KR101395251B1 - 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 - Google Patents

공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 Download PDF

Info

Publication number
KR101395251B1
KR101395251B1 KR1020070081337A KR20070081337A KR101395251B1 KR 101395251 B1 KR101395251 B1 KR 101395251B1 KR 1020070081337 A KR1020070081337 A KR 1020070081337A KR 20070081337 A KR20070081337 A KR 20070081337A KR 101395251 B1 KR101395251 B1 KR 101395251B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
substrate
support member
supercritical fluid
processing
Prior art date
Application number
KR1020070081337A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090016964A (ko
Inventor
성보람찬
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070081337A priority Critical patent/KR101395251B1/ko
Publication of KR20090016964A publication Critical patent/KR20090016964A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101395251B1 publication Critical patent/KR101395251B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 초임계유체를 사용하여 기판을 처리하는 설비에 관한 것이다. 본 발명은 가압되는 처리가스 및 일정량의 처리액을 공급받아 일정농도의 초임계유체를 생성하는 초임계유체 공급장치, 그리고 생성된 초임계유체를 공급받아 웨이퍼에 잔류하는 감광액을 제거하는 공정장치를 포함한다. 공정장치는 내부에 웨이퍼 처리 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징, 기판을 지지하며 공정시 하우징의 개방된 하부를 밀폐시키는 지지부재, 그리고, 공정시 웨이퍼가 상기 지지부재에 정상적으로 로딩되었는지 여부를 감지하는 감지부재를 가진다. 본 발명은 공정시 감지부재가 상기 지지부재에 웨이퍼가 정상적으로 놓여졌는지 여부를 감지하여, 웨이퍼 로딩 상태 불량에 따란 공정 효율이 저하되는 것을 방지한다.
반도체, 웨이퍼, 애싱, ashing, 감광액, 초임계,

Description

공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비{PROCESS CHAMBER AND FACILILTY FOR TREATING SUBSTRATE WITH THE PORCESS CHAMBER}
본 발명은 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비에 관한 것으로, 보다 상세하게는 초임계유체를 사용하여 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공정챔버 및 상기 공정챔버를 구비하여 기판을 처리하는 설비에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제조 공정은 웨이퍼 상에 세정, 도포, 증착, 현상, 이온주입, 화학적 기계적평탄화, 그리고 식각 등의 처리 공정들을 포함한다. 이러한 처리 공정들 중 식각 공정은 웨이퍼 표면의 불필요한 이물질을 제거하는 공정이다. 식각 공정은 건식 식각 공정과 습식 식각 공정으로 나뉘며, 이 중 건식 식각 공정은 웨이퍼 표면에 다양한 종류의 처리가스를 공급하여 웨이퍼 표면에 불필요한 이물질을 제거한다.
최근에는 초임계유체를 사용하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 기술이 사용된다. 초임계유체를 사용하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 장치는 챔버 를 구비한다. 일반적인 초임계유체를 사용한 감광액 제거장치는 공정시 챔버 내부에 웨이퍼 위치시킨 후 챔버를 일정압력으로 가압시킨다. 그리고, 챔버 내부로 이 산화탄소 및 감광액 제거를 위한 처리액을 공급하여 챔버 내부에서 초임계유체를 생성시켜 웨이퍼 표면의 감광액을 제거한다.
그러나, 이러한 초임계유체를 사용한 감광액 제거 장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 공정시 웨이퍼가 지지부재에 정상적으로 로딩되었는지 알 수 없다. 즉, 일반적인 감광액 제거 장치는 지지부재에 웨이퍼를 로딩시킨 후 챔버 내부에서 초임계유체를 생성시켜 웨이퍼 표면의 감광액을 제거한다. 이때, 지지부재에 놓여진 웨이퍼의 위치가 기설정된 위치를 벗어나면 공정 효율이 저하된다. 그러나, 일반적인 감광액 제거 장치는 챔버 내부에서 지지부재에 놓여진 웨이퍼의 로딩 상태를 파악할 수 있는 수단이 없었다.
둘째, 초임계유체의 농도를 일정하게 유지시키기 어렵다. 즉, 일반적인 감광액 제거 장치는 공정시 챔버로 이산화탄소와 감광액 제거를 위한 처리액을 공급하여 상기 챔버 내부에서 소정의 농도를 만족하는 초임계유체를 생성한다. 그러나, 이러한 방식은 챔버 내부에서 생성되는 초임계유체의 농도가 일정하지 않아 감광액 제거가 불균일하게 이루어진다.
본 발명은 공정시 웨이퍼가 지지부재에 정상적으로 로딩되었는지 여부를 파악할 수 있는 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비를 제공한다.
본 발명은 감광액 제거 효율을 향상시키는 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비를제공한다.
본 발명은 초임계유체의 농도를 일정하게 유지시키는 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비를 제공한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 공정챔버는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하고, 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징, 기판을 지지하고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재, 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 높은 위치에 위치되는 공정위치 및 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 낮은 위치에 위치되는 대기 위치 상호간에 이동시키는 구동부재, 그리고 상기 지지부재의 기설정된 위치에 기판이 로딩되었는지 여부를 감지하는 감지부재를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 감지부재는 상기 하우징의 일측벽에 형성되는 제1 통로에 삽입되는 발광센서, 상기 하우징의 타측벽에 형성되는 제2 통로에 삽입되고 상기 발광센서가 방출하는 발광신호를 수신받는 수신센서를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 발광센서와 상기 수신센서 중 어느 하나의 높이는 공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치에 제공되고, 상기 발광센서와 상기 수신센서 중 다른 하나의 높이는 공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 높은 위치에 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정챔버는 상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때, 상기 하우징에 상기 지지부재를 물리적으로 고정시키는 고정부재를 더 포함하되, 상기 고정부재는 상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈에 삽입되는 고정블럭, 그리고 상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키는 고정위치 및 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키기 전에 대기시키는 대기위치 상호간에 상기 고정블럭을 이동시키는 구동기를 포함한다.
