KR20010039848A - 기판의 처리방법 및 그 장치 - Google Patents

기판의 처리방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010039848A
KR20010039848A KR1020000050566A KR20000050566A KR20010039848A KR 20010039848 A KR20010039848 A KR 20010039848A KR 1020000050566 A KR1020000050566 A KR 1020000050566A KR 20000050566 A KR20000050566 A KR 20000050566A KR 20010039848 A KR20010039848 A KR 20010039848A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
hydrogen peroxide
sulfuric acid
treatment liquid
liquid
Prior art date
Application number
KR1020000050566A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100654698B1 (ko
Inventor
니시베유끼노부
이소아끼노리
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP27303199A external-priority patent/JP4475705B2/ja
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20010039848A publication Critical patent/KR20010039848A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100654698B1 publication Critical patent/KR100654698B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor
    • G03F7/422Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 기판의 처리방법 및 그 장치에 관한 것으로, 기판을 황산과 과산화수소수를 혼합한 제1처리액으로 처리하고, 제2처리액으로 세척 처리하는 경우, 기판을 제1처리액으로 처리한 다음, 황산의 공급을 정지하고 상기 제1처리액을 과산화수소수만으로 하여 공급한다. 그후, 제2처리액으로 기판을 세척처리함으로써 제2처리액이 황산과 반응하는 것을 방지할 수 있다.

