KR20000016863A - 강유전체메모리,강유전체메모리의제조방법및강유전체메모리의시험방법 - Google Patents
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Description
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- 복수의 메모리 셀이 접속된 제1 및 제2 비트선과;상기 제2 비트선에 접속되고, 상기 제1 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제2 비트선에 기준 전위를 출력하는 제1 기준 셀과;상기 제1 비트선에 접속되고, 상기 제2 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제1 비트선에 기준 전위를 출력하는 제2 기준 셀과;상기 제1 및 제2 비트선 사이의 전위차를 증폭시키고, 선택된 메모리 셀로부터 상기 제1 또는 제2 비트선에 출력된 기억 데이터를 검출하는 센스 증폭기를 구비하는 강유전체 메모리로서,상기 제1 및 제2 기준 셀을 제어하여 상기 기준 전위를 변화시키는 기준 전위 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 제1항에 있어서, 상기 기준 전위 제어 회로는 외부로부터 인가되는 제어 전위에 의해 상기 제1 및 제2 기준 셀을 제어하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제1 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제2 비트선에 접속한 제1 스위치 소자를 구비하며,상기 제2 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제2 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제1 비트선에 접속한 제2 스위치 소자를 구비하며,상기 기준 전위 제어 회로는 상기 제어 전위가 인가되는 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 플레이트선에 접속한 제3 스위치 소자와, 일단을 상기 플레이트선에 접속하고 타단을 접지선에 접속하며, 상기 제3 스위치 소자와 상보 동작을 행하는 제4 스위치 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 제3항에 있어서, 상기 제3 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 플레이트선에 접속하며, 플레이트선 구동 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되고,상기 제4 스위치 소자는 드레인을 상기 플레이트선에 접속하고, 소스를 상기 접지선에 접속하며, 상기 플레이트선 구동 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 n 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제1 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제2 비트선에 접속한 제1 스위치 소자를 구비하며,상기 제2 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제2 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제1 비트선에 접속한 제2 스위치 소자를 구비하며,상기 기준 전위 제어 회로는 상기 제어 전위가 인가되는 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제3 스위치 소자를 구비하는 제1 기준 전위 제어 회로와, 상기 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제4 스위치 소자를 구비하는 제2 기준 전위 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 제5항에 있어서, 상기 제3 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제1 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되고,상기 제4 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제2 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리.
- 복수의 메모리 셀이 접속된 제1 및 제2 비트선과;상기 제2 비트선에 접속되고, 상기 제1 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제2 비트선에 기준 전위를 출력하는 제1 기준 셀과;상기 제1 비트선에 접속되고, 상기 제2 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제1 비트선에 기준 전위를 출력하는 제2 기준 셀과;상기 제1 및 제2 비트선 사이의 전위차를 증폭시키고, 선택된 메모리 셀로부터 상기 제1 또는 제2 비트선에 출력된 기억 데이터를 검출하는 센스 증폭기를 구비하는 강유전체 메모리의 제조 방법으로서,상기 제1 및 제2 기준 셀을 제어하여 상기 기준 전위를 변화시키는 기준 전위 제어 회로를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 기준 전위 제어 회로는 외부로부터 인가되는 제어 전위에 의해 상기 제1 및 제2 기준 셀을 제어하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제1 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제2 비트선에 접속한 제1 스위치 소자를 구비하며,상기 제2 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제2 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제1 비트선에 접속한 제2 스위치 소자를 구비하며,상기 기준 전위 제어 회로는 상기 제어 전위가 인가되는 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 플레이트선에 접속한 제3 스위치 소자와, 일단을 상기 플레이트선에 접속하고 타단을 접지선에 접속하며, 상기 제3 스위치 소자와 상보 동작을 행하는 제4 스위치 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 제3 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 플레이트선에 접속하며, 플레이트선 구동 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되고,상기 제4 스위치 소자는 드레인을 상기 플레이트선에 접속하고, 소스를 접지선에 접속하며, 상기 플레이트선 구동 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 n 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제1 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제2 비트선에 접속한 제1 스위치 소자를 구비하며,상기 제2 기준 셀은 제1 전극을 플레이트선에 접속한 제2 강유전체 커패시터와, 일단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고 타단을 제1 비트선에 접속한 제2 스위치 소자를 구비하며,상기 기준 전위 제어 회로는 상기 제어 전위가 인가되는 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제3 스위치 소자를 구비하는 제1 기준 전위 제어 회로와, 상기 패드와, 일단을 상기 패드에 접속하고 타단을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제4 스위치 소자를 구비하는 제2 기준 전위 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 제3 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 제1 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하며, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제1 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되고,상기 제4 스위치 소자는 소스를 상기 패드에 접속하고, 드레인을 상기 제2 강유전체 커패시터의 제2 전극에 접속하고, 상기 프리차지 제어 신호에 의해 온/오프가 제어되는 제2 p 채널 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 제9항 내지 제12항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 전위를 변화시킴으로써 상기 기준 전위 제어 회로를 통해 상기 기준 전위를 변화시키고, 선택된 메모리 셀로부터 상기 제1 또는 제2 비트선에 기억 데이터가 출력된 경우에 있어서의 상기 제1 또는 제2 비트선의 전위의 마진을 시험한 후, 합격품에 대해서는, 상기 패드를 내부의 전원선에 접속하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 제조 방법.
- 복수의 메모리 셀이 접속된 제1 및 제2 비트선과;상기 제2 비트선에 접속되고, 상기 제1 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제2 비트선에 기준 전위를 출력하는 제1 기준 셀과;상기 제1 비트선에 접속되고, 상기 제2 비트선에 접속된 메모리 셀이 선택되는 경우에는, 상기 제1 비트선에 기준 전위를 출력하는 제2 기준 셀과;상기 제1 및 제2 비트선 사이의 전위차를 증폭시키고, 선택된 메모리 셀로부터 상기 제1 또는 제2 비트선에 출력된 기억 데이터를 검출하는 센스 증폭기를 구비하는 강유전체 메모리의 시험 방법으로서,외부로부터의 제어에 의해 상기 기준 전위를 변화시키고, 선택된 메모리 셀로부터 상기 제1 또는 제2 비트선에 기억 데이터가 출력된 경우의 상기 제1 또는 제2 비트선의 전위의 마진을 시험하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리의 시험 방법.
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