KR20010014941A - 휴대 전화를 위한 메모리 시스템 - Google Patents

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Abstract

제어부가 필요로 하는 제어 프로그램 및 대용량의 데이터를 저장하는 화일 스토리지용 플래시 메모리와, 이 제어부가 사용하는 프로그램을 저장하고, 또한 수신 데이터의 버퍼 메모리로서 기능하는 랜덤 액세스 메모리로 메모리 시스템을 구축한다.
고속으로 대용량의 수신 데이터를 기억하고 또한 판독할 수 있는 휴대 전화용의 메모리 시스템이 제공된다.

Description

휴대 전화를 위한 메모리 시스템{MEMORY SYSTEM FOR PORTABLE TELEPHONE}
본 발명은 휴대 전화의 메모리 시스템에 관한 것으로, 특히 대용량의 데이터 신호를 기억할 수 있는 휴대 전화의 메모리 시스템에 관한 것이다.
도 15는 종래의 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 15에 있어서, 종래의 휴대 전화는 안테나(1)를 통해서 고주파 신호를 송수신하기 위한 고주파 회로(2)와, 이 고주파 회로(2)에 결합되어, 기본 주파수에 있어서의 변조 등의 처리를 실행하는 베이스 밴드 처리 회로(3)와, 베이스 밴드 처리 회로(3)에 결합되어, 송수신 신호의 부호화/복호화 등의 음성 신호의 처리를 실행하는 CODEC(코더/디코더) 회로(5)를 포함하는 신호 처리부(4)와, 신호 처리부(4)로부터의 재생 음성 신호를 출력하는 스피커(7)와, 신호 처리부(4)에 송신 음성 신호를 입력하기 위한 마이크(6)를 포함한다.
고주파 회로(2)는 증폭 회로를 포함하고, 송신시에는 베이스 밴드 처리 회로(3)로부터 인가된 신호를 증폭하여, 안테나(1)를 통해서 송신하고, 또한 수신시에는 이 안테나(1)를 통해서 인가되는 고주파 신호로부터 소정의 주파수 대역의 신호를 추출한다.
베이스 밴드 처리 회로(3)는 신호 처리부(4)로부터 인가되는 송신 부호화 신호의 기본 주파수에 있어서의 변조 등을 실행하고, 또한 고주파 회로(2)로부터 인가된 고주파 신호로부터 기본 주파수 영역의 신호를 복조(신장)한다.
신호 처리부(4)는 음성의 부호화 및 복호화를 실행하는 부호/복호화 회로(CODEC)(5)를 포함하여, 송신시에는 마이크(6)로부터 입력된 음성 신호를 부호화하고, 또한 수신시에는 베이스 밴드 처리 회로(3)로부터 인가된 음성 신호를 복호화하여, 스피커(7)를 통해서 출력한다.
종래의 휴대 전화는, 내부 버스(9)에 결합되어, 필요한 정보를 입력하는 키 패드(10)와, 내부 버스(9)에 결합되어, 베이스 밴드 처리 회로(3), 신호 처리부(4) 및 키 패드(10)의 동작을 제어하기 위한 제어부(MPU:마이크로 프로세서 유닛)(8)와, 이 제어부(8)의 동작을 제어하는 프로그램을 저장하는 판독 전용 메모리로서 이용되는 선형 플래시 메모리(11)와, 제어부(8)의 여러가지 처리 작업 영역으로서 사용되는 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)를 더 포함한다.
키 패드(10)는 텐 키 및 온훅 키 등을 포함하여, 필요한 정보를 입력한다.
선형 플래시 메모리(11)는 랜덤 액세스 가능한 불휘발성 메모리이다. 다음에, 이 도 15에 나타내는 휴대 전화의 동작에 대하여, 본 발명과 관련이 있는 메모리 시스템에 중점을 두고 설명한다.
선형 플래시 메모리(11)에는, 제어부(8)를 위한 명령 코드 외에, 이 휴대 전화를 사용하는 사용자 고유의 데이터(전화번호부) 및 과금·접속 정보 또는 음성 데이터(부재중 녹화 기능)을 저장하기 위해서, 8 내지 32 Mb(메가 비트)의 메모리가 사용된다.
키 패드(10)를 조작하여, 송신 또는 수신을 실행하는 통신 모드에 들어가면, 제어부(8)는 선형 플래시 메모리(11)에 저장된 프로그램에 따라서 제어 동작을 행하고, 신호 처리부(4) 및 베이스 밴드 처리 회로(3)가 각각 제어부(8)의 제어하에 소정의 처리 동작을 행하여, 음성 신호의 송신 또는 수신(음성 통보)이 실행된다.
제어부(8)의 동작시, 선형 플래시 메모리(11)에 저장된 명령 코드에 따라서 제어부(8)는 각종 처리를 실행한다. 선형 플래시 메모리(11)는 랜덤 액세스 가능하고, 또한 비교적 고속이며, 제어부(8)가 필요로 하는 명령 코드(처리 프로그램)를 선형 플래시 메모리(11)에 저장함으로써, 제어부(8)는 고속으로 지정된 처리를 실행할 수 있다. 또한, 선형 플래시 메모리(11)는 불휘발성 메모리이고, 판독 전용 메모리(ROM)로서 제어부(8)가 필요로 하는 프로그램 및 재기입 가능한 사용자 고유 정보 등을 기억할 수 있다.
랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)는 고속 메모리이고, 제어부(8)의 처리 동작시, 고속으로 데이터의 송수신 및 데이터의 일시 저장 처리를 제어부(8)와 실행한다.
선형 플래시 메모리(11)는 단일 전원 전압 및 저전압 전원으로 동작 가능하고, 또한 랜덤하게 액세스할 수 있다. 이 선형 플래시 메모리에는 메모리 셀 구조로서, NOR형 셀 및 DINOR(divided bit line NOR)형 셀이 있다.