Description

기판의 처리방법 및 그 장치{Method and Apparatus for Processing Substrate}
본 발명은 회전하는 기판에 처리액을 분사하여 처리하는 기판의 처리방법을 및 그 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 액정표시장치, 반도체장치 또는 이들의 제조에 사용하는 포토마스크의 제조공정에 있어서는 유리기판, 반도체 웨이퍼 또는 석영기판 등의 기판에 포토마스크를 사용하여 회로패턴을 형성하는 리쏘그라피 공정이 있다.
이러한 기판의 리쏘그라피 공정에 의하여 회전패턴을 형성함에 있어서는 이 기판에 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 이 레지스트 패턴을 마스크로 하여 기판을 에칭하는 공정과, 에칭후에 레지스트 패턴을 제거하는 공정과, 레지스트 패턴을 제거한 기판에 막을 형성하는 고정이 복수회 반복되어 수행된다.
기판이 액정표시장치나 반도체 장치의 제조에 사용된 포토마스크의 경우, 이 포토마스크의 제조공정에서는 패턴을 형성할 때 난용해성의 레지스트가 사용된다. 패턴을 난용해성의 레지스트를 사용하여 형성하면 이 패턴은 통상의 방법으로는 용이하게 박리 제거할 수 없는 경우가 있다. 이 때문에 레지스트 패턴을 제거하기 위하여 플라즈마 애싱(plasma ashing)이 이용된다
그러나, 플라즈마 애싱은 비용상승을 초래하거나 쓰루풋(through-put)이 악화하는 문제가 있다.
그래서, 플라즈마 애싱에 대체하여 상기 레지스트 패턴을 황산과 과산화수소수를 혼합한 혼합처리액을 사용하여 박리 제거하고, 이어서 기판에 순수를 공급하여 세척 처리하는 것이 알려져 있는데, 관련기술로는 일본 특개평6-29270호 공보 또는 일본 특개평6-291098호 공보에 개시된 것이 있다.
상기 혼합처리액에 의해 기판에서 레지스트 패턴을 박리 제거한 다음 이 기판을 순수로 세척할 때 순수가 기판에 잔류하는 황산과 용해반응을 일으키는 경우가 있다. 이 때문에, 이 용해반응에 의해 미스트의 발생이 초래되고 황산의 비산이 야기되는 문제가 있다.
이 발명은 기판을 제1처리액으로 처리한 후 제2처리액으로 처리하는 경우 제1처리액의 황산과 제2처리액의 세척액이 용해반응하는 것을 방지할 수 있는 기판의 처리방법 및 처리장치를 제공하고자 하는 것을 그 목적으로 한다.
도1은 본 발명의 제1실시예를 도시한 기판의 처리장치의 개략적 구성의 전체도,
도2는 노즐체에 처리액을 공급하는 배관계통도,
도3a는 노즐체의 분출공 부분의 확대단면도,
도3b는 도3a의 3B-3B선에 따른 단면도,
도4는 황산 과산화수소 및 순수의 공급 타이밍을 도시한 타임챠트,
도5는 본 발명의 제2실시예를 도시한 노즐체의 단면도,
도6은 본 발명의 제3실시예를 도시한 노즐체의 단면도이다.
이러한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일실시예의 기판의 처리방법은, 기판을 종류가 상이한 복수의 처리액으로 순차 처리하는 기판의 처리방법에 있어서, 황산과 과산화수소수를 혼합한 제1처리액으로 상기 기판을 처리하는 제1공정과, 상기 제1처리액에 의해 상기 기판의 처리가 종료한 후 상기 제1처리액을 과산화수소수만으로 하여 공급하는 제2공정과, 상기 제1처리액의 과산화수소수만을 소정시간 공급한 다음 상기 기판을 세척하기 위한 제2처리액을 공급하는 제3공정을 포함한다.
본 발명의 바람직한 일실시예의 기판의 처리장치는, 기판을 종류가 상이한 복수의 처리액으로 순차 처리하는 기판의 처리장치에 있어서, 상기 기판을 유지하는 회전체와, 상기 회전체를 회전 구동하는 구동원과, 상기 회전체에 유지된 기판에 황산과 과산화수소수를 소정의 비율로 혼합한 제1처리액과 상기 기판을 세척하는 제2처리액을 공급하는 노즐체와, 상기 노즐체에 공급되는 황산과 과산화수소수 및 제2처리액을 선택하는 절환기구와, 상기 노즐체에 공급되는 제1처리액의 황산과 과산화수소수의 혼합비율을 조정하는 농도 조정기구와, 상기 절환기구에 의한 황산, 과산화수소수 및 제2처리액의 공급과, 상기 농도 조정기구에 의한 황산과 과산화수소수와의 혼합비율의 조정을 제어하는 제어장치를 포함한다.
(실시예)
이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
도1 내지 도4는 본 발명의 제1실시예를 도시한다. 도1은 기판의 처리장치를 나타내고, 이 처리장치는 컵체(1)를 구비하고 있다. 이 컵체(1)는 상면이 개방되고 바닥부를 가지는 형태의 하부컵(1a)과, 이 하부컵(1a)의 상단에 착탈 자유롭게 설치된 상부컵(1b)과, 이 상부컵(1b)의 내면측에 나사(2)에 의해 착탈 자유롭게 취부되는 중간컵(1c)으로 되어 있다.
상기 하부컵(1a)의 저부 중심부에는 통공(3)이 형성되어 있다. 이 통공(3)에는 회전축(4)이 삽입 관통되어 있다 이 회전축(4)의 상기 컵체(1)내에 돌출된 상단은 상기 컵체(1)내에 배치된 회전체(5)의 하면에 취부되어 있다. 이 회전치(5)의 상면에는 액정 표시장치에 사용되는 유리기판 등의 기판(6)이 지지되어 있다. 상기 회전체(5)에는, 기판(6)의 하면을 지지하는 복수의 지지핀(7)과, 상기 기판(6)의 외주면에 걸어 맞춤되는 복수의 걸어맞춤핀(8)이 구비되어 있다.
상기 통공(3)에서 하부컵(1a)의 외부로 돌출된 상기 회전축(4)의 하부는 제1모터(9)의 회전축(9a)에 연결되어 있다. 따라서, 상기 제1모터(9)가 작동하면 상기 회전축(5)이 상기 기판(6)과 함께 회전 구동된다.
