KR20010089880A - 반도체 처리용 챔버를 세정하기 위한 불소 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 주요 전구체 시약으로서 분자 불소 기체(F2)를 사용하여 반도체 처리용 챔버의 내부로부터 잔류물을 제거하기 위한 방법에 관한 것이다. 한 가지 양태에서, 분자 불소의 일부가 플라즈마에서 분해되어 원자 불소를 생성시키고, 원자 불소와 분자 불소의 생성된 혼합물이 내부를 세정시키려는 챔버에 공급된다. 또 다른 양태에 있어서, 분자 불소 기체는 임의의 플라즈마 여기 없이 반도체 처리용 챔버를 세정시킨다. 분자 불소 기체는 NF3, C2F6및 SF6와 같은 챔버 세정에 통상적으로 사용되는 불소 함유 기체 화합물과는 달리 지구 온난화 기체가 아니라는 점에서 이점을 지닌다.

Description

반도체 처리용 챔버를 세정하기 위한 불소 처리 방법 {FLUORINE PROCESS FOR CLEANING SEMICONDUCTOR PROCESS CHAMBER}
본 발명은 전자 장치를 제조하는 데에 사용되는 진공 챔버의 내부 표면으로부터 잔류물을 세정하거나 제거하는 방법에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 이러한 방법에서 불소 기체를 사용하는 것에 관한 것이다.
반도체가 내장된 전자 장치를 제조하는 방법은 물질의 층 또는 특징이 진공 챔버(일반적으로 반도체 처리용 챔버라 명명됨) 내에서 증착되거나 패턴화되는 단계를 포함하는 것이 일반적이다. 이러한 증착 또는 에칭 처리의 화학적 부산물과 사용되지 않은 시약은 배기 펌프에 의해 대부분 배기되지만, 일부 잔류물은 챔버벽과 챔버 내의 다른 표면에 불가피하게 증착된다. 이러한 잔류물은 일관된 처리 조건를 유지시키고, 잔류물이 플레이킹(flaking)되어 제조하려는 전자 장치를 오염시키지 않도록 하기 위해 주기적으로 세정되거나 제거되어야 한다.
챔버의 내부 표면으로부터 잔류물을 세정하는 통상적인 방법은 챔버 내부에 플라즈마 분해에 의해 생성된 라디칼을 함유하는 기체 혼합물을 제공하는 것이다. 플라즈마는 챔버 내부에서 생성될 수 있거나 원거리에 있는 플라즈마원에서 생성될수 있다. 특히, 이러한 불소 함유 기체 화합물은 실리콘, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 함유하는 잔류물을 제거하기 위해 통상적으로 사용된다. 이러한 잔류물은 실리콘, 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물을 기판에 증착시키는 처리, 또는 기판 상의 이러한 물질을 스퍼터 에칭시키거나 반응성 이온 에칭시키는 처리에 의해 흔히 생성된다.
이러한 불소 함유 기체 화합물을 사용하는 세정 처리의 한 가지 단점은 이러한 기체가 사용 후 대기중으로 방출되는 경우 지구 온난화에 기여하는 것으로 믿어진다는 데에 있다. 지구 온난화 기체의 사용에 대한 정부 규제가 강화될 것으로 예측되기 때문에, 대체 기체 화학을 개발할 필요가 있다.
발명의 요약
본 발명은 주요 전구체 시약으로서 분자 불소 기체(F2)를 사용하여 반도체 처리용 챔버의 내부로부터 잔류물을 세정하거나 제거하기 위한 방법에 관한 것이다. 분자 불소 기체는 NF3, C2F6및 SF6와 같은 챔버 세정에 통상적으로 사용되는 그 밖의 불소 함유 기체 화합물과는 달리 지구 온난화 기체가 아니라는 점에서 이점을 지닌다.
본 발명자들은 분자 불소 기체의 플라즈마 분해에 의해 생성된 불소 원자와 라디칼이 실리콘, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 잔류물을 효과적으로 제거한다는 것을 발견하였다. 또한, 본 발명자들은 분자 불소 기체가 임의의 플라즈마없이 실리콘 잔류물을 효과적으로 제거한다는 것을 발견하였다.
