CN110776715A - 用于封装半导体装置的环氧树脂组成物和半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于封装半导体装置的环氧树脂组成物和使用所述环氧树脂组成物封装的半导体装置。环氧树脂组成物包含：环氧树脂；固化剂；以及第一无机填充剂，所述第一无机填充剂包含由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒，所述金属颗粒用由硅石和氧化铝中选出的至少一者包覆。

Description

用于封装半导体装置的环氧树脂组成物和半导体装置
相关申请的交叉引用
本申请案要求2018年7月30在韩国知识产权局申请的韩国专利申请案第10-2018-0088536号的权益，其全部公开内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于封装半导体装置的环氧树脂组成物和使用所述环氧树脂组成物封装的半导体装置。
背景技术
为了保护半导体装置免受例如湿气或机械冲击的外部环境损害，一般用环氧树脂组成物封装半导体装置。随着小型及薄化数字装置的近期通用化，半导体装置的集成度已持续增加以获得半导体芯片的高度层合和密化。以高度层合的密集结构堆叠且用树脂封装的半导体装置的小型及薄化封装件可由于半导体装置的操作期间的热量产生而遭受频繁的功能失常和开裂困扰。虽然使用散热片来解决这一问题，但散热片可应用于一些封装件且由于工艺的增加而导致加工性劣化和高制造成本。
因此，已进行各种研究以经由改进用于封装半导体装置的环氧树脂组成物的热导率来改进半导体封装件的散热。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于封装半导体装置的环氧树脂组成物和一种使用所述环氧树脂组成物封装的半导体装置，所述环氧树脂组成物具有改进的散热特性。
根据本发明的一个方面，用于封装半导体装置的环氧树脂组成物包含：环氧树脂；固化剂；以及第一无机填充剂，所述第一无机填充剂包含由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒，所述金属颗粒用由硅石和氧化铝中选出的至少一者包覆。
经包覆金属颗粒可具有0.1微米到50微米的平均粒径。
经包覆金属颗粒可具有1纳米到100纳米的包覆厚度。
第一无机填充剂可按50重量％到95重量％的量存在于环氧树脂组成物中。
环氧树脂组成物可进一步包含不同于第一无机填充剂的第二无机填充剂。
第二无机填充剂可包含由硅石和氧化铝中选出的至少一者。
环氧树脂组成物可包含0.5重量％到20重量％的环氧树脂，0.1重量％到13重量％的固化剂，50重量％到95重量％的第一无机填充剂，以及0.1重量％到49重量％的第二无机填充剂。
根据本发明的另一个方面，提供一种用根据本发明的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物封装的半导体装置。
用根据本发明的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物封装的半导体装置具有良好的散热特性。
附图说明
图1(a)至图1(c)示出根据本发明的一个实施例的作为第一无机填充剂的用氧化硅包覆的铜颗粒的TEM图像(放大率：图1(a)5,000倍，图1(b)15,000倍，图1(c)75,000倍)。
具体实施方式
如本文中所使用，单数形式“一(a、an)”以及“所述”意图还包含复数形式，除非上下文另外明确指示。
应理解，在本说明书中使用时，术语“包括”或“包含”阐明存在声明的特征、元件和/或组件，但不排除一或多个其它特征、元件和/或组件的存在或添加。
应理解，虽然本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件以及层，但是这些元件、组件以及层不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件或层与另一元件、组件或层。