상술한 과제를 해결하기 위한 발명에 따른 기판 처리 설비는 기판 처리 공정을 수행하는 공정챔버 및 초임계유체를 생성하여 상기 공정챔버로 생성된 초임계유체를 공급하는 초임계유체 공급장치를 포함하되, 상기 공정챔버는 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하고 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징, 기판을 지지하고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재, 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 높은 위치에 위치되는 공정위치 및 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 낮은 위치에 위치되는 대기 위치 상호간에 이동시키는 구동부재, 그리고 공정시 상기 지지부재의 기설정된 위치에 기판이 로딩되었는지 여부를 감지하는 감지부재를 포함하고, 상기 감지부재는 상기 하우징의 일측벽에 형성되는 제1 통로에 삽입되는 발광센서 및 상기 하우징의 타측벽에 형성되는 제2 통로에 삽입되고 상기 발광센서가 방출하는 발광신호를 수신받는 수신센서를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 발광센서와 상기 수신센서 중 어느 하나의 높이는 공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치에 제공되고, 상기 발광센서와 상기 수신센서 중 다른 하나의 높이는 공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 높은 위치에 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공정챔버는 상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때, 상기 하우징에 상기 지지부재를 물리적으로 고정시키는 고정부재를 더 포함하되, 상기 고정부재는 상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈에 삽입되는 고정블럭 및 상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키는 고정위치 및 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키기 전에 대기시키는 대기위치 상호간에 상기 고정블럭을 이동시키는 구동기를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초임계유체 공급장치는 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재, 처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고 상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되, 상기 혼합부재는 내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공 하는 생성용기, 상기 하우징을 가열하는 히터, 그리고 상기 하우징 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함한다.
본 발명에 따른 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비는 공정시 지지부재에 정상적으로 웨이퍼가 로딩되었는지 여부를 감지하여 기판 공정 효율을 향상시킨다.
본 발명에 따른 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비는 초임계유체의 농도를 기설정된 농도값으로 일정하게 유지시켜 공정을 진행한다.
본 발명에 따른 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비는 공정 시간을 단축시킨다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해지도록, 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달되도록 하기 위해 제공된다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼로 초임계유체를 공급하여 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 애싱 공정 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 기판을 처리하는 모든 장치에 적용이 가능하다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 2는 도 1에 도시된 공정챔버를 보여주는 도면이다. 도 3은 도 2에 도시된 A영역을 확대한 도면이고, 도 4는 도 2에 도시된 B영역을 확대한 도면이다. 그리고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공정챔버를 보여주는 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 설비(facility for treating substrate)(1)는 반도체 기판(이하, '웨이퍼')(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 장치(1)는 초임계유체 공급장치(super-crytical fluid supply apparatus)(10) 및 공정장치(process apparatus)(20)를 가진다.
초임계유체 공급장치(10)는 웨이퍼(W) 표면의 감광액 제거에 필요한 초임계유체를 생성하여 공정장치(20)로 공급한다. 초임계유체 공급장치(10)는 처리가스 공급부재(treating gas supply member)(12), 처리액 공급부재(treating liquid supply source)(14), 그리고 혼합부재(mixing member)(16)를 포함한다.
처리가스 공급부재(12)는 혼합부재(16)로 처리가스를 공급한다. 처리가스 공급부재(12)는 처리가스 공급원(treating gas supply source)(12a), 처리가스 공급라인(treating gas supply line)(12b), 그리고 제1 가압부재(first presurrization member)(12c)을 가진다.
처리가스 공급원(12a)은 처리가스를 저장한다. 처리가스 공급원(12a)에 저장된 처리가스는 공정시 처리가스 공급라인(12b)을 통해 혼합부재(16)로 공급된다. 여기서, 처리가스는 처리액을 가압하기 위해 고압으로 가압된 가스이다. 처리가스로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다.
처리가스 공급라인(12b)은 처리가스 공급원(12a)으로부터 혼합부재(16)로 처리가스를 공급한다. 처리가스 공급라인(12b)의 일단은 처리가스 공급원(12a)과 연결되고, 처리가스 공급라인(12b)의 타단은 혼합부재(16)와 연결된다.
제1 가압부재(12c)는 처리가스 공급라인(12b) 내부를 흐르는 처리가스를 가압한다. 제1 가압부재(12c)로는 펌프(pump)가 사용된다. 제1 가압부재(12c)는 처리가스를 고압으로 가압함으로써 혼합부재(16)로 공급되는 처리액을 추진시킨다. 따라서, 공정시 혼합부재(16)로 공급되는 처리액은 처리가스에 의해 추진되어 초임계유체 상태를 만족하기 위한 압력에 도달된다.
처리액 공급부재(14)는 혼합부재(16)로 처리액을 공급한다. 여기서, 처리액은 웨이퍼(W) 표면의 감광액(photoresist)을 제거하기 위한 액체이다. 처리액으로는 불산(HF) 또는 다양한 종류의 유기용제(solvent) 중 적어도 어느 하나가 사용된다.
