KR20010079810A - 귀금속이 피복된 복합 와이어 - Google Patents

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제프레이 엠 세윤티엔스
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스프레규 클리포드 에프.
쿨리케 앤드 소파 인베스트먼츠 인코퍼레이티드
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Abstract

전기 전도성의 비귀금속을 포함하는 와이어 코어에 용접된 귀금속 환대가 특징인 복합 와이어. 상기 복합 와이어를 형성하는 방법 및 적어도 하나의 리드선이 상기 복합 와이어에 결합된 반도체 패키징이 또한 개시된다.

Description

귀금속이 피복된 복합 와이어{COMPOSITE WIRE WITH NOBLE METAL CLADDING}
현재의 금 본딩 와이어 기술로는 더 미세한 피치(pitch), 더 길어진 스팬(span) 및 더 적은 패키징(packaging) 비용을 필요로 하는 반도체 패키징의 진보를 충족시키기에 적당하지 않다. 와이어 계수(wire modulus), 비용 및 강도에 대한 요건은 보편적으로 인정되어 있는 4N 금 합금보다도 더욱 복합적인 와이어 재질의 사용을 요구한다.
미래의 본딩 와이어는 20 미크론의 와이어 직경에서, 대략 5000 미크론 스팬에서 대략 50 미크론 피치의 요건을 따라야만 할지도 모른다. 본딩 와이어의 처짐(sag) 및 흔들림(sway)일 이와 같은 형상과 연관이 있다. 인접 와이어에 대한 흔들림 편차(sway deflection)는 약 30 미크론으로 한정되어야 한다. 인접 와이어들 사이에서 단락(a short)을 발생시키는데 필요한 상대 변형률(relative strain)은 0.005% 미만이며, 이는 탄성 변형률이 되게 된다. 4N 금 합금이 순금보다도 증가된 계수를 갖기는 하지만, 금이 주성분인 본딩 와이어 합금이 이런 미래의 요구에 대해 충분한 계수를 가질 것이라고는 기대되지 않는다.
구리는 계수, 저항, 밀도 및 비용 면에서 이상적인 본딩 와이어이다. 하지만, 산화에 대한 우려와 높은 결합 비용으로 인해 구리는 보통의 본딩 와이어 재질이 되지 못하였다.
미국 특허 번호 제5,097,100호는 귀금속이 도금된 구리와이어를 개시하고 있다. 약 44 내지 56 미크론의 직경을 갖는 인발 가공된 구리와이어는 전기분해에 의해 금으로 도금되고, 그 표면이 냉간 인발되어 금층을 경화시킬 수 있다.
하지만, 적당한 비용으로 적당한 순도의 금층을 균일하게 도금하기란 불가능하다. 미국 특허 번호 제5,097,100호의 개시 내용에 따르면, 금은 구리코어에 적절하게 부착하지 않을 수도 있다. 무전해 도금, 기상 증착, 스퍼터링(sputtering), 침지 등을 포함해서, 상기 특허에 개시된 다른 금속 코팅 증착 기술은 동일한 이유로 인한 문제를 갖는다. 더욱이, 이들 기술 중 어느 것으로도 4N 금 합금 본딩 와이어 피복(sheath)으로 구리 와이어코어를 코팅할 수는 없다.
미국 특허 제5,097,100호에서는 구리와 금이 동시 인발 가공될 수 있다고 개시하고 있지만, 실시예는 말할 것도 없이, 어떻게 이것이 미크론 치수의 와이어로 달성될 수 있는지를 교시하고 있는 바가 없다. 따라서 알맞은 비용으로 반도체 산업의 예상되는 미래 성능 요건을 충족시킬 수 있는 금으로 피복된 구리 복합 와이어가 여전히 요구되고 있다.
본 발명은 전기 전도성의 비귀금속 함유 코어가 귀금속 환대(環帶, annulus)로 피복되어 있는 복합 귀금속 와이어에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 비귀금속 함유 코어 재질과 귀금속의 동시 압출 가공(co-extrusion)에 의해 형성된 복합 와이어에 관한 것이다. 본 발명은 또한 비귀금속 함유 코어가 비귀금속 코어 재질과 귀금속의 동시 압출 가공에 의해 귀금속 환대로 피복되는 복합 와이어를 형성하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 복합 와이어의 횡단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 복합 빌릿의 측단면도로서, 상기 복합빌릿이 압출되어 복합 로드를 형성하고 상기 복합 로드로부터 본 발명의 복합 와이어가 인발 가공된다.
