KR101955762B1 - 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 - Google Patents

반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 에폭시 수지; 경화제; 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure 112016066026685-pat00047

상기 화학식 1에서, l은 1 내지 3인 정수임.
[화학식 2]
Figure 112016066026685-pat00048

상기 화학식 2에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 3인 정수임.

Description

반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치{EPOXY RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE ENCAPSULATED BY USING THE SAME}
본 발명은 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 저수축, 저탄성 물성을 갖는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 반도체 소자를 포장하고 반도체장치를 얻는 방법으로 에폭시(epoxy) 수지 조성물를 이용한 트랜스퍼(transfer) 성형이 저비용, 대량 생산에 적합하다는 점에서 널리 사용되고 있다.
종래에는 반도체 패키징 공정의 특성상, 연화점이 50 ~ 130 수준인 지방족 또는 방향족 에폭시 수지들이 주로 사용되어 왔다. 에폭시 수지의 연화점이 상기 범위를 벗어나는 경우, 성형이 어렵고, 불량이 발생하기 쉽기 때문이다.
그러나, 전자 제품의 소형화, 경량화, 고성능화 추세에 따라 반도체 칩이 얇아지고, 고집적화 및/또는 표면 실장화가 증가함에 따라 종래의 에폭시 수지 조성물들로는 해결할 수 없는 문제점이 발생하고 있다. 특히, 반도체 소자의 박형화에 따라 기판과 밀봉층 사이의 열팽창, 열수축으로 인한 패키지의 휨이 발생하기 쉽고, 밀봉층이 고탄성 특성을 가져 밀봉층에 의해 칩이 손상 또는 파손되는 등의 문제점이 발생한다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 유리전이온도가 높은 에폭시 수지 및/또는 페놀 수지를 사용하여 에폭시 수지 조성물의 유리전이온도를 높임으로써 수지 조성물의 경화 수축을 억제하는 방법, 또는, 무기 충전제의 배합량을 높여 에폭시 수지 조성물의 선팽창계수를 감소시키는 방법 등이 제안되었다.
그러나, 유리전이온도가 높은 에폭시 수지 조성물을 사용할 경우, 탄성률이 크게 증가하여 열이나 외부 충격에 의한 외부 스트레스에 취약해진다는 문제점이 있으며, 무기 충전제의 함량을 높일 경우, 유동성, 저장 안정성 등이 저하되는 문제점이 발생한다.
따라서, 유동성, 저장 안정성 등과 같은 다른 물성의 저하를 최소하면서 낮은 경화 수축율 및 탄성률을 갖는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 개발이 요구되고 있다.
관련 선행기술이 일본공개특허 특개평7-53671호에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 유동성, 저장 안정성, 부착력, 흡습율 등과 같은 물성 저하를 최소화하면서 저수축 및 저탄성 특성을 구현할 수 있는 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기와 같은 에폭시 수지 조성물로 밀봉된 반도체 장치를 제공하는 것이다.
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 에폭시 수지; 경화제; 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112016066026685-pat00001
상기 화학식 1에서, l은 1 내지 3인 정수임.
[화학식 2]
Figure 112016066026685-pat00002
상기 화학식 2에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 3인 정수임.
바람직하게는, 상기 에폭시 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 포함하는 것일 수 있으며, 예를 들면, 상기 혼합물은 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 1 : 9 내지 9 : 1 의 몰 비율로 포함할 수 있다. 바람직하게는, 상기 혼합물 내에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 몰수가 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 몰수 이상인 것이 바람직하다. 예를 들면, 상기 혼합물은 화학식 1로 표시되는 화합물 : 화학식 2로 표시되는 화합물을 1 : 1 내지 5 : 1, 바람직하게는 2 : 1 내지 4 : 1의 몰 비율로 포함할 수 있다.
일 구체예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것일 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112016066026685-pat00003
[화학식 1-2]
Figure 112016066026685-pat00004
[화학식 1-3]
Figure 112016066026685-pat00005
[화학식 1-4]
Figure 112016066026685-pat00006
[화학식 1-5]
Figure 112016066026685-pat00007
[화학식 1-6]
Figure 112016066026685-pat00008
[화학식 1-7]
Figure 112016066026685-pat00009
[화학식 1-8]
Figure 112016066026685-pat00010
[화학식 1-9]
Figure 112016066026685-pat00011
다른 구체예에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112016066026685-pat00012
[화학식 2-2]
Figure 112016066026685-pat00013
[화학식 2-3]
Figure 112016066026685-pat00014
