JPH0855065A - メモリアクセス制御装置 - Google Patents

メモリアクセス制御装置

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JPH0855065A
JPH0855065A JP6210753A JP21075394A JPH0855065A JP H0855065 A JPH0855065 A JP H0855065A JP 6210753 A JP6210753 A JP 6210753A JP 21075394 A JP21075394 A JP 21075394A JP H0855065 A JPH0855065 A JP H0855065A
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JP6210753A
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English (en)
Inventor
Kenji Imamura
健二 今村
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Fujifilm Business Innovation Corp
Original Assignee
Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 CPUの処理能力に影響を与えずに、エラー
が検出されたデータを同期的に正しいデータに書換える
ことができ、またメモリへのアクセス速度を劣化させな
いメモリアクセス制御装置を提供すること。 【構成】 記憶制御手段1はメモリ7とデータパス制御
部3とを制御し、データパス制御部3はWRデータパス
4とRDデータパス5とを制御する。WRデータパス4
はバス6からのデータを書込み、誤り符号を付加してメ
モリ7へ出力する。RDデータパス5はメモリ7からデ
ータを読出し、データの誤り検出して訂正し、バス6と
WRデータパス4へ出力する。このような構成により、
本発明はメモリ7からのデータに誤りが検出された際、
CPUの1バスサイクルの間に誤りを訂正し、かつメモ
リ7内の該当するデータを正しく書換えることができ
る。このため、メモリ7内のデータが常に正しい値にな
ることを保証することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はメモリアクセス制御装置
に関し、特にメモリから検出された誤りデータをハード
ウェアで訂正し、該メモリに正しいデータを書き直すこ
とができるメモリアクセス制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリアクセス制御装置の一例と
して、例えば特開平4−153754号公報(以下、先
行技術と呼ぶ)に開示されているものがある。このメモ
リアクセス制御装置について、図7に示すブロック図を
参照して説明する。図において、1はメモリ7(DRA
M)に対するアドレス信号と、RAS,CAS,WE等
の各制御信号をDRAMの要求するタイミングで生成す
る記憶制御部、2は行アドレス(Row addres
s)と列アドレス(Column address)と
を切り換えるセレクタであり、例えばマルチプレクサ
(以下、MUXとする)である。11はメモリ7から読
出されたデータのチェックを行い、エラーを検出して訂
正するエラー検出訂正回路、12はエラー検出訂正回路
11とエラーレジスタ13とを制御するエラーレジスタ
制御回路である。前記エラーレジスタ13にはエラー検
出訂正回路11によって検出され訂正されたデータが格
納される。
【0003】この様な構成の先行技術では、まず図示さ
れていないCPUからバス6を介して、データの読出し
命令が記憶制御部1に入力されると、メモリ7からデー
タが読出され、前記エラー検出訂正回路11に入力され
る。該エラー検出訂正回路11がデータからエラーを検
出すると、周知の方法で該データのエラーを訂正し、前
記エラーレジスタ制御回路12の制御によって訂正され
たデータを一旦エラーレジスタ13に格納すると共に、
エラー検出訂正回路11からバッファ14およびバス6
を介してCPUへ出力する。エラーレジスタ制御回路1
2はバス6を監視し、メモリ7へのアクセスがないタイ
ミングでエラーレジスタ13に格納された訂正済のデー
タをメモリ7へ出力し、該メモリ7のエラーデータを書
き直すようにしている。
【0004】図8は、前記の動作のタイミングチャート
を示す。アドレスストローブ信号(AS)がLレベルの
期間、すなわちCPUのアクセス時に、RAS,CAS
信号により指定された位置のデータがメモリ7から読出