처리액 공급부재(14)는 처리액 공급원(treating liquid supply source)(14a) 및 처리액 공급라인(treating liquid supply line)(14b), 그리고 제2 가압부재(second pressurization member)(14c)를 가진다.
처리액 공급원(14a)은 처리액을 저장하고, 처리액 공급라인(14b)은 처리액 공급원(14a)으로부터 혼합부재(16)로 처리액을 공급한다. 그리고, 제2 가압부재(14c)는 처리액 공급라인(14b)을 따라 흐르는 처리액에 유동압을 가한다. 이때, 제2 가압부재(14c)는 혼합부재(16)로 공급되는 처리액이 혼합부재(16) 내부로 공급될 때, 초임계 상태를 위한 압력에 도달되도록 처리액을 가압한다.
또한, 제2 가압부재(14c)는 공정시 혼합부재(16)로 공급되는 처리액이 기설정된 유량만큼 혼합부재(16)로 공급되도록, 처리액 공급라인(14b)을 따라 흐르는 처리액의 유량을 조절한다. 즉, 공정시 혼합부재(16)로 공급되는 처리가스 및 처리액은 혼합되어 일정 농도를 가지는 초임계유체가 이루어지므로, 제2 가압부재(14c)는 혼합부재(16)로 공급되는 처리액의 유량을 조절하여, 혼합부재(16)에서 생성되는 초임계유체의 농도가 기설정된 농도를 만족하도록 한다. 이러한 유량 조절 기능을 수행하기 위해 제2 가압부재(14c)로는 정량펌프(metering pump)가 사용될 수 있다.
혼합부재(16)는 처리가스 공급부재(12) 및 처리액 공급부재(14) 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받아 이를 혼합하여 초임계유체를 생성한다. 혼합부재(16)는 생성용기(generating vessel)(16a), 히터(heater)(16b), 교반기(agitatior)(16c), 그리고 초임계유체 공급라인(supercritical-fluid supply line)(16d)을 포함한다.
생성용기(16a)는 내부에 처리가스 및 처리액을 수용받는 공간을 제공한다. 생성용기(16a)는 일측(16a')에 처리가스 공급라인(12b) 및 처리액 공급라인(14b)과 연결되고, 타측(16a'')에는 초임계유체 공급라인(16d)과 연결된다.
히터(16b)는 생성용기(16a) 내부를 가열한다. 히터(16b)는 생성용기(16a)의 둘레에 설치된다. 이때, 히터(16b)는 생성용기(16a) 내 처리액이 초임계상태가 유 지되도록 생성용기(16a)를 가열한다.
교반기(16c)는 생성용기(16a) 내부로 분사되는 처리가스 및 처리액을 혼합한다. 교반기(16c)는 복수의 블레이드(16c')들 및 구동모터(16c'')를 포함한다. 공정시 구동모터(16c'')는 일정한 회전속도로 블레이드(16c')들을 회전시키며, 회전되는 블레이드(16c')들에 의해 생성용기(16a) 내 처리가스 및 처리액은 균일한 농도로 혼합된다.
초임계유체 공급라인(16d)은 생성용기(16a)로부터 공정실(20)의 공정챔버(100)로 초임계유체를 공급한다. 초임계유체 공급라인(16d)의 일단은 생성용기(16a)의 타측(16a'')과 연결되고, 타단은 공정챔버(100)와 연결된다.
본 실시예에서는 처리가스 공급라인(12b)과 처리액 공급라인(14b)이 독립적으로 혼합부재(16)에 처리가스 및 처리액을 공급하는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 처리가스 공급라인(12b)과 처리액 공급라인(14b)은 하나의 라인으로 통합된 후 하나의 라인으로 제공되어, 공정시 처리가스와 처리액이 하나의 라인을 통해 혼합부재(16)로 공급되도록 제공될 수 있다.
공정장치(20)는 초임계유체 공정장치(10)로부터 초임계유체를 공급받아 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다. 공정장치(20)는 적어도 하나의 공정챔버(process chaber)(100)를 가진다. 만약, 공정장치(20)가 복수의 공정챔버(100)가 구비되는 경우에는 각각의 공정챔버(100)는 서로 동일한 기판 처리 공정을 수행한다. 또는, 선택적으로 각각의 공정챔버(100)는 서로 상이한 기판 처리 공정을 수행할 수 있다.
계속해서, 본 발명에 따른 공정챔버(100)에 대해 상세히 설명한다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 공정챔버(100)는 웨이퍼(W) 표면에 감광액을 제거하는 애싱 공정(ashing process)을 수행한다. 공정챔버(100)는 하우징(housing)(110), 배기부재(exhaust membe)(120), 지지부재(support member)(130), 구동부재(driving member)(140), 고정부재(fixing member)(150), 그리고 감지부재(sensing member)(160)를 포함한다.
하우징(110)은 내부에 웨이퍼(W) 표면의 불필요한 감광액을 제거하는 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110)은 하부가 개방된 원통 형상을 가진다. 하우징(110)는 측벽(112) 및 상부벽(114)으로 이루어진다. 측벽(112)에는 공정시 웨이퍼(W)가 하우징(110) 내부로 반입되기 위한 기판 출입구(미도시됨)가 제공된다. 측벽(112)의 내측면에는 고정홈(112b)이 형성된다. 고정홈(112b)은 공정 진행시 후술할 고정블럭(152)이 삽입되기 위한 홈이다. 그리고, 하우징(110)의 측벽(112) 일측에는 배출통로(discharge passage)(112c)가 제공된다. 배출통로(112c)는 공정시 하우징(110) 내 가스를 하우징(110)으로부터 배출시킨다. 배출통로(112c)는 애싱 공정 진행시 웨이퍼(W)의 높이와 대응되는 높이에 형성되는 것이 바람직하다. 이는 애싱 공정시 웨이퍼(W) 표면으로 공급되는 초임계유체가 하우징(110)으로부터 용이하게 배출되도록 하기 위함이다. 하우징(110)의 상부벽(114)에는 공급통로(supply passage)(114a)가 형성된다. 공급통로(114a)는 공정시 초임계유체 공급라인(16d)을 통해 공급되는 초임계유체를 하우징(110) 내부로 공급한다.
