KR20010062700A - 전자총 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

전자 빔 투과공이 형성된 박판부를 가지는 그리드(grid) 전극을 포함하는 전자총에 있어서, 상기 박판부는 다이(die) 및 펀치 다이를 사용하여 금속판의 일부를 상기 박판부의 원하는 치수에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부를 형성하고 상기 돌출부를 절삭함으로써 형성된다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 코이닝 가공에 의해 형성된 전자총의 그리드 전극 박판부의 주위에 리브가 형성되는 종래 기술 상의 문제점을 제거하고, 박판부의 직경을 확대할 수 있어 박판부와 캐소드 사이의 거리를 좁게 하고, 박판부의 임의의 위치에 빔 투과공을 형성할 수 있다.

Description

전자총 및 그 제조 방법 {ELECTRON GUN AND PRODUCTION METHOD THEREOF}

본 발명은 음극선관용 전자총 및 전자총의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 텔레비전 수상기 및 컴퓨터용 디스플레이용 음극선관 수상기에 대하여, 보다 고정세한 화면 표시에의 요구가 높아지고 있다.

이와 같은 요구에 따라, 음극선관용으로 사용되는 전자총의 각 그리드(grid) 전극의 전자 빔 투과공(이하 "빔 투과공"이라고 함)의 직경이 소경화되고 있는 추세이다.

예를 들면, 디스플레이용으로 사용되는 전자총 중에서 가장 캐소드에 가까운 제1 그리드 전극의 빔 투과공의 직경은 매년 φ0.43mm에서 약 φ0.32mm, 나아가 약φ0.30mm로 이행되고 있다.

이와 같이 빔 투과공의 직경이 감소되는 전자총을 종래의 전압과 동일한 전압으로 구동하기 위해서는, 캐소드와 제1 그리드 전극 간의 거리를 줄일 필요가 있다.

캐소드와 제1 그리드 전극 간의 거리를 줄이기 위해서는, 제1 그리드 전극을 구성하는 금속판의 두께를 얇게 할 필요가 있다.

실제로, 전술한 빔 투과공의 직경 추이에 따라, 제1 그리드 전극의 빔 투과공 주변부의 일부의 판 두께도, 예를 들면, 0.06mm에서 0.05mm로, 나아가 0.045mm로 서서히 얇아지고 있다.

전자총의 그리드 전극용 재료로서 금속판의 일부를 얇게 하는 공정은 전자총을 제조하는 순차 공정 중 중요한 공정이다.

일반적으로, 금속판의 일부를 절삭 드릴로 깎아 얇게 하는 방법이 고려된다.

그러나, 이러한 방법은 금속판의 부분에 형성될 박판부의 원하는 두께가 작아지면, 드릴에 의해 상대적으로 얇아진 금속판의 박판부가 절삭 저항에 의해 잘라져 버린다.

이 때문에, 그리드 전극 재료로 되는 금속판의 일부를 코이닝(coining) 가공에 의해 얇게 하고 있었다.

코이닝 가공은 금속판을 코이닝(스트라이킹)하여 얇게 하는 가공 방법이다.

도 1은 금속판에 대한 코이닝 가공을 설명하는 개념도이다.

먼저, 그리도 전극 재료로 되는 금속판(50)에 φD1의 직경을 가지는 가공 준비공(孔)(51)이 형성된다.

가공 준비공(51)의 주변부의 금속판(50)의 일부를 두드려 박판부(52)를 형성한다.

이 때, 금속판(50)의 두께부는 내측과 외측으로 퇴피한다.

코이닝 가공 후에는, 내측으로의 두께부의 퇴피에 의해 φD2의 직경을 가지는 잔류공(53)이 형성된다.

또한, 외측으로의 두께부의 퇴피에 의해 박판부(52)의 주위에 융기부(54)가 형성된다.

도 2는 코이닝 가공을 사용한 종래의 제1 그리드 전극의 요부를 나타낸 단면도이다.

도 2에 나타낸 제1 그리드 전극(G1)의 요부는 빔 투과공(60)의 주변부에 위치하며, 금속판(61)의 일부에 복수회의 코이닝 가공을 반복함으로써 단계적으로 얇게 성형되어 있다.