상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 에폭시 수지 0.5 내지 20중량%, 상기 경화제 0.1 내지 13중량%, 및 상기 무기 충전제 70 내지 95중량%를 포함할 수 있으며, 필요에 따라 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
다른 측면에서, 본 발명은 상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치를 제공한다.
본 발명의 에폭시 수지 조성물은 특정한 구조의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물을 사용하여, 유동성, 저장 안정성, 부착력, 흡습율 등과 같은 물성이 우수하며, 동시에 경화 후 저수축 및 저탄성 특성을 구현할 수 있다.
이하, 본 발명에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
또한, 구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 범위를 나타내는 「X 내지 Y」는 「X 이상 Y 이하」를 의미한다.
본 발명자들은 열팽창, 열수축에 의한 반도체 패키지의 휨 발생 및 외부 충격에 의한 칩 파손을 최소화할 수 있도록, 저수축 및 저탄성 특성을 갖는 반도체 밀봉용 소재를 개발하기 위해 연구를 거듭한 결과, 특정 구조의 나프탈렌계 에폭시 화합물을 사용할 경우, 상기와 같은 목적을 달성할 수 있음을 알아내고. 본 발명을 완성하였다.
구체적으로는, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 화학식 1로 표시되는 화합물, 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함하는 에폭시 수지, 경화제, 및 무기 충전제를 포함한다. 이하, 본 발명의 에폭시 수지 조성물의 각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.
에폭시 수지
본 발명에 있어서, 상기 에폭시 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물, 화학식 2로 표시되는 화합물 또는 이들의 혼합물을 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112016066026685-pat00015
상기 화학식 1에서, l은 1 내지 3인 정수이다.
[화학식 2]
Figure 112016066026685-pat00016
상기 화학식 2에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 3인 정수이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 디하이드록시 나프탈렌과 하이드록시 벤질알콜을 반응시켜 반응 생성물을 형성한 후, 상기 반응 생성물을 에피클로로히드린 등과 반응시켜 에폭시기를 도입하는 방법으로 제조될 수 있다.
또한, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 디하이드록시 나프탈렌과 하이드록시 벤질알콜 및 벤질알콜을 반응시켜 반응 생성물을 형성한 후, 상기 반응 생성물을 에피클로로히드린 등과 반응시켜 에폭시기를 도입하는 방법으로 제조될 수 있다.
상기와 같이 제조된 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은 나프탈렌 및 벤젠 고리를 포함하는 벌키(bulky)한 구조로, 경화 후 수축율 및 탄성율이 낮게 나타난다. 또한, 상기 화학식 1 또는 화학식 2의 화합물은, 경화 사이트인 에폭시 관능기를 화합물 내에 적어도 3개 이상 포함하고 있어, 경화도가 증가하고, 수축율 관점에서 보다 유리한 효과를 얻을 수 있다.
한편, 상기 에폭시 수지는 화학식 1의 화합물 또는 화학식 2의 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고, 화학식 1의 화합물과 화학식 2의 화합물의 혼합물을 포함할 수도 있다.
바람직하게는, 상기 에폭시 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 포함한다. 구체적으로는, 상기 혼합물은 화학식 1로 표시되는 화합물 대 화학식 2로 표시되는 화합물을 1 : 9 내지 9 : 1의 몰 비율로 포함할 수 있다.
한편, 상기 혼합물 내의 화학식 1로 표시되는 화합물의 몰수가 화학식 2로 표시되는 화합물의 몰수 이상이 되는 것이 보다 바람직하다. 화학식 1로 표시되는 화합물의 몰수가 화학식 2로 표시되는 화합물의 몰수보다 많을 경우, 저수축 특성이 더욱 우수하게 나타난다. 구체적으로는, 상기 혼합물은 화학식 1로 표시되는 화합물 : 화학식 2로 표시되는 화합물을 1 : 1 내지 5 : 1, 바람직하게는 2 : 1 내지 4 : 1의 몰 비율로 포함할 수 있다.
일 구체예에 따르면, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 1-1]
Figure 112016066026685-pat00017
[화학식 1-2]
Figure 112016066026685-pat00018
[화학식 1-3]
Figure 112016066026685-pat00019
[화학식 1-4]
Figure 112016066026685-pat00020
[화학식 1-5]
Figure 112016066026685-pat00021
[화학식 1-6]
Figure 112016066026685-pat00022
[화학식 1-7]
Figure 112016066026685-pat00023
[화학식 1-8]
Figure 112016066026685-pat00024
[화학식 1-9]
Figure 112016066026685-pat00025
다른 구체예에 따르면, 상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 2-1]
Figure 112016066026685-pat00026
[화학식 2-2]
Figure 112016066026685-pat00027
[화학식 2-3]
Figure 112016066026685-pat00028
한편, 상기 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.5중량% 내지 20중량% 정도, 구체적으로는 3중량% 내지 15중량% 정도, 더욱 구체적으로 3중량% 내지 12중량% 정도의 함량으로 포함될 수 있다.
경화제