바람직한 양태의 상세한 설명
본 발명의 챔버 세정 방법은 박막 트랜지스터(TFT) 평면판 디스플레이를 제조하는 데에 사용되는 유리 기판과 같은 거대한 기판 또는 공작물에 막을 증착시키는 CVD 처리를 수행하기 위한 통상의 시판되는 진공 챔버에서 시험되었다.
이러한 디스플레이의 상업적 제조에 있어서, 기판이 챔버 내에 있는 동안에 상이한 막을 연속적으로 증착시키는 것이 종종 바람직하다. 따라서, 챔버의 내부를 세정시키는 방법은 바람직하게는 챔버 내에서 수행되는 모든 상이한 증착 처리에 의해 생성된 모든 잔류물을 제거시킬 수 있어야 한다.
본 발명자들은 분자 불소 기체(F2)의 플라즈마 분해에 의해 생성된 원자 불소(F)와 분자 불소 기체(F2)의 혼합물이 TFT 디스플레이 또는 그 밖의 실리콘 기재 반도체 장치를 제조하기 위한 플라즈마 CVD 챔버에서 흔히 증착되는 3가지 막 (실리콘 질화물, 실리콘 산화물 및 비결정질 실리콘막) 뿐만 아니라 이러한 3가지 막 중 어느 하나의 화학적 진공 증착(CVD)을 위한 처리에 의해 생성된 잔류물을 성공적으로 세정시킨다는 것을 발견하였다. 이는 세정시키려는 통상적인 CVD 챔버에 원자 불소와 분자 불소의 혼합물을 공급하기 위한 통상적인 마이크로파 원격 플라즈마 공급원 챔버(RPSC)를 사용하여 시험되었다.
실리콘 질화물, 실리콘 산화물 및 실리콘막의 스퍼터 에칭 또는 반응성 이온에칭을 위한 방법은 일반적으로 에칭시키려는 막의 물질의 일부를 에칭 처리용 챔버의 내부 표면 상에 증착시킨다. 따라서, 본 발명의 세정 방법은 에칭 처리용 챔버 뿐만 아니라 CVD 처리용 챔버를 세정시키는 데에 효과적일 것이다.
실험 결과
본질적으로 순수한 분자 불소 기체를 세정시키려는 CVD 챔버와는 별개의 플라즈마 챔버에 공급하였다. 이러한 챔버는 흔히 "원격(remote)" 플라즈마 챔버로서 구별된다. 원격 챔버 내의 분자 불소를 마이크로파 전력 공급기로부터의 원격 챔버에 커플링된 마이크로파 에너지에 의해 플라즈마 상태로 여기시켰다. 원격 마이크로파 플라즈마 챔버의 배기구를 세정시키려는 CVD 챔버의 기체 유입구에 연결시켜서, 원격 플라즈마 챔버에서 생성된 원자 불소와 분자 불소의 혼합물이 CVD 챔버 내로 펌핑되도록 하였다. CVD 챔버에 연결된 배기 펌프는 세정 동안에 CVD 챔버 내에 250 내지 600mT의 압력을 발생시켰다.
먼저, 분자 불소를 원자 불소로 분해시키는 데에 필요한 마이크로파 전력의 양을 측정하였다. 불소 기체를 1000sccm 내지 2000sccm의 유속으로 통상적인 마이크로파 원격 플라즈마 챔버에 공급하였다. 2.4GHz의 주파수의 마이크로파 에너지를 2000 내지 4000 와트(W)의 전력 수준에서 원격 챔버에 커플링시켰다. 원자 불소 대 분자 불소의 비는 챔버 배기구에서 측정하였다. 측정된 비는 2500W 내지 4000W의 임의의 전력에서 약 3 대 2 (즉, 60% 원자 불소 대 40% 분자 불소) 였다. 이러한 데이터는 2500W가 충분하다는 것을 나타낸다. 그럼에도 불구하고, 4000W의 마이크로파 전력을 하기 설명되는 세정 처리 시험에서 사용하였다.