され、このデータにエラーがあった場合には、訂正され
て、エラーレジスタ13に格納される。このエラーレジ
スタ13に格納されたデータは、AS信号がHレベルの
期間、すなわちCPUがメモリ7をアクセスしていない
期間に、メモリ7に書込まれることになる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のような先行技術
では、メモリ7から読出されたデータにエラーがある
と、前記エラー検出訂正回路11によって該データのエ
ラーが訂正され、この訂正されたデータがエラーレジス
タ13に格納されてる。この格納されたデータは即メモ
リ7へ送られ、メモリ7の該当するデータは訂正される
必要があるが、この時メモリ7に対して何らかの命令が
アクセスされていると、メモリ7内のエラーデータを訂
正済のデータに書き直すことができない。このため、メ
モリ7内のデータはエラーが含まれている状態を継続
し、ある時点において、メモリ7に格納されているデー
タが常に正しいという保証を得ることができないという
問題がある。すなわち、場合によっては、メモリ7から
エラーが含まれたデータが、そのまま出力されてしまう
という問題がある。
【0006】また、前記エラーレジスタ13に格納され
ている訂正済のデータは、メモリ7がCPUによってア
クセスされていない合間に該エラーレジスタ13からメ
モリ7へデータを出力するようにしている。このため、
長時間メモリ7がCPUによってアクセスされ続け、か
つメモリ7から読出されたデータから多量のエラーが検
出されたならば、該エラーレジスタ13に訂正済のデー
タが次々に入力され、エラーレジスタ13がオーバーフ
ローを起こしてしまうという問題がある。
【0007】また、エラー検出訂正回路11では、デー
タの読出し動作および書込み動作を同時に行うことがで
きず、また誤り訂正符号をもったシステムでは、通常8
バイトのデータに対して1バイトの符号を生成してい
る。一方、符号を生成する幅に満たない書込みサイク
ル、すなわちデータが8バイト未満の場合(部分的(パ
ーシャル)書込みサイクル)、メモリアクセス制御装置
の制御下で読出し動作の後に書込み動作を発生させる必
要がある。前記先行技術では、読出し動作と書込み動作
とをほぼ同時に実行することができないので、前記パー
シャル書込みサイクルの処理時間が大幅に遅くなってし
まうという問題あるいは、その処理に支障をきたすとい
う問題がある。
【0008】また、メモリ7から読出されたデータのエ
ラーを検出し、訂正するサイクルと、訂正されたデータ
をメモリ7に書込むサイクルとは、それぞれ別のサイク
ルで行われているので、処理時間が長いという問題があ
る。
【0009】本発明の目的は、前記した従来技術の問題
点を除去し、CPUの処理能力に影響を与えずに、エラ
ーが検出されたデータを同期的に正しいデータに書換え
ることができ、またメモリへのアクセス速度を劣化させ
ないメモリアクセス制御装置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、請求項1の発明は、メモリに対するデータのやり取
りとそのタイミングを制御する記憶制御手段と、バスか
らメモリへの方向のデータの流れを形成し、バスから転
送されたデータを保持し、該データに対する誤り符号を
生成してデータに付加する書込みパス手段と、メモリか
らバスへの方向のデータの流れを形成し、メモリから読
出されたデータを保持し、該データの誤り検出と誤り訂
正を行う読出しパス手段と、前記記憶制御手段により起
動され、前記書込みパス手段と読出しパス手段とを制御
するパス制御部とを具備した点を特徴とする。
【0011】請求項2の発明は、前記書込みパス手段内
に、前記バスから入力されてきた書込みデータと前記読
出しパス手段からフィードバックされた読出しデータの
一方を選択するか、あるいは双方の一部分のデータを組
み合わせて選択するようにした切換え手段を具備した点
を特徴とする。
【0012】
【作用】請求項1の発明によれば、メモリからのデータ
読出し時であって、かつ読出されたデータに誤りが検出
された場合に、CPUに対して影響を与えずに、CPU
の1バスサイクルの間に、該データを前記読出しパス手
段で訂正し、訂正後のデータをバス上に出力すると共
に、前記書込みパス手段を介して該メモリに書込むこと
が可能になる。
【0013】請求項2の発明によれば、前記の2つのデ
ータを部分的に組み合わせるように選択でき、パーシャ
ルライト時の書込みと読出しの動作をほぼ同時に行うこ
とが可能になる。
【0014】
【実施例】以下に、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。図1は本発明のメモリアクセス制御装置の一実施
