JP2001129495A

JP2001129495A - 基板の処理方法及びその装置

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Publication number: JP2001129495A
Application number: JP2000046277A
Authority: JP
Inventors: Yukinobu Nishibe; 幸伸西部; Akinori Iso; 明典磯
Original assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Current assignee: Shibaura Mechatronics Corp
Priority date: 1999-08-25
Filing date: 2000-02-23
Publication date: 2001-05-15

Abstract

(57)【要約】【課題】この発明は複数の処理液を混合して基板を処
理する場合に、処理効率の向上を図ることができるよう
にした基板の処理方法を提供することにある。【解決手段】処理液を回転される基板６に向けて噴射
して処理する基板の処理方法において、混合されること
で溶解熱を発生する複数の処理液を上記基板に向けて噴
射する直前で混合することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は回転される基板に
処理液を噴射して処理する基板の処理方法及び処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、液晶表示装置や半導体装置の
製造工程においては、ガラス基板や半導体ウエハなどの
基板にフォトマスクを用いて回路パターンを形成するた
めのリソグラフィ工程がある。

【０００３】上記基板にリソグラフィ工程によって回路
パターンを形成するには、その基板にレジストパターン
を形成する工程と、このレジストパターンによって基板
をエッチングする工程と、エッチング後にレジストパタ
ーンを除去する工程と、レジストパターンを除去した基
板に成膜する工程とが複数回にわたって繰り返して行わ
れる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近では難
溶解性のレジストが用いられるようになってきており、
そのようなレジストを用いて形成されたパターンは通常
の方法では容易に剥離除去することができないというこ
とがあるため、難溶解性のレジストパターンを除去する
ためにプラズマアッシングが用いられている。

【０００５】しかしながら、プラズマアッシングはコス
トアップを招いたり、スループットに劣るなどのことが
ある。

【０００６】そこで、プラズマアッシングに代わって上
記レジストパターンをそれぞれ処理液である硫酸と過酸
化水素水とを混合した混合処理液を用いて分解除去する
ということが考えられている。

【０００７】その場合、基板を回転駆動される回転体に
保持し、この回転体によって回転される基板に向けて上
記混合処理液を噴射することで、基板に設けられたレジ
ストパターンを分解除去するということが行われる。

【０００８】上記混合処理液を用いてレジストパターン
を分解除去する場合、基板温度を高くしたり、処理液の
温度を高くすることで、処理効果を向上させることがで
きるということが知られている。

【０００９】しかしながら、混合処理液を用いるために
は、予め複数の処理液を混合して貯えておかなければな
らないから、その作業に手間が掛かったり、設備にコス
トが掛かるということがある。

【００１０】しかも、基板や処理液を予め所定の温度に
加熱しておかなければならないから、その作業や設備も
必要になるということがあり、そのことによっても生産
性の低下やコストアップを招くということがある。

【００１１】この発明は、複数の処理液を予め混合した
り、基板や処理液を予め所定の温度に加熱することな
く、上記基板を混合された複数の処理液で処理すること
ができ、しかも処理時の温度を所定の温度に上昇させる
ことができるようにした基板の処理方法及び処理装置を
提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、処理
液を回転される基板に向けて噴射してこの基板を処理す
る基板の処理方法において、混合されることで溶解熱を
発生する複数の処理液を上記基板に向けて噴射する直前
で混合することを特徴とする基板の処理方法にある。

【００１３】請求項２の発明は、上記複数の処理液は、
硫酸と過酸化水素水であることを特徴とする請求項１記
載の基板の処理方法にある。

【００１４】請求項３の発明は、上記処理液の噴射量
を、上記基板の回転数と大きさに応じて制御することを
特徴とする請求項１記載の基板の処理方法にある。

【００１５】請求項４の発明は、処理液を回転される基
板に向けて噴射してこの基板を処理する基板の処理装置
において、上記基板を保持して回転駆動される回転体
と、混合室及びこの混合室に連通する噴射孔を有し上記
回転体に保持される基板に対向して配置されるノズル体
と、このノズル体の混合室に接続され混合されることで
溶解熱を発生する複数の処理液を上記混合室に別々に供
給する複数の供給管とを具備したことを特徴とする基板
の処理装置にある。