세정 처리를 시험하기 위해, 3가지의 상이한 플라즈마 CVD 처리를 CVD 챔버에서 별도로 수행하였다. 3가지 플라즈마 CVD 처리는 (1)110sccm SiH4, 550sccm NH3및 3500sccm N2에 의해 제공되는 기체 혼합물을 사용하여 1마이크론의 SiNx를 증착시키는 처리; (2) 330sscm SiH4와 8000sccm N2O를 사용하여 1마이크론의 SiOx(주로 SiO2)를 증착시키는 처리; 및 (3) 50sscm SiH4와 1400sccm H2를 사용하여 0.25마이크론의 비결정성 실리콘(a-Si)을 증착시키는 처리이다. 모든 경우, 특정 막 두께가 40 x 50㎝ 유리 기판 상에 증착되었다. 3가지 CVD 처리는 각각 챔버의 벽에 상이한 잔류물을 생성시켰다.
각각의 CVD 처리를 수행한 후, 본 발명자들은 NF3의 플라즈마 분해를 사용하는 통상적인 방법을 사용하는 경우와 분자 불소(F2)의 플라즈마 분해를 사용하는 본 발명의 방법을 사용하는 경우에 챔버 벽으로부터 생성된 잔류물을 세정시키는 데에 필요한 시간을 비교하였다.
SiNxCVD 처리에 의해 생성된 잔류물은 3000sccm F2또는 2000sccm NF3에 의해 동일한 시간 내에 세정되었다. 따라서, 본 발명은 통상적인 NF3처리 만큼 효과적이었다.
세정 속도는 원격 플라즈마 챔버 내로 유입하는 F2의 유속의 선형 함수였다. F2유속을 2000sccm 및 1000sccm으로 각각 감소시키면 세정 속도가 각각 36% 및 72%감소하였다 (즉, 세정 시간을 증가시켰다).
질소 또는 수소 기체를 원격 플라즈마에 공급되는 분자 불소 기체에 첨가시키는 것은 세정 속도에 영향을 주지 않았다. 특히, F2의 유속이 1000sccm인 경우, 200sccm H2또는 500 내지 1000sccm N2를 첨가하는 것은 세정 속도에 영향을 주지 않았다.
원격 플라즈마 챔버에 동등한 분자 몰농도의 F2와 NF3를 지닌 기체 혼합물을 공급하는 것은 F2또는 NF3단독의 동일한 전체 유속을 사용하는 경우의 세정 시간의 절반의 세정 시간을 초래하였다. 이러한 결과는 두 가지 시약이 선형적으로 부가적(additive)이고, F2를 사용하는 세정 처리가 50% 이상의 분자 몰농도의 F2를 포함하는 세정 기체 혼합물에 의해서도 효과적일 것임을 나타낸다. 그럼에도 불구하고, 본 발명의 이점을 최대화하기 위해, 시약 기체 혼합물 중의 F2의 몰농도는 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 80% 이상, 가장 바람직하게는 90% 이상이 되어야 한다. 분자 불소를 헬륨과 같은 비반응성 기체와 혼합시키는 것은 분자 불소의 유속의 감소에 비례하여 에칭 속도를 감소시킨다는 것 이외에는 처리에 영향을 주지 않을 것이다.
SiOxCVD 처리에 의해 생성된 잔류물은 SiNxCVD 처리에 의해 생성된 잔류물과 거의 동일한 속도로 3000sccm F2또는 2000sccm NF3에 의해 세정되었다. 따라서, 본 발명은 통상적인 NF3처리 만큼 효과적이었다. F2의 유속을 2000sccm으로 감소시키면 세정 속도가 28% 감소하였다 (즉, 세정 시간을 증가시켰다).
본 발명의 F2처리가 통상적인 NF3처리 보다 높은 기체 유속을 필요로 하였지만, F2기체는 지구 온난화 기체로 간주되지 않는다. 따라서, 본 발명은 NF3처리에 비해 개선된 것이다.
비결정성 실리콘 CVD 처리에 의해 생성된 잔류물은 370mT 챔버 압력에서 1000sccm F2에 의해 59초 내에 세정되었으며 (CVD 챔버 내에서), 570mT 챔버 압력에서 2000sccm F2에 의해 32초 내에 세정되었다. NF3를 사용하는 비교용 세정 속도는 시험되지 않았다.