도 16은 선형 플래시 메모리의 어레이부의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 16에서는, 선형 플래시 메모리의 대표예로서, NOR형 플래시 메모리의 어레이 구조를 나타낸다. 도 16에 있어서, 행렬 형상으로 메모리 셀 MC가 배치된다. 메모리 셀 MC의 각 행에 대응하여 워드선 WL(WL0∼WLm)이 배치된다. 메모리 셀 MC의 각 열에 대응하여 비트선 BL이 배치된다. 도 16에 있어서는 1열로 정렬하여 배치되는 메모리 셀 MC에 대하여 마련되는 비트선 BL을 대표적으로 나타낸다. 메모리 셀 MC의 드레인은 콘택트를 통해서 비트선 BL에 접속되고, 소스는 소스선 SL에 접속된다.
일반적으로, 플래시 메모리에 있어서, 메모리 셀 MC는 콘트롤 게이트와 플로팅 게이트를 갖는 2층 게이트 구조의 하나인 MOS 트랜지스터로 구성된다. 따라서, 하나의 메모리 셀 MC가 1 트랜지스터로 구성되기 때문에, 비트 단가가 낮고, 고밀도 고집적화가 가능하다고 하는 이점을 갖고 있다. 그러나, 도 16에 나타내는 NOR형 플래시 메모리에 있어서는, 메탈 배선으로 형성되는 비트선 BL이 직접 콘택트를 통해서 메모리 셀 트랜지스터의 드레인에 접속되는 구조를 갖고 있기 때문에, 이 메모리 셀과 비트선의 접속을 위한 콘택트 홀이 2개의 메모리 셀에 대하여 1개의 비율로 필요하게 되어, 고집적화의 방해가 되고 있다.
이 NOR형 플래시 메모리의 기록 동작은, 워드선(콘트롤 게이트) WL에 고전압(10 수 볼트)을 인가하고, 소스선 SL을 접지 전압으로 설정하며, 비트선 BL에 수 볼트를 인가하여, 이 메모리 셀 트랜지스터의 채널 영역에 전류를 흘려 보낸다. 이 채널 전류가 드레인 고전계에 의해 가속되어 핫일렉트론(hot electrons)으로 되어, 플로팅 게이트에 주입된다. 이 플로팅 게이트로의 전자의 주입에 의해, 메모리 셀 트랜지스터의 임계값 전압이 상승하여 기록이 행하여진다. 핫일렉트론의 주입에 의해 기록을 실행하기 위해서, 기록시에 메모리 셀에 전류를 흘려 보낼 필요가 있으며, 따라서, 통상 소비 전류의 관점에서 바이트 단위로의 기록이 실행된다.
한편, 소거 동작시에는 수K 내지 64K 바이트의 블럭 단위의 셀에 대하여 워드선(콘트롤 게이트)에 0V, 소스선 SL에 약 10V를 인가한다. 비트선 BL은 플로팅 상태로 설정된다. 이 상태에 있어서, 파울러-노르드하임 터널링(Fowler-Nordheim tunneling) 현상에 의해, 플로팅 게이트로부터 소스에 터널링 전류가 흐르고, 플로팅 게이트로부터 전자가 방출되어, 메모리 셀 트랜지스터의 임계값 전압이 저하한다.
상술한 바와 같이, NOR형 플래시 메모리에 있어서는, 기록은 바이트 단위로 가능하지만, 소거 동작은 소스선 SL이 공통으로 마련되어 있는 블럭 단위로 실행되고, 예컨대 64K 바이트의 기억 용량의 블럭 단위로 소거가 실행된다. 따라서, 임의의 기록 데이터를 재기입하는 경우, 그 데이터를 포함하는 블럭에 대하여 소거할 필요가 있다. 이 때문에, 소거 대상 블럭내의 유효 데이터를 일단 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)에 일시적으로 저장시킬 필요가 있다. 이 저장 블럭은, 예컨대 64K 바이트의 기억 용량을 갖고 있으며, 이 재기입을 위한 일시 저장용 메모리의 기억 용량이 커진다고 하는 문제가 있다. 또한, 이 유효 데이터만을 일시적으로 저장시킴으로써, 유효 데이터 영역을 관리할 필요가 있으며, 메모리 관리가 번잡해진다고 하는 결점이 있다.
또한, 이 선형 플래시 메모리는 액세스 시간이 70ns(나노세컨드) 내지 120ns 정도로, 제어부(8)의 동작 속도에 비해서 그 액세스 시간이 길다. 이 제어부(8)가, 예컨대 W-CDMA(광대역 부호 분할 다원 접속) 방식 등의 고속 통신 모드로 동작하는 경우, 선형 플래시 메모리(11)로의 액세스(명령 코드의 판독)에 장시간을 요하여, 고속 처리를 실행할 수 없게 된다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 이 선형 플래시 메모리가 NOR형 플래시 메모리로 구성되는 경우, 도 16에 도시하는 바와 같이, 2개의 메모리 셀 MC에 대하여 비트선 BL로의 콘택트를 마련할 필요가 있으며, 고집적화에도 한도가 있다. 따라서, 고속 통신 서비스에서의 대량의 데이터를 저장하기 위해서 기억 용량을 크게 한 경우, 그 칩 면적이 비교적 커지게 되어, 비용의 증가 및 휴대 전화의 소형화에 대한 장해가 된다고 하는 문제가 있었다.
본 발명의 목적은 비용 및 실장 면적을 증가시키는 일없이 대량의 음성 신호/데이터를 기억할 수 있는 휴대 전화용의 메모리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고속으로 데이터 전송을 실행할 수 있는 휴대 전화를 위한 메모리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명은 요약하면, 선형 플래시 메모리 대신에, 화일 스토리지용 플래시 메모리를 이용하는 것이다.
즉, 본 발명에 관한 휴대 전화의 메모리 시스템은, 신호 송수신부의 송수신 동작을 제어하기 위한 제어부의 작업 영역을 부여하는 랜덤 액세스 메모리와, 제어부를 위한 프로그램 코드 및 제어부의 제어하에 적어도 송수신 데이터를 불휘발적으로 저장하기 위한 화일 스토리지용 플래시 메모리를 구비한다.