경화제로는 반도체 소자 밀봉용으로　일반적으로 사용되는 경화제들이 제한없이 사용될 수 있으며, 바람직하게는 2개 이상의 반응기를 가진 경화제가 사용될 수 있다.
구체적으로는, 상기 경화제로는, 페놀아랄킬형 페놀수지,　페놀노볼락형 페놀수지, 자일록(xylok)형 페놀수지, 크레졸 노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형　페놀수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산　및　무수　프탈산을 포함하는 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐설폰　등의 방향족 아민　등이 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 경화제는 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 페놀아랄킬형 페놀수지 및 다관능형 페놀수지 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 페놀노볼락형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 3]으로 표시되는 페놀노볼락형 패놀수지일 수 있다.
[화학식 3]
Figure 112016066026685-pat00029
상기 화학식 3에서 d는 1 내지 7이다.
상기 화학식 3으로 표시되는 페놀노볼락형 페놀수지는 가교점 간격이 짧아, 에폭시 수지와 반응할 경우 가교밀도가 높아져 그 경화물의 유리전이온도를 높일 수 있고, 이에 따라 경화물 선팽창계수를 낮추어 반도체 소자 패키지의 휨을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
상기 페놀아랄킬형 페놀수지는 예를 들면, 하기 [화학식 4]로　표시되는　분자 중에 바이페닐　유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 페놀수지일 수 있다.
[화학식 4]
Figure 112016066026685-pat00030
상기 화학식 4에서, e의 평균치는 1 내지 7이다.
상기 화학식 4로 표시되는 페놀아랄킬형 페놀수지는 에폭시 수지와 반응하여 탄소층(char)을 형성하여 주변의 열 및 산소의 전달을 차단함으로써 난연성을 달성하게 된다.
또한,　상기 자일록형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 5]로　표시되는　자일록(xylok)형　페놀수지일 수 있다.
[화학식 5]
Figure 112016066026685-pat00031
(상기 화학식 5에서, f의 평균치는 0 내지 7이다.)
상기 화학식 5로 표시되는 자일록형 페놀수지는 수지 조성물의 유동성 및 신뢰성　강화 측면에서 바람직하다.
상기 다관능형 페놀수지는, 예를 들면, 하기 [화학식 6]으로 표시되는 반복 단위를 포함하는 다관능형 페놀수지일 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112016066026685-pat00032
(상기 화학식 6에서 g의 평균치는 1 내지 7이다.)
상기 화학식 6으로 표시되는 반복단위를 포함하는 다관능형 페놀수지는 에폭시 수지 조성물의 고온 휨 특성 강화 측면에서 바람직하다.
이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있다. 또한, 상기 경화제에 에폭시 수지, 경화 촉진제, 이형제, 커플링제, 및 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트 마스터 배치와 같은 선반응을 시켜 만든　부가 화합물로도 사용할 수 있다.
상기 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 8 중량% 의 함량으로 포함될 수 있다.
상기 에폭시 수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 조절될 수 있다. 예를 들면, 경화제에 대한　에폭시 수지의 화학 당량비가 0.95 내지 3 정도일 수 있으며, 구체적으로 1 내지 2 정도, 더욱 구체적으로 1 내지 1.75 정도일 수 있다. 에폭시 수지와 경화제의 배합비가 상기의 범위를 만족할 경우, 에폭시 수지 조성물 경화 후에 우수한 강도를 구현할 수 있다.
무기 충전제
상기 무기 충전제는 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성 및 저응력화를 향상시키기 위한 것이다. 상기 무기 충전제로는, 반도체 밀봉재에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 상기 무기 충전제로는 용융실리카, 결정성실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등이 사용될 수 있다. 이들은 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있다.
바람직하게는 저응력화를 위해서 선팽창계수가 낮은 용융실리카를 사용한다. 용융실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5 내지 30㎛의 구상용융실리카를 50 내지 99중량%, 평균입경 0.001 내지 1㎛의 구상 용융실리카를 1내지 50중량%를 포함한 용융실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40 내지 100중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45㎛, 55㎛, 및 75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수가 있다. 상기 구상 용융실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물질로서 포함되는 경우가 있으나 극성 이물질의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다.
무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온강도 등의 요구 물성에 따라 다르다. 구체예에서는 상기 무기 충전제는 에폭시 수지 조성물 중 70중량% 내지 95중량%, 예를 들면 80중량% 내지 90중량% 또는 83중량% 내지 97중량%로 포함될 수 있다.
기타 성분
