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 경화제, 무기 충전제 등을 포함하여 이루어지는 것이 일반적이다.
그러나, 전자 제품의 소형화, 경량화, 고성능화 추세에 따라 반도체 칩이 얇아지고, 고집적화 및/또는 표면 실장화가 증가함에 따라 종래의 에폭시 수지 조성물로는 해결할 수 없는 문제점이 발생하고 있다. 특히, 반도체 소자의 박형화에 따라 기판과 밀봉층 사이의 열팽창, 열수축으로 인한 패키지의 휨 현상 및 고탄성 경화물에 의한 칩 파손 등의 불량이 발생하기 쉽다는 문제점이 있다. 이에 패키지의 휨 현상으로 인한 문제와 고탄성 경화물에 의한 칩 파손 등의 불량 문제를 개선하기 위해 저수축, 저탄성 물성이 요구되고 있다.
실질적으로 기판상의 편면만을 에폭시 수지 조성물로 밀봉한 패키지에서, 휨을 감소시키는 방법으로 수지 조성물의 경화 수축을 작게 하는 방법이 제안되었다. 유기 기판에서는 BT 수지나 폴리이미드 수지와 같이 높은 유리 전이 온도(Tg)의 수지가 널리 이용되고 있으며, 이들은 수지 조성물의 성형 온도인 170℃ 부근보다 높은 Tg를 가진다. 이 경우, 성형 온도로부터 실온까지의 냉각 과정에서는 유기 기판의 선팽창 계수가 α1의 영역만으로 수축한다. 따라서, 수지 조성물도 Tg가 높고, 그 α1이 회로 기판과 동일하며, 또한 경화 수축이 제로이면 휨은 거의 제로가 될 것이다.
한편, 휨을 감소시키기 위해서 기판의 선팽창 계수와 에폭시 수지 경화물의 선팽창 계수를 근접시키는 방법이 알려져 있다. 용융 점도가 낮은 수지를 이용해 무기 충전제의 배합량을 높임으로써, α1을 기판에 근접시키거나 선팽창 계수를 낮출 수 있는 나프탈렌 골격을 수지에 도입하는 방법도 제안되고 있다. 그러나, 이러한 수지 조성물의 경우, 유동성과 성형성이 저하되기 쉽고, 경화 수축을 감소시키기 위해 높은 Tg를 갖는 수지 조성물을 사용하게 되면 일반적으로 탄성률이 크게 증가하여 열이나 충격에 의한 외부 스트레스에 취약해지게 된다.
따라서, 높은 무기 충전제 비율에서도 유동성과 성형성이 우수하고 경화 수축이 적은 에폭시 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 경화 시 높은 유리전이온도와 저수축 특성을 갖는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 편면 밀봉 구조를 갖는 반도체 패키지에 특히 유용하게 사용될 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 에폭시 수지 조성물로 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 하나의 관점은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것이다. 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지; 경화제; 및 무기 충전제를 포함하고, 상기 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 다핵 에폭시 수지를 포함한다:
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, Ar1은 1개 이상의 글리시딜기로 치환된 방향족기, Ar2는 2개 이상의 글리시딜기 및 크산텐 구조를 포함하는 모이어티이고, R1은 탄소 수 1~6의 탄화수소기임)
상기 Ar1은 1개 이상의 글리시딜기로 치환된, 페닐기 또는 나프틸기일 수 있다.
구체예에서, 상기 다핵 에폭시 수지는 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있다:
[화학식 1-1]
(상기 화학식 1-1에서, Ar3는 1개 이상의 글리시딜기로 치환된 방향족기, Ar4는 탄소 수 6~12의 아릴렌기, R2는 수소, 탄소 수 1~10의 알킬기, 탄소 수 6~30의 아릴기, 에폭시기 또는 글리시딜기, m1과 m2는 각각 독립적으로 1~3의 자연수, m3는 각각 독립적으로 1~5의 자연수, n은 1~6의 자연수임.)
구체예에서, 상기 다핵 에폭시 수지는 하기 화학식 1a~1d 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
구체예에서, 상기 다핵 에폭시 수지는 전체 에폭시 수지 중 60~100 중량%로 포함될 수 있다.