도 3은 본 발명의 복합 와이어에 결합된 리드선을 보여주는, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 패키지의 사시도이다.
도 4는 반도체 패키지의 리드선에 쐐기 결합된, 본 발명의 일 실시예에 따른 복합 금 와이어의 종단면 SEM 현미경 사진이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 복합 금 와이어와 AW-14 금 와이어(4N 금 합금 종류)의 연신율 대 파괴 하중 특성 비교 그래프이다.
이러한 요구는 본 발명에 의해서 충족된다. 본 발명은 와이어를 인발 가공하기 전에 귀금속 층을 비귀금속 코어 상에 형성함으로써, 균일한 두께의 귀금속층이 단단히 부착된 일정한 직경의 비귀금속 코어를 갖는 복합 와이어를 경제적으로 생산할 수 있음을 밝혀내었다.
따라서, 본 발명의 제1실시예에 따르면, 전기 전도성의 비귀금속을 포함하는 와이어 코어에 귀금속 환대가 용접되어 있음을 특징으로 하는 복합 와이어가 제공된다.
비귀금속으로는 구리가 바람직하고, 필수적으로 구리로 이루어진 와이어 코어는 보다 바람직하다. 귀금속으로는 금이 바람직하고, 90% 보다 큰 순도를 가진 금이 보다 바람직하다. 순도는 바람직하게는 99% 보다 크고, 더욱더 바람직하게는 99.99% 보다 크다. 바람직하게는, 상기 금은 금 합금이고, 이러한 금 합금에서 금은 금/구리 복합물이 인발 가공될 때 금/구리 복합물의 완전한 변형 및 복합 와이어로서 양호한 결합 성질을 얻기 위해 도핑되는데(doped), 예를 들어 30ppm 미만의 칼슘, 20ppm 미만의 베릴륨 그리고 50ppm 미만의 다른 원소들로 이루어진 도프 도료로 금이 도핑된다. 특히 바람직한 합금은 4N 금이다.
본 발명은 미크론 치수의 와이어상에 귀금속 층을 형성하려고 하기보다는 오히려 비귀금속 와이어가 먼저 귀금속으로 코팅된 후, 이어서 수 미크론 치수로 인발 가공될 수 있는 방법을 제공한다. 따라서, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 비귀금속을 함유하는 도전성 와이어 코어 및 상기 코어에 결합된 귀금속 환대로 필수적으로 이루어진 미크론 치수의 복합 와이어를 형성하는 방법이 제공되는 바, 상기 방법은:
전기 전도성의 비귀금속을 포함하는 와이어 코어에 귀금속 환대가 용접되어 있는 것임을 특징으로 하는, 약 0.5와 약 5 밀리미터 사이의 직경을 갖는 제1 복합 와이어를 제공하는 단계; 및
상기 제1 복합 와이어를 인발 가공하여 약 15와 약 75 미크론 사이의 직경을 갖는 제2 복합 와이어를 형성하는 바, 이 때 상기 제2 복합 와이어의 단면적에 의해 측정된 코어의 비율이 상기 제1 복합 와이어의 코어 비율과 본질적으로 동일하도록 하는 단계를 포함한다.
상기 제1 복합 와이어는 귀금속 환대에 용접된 비귀금속 코어 재질을 갖는 귀금속 빌릿(billet)을 동시 압출함으로써 생산한 복합로드(a composite rod)로부터 인발 가공된다. 20 미크론의 직경을 갖는 복합 와이어는 밀리미터의 치수를 갖는 복합 와이어로부터 인발 가공되고, 차례로 상기 밀리미터 치수의 복합 와이어는 상기 복합 빌릿의 압출에 의해 형성된 복합 원통형 로드로부터 형성된 것이며, 상기 복합 코어와 귀금속층의 상대적인 횡단면은 빌릿에서 로드로, 로드에서 와이어로 되면서도 여전히 변하지 않는다. 이는 이전에 알려지지 않은 정도까지 20 미크론의 공칭 직경의 코어 비율에 대해 직접적인 조절을 가능하게 한다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명의 방법에 의해 제조된 미크론 치수의 직경을 가진 복합 와이어가 제공된다.