한편, 상기 성분들 이외에 본 발명에 따른 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 상기 경화 촉진제로는, 예를 들면,　3급 아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 및 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 구체적으로 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리 에탄올아민, 트리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실산염 등이 있다. 상기 유기 금속화합물의 구체적인 예로는, 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트　등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라페닐포스포늄 브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀 트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논　부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-페닐-4메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸,　2-페닐이미다졸,　2-아미노이미다졸, 2-메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸　등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 붕소화합물의 구체적인 예로는, 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene:DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및　페놀노볼락 수지염　등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
보다 구체적으로는, 상기 경화 촉진제로 유기인화합물, 붕소화합물, 아민계, 또는 이미다졸계 경화 촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 경화 촉진제는 에폭시 수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다.
본 발명에서 경화 촉진제의 사용량은 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대하여　0.01중량% 내지 2중량% 정도일 수 있으며, 구체적으로 0.02중량% 내지 1.5중량% 정도, 더욱 구체적으로 0.05중량% 내지 1중량% 정도일 수 있다.　상기의 범위에서 에폭시 수지 조성물의 경화를 촉진하고 또한, 경화도도 좋은 장점이 있다.
커플링제
상기 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여 계면 강도를 향상시키기 위한 것으로, 예를 들면, 실란 커플링제일 수 있다. 상기 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류가 특별히 한정되지 않는다. 상기 실란 커플링제의 구체적인 예로는 에폭시실란, 아미노실란, 우레이도실란, 머캅토실란 등을 들 수 있다. 상기 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
상기 커플링제는 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대해 0.01중량% 내지 5 중량% 정도, 바람직하게는 0.05중량% 내지 3 중량% 정도, 더욱 바람직하게는 0.1중량% 내지 2 중량% 정도의 함량으로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 에폭시 수지 조성물 경화물의 강도가 향상된다.
이형제
상기 이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 이형제는 에폭시수지 조성물 중 0.1 내지 1중량%로 포함될 수 있다.
착색제
상기 착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 착색제는 카본 블랙, 티탄블랙, 티탄 질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물, 운모 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 착색제는 에폭시 수지 조성물 총 중량에 대해 0.01중량% 내지 5 중량% 정도, 바람직하게는 0.05중량% 내지 3 중량% 정도, 더욱 바람직하게는 0.1중량% 내지 2 중량% 정도의 함량으로 포함될 수 있다.
이외에도, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은　본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 및 실리콘 레진 등의 응력완화제; ㅌ테트라키스[메틸렌-3-(3,5-디-터셔리부틸-4-하이드록시페닐)프로피오네이트]메탄 (trakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane) 등의 산화방지제;　등을　필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
상기 본 발명에 따른 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화 후 수축율 및 탄성율이 낮기 때문에, 반도체 밀봉 후 열 수축 또는 열 팽창으로 인한 패키지 휨, 외부 충격에 의해 칩 파손 등을 최소화할 수 있다.
구체적으로는 본 발명에 따른 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 하기 식 (1)에 의해 측정된 경화수축율이 0.30% 이하, 바람직하게는 0.2% 이하, 더 바람직하게는 0.15% 이하로 저 수축 특정을 갖는다.
식 (1): 경화 수축율(%)= {(L0 -L1)/L0}