또한, 본 발명자들은 세정 속도가 벽을 세정시키려는 CVD 챔버 내에 플라즈마를 생성시킴으로써 증가될 수 있는 지를 시험하였다. 원격 마이크로파 플라즈마 챔버로부터의 기체를 CVD 챔버 내로 분산시키는 금속 기체 분포판(또는 "애노드(anode) 전극)을 RF 전력 공급기("애노드" 전력 공급기)에 연결시켰다. 챔버의 벽 및 챔버의 모든 금속 부품을 전기적으로 접지시켰다. RF 전력은 CVD 챔버 내의 기체를 플라즈마 상태로 여기시켰다.
애노드 전력을 첨가시킨 효과는, 먼저 상기 설명된 SiOxCVD 처리를 사용하여 CVD 챔버 내에서 기판에 1마이크론의 SiOx를 증착시켜서 CVD 챔버의 벽에 잔류물을 생성시킴으로써 시험하였다. 그 후, 잔류물을 (1) 순수한 분자 불소를 원격 마이크로파 플라즈마 챔버에 공급하면서 CVD 챔버에서 애노드 전력을 사용하지 않는 앞서 설명된 처리 또는 (2) CVD 챔버의 기체 분포판에 가해지는 400W의 13.56MHz RF 전력을 사용하는 다른 동일한 세정 처리 중의 어느 하나에 의해 세정하였다. 애노드 전력은 세정 속도를 21% 증가시켰다 (세정 시간을 감소시켰다).
세정 처리를 실행하기 위한 통상적인 하드웨어
본 발명의 세정 처리는 챔버 내에서 수행된 증착 또는 패턴화 처리의 결과로서 내부 표면에 잔류물이 축적된 임의의 종류의 진공 챔버를 세정하는 데에 유용하다. 통상적인 CVD 및 에칭 챔버의 설계 및 가동은 하기의 일반 양도된 미국 특허에 기재되어 있으며, 이들 특허 각각의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다: 창(Chang) 등의 제 4,854,263호(1998년 8월 8일); 왕(Wang) 등의 제 5,366,585호(1991년 3월 19일); 로버트슨(Robertson) 등의 제 5,366,585호(1994년 11월 22일); 및 화이트(White) 등의 제 5,844,205호.
본 발명의 세정 처리는 분자 불소(F2)의 일부 또는 전부를 분해시켜서 원자 불소를 생성시키는 특정 장치를 필요로 한다. 상기 설명된 모든 시험의 경우, 이러한 분해는 통상적인 원격 마이크로파 플라즈마 공급원, 즉, 마이크로파 전력 공급기로부터의 에너지를 수용하도록 커플링된 원격 플라즈마 챔버에 의해 달성되었다. 원격 마이크로파 플라즈마 공급원은 하기 미국 특허에 기재되어 있으며, 이들 특허 각각의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다: 브라운(Brown) 등의 제 5,780,359호(1998년 7월 14일); 샹(Shang) 등의 제 5,788,778호(1998년 8월 4일);및 퐁(Fong) 등의 제 5,812,403호(1998년 9월 22일). 제 5,780,359호에는 자기적으로 향상된 반응성 이온 에칭(MERIE) 챔버의 서셉터에 가해진 RF 전력과 함께 사용되는 원격 마이크로파 플라즈마 공급원이 기재되어 있다.
대안적으로, 그 밖의 통상적인 수단이 분자 불소 시약의 일부 또는 전부를 분해시켜서 원자 불소를 생성시키는 데에 사용될 수 있다.
예를 들어, 원격 플라즈마 공급원은 마이크로파 전력 공급기 이외의 전자기 에너지원에 의해 여기될 수 있다 (즉, 전자기 에너지원으로부터의 에너지를 수용하도록 커플링될 수 있다). 더욱 상세하게는, RF 전력원은 원격 플라즈마 챔버에 유도적으로 또는 용량적으로 커플링될 수 있다. 분자 불소를 원자 불소로 분해시키도록 14MHz RF 전력이 원격 플라즈마 공급원에 용량적으로 커플링되는 실험용 시험 장치는 디.엘. 플램(D.L. Flamm) 등의 문헌["Reaction of fluorine atoms with SiO2", J. Appl. Phys., vol. 50, no. 10, pages 6211-6213 (October 1979)]에 기재되어 있으며, 이 문헌의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다. 그러나, RF 주파수(1GHz 미만)에 비해 마이크로파 주파수(1GHz 초과)에 의한 여기의 예측된 이점은 주파수가 높을 수록 더 높은 챔버 압력을 유지시킬 수 있고, 주파수가 높을 수록 분자 불소의 주어진 퍼센트를 분해시키는 데에 필요한 전력이 낮아질 수 있다는 데에 있다.