구체예에서, 상기 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지; 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 경화제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 다핵 페놀 화합물을 포함할 수 있다:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서, Ar5은 1이상의 수산기로 치환된 방향족기, Ar6는 2개 이상의 글리시딜기 및 크산텐 구조를 포함하는 모이어티이고, R1은 탄소수 1-6의 탄화수소기임)
상기 다핵 페놀 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다:
[화학식 2-1]
(상기 화학식 2-1에서, Ar7은 1이상의 수산기로 치환된 방향족기, Ar4는 탄소수 6~12의 아릴렌기, R2는 수소, 탄소 수 1~10의 알킬기, 탄소 수 6~30의 아릴기, 에폭시기 또는 글리시딜기, m1과 m2는 각각 독립적으로 1~3의 자연수, m3는 각각 독립적으로 1~5의 자연수, n은 1~6의 자연수임.)
상기 다핵 페놀 화합물은 하기 화학식 2a~2d 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
구체예에서, 상기 에폭시 수지 조성물은, 상기 에폭시 수지 0.5 중량% 내지 20 중량%, 상기 경화제 0.1 중량% 내지 13 중량%, 상기 무기 충전제 70 중량% 내지 95 중량%를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 반도체 장치에 관한 것이다. 상기 반도체 장치는 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 것이다.
구체예에서, 상기 반도체 장치는 박형 편면 밀봉 패키지를 포함할 수 있다.
본 발명은 높은 유리전이온도와 저수축 특성을 갖고, 패키지 휨 발생을 효과적으로 억제할 수 있으며, 편면 밀봉 구조를 갖는 반도체 패키지에 특히 유용하게 사용될 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 상기 에폭시 수지 조성물로 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 발명의 효과를 갖는다.
이하, 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물 중 구성 성분에 대해 상세하게 설명한다.
에폭시 수지
에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 다핵 에폭시 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다:
[화학식 1]
(상기 화학식 1에서, Ar1은 1개 이상의 글리시딜기로 치환된 방향족기, Ar2는 2개 이상의 글리시딜기 및 크산텐 구조를 포함하는 모이어티이고, R1은 탄소 수 1~6의 탄화수소기임)
구체예에서 상기 다핵 에폭시 수지는 하기 화학식 1-1로 표시될 수 있다:
[화학식 1-1]
(상기 화학식 1-1에서, Ar3는 1개 이상의 글리시딜기로 치환된 방향족기, Ar4는 탄소 수 6~12의 아릴렌기, R2는 수소, 탄소 수 1~10의 알킬기, 탄소 수 6~30의 아릴기, 에폭시기 또는 글리시딜기, m1과 m2는 각각 독립적으로 1~3의 자연수, m3는 각각 독립적으로 1~5의 자연수, n은 1~6의 자연수임.)
구체예에서는 하기 화학식 1a~1d 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
상기 다핵 에폭시 수지는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 다핵 페놀 화합물을 에폭시화하여 제조될 수 있다:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서, Ar5은 1이상의 수산기로 치환된 방향족기, Ar6는 2개 이상의 글리시딜기 및 크산텐 구조를 포함하는 모이어티이고, R1은 탄소수 1-6의 탄화수소기임)
예를 들면, 상기 다핵 페놀 화합물은 2가 이상의 수산기를 갖는 나프탈렌과 Ar4와의 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 Ar3와 2차 축합 반응하여 제조될 수 있다. 또한, 상기 다핵 에폭시 수지는 상기 다핵 페놀 화합물을 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조될 수 있다.
본 발명의 다른 구체예에서는 상기 다핵 에폭시 수지와 함께 다른 에폭시 수지를 병용하여 사용할 수 있다. 예를 들면, 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 보다 구체적으로는, 상기 에폭시 수지는 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지 및 바이페닐형 에폭시 수지 중 하나 이상을 상기 다핵 에폭시 수지와 함께 적용될 수 있다. 이 경우, 상기 다핵 에폭시 수지는 전체 에폭시 수지 중 60~100 중량%, 바람직하게는 90~100 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 충분한 저수축 특성을 가질 수 있다.