상기 제1모터(9)는 제1취부판(11)에 취부되어 있다. 이 제1취부판(11)은 제1실린더(12)에 의해 상하 구동된다. 상기 제1취부판(11)이 상승방향으로 구동되면, 상기 회전체(5)는 도1에 쇄선으로 도시한 바와 같이, 상기 컵체(1)의 상면으로부터 돌출하는 높이까지 상승한다. 그래서, 상기 회전체(5)에 대하여 기판(6)을 도시하지 않은 로봇 등에 의해 착탈 가능하게 된다.
상기 제1취부판(11)의 상면에는 지지체(13)가 설치되어 있다. 이 지지체(13)에는 상기 회전축(4)을 회전 자유롭게 지지하는 베어링(13a)이 구비된다. 상기 지지체(13)에는 지지각(14)이 설치되어 있다. 이 지지각(14)은 상기 통공(3)으로부터 상기 하부컵(1a)내에 돌출되어, 그 사단에는 상기 통공(3)을 커버하는 커버(15)가 취부되어 있다. 이 커버(15)는 상기 회전체(5)의 상하 움직임에 따라 연동한다. 따라서, 상기 회전체(5)가 상승한 때에도, 상기 커버(15)는 상기 통공(3)을 커버하고 있다.
상기 커버(15)는 직경방향 중심에서 주변부로 향하여 내리막으로 경사진 경사면으로 형성된다. 따라서, 상기 커버(15)의 상면에 적하된 처리액은 그 경사면을 따라 흘러서 하부컵(1a)으로 적하한다. 하부컵(1a)의 저부 주변부에는 복수의 배출관(16)이 접속되어 있어 하부컵(1a)에 적하된 처리액을 배출할 수 있다. 또한, 상기 배출관(16)에는 도시하지 않은 흡인펌프가 접속되어 있다.
상기 회전체(5)의 상방에는 이 회전체(5)에 지지되는 기판(6)에 처리액을 분사하는 노즐체(31)가 배치되어 있다. 이 노즐체(31)는 요동기구(32)에 의해 상기 기판(6)의 직경방을 따라 요동 구동된다. 이 요동기구(32)는 원통상의 수평암(33)을 가지고, 이 수평암(33)의 선단부(33a)에 상기 노즐체(31)가 설치된다.
상기 수평암(33)의 기단부(33b)에는 연결부재(35)가 설치된다. 이 연결부재 (35)에는 수직 방향으로 신장되고 구동축으로 작용하는 중공상의 스플라인축(34)의 상단이 연결되어 있다. 상기 스플라인축(34)은 제2지지판(36)에 형성된 통공(37)으로 통하여 있다 이 스플라인축(34)의 하단부는 베어링(39)에 회전 자유롭게 지지되어 있다. 이 베어링(39)은 크랭크 형상의 취부판(38)의 일단부에 설치되어 있다.
상기 제2지지판(36)에는 제2실린더(41)가 취부되어 있다. 제2실린더(41)의 로드(41a)는 상기 취부판(38)의 타단부에 연결된다. 따라서, 상기 제2실린더(41)의 로드(41a)가 몰입 방향으로 구동되면 상기 취부판(38)을 개재하여 상기 스플라인축 (34)이 상승 구동된다.
상기 스플라인축(34)의 중도부에는 종동풀리(42)가 이 스플라인축(34)에 대하여 슬라이드 가능하고, 스플라인축(34)과 일체적으로 회전하도록 설치되어 있다. 상기 제2지지판(36)에는 제2모터(43)가 설치되어 있다. 이 제2모터(43)의 회전축 (43a)에는 구동풀리(44) 결착되어 있다. 이 구동풀리(44)와 상기 종동풀리(42)와의 사이에는 타이밍 벨트(45)가 설치된다. 따라서, 상기 제2모터(43)가 작동하면, 상기 스플라인축(34)이 회전하게 된다.
스플라인축(34)이 회전 구동되면, 이 회전으로 수평암(33)이 연동하므로 이 수평암(33)의 선단부(33a)에 설치된 노즐체(31)가 회전체(5)에 지지된 기판(6)의 직경방향을 따라 이동한다. 즉, 수평암(33)은 상기 제2모터(43)에 의해 소정의 범위의 각도로 왕복 구동된다.
또한, 상기 종동풀리(42)는 도시하지 않은 유지부재에 의해 회전이 저지되지 않은 상태에서도 상하 방향의 이동이 제한된다. 따라서 상기 스플라인축(34)이 상기 제2실린더(41)에 의해 상하 방향으로 구동되어도, 상기 종동풀리(42)는 스플라인축(34)과 함께 상하 방향으로 이동하지 않게 된다.
상기 노즐체(31)는, 도2에 도시된 바와 같이, 본체(51)를 가진다, 이 본체 (51)에는 혼합실(52) 및 이 혼합실(52)에 일단을 연통시키고 타단을 본체(51)의 선단면으로 개구시킨 분출공(53)이 형성되어 있다.
상기 혼합실(52)에는 제1공급관(54), 제2공급관(55) 및 제3공급관(56)이 접속되어 있다. 제1공급관(54)으로부터 상기 혼합실(52)로 황산(H2SO4)이 공급되고, 제2공급관으로는 과산화수소수(H2O2)가 공급되도록 되어 있다. 황산과 과산화수소수는 상기 혼합실(52)에서 혼합되어 제1처리액이 된다. 상기 제3공급관으로는 제2처리액으로서 기판(6)을 세척 처리하는 순수가 공급된다.
제1처리액은 황산과 과산화수소수가 상기 혼합실(52)에서 혼합되어 용해열을 발생한다. 이 때문에, 제1처리액은 소정온도로 상승하여 노즐체(31)의 분출공(53)으로부터 기판(6)을 향하여 분출된다. 제1처리액의 온도는, 황산과 과산화수소수와의 혼합비율에 따라 변할 수 있다.
상기 제1처리액의 황산과 과산화수소수는, 노즐체(31)의 혼합실(52)에서 충분히 혼합되지 않고 분출공(53)에서 기판(6)을 분출할 염려가 있다. 이 경우에는 제1처리액의 온도가 충분히 상승하지 않아 기판(6)의 처리가 양호하고 원활하게 수행되지 않을 수도 있다.
그래서, 상기 노즐체(31)의 혼합실(52)로 공급되는 제1, 제2처리액은 이 노즐체(31)에 설치된 혼합기구(60)에 의해서 충분하게 혼합되어 상기 분출공(53)에서 기판(6)으로 분출되도록 되어 있다.