다시 말하면, 예를 들어, 20 미크론 직경의 복합 와이어에 대한 소정의 코어 비율은 코어 재질에 대해 동일한 상대 비율을 갖는 복합 빌릿에 의해 생산된다. 복합 와이어 최종 산물에 대해서 바람직한 코어 재질의 비율을 갖는 빌릿을 제작함으로써, 코어 재질에 대해 소정 비율을 갖는 미크론 치수의 복합 와이어가 얻어진다.
본 발명의 복합 와이어는 반도체 패키징에 요구되는 바람직한 계수, 강도 및 도전성을 소유하고, 동시에 비용면에서 이점을 제공한다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 본 발명의 제2 복합 와이어에 결합된 적어도 하나의 리드선(lead)을 갖는 반도체 패키지가 제공된다. 25 미크론 만큼의 작은 직경을 갖는 복합 와이어는 귀금속 외부층의 연속성을 파열시키지 않으면서 쐐기 결합되었으며, 이는 비귀금속 코어의 산화를 피하기 위해서 꼭 필요한 것이다.
본 발명의 복합 와이어는 미세 와이어에 대한 다른 최종 용도의 응용에 채택될 수도 있다. 그러한 응용은 보석류 및 음극 보호, 또는 열악한 환경에 대한 와이어 또는 케이블 와이어를 포함하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 이전의 목적들과 그 밖의 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부 도면과 함께, 하기에 설명될 바람직한 실시예에 관한 상세한 설명으로부터 더욱 명백해 질 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 복합 와이어는 도 1에 나타나 있으며, 도 1에서 비귀금속을 포함한 코어(core)(12)는 귀금속 환대(14)에 결합되어 있다.(귀금속은 공기 중에서 가열하여도 산화되지 않는 금속으로 정의되며, 금에 부가하여, 백금, 팔라듐, 은 등을 포함한다.) R은 코어(12)와 환대(14)에 의해서 형성된 와이어(10)의 반경을 나타내고, r은 코어(12)의 반경을 나타낸다. 환대(14) 및 와이어(10)에 비례한 코어 재질(12)의 양은 단면적에 의해 측정된 "코어 비율(core fraction)"로 표현되고, 이는 r 대 R의 비율(r/R)의 함수이다.
상기 코어(12)와 환대(14)의 결합은 열과 압력을 적용시킴으로써 이루어지는데, 전형적으로는 용접에 의해서 결합이 이루어진다. 사용되는 열과 압력의 양은 사용된 코어 비귀금속 또는 금속 합금 및 귀금속 또는 금속 합금의 환대 재질에 따라 달라지고, 지나친 실험을 하지 않고도 야금학에서 통상의 기술을 가진 자에 의해 용이하게 결정될 수 있다. 예를 들어, 구리 또는 구리 합금 코어 및 금 또는 금 합금 환대의 경우에 약 200℃ 보다 높은 온도와 약 50 kg/mm2보다 큰 압력이 사용되어야 한다.
와이어는 도 2의 복합 빌릿(20)이 압출되어 형성된 복합 로드를 인발 가공함으로써 형성된다. 예를 들어, 구리를 함유한 코어 금속 실린더(22)는 중간층(24)을 형성하는 슬리브 또는 랩 시트(wrapped sheets) 형태의 금으로 싸인다. 이러한 어셈블리는 말단 캡(caps)(28 및 30)을 갖고 있는 구리 압출 캔(26)에 놓이고, 그렇게 만들어진 빌릿(20)은 용접되고, 진공상태로 되어 밀봉된다. 상기 빌릿은 약 200°와 약 700°사이의 온도 그리고 더욱 바람직하게는 약 400°와 약 500°사이의 온도까지 예열되고, 약 50 및 약 200 kg/mm2, 그리고 더욱 바람직하게는 약 100 및 약 150 kg/mm2사이의 단위면적 당 힘으로 직접 압출에 의해서 압출되어, 와이어 인발 가공에 적합한 직경을 갖는 복합 원통형 압출 로드를 형성한다.