상기 제1 그리드 전극(G1)에서는, 금속판(61)의 판 두께(원판 두께)(T0)를 빔 투과공(60) 주위에서 원하는 판 두께(t0)까지 얇게 하는 데 있어서, 그 외측의 판 두께(t0')도 코이닝 가공에 의해 얇게 할 필요가 있다.

복수회의 코이닝 가공을 반복하기 위해서는, 그 때마다 금속판(61)의 두께부를 내측과 외측으로 퇴피시킬 필요가 있다.

따라서, 반복된 코이닝 가공을 종료한 후, 원하는 판 두께(t0)를 가지는 박판부(62)의 주변에 원형의 리브(rib)(63, 64)가 형성된다.

전술한 바와 같이, 종래의 방법에 의하면, 빔 투과공 주변부에서 금속판의일부분을 얇게 하는 코이닝 가공을 복수회 반복하는 것이 필요하므로, 박판부(62)의 주변에 원형의 리브(63, 64)가 형성된다.

박판부(62)의 주변에 원형의 리브(63, 64)가 존재하는 것은 그 만큼 박판부(62)의 주변에 여분의 스페이스가 필요하게 된다.

한편, 인라인형(inline type)의 전자총에서는, 적(R), 녹(G), 청(B)의 3색에 대응하는 3개의 캐소드를 인라인형으로 배열해야 한다.

캐소드의 배열 피치는 소정의 치수, 전형적으로, 4.5mm~6.6mm로 설정해야 한다.

그 결과, 상기 원형의 리브(63, 64)에 의해 박판부(62)의 주변에 여분의 스페이스를 확보하게 되면, 캐소드의 배열 피치를 소정의 치수 내로 설정하는 것이 곤란하게 된다.

캐소드와 제1 그리드 전극 간의 거리를 작게 하기 위해서는, 박판부(62)의 가공 면적(S)을 확대하고, 가공 면적(S) 상에 캐소드 단부(端部)를 설정하는 것이 유효하다.

그러나, 박판부(62)의 가공 면적(S)을 확대하면, 그것에 따라 상기 원형 리브(63, 64)의 직경도 커지기 때문에, 캐소드의 배열 피치를 소정의 치수 내로 설정할 수 없게 된다.

박판부(62)의 외측 판 두께(t0')도 얇게 가공되어 있기 때문에, 전자총의 조립 시에 필요하게 되는 부품 강도를 확보할 수 없게 된다.

또한, 코이닝 가공에서는, 앞의 도 1에 나타낸 바와 같이, 금속판(50)에 미리 가공 준비공(51)을 형성할 필요가 있다.

가공 준비공(51)의 형성은 다음의 문제를 야기한다; 즉, 가공 준비공(51)의 직경을 엄밀히 관리해도, 코이닝 가공에 의한 두께부의 퇴피 상태가 미묘하게 상이한 관계로, 가공 후에 있어서의 잔류공(53)의 직경이나 위치에 편차가 생겨 버린다.

따라서, 코이닝 가공 후에 소정의 직경을 가지는 빔 투과공은 상기 잔류공(53)의 직경 및 위치의 편차를 허용할 수 있는 조건, 즉 잔류공(53)이 완전히 없어지는 조건을 만족시킬 수 있도록 형성해야 한다.

또한, 빔 투과공이 작아지면, 그에 따라 빔 투과공이 뚫린 부위에 차지하는 잔류공(53)의 면적 비율이 커지기 때문에, 경우에 따라서는 빔 투과공을 뚫었을 때 잔류공(53)의 일부가 남아 버릴 우려도 있다.

도 1은 금속판의 단면도이며, 가공 준비공을 가지는 코이닝(coining) 가공 전의 금속판을 파선으로 나타내고, 박판부, 잔류공, 및 돌출부를 가지는 코이닝 가공 후의 금속판은 실선으로 나타냈다.

도 2는 코이닝 가공을 사용한 종래의 그리드(grid) 전극의 요부를 나타낸 단면도이며, 특히 빔 투과공 주위의 그리드 전극의 구조를 나타내고 있다.

도 3은 본 발명의 전자총의 구조를 나타낸 개략 평면도이다.