【００１６】請求項５の発明は、上記処理液の流路に
は、複数の処理液を混合する混合手段が設けられている
ことを特徴とする請求項４記載の基板の処理装置にあ
る。

【００１７】請求項６の発明は、上記混合手段は、処理
液の流れを渦流にする障害部材を有することを特徴とす
る請求項５記載の基板の処理装置にある。

【００１８】請求項１と請求項２の発明によれば、混合
されることで溶解熱を発生する複数の処理液を基板に向
けて噴射する直前で混合するようにしたことで、複数の
処理液を予め混合せずにすみ、しかも溶解熱によって基
板を所定の温度で効率よく処理することが可能となる。

【００１９】請求項３の発明によれば、基板の回転数と
大きさによって基板の中心部分と周辺部分とで周速度に
差が生じ、その差によって温度にも差が生じるから、そ
の温度差を小さくできる量の処理液を噴射することで、
基板全体をほぼ同じ温度で処理することが可能となる。

【００２０】請求項４の発明によれば、処理液を基板に
向けて噴射するノズル体に、複数の処理液を混合するた
めの混合室を形成したから、この混合室で複数の処理液
を混合して噴射することができる。

【００２１】請求項５と請求項６の発明によれば、処理
液の流路に設けられた混合手段によって複数の処理液を
確実に混合することができるため、処理液による処理を
効率よく、かつ確実に行うことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面を参照して説明する。

【００２３】図１乃至図３はこの発明の第１の実施の形
態で、図１は基板の処理装置を示し、この処理装置はカ
ップ体１を備えている。このカップ体１は、上面が開放
した有底状の下カップ１ａと、この下カップ１ａの上端
に着脱自在に保持された上カップ１ｂと、この上カップ
１ｂの内面側にねじ２によって着脱自在に取付けられた
中カップ１ｃとからなる。

【００２４】上記下カップ１ａの底部中心部には通孔３
が形成されている。この通孔３には回転軸４が挿通され
ている。この回転軸４の上記カップ体１内に突出した上
端は上記カップ体１内に配置された回転体５の下面に取
付けられている。この回転体５の上面には液晶表示装置
に用いられるガラス基板などの基板６の下面を支持する
複数の支持ピン７と、上記基板６の外周面に係合する複
数の係合ピン８とが設けられている。

【００２５】上記通孔３から下カップ１ａの外部に突出
した上記回転軸４の下端部は第１のモータ９の回転軸９
ａに連結されている。したがって、上記第１のモータ９
が作動すれば、上記回転体５が上記基板６とともに回転
駆動されるようになっている。

【００２６】上記第１のモータ９は第１の取付板１１に
取付けられている。この第１の取付板１１は第１のシリ
ンダ１２によって上下駆動されるようになっている。上
記第１の取付板１１が上昇方向に駆動されれば、上記回
転体５が図１に鎖線で示すように一体的に上昇する。そ
れによって、上記回転体５に対して基板６を図示せぬロ
ボットなどによって着脱できる。

【００２７】上記第１の取付板１１の上面には、上記回
転軸４を軸受１３ａを介して回転自在に支持した支持体
１３が設けられている。この支持体１３には支持脚１４
が立設されている。この支持脚１４は上記通孔３から上
記下カップ１ａ内に突出し、その上端には上記通孔３を
覆うカバー１５が取付けられている。このカバー１５は
上記回転体５の上下動に連動する。したがって、上記回
転体５が上昇したときでも、上記カバー１５は上記通孔
３を覆っている。

【００２８】上記カバー１５は径方向中心から周辺部に
向かって低く傾斜した傾斜面に形成されている。したが
って、上記カバー１５の上面に滴下した洗浄液はその傾
斜面に沿って流れて下カップ１ａに滴下する。下カップ
１ａの底部周辺部には複数の排出管１６が接続されてい
て、下カップ１ａに滴下した洗浄液を排出するようにな
っている。

【００２９】上記回転体１１に保持される基板６の上面
側には、この基板６の上面に処理液を噴射するノズル体
３１が配置されている。このノズル体３１は揺動機構３
２によって上記基板６の径方向に沿って揺動駆動される
ようになっている。この揺動機構３２は円筒状の水平ア
ーム３３を有し、この水平アーム３３の先端部に上記ノ
ズル体３１が設けられている。

