KR19990054826A - 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 - Google Patents
반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19990054826A KR19990054826A KR1019970074703A KR19970074703A KR19990054826A KR 19990054826 A KR19990054826 A KR 19990054826A KR 1019970074703 A KR1019970074703 A KR 1019970074703A KR 19970074703 A KR19970074703 A KR 19970074703A KR 19990054826 A KR19990054826 A KR 19990054826A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- mixing
- vapor deposition
- chemical vapor
- primary
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45512—Premixing before introduction in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치에 관한 것으로, 종래의 가스혼합장치는 충분한 가스혼합이 이루어지지 못하여 증착막의 조성불균일이 발생되는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치는 1차혼합부(21)에서 1차적으로 혼합된 혼합가스를 2차혼합부(23)에서 재차혼합할 수 있도록 함으로써, 공정가스의 충분한 혼합이 이루어지게 되어 증착막의 조성불균일이 발생되지 않는 효과가 있다. 그리고, 2차혼합부(23)를 통과하는 혼합가스가 히터밴드(61)및 세퍼레이션 플레이트(24)에 의하여 일정온도로 유지되므로 액화가 방지되어 공정가스의 액화에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하게 되는 효과가 있다. 또한, 1차혼합부(21)와 2차혼합부(23)가 분해 또는 결합할 수 있도록 되어 있어서 수리가 용이한 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체 화학기상증착장비(CVD)의 가스혼합장치(GAS MIXER)에 관한 것으로, 특히 가스의 혼합능력을 향상시키도록 하는데 적합한 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 제조공정 중 메모리 셀의 키패시터 유전막을 형성시키기 위한 화학기상증착장비가 도1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.
도1은 종래 화학기상증착장비의 구성을 보인 정면도로서, 도시된 바와 같이, 일반적인 화학기상증착장비는 메인 프레임(1)의 상측에 프로세스 챔버(2)가 설치되어 있고, 그 프로세스 챔버(2)의 상측에는 가스혼합장치(3)가 설치되어 있어서, 가스혼합장치(3)에서 혼합된 가스가 프로세스 챔버(2)의 내측으로 주입될 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 메인 프레임(1)의 주변에는 액체상태의 BST를 공급하기 위한 리퀴드 딜리버리 시스템(4)이 설치되어 있고, 그 리퀴드 딜리버리 시스템(4)에는 기화기(5)가 연결설치되어 있고, 그 기화기(5)는 상기 가스혼합장치(3)의 인렛 포트(3a)중 어느하나에 연결되어 있어서, 액체상태의 BST를 기화기(5)에서 기화시켜서 가스혼합장치(3)로 공급할 수 있도록 되어 있다.
또한, 상기 프로세스 챔버(2)의 일측에는 로드락 챔버(6)가 설치되어 있고, 그 로드락 챔버(6)의 내측에는 로봇(7)이 설치되어 있어서, 로봇(7)이 웨이퍼를 로드락 챔버(6)를 통하여 프로세스 챔버(2)의 내측으로 로딩하거나, 또는 프로세스 챔버(2)에서 공정을 마친 웨이퍼를 언로딩할 수 있도록 되어 있다.
제2도는 상기와 같이 구성되어 있는 종래 화학기상증착장비에 설치되어 있는 가스혼합장치를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 가스혼합장치(3)는 혼합부(11)의 일측에 하나의 인렛 포트(12)가 설치되어 있고, 타측에 아웃렛 포트(13)가 설치되어 있으며, 상기 혼합부(11)의 몸체에 수직방향으로 다른 하나의 인렛 포트(12')가 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 가스혼합장치(3)는 종류가 서로 다른 공정가스가 혼합부(11)에 설치되어 있는 인렛 포트(12)(12')들을 통하여 혼합부(11)의 내측으로 유입되고, 그 혼합부(11)의 내측으로 유입된 혼합가스는 아웃렛 포트(13)를 통하여 프로세스 챔버(2)의 내측으로 유입되어 웨이퍼의 상면에 증착막을 형성하게 된다.
그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 가스혼합장치(3)는 여러 가지 문제점을 가지고 있는 것이었다.
첫 번째로, 상기 혼합부(11)에서는 가스의 혼합이 이루어지나 충분한 혼합이 이루어지지 못하여 웨이퍼에 조성분포가 균일한 증착막을 형성하는 것이 불가능한 문제점이 있었다.