또 다른 예로서, 원격 플라즈마 공급원을 사용하는 대신, 분자 불소 기체를 세정시키려는 처리용 챔버로 직접 공급시킬 수 있고, 마이크로파 전력 또는 유도적으로 또는 용량적으로 커플링된 RF 전력과 같은 임의의 통상적인 플라즈마 여기 수단에 의해 처리용 챔버 내에서 플라즈마를 생성시킴으로써("인 시튜(in situ)" 플라즈마) 기체의 일부 또는 전부를 분해시킬 수 있다. 와타타니(Watatani) 등의 미국 특허 제 5,620,526호에는 마이크로파 전력을 마이크로파 도파관에 의해 플라즈마 챔버에 커플링시키는 통상적인 전자 사이클로트론 공명 장치가 기재되어 있다. 레데커(Redeker) 등의 일반 양도된 미국 특허 제 5,454,903호(1995년 10월 3일)에는 챔버를 세정시키기 위해 인 시튜 플라즈마를 생성시키도록 CVD 또는 에칭 진공 챔버에 유도적으로 커플링된 RF 전력 공급기가 기재되어 있다. 챔버를 세정시키기 위해 인 시튜 플라즈마를 생성시키도록 반도체 처리용 챔버에 용량적으로 커플링된 RF 전력 공급기는 도이(Doi)의 미국 특허 제 5,632,821호(1997년 5월 27일), 로(Law) 등의 일반 양도된 미국 특허 제 4,960,488호(1990년 10월 2일) 및 예(Ye) 등의 미국 특허 제 5,756,400호(1998년 5월 26일)에 기재되어 있다. 이 단락에 열거된 각각의 특허의 전체 내용은 본원에 참조로 편입되어 있다.
원격 플라즈마 공급원 대신 인 시튜 플라즈마를 사용하는 것과 관련된 단점은 인 시튜 플라즈마가 이온 충격에 의해 챔버 부품의 부식을 증가시킬 수 있다는 데에 있다. 그러나, 인 시튜 플라즈마는 원격 플라즈마 챔버의 비용을 절약하는 이점을 지닌다.
플라즈마없는 세정 처리
또한, 본 발명자들은 세정 처리 도중에 임의의 플라즈마를 생성시키지 않는경우에도 분자 불소(F2) 기체가 표면으로부터 상기 논의된 3가지 필름 - 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산화물(SiO) 및 비결정성 실리콘(a-Si) 중의 어느 하나를 제거시키는 지를 시험하였다. 플라즈마를 사용하여 F2를 분해시키는 대신, 세정시키려는 표면의 온도를 충분히 상승시켜서 F2를 표면으로부터 제거시키려는 막과 반응하게 하였다.
이러한 시험을 위해, 챔버 벽으로부터 실제 잔류물을 세정하기 보다는, 본 발명자들은 불소 기체가 챔버 내에 장착된 가열된 기판으로부터 이러한 3가지 막 중 어느 하나를 제거시키는 지를 시험하였다. 상세하게는, 본 발명자들은 서셉터 상에 이러한 3가지 막으로 각각 코팅된 3개의 80 x 80㎜ 기판을 장착시켰다. 서셉터를 450℃로 가열하여, F2를 기판으로부터 제거시키려는 막과 반응하게 하였다. 불소는 실리콘 질화물 또는 실리콘 산화물을 에칭시키지 않았지만, 비결정성 실리콘을 제거시켰다. 1000sccm의 불소 기체 유속을 사용하는 경우, 비결정성 실리콘은 5000Å/분의 속도로 에칭되었다.
이는 분자 불소 기체가 플라스마 여기없이(즉, F2의 플라즈마 보조된 분해없이)도 비결정성 실리콘을 세정시킬 수 있음을 입증한다. 비결정성 실리콘은 실리콘을 기판에 증착시키기 위한 열적 처리 또는 플라즈마 증강된 처리, 또는 스퍼터 에칭 또는 반응성 이온 에칭에 의해 기판으로부터 실리콘을 제거하기 위한 처리에 의해 챔버 벽에 생성되는 주요 잔류물일 것이다. 따라서, 이러한 열적(비-플라즈마) 세정 처리는 이러한 실리콘 증착 또는 실리콘 에칭 처리 중 어느 하나를 위해 사용되는 챔버의 내부 표면으로부터 잔류물을 세정시키는 데에 효과적일 것이다.