상기 식 (1)에서, 상기 L0는 상기 에폭시 수지 조성물을 175, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스를 이용하여 성형하여 얻어진 성형 시편의 길이이며, 상기 L1은 상기 성형 시편을 175의 오븐에 넣고 4시간동안 후 경화(Post molding cure)하고, 냉각한 후에 측정한 시편의 길이이다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 트랜스퍼 성형기를 이용하여 성형한 후, 후 경화시켜 제조한 시편에 대해 측정한 탄성율이 1500MPa 이하, 바람직하게는 900MPa 미만으로, 경화 후 저 탄성 특성을 갖는다. 이때 상기 트랜스퍼 성형은 금형 온도 170~180℃, 주입 압력 800~1200psi, 경화시간 120초의 조건에서 실시하였으며, 성형된 시편의 크기는 20×13×1.6mm였다. 또한, 상기 후 경화는 170~180의 열풍 건조기에서 2시간 동안 수행되었으며, 탄성율은 동역학 측정 장치(Dynamic Mechanical Analyzer, TA 사, Q8000 DMA)를 이용하여, 승온속도 5/분의 조건에서 -10 ~ 300℃ 온도 범위로 측정하였다.
한편, 상기 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 헨셀　믹서(Hensel mixer)나 뢰디게 믹서(Lodige mixer)를 이용하여 소정의 배합비로 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀(roll-mill)이나 니이더(kneader)로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄 과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법으로 제조될 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자, 특히 저수축 및 저탄성 특성이 요구되는 박막형 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명에서 얻어진 에폭시　수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 일반적으로 사용될 수 있다. 그러나, 인젝션(injection) 성형법이나 캐스팅(casting) 등의 방법으로도 성형이　가능하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략하기로 한다.
하기 실시예 및 비교에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A) 에폭시 수지
(a1) 하기 방법으로 합성된 에폭시 수지를 사용하였다.
2,7-디하이드록시나프탈렌 160g(1.0 몰), 4-하이드록시벤질알콜(4-hydroxybenzylalcohol) 248g(2.0 몰)를 메틸 이소부틸 케톤 500g에 넣어 교반시켜 용해 후 황산 25g를 첨가했다. 그 후, 발열에 주의하면서 60℃까지 가열하고, 분류관을 이용해 생성하는 물을 뽑아낸 후, 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각되면 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세한 후, 유기층으로부터 용매를 가열 감압하에 제거해, 반응생성물(1) 308g를 얻었다.
그런 다음, 상기 반응 생성물(1) 160g, 에피클로로히드린 740g(5.0 몰), 테트라 에틸 벤질 암모늄 클로라이드 4.6 g를 플라스크에 넣어 65℃로 승온한 후, 반응생성물(1)이 녹은 것을 확인한 다음, 49%의 수산화나트륨 수용액 164g을 5시간 들여 적하하였다. 그 후, 동일한 조건에서 1시간동안 교반시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류에 의해 증발 제거하여 에폭시 수지를 얻었다
얻어진 에폭시 수지에 메틸 이소부틸 케톤 550g와 n-부탄올 55g를 더해 용해하였다. 그런 다음 이 용액에 10%의 수산화나트륨 수용액 15g를 첨가하여 80℃로 2시간동안 반응시킨 후에 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150g로 수세를 3회 반복하였다. 그 다음 용매를 감압하에서 증발 제거해 에폭시 수지(a1) 154g를 얻었다.
(a2) 하기 방법으로 합성된 에폭시 수지를 사용하였다.
1,5-디하이드록시 나프탈렌 160g(1.0 몰), 4-하이드록시벤질알콜(4-hydroxybenzylalcohol) 248g(2.0 몰)를 메틸 이소부틸 케톤 500g에 넣어 교반시켜 용해 후 황산 25g를 첨가했다. 그 후, 발열에 주의하면서 60℃까지 가열하고, 분류관을 이용해 생성하는 물을 뽑아낸 후, 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각되면 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세한 후, 유기층으로부터 용매를 가열 감압하에 제거해, 반응생성물(2) 340g을 얻었다.
그런 다음, 상기 반응 생성물(2) 160g, 에피클로로히드린 740g(5.0 몰), 테트라 에틸 벤질 암모늄 클로라이드 4.6 g를 플라스크에 넣어 65로 승온한 후, 반응생성물(2)가 녹은 것을 확인한 다음, 49%의 수산화나트륨 수용액 164g을 5시간 들여 적하하였다. 그 후, 동일한 조건에서 1시간동안 교반시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류에 의해 증발 제거하여 에폭시 수지를 얻었다
얻어진 에폭시 수지에 메틸 이소부틸 케톤 550g와 n-부탄올 55g를 더해 용해하였다. 그런 다음 이 용액에 10%의 수산화나트륨 수용액 15g를 첨가하여 80로 2시간동안 반응시킨 후에 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150g로 수세를 3회 반복하였다. 그 다음 용매를 감압하에서 증발 제거해 에폭시 수지(a2) 158g를 얻었다.
(a3) 하기 방법으로 합성된 에폭시 수지를 사용하였다.
2,7-디하이드록시나프탈렌 160g(1.0 몰), 4-하이드록시벤질알콜(4-hydroxybenzylalcohol) 217g(1.75 몰), 벤질알콜 27g(0.25몰)을 메틸 이소부틸 케톤 500g에 넣어 교반시켜 용해시킨 후 황산 25g를 첨가했다. 그 후, 발열에 주의하면서 60까지 가열하고, 분류관을 이용해 생성하는 물을 뽑아낸 후, 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각되면 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세한 후, 유기층으로부터 용매를 가열 감압하에 제거하여, 반응생성물(3) 320g을 얻었다.