상기 압출 로드는 절단 및 세척되고, 종래의 싱글 다이 드로잉에 의해 인발 가공되어 약 0.5 및 약 5 밀리미터 사이, 그리고 바람직하게는 약 3 밀리미터 미만의 직경을 갖는 복합 와이어를 형성한다. 상기 압출 캔에 의해 형성된 외부층이 바람직하게 에칭에 의해서 제거되고, 그 결과로 구리 코어를 갖는 금이 피복된 복합 와이어의 코일이 되며, 이는 표준 본딩 와이어 가공 기술에 의해 100 미크론 미만 그리고 바람직하게는 약 15 및 약 75 미크론 사이의 직경으로 좀 더 인발 가공된다. 단면적에 따른 코어 비율은 초기의 복합 빌릿에서 비교적 변하지 않으므로,와이어 제품의 코어 비율은 빌릿 디자인에 따라 조절된다.
빌릿은 25와 100 mm 사이의 직경이 바람직하고, 이러한 직경은 작은 에너지로도 압출을 가능하게 한다. 빌릿 크기에 따르는 코어의 귀금속층 및 외부층 스케일의 상대적 크기, 즉 치수는 생산되는 복합 와이어에 대해 원하는 코어 비율을 얻도록 선택된다. 압출 캔(extrusion can)은 전체 빌릿 단면의 약 10 내지 20%이다. 비귀금속 코어 및 귀금속 중간층에 의해 정해진 상기 캔 안의 실린더는 단면적에 의해 약 25 및 약 95% 사이의 코어 비율을 갖고, 가장 바람직하게는 약 50 내지 약 90% 사이의 코어 비율을 갖는다.
압출 감소비율(압출 로드의 단면적으로 나눈 빌릿의 단면적)은 바람직하게는 약 10 및 약 100 사이이고, 가장 바람직하게는 약 15 및 약 50 사이이다. 그에 따라 빌릿으로부터 압출된 원통형 로드는 약 2 및 약 25 밀리미터 사이의 직경을 갖는다. 원통형 로드는 약 4 및 약 20 밀리미터 사이의 직경으로 압출되는 것이 바람직하다. 상기 로드는 로드가 압출되는 빌릿과 동일한 코어 비율을 가질 것이다.
반도체 산업의 예측된 미래 계수 요건을 만족시키기 위해서, 빌릿(20)의 코어 실린더(22)로부터 형성된 비귀금속(12) 또는 와이어(10)는 약 95 GPa 보다 큰 탄성 계수를 갖는 것이 바람직하다. 따라서 적당한 코어 재질은 구리, 니켈 및 그와 유사한 금속 및 그들의 합금을 포함한다. 더욱 바람직한 코어 재질은 높은 도전성 및 높은 인발가공성(drawability)을 갖는 금속 또는 금속 합금이다. 따라서, 코어 재질로는 구리 또는 구리 합금이 가장 바람직하며, 이들은 또한 상당한 비용 장점을 가지고 있다.
쐐기 본딩(wedge bonding)용 코어 재질은 바람직하게는 무산소의 고순도 구리(OFHC)이다. 볼 본딩(ball bonding)용 코어 재질은 환대 금속의 용융점의 5℃ 이내의 용융점을 갖는 것이 바람직하다. 금 또는 금 합금 환대의 경우, 코어 재질은 이러한 용융점을 갖는 구리 합금이 바람직하다. 더욱 바람직하게, 상기 구리 합금은 또한 순동의 것보다도 향상된 내산화성(oxidation resistance)을 가질 것이다. 바람직한 금-피복, 구리-코어 복합 와이어는 약 1.70 및 약 2.00 μOhm-cm 사이의 저항, 약 95 및 약 120 GPa 사이의 계수 그리고 약 9.0 및 약 15.0 g/cc 사이의 복합 밀도를 갖는다. 각 특징은 4N 금 와이어보다 향상된 것임을 나타낸다.
위에서 언급된 바와 같이, 비귀금속 함유 코어(12)에 결합된 환대(14)를 형성하는 귀금속은 적어도 90%, 바람직하게는 적어도 99%, 가장 바람직하게는 적어도 99.99%의 순도를 가진 금이 바람직하다. 상기 금은 상기 복합물의 완전한 변형 및 복합 와이어로 양호한 본딩 특성을 얻기 위해 도핑된 합금이 바람직하다. 바람직한 금 합금은 30 ppm 미만의 칼슘, 20 ppm 미만의 베릴륨 및 50 ppm 미만의 기타 원소들로 도핑된다. 10 ppm미만의 칼슘 및 10 ppm 미만의 베릴륨을 함유한 금 합금은 훨씬 더 바람직하다. 특히 바람직한 금 합금은 4N 금이며, 명목상 7.5 ppm 베릴륨, 6.5 ppm 칼슘 및 30ppm 미만의 기타 원소들을 함유한 4N 금이 가장 바람직하다.