【００３０】上記水平アーム３３の基端部には軸線を垂
直にした駆動軸としての中空状のスプライン軸３４の上
端が連結部材３５を介して連結されている。上記スプラ
イン軸３４の下端部は第２の支持板３６に形成された通
孔３７を通され、取付板３８の一端部に設けられた軸受
３９に回転自在に支持されている。

【００３１】上記取付板３８はクランク状に形成されて
いて、その他端部には上記第２の支持板３６に取付けら
れた第２のシリンダ４１のロッド４１ａが連結されてい
る。したがって、上記第２のシリンダ４１のロッド４１
ａが没入方向に駆動されれば、上記取付板３８を介して
上記スプライン軸３４が上昇駆動されることになる。

【００３２】上記スプライン軸３４の中途部には従動プ
ーリ４２が上下動自在かつスプライン軸３４と一体的に
回転するように設けられている。上記第２の支持板３６
には第２のモータ４３が設けられ、その回転軸４３ａに
は駆動プーリ４４が嵌着されている。この駆動プーリ４
４と上記従動プーリ４２との間にはタイミングベルト４
５が張設されている。したがって、上記第２のモータ４
３が作動すれば、上記スプライン軸３４が回転されるよ
うになっている。

【００３３】スプライン軸３４が回転されれば、その回
転に水平アーム３３が連動するから、この水平アーム３
３の先端部に設けられたノズル体３１が回転体５に保持
された基板６の径方向に沿って移動するようになってい
る。つまり、水平アーム３３は揺動することになる。

【００３４】上記ノズル体３１は、図２に示すように本
体５１を有する。この本体５１には混合室５２及びこの
混合室５２に一端を連通させ、他端を本体５１の先端面
に開口させた噴射孔５３が形成されている。

【００３５】上記混合室５２には第１の供給管５４と第
２の供給管５５とが接続されている。第１の供給管５４
からは上記混合室５２に第１の処理液が供給され、第２
の供給管５５からは第２の処理液が供給されるようにな
っている。第１の処理液としてはたとえば硫酸（Ｈ_２Ｓ
Ｏ_４）が用いられ、第２の処理液としてはたとえば過酸
化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）が用いられる。

【００３６】上記第１の処理液と第２の処理液は上記混
合室５２で混合して混合処理液となる。第１、第２の処
理液が混合処理液となると溶解熱を発生する。そのた
め、混合処理液は所定温度に温度上昇してノズル体３１
の噴射孔５３から基板６に向けて噴射することになる。

【００３７】上記第１、第２の処理液は、ノズル体３１
の混合室５２で十分に混合されずに噴射孔５３から基板
６に向けて噴射する虞がある。そのような場合，混合処
理液の温度が十分に上昇せず、それによって基板６の処
理が良好かつ円滑に行われなくなることがある。

【００３８】そこで、上記ノズル体３１の混合室５２に
供給された第１、第２の処理液は、このノズル体３１に
設けられた混合手段６１によって十分に混合されてから
上記噴射孔５３から基板６に向けて噴射されるようにな
っている。

【００３９】上記混合手段６１は、図３（ａ），（ｂ）
に示すように上記噴射孔５３内に設けられた２枚の障害
部材６２ａ，６２ｂを有する。この障害部材６２ａ，６
２ｂは、上記噴射孔５３の断面形状の半分よりもわずか
に大きなほぼ半円形状をなしていて、上記噴射孔５３の
軸方向に所定間隔で、しかも周方向にほぼ１８０度位置
をずらして設けられている。

【００４０】それによって、混合室５２から噴射孔５３
内へ流入した第１、第２の処理液は、図３（ａ）、
（ｂ）に示すように上記噴射孔５３に障害部材６２が設
けられていることで、同図に矢印で示すように渦流とな
るから、混合室５２で十分に混合されなくても、噴射孔
５３を通過することで十分かつ確実に混合されることに
なる。

【００４１】上記第１の供給管５４と第２の供給管５と
の中途部にはそれぞれ流量制御弁５６，５７が設けられ
ている。これらの流量制御弁５６，５７は制御装置５８
によって開度が制御されるようになっている。