本文中，经包覆金属颗粒的平均粒径是指如使用泽塔斯则纳米-ZS(Zetasizernano-ZS)仪(马尔文公司(Malvern Co.,Ltd.))在水溶液或有机溶剂中测量的金属颗粒的Z均粒径。
根据本发明的一个方面，用于封装半导体装置的环氧树脂组成物包含：环氧树脂；固化剂；以及第一无机填充剂，所述第一无机填充剂包含由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒，所述金属颗粒用由硅石、氧化铝或其组合中选出的至少一者包覆。
在下文中，将详细描述根据本发明的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物的每一组分。
环氧树脂
环氧树脂可由用于封装半导体装置的典型环氧树脂中选出，而不受限于特定树脂。具体来说，环氧树脂可以是含有至少两个环氧基的环氧化合物。举例来说，环氧树脂可包含经由苯酚或烷基酚与羟基苯甲醛的缩合物的环氧化获得的环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、多官能环氧树脂、萘酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚A/双酚F/双酚AD的酚醛清漆型环氧树脂、双酚A/双酚F/双酚AD的缩水甘油醚、双羟基联苯型环氧树脂、二环戊二烯环氧树脂、联苯型环氧树脂以及类似物。在一个实施例中，环氧树脂可包含由以下之中选出的至少一个环氧树脂：联苯型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂以及多官能环氧树脂。在另一实施例中，环氧树脂可以是苯酚芳烷基型环氧树脂。
考虑到可固化性，环氧树脂可具有100克/当量到500克/当量的环氧当量。在这一范围内，环氧树脂可改进固化的程度。
环氧树脂可单独使用或以其组合形式使用。或者，环氧树脂可以加合物的形式使用，所述加合物例如通过使环氧树脂与其它组分预反应获得的熔化母料，所述其它组分例如固化剂、固化促进剂、脱模剂、偶合剂、应力消除剂以及类似物。
环氧树脂可按0.5重量％到20重量％、例如3重量％到15重量％的量存在于用于封装半导体装置的环氧树脂组成物中。在这一范围内，环氧树脂组成物并不受可固化性劣化困扰。举例来说，环氧树脂可按如下的量存在：0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％、16重量％、17重量％、18重量％、19重量％或20重量％。
固化剂
固化剂可由用于封装半导体装置的任何典型固化剂中选出，而不受限于特定固化剂。具体来说，固化剂可以是酚类固化剂。举例来说，酚类固化剂可包含由以下中选出的至少一者：苯酚芳烷基型苯酚树脂、苯酚酚醛清漆型苯酚树脂、多官能苯酚树脂、新酚树脂(Xylok)型苯酚树脂、甲酚酚醛清漆型苯酚树脂、萘酚型苯酚树脂、萜类型苯酚树脂、二环戊二烯苯酚树脂、由双酚A与甲阶酚醛树脂(resole)合成的酚醛清漆型苯酚树脂以及多羟基的苯酚化合物，例如三(羟基苯基)甲烷和二羟基联苯。在一个实施例中，酚类固化剂可包含由以下中选出的至少一者：苯酚芳烷基型苯酚树脂、新酚树脂型苯酚树脂、苯酚酚醛清漆型苯酚树脂以及多官能苯酚树脂。在另一实施例中，酚类固化剂可包含苯酚芳烷基型苯酚树脂和/或新酚树脂型苯酚树脂。
考虑到可固化性，固化剂可具有90克/当量到250克/当量的羟基当量。在这一范围内，固化剂可改进固化的程度。
这些固化剂可单独使用或以其组合形式使用。另外，固化剂可以加合物的形式使用，所述加合物例如通过使上述固化剂与其它组分预反应获得的熔化母料，所述其它组分例如环氧树脂、固化促进剂、脱模剂以及应力消除剂。
固化剂可按约0.1重量％到约13重量％、优选为约1重量％到约10重量％的量存在于环氧树脂组成物中。在这一范围内，环氧树脂组成物并不受可固化性劣化困扰。举例来说，固化剂可以如下的量存在：0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％或13重量％。
可根据半导体装置封装件的机械性质和防潮性可靠性来调整环氧树脂与固化剂的混合比。举例来说，环氧树脂与固化剂的化学当量比可介于0.95到3范围内。在一个实施例中，环氧树脂与固化剂的化学当量比可介于1到2(例如1到1.75)范围内。在这一范围内，环氧树脂组成物可呈现良好的后固化强度。