화일 스토리지용 플래시 메모리는, NAND형 플래시 메모리 또는 AND형 플래시 메모리로 구성되어, 선형 플래시 메모리에 비해서 고속 액세스 가능하며 또한 메모리 셀의 점유 면적이 작아, 대기억 용량의 메모리를 점유 면적을 증대시키는 일없이 실현할 수 있다.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적, 특징, 국면 및 이익 등은 첨부 도면을 참조로 하여 설명하는 이하의 상세한 실시예로부터 더욱 명백해질 것이다.
도 1은 화일 스토리지용 플래시 메모리의 메모리 셀 구조를 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 4는 도 3에 나타내는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 기억 영역의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 6a는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 핀 배치를 개략적으로 나타내고, 도 6b는 도 6a에 나타내는 단자군(22)으로의 신호의 인가 순서를 개략적으로 도시한 도면,
도 7은 선형 플래시 메모리의 핀 배치를 개략적으로 도시한 도면,
도 8은 도 4에 나타내는 버스 변환 회로의 기능을 개략적으로 도시한 도면,
도 9는 본 발명의 실시예 3에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 실시예 3의 카드 접속의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 11은 도 10에 나타내는 인터페이스 회로가 기억하는 관리 소프트웨어의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 12는 도 11에 나타내는 관리 소프트웨어의 데이터 화일 관리의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 13은 본 발명의 실시예 3의 변경예의 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 14는 본 발명의 실시예 4에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 15는 종래의 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면,
도 16은 도 15에 나타내는 선형 플래시 메모리의 메모리 셀 구조를 개략적으로 도시한 도면.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 안테나 2 : 고주파 회로
3 : 베이스 밴드 처리 회로 4 : 신호 처리부
5 : CODEC(코더/디코더) 회로 6 : 마이크
7 : 스피커 8 : 제어부
9 : 내부 버스 10 : 키 패드
11 : 선형 플래시 메모리 12 : 랜덤 액세스 메모리(RAM)
13 : 화일 스토리지용 플래시 메모리 14 : 신장 회로
15 : 디스플레이 16 : 오디오 출력 단자
17 : 헤드폰
18 : 마스크 ROM(판독 전용 메모리) 19 : 버스 변환 회로
21 : 제어 신호 단자군 21a : 제어 신호 버스
22 : 데이터/어드레스 신호 단자군 22a : 데이터/어드레스 버스
23 : 제어 신호 단자군 23a : 제어 버스
24 : 어드레스 신호 단자군 24a : 어드레스 버스
25 : 입출력 데이터 단자군 25a : 데이터 버스
30 : 메모리 카드 31 : 인터페이스 회로
33 : DOSFAT 화일 시스템
이하, 본 발명의 일 실시예에 따른 통신 장치에 대하여, 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
(실시예 1)
도 l은 본 발명에 있어서 이용되는 화일 스토리지용 플래시 메모리인 AND형 플래시 메모리의 어레이부의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이 AND형 플래시 메모리의 어레이부는, 행렬 형상으로 배열되는 메모리 셀 MC를 포함한다. 메모리 셀 MC는 NOR형 플래시 메모리와 마찬가지로, 콘트롤 게이트 및 플로팅 게이트의 2층 게이트형 MOS 트랜지스터로 구성된다. 메모리 셀의 행에 대응하여 워드선 WL(WL0 … WLm)이 배치되고, 메모리 셀 MC의 열에 대응하여 메인 데이터선 MDL이 배치된다. 1열로 정렬하는 메모리 셀 MC는 소정수마다 메모리 유닛(AND 유닛)으로 분할된다. 이 하나의 AND 유닛의 메모리 셀에 대하여, 서브 데이터선 SDL 및 서브 소스선 SSL이 배치된다. 이들 서브 데이터선 SDL 및 서브 소스선 SSL은 각각 확산층으로 구성되어, 메모리 셀 MC의 드레인 및 소스를 각각 공통으로 접속한다. 서브 데이터선 SDL은 드레인측 선택 트랜지스터 ST1을 통해서 메인 데이터선 MDL에 접속되고, 서브 소스선 SSL은 소스측 선택 트랜지스터 ST2를 통해서 메인 소스선 MSL에 접속된다. 드레인측 선택 트랜지스터 ST1 및 소스측 선택 트랜지스터 ST2는, 각각 선택 신호 øDS 및 øSS에 응답하여 도통한다.
이 도 1에 나타내는 AND형 플래시 메모리에 있어서, 소거 동작은 워드선 WL에 소거 전압을 인가하여, 메모리 셀 MC의 소스 및 드레인을 플로팅 상태로 설정한다. 기판 영역은 접지 전압 레벨로 설정되어 있다. 이 상태에 있어서는, 기판 영역(웰)으로부터 플로팅 게이트로 FN(파울러-노르드하임) 터널링 전류가 흘러, 메모리 셀 트랜지스터의 임계값 전압이 높아진다.
한편, 기록 동작시에 있어서는 서브 소스선 SSL을 플로팅 상태로 설정하여, 서브 데이터선 SDL에 소정의 기록 전압을 인가하고, 콘트롤 게이트(워드선)에 별도의 기록 전압을 인가한다. 이 상태에 있어서는, 플로팅 게이트로부터 드레인으로 FN 터널링 전류가 흐르고, 플로팅 게이트의 전자가 방출되어, 이 메모리 셀 트랜지스터의 임계값 전압이 저하한다.
AND형 플래시 메모리에 있어서는, 서브 데이터선 SDL과 서브 소스선 SSL 사이에 병렬로 메모리 셀 MC가 접속되고, 도 16에 나타내는 NOR형 플래시 메모리와 마찬가지의 병렬 접속 구성이다. 그러나, 이 AND형 플래시 메모리에 있어서는, 서브 데이터선 SDL 및 서브 소스선 SSL은, 전술한 바와 같이 확산층으로 형성되어 있으며, 메모리 셀 MC와 서브 데이터선 SDL 및 서브 소스선 SSL 사이의 콘택트는 존재하지 않아, 「의사 콘택트레스 구조(pseudo contactless structure)」가 채용되고 있다. 단지, 드레인측 선택 트랜지스터 ST1을 메인 데이터선 MDL에 접속하기 위한 콘택트를 필요로 할 뿐이고 따라서, 콘택트 영역의 면적이 NOR형 플래시 메모리에 비해 대폭 저감되어, 보다 높은 집적도를 얻을 수 있다.