상기 혼합기구(60)는 도3a 및 도3b에 도시한 바와 같이, 상기 분출공(53)내에 설치된 2개의 장해부재(62a, 62b)를 가진다. 이 장해부재(62a, 62b)는 상기 분출공(53)의 단면형상의 절반보다 약간 큰 거의 반원형상을 하고 있고, 상기 분출공 (53)의 축방향으로 소정간격으로, 그리고 원주방향으로 거의 180°위치를 두고 설치되어 있다.
이것에 의해, 혼합실(52)에서 분출공(53)안으로 유입되는 제1, 제2처리액은 도3a에 화살표로 나타낸 바와 같이, 와류로 되므로 혼합실(52)에서 충분히 혼합되지 않아도 분출공(53)을 통과하는 것으로 충분하고 확실하게 혼합된다.
상기 제1공급관(54)의 중도부에는 제1개폐밸브(61)와 제1유량제어밸브(62)가 설치되어 있다. 그리고, 제3공급관(56)의 중도부에는 제3개폐밸브(65)가 설치되어 있다.
제1 내지 제3개폐밸브(61, 63, 65)는 제어장치(71)에 의해 개폐 제어되고, 제1, 제2유량제어밸브(62, 64)는 상기 제어장치(71)에 의하여 제어된다.
상기 제어장치(71)는, 기판(6)의 크기와 회전수에 의해 변화하는 상기 기판 (6)의 주변부의 주속도(peripheral speed)에 대응하여 상기 유량제어밸브(62, 64)의 개폐정도를 제어한다. 따라서, 노즐체(31)에서 기판(6)으로 분사되는 제1처리액의 분사량 및 황산과 과산화수소수의 혼합비율이 제어된다.
상기 기판(6)의 회전수, 즉 상기 회전체(5)의 회전수는 상기 제1모터(9)에 설치된 회전수 검출센서(72)에 의해 검출되고 이 검출신호는 상기 제어장치에 입력된다.
상기 기판(6)의 중심부로 제1처리액을 공급하는 경우, 기판(6)의 회전수와 반경에 의해 정해지는 주변부의 주속도가 증가함에 따라, 중심부에 비하여 주변부의 온도저하가 크게 된다.
따라서, 회전수 검출센서(72)가 검출하는 기판(6)의 회전수의 변화, 즉 기판 (6)의 주변부의 주속도의 변화에 대응하여 기판(6)에 공급되는 제1처리액의 공급량을 조정하면, 기판(6)의 중심부분과 주변부분과의 온도차가 작게 되도록 제어가 가능하다.
제1처리액의 공급량의 조정은 제1유량제어밸브(62)와 제2유량제어밸브(64)에 의해 황산과 과산화수소수의 비율을 변화시키지 않고 전체 유량을 증대함으로써 가능하게 된다.
상기 노즐체(31)의 혼합실(52)에는 혼합 처리액의 온도를 검출하는 온도센서 (73)가 설치되어 있다. 이 온도센서(73)의 검출신호는 상기 제어장치(71)로 입력된다. 따라서, 제1, 제2유량제어밸브(62, 64)의 개폐정도가 제어되어 황산과 과산화수소수의 혼합비율을 변화시킴으로써 이것에 대응하여 제1처리액의 온도가 변화한다.
즉, 상기 기판(6)의 온도제어는, 상기 회전수 검출센서(72)의 검출시호와 상기 온도센서(73)의 검출신호를 기초로 하여 상기 제어장치(71)에 의해 수행될 수 있다.
상기 제1 내지 제43공급관(54, 55, 56)에 설치된 개폐밸브(61, 63, 65)는 상기 제어장치(71)에 의해 선택적으로 개폐 제어된다. 즉, 제1처리액을 공급할 때에는 제1개폐밸브(61)와 제2개폐밸브(63)가 개방되고, 제2처리액을 공급할 때에는 제3개폐밸브(65)가 개방되게 된다.
다음에 상기 구성의 처리장치에 의해 기판(6)에 형성된 난용해성의 레지스트 패턴이나 유기막 등을 제거하는 경우에 대하여 설명한다. 우선. 회전체(5)에 기판 (6)을 유지시킨 후 이 회전체(5)를 회전시킴과 동시에, 노즐체(31)를 기판(6)의 중심부분의 상방에 위치시킨다.
이 상태에서 제어장치(71)를 조작하여 기판(6)의 처리를 개시하면, 제1, 제2개폐밸브(61,63)가 개방됨과 동시에 제1, 제2유량제어밸브(612, 64)가 기판(6)의 회전수에 대응한 정도로 개방된다. 이것에 의하여, 상기 노즐체(31)의 혼합실(52)에는 제1공급관(54)과 제2공급관(55)으로부터 황산과 과산화수소수가 소정의 비율로 공급된다,
황산과 과산화수소수는 상기 혼합실(52)로 유입되어, 분출공(53)에 설치된 혼합기구(60)를 구성하는 2개의 장해부재(62a, 62b)에 충돌함으로써 와류로 되어 충분히 혼합되고 제1처리액으로 되어 분출공(53)에서 기판(6)의 중심부로 분사된다.
황산과 과산화수소수가 혼합된 제1처리액은 용해열을 발생하여 온도 상승하여 기판(6)의 중심부로부터 회전하는 기판(6)의 원심력으로 주변부로 흐른다. 이렇게 되어, 기판(6)에 형성된 레지스트 패턴이나 유기막 등은 분해 처리된다.
이러한 분해처리시에, 기판(6)은 제1처리액이 발생하는 용해열에 의해 소정의 온도로 가열되게 된다. 이 때문에 기판(6)에 형성된 레지스트 패턴 등의 분해처리가 촉진되고 처리효과가 상승될 수 있다. 즉, 제1처리액의 용해열을 이용하여 기판(6)을 처리하기 때문에 기판(6)이나 처리액을 고온으로 가열하지 않아도 되므로, 기판(6)의 가열처리를 용이하게 수행할 수 있다.
제1처리액은, 황산과 과산화수소수가 노즐체(31)에 형성된 혼합실(52)에서 혼합된 뿐 아니라, 분출공(53)에 설치된 혼합기구(60)의 2개의 장해부재(62a, 62b)에 의하여 와류로 되어 혼합된다.
따라서, 황산과 과산화수소수를 미리 혼합하지 않아도 되므로 장치전체의 구성을 간략화하는 것이 가능하다.
상기 노즐체(31)에 황산과 과산화수소수를 공급하는 제1, 제2공급관(54,55)에는 제1, 제2유량제어밸브(62,64)가 설치되고, 이 제1, 제2유량제어밸브(62, 64)는 기판(6)의 회전수(기판의 주변부의 주속도) 및 상기 혼합실(52)의 제1처리액의 온도에 대응하여 개폐가 제어된다.
즉, 기판(6)의 주변부의 주속도의 증감에 비례하여 제1처리액의 공급량이 제어되고, 혼합실(53)에서의 제1처리액의 온도에 대응하여 제1처리액의 황산의 비율이 제어된다.