无机填充剂
第一无机填充剂包含由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒，所述金属颗粒用由硅石和氧化铝中选出的至少一者包覆。
第一无机填充剂使用于封装半导体装置的环氧树脂组成物的散热最大化。在环氧树脂组成物包含由具有高热导率的铜、镍、铝、银以及金中选出的至少一个类型的金属颗粒以改进散热时，可能存在半导体装置由于金属颗粒的高电导率而失效的问题。在包含于环氧树脂组成物中时，氧化铝、氮化铝(AlN)或类似者比由铜、镍、铝、银以及金中选出的至少一个类型的金属颗粒具有低得多的热导率，且因此对改进环氧树脂组成物的热导率具有限制且可导致环氧树脂组成物的流动性劣化。用由具有低热导率的硅石和氧化铝中选出的至少一者包覆的由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒呈现高热导率和良好绝缘性质。因此，包含第一无机填充剂的环氧树脂组成物可在流动性不劣化的情况下确保良好散热。
经包覆金属颗粒可具有0.1微米到50微米的平均粒径。举例来说，经包覆金属颗粒可具有2微米到25微米的平均粒径。在一个实施例中，经包覆金属颗粒可具有5微米到20微米的平均粒径，但不限于此。在这一范围内，经包覆金属颗粒可在流动性不劣化的情况下改进环氧树脂组成物的散热。
金属颗粒可具有1纳米到100纳米的包覆厚度。举例来说，金属颗粒可具有10纳米到90纳米的包覆厚度。在一个实施例中，金属颗粒可具有20纳米到80纳米的包覆厚度，但不限于此。在这一范围内，金属颗粒可确保环氧树脂组成物的良好绝缘性质同时维持高热导率。
在一个实施例中，第一无机填充剂可包含由用硅石或氧化铝包覆的铜颗粒、镍颗粒以及银颗粒中选出的金属颗粒。在另一实施例中，第一无机填充剂可包含用硅石包覆的铜颗粒或用氧化铝包覆的铜颗粒，但不限于此。
第一无机填充剂可按50重量％到95重量％的量存在于环氧树脂组成物中。举例来说，第一无机填充剂可按55重量％到90重量％的量存在于环氧树脂组成物中。在另一实例中，第一无机填充剂可按60重量％到85重量％的量存在于用于封装半导体装置的环氧树脂组成物中。在这一范围内，第一无机填充剂可在流动性不劣化的情况下改进环氧树脂组成物的散热。举例来说，第一无机填充剂可按如下的量存在于环氧树脂组成物中：50重量％、51重量％、52重量％、53重量％、54重量％、55重量％、56重量％、57重量％、58重量％、59重量％、60重量％、61重量％、62重量％、63重量％、64重量％、65重量％、66重量％、67重量％、68重量％、69重量％、70重量％、71重量％、72重量％、73重量％、74重量％、75重量％、76重量％、77重量％、78重量％、79重量％、80重量％、81重量％、82重量％、83重量％、84重量％、85重量％、86重量％、87重量％、88重量％、89重量％、90重量％、91重量％、92重量％、93重量％、94重量％或95重量％。
环氧树脂组成物可进一步包含不同于第一无机填充剂的第二无机填充剂。举例来说，第二无机填充剂可包含由以下中选出的至少一者：硅石(例如熔凝硅石、晶体硅石以及类似物)、碳酸钙、碳酸镁、氧化铝、氧化镁、粘土、滑石、硅酸钙、氧化钛、氧化锑以及玻璃纤维。
在一个实施例中，第二无机填充剂可包含硅石，例如熔凝硅石。熔凝硅石是指具有2.3或小于2.3的比重的非晶体硅石，且包含通过使晶体硅石熔化或通过合成各种原材料来制备的非晶体硅石。硅石可包含50重量％到99重量％的具有5微米到30微米的平均粒径的球形硅石与1重量％到50重量％的具有0.001微米到1微米的平均粒径的球形硅石的硅石混合物，但不限于此。另外，硅石可具有根据最终用途而选择的45微米、55微米或75微米的最大粒径。因为球形硅石可在其表面上包含作为异物的导电碳，所以选择含有较小极性异物的材料为重要的。
在另一实施例中，第二无机填充剂可包含氧化铝(例如熔凝氧化铝)。氧化铝可包含50重量％到99重量％的具有5微米到30微米的平均粒径的球形氧化铝与1重量％到50重量％的具有0.001微米到1微米的平均粒径的球形氧化铝的氧化铝混合物，但不限于此。