두 번째로, 상기 혼합부(11)에서 혼합된 혼합가스중 일부가 액화되어 프로세스 챔버(2)의 내측에 있는 웨이퍼에 이물질로 작용하는 문제점이 있었다.
세 번째로, 혼합부(11)의 내측이 막히거나 다른 문제가 발생시 분해가 않되기 때문에 수리가 어려운 문제점이 있었다.
본 발명의 주목적은 상기와 같은 여러 문제점을 갖지 않는 반도체화학기상증착장비의 가스혼합장치를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 공급가스의 충분한 혼합이 이루어지도록 하여 증착막의 조성을 균일하게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 혼합부에서 혼합된 가스를 가열하여 액화되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 제공함에 있다.
본 발명의 또다른 목적은 고장발생시 분해가 용이하여 간단하게 수리할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 제공함에 있다.
제1도는 종래 화학기상증착장비의 구성을 보인 정면도.
제2도는 종래 가스혼합장치를 구성을 보인 단면도.
제3도는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 정면도.
제4도는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 평면도.
제5도는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 종단면도.
제6도는 제5도의 A부를 상세히 보인 단면도.
제7도는 본 발명 가스혼합장치의 세퍼레이션 플레이트의 구성을 보인 사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
21 : 1차혼합부 22 : 인렛 포트
23 : 2차혼합부 24 : 세퍼레이션 플레이트
25 : 아웃렛 포트 31 : 유출구
32 : 상측벽 33,43 : 외주벽
33a : 암나사부 33b : 지지턱
34,44 : 원통체 41 : 유입구
42 : 하측벽 43a : 플랜지
43a' :받침턱 43b : 수나사부
45 : 리플레이스먼트 실 61 : 히터밴드
M1,M2 : 혼합공간
상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 주입된 가스를 1차적으로 혼합하기 위한 1차혼합부와, 그 1차혼합부에 공정가스를 공급하기 위한 수개의 인렛 포트와, 상기 1차혼합부의 하측에 설치되어 혼합가스를 재차 혼합하기 위한 2차혼합부와, 그 2차혼합부의 내측에 설치되어 1차혼합된 가스의 체류시간을 연장시키기 위한 세퍼레이션 플레이트와, 상기 2차혼합부에서 혼합된 혼합가스를 프로세스 챔버의 내측으로 유입시키기 위한 우웃렛 포트를 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도3은 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 정면도이고, 도4는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 평면도이며, 도5는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치를 보인 종단면도이고, 도6는 도5의 A부를 상세히 보인 단면도이며, 도7은 본 발명 가스혼합장치의 세퍼레이션 플레이트의 구성을 보인 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치는 주입된 가스를 1차적으로 혼합하기 위한 1차혼합부(21)와, 그 1차혼합부(21)의 외측에 설치되며 1차혼합부(21)의 내측으로 공정가스를 공급하기 위한 수개의 인렛 포트(INLET PORT)(22)와, 상기 1차혼합부(21)에 연결설치되며 1차혼합부(21)에서 1차적으로 혼합된 혼합가스가 유입되는 2차혼합부(23)와, 그 2차혼합부(23)의 내측에 설치되어 2차혼합부(23)의 내측으로 유입된 1차혼합된 가스를 균일하게 재차 혼합하기 위한 세퍼레이션 플레이트(SEPERATION PLATE)(24)와, 상기 2차혼합부(23)의 측단부에 설치되며 2차혼합부(23)에서 재차혼합된 혼합가스를 프로세스 챔버(PROCESS CHAMBER)(미도시)의 내측으로 유입시키기 위한 아웃렛 포트(OUTLET PORT)(25)로 구성되어 있다.
상기 1차혼합부(21)는 하측으로 유출구(31)가 형성되도록 혼합공간(M1)이 형성되며, 상기 인렛 포트(22)들이 설치되는 상측벽(32)과 외주벽(33)이 일체로 형성된 원통체(34)로 되어 있다.
상기 1차혼합부(21)의 상측벽(32)에 상,하방향으로 관통공(32a)이 형성되어 있고, 외주벽(33)에는 좌,우방향으로 관통공(33a)들이 수개 형성되고, 그 관통공(32a)(33a)에 인렛 포트(22)를 각각 삽입하여 용접으로 고정되어 있다.