도 4 (A) 내지 4 (C)는 금속판을 가공하여 전자총의 그리드 전극의 제조 방법을 설명하는 개략도이며, 도 4 (A)는 개구형 퇴피부를 가지는 다이와 펀치 다이 사이에 금속판을 세트하는 공정을 나타내며, 도 4 (B)는 펀치 다이를 사용하여 돌출부를 형성하는 공정을 나타내며, 도 4 (C)는 절삭 기구에 의해 돌출부를 제거하는 공정을 나타낸다.

도 5 (A) 및 5 (B)는 금속판을 가공하여 전자총의 그리드 전극을 제조하는 다른 방법을 설명하는 단면도이며, 도 5 (A)는 홈형 퇴피부를 가지는 다이와 펀치 다이 사이에 금속판을 세트하는 공정을 나타내며, 도 5 (B)는 돌출부를 완전히 제거하는 공정을 나타낸다.

도 5 (C)는 금속판을 가공하여 전자총의 그리드 전극을 제조하는 또 다른 방법을 설명하는 단면도이며, 박막부는 펀치 다이를 사용하는 코이닝에 의해 완성된다.

도 6 (A) 및 6 (B)는 본 발명의 제조 방법에 의해 제조되는 전자총의 그리드 전극의 박막부를 각각 나타내는 단면도이며, 도 6 (A)에 나타낸 박판부의 직경은 종래 기술의 방법에 의해 제조된 그리드 전극 박판부의 직경과 거의 동일하고, 도 6 (B)에 나타낸 박막부의 직경은 종래 기술의 방법에 의해 제조된 그리드 전극 박판부의 직경보다 크다.

본 발명의 목적은 코이닝에 의한 원형 리브 및 잔류공이 없이 형성된 그리드 전극을 포함하는 전자총, 및 전자총의 제조 방법을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 제1 양태에 의하면, 전자 빔 투과공이 형성된 박판부를 가지는 그리드(grid) 전극을 포함하는 전자총에 있어서, 상기 박판부는 금속판의 일부를 상기 박판부의 원하는 치수에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부를 형성하고 상기 돌출부를 절삭함으로써 형성되는 전자총을 제공한다.

이와 같은 구성으로 함으로써, 가공 준비공의 형성에 의한 잔류공 및 원형리브가 없는 치수 정밀도가 높은 박판부를 형성할 수 있다.

본 발명의 제2 양태에 의하면, 박판부를 가지는 전자총의 제조 방법에 있어서, 그리드 전극용 소재로 되는 금속판의 일부를 상기 박판부의 원하는 두께에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부를 형성하는 공정 및 상기 돌출부를 바람직하게는, 상기 금속판의 표면보다 낮은 깊이로 절삭함으로써, 상기 금속판의 부분에 박판부를 형성하는 공정을 포함하는 전자총의 제조 방법을 제공한다.

이와 같은 구성으로 함으로써, 가공 준비공의 형성에 의한 잔류공 및 원형 리브가 없는 치수 정밀도가 높은 박판부를 형성할 수 있다.

그 결과, 원하는 직경을 가지는 전자 빔 투과공을 박판부의 임의의 위치에 형성할 수 있다.

또한, 박판부 주변의 금속판 일부의 두께는 금속판의 원래의 두께와 동일하게 유지되므로, 전자총의 그리드 전극에 요구되는 기계적인 강도의 부족 없이 박판부의 가공 면적을 확대할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 제조 대상으로 하고 있는 전자총의 요부를 나타낸 개략 평면도이다.

도 3에서는, 적, 녹, 청의 각색에 대응하는 3개의 캐소드(음극)(1)가 인라인형으로 배열되어 있다. 각각의 캐소드(1)는 각각 대응하는 색의 전자 빔을 방출하는 것이다.

전자 빔이 방출되는 측에는, 이 빔 제어를 위한 복수의 그리드 전극이 직렬로 배치되어 있다.

상세하게는, 이들 그리드 전극은 캐소드(1)측으로부터 빔 방사측으로 향해(도면의 좌측으로부터 우측으로 향해), 제1 그리드 전극(G1), 제2 그리드 전극(G2), 다이내믹 전압 제3 그리드 전극(G3Fd), 스태틱 전압 제3 그리드 전극(G3Fs), 제4 그리드 전극(G4), 스태틱 전압 제5 그리드 전극(G5Fs), 다이내믹 전압 제5 그리드 전극(G5Fd), 중간 그리드 전극(GM), 제6 그리드 전극(G6)의 순으로 배치되어 있다.