또한, AND형 플래시 메모리에 있어서는 데이터선 및 소스선 양자가 계층화되어 있다. 서브 데이터선 SDL 및 서브 소스선 SSL이 각각, 드레인측 선택 트랜지스터 ST1 및 소스측 선택 트랜지스터 ST2를 통해서 메인 데이터선 MDL 및 메인 소스선 MSL에 접속된다. 따라서, 선택되는 메모리 셀 유닛(AND 유닛)과 데이터선을 완전히 일대일의 관계로 할 수 있어, 예컨대 워드선 단위로의 기록 및 소거를 실행하는 것이 가능해지고, 기록 및 소거의 단위를 완전히 일치시킬 수 있어(디스터번스(disturbance)의 영향이 발생하지 않음), 작은 블럭 사이즈(512 바이트 내지 2K 바이트)로의 기록 및 소거를 실현하는 것이 가능해진다.
또한, AND형 플래시 메모리에 있어서는, 메모리 셀 MC이 병렬로 접속되어 있어, 데이터 판독시에 메인 데이터선 MDL에 있어서 하나의 메모리 셀 MC를 통해서 전류가 흐를 뿐이며, 이 판독 전류를 충분히 크게 할 수 있어, 고속으로 랜덤 판독을 실행할 수 있다.
또한, AND형 플래시 메모리에 있어서는, 메모리 셀 MC의 임계값 전압을 복수 레벨로 설정하고, 하나의 셀에 2 비트의 정보를 저장하는 다치 셀 기술이 다른 방식의 플래시 메모리에 선행하여 실현되고 있어, 칩면적을 증대시키는 일없이 기억 용량을, 예컨대 선형 플래시 메모리의 4 내지 8배로 크게 할 수 있다.
도 2는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 2에 있어서, 메모리 어레이는 복수의 섹터 S#0∼S#N으로 분할된다. 이들 섹터 S#0∼S#N에 공통으로 데이터 레지스터 DR이 마련된다. 이 데이터 레지스터 DR은 1섹터 S#의 데이터를 저장할 수 있다. 데이터 레지스터 DR은 클럭 신호 SC에 따라서 데이터의 입출력을 실행한다. 섹터 어드레스 SA에 따라서 선택된 섹터 S#(도 2에 있어서는 섹터 S#I)의 데이터가 데이터 레지스터 DR에 전달된다. 데이터 레지스터 DR에 있어서는, 도시하지 않은 컬럼 어드레스 신호 CA가 지정하는 위치로부터 클럭 신호 SC에 따라서 데이터가 시리얼하게 판독된다. 따라서, 선두 데이터의 판독에는 시간이 걸리지만, 이후에는 클럭 신호 SC에 따라서 데이터의 판독이 행하여지기 때문에, 고속 판독이 가능해진다. 도 1 및 도 2에 나타내는 화일 스토리지용 플래시 메모리를 본 발명에서는 이용한다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3에 있어서, 본 발명의 실시예 1에 따른 휴대 전화는, 안테나(1)를 통해서 데이터 신호 및 음성 신호의 송수신을 실행하기 위한 고주파 회로(2)와, 이 고주파 회로(2)에 결합되어, 기본 주파수에 있어서의 변조 등의 처리를 실행하는 베이스 밴드 처리 회로(3)와, 음성 신호의 부호화/복호화 및 수신 데이터 신호의 신장 처리 등이 필요한 처리를 실행하는 신호 처리부(4)와, 신호 처리부(4)로부터의 재생 음성 신호를 출력하는 스피커(7)와, 음성 신호를 입력하여 신호 처리부(4)에 인가하는 마이크(6)를 포함한다.
본 발명에 따른 휴대 전화에 있어서는, 휴대용 정보 단말 기기로서 이용하기 위해서, 공급자로부터 인가되는 음성 데이터 신호 및 화상 데이타 신호를 수신한다. 신호 처리부(4)에는 통상의 마이크(6) 및 스피커(7)를 통해서 입출력되는 음성 신호의 부호 및 복호 처리를 실행하기 위한 부호/복호화 회로(CODEC)(5)에 덧붙여, 이 인터넷으로부터의 정보를 신장 처리하여 재생하기 위한 신장 회로(14)가 마련된다. 신장 회로(14)는 디스플레이(15) 및 오디오 출력 단자(16)에 결합된다. 오디오 출력 단자(16)에는 헤드폰(17)이 접속된다. 즉, 문자/화상 데이타는 디스플레이(15)상에 표시되고, 또한 음악 등의 음성 데이터가 오디오 출력 단자(16)를 통해서 출력된다.
본 발명에 따른 휴대 전화는, 조작 정보 등을 입력하기 위한 키 패드(10)와, 이 키 패드(10)로부터 인가되는 정보에 따라서 필요한 처리를 실행하는 제어부(MPU)(8)와, 이 제어부(8)의 각종 처리의 실행시에 있어서의 작업 영역으로서 사용되는 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)와, 화상 및 음악 데이터 등의 인터넷 정보를 저장함과 동시에, 제어부(8)의 동작을 제어하기 위한 프로그램 정보를 저장하는 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를 더 포함한다. 키 패드(10), 제어부(8), 랜덤 액세스 메모리(12), 화일 스토리지용 플래시 메모리(13), 베이스 밴드 처리 회로(3) 및 신호 처리부(4)가 내부 버스(9)에 결합된다.
제어부(8)는 내부에 마스크 ROM(판독 전용 메모리)(18)을 포함하고, 전원 투입시에 있어서의 동작을 제어하기 위한 파워 온 리셋 처리 프로그램을 이 ROM(18)에 저장한다.
도 4는 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)의 데이터 저장 영역을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 4에 있어서, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는, 제어부(8) 고유의 프로그램 정보를 저장하기 위한 기억 영역 BK#0과, 추가 기능 등을 실현하기 위한 프로그램 정보를 저장하기 위한 기억 영역 BK#1과, 휴대 전화기를 사용하는 개인 사용자의 고유 정보를 저장하기 위한 기억 영역 BK#2과, 인터넷으로부터의 대량의 데이터 등을 저장하기 위한 자유 기억 영역 BK#3을 포함한다. 기억 영역 BK#0에 있어서는 OS 등의 필요 최소한의 프로그램 정보가 저장된다.