例の概略構成を示すブロック図である。図において、3
は記憶制御部1からのタイミング信号により、データの
流れがバス6からメモリ7への方向であるライトデータ
パス4と、その反対の方向のリードデータパス5の2方
向のデータパスをそれぞれ制御するデータパス制御部で
ある。前記ライトデータパス4はデータパス制御部3の
制御により、メモリ書込み時はバス6上のデータから、
また読出し時はエラー訂正後のデータからチェックビッ
トを生成し、該デ―タとチェックビットをメモリ7へ送
出する。また、前記リードデータパス5は同じくデータ
パス制御部3の制御により、メモリ読出し時にメモリか
らのデータとチェックビットを取り込みエラーの検出と
訂正を行い、訂正をしたデ―タはバス6へ送出すると共
に、ライトパス4へ送出する。他の符号は前記図7と同
一または同等物を示す。
【0015】図2は本実施例の主要部の構成を詳細に示
すブロック図である。図において、41はバスからのデ
ータをラッチする書込み入力レジスタ、42は書込み入
力レジスタ41からのデータとリードパス5からのフィ
ードバックデータ(以下、FBデータとする)とのどち
らか、あるいは双方のデータの一部分を選択し、書込み
データ(以下、WRデータとする)として出力する書込
み用マルチプレクサ(以下、WRMUXとする)、43
はWRデータから誤り符号を生成する書込み符号生成
部、44はWRデータおよび誤り符号をラッチする書込
み出力レジスタ、45は書込み出力レジスタ44からの
出力を一旦記憶してメモリバスへ出力する制御をする書
込み出力バッファである。
【0016】51は前記メモリ7からのデータおよびチ
ェックビットをラッチする読出し入力レジスタ、52は
読出し入力レジスタ51からの出力データ(以下、RD
データとする)から新たに誤り符号(以下、RDGEN
CBとする)を生成する読出し符号生成部、53は読
出し入力レジスタ51から出力されたチェックビット
(以下、RD CBとする)と読出し符号生成部52か
らのRDGEN CB信号とからシンドロームを生成す
る誤り検出部、54はシンドロームによってRDデータ
を訂正する誤り訂正部、55はRDデータと訂正済みの
コレクトデータのどちらかを選択的に出力する読出し選
択部(以下、RDMUXとする)、56はRDMUX5
5の出力をラッチする読出し出力レジスタ、57は3ス
テート制御を行う読出し出力バッファである。前記書込
み入力レジスタ41、書込み出力レジスタ44、読出し
入力レジスタ51および読出し出力レジスタ56は、例
えばフリップフロップ等で構成するようにしてもよい。
他の符号は前記図1,4と同一または同等物を示す。な
お、図はクロック信号線を省略している。
【0017】前記記憶制御部1からは、ライトデータパ
ス4へのデータ書込みを指示するBUFWR信号、読出
し出力バッファ57へバス6上にデータを出力するよう
に指示するMBOUT信号、メモリデータバス8上へデ
ータを出力するタイミングおよびリードデータパス5へ
データを読み込むタイミングを示すBUFRD信号、デ
ータの方向を示し、書込み出力バッファ45からデータ
をメモリデータバス8上に出力させるためのMEMOU
T信号、通常のライトかパーシャルライトかという書込
みの種類を示すPARTIAL(パーシャル)信号、お
よびBYTEENAB(バイトイネーブル)信号等の各
信号が出力される。
【0018】前記パス制御部3からは、WRMUX42
の選択信号であるWRSEL信号、読出し出力レジスタ
56のラッチトリガであるRDLT信号、RDMUX5
5の選択信号であるRDSEL信号、読出し入力レジス
タ51のラッチトリガであるMEMLT信号、および書
込み出力レジスタ44のラッチトリガであるNEXTL
T信号等の各信号が出力される。
【0019】次に、図4(a)〜(c)を参照して、前
記WRMUX42の選択動作について説明する。WRM
UX42はパス制御部3から出力されたWRSEL信号
がWRSEL=0×00の時、図4(a)に示すよう
に、前記書込み入力レジスタ41からの入力aを書込み
符号生成部43および書込み出力レジスタ44への出力
cと接続し、WRSEL信号がWRSEL=0×ffの
時、同図(b)に示すように、前記RDMUX55から
の入力bを前記出力cと接続する。
【0020】また、パーシャルライトサイクルの時に
は、WRSEL=BYTEENABとなり、WRMUX
42は前記入力aの線0〜7の一部を出力cの対応した
線と接続し、該入力bの線0〜7の一部を出力cの残り
の線と接続する。例えば同図(c)に示すように、前記
入力aの線0,1および入力bの線2〜7を出力cの線
0〜7と接続する。
【0021】次に、図3を参照して前記パス制御部3の
動作を説明する。