在另一实施例中，第二无机填充剂可包含硅石(例如熔凝硅石)与氧化铝(例如熔凝氧化铝)的混合物。
第二无机填充剂可按0.1重量％到49重量％(例如5重量％到45重量％或10重量％到40重量％)的量存在于环氧树脂组成物中。在这一范围内，第二无机填充剂可在流动性不劣化的情况下改进环氧树脂组成物的散热。
举例来说，第二无机填充剂可按如下的量存在于环氧树脂组成物中：0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1重量％、2重量％、3重量％、4重量％、5重量％、6重量％、7重量％、8重量％、9重量％、10重量％、11重量％、12重量％、13重量％、14重量％、15重量％、16重量％、17重量％、18重量％、19重量％、20重量％、21重量％、22重量％、23重量％、24重量％、25重量％、26重量％、27重量％、28重量％、29重量％、30重量％、31重量％、32重量％、33重量％、34重量％、35重量％、36重量％、37重量％、38重量％、39重量％、40重量％、41重量％、42重量％、43重量％、44重量％、45重量％、46重量％、47重量％、48重量％或49重量％。
用于封装半导体装置的环氧树脂组成物可进一步包含固化促进剂。
固化促进剂
固化促进剂促进环氧树脂与固化剂之间的反应。固化促进剂的实例可包含三级胺、有机金属化合物、有机磷化合物、咪唑化合物以及硼化合物。
三级胺的实例可包含苯甲基二甲胺、三乙醇胺、三亚乙基二胺、二乙基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚、2-(二甲基氨基甲基)苯酚、2,4,6-三(二氨基甲基)苯酚以及三-2-乙基己酸盐，但不限于此。有机金属化合物的实例可包含乙酰基丙酮酸铬、乙酰基丙酮酸锌以及乙酰基丙酮酸镍，但不限于此。有机磷化合物的实例可包含三-4-甲氧基膦、溴化四丁基鏻、溴化四苯基鏻、苯基膦、二苯基膦、三苯基膦、三苯基膦三苯基硼烷以及三苯基膦-1,4-苯醌加合物，但不限于此。咪唑化合物的实例可包含2-苯基-4-甲基咪唑、2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-氨基咪唑、2-甲基-1-乙烯基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑以及2-十七基咪唑，但不限于此。硼化合物的实例可包含四苯基硼酸四苯基鏻、四苯基硼酸三苯基膦、四苯基硼酸盐、三氟硼烷-正己胺、三氟硼烷单乙胺、四氟硼烷三乙胺以及四氟硼烷胺，但不限于此。或者，可使用1,5-二氮杂双环[4.3.0]壬-5-烯(DBN)、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一-7-烯(DBU)以及苯酚酚醛清漆树脂盐，但不限于此。
作为固化促进剂，也可使用通过使环氧树脂或固化剂预反应获得的加合物。
固化促进剂可按0.01重量％到2重量％、例如0.02重量％到1.5重量％的量存在于环氧树脂组成物中。在这一范围内，固化促进剂可促进环氧树脂组成物的固化同时确保其良好可固化性。举例来说，固化促进剂可按如下的量存在：0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1.0重量％、1.1重量％、1.2重量％、1.3重量％、1.4重量％、1.5重量％、1.6重量％、1.7重量％、1.8重量％、1.9重量％或2重量％。
根据本发明的环氧树脂组成物可进一步包含偶合剂、脱模剂以及着色剂中的至少一者。
偶合剂
偶合剂用以经由环氧树脂与无机填充剂之间的反应改进界面强度，且可以是例如硅烷偶合剂。硅烷偶合剂不受特定限制，只要硅烷偶合剂可与环氧树脂和填充剂反应以增强环氧树脂与填充剂之间的界面的强度即可。偶合剂的实例可包含环氧硅烷、氨基硅烷、脲基硅烷、巯基硅烷以及烷基硅烷。这些偶合剂可单独使用或以其组合形式使用。偶合剂可按0.01重量％到5重量％、例如0.05重量％到3重量％的量存在于环氧树脂组成物中。在这一范围内偶合剂可改进环氧树脂组成物的固化产物的强度。举例来说，偶合剂可按如下的量存在：0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1.0重量％、1.1重量％、1.2重量％、1.3重量％、1.4重量％、1.5重量％、1.6重量％、1.7重量％、1.8重量％、1.9重量％、2重量％、3重量％、4重量％或5重量％。
