KR20000035130A - 신규한 에스테르 화합물, 고분자 화합물, 레지스트 재료및 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
측정 기기의 조건 | ||
염소계 엣칭 | 불소계 엣칭 | |
제조 회사 | 닛덴 아네르바 | 도꾜 일렉트론 |
모델 번호 | L451D | TE8500 |
가스/유량 |
Cl2/20 sccm | CHF3/7 sccm |
O2/2 sccm | CF4/45 sccm | |
CHF3/15 sccm | O2/20 sccm | |
BCl3/100 sccm | Ar/90 sccm | |
RF 파워 | 300 W | 600 W |
압력 | 2 Pa | 450 Pa |
온도 | 23 ℃ | -20 ℃ |
시간 | 360초 | 60초 |
Claims (7)
- 하기 화학식 1로 표시되는 에스테르 화합물.〈화학식 1〉식 중,R1은 수소 원자, 메틸기 또는 CH2CO2R14를 나타내고,R2는 수소 원자, 메틸기 또는 CO2R14를 나타내고,R3은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수 있는 아릴기를 나타내고,R4내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 서로 환을 형성할 수 있으며, 그 경우에는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기를 나타내고,또한, R4내지 R13은 인접하는 탄소에 결합하는 것 끼리 아무것도 개재하지 않고 결합하며, 2중 결합을 형성할 수 있고,R14는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타낸다.
- 하기 화학식 1a로 표시되는 에스테르 화합물을 구성 단위로 함유하는 것을 특징으로 하는 중량 평균 분자량 1,000 내지 500,000의 고분자 화합물.〈화학식 1a〉식 중,R1은 수소 원자, 메틸기 또는 CH2CO2R14를 나타내고,R2는 수소 원자, 메틸기 또는 CO2R14를 나타내고,R3은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수 있는 아릴기를 나타내고,R4내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 서로 환을 형성할 수 있으며, 그 경우에는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기를 나타내고,또한, R4내지 R13은 인접하는 탄소에 결합하는 것 끼리 아무것도 개재하지 않고 결합하며, 2중 결합을 형성할 수 있고,R14는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타낸다.
- 제2항에 있어서, 하기 화학식 2a 내지 13a로 표시되는 반복 단위를 함유하는 고분자 화합물.식 중,R1및 R2는 제2항에서 정의된 바와 동일하고,R15는 수소 원자, 탄소수 1 내지 15의 카르복실기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고,R16내지 R19중 하나 이상은 탄소수 1 내지 15의 카르복실기 또는 수산기를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내며, 나머지는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고,R16내지 R19는 서로 환을 형성할 수 있고, 그 경우에는 R16내지 Rl9중 하나 이상은 탄소수 1 내지 15의 카르복실기 또는 수산기를 함유하는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타내고,R20은 탄소수 3 내지 15의 -CO2-부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고,R21내지 R24중 하나 이상은 탄소수 2 내지 15의 -CO2- 부분 구조를 함유하는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고,R21내지 R24는 서로 환을 형성할 수 있고, 그 경우에는 R21내지 R24중 하나 이상은 탄소수 1 내지 15의 -CO2-부분 구조를 함유하는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 나머지는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬렌기를 나타내고,R25는 탄소수 7 내지 15의 다환식 탄화수소기 또는 다환식 탄화수소기를 함유하는 알킬기를 나타내고,R26은 산 불안정기를 나타내고,R27은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,R28은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타내고,k는 0 또는 1이고,x, y 및 z는 0 내지 3의 정수이며, x+y+z≤5, 1≤y+z를 충족시키는 수이다.
- 하기 화학식 1의 에스테르 화합물 및 탄소-탄소 2중 결합을 함유하는 다른 화합물을 라디칼 중합, 음이온 중합 또는 배위 중합시키는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물의 제조 방법.〈화학식 1〉식 중,R1은 수소 원자, 메틸기 또는 CH2CO2R14를 나타내고,R2는 수소 원자, 메틸기 또는 CO2R14를 나타내고,R3은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수 있는 아릴기를 나타내고,R4내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, 서로 환을 형성할 수 있으며, 그 경우에는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수 있는 2가의 탄화수소기를 나타내고,또한, R4내지 R13은 인접하는 탄소에 결합하는 것 끼리 아무것도 개재하지 않고 결합하며, 2중 결합을 형성할 수 있고,R14는 탄소수 1 내지 15의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬기를 나타낸다.
- 제2항 또는 제3항 기재의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제2항 또는 제3항 기재의 고분자 화합물과, 고에너지선 또는 전자선에 감응하여 산을 발생하는 화합물과, 유기 용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트재료.
- 제5항 또는 제6항 기재의 레지스트 재료를 기판상에 도포하는 공정, 가열 처리 후 포토 마스크를 통해 고에너지선 또는 전자선으로 노광하는 공정, 및 필요에 따라 가열 처리한 후 현상액을 사용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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