그런 다음, 상기 반응 생성물(3) 160g, 에피클로로히드린 740g(5.0 몰), 테트라 에틸 벤질 암모늄 클로라이드 4.6 g를 플라스크에 넣어 65로 승온한 후, 반응생성물(3)이 녹은 것을 확인한 다음, 49%의 수산화나트륨 수용액 164g을 5시간 들여 적하하였다. 그 후, 동일한 조건에서 1시간동안 교반시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류에 의해 증발 제거하여 에폭시 수지를 얻었다
얻어진 에폭시 수지에 메틸 이소부틸 케톤 550g와 n-부탄올 55g를 더해 용해하였다. 그런 다음 이 용액에 10%의 수산화나트륨 수용액 15g를 첨가하여 80로 2시간동안 반응시킨 후에 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150g로 수세를 3회 반복하였다. 그 다음 용매를 감압하에서 증발 제거해 에폭시 수지(a3) 180g를 얻었다. 이렇게 얻어진 수지는 화학식1 : 화학식2의 몰 비율이 약 4:1로 나타났다.
(a4) 하기 방법으로 합성된 에폭시 수지를 사용하였다.
1,5-디하이드록시 나프탈렌 160g(1.0 몰), 4-하이드록시벤질알콜(4-hydroxybenzylalcohol) 186g(1.5 몰), 벤질알콜 54g(0.5몰)을 메틸 이소부틸 케톤 500g에 넣어 교반시켜 용해한 후 황산 25g를 첨가했다. 그 후, 발열에 주의하면서 60까지 가열하고, 분류관을 이용해 생성하는 물을 뽑아낸 후, 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각되면 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세한 후, 유기층으로부터 용매를 가열 감압하에 제거해, 반응생성물(4) 330g을 얻었다.
그런 다음, 상기 반응 생성물(4) 160g, 에피클로로히드린 740g(5.0 몰), 테트라 에틸 벤질 암모늄 클로라이드 4.6 g를 플라스크에 넣어 65로 승온한 후, 반응생성물(4)가 녹은 것을 확인한 다음, 49%의 수산화나트륨 수용액 164g을 5시간 들여 적하하였다. 그 후, 동일한 조건에서 1시간동안 교반시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류에 의해 증발 제거하여 에폭시 수지를 얻었다
얻어진 에폭시 수지에 메틸 이소부틸 케톤 550g와 n-부탄올 55g를 더해 용해하였다. 그런 다음 이 용액에 10%의 수산화나트륨 수용액 15g를 첨가하여 80로 2시간동안 반응시킨 후에 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150g로 수세를 3회 반복하였다. 그 다음 용매를 감압하에서 증발 제거해 에폭시 수지(a4) 180g를 얻었다. 이렇게 얻어진 수지는 화학식 1 : 화학식 2의 몰 비율이 약 2:1로 나타났다.
(a5) DIC사의 HP-4770을 사용하였다.
(a6) 하기 방법으로 합성된 에폭시 수지를 사용하였다.
1-나프톨 144g(1.0 몰), 4-하이드록시벤질알콜(4-hydroxybenzylalcohol) 248g(2.0 몰)를 메틸 이소부틸 케톤 500g에 넣어 교반시켜 용해 후 황산 25g를 첨가했다. 그 후, 발열에 주의하면서 60℃까지 가열하고, 분류관을 이용해 생성하는 물을 뽑아낸 후, 8시간 반응시켰다. 반응 종료 후, 상온으로 냉각되면 세정수가 중성을 나타낼 때까지 수세한 후, 유기층으로부터 용매를 가열 감압하에 제거해, 반응생성물(5) 289g를 얻었다.
그런 다음, 상기 반응 생성물(5) 144g, 에피클로로히드린 740g(5.0 몰), 테트라 에틸 벤질 암모늄 클로라이드 4.6 g를 플라스크에 넣어 65℃로 승온한 후, 반응생성물(5)이 녹은 것을 확인한 다음, 49%의 수산화나트륨 수용액 164g을 5시간 들여 적하하였다. 그 후, 동일한 조건에서 1시간동안 교반시켰다. 그 후, 미반응의 에피클로로히드린을 감압 증류에 의해 증발 제거하여 에폭시 수지를 얻었다
얻어진 에폭시 수지에 메틸 이소부틸 케톤 550g와 n-부탄올 55g를 더해 용해하였다. 그런 다음 이 용액에 10%의 수산화나트륨 수용액 15g를 첨가하여 80℃로 2시간동안 반응시킨 후에 세정액의 pH가 중성이 될 때까지 물 150g로 수세를 3회 반복하였다. 그 다음 용매를 감압하에서 증발 제거해 에폭시 수지(a6) 148g를 얻었다.
(B) 경화제: 다관능성 페놀수지인　MEH 7500-3S (Meiwa)를 사용하였다.
(C) 경화 촉진제: 트리페닐 포스핀을 사용하였다.
(D) 무기 충전제: 평균입경 18㎛의 구상 용융실리카와 평균입경 0.5㎛의 구상 용융실리카의 9:1(중량비) 혼합물을 사용하였다.
(E) 커플링제
(e1) 머캡토프로필트리메톡시실란인 KBM-803(Shinetsu)과 (e2) 메틸트리메톡시실란인 SZ-6070 (Dow Corning chemical)을 혼합하여 사용하였다.
(F) 첨가제: (f1) 이형제로 카르나우바왁스 및 (f2) 착색제로 카본 블랙 MA-600 (Matsusita Chemical)을 사용하였다.
실시예 1~4 및 비교예 1~3
상기 각 성분들을 하기 표 1의 조성에 따라 각 성분들을 평량한 후 헨셀 믹서를 이용하여 균일하게 혼합하여 분말 상태의 1차 조성물을 제조하였다. 이후 연속 니이더를 이용하여 120℃에서 용융 혼련한 후 냉각 및 분쇄하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다.
구 분 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
(A) (a1) 8.5
(a2) 8.5
(a3) 8.5
(a4) 8.5
(a5) 8.5
(a6) 8.5
(B) 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0
(C) 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
(D) 85 85 85 85 85 85
(E) (e1) 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2 0.2
(e2) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
(F) (f1) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
(f2) 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3 0.3