따라서, 기판(6)은 소정온도의 제1처리액에 의하여 전제를 거의 균일한 온도로 가열하여 처리할 수 있으므로 그 처리를 확실하게 수행할 수 있다.
상기 노즐체(31)는 요동기구(32)의 수평암(33)에 설치되어 있다. 따라서, 수평암(33)을 기판(6)의 직경방향을 따라 왕복 운동시킴으로써 이 수평암(33)의 선단부(33a)에 설치된 노즐체(31)에서 제1처리액을 기판(6)으로 분출하는 것이 가능하다.
상기 수평암(33)을 구동하면, 상기 기판(6)은 노즐체(31)로부터 제1처리액을 전면에 걸쳐 균일하게 공급하는 것이 가능하므로 기판(6)의 판면 전체를 한층 더 균일하게 처리할 수 있다.
노즐체(31)를 기판(6)의 직경 방향을 따라 왕복동 시키는 경우, 기판(6)상에 있어서의 제1처리액의 온도는 기판(6)이 중심부분과 주변부분과의 주속도의 차에 따라 거의 변화하지 않는다. 따라서, 제어장치(71)는 온도센서(73)가 검출하는 혼합실(52)내의 제1처리액의 온도에 따라 황산과 과산화수소수와의 혼합비율만을 제어하면 충분하다.
또한, 제1처리액의 공급방법으로서는 연속적으로 공급하지 않고 소정량의 소정시간 단위로 공급하여도 좋다.
이러한 공급방법에 의하면, 최초에 공급된 제1처리액에 의해 분해 처리등의 반응이 충분히 진행된 후에 기판(6)에 새로운 제1처리액을 공급하는 것으로 되어 제1처리액의 사용효율이 향상되어 그 사용량을 저감하는 것이 가능하다.
도4는 황산, 과산화수소수 및 순수의 공급타이밍을 설명하는 것이다. 처리개시시 To시에는, 노즐체(31)에 황산과 과산화수소수가 공급된다. 제1처리액에 의해 처리가 시간 T1까지 행하여지면, 제1개폐밸브(61)를 폐쇄하여 황산의 공급을 정지하고, 과산화수소수만을 시간T2까지 공급한다.
이에 따라, 기판(6)에는 과산화수소수만이 공급되게 되므로 노즐체(31)내의 황산은 물론, 기판(6)이나 컵체(1)내에 부착 잔류하는 황산도 과산화수소수에 의해 저농도로 희석된다.
과산화수소수를 시간T2까지 공급한 후, 제2개폐밸브(63)를 폐쇄하여 제3공급관(56)에 설치된 제3개폐밸브(65)를 개방한다. 이렇게 하면, 노즐체(31)에는 세척액(순수)으로 이루어지는 제2처리액이 시간 T3까지 공급됨으로써, 이 제2처리에 의해 기판(6)이 세척 처리된다,
기판(7)을 제2처리액을 세척 처리할 때, 기판(6)이나 컵체(1)에 잔류하는 제1처리액의 황산은 상술한 바에 따라 과산화수소수에 의해 충분히 낮은 농도로 희석되어 있다.
따라서, 기판(6)이나 컵체(1)내에 잔류 부착하는 제1처리액에 제2처리액이 혼합되어도 제1처리액의 황산의 농도는 충분히 낮게 유지되어 있기 때문에 순수가 황산과 용해반응(화학반응)을 일으키는 일은 없다. 즉, 순수와 황산과의 용해반응에 의하여 미스트의 발생이나 황산의 비산 등을 초래하여 기판(6)을 오염시키는 것이 방지될 수 있다.
기판(6)을 제2처리액에 의해 소정시간 T3까지 세척 처리한 후 제2처리액의 공급을 정지하고 기판(6)을 고속으로 회전시킨다. 그러면, 이 기판에 부착된 세척액을 제거하는 건조처리가 행해지므로 기판(6)의 일련의 처리가 종료한다.
또한, 도4에 파선으로 나타낸 바와 같이, 제1유량제어밸브(62)나 제2유량제어밸브(64)에서 황산과 과산화수소수와의 공급정지를 서서히 행하도록 하여도 좋다.
상기 제1실시예에서는, 기판으로서 유리기판을 사용하였지만 반도체 웨이퍼나 포토마스크용 기판 등이어도 무방하고, 중요한 것은 레지스트나 유기막 등을 분해 제거할 필요가 있는 것이면 좋다.
또한, 처리액의 혼합수단은 분출공(53)에 2개의 장해부재(62a, 62b)를 설치한 구성이지만, 도5에 도시한 제2실시예에 의거, 혼합실(52)에 2개의 거의 반원형상의 장해부재(62a, 62b)를 원주방향으로 180°떨어져서 설치되어도 무방하다.
도6은 본 발명의 제3실시예로서 이 실시예에서는 노즐체(31)를 혼합실(52)이 형성된 본체부(51)와, 분출공(53)을 형성하는 노즐구체(75)로 분할하고 이 노즐구체(75)를 상기 본체부(51)에 액밀하게 접속함으로써 노즐체(31)로 하였다.
그리고, 2종류의 처리액을 혼합하는 혼합기구(60)는, 상기 노즐구체(75)에 상기 제1실시예와 마찬가지로 2개의 반원형상의 장해부재(62a, 62b)를 설치한 것으로 형성하였다.
이에 따라, 노즐체(31)를 본체부(51)와, 노즐구체(75)로 분할하면, 상기 노즐구체(75)에 장해부재(62a, 62b)를 설치하기가 용이하다. 또, 장해부재(62a, 62b)는 노즐구체(75)와 일체로 형성하여도 좋고, 별도의 부재를 노즐구체(75)내에 설치하여도 좋다.
상기 제3실시예에 있어, 도시하지는 않았지만, 자해부재(62a, 62b)를 본체부 (51)의 혼합실(52)내에 설치하여 좋다, 즉, 장해부재(62a, 62b)는 처리액의 유로에 있으면 어디에 설치되어 무방하다.
상기 제1 내지 제3실시예에 있어서, 혼합기구(60)의 장해부재(62a, 62b)의 형상이나 개수는 특별히 한정되지 않으며, 중요한 것은 혼합실(52)에 공급된 복수의 처리액을 충분히 혼합할 수 있는 것이면 좋다.
본 발명에 따르면, 기판을 황산과 과산화수소수를 혼합한 제1처리액으로 처리하고, 제2처리액으로 세척 처리하는 경우, 기판을 제1처리액으로 처리한 다음, 황산의 공급을 정지하고 상기 제1처리액을 과산화수소수만으로 하여 공급한다. 그 후, 제2처리액으로 기판을 세척처리함으로써 제2처리액이 황산과 반응하는 것을 방지할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판을 종류가 상이한 복수의 처리액으로 순차 처리하는 기판의 처리방법에 있어서,