기억 영역 BK#1에 있어서의 프로그램 정보는, 예컨대 휴대 전화 메이커가, 휴대 전화기의 추가 기능을 실현하기 위한 애플리케이션 프로그램 등을 포함한다. 기억 영역 BK#2에 기억되는 개인 고유 정보로서는, 개인 사용자의 등록 전화 번호(전화번호부), 과금 및 접속 정보가 있다. 기억 영역 BK#3은 비교적 큰 기억 용량을 갖고, 예컨대 인터넷의 공급자로부터의 화상 데이타 및 음성 데이터 등을 저장한다.
이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는 고속 랜덤 판독이 가능하지만, 실질적으로 시리얼 액세스 메모리이다. 이 휴대 전화기에 있어서의 처리에 있어서는, 명령 및 연산 처리 등의 실행시에, 워킹 에어리어로서는, 예컨대 SRAM(스태틱 랜덤 액세스 메모리)으로 구성되는 RAM(12)을 이용하기 위해서, 특히, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를 이용하더라도, 그 시리얼 액세스가 처리 동작에 큰 영향을 미치는 일은 없다. 다음에 동작에 대하여 간단히 설명한다.
도 3에 나타내는 휴대 전화가, 키 패드(10)에 포함되는 전원키의 조작에 의해 전원 투입되면, 제어부(8)는 마스크 ROM(18)에 저장된 파워 온 리셋 처리 루틴을 실행한다. 이 파워 온 리셋 처리에 있어서는, 내부 버스(9)에 접속되는 각 기능 블럭(베이스 밴드 처리 회로 및 신호 처리부(3) 등)의 자기 진단 처리와, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 저장되는 제어부(8)의 동작을 제어하기 위한 소프트웨어 코드(도 4에 나타내는 기억 영역 BK#0 또는 BK#1에 저장되는 프로그램)의 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)로의 전송 처리가 실행된다.
이 파워 온 리셋 처리에 의해, 소프트웨어 코드의 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)로부터 랜덤 액세스 메모리(12)로의 전송 처리가 종료되면, 그 이후, 제어부(8)는 이 랜덤 액세스 메모리(12)를 명령 메모리로서 이용하여 처리를 실행한다. 예컨대, 키 패드(10)로부터 입력되는 조작 지시 또는 기지국으로부터의 프레임 수신 데이터에 따라서, 이 랜덤 액세스 메모리(12)로부터 소프트웨어 코드를 순차적으로 판독하여, 요구된 각종 처리를 실행한다.
랜덤 액세스 메모리(12)는, 예컨대 SRAM이고, 선형 플래시 메모리의 액세스 시간보다 수배 정도 고속이며, 종래와 같이 선형 플래시 메모리를 명령 메모리로서 소프트웨어 코드의 판독 실행을 하는 경우에 비해서, 이 제어부(8)의 처리 속도를 높게 할 수 있다. 또한, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는, 시리얼 액세스 메모리로서, 클럭 신호에 따라서 데이터(소프트웨어 코드)를 차차 판독할 수 있고, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)로부터 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)로의 데이터 전송도 고속으로 실행할 수 있다.
또한, 랜덤 액세스 메모리(12)에 소프트웨어 코드를 전송하여, 제어부(8)의 명령 메모리로서 이 랜덤 액세스 메모리(12)를 이용하고 있기 때문에, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)의 시리얼 액세스 동작이, 프로그램 실행시에 발생하는 랜덤 액세스에 대하여 아무런 악영향을 미치지 않는다(랜덤 액세스 메모리(12)가 그 랜덤 액세스 동작을 담당하기 때문임).
통상의 통화시에 있어서는, 제어부(MPU)(8)의 제어하에, 안테나(1) 및 고주파 회로(2), 신호 처리부(4)에 포함되는 부호/복호화 회로(코덱)(5)에 의해 복호화되고, 재생 아날로그 음성 신호가 생성되어, 스피커(7)로부터 출력된다. 한편, 송신해야 할 음성 신호는, 마이크(6)로부터 신호 처리부(4)의 부호/복호화 회로(CODEC)(5)에 인가되어, 소정의 포맷에 따른 부호화 처리가 행하여져, 송신 데이터(디지탈 신호)로 변환된 후, 베이스 밴드 처리 회로(3)에 의해 소정의 변조 처리 등이 실행되고, 이어서 고주파 회로(2)에 포함되는 증폭기에서 증폭된 후 안테나(1)를 통해서 송출된다. 또한, 일시적으로 음성 신호를 축적한 후, 소정의 시간 경과후 송신하는 경우의 이 음성 신호는, 신호 처리부(4)를 거쳐서 스토리지 화일용 플래시 메모리(13)에 저장된다.
인터넷 접속 등의 데이터 통신시에 있어서는, 키 패드(10)로부터의 입력 정보 및 기지국으로부터의 전송 제어 신호에 따라서, 제어부(8)가, 스토리지 화일용 플래시 메모리(13)에 저장된 소정의 애플리케이션 또는 제어 코드를 랜덤 액세스 메모리(12)에 판독하여, 필요한 처리를 적절하게 실행한다. 인터넷의 공급자로부터 인가되는 화상 또는 음악 등의 수신 데이터는, 필요한 경우(예컨대, 후에 화상 재생하는 경우), 신호 처리부(4)를 통해서 일단 랜덤 액세스 메모리(12)에 저장된다. 이 랜덤 액세스 메모리(12)로의 데이터 저장시에는, 수신 데이터 그대로의 압축 데이터로서 저장된다. 랜덤 액세스 메모리(12)에 저장된 후, 순차적으로 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 수신 데이터가 저장된다. 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 저장(다운로드)된 화상 및 음악 등의 압축 데이터(인터넷 정보)는, 필요한 때에 신호 처리부(4)에 인가되고, 신장 회로(14)에 의해 신장 처리가 실시되어, 압축 데이터가 본래의 재생 데이터로 변환된다. 이 신장 회로(14)로부터의 재생 데이터는, 화상 데이타(문자 데이터를 포함한다)인 경우에는, 디스플레이(15)상에 표시되고, 음성 데이터의 경우에는, 오디오 출력 단자(16)에 접속되는 헤드폰(17)에 의해 재생된다.