脱模剂
脱模剂可包含由石蜡、酯蜡、高级脂肪酸、高级脂肪酸金属盐、天然脂肪酸以及天然脂肪酸金属盐所组成的族群中选出的至少一者。脱模剂可按0.1重量％到1重量％的量存在于环氧树脂组成物中。举例来说，脱模剂可按如下的量存在：0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％或1重量％。
着色剂
着色剂可用于半导体装置的封装物的激光打标，且可由所属领域中众所周知的任何着色剂中选出。举例来说，着色剂可包含以下中的至少一者：碳黑、氮化钛、钛黑、氢氧化二铜磷酸盐(dicopper hydroxide phosphate)、氧化铁以及云母。着色剂可按0.01重量％到5重量％、例如0.05重量％到3重量％的量存在于环氧树脂组成物中。举例来说，着色剂可按如下的量存在：0.01重量％、0.02重量％、0.03重量％、0.04重量％、0.05重量％、0.06重量％、0.07重量％、0.08重量％、0.09重量％、0.1重量％、0.2重量％、0.3重量％、0.4重量％、0.5重量％、0.6重量％、0.7重量％、0.8重量％、0.9重量％、1.0重量％、1.1重量％、1.2重量％、1.3重量％、1.4重量％、1.5重量％、1.6重量％、1.7重量％、1.8重量％、1.9重量％、2重量％、3重量％、4重量％或5重量％。
另外，根据本发明的环氧树脂组成物可视需要在不影响本发明的目的的情况下进一步包含例如四[亚甲基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羟苯基)丙酸酯]甲烷的抗氧化剂和例如氢氧化铝的阻燃剂。
环氧树脂组成物可通过如下方法来制备：预定量的前述组分经使用亨舍尔(Henschel)混合器或劳迪吉混合器均匀并充分地混合，并使用辊磨机或捏合机熔化捏合，然后冷却并粉碎，由此获得最终粉剂产物。
根据本发明的环氧树脂组成物可用于封装半导体装置，确切地说，用于汽车的移动显示器或指纹识别感测器的半导体装置。作为用于使用根据本发明的环氧树脂组成物封装半导体装置的方法，一般可使用低压转移模制。然而，应了解，还可以采用注射模制或浇铸来模制环氧树脂组成物。
本发明的另一方面涉及一种使用根据本发明的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物封装的半导体装置。
接下来，将参考实例更详细地描述本发明。然而，应注意，提供这些实例仅为了说明，且不应以任何方式解释为限制本发明。
实例
实例和比较例中所用的组分的详情如下。
(A)环氧树脂：苯酚芳烷基型环氧树脂(NC-3000，日本化药株式会社(NipponKayaku Co.,Ltd.))。
(B)固化剂
(b1)新酚树脂型苯酚树脂：使用KPH-F3065(科隆化学公司(Kolon ChemicalInc.))。
(b2)苯酚芳烷基型苯酚树脂：使用MEH-7851(明和产业株式会社(Meiwa Co.,Ltd.))。
(C)固化促进剂：使用TPP-k(北兴化学有限公司(Hokko Chemical Co.,Ltd.))。
(D)第一无机填充剂
(d1)使用经硅石包覆的铜颗粒(平均粒径：15微米，包覆厚度：30纳米)。
(d2)使用经氧化铝包覆的银颗粒(平均粒径：5微米，包覆厚度：80纳米)。
(d3)使用经硅石包覆的镍颗粒(平均粒径：8微米，包覆厚度：50纳米)。
(d4)使用经氧化铝包覆的铜颗粒(平均粒径：20微米，包覆厚度：20纳米)。
(E)第二无机填充剂
(e1)使用通过将具有20微米的平均粒径的球形熔凝硅石与具有0.5微米的平均粒径的球形熔凝硅石以9:1的重量比混合而制备的混合物。
(e2)使用通过将具有20微米的平均粒径的球形熔凝氧化铝与具有0.5微米的平均粒径的球形熔凝氧化铝以9:1的重量比混合而制备的。