    황산과 과산화수소수를 혼합한 제1처리액으로 상기 기판을 처리하는 제1공정과,
    상기 제1처리액에 의해 상기 기판의 처리가 종료한 후 상기 제1처리액을 과산화수소수만으로 하여 공급하는 제2공정과,
    상기 제1처리액의 과산화수소수만을 소정시간 공급한 다음 상기 기판을 세척하기 위한 제2처리액을 공급하는 제3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리방법
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은, 상기 기판의 중심부와 주변부에서 발생하는 온도차에 대응하여 상기 제1처리액의 황산과 과산화수소수의 혼합비율 또는 제1처리액의 공급량의 적어도 어느 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1공정은, 제1처리액의 온도를 검출하고 이 온도에 대응하여 황산과 과산화수소수의 혼합비율 또는 제1처리액의 공급량의 적어도 어느 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리방법.
  4. 기판을 종류가 상이한 복수의 처리액으로 순차 처리하는 기판의 처리장치에 있어서,
    상기 기판을 유지하는 회전체와,
    상기 회전체를 회전 구동하는 구동원과,
    상기 회전체에 유지된 기판에 황산과 과산화수소수를 소정의 비율로 혼합한 제1처리액과 상기 기판을 세척하는 제2처리액을 공급하는 노즐체와,
    상기 노즐체에 공급되는 황산과 과산화수소수 및 제2처리액을 선택하는 절환기구와,
    상기 노즐체에 공급되는 제1처리액의 황산과 과산화수소수의 혼합비율을 조정하는 농도 조정기구와,
    상기 절환기구에 의한 황산, 과산화수소수 및 제2처리액의 공급과,
    상기 농도 조정기구에 의한 황산과 과산화수소수와의 혼합비율의 조정을 제어하는 제어장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 노즐체에는 상기 황산을 공급하는 제 1 공급관과, 상기 과산화수소수를 공급하는 제 2 공급관과, 상기 제 2 처리액을 공급하는 제 3 공급관이 각각 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 절환기구는 상기 제 1 내지 제 3 공급관에 각각 설치되어 있는 개폐밸브인 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 농도 조정기구는 상기 제 1 공급관과 제 2 공급관에 각각 설치된 유량 조정밸브인 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 노즐체에는 상기 제 1 처리액의 온도를 검출하는 온도센서가 설치되고,
    상기 제어장치는 상기 온도센서가 검출한 상기 제 1 처리액의 온도에 대응하여 상기 농도조정기구를 제어하여 상기 제 1 처리액의 황산과 과산화수소수의 농도를 조정하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  9. 제 4 항에 있어서,
    상기 회전체의 회전수를 검출하는 회전수검출센서가 설치되고,
    상기 제어장치는 상기 회전수 검출센서가 검출한 상기 회전수에 대응하여 상기 농도저정기구를 제어하여 상기 제 1 처리액의 황산과 과산화수소수의 혼합비율을 조정하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  10. 제 4항에 있어서,
    상기 노즐체에는 이 노즐체에 공급되는 상기 제 1 처리액의 황산과 과산화수소수를 혼합하는 혼합기구가 설치된 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 노즐체는,
    상기 황산과 과산화수소수가 유입하는 혼합실과, 이 혼합실로 유입하는 황산과 과산화수소수를 분출하는 분출공을 가지며,
    상기 혼합기구는 상기 분출공에 설치된 상기 황산과 과산화수소수의 흐름을 와류로하는 장해부재인 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
  12. 제 4 항에 있어서,
    상기 회전체의 상방에는 선단부와 기단부를 가지는 아암체가 설치되고, 상기 선단부에는 상기 노즐체가 설치되며, 상기 기단부에는 상기 아암체를 소정의 범위내의 각도로 회전구동하는 구동기구가 설치되어 있고,
    상기 노츨체는 상기 아암체의 회전구동에 의해 상기 회전체에 유지된 상기 기판의 직경방향을 따라 구동되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리장치.
KR1020000050566A 1999-08-25 2000-08-25 기판의 처리방법 및 그 장치 KR100654698B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23849399 1999-08-25
JP11-238493 1999-08-25
JP27303199A JP4475705B2 (ja) 1999-09-27 1999-09-27 基板の処理方法及びその装置
JP11-273031 1999-09-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010039848A true KR20010039848A (ko) 2001-05-15
KR100654698B1 KR100654698B1 (ko) 2006-12-07

