KR20010071722A - 자외선 편광자의 제조방법 - Google Patents

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KR20010071722A
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안드레아스 베르거
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Abstract

본 발명은 UV편광자의 제조를 위한 방법이다. 회전타원체의 입자의 위치에 따라서 새로운 배열 안의 지지물질에(주로 표준 플로트(float) 유리) 놓인다. 상기 편광자의 제조를 위한 방법에 따라, 유리표면안에 금속 이온(e.g. 은 이온)을 삽입후 큰 크기로 분리된 입자가 구면 금속 입자들 밖으로 나누기 위해 비트(beat) 처리의 배수 교대로 회득한다. 삽입한 금속이온을 보충하고 그 다음에 비트(beat) 처리로 이어진다. 유리의 변형이 다양한 크기와 다른 반 축의 연관성의 회전 타원체를 생산한다. 입자들은 큰크기의 분리와 그들의 회전타원체 형태의 다른 연관성으로 변형시킨 특징을 가진다. 본 방법의 UV편광자는 중복된 위치에 다른 극대점을 가진 흡수구역부터 광범위한 흡수 범위를 가진다.

Description

자외선 편광자의 제조 방법{Methood for producing UV polarizers}
기본적으로 부분평광파나 자연파에서 평면평광파를 만드는 몇가지 물리학의 원리를 사용할 수 있다.
예를 들면, 복굴절 효과를 이용해 평면 편광파를 만들때, 만약 광학적 비등방성 매질의 입사광선이 광학축을 끼고 유전시키지 못한다면 이는 특수 그리고 보통광선으로 편파면의 상호간 수직으로 결정되어 양분된다. 예를 들어 니콜(nicol) 프리즘, 글랜 톰프슨(Glan Thompson)프리즘, 월래스톤(Wollaston) 프리즘, 등 알려진 편광자들 이다. 그러나 이 고체들은 비용이 고가이고 단지 표면에서만 유용하게제한되고, 활동위치에서 매우 정확히 놓여두어야 한다. 더우기, 상기 물질의 편광 효과는 강한 파장범위에 의존한다. 비평광의 반사경향의 경우에 투명한 등방성 결정의 반사광은 부분 편광을 시킨다. 평면파의 구성은 반사된 빛이 수직으로 입사되어 나열된다. 만약 입사각이 브루스터(Brewster) 각과 동일하다면, 반사광은 완정한 직선편광이 된다. 이 효과는 이용된다. 예를 들면, 편광 시킨 빔(beam)스플리터(splitters), 손실, 다른한편으로, 편광 프리즘에서 빛과 똑같다.
DE-OS 28 18 103 에서, "유리판의 캐리어(carrier)위에 다수의 전기적인 도전 스트립(strips)이 평행하게 나열되어 만들어진 편광자 제조를 위한 방법"에 기술된, 헤르지안(Hertzian)편광을 기초로한다. 또한, EP 0416 157 A1에서, "편광자"라고 불리고, 헤르지안(hertzian)편광이 기초로 사용되었다.
헤르지안(hertzian)편광자의 관계안에 주 손실은 달갑지않은 편광성분에 반사된다. 이 효과는 성가신 많은 장의 응용안을 알려준다.특히 표시되어 사용될때, 이 형식의 편광자는 성공적으로 IR범위안에 이용되고, 아직은 가시광선안에서 효과적으로 사용할 수 없거나 정확하게 일정한 금속 필라멘트 그리드(filament grid)제조의 공정상의 문제에 이유로 UV범위에서도 사용할 수 없다.
대다수의 편광자들은 오늘날에 편광효과의 제조에 이색성 흡수용으로 이용된다. 현재 소자는 일정한 분자, 또는 크리스탈이고, 평면파 방위의 종속된 흡수 효과를 보여준다. 층과 함께 충분한 두께, 그리고 등방성 방위의 크리스탈이나 결정, 오직 편광자로 부터 직선 편광성분이 방출된다.