또한, 하우징(110)의 측벽(112) 일측에는 제1 통로(first passage)(112d)가 형성되고, 측벽(112)의 타측에는 제2 통로(second passage)(112e)가 형성된다. 제1 통로(112d)는 후술할 감지부재(160)의 발광센서(162)가 설치되는 통로이고, 제2 통로(112e)는 감지부재(160)의 수광센서(164)가 설치되는 통로이다. 제1 통로(112d) 및 제2 통로(112e)는 서로 일정 각도로 기울어진다. 이때, 제1 통로(112d)의 각도(θ1)와 제2 통로(112e)의 각도(θ2)는 서로 동일하며, 서로 동일선상(X1)에 형성되도록 제공된다. 그리고, 제1 통로(112d)의 높이와 제2 통로(112e)의 높이는 서로 상이하게 제공된다. 즉, 제1 통로(112d)와 제2 통로(112e)는 후술할 지지부재(130)가 대기위치(b)에 위치되었을 때, 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)의 높이를 기준으로 제1 통로(112d)와 제2 통로(112e) 중 어느 하나는 웨이퍼(W)의 높이보다 낮은 위치에 제공되고, 다른 하나는 웨이퍼(W)의 높이보다 높은 위치에 제공된다.
본 실시예에서는 하나의 공급통로(114a)가 상하로 수직하게 형성되는 경우를 예로 들어 설명하였지만, 공급통로(114a)의 개수 및 각도는 다양하게 변경 및 변형될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 공급통로(114a)가 하우징(110)의 상부벽(114)에 제공되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 공급통로의 위치는 다양하게 변경 및 변형이 가능하다. 즉, 본 발명의 다른 실시예로서, 공급통로(112f)는 도 5에 도시된 바와 같이, 하우징(110)의 측벽(112)에 제공될 수 있다. 이 경우 공급통로(112f)와 배출통로(112c)는 서로 동일한 높이에서 서로 마주보도록 제공되는 것이 바람직하다. 이는 하우징(110)으로 공급되는 초임계유체가 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거한 후 효과적으로 배출통로(112c)를 향해 이동되도록 하기 위함이다.
또한, 본 실시예에서는 제1 통로(112d)의 높이가 제2 통로(112e)의 높이보다 낮은 높이에 위치되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 제1 통로(112d) 및 제2 통로(112e)의 상대 높이는 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 배기부재(120)는 공정시 하우징(110) 내 가스(예컨대, 초임계유체)를 하우징(110)으로부터 배출시킨다. 배기부재(120)는 배출라인(discharge line)(122) 및 유량조절밸브(flow control valve)(124)를 가진다. 배출라인(122)은 배출통로(112c)와 연결되어, 공정시 하우징(110) 내부로 공급되는 초임계유체를 배출시킨다. 유량조절밸브(124)는 배출라인(122)의 초임계유체 배출량을 조절한다. 특히, 유량조절밸브(124)는 애싱 공정시 하우징(110) 내부로 공급되는 초임계유체가 하우징(110) 내부에서 일정한 흐름을 가지면서 이동되도록 하우징(110) 내 초임계유체의 배출량을 조절한다. 또한, 유량조절밸브(124)는 애싱 공정시 하우징(110) 내부 압력이 기설정된 압력을 초과하면, 배출라인(122)을 개방하여 하우징(110) 내 초임계유체를 배출시킴으로써, 하우징(110) 내부 압력이 기설정된 공정압력을 초과하는 것을 방지한다.
지지부재(130)는 공정시 하우징(110) 내부에서 웨이퍼(W)를 지지한다. 또한, 지지부재(130)는 하우징(110)의 개방된 하부를 개방 및 밀폐한다. 지지부재(130)는 대체로 원통형상을 가진다. 지지부재(130)는 웨이퍼(W) 로딩시 웨이퍼(W)의 하부면과 대향되는 상부면(132)을 가진다. 그리고, 지지부재(130)는 하우징(110)의 개방된 하부 중앙에 삽입된다. 지지부재(130)와 하우징(110)이 접촉하는 부분의 완전 밀폐를 위해, 지지부재(130)과 접촉되는 하우징(110)의 내측면에는 오링(o-ring)과 같은 밀폐수단이 구비될 수 있다.
구동부재(140)는 서포트(support)(141), 승강기(elevating part)(142), 업/다운 플레이트(up/down plate)(144), 그리고 가이드(guide shaft)(146)를 포함한다. 서포트(141)는 구동부재(140)의 구성들이 지지되기 위한 지지판이다. 승강기(142) 및 가이드(146)는 서포트(141)에 고정설치된다. 승강기(142)는 상하로 업다운되는 승강축(142a)을 가진다. 승강축(142a)의 상단은 업/다운 플레이트(144)의 하부와 결합된다. 업/다운 플레이트(144)는 지지부재(130)의 하부와 고정결합된다. 업/다운 플레이트(144)는 승강기(142)에 의해 업다운(up/down)된다. 가이드(146)는 업/다운 플레이트(144)에 각각 제공되어, 업/다운 플레이트(144)의 업/다운 동작을 안내한다. 가이드(146)는 상하로 수직하게 설치된다. 가이드(146)의 상단은 하우징(110)과 고정되고, 하단은 서포트(141)에 고정된다.