인터넷의 공급자로부터 인가되는 데이터는 화상 데이타 및 음성 데이터 모두 시계열적인 데이터이다. 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)에 일단 수신 데이터를 저장함으로써, 인터넷으로부터의 데이터 전송 속도에 따라서 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)에 데이터를 저장할 수 있다. 즉, 랜덤 액세스 메모리(12)를, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)의 동작 속도와 인터넷으로부터의 데이터 전송 속도의 조정을 실행하기 위한 버퍼 메모리로서 이용한다. 랜덤 액세스 메모리(12)로부터 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에는, 수신 데이터(기지국으로부터의 전송 제어 신호)에 따라서 시리얼하게 데이터가 저장된다. 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는, 시리얼 액세스시 고속으로 데이터의 기록을 실행할 수 있다. 랜덤 액세스 메모리(12)는 단지 버퍼 메모리로서 이용될 뿐, 큰 기억 용량은 요구되지 않는다.
이상과 같이, 실시예 1에 있어서는, 비트 단가가 낮은 대기억 용량의 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)가 제어부(8)에 접속된다. 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 제어부(8)의 제어용 소프트웨어 코드를 저장한다. 전원 투입시의 파워 온 리셋 처리시에, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)로부터 고속 액세스 가능한 랜덤 액세스 메모리(12)에, 제어부(8)의 제어 소프트웨어 코드를 전송한다. 그 다음, 제어부(8)가 랜덤 액세스 메모리(12)로부터 제어 소프트웨어 코드를 판독하면서, 필요한 처리를 실행한다. 한편, 인터넷 접속시 등과 같이 대용량의 데이터 수신시에는, 필요한 경우, 랜덤 액세스 메모리(12)를 버퍼 메모리로서 이용하여, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 수신 데이터를 저장하고 있다. 따라서, 제어부(8)는 고속의 랜덤 액세스 메모리(12)에 액세스하여 처리를 실행함으로써, 고속 처리가 가능해지고, 또한 화상 및 음악 등 대용량의 수신 데이터를 수신할 수 있는 인터넷 단말로서 사용 가능한 휴대 전화 장치를 염가에 실현할 수 있다.
(실시예 2)
도 5는 본 발명의 실시예 2에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이 도 5에 나타내는 휴대 전화에 있어서는, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는 버스 변환 회로(19)를 통해서 내부 버스(9)에 결합된다. 다른 구성은 도 3에 나타내는 구성과 동일하며, 대응하는 부분에는 동일 참조 번호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
이 버스 변환 회로(19)는 내부 버스(9)상에 있어서의 어드레스 버스 및 제어 버스를 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 적합한 버스 형식으로 변환한다.
도 6a는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 외부 단자의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 도 6a에 있어서, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리는, 제어 신호를 수신하는 제어 신호 단자군(21)과, 데이터 및 어드레스 신호를 수신하는 데이터/어드레스 신호 단자군(22)을 포함한다. 제어 신호 단자군(21)에는 칩 인에이블 신호, 출력 인에이블 신호 및 라이트 인에이블 신호 및 커맨드 인에이블 신호 등의 신호가 인가된다. 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 있어서는, 동작 모드는 커맨드의 형태로 인가된다. 도 6b에 도시하는 바와 같이, 단자군(22)에는 커맨드가 인가되어 동작 모드가 지정된다. 이어서, 단자군(22)으로의 섹터 어드레스 SA1 및 SA2에 의해 액세스해야 할 섹터가 지정된다. 이어서, 데이터 기록시에 있어서는 단자군(22)에 기록 데이터가 인가되고, 또한 데이터 판독시에는 판독 데이터가 단자군(22)으로부터 출력된다. 이 때, 시리얼 액세스의 선두 열 어드레스를 지정하는 컬럼 어드레스가 단자군(22)에 인가되어도 된다.
단자군(22)에는 상술한 바와 같이, 커맨드, 섹터 어드레스, 컬럼 어드레스 및 데이터가 시분할적으로 인가된다. 한편, 선형 플래시 메모리는, 도 7에 그 핀 배치를 개략적으로 도시하는 바와 같이, 제어 신호 CATL을 수신하는 제어 신호 단자군(23)과, 어드레스 신호 AD를 수신하는 어드레스 신호 단자군(24)과, 기록/판독 데이터 DQ를 입출력하는 입출력 데이터 단자군(25)을 포함한다. 어드레스 신호 AD와 입출력 데이터 DQ는 각각의 단자군을 통해서 인가된다. 기록/소거 동작은 데이터 입출력 단자군(25)에 기록 또는 소거 커맨드를 부여함으로써 실행된다. 이 선형 플래시 메모리에 있어서는, 데이터 기록시에 커맨드가 인가된 후, 어드레스 신호와 기록 데이터가 병렬로 인가된다. 데이터 판독시에 있어서는, 어드레스 신호를 인가하고, 제어 신호를 판독 모드 상태로 설정함으로써, 어드레스 신호에 따라서 데이터가 출력된다.
따라서, 이 선형 플래시 메모리(11)와 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는 핀 배치가 상이하며, 따라서 버스의 배치가 상이하고, 또한 커맨드의 인가 방식도 상이하다. 그러므로, 버스 변환 회로(19)에 의해 버스의 접속 및 커맨드의 변환을 실행한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 버스 변환 회로(18)는 내부 버스(9)에 포함되는 제어 버스(23a), 어드레스 버스(24a) 및 데이터 버스(25a)를, 각각 제어 신호 버스(21a) 및 데이터/어드레스 버스(22a)로 변환한다. 내부 버스(9)에 있어서 각각의 버스(24a 및 25a)를 통해서 전달되는 어드레스 신호 AD 및 데이터 DQ가, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)의 핀 배치에 대응하기 위해서, 어드레스/데이터 버스(22a)에 시분할적으로 결합한다. 제어 버스(23a)상의 제어 신호 CATL은 제어 버스(21a) 상에 전달된다.