【0022】まず、ステップS1では、RDSEL信号
として、0が出力される。これにより、RDMUX55
がRDデータを選択する。ステップS2では、WRSE
L信号(=0×00)がWRMUX42へ出力され、前
記図4(a)に示すように、書込み入力レジスタ41が
書込み符号生成部43および書込み出力レジスタ44に
接続される。
【0023】ステップS3では、BUFRD信号が真で
あり、かつMEMOUT信号が偽であるか否かが判断さ
れ、この判断が否定の時には、書込みサイクルにはい
る。ステップS4では、BUFWR信号が真であり、か
つMEMOUT信号が真であるか否かが判断され、この
判断が肯定の場合には、ステップS5でNEXTLT信
号が書込み出力レジスタ44へ出力される。これより、
出力レジスタ4はイネーブルになり書込み動作が実行さ
れる。
【0024】一方、反対にステップS3が肯定の場合に
は、ステップS6において、MEMLT信号が読出し入
力レジスタ51へ出力される。これによって、入力レジ
スタ51はイネーブルになる。ステップS7では、パー
シャルライトか否かが判断され、否定ならばステップS
8へ進んで、読出し動作が開始される。
【0025】ステップS8では、RDLT信号が読出し
出力レジスタ56へ出力される。ステップS9では、パ
ス制御部3に前記誤り検出部53からのエラーが入力さ
れたか否かが判断される。この判断が肯定の場合にはス
テップS10に進み、RDSEL信号(=1)がRDM
UX55へ出力され、該RDMUX55は誤り訂正部5
4からのコレクトデータを選択する。
【0026】ステップS11では、WRSEL信号が0
×ffになり、前記図4(c)に示すように、RDMU
X55が書込み符号生成部43および書込み出力レジス
タ44に接続される。ステップS12では、NEXTL
T信号が書込み出力レジスタ44へ出力される。ステッ
プS13では、RDLT信号が読出し出力レジスタ56
へ出力される。この動作によりメモリ7から読出された
データにエラーがあった場合には、訂正された正しいデ
ータが出力レジスタ44にラッチされると共に、出力レ
ジスタ56にラッチされる。そして、メモリ7に正しい
データが書込まれ、一方該正しいデータはバスに送り出
される。
【0027】一方、前記ステップS7の判断が肯定の場
合には、ステップS14に進んで、パーシャルライトサ
イクルが開始される。ステップS14では、WRSEL
信号がBYTEENABとなり、パ―シャルライトする
デ―タ量(バイト数)に応じて、前記図4(c)に示す
ように書込み入力レジスタ41およびRDMUX55が
書込み符号生成部43および書込み出力レジスタ44に
接続される。ステップS15では、NEXTLT信号が
書込み出力レジスタ44へ出力される。ステップS16
では、パス制御部3に誤り検出部53からのエラーが入
力されたか否かが判断される。ステップS16の判断が
肯定の時には、ステップS17に進み、RDSEL信号
(=1)がRDMUX55へ出力され、該RDMUX5
5は誤り訂正部54からのコレクトデータを選択する。
ステップS18では、NEXTLT信号が書込み出力レ
ジスタ44へ出力される。ステップS19では、動作が
終了か否かが判断される。
【0028】次に、本実施例の動作を図1および図2を
参照して説明する。まず、データの書込みサイクルにつ
いて説明する。図示されていないCPUからバス6を介
して、書込みサイクルの起動信号が、メモリアクセス制
御装置に入力されると、記憶制御部1はメモリ7に対し
てタイミング信号とアドレスを出力すると共に、ライト
データパス4に対してBUFWR信号を出力する。前記
ライトデータパス4内の書込み入力レジスタ41はBU
FWR信号によってイネーブルとなり、クロック信号と
同期してバス6からのデータをラッチする。この時、前
記データパス制御部3は初期状態にあるので、WRMU
X42は書込み入力レジスタ41からのデータを取込
み、WRデータとして書込み符号生成部43および書込
み出力レジスタ44へ出力する。該書込み符号生成部4
3はWRデータからWRGEN CBを生成し、書込み
出力レジスタ44へ出力する。
【0029】次に、前記記憶制御部1はメモリデータバ
ス8およびチェックビットバス9にWRデータおよびW
RGEN CBを出力するようにパス制御部3へBUF
RD信号とMEMOUT信号を出力する。これに応答し
て、該パス制御部3は書込み出力レジスタ44へNEX
TLT信号を出力する。この結果、WRデータおよびW
RGEN CBはクロックと同期して書込み出力レジス
タ44にラッチされ、該WRデータおよびWRGEN
CBは、書込み出力バッファ45へ出力される。該書込
み出力バッファ45に前記MEMOUT信号が入力され