또한, 구동부재(140)는 지지부재(130)를 공정위치(도 9b의 참조번호(a)) 및 대기위치(b) 상호간에 이동시킨다. 공정위치(a)는 웨이퍼 표면의 감광액을 제거하는 공정이 수행되기 위한 지지부재(130)의 위치이고, 대기위치(b)는 상기 감광액 제거 공정이 수행되기 전에 웨이퍼(W)를 하우징(110) 외부에서 대기시키기 위한 지지부재(130)의 위치이다. 공정시 지지부재(130)가 공정위치(a)에 위치되면, 지지부재(130)의 상부면(132) 높이는 하우징(110)의 기판 출입구(112a) 높이 보다 높은 위치에 위치된다. 따라서, 기판 출입구(112a) 가 지지부재(130)에 의해 밀폐됨으로써 하우징(110) 내 공간은 완전히 밀폐된다. 또한, 공정시 지지부재(130)가 대기위 치(b)에 위치되면, 지지부재(130)의 상부면(132)의 높이는 하우징(110)의 기판 출입구(112a) 높이보다 낮은 높이에 위치된다. 따라서, 기판 출입구(112a)가 지지부재(130)에 의해 개방됨으로써 하우징(110) 내 공간은 개방된다.
고정부재(150)는 공정시 지지부재(130)를 하우징(110)에 고정시킨다. 고정부재(150)는 고정블럭(fixing block)(152) 및 구동기(driving part)(154)를 포함한다. 고정블럭(152)은 지지부재(130)의 하부에 배치된다. 고정블럭(152)은 구동기(154)에 의해 좌우로 이동된다. 고정블럭(152)은 적어도 하나가 구비된다. 고정블럭(152)이 복수개가 구비되는 경우에는 각각의 고정블럭(152)은 지지부재(130)의 중심을 기준으로 균등한 간격으로 배치된다.
구동기(154)는 고정블럭(152)을 고정위치(p1) 및 대기위치(p2) 상호간에 이동시킨다. 고정위치(p1)는 지지부재(130)가 공정위치(a)에 위치되고 고정블럭(152)이 하우징(110)의 측벽(112)에 형성되는 고정홈(112b)에 삽입되었을 때의 고정블럭(152)의 위치이다. 공정시 고정블럭(152)이 고정홈(112b)에 삽입되어 고정위치(p1)에 위치되면, 지지부재(130)는 하우징(110)에 완전히 고정된다. 그리고, 대기위치(p2)는 지지부재(130)가 대기위치(b)와 공정위치(a) 상호간에 이동될 때, 고정블럭(152)에 의해 지지부재(130)의 업다운 동작이 방해되지 않도록 제공되는 고정블럭(154)의 위치이다. 고정블럭(152)이 대기위치(p2)에 위치되면, 고정블럭(152)의 측면(154a)은 지지부재(130)의 측면보다 내측에 위치된다.
감지부재(160)는 공정시 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)가 지지부재(130)의 기설정된 위치에 놓여졌는지 여부를 감지한다. 감지부재(160)는 발광센서(162) 및 수광센서(164), 그리고 제어기(166)를 가진다. 발광센서(162)는 제1 통로(112d)에 삽입된다. 수광센서(164)는 제2 통로(112e)에 삽입된다. 공정시 발광센서(162)는 수광센서(164)를 향해 감지신호를 방출하고, 수광센서(164)는 발광센서(162)가 방출하는 감지신호를 수신다. 제어기(166)는 수광센서(164)의 감지신호 수신 여부를 판단하여 공정을 제어한다. 제어기(166)가 수광센서(164)의 감지신호 수신여부에 따라 공정을 제어하는 과정을 후술하겠다.
이하, 상술한 기판 처리 장치(1)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 설비의 공정 과정을 보여주는 순서도이다. 도 8, 그리고 도 9a 내지 도 9f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정들을 설명하기 위한 도면들이다.
공정이 개시되면, 초임계유체 공급장치(10)는 초임계유체를 생성하고, 공정장치(20)는 초임계유체 공급장치(10)로부터 초임계유체를 공급받아 웨이퍼(W)를 처리하는 공정을 수행한다.
도 6을 참조하면, 공정장치(10)의 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)된다(S100). 즉, 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 웨이퍼(W)는 로봇암(미도시됨)에 의해 대기위치(b)에 위치된 지지부재(130)에 놓여진다. 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 로딩되면, 감지부재(160)는 웨이퍼(W)가 지지부재(130)에 정상적으로 로딩되었는지 여부를 감지한다(S200). 즉, 대기위치(b)에 위치된 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 로딩(loading)되면, 발광센서(162)가 방출하는 감지신호(S)는 대기위 치(b)에 위치된 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)에 의해 수광센서(164)로 이동되는 것이 차단된다. 수광센서(164)가 감지신호(S)를 수신받지 못하면, 제어기(166)는 지지부재(130)의 기설정된 위치에 웨이퍼(W)가 정상적으로 로딩된 것으로 판단하여 공정을 진행한다. 그러나, 만약 공정시 대기위치(b)에 위치된 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 로딩되었을 때, 수광센서(164)가 감지신호(S)를 수신받으면, 제어기(166)는 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 로딩되지 않았다고 판단하여, 설비의 공정 진행을 중단한다. 따라서, 제어기(166)는 수광센서(164)의 감지신호(S) 수신여부에 따라 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 로딩되었는지 여부를 판단한다.