(단위: 중량%)
상기 실시예 1 ~ 7 및 비교예 1 ~ 3의 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기 측정 방법을 통해 측정하였다. 측정 결과는 [표 2]에 나타내었다.
물성 평가 방법
(1) 유동성(inch): EMMI-1-66에 준하여 평가용 금형을 사용하여 175℃, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스(transfer molding press)를 이용하여 유동 길이를 측정하였다. 측정값이 높을수록 유동성이 우수하다.
(2) 경화 수축율(%): 굴곡 강도 시편 제작용 ASTM 금형을 사용하여 175℃, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스(transfer molding press)를 이용하여 성형 시편(125mm×12.6mm×6.4mm)을 얻었다. 얻은 시편을 170~180의 오븐에 넣어 4시간 동안 후경화(PMC:post molding cure)시킨 다음 냉각한 후 시편의 길이를 캘리퍼스로 측정하였다. 경화 수축율은 다음과 같은 식 (1)로부터 계산하였다.
식 (1): 경화 수축율(%)= {(L0 -L1)/L0}×100
상기 식 (1)에서, 상기 L0는 상기 에폭시 수지 조성물을 175℃, 70kgf/cm2에서 트랜스퍼 몰딩 프레스를 이용하여 성형하여 얻어진 성형 시편의 길이이며, 상기 L1은 상기 성형 시편을 175℃의 오븐에 넣고 4시간동안 후 경화(Post molding cure)하고, 냉각한 후에 측정한 시편의 길이임.
(3) 탄성률 (MPa): 트랜스퍼 성형기를 이용하여 금형온도 170~180℃, 주입압력 800~1200psi, 경화시간 120초 조건에서 20mm×13mm×1.6mm의 측정용 시편을 성형하였다. 측정용 시편을 170~180℃의 열풍 건조기에서 2시간 동안 후경화시킨 후, TA사 모델명 Q8000 DMA (Dynamic Mechanical Analyzer)를 사용하여 시편의 일래스틱 모듈러스(Elastic Modulus)를 측정 하였다. 이때 승온 조건은 5℃/분, -10℃부터 300℃까지의 온도범위로 측정하였다.
(4) 유리전이온도: 열기계 분석기(Thermomechanical Analyzer, TMA)를 이용하여 측정 하였다. 이때 TMA는 25 ℃에서 분당 10 ℃씩 온도를 상승시켜 300 ℃까지 측정하는 조건으로 설정하였다.
(5) 흡습율(%): 상기 실시예와 비교예에서 제조된 수지 조성물을 금형 온도 170~180, 클램프 압력 70kgf/cm2, 이송 압력 1000psi, 이송 속도 0.5~1cm/s, 경화 시간 120초의 조건으로 성형하여 직경 50mm, 두께 1.0mm의 디스크 형태의 경화 시편을 얻었다. 얻은 시편을 170~180℃의 오븐에 넣어 4시간 동안 후경화(PMC:post molding cure)시킨 직후 85℃, 85RH% 상대 습도 조건 하에서 168시간 동안 방치시킨 후 흡습에 의한 무게 변화를 측정하여 다음 식 (2)에 의하여 흡습율을 계산하였다.
식 (2): 흡습율 = (흡습 후 시편의 무게 - 흡습 전 시편의 무게)÷(흡습 전 시편의 무게)×100
(6) 부착력(kgf): 구리 금속 소자를 부착 측정용 금형에 맞는 규격으로 준비하고, 준비된 시험편에 상기 실시예와 비교예에서 제조된 수지 조성물을 금형 온도 170~180℃, 클램프 압력 70kgf/cm2, 이송 압력 1000psi, 이송 속도 0.5~1cm/s, 경화 시간 120초의 조건으로 성형하여 경화 시편을 얻었다. 얻은 시편을 170~180℃의 오븐에 넣어 4시간 동안 후경화(PMC:post molding cure)시켰다. 이때 시편에 닿는 에폭시 수지 조성물의 면적은 40±1mm2이고, 부착력 측정은 각 측정 공정 당 12개의 시편에 대하여 UTM(Universal Testing Machine)을 이용하여 측정한 후 평균값으로 계산하였다.
(7) 경화도(shore-D): 구리 금속 소자를 포함하는 가로 24mm, 세로 24mm, 두께 1mm인 eTQFP(exposed Thin Quad Flat Package) 패키지용 금형이 장착된 MPS(Multi Plunger System) 성형기를 이용하여 175℃에서 50초, 60초, 70초, 80초 그리고 90초간 평가하고자 하는 에폭시 수지 조성물을 경화시킨 후 금형 위의 패지지에 직접 Shore-D형 경도계로 경화시간에 따른 경화물의 경도를 측정하였다. 값이 높을수록 경화도가 우수하다.
(8) 저장안정성: 제조된 에폭시 수지 조성물을 25℃/50RH%로 설정된 항온항습기에 1주간 보존하면서 24시간 간격으로 상기 (1)의 유동성 측정과 같은 방법으로 유동길이를 측정하고, 제조 직후의 유동길이에 대한 백분율(%)을 구했다. 이 백분율의 수치가 클 수록 저장안정성이 양호한 것을 나타낸다.
평가 항목 실시예 비교예
1 2 3 4 1 2
기본
물성		 유동성(inch) 62 63 60 60 60 61
경화수축율(%) 0.19 0.18 0.21 0.22 0.35 0.28
탄성률(MPa) 800 850 650 700 900 850
유리전이온도(℃) 180 173 179 185 140 164
흡습율(%) 0.20 0.21 0.22 0.20 0.22 0.21
부착력(kgf) 81 75 74 78 69 75
패키지
평가		 경화시간별 경화도((Shore-D) 50초 67 71 70 69 62 65
60초 72 72 72 73 68 70
70초 74 73 75 76 71 72
80초 75 73 77 76 74 74
90초 76 74 78 76 75 75
저장 안정성 24 hr 98% 97% 98% 98% 98% 97%
48 hr 95% 94% 94% 95% 95% 95%
72 hr 92% 91% 91% 92% 91% 92%
상기 표 2를 통해, 실시예 1 ~ 4의 경우, 비교예 1 및 2와 비교할 때, 낮은 경화수축율 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다. 또한, 실시예 1 ~ 4의 경우, 탄성률의 증가 없이 비교예 1 및 2에 비해 높은 유리전이온도를 가지며, 비교예 1 및 2와 동등하거나 우수한 수준의 유동성, 부착력, 흡습율, 경화도, 저장안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
이상 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (9)