본 발명의 복합 와이어는 본질적으로 종래 기술에 의해 반도체 패키지의 리드선에 결합될 수도 있다. 도 3은 리드선(42a, 42b, 42c 등)이 쐐기 결합(44a, 44b, 44c 등)에 의해 와이어(10a, 10b, 10c 등)에 결합되어 있는 반도체패키지(40)를 나타낸다. 와이어(10b)의 절개도(cut-away view)는 환대(14b)에 의해 둘러싸인 케이스(12b)를 나타낸다.
따라서 본 발명은 표준 4N 금 합금 본딩 와이어 보다 더 높은 계수, 더 높은 강도, 및 더 높은 도전성을 가진 복합 본딩 와이어를 제공한다. 복합 본딩 와이어의 귀금속 함량은 종래 와이어의 명목상 반이므로, 상기 복합 와이어는 동등한 크기의 4N 금 합금 와이어보다 비용이 상당히 싸고, 게다가 복합 와이어는 표준 4N 금 합금 결합 특징을 여전히 간직하고 있다.
이하 설명되는 실시예는 제한적인 것이 아니며, 본 발명의 어느 정도의 양상들을 예시하는 것이다. 모든 부 및 퍼센트는 다른 언급이 없는 한 중량에 의한 것이고, 모든 온도는 섭씨 온도이다.
산업상 이용가능성
본 발명의 방법에 의해 만들어진 본 발명의 복합 와이어는 반도체 패키징의 어셈블리에 유용하다.
실시예
10 ppm 미만의 칼슘(Ca) 및 베릴륨(Be), 그리고 각각 20ppm 미만의 인듐(In) 및 게르마늄(Ge)을 함유한 4N 금 합금인 800g의 AW-14(American Fine Wire, Ltd., Willow Grove, Pa.)이, 28mm 직경의 몰드에서 주조되었다. 주조 공정은 상기 합금을 흑연 도가니에서 용융하는 단계와 상기 용융물을 원통형 흑연 몰드에 부어넣는 단계로 이루어진 종래의 배치 주조 공정(conventional batch casting)이었다.
그렇게 만들어진 금 잉곳(ingot)을 18mm 내경(ID)의 중앙홀이 형성되도록 뚫고 25mm 외경(OD)이 되도록 절삭하였다. 이에 따라 제작된 관(tube)을 76mm 길이로 절삭하였다. OFHC급 구리의 실린더를 18mm OD 및 76mm 길이의 실린더로 절삭하였다. 구리 실린더를 1.0mm 미만의 공차로 금 합금 관 안으로 끼워맞추었다.
OFHC 구리의 슬리브를 25mm의 ID, 28mm의 OD 및 약 85mm의 길이로 만들었다. 빌릿 말단 캡들을 구리 슬리브의 말단에 끼워맞추기 위해 절삭하였다.
그런 다음 빌릿 캡들을 전자빔으로 용접하여 빌릿을 밀봉하였다. 상기 빌릿을 450℃에서 한시간 동안 예열하였다. 가열된 빌릿을 역시 450℃까지 예열된 50 톤의 압출 프레스 내에 놓았다. 상기 빌릿을 48톤의 공칭 가공력(run force)에서 6.4mm 직경으로 압출하였다.
압출물(extrudate)을 연마패드로 깨끗이 하고 물로 세척하였다. 빌릿의 전후단(billet nose and tail)을 자르고, 샘플들을 취했다. 이에 따라 제작된 로드를 종래의 싱글 다이 인발 가공에 의해 1mm 직경으로 인발 가공하였다. 그 결과로 만들어진 와이어를 50% 희석 질산(nitric acid in water)에 두어 압출 캔으로부터 비롯된 구리 피복을 화학적으로 제거하였다. 에칭된 와이어를 물로 헹구고, 그런 다음 알코올로 헹구었다.