이에 관련한, 거대한 그룹은 이색성 착색제를 사용하여 기계적으로 늘인 플라스틱 필름에 칠하여 표시된다. 왜냐하면 필름은 매우 비용효과의 방법이 좋게 생산할 수 있다. 잡아당겨 만든 착색제의 빛 흡수제의 적용 방법이다. 위대한 발달에도 불구하고 필름 형태처럼 제조하는 것은( 비교적 많은수의 특허안에 나타냈다.) 화학적 불안정한 상태, 민감한 UV광선, 나쁜 기계적 내구성을 제거할 수 없는것처럼 기본적 손실을 만든다. 일반적으로, 이 필름들은 UV범위가 포함될때 이용할 수 없다.
이색성 크리스탈, 특유의 비구형 금속 입자,는 위 손실 보상의 대부분 약속이라고 생각한다. 특히 비 구형 은 5㎚ - 50㎚ 크기의, 입자들은 350㎚ 에서 1000㎚까지의 파 범위에 원하는 효과들이 생기게 하기 때문에 특별한 전기적 공간배치를 한다.
그래서, 다른 시작점부터 이 반응을 사용할 수 있다.
US 4.049.338 (편광 물질의 방법과 기구)와 US 5.122.907 (편광자와 제조 방법)은 매끄러운 유리나 플라스틱 표면위에 투하해서 제조된 금속 입자의 타원회전을 지향하는 사용을 제안한다. 입자의 이심률은 최대 흡수 위치가 400㎚ 과 3000㎚사이에서 획득할수 있게 하기 위해 상기 투하 공정을 조정한다.
손실은 공정에 의해 생산된 층의 기계적 감도에 결부된다. 이는 입자주의의 굴절률을 변화하고 따라서 최대위치로 이동된 것 처럼 적용된 보호층에 의해 확실히 상쇄할 수 없다.
DE 29 27 230 C2 은 ( 편광 유리 필름의 제조를 위한 방법, 유리 필름의 일치된 제조와 액정표시(LCD) 필름의 활용) 액정표시(LCD)를 사용한 편광자 제조를위한 공정을 기술한다. 처음에 유기 또는 무기 유리를 용해시켜, 핌 모양의 몸체가 증가되고, 마지막에 유리필름을 뽑아낸다. 본 발명에 관련하여 나타난, 방법에 앞서서 반 얇은 층, 즉, 반 표면 근처 층들을 구현할 수 있게 손실을 입히게 여겨진다.
물질적인 토대로서 유리들을 포함하고 있는것은 할로겐 화합물을 가지고 있는것은 편광자를 생산하는것에 대하여 만드는 여러 가지의 제안들이 있다. 이처럼 유리들이 담긴 금속 할로겐 화합물들, 예로, AgCl, AgBr, 등등, 밖으로 또는 안으로 금속 부분의 발생을 재촉한다. 유리바탕이 기계적으로 변형될때, 이 입자들은 이색성 방법에 반응하여 반 구형 형태를 받는다.
US 3.653.863(편광 유리의 광호변성 물질로 이루어진 방법)은 원하는 크기의 은 할로겐화 입자들은 제조하기위해 조정되어진 감광성(즉, 은 할로겐 화합물이 담긴) 유리 물질들 또는 상의 분할이 사용된 고편광 유리의 공정을 기술한다. 두 다른 단계가 따른다: 첫번째, 온도는 냉각점과 유리 변이 온도 사이 즉 500℃에서 600℃, 유리는 타원 형태의 은 할로겐화 입자들이 주고 방향성이 요구되어지기 위해서 뽑히고, 성형되고, 말린다. 유리가 방사성형으로 맡겨질때 (즉, UV선), 금속의 은이 표면위의 은입자들을 촉진한다. 이 의미는 이 형태의 유리들은 -방사성형으로 맡겨진-순수한 비 편광 상태와 불가시 편광 상태 사이를 바뀔수 있다.