이들 그리드 전극 중, 특히, 제1 그리드 전극(G1)이나 제2 그리드 전극(G2)에 대해서는, 전자 빔의 스폿경의 소경화에 따라, 빔 투과공 주변부의 판 두께를 얇게 하여 전극 간격을 조밀하게 할 필요가 있다.

이하, 빔 투과공을 가지는 전자총의 그리드 전극, 특히 본 발명에 의한 제1 그리드 전극(G1) 또는 제2 그리드 전극(G2)을 제작하는 방법에 대하여 설명한다.

도 4 (A) 내지 4 (C)는 전자총의 그리드 전극용 재료로 되는 금속판을 가공하는 공정을 설명하는 도면이다.

먼저, 도 4 (A)에 나타낸 바와 같이, 전자총 전극, 전형적으로, 제1 그리드 전극(G1)의 재료로 되는 금속판(10)을 준비한다.

금속판(10)은 코바르(Kovar)(Fe 53%, Ni 28%, Co 18%의 합금)나 스테인레스강(JIS에 명기된 SUS재)으로 만들 수 있다.

금속판(10)은 다이(die)(11) 및 펀치 다이(12) 사이에 세트한다.

다이(11)는 금속판(10)이 다이(11) 및 펀치 다이(12) 사이에 눌렸을 때 금속판(10)의 일부를 돌출시키기 위한 퇴피부(11A)(후술)가 형성되어 있다.

펀치 다이(12)의 외측 직경(Dp)은 금속판(10)의 돌출을 용이하게 하여, 금속판(10)이 다이(11)와 펀치 다이(12) 사이에 눌렸을 때 다이(11)와 펀치 다이(12) 사이에 전단력(剪斷力)이 작용하지 않도록, 다이(11)의 내측 직경(Dd)보다 작은 치수로 설정되어 있다(Dp < Dd).

계속해서, 도 4 (B)에 나타낸 바와 같이, 다이(11)로 금속판(10)의 움직임을 규제하면서, 펀치 다이(12)를 화살표 방향, 즉 상방으로 진출 이동시킨다.

이 돌출 가공으로, 금속판(10)의 일부(13)는 다이(11)의 퇴피부(11a)에서 판 두께 방향(도 4 (b)의 상방)에 따라 돌출된다. 금속판(10)의 돌출량은 박판부의 원하는 두께에 따라 결정되고, 마침내 금속판(10)의 부분으로 형성되게 된다.

이러한 돌출 가공의 원리는 통상의 드로잉(drawing) 가공의 원리와 동일하다.

즉, 돌출 가공은 통상의 드로잉(drawing) 가공과 동일하게 금속판(10)의 일부를 한 방향으로 돌출시켜 돌출부(13)를 형성하는 것이다.

도 4 (B)에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 펀치 다이(12)를 진출시켰을 때의 이동 종단(終端)을 원하는 박판 치수에 따라, 다이(11)과 금속판(10)의 접촉면으로부터 소정 치수(L)만큼 인입(引入)한 위치에 설정하고 있다. 소정 치수(L)는 전술한 박판부의 원하는 두께에 따라 결정되어 금속판(10)의 부분으로 형성된다.

단, 후술하는 박판부를 얻는 데 있어서는, 다이(11)의 퇴피부(11A)로부터 펀치 다이(12)가 돌출하는 정도로 이 펀치 다이(12)의 이동 종단을 설정해도 된다.

이와 관련, 상기 돌출 가공에 대해서는, 펀치 다이(12)로 금속판(10)의 움직임을 규제하면서, 다이(11)를 상기 화살표 방향과 역(逆)방향(도면의 하방)으로 진출 이동시킴으로써 또한 동일하게 행할 수 있다.

이어서, 도 4 (C)에 나타낸 바와 같이, 절삭날(14)을 금속판(10)의 판 두께 방향과 직교하는 방향, 즉, 화살표 방향으로 이동시킴으로써, 상기 돌출 가공에 의해 돌출 성형된 돌출부(13)를 절삭한다.