【００４２】つまり、上記制御装置５８は、基板６の大
きさと回転数とによって変化する、上記基板６の周辺部
の周速度に応じて上記各流量制御弁５６，５７の開度を
制御し、ノズル体３１から基板６に向けて噴射される混
合処理液の噴射量を制御するようになっている。

【００４３】さらに説明すれば、基板６は、周辺部の周
速度が速くなればなる程、その周辺部の温度低下が大き
くなる。したがって、基板６の周辺部の周速度の増加に
応じて基板６への混合処理液の供給量を増やせば、基板
６の中心部分と周辺部分との温度差を小さくしたり、基
板６の温度を所定温度に制御するなどのことができるよ
うになっている。

【００４４】また、上記ノズル体３１の混合室５２には
混合処理液の温度を検出する温度センサ５９が設けられ
ている。この温度センサ５９の検出信号は上記制御装置
５８に入力される。

【００４５】制御装置５８は上記温度センサ５９からの
検出信号によっても各流量制御弁５６，５７の開度を制
御できるようになっている。つまり、基板６の温度は、
基板６の周速度あるいは混合室５２における混合処理液
の温度のいずれかによって制御できるようになってい
る。

【００４６】なお、基板６の周速度と、混合室５２にお
ける混合処理液の温度との両方の信号によって基板６の
温度を制御するようにしてもよい。つまり、基板６の回
転数と大きさによって決まる周速度に応じて基板６に供
給する混合処理液の温度を設定するようにしてもよい。

【００４７】このような構成の処理装置において、基板
６に形成された難溶解性のレジストパターンや有機膜な
どを除去する場合には、まず、回転体５に基板６を保持
したならば、この回転体５を回転させるとともに、ノズ
ル体３１を基板６の中心部分の上方に位置決めし、この
ノズル体３１の混合室５２に第１の供給管５４と第２の
供給管５５とによって第１の処理液と第２の処理液とを
供給する。

【００４８】第１の処理液と第２の処理液とは上記混合
室５２及び噴射孔５３に設けられた混合手段６１を構成
する２枚の障害部材６２ａ，６２ｂに衝突することで渦
流となって十分に混合する。そして、混合処理液となる
ことで溶解熱を発生して、噴射孔５３から基板６の中心
部分に向けて噴射する。基板６の中心部分に噴射された
混合処理液は回転する基板６の遠心力で周辺部分へ流れ
る。それによって、基板６に形成されたレジストパター
ンや有機膜などは混合処理液によって分解処理されるこ
とになる。

【００４９】このような分解処理に際し、基板６は混合
処理液が発生する溶解熱によって所定温度に加熱される
ことになる。そのため、基板６に形成されたレジストパ
ターンなどの分解処理が促進されるから、処理効果を向
上させることができる。つまり、混合処理液の溶解熱を
利用して基板６を処理するため、基板６や処理液を予め
加熱手段を用いて加熱しておくということをせずにすむ
から、基板６の加熱処理を容易に行うことが可能とな
る。

【００５０】しかも、２種類の処理液をノズル体３１に
形成された混合室５２で混合させるだけでなく、噴射孔
５３に設けられた混合手段６１の２枚の障害部材６２
ａ，６２ｂによって渦流にして混合させるようにした。

【００５１】そのため、２種類の処理液を予め混合して
おくということをせずにすむから、そのことによっても
基板６の処理を容易に行うことが可能となる。さらに、
２種類の処理液を混合手段６１によって渦流にして混合
するため、これらの処理液を十分かつ確実に混合するこ
とができる。それによって、混合処理液によるレジスト
パターンや有機膜などの分解処理能力を向上させること
ができるばかりか、混合処理液を溶解熱によって所定温
度に確実に上昇させることができるから、基板６の加熱
も確実に行えることになる。

【００５２】ノズル体３１の混合室５２へ第１、第２の
処理液を供給する第１、第２の供給管５４，５５には第
１、第２の制御弁５６，５７が設けられ、この第１、第
２の制御弁５６，５７は基板６の周辺部の周速度に応じ
て開度が制御される。