금속의 은 촉진에 의해 편광된 유리 제조의 다른 방법은 US 4.304.584 (사출에 의한 편광유리 제조를 위한 방법)에 제시되었다. 냉각점 아래의 유리는 적어도 10㎛두께의 표면 근처 층 안쪽으로 부터 바깥쪽으로 길게 늘인 금속의 은을 생산하기 위하여 환원된 공기중에 경화된다. 이 공정은 편광의 결합된 층과 감광성 유리의 합판구조의 샌드위치(sandwich) 형식 유리의 제조를 포함한다.
WO 98/14409로 부터, 큰 크기의 측면이 박혀 보여진 금속입자의 유리가 사용된 편광자를 알수있다. 편광자 형태의 제조를 하기 위해, 공정은 유리물질 안의 변화된 크기로 놓인 특정한 금속 혼합물로 부터 만들어져 시작된다. 이 후에, 유리와 함께 경화된 물질은 한쪽 방향으로 입자들의 길쭉한 회전이 -타원 형태- 쌓이고 표면처럼 -효과- 평행하게 힘주어 늘리는 공정에 맡긴다. 마지막 경화 단계는 유리의 표면근처 층에 놓인 타원회전 형태의 금속 입자들이 생기게 침전된 금속 혼합물을 변형시킨다. 이 입자들은 타원 회전 형태에 쌓인 입자들에 생긴 크기에 의존하여 관계되기 까지 변형이 바뀐것을 보여준다.
간결하게 말하자면, 이것은 (비교. 예를 들면 US 5.122.907 (편광자 와 제조 방법)) 금속 타원 회전체의 입자의 부피와 축의 비율에 의존한 편광자 형태로서 제조하는 파장 길이 대역의 요구된 위치로 알려져 있다.
높은 이심율의 금속 입자들의 생성은, US 4.486.213( 사출한 적층 편광 유리 )의 금속의 할로겐화가 담긴 유리는 변형 단계의 위치를 도달하기전에 다른 형태의 유리로 둘려싸여질 수 있다고 제안된다.
상기방법들 이상의 기본적 손실과 유리 물질은 합성물과 비싼 특수 유리를 바라는 공통점을 모두 가진다. 명백히 유리를 취급하는데 복잡함과 까다로움 덕분에 장의 응용은 여태까지는 가시광선의 끝에 단파, 또는 UV 스펙트럼을 성공적으로 늘일수 없었다.
마지막으로, 참고로 DE 3150 201 A1(편광 안경 유리 제조를 위한 방법)에서 만들어 질 수 있다. 안경 유리는, 변형될수 있는 금속 산화물이 담긴(예. 은 산화물), 일정한 두게의 표면 근처 층안에 적어도 한쪽 유리면은 금속 상태로 충분히 긴 변형된 금속산화물에 주기시간 이상의 변형된 기압안에서 가열된다. 변형 유리판처럼 겪은 금속 산화물은 후에 변형된 산화물의 핵이 허용하는 증가된 온도수준까지 지켜진다. 그 다음에 유리판은 평행성을 따라 늘인 금속핵들의 허용되는 특별한 장치에서 사출된다. 이 방법의 손실은 무게의 약 0.05퍼센트에서 0.5퍼센트의 실습에 도달할 수 있는 한정된 유리은 용량의 특별한 공정안에 용해된 유리들의 사용이 필요된다. 게다가, 작은 흡광 구역만 생성된다.
입자가 지향된 UV 응용의 편광자를 위한, 어떤식으로든지, 넓은 구역의 흡광 곡선은 특별한 관심사이다. 다른 스펙트럼을 가진 할로겐 전구는 이 스펙트럼 영역안의 광원을 택하게 된다. 가능한 높은 빛의 강도가 도달된, 이 선들중 하나 보다 많이 사용되고-결과에서- 넓은 영역의 편광자들은 가능한 넓게 파장영역보다 편광시킨 효과의 생산이 필요하다.