상세하게는, 절삭날(14)에 의한 돌출부(13)의 피(被)절삭면(13A)이 금속판(10)의 원판 부분의 면(10A)과 거의 동일면이 될 때까지, 즉, 돌출부(13)가 거의 없어질 때까지 절삭함으로써, 금속판(10)의 일부에 원하는 두께(t)의 박판부(15)가 형성된다.

이 절삭 가공 중, 피절삭면(13A)과 반대측의 면으로부터 박판부(15)를 도시하지 않은 받침 기구로 지지하도록 해도 된다.

절삭날(14)에 의한 돌출부(13)의 절삭 가공은 1회로 행해도 되고, 복수회로 나누어 행해도 된다.

절삭 가공은 평(平) 밀링 커터 또는 정면 밀링 커터 등 밀링 커터(milling cutter)를 바람직하게 사용할 수 있다.

그 후, 도시하지는 않지만, 미소(micro) 펀치 다이를 사용하는 펀칭 가공에 의해 상기 박판부(15)에 빔 투과공을 형성한다.

이상 설명한 바와 같이, 상기 돌출 가공 또는 절삭 가공도 금속판(10)의 가공 준비공을 필요로 하지 않고 행할 수 있다.

종래의 방법과 달리, 금속판(10)의 박판부(15)에는 잔류공이 존재하지 않는다.

따라서, 잔류공을 포함하는 빔 투과공을 형성할 필요가 없다.

한편, 원하는 직경을 갖는 빔 투과공을 박판부(15)의 임의의 위치에 형성할 수 있다.

본 실시 형태에 따라, 박판부(15)의 중심에 대해서는 종래 기술에 의해 형성된 빔 투과공보다 소경의 빔 투과공을 형성하는 것이 가능하게 된다.

또한, 종래의 기술에 의하면, 복수의 빔 투과공, 전형적으로 각 캐소드에 대하여 2개의 빔 투과공을 가지는 전자총의 그리드 전극을 제조하는 경우에 있어서는, 하나의 빔 투과공은 중심부, 즉, 박판부의 잔류공부에 형성할 필요가 있다.

반면에, 본 발명에 의하면, 박판부는 잔류공부를 갖지 않으므로, 박판부(15)의 중심 이외의 복수 개소, 예를 들면, 박판부(15)의 중심을 기준으로 한 대칭 위치에 빔 투과공을 형성할 수 있다.

따라서, 본 발명의 방법은 전자총의 그리드 전극의 박판부에 복수의 빔 투과공을 제조하는 데 특히 바람직하다는 것이 명백하다.

이와 같은 방법으로, 전자총의 그리드 전극, 전형적으로, 제1 그리드 전극이 제조된다.

전술한 실시 형태의 변형을 도 5 (A) 내지 5 (C)를 참조하여 설명한다.

금속판(10)은 도 5 (A)에 나타낸 바와 같이 단면(斷面) 오목형의 퇴피부(16A)를 가지는 다이(16) 및 펀치 다이(12) 사이에 설치된다. 금속판의일부(13)는 다이(16) 및 펀치 다이(12)를 사용하는 코이닝 가공에 의해 돌출된다.

돌출 가공 후의 절삭 가공은 도 5 (B)에 나타낸 바와 같이 돌출부(13)가 존재하는 금속판(10)의 비가공면(10A)보다 낮은 깊이로 돌출부(13)를 절삭함으로써 행해진다. 이 절삭 가공으로, 돌출부(13)는 완전히 제거된다.

본 발명자들은 전술한 변형의 효과를 확인하기 위한 제조 테스트를 행하였다.

판 두께(원판 두께)가 0.25mm인 금속판(10)을 사용하여 그 일부를 0.19mm의 돌출 치수를 갖고 돌출시키고, 그 후, 금속판(10)의 면(10A)을 0.02mm 자르는 형태로 돌출부(13)를 절삭해 본 경우, 두께 0.04mm의 박판부(15)를 형성할 수 있었다.