【００５３】つまり、混合処理液の供給量は、基板６の
周辺部の周速度の変化に比例して増加する。そのため、
基板６の周辺部の周速度が増加すると、混合処理液の供
給量が増加するので、基板６の周辺部の周速度の増加に
ともなう温度低下が抑制され、基板６を全体にわたって
ほぼ均一な温度で処理することが可能となる。

【００５４】また、ノズル体３１の混合室５２には温度
センサ５９が設けられている。そのため、この温度セン
サ５９によって混合処理液の温度を制御してもよく、さ
らには基板６の周速度に応じて温度センサ５９により混
合処理液の温度を設定してもよい。

【００５５】上記ノズル体３１は揺動機構３２の水平ア
ーム３３に設けられている。そのため、水平アーム３３
を基板６の径方向に沿って揺動させながらノズル体３１
から混合処理液を基板６に向けて噴射させれば、混合処
理液による基板６の処理を、基板６の板面全体にわたっ
てより一層、均一に行うことが可能となる。

【００５６】また、基板６に一定量の混合処理液を供給
したならば、混合処理液の供給を所定時間停止する。そ
の状態で基板６を回転させた状態で所定時間放置した
後、再度混合処理液を所定量供給して所定時間放置する
ということを複数回にわたって繰り返すようにしてもよ
い。

【００５７】そのような方法によれば、最初に供給され
た混合処理液による分解処理などの反応が十分に進行し
てから基板６に新たな混合処理液が供給されることにな
るから、混合処理液の使用効率が向上し、その使用量を
低減することができる。

【００５８】そして、混合処理液による処理が終了した
ならば、基板６をリンス処理してから乾燥処理を行うよ
うにすればよい。

【００５９】また、基板６の温度分布などの処理条件
は、基板６の回転数と、混合処理液の供給量だけでな
く、ノズル体３１の揺動機構３２による揺動範囲や揺動
速度を制御することによっても、変えることができる。

【００６０】上記第１の実施の形態では、揺動機構３２
のスプライン軸３４を中心として水平アーム３３を所定
の角度の範囲で回動させてノズル体３１を基板６に対し
て変位させるようにしたが、上記水平アーム３３を図示
しない往復駆動機構によって基板６の径方向に沿って往
復運動させることで、ノズル体３１を基板６に対して変
位させるようにしてもよい。

【００６１】この発明は上記第１の実施の形態に限定さ
れず、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能であ
る。たとえば、ノズル体は揺動駆動される水平アームに
設けるようにしたが、回転体に保持される基板の中心部
上方に固定的に配置するようにしてもよい。

【００６２】また、処理液は硫酸と過酸化水素水に限ら
れるものでなく、他の薬液などであってもよく、要は混
合することで溶解熱を発生し、しかも所望する処理を行
うことができる処理液であればよい。

【００６３】また、混合される処理液は二種類に限られ
ず、三種類以上であってもよい。さらに、基板としては
半導体ウエハやフォトマスク基板などであってもよく、
要はレジストや有機膜などを分解除去する必要のあるも
のであればよい。

【００６４】処理液の混合手段は噴射孔５３に２枚の障
害部材６２ａ，６２ｂを設けて構成したが、図４に示す
第２の実施の形態のように混合室５２に２枚のほぼ半円
形状の障害部材６２ａ，６２ｂを周方向に１８０度すら
して設けてもよい。

【００６５】図５はこの発明の第３の実施の形態で、こ
の実施の形態では、ノズル体３１を混合室５２が形成さ
れた本体部５１と、噴射孔５３が形成されたノズル口体
６５とに分割し、このノズル口体６５を上記本体部５１
に液密に接続することで、ノズル体３１とした。

【００６６】そして、２種類の処理液の混合手段６１は
上記ノズル口体６５に、第１の実施の形態と同様、２枚
の半円形状の障害部材６２ａ，６２ｂを設けることで形
成した。

【００６７】このように、ノズル体３１を本体部５１
と、ノズル口体６５とに分割することで、上記ノズル口
体６５に障害部材６２を設け易くなる。なお、障害部材
６２ａ，６２ｂはノズル口体６５と一体形成してもよ
く、別部材をノズル口体６５内に設けるようにしてもよ
い。