상기 와이어를 약 10초 동안 왕수(질산 1부, 염산 3부, 및 물 4부)에서 좀 더 에칭하여 와이어의 표면에 있는 금-구리 화합물들을 제거하였다. 물에 함유된 기름에멀션 윤활유를 사용하여 표준 다중 다이 인발 가공 기계 상에서 표준 8 내지 12% 축소 다이 스케줄을 이용하여 상기 결과로 만들어진 와이어를 25 미크론의 공칭 직경으로 인발 가공하였다. 와이어 인발가공성은 우수하여, 5 킬로미터 보다긴 길이도 끊어지지 않고 인발 가공되었다.
복합 와이어의 연신율 및 파괴 하중 특성을 측정하였다. 도 5에 나타난 바와 같이, 24.8 미크론 직경의 복합 와이어는 2% 이상의 연신율(본딩 와이어 명세서들은 대부분의 응용에 대해서 >2% 연신율이다)에 대해 AW-14 금 합금보다 약 20% 더 강했으며, 약 14g @4% 연신율에서 파단되었다. 구리 코어는 와이어의 축방향을 따라 매우 균일하였다. 24.8 미크론의 최종 와이어 직경에서, 구리 코어 단면의 표준 편차는 단지 0.26%이었다.
복합 와이어의 계수는 어닐링될 때 약 108 GPa로, AW-14 보다 약 26% 더 높았다. 복합 와이어의 저항은 2.0 마이크로-옴-센티미터로, 이는 AW-14의 것보다 약 12% 더 낮았다. 복합 와이어의 저항 대 시간 및 온도의 측정값은 200℃보다 작거나 같은 온도에서 500 시간까지 무시해도 될 만큼의 저항 증가를 나타낸다.
24.8 미크론의 복합 와이어상의 초기 쐐기 결합 시험은 강한 결합을 나타내었다. 도 4에는 복합 와이어로 쐐기 결합된 반도체 패키지의 단면에 대한 SEM 현미경 사진이 나타나 있다. 쐐기 결합 내에 금 피복의 연속성은 유지된다.
따라서, 본 발명은 비귀금속 코어가 거기에 결합된 균일한 귀금속 환대로 외장된 본딩 와이어 적용에 적합한 강한 가요성 복합 와이어를 제공한다. 코어 재질로 구리 또는 구리 합금을 사용함으로써, 최적의 계수, 강도 및 도전성을 가질 뿐만 아니라 비용이 상당히 줄어든 복합 와이어를 얻는다.
바람직한 실시예들에 대해 앞서 든 예와 설명은 청구의 범위로 정의된 본 발명을 한정하기보다는 오히려, 예시하는 것으로 해석되어야 한다. 상술된 특징들의많은 변형예와 조합은 현재 청구된 발명에서 벗어나지 않는 범위 내에서 활용될 수 있다. 그러한 변형예들은 본 발명의 정신 및 범위에서 이탈되는 것으로 간주되어서는 안되며, 하기 청구의 범위 내에 포함되도록 의도된 것이다.
명세서 내용중에 포함되어 있음.