에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.5 중량% 내지 20 중량%, 구체적으로는 3 중량% 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 충분한 경화성을 확보할 수 있다.
경화제
한 구체예에서 경화제는 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 경화제들이 사용될 수 있다. 구체적으로, 경화제는 페놀성 경화제를 사용할 수 있고, 예를 들면 페놀성 경화제는 페놀아랄킬형 페놀 수지, 페놀노볼락형 페놀 수지, 자일록형 페놀 수지, 크레졸 노볼락형 페놀 수지, 나프톨형 페놀 수지, 테르펜형 페놀 수지, 다관능형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔계 페놀 수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀 수지; 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
다른 구체예에서는 상기 경화제는 하기 화학식 2의 구조를 갖는 다핵 페놀 화합물을 포함할 수 있다:
[화학식 2]
(상기 화학식 2에서, Ar5은 1이상의 수산기로 치환된 방향족기, Ar6는 2개 이상의 글리시딜기 및 크산텐 구조를 포함하는 모이어티이고, R1은 탄소수 1-6의 탄화수소기임)
상기 다핵 페놀 화합물은 하기 화학식 2-1로 표시될 수 있다:
[화학식 2-1]
(상기 화학식 2-1에서, Ar7은 1이상의 수산기로 치환된 방향족기, Ar4는 탄소수 6~12의 아릴렌기, R2는 수소, 탄소 수 1~10의 알킬기, 탄소 수 6~30의 아릴기, 에폭시기 또는 글리시딜기, m1과 m2는 각각 독립적으로 1~3의 자연수, m3는 각각 독립적으로 1~5의 자연수, n은 1~6의 자연수임.)
상기 다핵 페놀 화합물은 하기 화학식 2a~2d 중 어느 하나로 표시될 수 있다:
상기 경화제는 상기 다핵 페놀 화합물과 통상의 경화제를 함께 병용하여 사용할 수 있다. 구체예에서는 상기 경화제는 상기 다핵 페놀 화합물 0 내지 40 중량% 및 다관능형 페놀 수지 60 내지 100 중량%를 포함할 수 있다.
경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 중량% 내지 13 중량%, 바람직하게는 0.1 중량% 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 중량% 내지 9 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않는 효과가 있을 수 있다.
에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 예를 들면, 경화제에 대한 에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3일 수 있으며, 구체적으로 1 내지 2, 더욱 구체적으로 1 내지 1.75일 수 있다. 에폭시 수지와 경화제의 배합비가 상기의 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물 경화 후에 우수한 강도를 구현할 수 있다.
무기 충전제
무기 충전제는 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성 및 저응력화를 향상시키기 위한 것이다. 무기 충전제로는, 반도체 소자 밀봉재에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한 없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 무기 충전제로는 용융 실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있다.
바람직하게는 저응력화를 위해서 선팽창계수가 낮은 용융 실리카를 사용한다. 용융 실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융 실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상 용융 실리카를 50 중량% 내지 99 중량%, 평균 입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융 실리카를 1 중량% 내지 50 중량%를 포함한 용융 실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40 중량% 내지 100 중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45㎛, 55㎛, 및 75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다. 상기 구상 용융 실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으므로 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.
무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온 강도 등의 요구 물성에 따라 다르다. 구체예에서는 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70 중량% 내지 95 중량%, 예를 들면 75 중량% 내지 94 중량% 또는 75 중량% 내지 93 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 유동성 및 신뢰성을 확보하는 효과가 있을 수 있다.
한편, 상기 성분들 이외에 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 상기 경화 촉진제로는, 예를 들면, 3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다.
유기 금속화합물의 구체적인 예로는, 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트 등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논 부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-페닐-4메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 붕소화합물의 구체적인 예로는, 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및 페놀노볼락 수지염 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로는, 상기 경화 촉진제로 유기인화합물, 붕소화합물, 아민계, 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
경화 촉진제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%일 수 있으며, 구체적으로 0.02 중량% 내지 1.5 중량%, 더욱 구체적으로 0.05 중량% 내지 1 중량%일 수 있다. 상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고 또한, 경화도도 좋은 장점이 있을 수 있다.