【００６８】上記第３の実施の形態において、図示しな
いが、障害部材６２ａ，６２ｂを本体部５１の混合室５
２内に設けるようにしてもよい。つまり、障害部材６２
ａ、６２ｂは処理液の流路であれば、どこに設けるよう
にしてもよい。

【００６９】上記第１乃至第３の実施の形態において、
混合手段６１の障害部材６２ａ，６２ｂの形状や枚数は
なんら限定されるものでなく、要は混合室５２に供給さ
れた複数の処理液を沿う流のまま噴射孔から流出させ
ず、渦流にして確実に混合できるものであればよい。

【００７０】

【発明の効果】請求項１と請求項２の発明によれば、溶
解熱を発生する複数の処理液を基板に向けて噴射する直
前で混合するようにした。

【００７１】そのため、複数の処理液を予め混合せずに
すみ、しかも基板や処理液を予め加熱しておかなくと
も、複数の処理液を混合することで発生する溶解熱によ
って基板を所定の温度に効率よく加熱して処理すること
が可能となる。

【００７２】請求項３の発明によれば、基板の回転数と
大きさによって生じる、基板の中心部分と周辺部分との
周速度の差に応じて処理液の噴射量を制御するようにし
た。

【００７３】そのため、基板の中心部分と周辺部分との
温度差を小さくすることができるから、基板を全体にわ
たってほぼ同じ温度で処理することが可能となる。

【００７４】請求項４の発明によれば、処理液を基板に
向けて噴射するノズル体に、複数の処理液を混合するた
めの混合室を形成した。

【００７５】そのため、混合室で複数の処理液を混合し
て噴射することができるから、複数の処理液を予め混合
しておくということをせずにすむ。

【００７６】請求項５と請求項６の発明によれば、処理
液の流路に設けられた混合手段によって複数の処理液を
確実に混合して温度を上昇させることができる。

【００７７】そのため、混合処理液によるレジストパタ
ーンなどの難溶解性の物質を確実に、しかもむらなく分
解除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態を示す全体の概略
的構成図。

【図２】同じくノズル体への処理液の供給を示す説明
図。

【図３】（ａ）は同じくノズル体の噴射孔の部分の拡
大断面図、（ｂ）は同じく図３（ａ）のＢ−Ｂ線に沿う
断面図。

【図４】この発明の第２の実施の形態を示すノズル体の
断面図。

【図５】この発明の第３の実施の形態を示すノズル体の
断面図。

【符号の説明】

５…回転体６…基板３１…ノズル体５２…混合室５３…噴射孔５４…第１の供給管５５…第２の供給管６１…混合手段６１ａ，６１ｂ…障害部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H025 AA00 AB16 AB17 FA48 3B201 AA02 AB01 AB34 AB42 BB22 BB38 BB45 BB55 BB82 BB96 CC01 CC11 CD42 CD43 5F046 MA02 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液を回転される基板に向けて噴射し
てこの基板を処理する基板の処理方法において、混合されることで溶解熱を発生する複数の処理液を上記
基板に向けて噴射する直前で混合することを特徴とする
基板の処理方法。
【請求項２】上記複数の処理液は、硫酸と過酸化水素
水であることを特徴とする請求項１記載の基板の処理方
法。
【請求項３】上記処理液の噴射量を、上記基板の回転
数と大きさに応じて制御することを特徴とする請求項１
記載の基板の処理方法。
【請求項４】処理液を回転される基板に向けて噴射し
てこの基板を処理する基板の処理装置において、上記基板を保持して回転駆動される回転体と、混合室及びこの混合室に連通する噴射孔を有し上記回転
体に保持される基板に対向して配置されるノズル体と、このノズル体の混合室に接続され混合されることで溶解
熱を発生する複数の処理液を上記混合室に別々に供給す
る複数の供給管とを具備したことを特徴とする基板の処
理装置。
【請求項５】上記処理液の流路には、複数の処理液を
混合する混合手段が設けられていることを特徴とする請
求項４記載の基板の処理装置。
【請求項６】上記混合手段は、処理液の流れを渦流に
する障害部材を有することを特徴とする請求項５記載の
基板の処理装置。