Claims (27)

  1. 전기 전도성의 비귀금속을 포함하는 와이어 코어에 용접된 귀금속 환대를 특징으로 하는 복합 와이어.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코어 금속은 구리인 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  3. 제1항에 있어서, 복합 와이어는 상기 귀금속이 상기 코어 금속에 용접되어 있는 동시 압출물(a co-extrudate)로부터 인발 가공되는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  4. 제1항에 있어서, 상기 코어 비율은 단면적의 약 25%와 약 95% 사이인 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  5. 제1항에 있어서, 직경이 약 15와 약 75 미크론 사이인 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  6. 제1항에 있어서, 상기 귀금속 환대는 금을 포함하는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  7. 제6항에 있어서, 상기 귀금속은 적어도 99%가 금인 금 합금인 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  8. 제7항에 있어서, 상기 금 합금은 30 ppm 미만의 칼슘, 20 ppm 미만의 베릴륨 그리고 50 ppm 미만의 기타 원소들로 도핑된 금을 포함하는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  9. 제8항에 있어서, 상기 금 합금은 10 ppm 미만의 베릴륨과 10 ppm 미만의 칼슘을 포함하는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  10. 제7항에 있어서, 상기 코어 금속 및 상기 금 합금은 5℃ 범위 이내의 용융 온도를 갖는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  11. 제1항에 있어서, 상기 와이어는 약 95 GPa 보다 큰 탄성 계수를 갖는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  12. 비귀금속 및 상기 비귀금속에 결합된 귀금속 환대를 포함하는 전기 전도성 와이어 코어로 필수적으로 이루어진 미크론 치수의 복합 와이어를 형성하는 방법에 있어서,
    (A) 비귀금속을 포함하는 와이어 코어에 용접된 귀금속 환대로 필수적으로 이루어진 약 0.5와 약 5 밀리미터 사이의 직경을 갖는 제1 복합 와이어를 제공하는 단계; 그리고
    (B) 상기 제1 복합 와이어를 인발 가공하여 약 15와 약 75 미크론 사이의 직경을 갖는 제2 복합 와이어를 형성하는 바, 이 때 상기 제2 복합 와이어의 단면적에 의해 측정된 코어 비율이 상기 제1 복합 와이어의 코어 비율과 본질적으로 동일하도록 하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 코어 금속은 구리인 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 귀금속은 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 귀금속은 적어도 99%가 금인 금 합금인 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 금 합금은 30 ppm 미만의 칼슘, 20 ppm 미만의 베릴륨 그리고 50 ppm 미만의 기타 원소들로 도핑된 금을 포함하는 것을 특징으로 하는미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 금 합금은 10 ppm 미만의 베릴륨과 10 ppm 미만의 칼슘으로 도핑된 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 코어 금속 및 상기 금 합금은 5℃ 범위 이내의 용융 온도를 갖는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  19. 제12항에 있어서, 상기 제1 복합 와이어는 단면적에 의해 약 25와 약 95% 사이의 코어 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 제1 복합 와이어는 상기 비귀금속을 포함하는 코어, 상기 귀금속의 중간층, 외부 금속층으로 필수적으로 이루어진 복합 로드로부터 인발 가공된 다음, 상기 외부 금속층이 제거되며, 여기서 상기 로드의 코어와 중간층에 의해 정해진 실린더의 코어 비율은 상기 제1 및 제2 복합 와이어의 코어 비율과 본질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  21. 제20항에 있어서, 상기 로드는 힘을 가하여 복합 빌릿을 압출함으로써 형성되고, 여기서 상기 복합 빌릿은 상기 비귀금속의 코어, 상기 귀금속의 중간층 그리고 상기 로드의 외부 금속층에 해당하는 외부 금속층으로 필수적으로 이루어지고, 상기 빌릿의 코어와 중간층에 의해 정해진 실린더의 코어 비율은 상기 로드의 코어 비율 및 상기 제1 및 제2 복합 와이어의 코어 비율과 본질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 빌릿은 압출되기 전에 약 200℃와 약 700℃ 사이의 온도까지 예열되는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 빌릿은 약 50과 약 200 kg/mm2사이의 힘으로 압출되는 것을 특징으로 하는 미크론 치수의 복합 와이어 형성 방법.
  24. 미크론 치수의 직경을 갖고, 제12항의 방법에 의해 형성되는 것임을 특징으로 하는 복합 와이어.
  25. 제1항의 복합 와이어에 결합된 적어도 하나의 리드선을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  26. 제25항에 있어서, 상기 리드선은 상기 복합 와이어에 쐐기 결합되는 것임을 특징으로 하는 반도체 패키지.