본 발명은 UV편광자의 제조 방법에 관한 것이다. 편광은 디크로이틱(dichroitic) 흡수에 따라서 초래하고, 타원 회전 금속 입자안의 새로운 배열이 표준 플로트(float) 유리 보다, 지지 물질안에 가득 놓여있다. 상기 편광자는 UV 스펙트럼(spectrum)의 광범위한 흡수 범위를 가진다. 흡수입자의 디아크로틱(dichroitic)반응은 약간의 변경의 내장된 명확한 처리 단계를 가해하고 지지물질의 극미한 금속 입자를 처리한다.
본 발명의 목적에 따르면, 방법은 UV편광자를 가능한 넓은 파장영역보다 편광효과가 보여진 다루기 쉬운 초기물질이 사용된 경제적 비용에 생산할 수 있는것이 제안되어진다.
본 발명에 따르면, 이 문제는 청구항 1에 기술된 방법의 사용으로 해결된다.본 발명에 따른 방법은 한층 발전된 특허 청구항 3에서 15까지 포함된다. 발명에 따른 해결은 한층 더 설명이 필요하다.
널리 알려진 균일성이 지향된 타원회전 입자의 경우에 흡수 반응은 구형회전 입자로 부터 명백히 알 수 있을 만큼 다르고, 편광된 파장면의 방향에 의존한다. 예를 들어, 은 타원 회전 입자들이 사용될때, 반축 비율은 a/b=2, 이는 소위 이색성 반응으로 이색성 은의 매우 좁은 흡수대역을 만든다. 즉 본 발명의 목적에 일치된 필요조건을 따르지 않는다. 한편 본 발명에 따른 방법으로 중복된 다른 최대 위치를 가진 생성된 구역은 넓은 흡수구역을 가능한 생성되게 만든다.
내부의 유리 물질 입자의 각각으로부터 명백히 알수 있을 만큼 다른 극대점의 흡수대역은 적어도 두개를 이끌어 다른 크기를 생성하는 시도는 성공적이고, 중복될때, 넓은 이색성 흡수 영역을 만든다. 이 원리가 이용된, UV편광자는 표면근처 공간의 구조안에 주로 놓여 새로운 특징을 가진다.
기본적으로, 금속 물질은, 즉, 은, 구리, 금, 등등, 알맞은 유리 용해물안에 증가될수 있다, 한편, 확정되고 생산된 뒤에 이해할수 없는 배열을 가진 색깔이 만들어진 유리 배치(batch)의 모든 용량은 금속 전성에 손실을 입히게 할 수 있다. 다른 제한된 요소는 획득할 수 있는 유리내부의 낮은 집합물 수준의 현상을 함유한다. 유리안에 금속물질을 선택해 넣은 뒤에 용해를 할 수 있다. 거의 모든 화학적 요소의 종류는 이온 주입 방법을 사용해 유리표면 안에 집어넣을 수 있다. 또한 이방법은 삽입한 다양한 혼합물의 화학요소 뿐만아니라 근거리를 택해 목표로 만들게 한다. 각 100㎚위의 초점 심도는 달성할수 있다. 다른 한편으로, 이온 삽입은 다소복잡한 방법, 기술학상 방법이다.
이온의 교환 방법은, 특히 비교적 경제적인 비용효과로 알칼리성이 담긴 유리안에 은 또는 구리 이온을 주입하는데 사용된다. 이 방법은, 유리가 소금 용해질에 담긴 은이나 구리에 접촉하여 회득한다. 이 방법은 유리의 알카리 이온들이 용해질로부터 금속이온들을 대신하여 바뀐다. 실용적인 관점에서, 질산 용해물의 낮은 온도의 이온 교환은(즉 거의 250℃에서 400℃의 온도에서) 소금이 물에서 가용성을 가지고 그렇기 때문에 쉽게 유리에서 제거되는 현상의 특별한 이유로 대단히 좋게 증명된다.