웨이퍼(W)가 지지부재(130)에 정상적으로 놓여지면, 구동부재(140)의 승강기(142)는 승강축(142a)을 상승시켜 업/다운 플레이트(144)를 상승시킨다. 업/다운 플레이트(144)의 상승으로 인해, 지지부재(130)는 대기위치(b)로부터 공정위치(a)로 이동된다. 지지부재(130)가 공정위치(a)에 위치되면, 지지부재(130)의 상부면(132)은 출입구(112c)의 높이 보다 높은 위치에 위치된다. 따라서, 기판 출입구(112a)는 지지부재(130)에 의해 완전히 밀폐된다.
지지부재(130)가 공정위치(a)에 위치되면, 지지부재(130)는 하우징(110)에 고정된다(S300). 즉, 도 9c를 참조하면, 고정부재(150)의 구동기(154)는 고정블럭(152)을 대기위치(p2)로부터 고정위치(p1)로 이동시킨다. 고정블럭(152)이 고정위치(p1)로 이동되면, 고정블럭(152)은 하우징(110)에 형성된 고정홈(112b)에 삽입된다. 고정블럭(152)이 고정홈(112b)에 삽입되면, 지지부재(130)는 하우징(110)에 완전히 고정된다.
지지부재(130)가 하우징(110)에 완전히 고정되면, 초임계유체 공급장치(10)는 기설정된 농도 및 온도를 만족하는 초임계유체를 생성한다(S400). 초임계유체의 생성 및 생성된 초임계유체의 공급 과정은 다음과 같다. 도 7 및 도 8을 참조하면, 처리가스 공급부재(12) 및 처리액 공급부재(14) 각각은 혼합부재(16)로 처리가스 및 처리액을 공급한다(S410). 즉, 밸브(V1)가 오픈되고 제1 가압부재(12c)가 가동되어, 처리가스 공급라인(12b)은 처리가스 공급원(12a)으로부터 생성용기(16a)로 처리가스를 공급한다. 이때, 처리가스는 제1 가압부재(12c)에 의해 고압으로 가압되어 생성용기(16a)로 공급된다. 또한, 밸브(V2)가 오픈되고 제2 가압부재(14c)가 가동되어 처리액 공급라인(14b)은 처리액 공급원(14a)으로부터 생성용기(16a)로 처리액을 공급한다. 이때, 처리액은 제2 가압부재(14c)에 의해 고압으로 가압되어 생성용기(16a)로 공급된다.
생성용기(16a)는 공급받은 처리가스 및 처리액을 혼합 및 가열한다(S420). 즉, 생성용기(16a)로 공급되는 처리액은 처리가스에 의해 추진되어 생성용기(16a)로 분사되며, 생성용기(16a)를 통과하는 처리액은 히터(16b)에 의해 가열되어 초임계상태로 변환된다. 또한, 생성용기(16a)를 통과하는 처리가스 및 처리액은 교반기(16c)에 의해 혼합되어 기설정된 농도를 만족하는 초임계유체가 생성된다. 생성용기(16a)를 통과하면서 생성되는 초임계유체는 공정챔버(100)로 공급된다(S430).
공정챔버(100)는 초임계유체 공급장치(10)로부터 초임계유체를 공급받아 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거한다(S500). 즉, 도 8 및 도 9d를 참조하면, 밸 브(V3)가 오픈되어 초임계유체 공급라인(16d)은 혼합부재(16)로부터 하우징(110)로 초임계유체를 공급한다. 하우징(110)의 공급통로(114a)를 통해 하우징(110) 내부로 공급되는 초임계유체는 지지부재(130)에 놓여진 웨이퍼(W)를 향해 공급된다. 웨이퍼(W)로 공급되는 초임계유체는 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거한다.
이때, 배기부재(120)는 하우징(110) 내 압력을 조절한다. 즉, 애싱 공정시 하우징(110)으로 공급되는 가압된 초임계유체에 의해, 하우징(110) 내부는 고압으로 가압된다. 따라서, 공정시 배기부재(120)는 하우징(110) 내부 압력이 기설정된 압력을 유지되도록 한다. 예컨대, 하우징(110)의 기설정된 압력이 290bar인 경우, 배기부재(120)는 공정시 하우징(110) 내부 압력이 290bar를 초과하면, 유량조절밸브(124)를 오픈시켜 배출라인(122)을 통해 하우징(110) 내 초임계유체를 배출시킴으로써, 하우징(110) 내부 압력을 감소시킨다. 그리고, 하우징(110) 내 압력이 다시 290bar 이하로 내려가면 유량조절밸브(124)가 클로우즈된다.
또한, 애싱 공정시, 배기부재(120)의 유량조절부재(124)는 공정시 하우징(110) 내부에서 초임계유체의 흐름을 조절할 수 있다. 예컨대, 유량조절부재(124)는 공정시 배출라인(122)를 통해 하우징(110) 내 초임계유체를 배출시켜, 하우징(110) 내부를 이동하는 초임계유체가 배출통로(112c)를 통해 배출되도록 함으로써, 애싱 공정시 하우징(110) 내부에서 초임계유체가 공급통로(114a)로부터 배출통로(112c)로 일정한 속도로 이동되면서 웨이퍼(W) 표면의 감광액을 제거하도록 할 수 있다.