이 버스 변환 회로(18)를 이용함으로써, 제어부(8)는 통상의, 어드레스 버스와 데이터 입출력 버스가 별도로 마련되는 선형 플래시 메모리 및 랜덤 액세스 메모리(12)와 마찬가지로 제어를 하여 액세스할 수 있다. 이 버스 변환 회로(18)는 버스의 변환 기능 및 이 시분할 형태에서의 신호의 데이터 송수신을 실행한다. 이러한 버스 변환 회로(18)를 이용함으로써, 제어부(8)는 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)의 핀 배치 및 시리얼 액세스에 근거하는 특이성을 그다지 의식하는 일 없이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 액세스할 수 있다. 즉, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를, 예컨대 HDD(hard disk drive)의 표준 인터페이스 사양인 ATA{AT attachment[IDE(Integrated Device Electronics)]} 인터페이스를 갖는 기억 장치로서 제어할 수 있다.
또, 이 경우, 일반적으로 보급하고 있는 버스 변환 회로의 인터페이스로서, PCMCIA(Personal Computer Memory Card International Association)가 책정한 PCMCIA-ATA 사양이 이용되어도 되고, 또한 여러가지 플래시 EEPROM(플래시 메모리)에 고유의 재기입 알고리즘 코드로 구성되는 소프트웨어 모듈인 MTD(Memory Technology Driver)를 이용하여 플래시 메모리로의 액세스가 행하여지더라도 무방하다. 또한, 버스 변환 회로(19)가 커맨드의 변환 기능을 가지고 있어도 된다. 선형 플래시 메모리 이용시와 화일 스토리지용 플래시 메모리 이용시의 제어부(8)의 동작상의 차를 가능한 한 없애고, 제어부(8)의 사양 변경(프로그램의 변경)을 될 수 있는 한 적게 한다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예 2에 따르면, 화일 스토리지용 플래시 메모리와 내부 버스의 사이에 버스의 접속을 변경하는 버스 변환 회로를 마련하였기 때문에, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리의 고유의 특징을 의식하는 일 없이, 제어부는 화일 스토리지용 플래시 메모리에 액세스할 수 있고, 플래시 메모리 관리 소프트웨어를 대폭 변경하는 일 없이, 이 화일 스토리지용 플래시 메모리로의 액세스가 가능해진다.
(실시예 3)
도 9는 본 발명의 실시예 3에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이 도 9에 나타내는 휴대 전화에 있어서는, 버스 변환 회로(19) 및 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)가 메모리 카드(30)로서 일체화된다. 다른 구성은 도 5에 나타내는 구성과 동일하며, 대응하는 부분에는 동일 참조 번호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.
이 메모리 카드(30)는 휴대 전화와 착탈 가능하고, 휴대 전화의 도시하지 않은 커넥터를 통해서 내부 버스(9)에 결합된다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 메모리 카드(30)와 휴대 전화(내부 버스(9)) 사이의 인터페이스 회로(31)를, PC 카드 스탠다즈 준거 또는 보다 소형화된 콤팩트 플래시 사양 준거 또는, 그 밖의 보다 소형화된 카드 사양 준거로 한다. 또한, 메모리 카드(30)내에 포함되는 화일 스토리지용 플래시 메모리의 저장 데이터를, 퍼스널 컴퓨터 등에서 일반적으로 사용되는 화일 포맷으로 한다.
도 11은 제어부(8)의 플래시 메모리 관리 소프트웨어의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 인터페이스 회로(31)를 제어하는 플래시 메모리 관리 소프트웨어는, 데이터의 입출력을 제어하기 위한 디스크 오퍼레이팅 시스템(DOS)과, 디스크의 화일의 어드레스 할당을 테이블 형태로 저장하는 DOSFAT 화일 시스템(33)을 포함한다.
이 DOSFAT 화일 시스템은 하드 디스크 등의 디스크 장치의 화일 어드레스를 관리한다. 이 DOSPAT 화일 시스템(33)을 이용하여, 메모리 카드(30)의 화일 스토리지용 플래시 메모리의 저장 데이터를 화일화한다.
즉, 도 12에 도시하는 바와 같이, 인터넷 접속시에 있어서 수신 데이터가, 클러스터 #0, #1, #2,…의 형태로 전송된다(또는 패킷 형태이어도 됨). 클러스터 #0, #1, #2, …에 대하여 각각 화일명 및 논리 섹터 어드레스를 부여한다. 이 화일명 및 논리 섹터 어드레스를 화일 스토리지용 플래시 메모리의 섹터 어드레스(및 컬럼 어드레스)에 대응시킨다. 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)에 있어서는, 클러스터 단위로 데이터가 섹터에 대응지워 저장되고, 그 어드레스 영역이 클러스터 단위로 섹터 어드레스와 대응지워 DOSFAT 화일 시스템(33)에 의해 관리된다.
DOSFAT 화일 시스템(33)은 통상의 퍼스널 컴퓨터에 있어서 이용되는 외부 기억 장치에 대한 인터페이스 사양이다. 따라서, 메모리 카드(30)에 대한 인터페이스 사양을 화일 포맷 사양으로 하여, 화일 스토리지용 플래시 메모리의 기억 데이터를 관리하고 있기 때문에, 휴대 전화로 수신한 인터넷의 공급자로부터 인가되는 화상 및 음악 데이터를 퍼스널 컴퓨터 등의 기기와 송수신할 수 있다. 즉, 퍼스널 컴퓨터에 의해, 휴대 전화에 의해 저장된 화상 또는 음악 데이터를 취입 가공하고, 또한 퍼스널 컴퓨터에 의해 다운로드 혹은 작성한 화상 및 음악 데이터를 메모리 카드(30)에 저장한 다음, 메모리 카드(30)를 휴대 전화 장치에 접속함으로써, 휴대 전화에 의해 화상 또는 음악 데이터의 재생 및 이들 데이터의 전송을 실행할 수 있다.