원리안에서, 이용할수 있는 다른 소금들은 , 한편으로, 법칙에 의해 , 높은 온도에 용해된다. 유리안의 금속 이온의 침투심도는 얼마나 길고 이온 교환의 위치를 가진 온도가 몇인지에 의존한다. 질산 용해물의 약 매우 적은 ㎛에서 대략 100㎛안에 낮은 온도의 이온 교환 공정에 있어서 예상할 수 있다.
설명에서, 청구항 1에 따라, 이온 주입과 이온 교환에 의해 주입된 금속 이온은 첫번째 단계의 방법에서 만들어진다.
이 후에 오는 조정된 단계( 400℃에서 600℃가지 온도의 범위), 유리 몸체의 깊은 구역까지 확산 시킨 금속 이온을 변형시키고 크리스탈 입자의 결정으로 촉진한다. 변형된 공기가 조정될때, 예, 수소가스, 매우 얇은 (즉, 단지 매우 적은 ㎛ 두께)금속 입자가 담긴 표면 근처 층이 생성 된다. 만약, 한편으로, 불변형된 공기 안에서 조정 위치를 가지는 (진공을 포함한) 금속 이온은 지금까지 유리안에 현존하고 변형된 효과를(정제된 작용물) 가진 물질에 의해 변형된다. 철, 셰륨,그리고 망간처럼 물질의 특성을 이용한다. 상기 물질은-소수의 집합물 수준- 전문적인 종류의 유리에 포함한다.
조정될때 금속 이온의 변형이 청구항1에 기술된것처럼 두번째 단계의 방법에 일치한다. 이 방법은 입자의 외형크기의 폭이 좁게 사출된다.
다른 조정 단계는(조정후에) 불변형된 공기안에 위치한 새로운 형태의 공정에 의해 큰 입자까지 사출된다. 이에 관련해서, 참고로 청구항 1에 기술된것 처럼 세번째 단계의 방법에서 만들어진다.
이 점에서, 처리에 앞서서 반복된다. 다시, 금속 이온은 유리안에 주입되고(청구항1에 기술된것 처럼 네번째 단계의 방법) 다시 작은 새로운 입자들이 생성된다(청구항 1에 기술된 다섯번째 단계의 방법), 세번째 단계의 큰입자들의 어떤 큰 변화없이 가져온다.
이 재형성 공정에 따라 (청구항1에 기술된 여섯번째 단계의 방법) 입자들은 구형으로부터 타원 회전 형태로 변화을 겪는다. 반축 회전후에 재형성이 기술된 입자들의 재형성을 증명한다. 예를 들면, 크게 넓어진 입자의 크기에 의존한다, 즉 커진 입자들은 작은 입자보다 재형성이 잘된다. 다른 재형성의 조건과 요소는 같은 모든 크기의 종류이다.
커진 외형 크기의 생산에 따른 본 발명은 넓어진 이색성 흡수대역이 커진 영역보다 나뉜 반축의 가치를 이끈다.