Family

ID=26533722

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000050566A KR100654698B1 (ko) 1999-08-25 2000-08-25 기판의 처리방법 및 그 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US6299697B1 (ko)
KR (1) KR100654698B1 (ko)
TW (1) TW492049B (ko)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9668954B2 (en) 2014-05-16 2017-06-06 Liqwd, Inc. Keratin treatment formulations and methods
US9713583B1 (en) 2016-07-12 2017-07-25 Liqwd, Inc. Methods and formulations for curling hair
US9717668B2 (en) 2015-04-24 2017-08-01 Liqwd, Inc. Methods for treating relaxed hair
US9855447B2 (en) 2013-08-01 2018-01-02 Liqwd, Inc. Methods for fixing hair and skin
US9872821B1 (en) 2016-07-12 2018-01-23 Liqwd, Inc. Methods and formulations for curling hair
US9974725B1 (en) 2017-05-24 2018-05-22 L'oreal Methods for treating chemically relaxed hair
US10058494B2 (en) 2015-11-24 2018-08-28 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US10231915B2 (en) 2015-05-01 2019-03-19 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US10441518B2 (en) 2015-11-24 2019-10-15 L'oreal Compositions for treating the hair
US11135150B2 (en) 2016-11-21 2021-10-05 L'oreal Compositions and methods for improving the quality of chemically treated hair
US11213470B2 (en) 2015-11-24 2022-01-04 L'oreal Compositions for treating the hair
US11419809B2 (en) 2019-06-27 2022-08-23 L'oreal Hair treatment compositions and methods for treating hair
US11559474B2 (en) 2016-11-02 2023-01-24 L'oreal Hair lightening compositions and methods of use
US11596588B2 (en) 2017-12-29 2023-03-07 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US11975092B2 (en) 2018-10-31 2024-05-07 L'oreal Hair treatment compositions, methods, and kits for treating hair

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3395696B2 (ja) 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP2001308086A (ja) * 2000-04-18 2001-11-02 Nec Corp 膜形成方法
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
DE50004935D1 (de) * 2000-10-31 2004-02-05 Sez Ag Villach Vorrichtung zur Flüssigkeitsbehandlung von scheibenförmigen Gegenständen
US7475698B2 (en) * 2005-04-22 2009-01-13 Steelkor, L.L.C. Kitchenware washers and methods of manufacturing the same
US7578305B2 (en) * 2001-02-15 2009-08-25 Steelkor, L.L.C. Kitchenware washers and related methods
US7527062B2 (en) * 2001-02-15 2009-05-05 Steelkor, L.L.C. Kitchenware washers and methods of manufacturing the same
US7763119B2 (en) * 2005-04-22 2010-07-27 Steelkor, L.L.C. Kitchenware washers and methods of manufacturing the same
US6659114B2 (en) * 2001-02-15 2003-12-09 X-Stream Technologies Ii, Llc Automated kitchenware washer
JP4083682B2 (ja) * 2001-09-03 2008-04-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US6770565B2 (en) * 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
JP4074814B2 (ja) * 2002-01-30 2008-04-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20040000322A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Point-of-use mixing with H2SO4 and H2O2 on top of a horizontally spinning wafer
JP4002154B2 (ja) * 2002-08-13 2007-10-31 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示素子の製造方法およびその装置
AU2005272779B2 (en) * 2004-08-13 2010-06-10 Citrix Systems, Inc. A method for maintaining transaction integrity across multiple remote access servers
US9265400B2 (en) 2005-04-22 2016-02-23 Duke Manufacturing Co. Commercial kitchenware washers and related methods
JP2008536635A (ja) * 2005-04-22 2008-09-11 スティールコー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 業務用食器洗浄機及びそれに関連する方法
JP2008058591A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Toshiba Corp 基板処理方法および電子デバイスの製造方法
JP4863897B2 (ja) * 2007-01-31 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム
KR101665036B1 (ko) * 2010-04-27 2016-10-24 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 기판 표면 근방의 유체 혼합을 제어하는 마이크로전자 기판의 습식 처리
JP5460633B2 (ja) 2010-05-17 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録した記録媒体
JP6232212B2 (ja) * 2012-08-09 2017-11-15 芝浦メカトロニクス株式会社 洗浄液生成装置及び基板洗浄装置
US10464107B2 (en) * 2013-10-24 2019-11-05 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
US9799505B2 (en) * 2014-09-24 2017-10-24 Infineon Technologies Ag Method and a processing device for processing at least one carrier
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN105214973A (zh) * 2015-11-09 2016-01-06 綦江齿轮达亨科技开发公司 设有螺旋式清洗刷的变速箱清洗系统
JP6808423B2 (ja) * 2016-09-28 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液供給方法
US11826451B2 (en) 2019-12-31 2023-11-28 L'oreal Compositions for treating hair