(F)经硅石包覆的氮化铝(AlN)颗粒(平均粒径：10微米，包覆厚度：40纳米)
(G)铜颗粒(平均粒径：10微米)
(H)偶合剂
(h1)使用甲基三甲氧基硅烷(SZ-6070，道康宁有限公司(Dow Corning Co.,Ltd.))。
(h2)使用N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(KBM-573，信越化学有限公司(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.))。
(I)着色剂：使用碳黑(MA-600B，松下化学公司(Matsushita Chemical Co.,Ltd.))。
实例1到实例5以及比较例1到比较例4
通过如表1中所列出称重上述组分来制备用于封装半导体装置的每一环氧树脂组成物。在表1中，每一组分的含量以重量百分比(wt％)表示。
表1
利用以下方法针对以下性质评估在实例1到实例5以及比较例1到比较例4中制备的用于封装半导体装置的环氧树脂组合物，且结果展示于表2中。
性质评估
(1)螺旋流动(单位：英寸)：将环氧树脂组合物中的每一个注入到模具中以用于使用低压传递模制压床在如下条件下测量对应于EMMI-1-66的螺旋流动：模具温度为175℃，负载为70千克力/平方厘米，注入压力为9兆帕(MPa)，以及固化时间为90秒，然后测量流场。
(2)热导率(单位：W/m·K)：根据ASTM D5470，于25℃下在样本上测量热导率以进行评估。
(3)体积电阻(Ω·cm)：使用体积电阻测试仪在由每一环氧树脂组成物制备的经模制样本(120毫米(直径)×4.0毫米(厚度))上测量体积电阻。
表2
Figure BDA0002148751300000121
根据表2，可看出，实例1到实例5的环氧树脂组合物比比较例1到比较例4的环氧树脂组合物具有更高热导率和更高体积电阻。
应理解，所属领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以作出各种修改、变化、更改以及等效实施例。

Claims (8)

1.一种用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，包括
环氧树脂；
固化剂；以及
第一无机填充剂，包括由铜颗粒、镍颗粒、铝颗粒、银颗粒以及金颗粒中选出的至少一个类型的金属颗粒，所述金属颗粒用由硅石和氧化铝中选出的至少一者包覆。
2.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中经包覆的所述金属颗粒具有0.1微米到50微米的平均粒径。
3.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中经包覆的所述金属颗粒具有1纳米到100纳米的包覆厚度。
4.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述第一无机填充剂按50重量％到95重量％的量存在于所述环氧树脂组成物中。
5.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，进一步包括：不同于所述第一无机填充剂的第二无机填充剂。
6.根据权利要求5所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述第二无机填充剂包括由硅石和氧化铝中选出的至少一者。
7.根据权利要求5所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，包括：
0.5重量％到20重量％的所述环氧树脂，
0.1重量％到13重量％的所述固化剂，
50重量％到95重量％的所述第一无机填充剂，以及
0.1重量％到49重量％的所述第二无机填充剂。
8.一种半导体装置，使用如权利要求1到7中任一项所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物封装。
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