웨이퍼(W) 표면에 감광액이 제거되면, 웨이퍼(W)의 언로딩(unloading)이 수 행된다(S600). 즉, 도 9e 및 9f를 참조하면, 밸브(V1, V2, V3)가 클로우즈되어 초임계유체의 공급이 중단된다. 고정부재(150)의 구동기(154)는 고정블럭(152)을 고정위치(p1)로부터 대기위치(p2)로 이동시킨다. 그리고, 구동부재(140)의 승강기(142)는 업/다운 플레이트(144)를 하강시켜 지지부재(130)를 공정위치(a)로부터 대기위치(b)로 이동시킨다. 지지부재(130)가 대기위치(b)에 위치되면, 로봇암(미도시됨)은 지지부재(130)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩시킨 후 후속 공정이 수행되는 설비로 반출한다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 정상적으로 놓여졌는지 여부를 감지하는 감지부재(160)를 구비한다. 따라서, 공정시 지지부재(130)에 웨이퍼(W)가 불안정하게 안착되어 공정 효율이 저하되는 것을 방지한다.
또한, 본 발명은 공정시 하우징(110) 내부를 완전히 밀폐시킬 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)는 지지부재(130)를 웨이퍼(W)의 지지를 위한 기능과 함께, 공정시 하우징(110)을 밀폐시키는 기능을 수행하여, 공정시 하우징(110)의 기밀성을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 하우징(110)에 지지부재(130)을 완전히 고정시킬 수 있는 고정부재(150)를 구비한다. 따라서, 기판을 고압 분위기 상태에서 처리하는 공정을 수행하는 경우에 하우징(110) 내 고압에 의해 지지부재(130)의 위치가 변경되는 것을 방지하여, 안정적으로 고압 공정을 수행할 수 있다.
또한, 본 발명은 일정 농도를 만족하는 초임계유체를 안정적으로 생성하여 공정챔버(100)로 공급하는 초임계유체 공급장치(10)를 구비한다. 즉, 초임계유체 공급장치(10)는 처리가스를 가압하여 혼합부재(16)로 공급하는 처리가스 공급부재(12) 및 일정량만큼의 처리액을 혼합부재(16)로 공급하는 처리액 공급부재(14)를 구비함으로써, 일정 농도를 만족하는 초임계유체를 안정적으로 생성한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 공정챔버를 보여주는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 A영역을 확대한 도면이다.
도 5는 도 2에 도시된 B영역을 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 공정챔버를 보여주는 도면이다.
도 6 및 도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정을 보여주는 6순서도이다.
도 8, 그리고 도 9a 내지 도 9f는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 공정 과정들을 설명하기 위한 도면들이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 기판 처리 설비
10 : 초임계유체 공급장치
20 : 공정장치
100 : 공정챔버
110 : 하우징
120 : 배기부재
130 : 지지부재
140 : 구동부재
150 : 고정부재
160 : 감지부재

Claims (8)

  1. 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는, 그리고, 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징과,
    기판을 지지하는, 그리고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재와,
    상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 높은 위치에 위치되는 공정위치 및 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 낮은 위치에 위치되는 대기 위치 상호간에 이동시키는 구동부재와;
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때, 상기 하우징에 상기 지지부재를 물리적으로 고정시키는 고정부재를 포함하되,
    상기 고정부재는,
    상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈에 삽입되는 고정블럭과,
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키는 고정위치 및 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키기 전에 대기시키는 대기위치 상호간에 상기 고정블럭을 이동시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
  2. 삭제
  3. 내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는, 그리고, 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징과,
    기판을 지지하는, 그리고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재와,
    상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 높은 위치에 위치되는 공정위치 및 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 낮은 위치에 위치되는 대기 위치 상호간에 이동시키는 구동부재, 그리고
    상기 지지부재의 기설정된 위치에 기판이 로딩되었는지 여부를 감지하는 감지부재를 포함하되,
    상기 감지부재는,
    상기 하우징의 일측벽에 형성되는 제1 통로에 삽입되는 발광센서와,
    상기 하우징의 타측벽에 형성되는 제2 통로에 삽입되고, 상기 발광센서가 방출하는 발광신호를 수신받는 수신센서를 포함하고,
    상기 발광센서와 상기 수신센서 중 어느 하나의 높이는,
    공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치에 제공되고,
    상기 발광센서와 상기 수신센서 중 다른 하나의 높이는,
    공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 높은 위치에 제공되는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정챔버는,
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때, 상기 하우징에 상기 지지부재를 물리적으로 고정시키는 고정부재를 더 포함하되,
    상기 고정부재는,
    상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈에 삽입되는 고정블럭과,
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키는 고정위치 및 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키기 전에 대기시키는 대기위치 상호간에 상기 고정블럭을 이동시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정챔버.