  27. 제26항에 있어서, 상기 복합 와이어의 코어는 구리로 필수적으로 이루어진 것임을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451361B1 (ko) * 2012-12-04 2014-10-15 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 동 합금 본딩 와이어

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6610930B1 (en) * 1998-09-16 2003-08-26 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Composite noble metal wire
US6732562B2 (en) * 2000-05-09 2004-05-11 University Of Central Florida Apparatus and method for drawing continuous fiber
KR100717667B1 (ko) * 2000-09-18 2007-05-11 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 반도체용 본딩 와이어 및 그 제조 방법
US8382739B2 (en) * 2003-12-02 2013-02-26 Boston Scientific Scimed, Inc. Composite medical device and method of forming
DE102004043020B3 (de) * 2004-09-06 2006-04-27 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Bonddraht und Bondverbindung
CN100433221C (zh) * 2006-03-03 2008-11-12 段沛林 铜铝复合型导电杆的制备方法
US20090125637A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Nokia Corporation Method, Apparatus and Computer Program Product for Providing Data Management in a P2P Network
US20110147038A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Honeywell International Inc. Oxidation-resistant high temperature wires and methods for the making thereof
JP5616739B2 (ja) * 2010-10-01 2014-10-29 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 複層銅ボンディングワイヤの接合構造
CN102226991B (zh) * 2011-06-12 2012-11-28 徐云管 铜钯合金单晶键合丝及其制造方法
CN103074554A (zh) * 2012-12-27 2013-05-01 昆明贵金属研究所 金/银/铜合金新型复合丝材及其制备方法
WO2015163297A1 (ja) 2014-04-21 2015-10-29 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
SG11201604437RA (en) * 2015-02-26 2016-09-29 Nippon Micrometal Corp Bonding wire for semiconductor device
DE102016101619A1 (de) * 2016-01-29 2017-08-03 Biotronik Se & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Elektrodenleitung oder eines Katheters und dazugehöriges Halbzeug

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3471925A (en) * 1965-11-17 1969-10-14 Avco Corp Composite superconductive conductor and method of manufacture
US3622285A (en) 1969-12-08 1971-11-23 Leach & Garner Co Composite wire or the like
US3791028A (en) * 1971-09-17 1974-02-12 Ibm Ultrasonic bonding of cubic crystal-structure metals
US3918998A (en) * 1973-03-19 1975-11-11 Airco Inc Method for producing superconducting wire and products of the same
US4330329A (en) * 1979-11-28 1982-05-18 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha Gold bonding wire for semiconductor elements and the semiconductor element
JPS5737405A (en) 1980-08-19 1982-03-01 Tanaka Precious Metal Ind Clad wire material for accesory
DE3134896C2 (de) 1981-09-03 1985-03-28 W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau Kabelzuleitung für Herzschrittmacher-Elektroden
JPS59219819A (ja) 1983-05-27 1984-12-11 田中貴金属工業株式会社 多線束摺動接点用刷子線材
US4815309A (en) * 1986-03-18 1989-03-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing an electrical conductor
JPS62278241A (ja) * 1986-05-26 1987-12-03 Shoei Kagaku Kogyo Kk ボンデイングワイヤ
EP0282286B2 (en) * 1987-03-13 2013-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Superconducting wire and method of manufacturing the same
JPH01255233A (ja) 1988-04-05 1989-10-12 Kobe Steel Ltd 複合ボンディングワイヤ
JPH0344453A (ja) * 1989-07-11 1991-02-26 Furukawa Electric Co Ltd:The 電子部品および機器用リード線の製造方法
US4970365A (en) 1989-09-28 1990-11-13 International Business Machines Corporation Method and apparatus for bonding components leads to pads located on a non-rigid substrate
DE9013722U1 (de) 1990-10-02 1991-01-24 Berkenhoff GmbH, 6301 Heuchelheim Drahtelektrode
US5097100A (en) * 1991-01-25 1992-03-17 Sundstrand Data Control, Inc. Noble metal plated wire and terminal assembly, and method of making the same
US20020023772A1 (en) * 1994-09-30 2002-02-28 Norio Kaneko Superconducting wire and manufacturing method for the same
US5592732A (en) * 1994-10-26 1997-01-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Method of making super conducting bonds for thin film devices
JP3337049B2 (ja) * 1995-05-17 2002-10-21 田中電子工業株式会社 ボンディング用金線
US6610930B1 (en) * 1998-09-16 2003-08-26 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Composite noble metal wire

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101451361B1 (ko) * 2012-12-04 2014-10-15 희성금속 주식회사 반도체 패키지용 동 합금 본딩 와이어

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000015429A1 (en) 2000-03-23
JP2002524887A (ja) 2002-08-06
KR100706885B1 (ko) 2007-04-11
TWI238777B (en) 2005-09-01
US20040065468A1 (en) 2004-04-08
WO2000015429A8 (en) 2000-06-08
CN1187189C (zh) 2005-02-02
CN1318011A (zh) 2001-10-17
EP1115565A1 (en) 2001-07-18
WO2000015429A9 (en) 2001-07-12
US6610930B1 (en) 2003-08-26

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