재형성된 형태의 입자는 낮은 냉각점 근처의 발열된 열의 안정이다. 이 온도보다 더, 더우기, 입자들은 구형 형태로 재 변형을 겪는다. 이 의미는 본 발명의방법에 따라 변형 공정의 위치를 가진 청구항1에 기술된 세번째 단계의 방법 후에 고칠수 있다. 작은 입자들의 두번째 변형 단계에 뒤이어 조정단계에서 생성한다. (비교. 청구항2)
본발명에 따른, 이 원리는, 반복된 처리공정안에, 독특하게 넓어진 외형 크기입자의 생성을 사용한다.(비교. 청구항3)
낮은 냉각점 온도보다 위에 열을 가진 입자는 재변형과 따라서, 이색성 흡수 대역의 변화의 원인을 겪는다. 본 발명에 따라, 이 반응은 명확한 구역의 조정을 사용한다. 그 최대 스펙트럼 위치는 위치상으로 에너지 투입량 공간의 일치하는 극한 얇은 폭의 측면에 범위와 다르다. (비교. 청구항4, 12,13)
또한 본발명에 따라 제조된 UV편광자는 유리의 매우 얇은 표면 근처 층에 발생된 이색성 흡수 효과 현상에 특성이 나타난다. 만약 이 층이 위치상(부분적이거나 완전하게) 이동하면, 판 구조의 UV편광자를 설계할수 있다. 예를 들어 포토리소그래피(photolithography) 공정에 생성된 확실한 표면에 응용된 수산화 불소가 사용된 에칭단계에 따라 도료 층를 이용해 생성할 수 있다.(비교. 청구항 14)
본 발명품을 더 자세하게 설명하는 다섯가지 실시예
실시예 1
도1을 보면 알수 있듯이, 다른 극대의 위치의 생성적이고 겹치는 구역은 더 넓은 흡수 지역의 형태를 가져온다. 그것이 보여주는 결과로서 어떻게 극대의 위치차이가 있는 두개의 흡수대역 A와 B 가 겹쳐질 수 있는지를 보여주고 더 넓은 이색성 흡수 범위는 효과 구역 C와 같은 효과가 온다.
실시예 2
표준 플로트(float) 유리를 AgNO3, NaNO3, 용해된 소금과 접촉시켜 350℃ 온도에 30분간 놓아둔다. 다음에 600℃ 수소가스 속에 2시간동안 조정과정을 거친다. 이어서 2번째 2시간의 조정과정을 600℃ 공기중에 놓는다
두번째 이론 변화 AgNO3/NANO3용해된 소금안에 350℃ 온도로 30분 동안 놓고 수소가스안에 600℃를 넘지않는 온도에 2시간의 조정 과정을 거치면서 진해지고 작은 은 입자들이 유리안에 생긴다.
600℃ 온도에서 마지막 과정으로 유리는 4의 신축비율 변형을 견디는 장력에 종속된다. 이런 방법으로 생성되는 흡수대역의 변형성과는 도1에서 C구역에 보여지는 것과 같다.
실시예 3
표준 플로트(float0 유리를 AgNO3/NANO3용해된 소금안에 350℃ 온도로 30분이상 접촉시킨다.
다음에 600℃ 수소가스 속에 놓고 2시간의 조정과정을 거친다.
다음 과정으로 600℃의 온도에 유리는 4의 신축비율 변형을 견딘다. 이 과정의 결과로써 흡수 대역은 도1에서 A구역이 보여주는 것과 같은 것으로 창조된다.
두번째 이온 변화는 AgNO3/NANO3용해된 소금안에 350℃ 온도로 30분이상 진행하고 525℃를 넘지 않는 수소가스에서 2시간 조정 과정과 함께 진행되고 구형의 은 입자들이 유리안에 생긴다. 두번째 변형과정은 도 1에서 구역C가 보여준것과 같은 더 넓은 이색성 흡수 구역을 야기한다.
실시예 4
감광 수지는 발명품에 따른 과정(예. 두번째 또는 세번째 실시예) 후에 생산된 UV편광자에 적용되어진다. 포토리소그래픽(photo-lithographc)과정 중에 이 감광 수지층은 재구조의 종류를 받아들인다. 5% 플루오르화수소산 통에 넣고 5분간 선택적 에칭(etching)을 한 다음에 기본재료의 층들을 차폐공간들이 어떤 변화를 견디는 동안 도료창 안에서 제거되어진다. 그리고 광 도료를 벗긴후에 구조적으로 디자인된 편광자는 완벽해진다.
실시예 5
예를 들면 전자빔의 형태의 에너지는 발명품에 따른 과정(2번째 또는 3번째실시예)을 겪은 후에 생산된 UV 편광자에 공간적으로 적용되어진다. 이 에너지 투입은 유리의 부분적인 가열을 야기시키고 재변형된 입자들을 원래의 구형 형태로 만들고 이색성 구역의 최대한 위치의 일치된 이동을 가져온다. 스펙트럼의 최대위치의 배출과 다른 구조적으로 구성된 UV편광자들을 얻을수 있다.