  5. 기판을 처리하는 설비에 있어서,
    기판 처리 공정을 수행하는 공정챔버와,
    초임계유체를 생성하여 상기 공정챔버로 생성된 초임계유체를 공급하는 초임계유체 공급장치를 포함하되,
    상기 공정챔버는,
    내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는, 그리고, 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징과,
    기판을 지지하는, 그리고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재를 포함하고,
    상기 초임계유체 공급장치는,
    처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재와,
    처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고
    상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되,
    상기 혼합부재는,
    내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 생성용기와,
    상기 생성용기를 가열하는 히터, 그리고
    상기 생성용기 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  6. 기판을 처리하는 설비에 있어서,
    기판 처리 공정을 수행하는 공정챔버와,
    초임계유체를 생성하여 상기 공정챔버로 생성된 초임계유체를 공급하는 초임계유체 공급장치를 포함하되,
    상기 공정챔버는,
    내부에 기판을 처리하는 공정을 수행하는 공간을 제공하는, 그리고, 측벽에 기판 출입구가 제공되고 하부가 개방된 하우징과,
    기판을 지지하는, 그리고 상기 하우징의 개방된 하부에 삽입되는 지지부재와,
    상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 높은 위치에 위치되는 공정위치 및 상기 지지부재의 상부면이 상기 기판 출입구의 높이보다 낮은 위치에 위치되는 대기 위치 상호간에 이동시키는 구동부재, 그리고
    공정시 상기 지지부재의 기설정된 위치에 기판이 로딩되었는지 여부를 감지하는 감지부재를 포함하고,
    상기 감지부재는,
    상기 하우징의 일측벽에 형성되는 제1 통로에 삽입되는 발광센서와,
    상기 하우징의 타측벽에 형성되는 제2 통로에 삽입되고, 상기 발광센서가 방출하는 발광신호를 수신받는 수신센서를 포함하고,
    상기 발광센서와 상기 수신센서 중 어느 하나의 높이는,
    공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 낮은 위치에 제공되고,
    상기 발광센서와 상기 수신센서 중 다른 하나의 높이는,
    공정시 상기 지지부재가 대기위치에 위치되었을 때, 상기 지지부재에 놓여진 기판의 높이보다 높은 위치에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공정챔버는,
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때, 상기 하우징에 상기 지지부재를 물리적으로 고정시키는 고정부재를 더 포함하되,
    상기 고정부재는,
    상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 하우징의 내측면에 형성되는 홈에 삽입되는 고정블럭과,
    상기 지지부재가 상기 공정위치에 위치되었을 때 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키는 고정위치 및 상기 고정블럭을 상기 홈에 삽입시키기 전에 대기시키는 대기위치 상호간에 상기 고정블럭을 이동시키는 구동기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 초임계유체 공급장치는,
    처리가스를 공급하는 처리가스 공급부재와,
    처리액을 공급하는 처리액 공급부재, 그리고
    상기 처리가스 공급부재 및 상기 처리액 공급부재 각각으로부터 처리가스 및 처리액을 공급받는 혼합부재를 포함하되,
    상기 혼합부재는,
    내부에 초임계유체를 생성하는 공간을 제공하는 생성용기와,
    상기 생성용기를 가열하는 히터, 그리고
    상기 생성용기 내 처리가스 및 처리액을 혼합시키는 교반기를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 설비.
KR1020070081337A 2007-08-13 2007-08-13 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비 KR101395251B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081337A KR101395251B1 (ko) 2007-08-13 2007-08-13 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081337A KR101395251B1 (ko) 2007-08-13 2007-08-13 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090016964A KR20090016964A (ko) 2009-02-18
KR101395251B1 true KR101395251B1 (ko) 2014-05-15

Family

ID=40685858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070081337A KR101395251B1 (ko) 2007-08-13 2007-08-13 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101395251B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302526B2 (en) 2019-01-14 2022-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Supercritical drying apparatus and method of drying substrate using the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102075680B1 (ko) 2012-09-13 2020-02-12 세메스 주식회사 기판처리장치 및 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000097886A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Rigaku Industrial Co 蛍光ｘ線分析装置
JP2000234872A (ja) * 1999-02-10 2000-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
KR20050068962A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 웨이퍼스테이지 리프터 업다운 불량 감지장치 및감지방법
KR100497187B1 (ko) 1997-08-07 2005-10-07 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100497187B1 (ko) 1997-08-07 2005-10-07 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치
JP2000097886A (ja) * 1998-09-21 2000-04-07 Rigaku Industrial Co 蛍光ｘ線分析装置
JP2000234872A (ja) * 1999-02-10 2000-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理装置
KR20050068962A (ko) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 웨이퍼스테이지 리프터 업다운 불량 감지장치 및감지방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11302526B2 (en) 2019-01-14 2022-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Supercritical drying apparatus and method of drying substrate using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090016964A (ko) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100654698B1 (ko) 기판의 처리방법 및 그 장치
KR100445259B1 (ko) 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
KR101540409B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
JP4811877B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR101395251B1 (ko) 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비
CN117373950A (zh) 基板处理装置
KR20090130133A (ko) 웨이퍼 무전해 도금을 위한 유체 핸들링 시스템 및 연관된 방법
KR100809590B1 (ko) 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2004235559A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR100839912B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20190057884A1 (en) Cleaning liquid supply unit, substrate treating apparatus including the same, and substrate treating method
KR100889307B1 (ko) 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기설비의 기판 처리 방법
KR100880696B1 (ko) 기판 처리 설비 및 방법
JP4459774B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置およびコンピュータプログラム
KR100923266B1 (ko) 공정챔버 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고 상기설비의 기판 처리 방법
KR100885496B1 (ko) 초임계유체 생성장치, 그리고 이를 구비하는 기판 처리설비 및 방법
KR102081708B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN112582302A (zh) 基板处理方法和基板处理装置
TWI819517B (zh) 用於處理基板之方法及設備
KR100753629B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4536711B2 (ja) 基板処理装置
CN113330535A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US20240162032A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR100904454B1 (ko) 오존수를 사용하는 기판 처리 장치
KR102643103B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170510

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180508

Year of fee payment: 5