또, 상기한 실시예에 있어서는, DOSFAT 화일 시스템(33)이 이용되고 있지만, 플래시 메모리를 위한 플래시용 화일 시스템(FFS)이 이용되어도 되고, 또한 이 플래시용 화일 시스템이 전술한 MTD와 조합하여 이용되어도 무방하다.
또, 이들 플래시 관리용의 소프트웨어는 인터페이스 회로(31)에 준비되지 않아, 카드 접속시, 제어부(8)가 ROM(18)으로부터의 루틴에 따라서 플래시 메모리(13)로부터 판독하여 랜덤 액세스 메모리(12)에 저장하더라도 무방하다.
(변경예)
도 13은 본 발명의 실시예 3의 변경예의 구성을 도시한 도면이다. 이 도 13에 나타내는 구성에 있어서는, 메모리 카드(35)는 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)만을 포함한다. 메모리 카드(35)는 버스 변환 회로(19)를 포함하는 어댑터(40)를 통해서 내부 버스(9)에 결합된다. 이 경우, 메모리 카드(35)는 어댑터(40)와 착탈 가능하고, 또한 어댑터(40)는 휴대 전화 본체에 내장하여도 되고, 또한 휴대 전화와 착탈 가능하게 하여도 된다. 인터페이스 사양은 위에서 설명한 구성과 동일하다.
이 도 13에 나타내는 구성의 경우, 메모리 카드(35)는 퍼스널 컴퓨터의 슬롯 및 휴대 전화의 슬롯 양자에 적합시킬 필요는 없다. 어댑터(40)에 의해, 이 메모리 카드(35)의 핀 단자 등의 접속을 조정하여, 퍼스널 컴퓨터 등의 다른 기기와의 호환성을 유지한다. 퍼스널 컴퓨터의 규격에 맞춘 메모리 카드(35)를 이용하여, 휴대 전화를 인터넷 등의 휴대 정보 단말 기기로서 이용할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예 3에 따르면, 화일 스토리지용 플래시 메모리를 메모리 카드로서 휴대 전화와 착탈 가능하게 하고, 그 인터페이스 사양을 표준 사양에 준거시켜, 화일 포맷화한 데이터를 저장하도록 구성하고 있기 때문에, 퍼스널 컴퓨터와의 데이터 송수신도 용이하게 되고, 보다 용도가 넓은 정보 휴대 단말 기기를 실현할 수 있다.
(실시예 4)
도 14는 본 발명의 실시예 4에 따른 휴대 전화의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다. 이 도 14에 나타내는 구성에 있어서는, 제어 유닛(45)은 MPU 코어(제어부)(8), 버스 변환 회로(19), 랜덤 액세스 메모리(12) 및 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를 일체적으로 포함한다. MPU 코어(8)는 전원 투입시의 초기화 동작을 실행하는 루틴을 저장하는 판독 전용 메모리(ROM)(18)를 포함한다.
이 도 14에 나타내는 구성에 있어서는, 제어 유닛(45)은 MPU 코어(8), 랜덤 액세스 메모리(12) 및 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를 일체적으로 포함하고 있고, 버스 변환 회로(19) 및 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)는 MPU 코어(8)의 내부 버스에 결합된다. 이 경우, 제어 유닛(45)은 도시하지 않은 인터페이스 회로를 통해서 내부 버스(9)에 결합된다. 따라서, 제어 유닛(45)의 점유 면적을 저감할 수 있어, 소형 휴대 전화를 실현할 수 있다.
이 도 14에 나타내는 구성에 있어서, 제어 유닛(45)에 화일 스토리지용 플래시 메모리(13) 및 랜덤 액세스 메모리(RAM)(12)를 포함하고 있기 때문에, 메모리 용량 등의 기능이 부족할 경우가 고려된다. 이 경우, 앞의 실시예 1 내지 3에 도시한 바와 같이, 내부 버스(9)에 부족한 기능(메모리 등)을 접속함으로써, 그 기능부족을 보충할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명의 실시예 4에 따르면, 제어부를 구성하는 MPU 코어, 화일 스토리지용 플래시 메모리(13), 버스 변환 회로(19) 및 랜덤 액세스 메모리(12)를 일체적으로 구성하고 있기 때문에, 점유 면적을 저감할 수 있어(또한 원 칩 마이크로 프로세서로서 실현할 수 있기 때문임), 소형 경량의 휴대 전화를 실현할 수 있다.
(다른 적용예)
실시예 l 내지 4에 있어서는, 제어부의 명령 메모리로서 기능하는 랜덤 액세스 메모리(RAM)는 스태틱 랜덤 액세스 메모리로서 설명하고 있다. 그러나, 이 랜덤 액세스 메모리(12)로서는, 고속 동작하는, 예컨대 클럭 신호에 동기하여 동작하는 다이나믹 랜덤 액세스 메모리(DRAM)를 이용하더라도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 따르면, 제어부용의 프로그램 및 수신 데이터를 불휘발적으로 저장하기 위한 화일 스토리지용 플래시 메모리를 휴대 전화의 메모리로서 이용하고 있기 때문에, 음악 및 영상 화상 데이타 등의 대용량의 데이터를 저장할 수 있다.

Claims (3)

  1. 신호를 송수신하기 위한 신호 송수신부(2, 3, 4)와, 적어도 상기 송수신부의 신호 송수신 동작을 제어하기 위한 제어부(8)를 포함하는 휴대 전화용 메모리 시스템에 있어서,
    상기 제어부를 위한 작업 영역을 부여하는 랜덤 액세스 메모리(12)와,
    상기 제어부를 위한 프로그램 및 상기 제어부의 제어하에 적어도 송수신 데이터를 불휘발적으로 저장하기 위한 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)를 포함하는 휴대 전화용 메모리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)와 상기 내부 버스(9) 사이에 접속되고, 상기 화일 스토리지용 플래시 메모리에 대한 인터페이스 회로로서 기능하는 버스 변환 회로(19)를 더 포함하는 휴대 전화용 메모리 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화일 스토리지용 플래시 메모리(13)는 AND형 플래시 메모리(도 1)인 휴대 전화용 메모리 시스템.
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