ると、WRデータおよびWRGEN CBはメモリデー
タバス8およびチェックビットバス9へ出力され、記憶
制御部1が生成した制御信号によってメモリ7の所定の
位置に格納される。以上のようにして、バス6を介して
転送されてきたデータはメモリ7に格納され、書込みサ
イクルが終了する。
【0030】次に、データの読出しサイクルについて説
明する。図示されていないCPUからバス6を介して、
読出しサイクルの起動信号が、メモリアクセス制御装置
に入力されると、記憶制御部1はメモリ7に対してタイ
ミング信号とアドレスを出力すると共に、パス制御部3
に対してBUFRD信号を出力する。次いで、該パス制
御部3からRDデータパス5内の読出し入力レジスタ5
1へMEMLT信号が出力され、該読出し入力レジスタ
51がイネーブルとなり、クロック信号と同期してメモ
リ7に格納されているRDデータとRDCBが該入力レ
ジスタ51にラッチされる。
【0031】次に、前記読出し入力レジスタ51は読出
し符号生成部52へRDデータを、誤り検出部53へR
D CBをそれぞれ出力する。誤り検出部53でRD
CBと、読出し符号生成部52で生成されたRDGEN
CBとを比較する。この結果が一致し、エラーがない
場合には、RDデータをRDMUX55へ出力する。
【0032】次に、パス制御部3から読出し出力レジス
タ56に、RDLT信号が出力されてイネーブルとな
り、クロック信号と同期してRDデータをラッチし、該
RDデータはMBOUT信号が入力された読出し出力バ
ッファ57を介して、バス6へ出力される。
【0033】一方、前記RDデータにエラーがあると判
定された場合には、該誤り検出部53は前記記憶制御部
1とパス制御部3へエラー信号を出力すると共に、誤り
訂正部54へシンドロームを生成して出力する。パス制
御部3はこのエラー信号を受け取ると、RDSEL=1
とし、RDMUXを誤り訂正部54に接続する。該誤り
訂正部54はクロック信号に合わせてシンドロームとR
Dデータを取り込み、周知の方法でデータのエラーを訂
正し、訂正済のコレクトデータをRDMUX55へ出力
する。
【0034】次に、パス制御部3からWRSEL信号
(=0×ff)がWRMUX42に出力され、エラーが
訂正されたFBデータは書込み符号生成部43および書
込み出力レジスタ44へ送られる。以下、前記データの
書込みと同様に、WRデータおよびWRGEN CBを
メモリ7へ書込む。また、前記訂正済のデ―タは出力レ
ジスタ56にラッチされ、出力バッファ57を介してバ
ス6へ送出される。
【0035】図5は、上記の読出しサイクルの動作を示
すタイミングチャートである。図示されているように、
CPUの1バスサイクルの間に、CASは2個出力さ
れ、最初のCASでメモリ7からデータが読出され、該
データに誤りがある場合には、2つ目のCASで訂正後
のデータがメモリ7の該当位置に書込まれる。この様に
して、メモリ7から読出されたデータからエラーが検出
されても、CPUの処理能力に影響を与えずに、データ
を訂正してメモリ7内のデータを正しく書換えることが
できる。
【0036】次に、データの部分的書込み(パーシャル
ライト)サイクルの動作について説明する。図示されて
いないCPUからバス6を介して、部分的書込みサイク
ルの起動信号が、メモリアクセス制御装置に入力される
と、記憶制御部1はメモリ7に対してタイミング信号と
アドレスを出力すると共に、パス制御部3に対して書込
みデ―タのバイト数に応じたBYTEENAB信号を出
力する。
【0037】通常、メモリ7には図6(a)に示されて
いるように、データ8バイト、符号1バイトを1単位と
して格納されているが、例えば同図(b)に示されてい
る2バイトのWRデータをメモリ7に書込みたい場合、
前記図4(c)に示すように、WRMUX42の入力a
の線0,1および入力bの線2〜7を、出力cの線0〜
7と接続する。該WRMUX42はバス6から入力され
た前記2バイトのWRデータを該入力aの線0,1か
ら、また残りの6バイトのデータはRDMUX55から
供給されるRDデータを入力bの線2〜7から、出力レ
ジスタ44および符号生成部43に供給する。ここで、
メモリ7からのRDデータにエラーがある場合には、訂
正されたデータが前記入力bの線2〜7から供給され、
エラーがなければそのまま入力bの線2〜7に供給され
る。書込み符号生成部43は、合成されたWRデータと
RDデータ(図6(c)参照)からWRGEN CBを
生成し、出力レジスタ44は前記合成されたデータとW
RGEN CBとをラッチする。続いて、前記データの
書込みと同様に、合成されたデータおよびそのWRGE
N CBはメモリ7へ書込まれる。
【0038】本実施例では、図5で説明したのと同様