열적 세정 처리가 450℃의 서셉터 온도에서만 시험되었다고 하더라도, 실리콘을 세정시키려는 표면의 온도는 이렇게 높을 필요가 없다는 것을 예측할 수 있다. F2기체를 이러한 표면 상의 임의의 실리콘 물질과 반응하게 하여 이를 제거시키도록 상승시켜야 하는 세정시키려는 표면의 최소 온도를 결정하는 것은 일상적인 실험의 문제이다.
본 발명은 NF3, C2F6및 SF6와 같은 챔버 세정에 통상적으로 사용되는 불소 함유 기체 화합물과는 달리 지구 온난화 기체가 아닌 분자 불소 기체를 사용함으로써 반도체 처리용 챔버를 세정시키는 환경 친화적인 방법을 제공한다.

Claims (12)

  1. 플라즈마 챔버에 1종 이상의 기체를 포함하는 기체 혼합물을 공급하는 단계로서, 기체 중의 하나가 분자 불소이고, 분자 불소가 분자 몰농도를 기준으로 하여 기체 혼합물의 50% 이상을 구성하는 단계;
    플라즈마 챔버에 플라즈마를 형성시켜서 분자 불소의 일부를 원자 불소로 분해시키는 단계; 및
    반도체 처리용 챔버의 내부를 상기 원자 불소의 일부 또는 전부에 노출시키는 단계를 포함하여, 반도체 처리용 챔버의 내부에 노출된 챔버 부품의 하나 이상의 표면으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 노출 단계가 플라즈마 챔버로부터의 원자 불소의 일부를 반도체 처리용 챔버 내로 이동시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 플라즈마 챔버와 반도체 처리용 챔버가 동일한 챔버임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 노출 단계 전에, 반도체 처리용 챔버 내에서 기판에 막을 증착시켜서 챔버 부품의 표면에 잔류물을 생성시키는 단계를 추가로 포함하며, 증착 단계가 실리콘, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 하나 이상을 증착시킴을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 노출 단계 전에, 반도체 처리용 챔버 내에서 기판 상의 막을 에칭시켜서 챔버 부품의 표면에 잔류물을 생성시키는 단계를 추가로 포함하며, 에칭 단계가 실리콘, 실리콘 산화물 및 실리콘 질화물 중 하나 이상을 에칭시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서, 분자 불소가 분자 몰농도를 기준으로 하여 기체 혼합물의 70% 이상을 구성함을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서, 기체 혼합물이 분자 불소 이외에 상당량의 임의의 반응성 기체를 포함하지 않음을 특징으로 하는 방법.
  8. 반도체 처리용 챔버에 1종 이상의 기체를 포함하는 기체 혼합물을 공급하는 단계로서, 기체 중의 하나가 분자 불소이고, 분자 불소가 분자 몰농도를 기준으로 하여 기체 혼합물의 50% 이상을 구성하는 단계를 포함하여, 반도체 처리용 챔버의 내부에 노출된 챔버 부품의 하나 이상의 표면으로부터 잔류물을 제거하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 분자 불소가 표면 상에 있는 임의의 실리콘과 반응하도록 표면을 충분히 가열시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 8항에 있어서, 기체 혼합물을 공급하는 단계 전에, 반도체 처리용 챔버 내에서 기판에 막을 증착시켜서 챔버 부품의 표면에 실리콘을 함유하는 잔류물을 생성시키는 단계; 및
    기체 혼합물을 공급하는 단계 도중에, 분자 불소가 잔류물 중의 실리콘과 반응하기에 충분할 정도로 표면의 온도를 상승시키는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8항에 있어서, 분자 불소가 분자 몰농도를 기준으로 하여 기체 혼합물의 70% 이상을 구성함을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 8항에 있어서, 기체 혼합물이 분자 불소 이외에 상당량의 임의의 반응성 기체를 포함하지 않음을 특징으로 하는 방법.
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