  1. 하기 화학식 2로 표시되는 화합물, 또는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 포함하는 에폭시 수지; 경화제; 및 무기 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112018100855024-pat00033

    상기 화학식 1에서, l은 1 내지 3인 정수임.
    [화학식 2]
    Figure 112018100855024-pat00034

    상기 화학식 2에서, m 및 n은 각각 독립적으로 1 내지 3인 정수임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 에폭시 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 혼합물을 포함하는 것인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 혼합물 내에서 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 몰수가 상기 화학식 2로 표시되는 화합물의 몰수 이상인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 혼합물은 화학식 1로 표시되는 화합물과 화학식 2로 표시되는 화합물을 1 : 9 내지 9 : 1의 몰 비율로 포함하는 것인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-9로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 1-1]
    Figure 112016066026685-pat00035

    [화학식 1-2]
    Figure 112016066026685-pat00036

    [화학식 1-3]
    Figure 112016066026685-pat00037

    [화학식 1-4]
    Figure 112016066026685-pat00038

    [화학식 1-5]
    Figure 112016066026685-pat00039

    [화학식 1-6]
    Figure 112016066026685-pat00040

    [화학식 1-7]
    Figure 112016066026685-pat00041

    [화학식 1-8]
    Figure 112016066026685-pat00042

    [화학식 1-9]
    Figure 112016066026685-pat00043

  6. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 2로 표시되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-3으로 표시되는 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
    [화학식 2-1]
    Figure 112016066026685-pat00044

    [화학식 2-2]
    Figure 112016066026685-pat00045

    [화학식 2-3]
    Figure 112016066026685-pat00046

  7. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기 에폭시 수지 0.5 내지 20중량%, 상기 경화제 0.1 내지 13중량%, 및 상기 무기 충전제 70 내지 95중량%를 포함하는 것인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화촉진제, 커플링제, 이형제 및 착색제 중 하나 이상을 더 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치.
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