に、CPUの1バスサイクルに、メモリ7からのデータ
の読出しと、メモリ7へのデータの書込みを行うことが
できるので、パーシャルライトサイクルをスムーズに実
行することができる。
【0039】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1の発明によれば、書込みと読出しパスという独立した
2方向のパスを持つことにより、メモリから読出された
データに訂正可能なエラーを検出した際、CPUの1バ
スサイクルの間にエラーを訂正し、かつメモリ内の該当
するデータを正しく書換えることができる。このため、
該メモリ内のデータが常に正しい値になることを保証す
ることができ、また従来方式のように訂正されたデータ
によってエラーレジスタがオーバーフローすることが無
くなる。
【0040】請求項2の発明によれば、書込みパス手段
内の書込み用マルチプレクサで、バスからの書込みデー
タと読出しパスからのフィードバックされた読出しデー
タの双方のデータを部分的に組み合わせるように選択で
き、パーシャルライト時の書込みと読出しの動作をほぼ
同時に行うことができる。このため、パーシャルライト
時のデータ処理速度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のメモリアクセス制御装置の一実施例
の概略構成を示すブロック図である。
【図2】 本実施例の主要部の構成を示すブロック図で
ある。
【図3】 本実施例のパス制御部の動作を示すフローチ
ャートである。
【図4】 書込み用マルチプレクサの選択動作を説明す
る説明図である。
【図5】 読出しサイクルの動作を示すタイミングチャ
ートである。
【図6】 パーシャルライトサイクルの動作の説明図で
ある。
【図7】 先行技術のメモリアクセス制御装置の一実施
例の概略構成を示すブロック図である。
【図8】 先行技術の動作を示すタイミングチャートで
ある。
【符号の説明】
1…記憶制御部、2…マルチプレクサ、3…データパス
制御部、4…ライトデータパス、5…リードデータパ
ス、6…バス、7…メモリ、41…書込み入力レジス
タ、42…書込み用マルチプレクサ、43…書込み符号
生成部、44…書込み出力レジスタ、45…書込み出力
バッファ、51…読出し入力レジスタ、52…読出し符
号生成部、53…誤り検出部、54…誤り訂正部、55
…読出し選択部、56…読出し出力レジスタ、57…読
出し出力バッファ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 バスを介してCPUから送られてきたメ
    モリへの要求に応答してメモリを制御し、対象となるデ
    ータの誤り検出とその訂正を行うメモリアクセス制御装
    置において、 メモリに対するデータのやり取りとそのタイミングを制
    御する記憶制御手段と、 バスからメモリへの方向のデータの流れを形成し、バス
    から転送されたデータを保持し、該データに対する誤り
    符号を生成してデータに付加する書込みパス手段と、 メモリからバスへの方向のデータの流れを形成し、メモ
    リから読出されたデータを保持し、該データの誤り検出
    と誤り訂正を行う読出しパス手段と、 前記記憶制御手段により起動され、前記書込みパス手段
    と読出しパス手段とを制御するパス制御部とを具備し、 メモリからのデータ読出し時であって、かつ読出された
    データに誤りが検出された場合に、CPUの1バスサイ
    クルの間に、該データを前記読出しパス手段で訂正し、
    訂正後のデータをバス上に出力すると共に、前記書込み
    パス手段を介して該メモリに書込むようにしたことを特
    徴とするメモリアクセス制御装置。
  2. 【請求項2】 前記書込みパス手段内に、前記バスから
    入力されてきた書込みデータと前記読出しパス手段から
    フィードバックされた読出しデータの一方を選択する
    か、あるいは双方の一部分のデータを組み合わせて選択
    するようにした切換え手段を具備したことを特徴とする
    前記請求項1記載のメモリアクセス制御装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2006114141A (ja) * 2004-10-15 2006-04-27 Fujitsu Ltd 半導体メモリ
US9009494B2 (en) 1999-07-09 2015-04-14 Renesas Electronics Corporation Memory system for portable telephone

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