또한, 앞의 도 4 (C)에서 나타낸 절삭 가공 후에 있어서는, 도 5 (C)에 나타낸 바와 같이 조정용의 다이(17)과 펀치 다이(18)을 사용하여, 금속판(10)의 박판부(15)를 판 두께 방향의 양측으로부터 끼워넣도록 코이닝 성형해도 된다.

또, 이 코이닝 성형은 상기 도 5 (B)에 나타낸 절삭 가공 후에 행해도 된다.

이와 같이 절삭 가공 후 박판부(15)를 코이닝 성형함으로써, 앞의 도 2 (C)에서 나타낸 절삭 가공 후에는, 피절삭면(13A)과 금속판(10)의 면(10A)을 평활하게 고를 수 있다.

또, 도 4 (C) 및 도 5 (B)에서 나타낸 절삭 가공 후에는, 금속판(10)에서의 박판부(15)의 두께를 더욱 얇게 한 다음 이 치수 정밀도를 높일 수 있다.

이상 설명한 전자총의 제조 방법에서는, 그리드 전극 소재로 되는 금속판(10)의 일부를 원하는 박판부(15)의 치수에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부(13)를 형성한 다음, 돌출부(13)를 절삭한다.

그러므로, 본 발명의 제조 방법은 다음의 이점을 가진다:

종래의 방법과 달리, 박판부(15)의 주변에 원형의 리브가 형성되지 않는다.

박판부(15) 주변의 판 두께(T)(도 4 (C) 참조)는 종래와 같이 코이닝 가공으로 얇게 성형되지 않으므로, 금속판(원판)(10)의 판 두께 치수대로 유지된다.

이에 따라, 박판부(15)의 주변 리브 형성에 의한 여분의 스페이스를 확보할 필요가 없어진다.

그 결과, 전술한 인라인 배열의 3개의 캐소드(1)(도 3 참조)의 배열 피치를 좁힐 수 있다.

박판부(15)의 외주의 측근 위치에서 충분한 판 두께를 확보할 수 있기 때문에, 전자총 그리드 전극의 부품 강도를 대폭 높일 수 있다.

박판부(15)의 외측 부분의 두께가 충분히 크기 때문에, 전자총의 조립에 필요한 그리드 전극의 부품 강도를 확보할 수 있다.

박판부(15)의 주변에 리브가 존재하지 않아 다음과 같이 더욱 유리하다: 즉, 6 (A), (B)에 나타낸 바와 같이, 박판부(15)의 가공 면적을 종래(도 2)와 동일 치수인 S1에서 S2로 확대해도, 캐소드의 배열 피치를 소정의 치수 내에 설정할 수 있다.

이는 박판부(15) 주위에 리브가 존재하지 않는 것이 리브 형성에 의한 여분의 스페이스를 확보할 필요가 제거되었기 때문이다.

예를 들면, 박판부(15)의 오목한 부분의 직경을 캐소드의 단부의 직경보다크게 할 수 있다.

이 경우, 박판부(15)의 오목한 부분에 캐소드 단부를 수용할 수 있다.

그 결과, 제1 그리드 전극(G1)의 빔 투과공과 캐소드(1)의 단부 사이의 거리, 즉, 전극 방출부를 종래의 방법에 의해 형성된 제1 그리드 전극의 빔 투과공 및 캐소드(1)의 단부 사이의 거리보다 좁게 할 수 있다.

이것은 제1 그리드 전극(G1)이 가지는 전자총에 인가된 구동 전압을 낮추게 할 수 있다.

또한, 전술한 바와 같이, 박판부(15)의 주변에는, 금속판(10)의 판 두께 방향으로 돌출하는 부분, 전형적으로, 리브가 존재하지 않는다.

따라서, 도 3에 나타낸 바와 같이 복수의 그리드 전극을 직렬로 배치하는 데 있어서, 그리드 전극 간의 거리, 특히, 제1 그리드 전극(G1)과 제2 그리드 전극(G2) 간의 거리를 좁힐 수 있다.

그 결과, 상기 제조 방법에 의해 제작된 전자총은 음극선관 등에서의 표시 화상의 고정세화 요구에 충분히 부응할 수 있다.

종래의 방법과 달리 코이닝 가공에 의한 두께부의 퇴피를 고려할 필요가 없기 때문에, 부품 설계의 자유도를 높일 수 있다.