커플링제
커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여 계면 강도를 향상시키기 위한 것으로, 예를 들면, 실란 커플링제일 수 있다. 상기 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류가 특별히 한정되지 않는다. 상기 실란 커플링제의 구체적인 예로는 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란, 및 알킬실란 등을 들 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
상기 커플링제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 중량% 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 중량% 내지 2 중량%의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물 경화물의 강도가 향상될 수 있다.
이형제
이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
이형제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 중량% 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.
착색제
착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
착색제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 중량% 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.05 중량% 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 중량% 내지 2 중량%의 함량으로 포함될 수 있다.
이외에도, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 및 실리콘 레진 등의 응력 완화제; Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane 등의 산화 방지제; 수산화알루미늄 등의 난연제 등을 필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
본 발명의 다른 관점은 반도체 장치에 관한 것이다. 상기 반도체 장치는 상기 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 것이다.
구체예에서, 상기 반도체 장치는 박형 편면 밀봉 패키지를 포함할 수 있다.
에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 헨셀 믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 소정의 배합비로 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(rollmill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법으로 제조될 수 있다.
본 발명에서 얻어진 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이 가능하다. 상기와 같은 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자, 특히 저수축 특성이 요구되는 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 또한 편면 밀봉 구조를 갖는 반도체 패키지에 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
실시예
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A) 에폭시 수지
(a1) 2,7-디하이드록시 나프탈렌과 o-아니스알데하이드를 황산을 이용한 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 페놀과 포르말린을 넣어 2차 축합 반응하여 다핵 페놀 화합물 제조하였다. 이렇게 얻어진 페놀 화합물을 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조된 하기 화학식 1a 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용하였다.
(a2) 2,7-디하이드록시 나프탈렌과 o-아니스알데하이드를 황산을 이용한 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 1-나프톨과 포르말린을 넣어 2차 축합 반응하여 다핵 페놀 화합물 제조하였다. 이렇게 얻어진 페놀 화합물을 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조된 하기 화학식 1b 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용하였다.
(a3) 2,7-디하이드록시 나프탈렌과 3,4-디메톡시벤즈알데하이드를 황산을 이용한 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 페놀과 포르말린을 넣어 2차 축합 반응하여 다핵 페놀 화합물 제조하였다. 이렇게 얻어진 페놀 화합물을 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조된 하기 화학식 1c 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용하였다.
(a4) 2,7-디하이드록시 나프탈렌과 3,4-디메톡시벤즈알데하이드를 황산을 이용한 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 1-나프톨과 포르말린을 넣어 2차 축합 반응하여 다핵 페놀 화합물 제조하였다. 이렇게 얻어진 페놀 화합물을 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조된 하기 화학식 1d 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용하였다.
(a5) 2,7-디하이드록시 나프탈렌과 3,4-디메톡시벤즈알데하이드를 황산을 이용한 1차 축합 반응을 통해 xanthene 골격을 갖는 화합물을 제조한 후 이를 에프클로히드린을 통해 에폭시화하여 제조된 하기 화학식 1e 구조를 갖는 에폭시 수지를 사용하였다.
(a6) HP-4770(DIC corporation)을 사용하였다.
(B) 경화제: 다관능형 페놀 수지인 MEH-7500-3S(메이와)를 사용하였다.
(C) 무기 충전제: 평균 입경 18㎛의 구상 용융 실리카와 평균 입경 0.5㎛의 구상 용융 실리카의 9:1(중량비) 혼합물을 사용하였다.
(D) 경화 촉진제: 트리페닐포스핀(호코 케미칼)을 사용하였다.
(E) 커플링제: 메틸트리메톡시실란인 SZ-6070(다우코닝케미칼)을 사용하였다.
(F) 착색제: 카본블랙인 MA-600(마츠시타 케미칼)을 사용하였다.
(G) 이형제: 카르나우바 왁스를 사용하였다.