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0629270A (ja) 1992-07-10 1994-02-04 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体基板洗浄方法
JP3277404B2 (ja) * 1993-03-31 2002-04-22 ソニー株式会社 基板洗浄方法及び基板洗浄装置
US5656097A (en) * 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5853491A (en) * 1994-06-27 1998-12-29 Siemens Aktiengesellschaft Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing
US5637151A (en) * 1994-06-27 1997-06-10 Siemens Components, Inc. Method for reducing metal contamination of silicon wafers during semiconductor manufacturing
JPH08264500A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Sony Corp 基板の洗浄方法
KR100238234B1 (ko) * 1997-03-20 2000-01-15 윤종용 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법
JPH11114510A (ja) * 1997-10-17 1999-04-27 Tadahiro Omi 温純水を用いた物品の洗浄方法
US6013156A (en) * 1998-03-03 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Bubble monitor for semiconductor manufacturing
JPH11291098A (ja) 1998-04-10 1999-10-26 Kansai Tube Kk 横型プレス機械
KR100292075B1 (ko) * 1998-12-29 2001-07-12 윤종용 반도체소자제조용웨이퍼처리장치
US6261845B1 (en) * 1999-02-25 2001-07-17 Cfmt, Inc. Methods and systems for determining chemical concentrations and controlling the processing of semiconductor substrates

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10639505B2 (en) 2013-08-01 2020-05-05 Olaplex, Inc. Methods for fixing hair and skin
US11446525B2 (en) 2013-08-01 2022-09-20 Olaplex, Inc. Methods for fixing hair and skin
US9855447B2 (en) 2013-08-01 2018-01-02 Liqwd, Inc. Methods for fixing hair and skin
US9668954B2 (en) 2014-05-16 2017-06-06 Liqwd, Inc. Keratin treatment formulations and methods
EP3142637B1 (en) 2014-05-16 2020-07-29 Olaplex, Inc. Keratin treatment formulations and methods
US10076478B2 (en) 2014-05-16 2018-09-18 Liqwd, Inc. Keratin treatment formulations and methods
US9717668B2 (en) 2015-04-24 2017-08-01 Liqwd, Inc. Methods for treating relaxed hair
US11191707B2 (en) 2015-04-24 2021-12-07 Olaplex, Inc. Methods for treating relaxed hair
US10231915B2 (en) 2015-05-01 2019-03-19 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US11213470B2 (en) 2015-11-24 2022-01-04 L'oreal Compositions for treating the hair
US11191706B2 (en) 2015-11-24 2021-12-07 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US10058494B2 (en) 2015-11-24 2018-08-28 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US10441518B2 (en) 2015-11-24 2019-10-15 L'oreal Compositions for treating the hair
US10828244B2 (en) 2015-11-24 2020-11-10 L'oreal Compositions for treating the hair
US11083675B2 (en) 2015-11-24 2021-08-10 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US10792233B2 (en) 2016-07-12 2020-10-06 Olaplex, Inc. Methods and formulations for curling hair
US9872821B1 (en) 2016-07-12 2018-01-23 Liqwd, Inc. Methods and formulations for curling hair
US9713583B1 (en) 2016-07-12 2017-07-25 Liqwd, Inc. Methods and formulations for curling hair
US11559474B2 (en) 2016-11-02 2023-01-24 L'oreal Hair lightening compositions and methods of use
US11135150B2 (en) 2016-11-21 2021-10-05 L'oreal Compositions and methods for improving the quality of chemically treated hair
US9974725B1 (en) 2017-05-24 2018-05-22 L'oreal Methods for treating chemically relaxed hair
US11433011B2 (en) 2017-05-24 2022-09-06 L'oreal Methods for treating chemically relaxed hair
US11596588B2 (en) 2017-12-29 2023-03-07 L'oreal Compositions for altering the color of hair
US11975092B2 (en) 2018-10-31 2024-05-07 L'oreal Hair treatment compositions, methods, and kits for treating hair
US11419809B2 (en) 2019-06-27 2022-08-23 L'oreal Hair treatment compositions and methods for treating hair

Also Published As

Publication number Publication date
US20010052354A1 (en) 2001-12-20
TW492049B (en) 2002-06-21
US6299697B1 (en) 2001-10-09
KR100654698B1 (ko) 2006-12-07
US6363950B2 (en) 2002-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100654698B1 (ko) 기판의 처리방법 및 그 장치
KR100706666B1 (ko) 기판을 처리하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는분사헤드
KR100935280B1 (ko) 처리액 공급노즐 및 처리액 공급장치
KR100879690B1 (ko) 현상장치 및 현상방법
JP5123122B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
JP5284004B2 (ja) 基板の処理装置
JPH09257367A (ja) 基板乾燥装置
JP3739220B2 (ja) 基板処理方法及びその装置
KR101060686B1 (ko) 세척 효율이 향상된 기판 세정 장치
JP5512508B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP4357943B2 (ja) 基板処理法及び基板処理装置
JP2002151455A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
KR20110085388A (ko) 노즐 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 및 그 방법
JP2001129495A (ja) 基板の処理方法及びその装置
JP4475705B2 (ja) 基板の処理方法及びその装置
JP2010239013A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2004535071A (ja) フラットメディアキャリアから汚染物質を除去する方法、フラットメディアキャリア洗浄装置、メディアキャリア洗浄装置、およびボックス洗浄システム
KR100897547B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2003197597A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP3686011B2 (ja) 基板処理装置
JP2000185264A (ja) 基板処理装置
JP4364659B2 (ja) スピン処理装置及びスピン処理方法
JP4350989B2 (ja) 基板の処理装置及び処理方法
KR101395251B1 (ko) 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비
JP4357182B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121114

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151030

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161028

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171027

Year of fee payment: 12