전술한 제조 방법에 의해 형성된 그리드 전극은 변형에 대하여 충분히 높은 기계적 강도를 가지므로, 전자총 조립 시 가압이 있어도 변형되지 않고 전자총을 조립할 수 있다.

이것은 전자총의 조립 정밀도를 높여 빔 스폿 특성 등을 향상시키는 것이 가능하게 된다.

본 발명의 바람직한 실시 형태를 소정의 조건을 들어 설명했지만, 이러한 설명은 단지 예시를 위한 것이며, 다음의 특허청구의 범위의 사상 및 범위를 일탈하지 않고 여러가지의 변화 및 변형이 이루어질 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 금속판의 일부를 얇게 성형하는 데 있어서, 금속판의 일부를 원하는 박판 치수에 따라 판 두께 방향으로 돌출시킨 후, 그 돌출부를 절삭 가공함으로써, 금속판에 박판부를 형성하도록 했으므로, 특히, 전자총의 전극 소재로 되는 금속판을 박판화 가공하는 경우에는, 가공 준비공에 의한 잔류공이나 원형 리브가 없는, 치수 정밀도가 높은 박판부를 형성하는 것이 가능하게 된다. 또, 박판부 주변의 판 두께를 금속판(원판)의 판 두께와 동일 치수로 유지할 수 있기 때문에, 전극 부품의 기계적 강도를 높이는 것이 가능하게 된다. 또한, 상기 절삭 가공 후에 얻어지는 박판부에 대해서는, 임의의 위치에 원하는 직경을 갖고 전자 빔 투과공을 형성하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 음극선관 수상기에 대한 고정세한 화면 표시에의 요구에 바람직하게 대응하는 것이 가능하게 된다.

Claims (13)

1. 전자 빔 투과공이 형성된 박판부를 가지는 그리드(grid) 전극을 포함하는 전자총에 있어서,

   상기 박판부는 금속판의 일부를 상기 박판부의 원하는 치수에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부를 형성하고 상기 돌출부를 절삭함으로써 형성되는 전자총.
2. 제1항에 있어서,

   상기 박판부는 상기 돌출부를 상기 금속판의 표면보다 낮은 깊이로 절삭함으로써 형성되는 전자총.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 박판부는 상기 돌출부를 절삭한 후 코이닝 가공(coining work)을 필요로 하는 전자총.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 박판부를 가지는 상기 그리드 전극은 상기 전자총의 캐소드에 면하도록 장착되어 있는 전자총.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 그리드 전극의 상기 박판부의 직경은 상기 캐소드의 단부(端部)의 직경보다 큰 전자총.
6. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   1개 이상의 전자 빔 투과공은 상기 박판부의 임의의 위치에 형성되는 전자총.
7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,

   1개 이상의 전자 빔 투과공은 상기 박판부의 중앙부 이외의 위치에 형성되는 전자총.
8. 박판부를 가지는 전자총의 제조 방법에 있어서,

   그리드 전극용 재료로서 금속판의 일부를 상기 박판부의 원하는 두께에 따라 판 두께 방향으로 돌출시켜, 돌출부를 형성하는 공정; 및

   상기 돌출부를 절삭함으로써, 상기 금속판의 부분에 박판부를 형성하는 공정을 포함하는 전자총의 제조 방법.
9. 제8항에 있어서,

   상기 절삭 공정은 상기 돌출부를 상기 금속판의 표면보다 낮은 깊이로 절삭하는 공정을 포함하는 전자총의 제조 방법.
10. 제8항 또는 제9항에 있어서,

    상기 금속판의 부분에 상기 박판부를 형성한 후, 상기 박판부를 코이닝 가공하는 공정을 추가로 포함하는 전자총의 제조 방법.
11. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 금속판의 부분에 상기 박판부를 형성한 후, 상기 박판부에 전극 빔 투과공을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 전자총의 제조 방법.
12. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 박판부의 임의의 위치에 1개 이상의 전자 빔 투과공을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 전자총의 제조 방법.
13. 제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,

    상기 박판부의 중앙부 이외의 위치에 1개 이상의 전자 빔 투과공을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 전자총의 제조 방법.