실시예 및 비교예
상기 각 성분들을 하기 표 1의 조성(단위: 중량%)에 따라 각 성분들을 평량한 후 헨셀 믹서를 이용하여 균일하게 혼합하여 분말 상태의 1차 조성물을 제조하였다. 이후 연속 니이더를 이용하여 90~110℃에서 용융 혼련한 후 냉각 및 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
실시예 | 비교예 | ||||||
1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | ||
(A)에폭시수지 | (a1) | 11.7 | - | - | - | - | - |
(a2) | - | 11.7 | - | - | - | - | |
(a3) | - | - | 11.7 | - | - | - | |
(a4) | - | - | - | 11.7 | - | - | |
(a5) | - | - | - | - | 11.7 | - | |
(a6) | - | - | - | - | - | 11.7 | |
(B)경화제 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | 6.6 | |
(C)무기 충전제 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | 80 | |
(D)경화 촉진제 | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 | 0.6 | |
(E)커플링제 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
(F)착색제 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
(G)이형제 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기 물성 평가 방법에 따라 측정하였다. 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
물성 평가 방법
(1) 유동성(inch): 저압 트랜스퍼 성형기를 사용하여, EMMI-1-66에 준한 스파이럴 플로우 측정용 금형에, 성형온도 175℃, 성형압력 70kgf/cm2에서 에폭시 수지 조성물을 주입하고, 유동장(遊動長)(단위: inch)을 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수하다.
(2) 경화 수축율(%): 굴곡 강도 시편 제작용 ASTM 금형을 사용하여 175℃, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스(transfer molding press)를 이용하여 성형 시편(125mm×12.6mm×6.4mm)을 얻었다. 얻은 시편을 170℃ 내지 180℃의 오븐에 넣어 4시간 동안 후경화(PMC: post molding cure)시킨 다음 냉각한 후 시험편의 길이를 캘리퍼스로 측정하였다. 경화 수축율은 다음과 같은 식 1로부터 계산하였다.
[식 1]
경화수축률(%) = │A - B│ / A × 100
(상기 식 1에서, A는 175℃에서의 금형 길이, B는 상기 시편을 170℃ 내지 180℃에서 4시간 후경화하고, 냉각시킨 후 얻은 시편의 길이이다).
(3) 25℃ 모듈러스(GPa): 에폭시 수지 조성물에 대하여 트랜스퍼 성형기를 사용하여 금형 온도 175℃±5℃, 주입 압력 1000psi±200psi, 경화시간 120초 조건에서 경화시켜 시편(20mm×13mm×1.6mm)을 성형하였다. 상기 시편을 175℃±5℃ 열풍 건조기에서 2시간 동안 후경화시킨 후 동적점탄성분석기(Dynamic Mechanical Analyzer, DMA)로 Q8000(TA사)를 이용하여 모듈러스를 측정하였다. 모듈러스 측정 시, 승온 속도는 5℃/분으로, -10℃에서 300℃까지 승온시켰으며, 25℃에서의 값을 모듈러스로 구하였다.
(4) 260℃ 모듈러스(MPa): 에폭시 수지 조성물에 대하여 트랜스퍼 성형기를 사용하여 금형 온도 175℃±5℃, 주입 압력 1000psi±200psi, 경화시간 120초 조건에서 경화시켜 시편(20mm×13mm×1.6mm)을 성형하였다. 상기 시편을 175℃±5℃ 열풍 건조기에서 2시간 동안 후경화시킨 후 동적점탄성분석기(Dynamic Mechanical Analyzer, DMA)로 Q8000(TA사)를 이용하여 모듈러스를 측정하였다. 모듈러스 측정 시, 승온 속도는 5℃/분으로, -10℃에서 300℃까지 승온시켰으며, 260℃에서의 값을 모듈러스(storage modulus)로 구하였다.
(5) 유리전이온도(℃): 열기계 분석기(Thermomechanical Analyzer, TMA)를 이용하여 측정하였다. 이때 TMA는 25℃에서 분당 10℃씩 온도를 상승시켜 300℃까지 측정하는 조건으로 설정하였다.