Claims (15)

  1. 금속이온이 유리 몸체의 표면 근처 층에 주입되는 제 1 단계와;
    유리가 크리스탈 입자의 형태로 변형되고 촉진된 금속이온을 가지도록 조정되는 제 2 단계와;
    상기 제 2 단계에서 형성된 입자를 더 큰 크기의 입자로 변형하기 위하여 비환원 공기에서 후조정이 일어나는 제 3 단계와;
    상기 제 1 단계와 유사한 방법으로 금속이온이 주입되는 제 4단계와;
    상기 제 4단계에서 주입된 금속이온이 유리 표면 근처 층에서 상기 제 3단계에서 생성된 크기보다 작은 크기의 크리스탈 입자로 촉진되도록 유리를 다시 조정하는 제 5 단계와;
    유리몸체가 유리 변이 온도 근처의 온도에서 변형되어 모든 다른 크기의 입자가 다양한 반축 비율을 가지는 회전 타원 형태의 입자로 변형되는 제 6단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 편광효과가 이색성 흡수를 기초로 하는 UV편광자 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1단계에서 제 3 단계와;
    상기 제 6 단계에서와 같이 큰 입자가 회전 타원 입자에서 재형성되도록 유리가 변형되는 단계와;
    상기 제4, 제5, 제6 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 단계에서 제 5 단계와;
    입자의 측면 크기가 특정 너비의 분포를 가질 때가지 진행되는 상기 제 6 단계로 구성되는 것을 특징으로하는 UV편광자 제조 방법.
  4. 제 1 내지 3항에 있어서, 일단 상기 제 1 항 내지 3 항에서 기술된 모든 단계가 완성되면 유리는 특정 낮은 냉각점 이상의 온도로 조정되고, 회전 타원 형태의 입자는 한정된 특정 방법으로 그 원래의 형태로 재변형되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  5. 제 1 내지 제 3 항에 있어서, 주입되는 금속이온은 은, 금, 구리 및/또는 알류미늄 이온 또는 그 혼합물인 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계의 환원과정은 환원 대기에서 일어나는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 환원과정은 수소 가스 또는 수소/질소가스 대기에서 일어나는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계에 따른 환원과정은 유리안에 이미 존재하여 환원효과를 가지는 물질에 의하여 환원되는 금속이온을 포함하는 비환원 대기에서 일어나는 것을 특징으로하는 UV편광자 제조 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 항 또는 제 2 항에서 기술된 제 3 단계는 300℃ 이상, 그러나 700℃를 넘지 않는 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 유리는 사출하기 전인 이상 두번 또는 30번까지도 되는 그러한 방법으로 늘여지는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  11. 제 1, 2, 3, 또는 10항에 있어서, 단지 폭이 좁은 가열 구역이 연속적인 변형 과정에서 사용되고, 사출후 유리는 회전 타원 입자의 재변형을 막을 수 있을 정도로 빠르게 냉각되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  12. 제 1 내지 3항까지 있어서, 에너지는 회전 타원 입자의 특정 재변형을 일으키는 유리 표면의 매우 좁은 구역에서 국소적으로 적용되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  13. 제 1 내지 3 항까지 또는 12 항에 있어서, 상기 에너지의 투입은 레이져나 전자 빔 기술에 의한 수단에 의하여 만들어지는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  14. 제 1 내지 3항까지 있어서, 상기 유리 표면은 차폐되어지고, 얇은 표면 층이 이로부터 식각(蝕刻)되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
  15. 제 1 내지 3 항 또는 12 또는 13 또는 14항에 있어서, 공간 에너지의 투입 및/또는 그러한 차폐와 식각(蝕刻)은 구조화된 형태의 편광자를 생성하기 위하여 사용되는 것을 특징으로 하는 UV편광자 제조 방법.
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