평가 항목 | 실시예 | 비교예 | ||||
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | |
유동성(inch) | 68 | 69 | 67 | 70 | 60 | 61 |
경화 수축율(%) | 0.09 | 0.08 | 0.09 | 0.08 | 0.13 | 0.35 |
25°C 탄성률(GPa) | 14.6 | 14.0 | 15.4 | 15.3 | 14.6 | 17.6 |
260°C 탄성률(MPa) | 801 | 882 | 768 | 789 | 654 | 1297 |
유리전이온도(℃) | 190 | 191 | 188 | 189 | 182 | 140 |
상기 표 2에서와 같이, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 유동성이 우수하고, 경화 수축율이 낮았으며, 낮은 탄성률과 높은 유리전이온도를 갖는 것을 알 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (13)
- 에폭시 수지; 경화제; 및 무기 충전제를 포함하고,
상기 에폭시 수지는 다핵 에폭시 수지를 포함하고,
상기 다핵 에폭시 수지는 하기 화학식 1-1로 표시되는 것인, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
[화학식 1-1]
(상기 화학식 1-1에서, Ar3는 1개 이상의 글리시딜기로 치환된 방향족기, Ar4는 탄소 수 6~12의 아릴렌기, R2는 수소, 탄소 수 1~10의 알킬기, 탄소 수 6~30의 아릴기, 에폭시기 또는 글리시딜기, m1과 m2는 각각 독립적으로 1~3의 자연수, m3는 각각 독립적으로 1~5의 자연수, n은 1~6의 자연수임.).
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 다핵 에폭시 수지는 전체 에폭시 수지중 60~100 중량%로 포함되는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 경화제는 페놀아랄킬형 페놀수지, 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀수지; 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물 중 하나 이상을 포함하는, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 조성물은,
상기 에폭시 수지 0.5 중량% 내지 20 중량%,
상기 경화제 0.1 중량% 내지 13 중량%,
상기 무기 충전제 70 중량% 내지 95 중량%를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 조성물은, 하기 식 1의 경화수축률이 0.1% 미만이고, 경화 후 260℃에서의 모듈러스가 750~1000 MPa 이며, 175℃, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스(transfer molding press)를 이용하여 측정한 유동 길이가 65~75 inch 인, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
[식 1]
경화수축률 = |A - B|/ A x 100
(상기 식 1에서, A는 에폭시 수지 조성물을 175, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스하여 얻은 시편의 길이, B는 상기 시편을 170℃ 내지 180℃에서 4시간 후 경화하고, 냉각시킨 후 얻은 시편의 길이이다).
- 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 조성물은 경화 후 유리전이온도가 185℃ 이상인, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항, 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된, 반도체 장치.
- 제12항에 있어서, 상기 반도체 장치는 박형 편면 밀봉 패키지를 포함하는 반도체 장치.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003201333A (ja) | 2001-07-12 | 2003-07-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂、新規フェノール化合物およびその製造方法 |
JP2006335797A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂及びその製造方法 |
JP2012057083A (ja) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール化合物の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 |
JP2015212356A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-26 | 日本化薬株式会社 | フェノール樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、およびその硬化物 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8008410B2 (en) * | 2006-11-15 | 2011-08-30 | Sumitomo Bakelite Company, Ltd. | Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device |
CN102959005B (zh) * | 2010-07-02 | 2015-07-15 | 日立化成工业株式会社 | B阶片材、带有树脂的金属箔、金属基板和led基板 |
KR101908179B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2018-12-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 |
-
2017
- 2017-12-29 KR KR1020170184890A patent/KR102158873B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003201333A (ja) | 2001-07-12 | 2003-07-18 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂、新規フェノール化合物およびその製造方法 |
JP2006335797A (ja) | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Dainippon Ink & Chem Inc | エポキシ樹脂組成物、その硬化物、新規エポキシ樹脂及びその製造方法 |
JP2012057083A (ja) | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Dic Corp | 硬化性樹脂組成物、その硬化物、リン原子含有フェノール化合物の製造方法、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 |
JP2015212356A (ja) * | 2014-04-16 | 2015-11-26 | 日本化薬株式会社 | フェノール樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物、およびその硬化物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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