상기 2차혼합부(23)는 상기 1차혼합부(21)의 유출구(31)에 결합되는 유입구(41)가 형성되는 혼합공간(M2)이 형성되도록 아웃렛 포트(25)가 설치된 하측벽(42)과, 그 하측벽(42)에 일체로 형성된 외주벽(43)으로 이루어지는 원통체(44)로 되어있다.
상기 2차혼합부(23)의 하측벽(42)에는 관통공(42a)이 형성되어, 그 관통공(42a)에 아웃렛 포트(25)를 삽입하고 용접으로 고정되어 있다.
상기 1차혼합부(21)의 외주벽(33) 하단부 내주면에는 암나사부(33a)가 형성되어 있고, 2차혼합부(23)의 외주벽(43) 상단부에 연장형성된 플랜지(43a)의 외주면에는 수나사부(43b)가 형성되어 있으며, 상기 플랜지(43a)의 내주면에 설치된 받침턱(43a')과 상기 암나사부(33a)의 상단부에 내주면에 설치된 지지턱(33b)의 사이에 리플레이스먼트 실(REPLACEMENT SEAL)(45)을 설치하여, 1차혼합부(21)와 2차혼합부(23)가 착,탈 가능하도록 되어 있다.
상기 세퍼레이션 플레이트(24)는 도7에 도시된 바와 같이, 일측에 컷팅부(51a)가 형성되어 있는 가스체류판(51)이 일정간격을 두고 지그재그로 설치되어 있고, 그 가스체류판(51)의 중앙부를 관통하여 지지바(52)가 설치되어서, 그 관통부에 용접으로 각각의 가스체류판(51)들이 고정되어 있다.
상기 가스체류판(51)들은 일정각도로 경사지도록 설치하여, 혼합가스가 잘흐르도록 한 것을 특징으로 한다.
상기 2차혼합부(23)의 외주벽(43)의 외주면에는 히팅코일이 내설되어 있는 히터밴드(HEATER BAND)(61)가 일정간격으로 감겨져있어서, 2차혼합부(23)의 내부 및 내주면에 접촉되도록 설치되어 있는 상기 세퍼레이션 플레이트(24)를 일정온도로 가열할 수 있도록 되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치에 있어서, 작용을 설명하면 다음과 같다.
상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치는 인렛 포트(22)들을 통하여 공정가스가 1차혼합부(21)의 내측에 형성된 혼합공간(M1)의 내부로 유입되는데, 이때 상측벽(32)에 설치되어 있는 인렛 포트(22)와 외주벽(33)에 설치되어 있는 인렛 포트(22)에서 주입되는 가스의 방향은 직교되도록 되어 있어서 1차혼합부(21)의 혼합공간(M1)에서 혼합되게 된다.
그런 다음, 상기와 같이 1차혼합부(21)의 혼합공간(M1)에서 1차적으로 혼합된 1차혼합가스는 1차혼합부(21)의 유출구(31)를 통하여 2차혼합부(23)의 유입구(41)로 유입되는데, 이와 같이 유입구(41)로 유입된 1차혼합가스는 2차혼합부(23)의 혼합공간(M2) 내부에 설치되어 있는 세퍼레이션 플레이트(24)를 통과하며 2차적으로 혼합되어 아웃렛 포트(25)를 통하여 프로세스 챔버(미도시)의 내측으로 유입된다.
즉, 상기 2차혼합부(23)의 내측에 형성된 혼합공간(M2)의 내부는 히터밴드(61)에 의하여 가열되어 혼합가스가 액화되는 것이 방지되며, 또한 상기 세퍼레션 플레이트(24)는 열전도가 잘되는 금속판인 가스체류판(51)이 2차혼합부(23)의 외주벽(43)내주면에 밀착되도록 설치되어 있어서, 역시 1차혼합가스의 액화를 방지하게 된다.
그리고, 상기 가스체류판(51)들은 일정방향으로 경사지도록 설치되어 있어서, 1차혼합가스가 상기 가스체류판(51)들을 통과하며 2차적으로 혼합되게 된다.
상기와 같은 가스혼합장치(70)는 일정기간 반복사용하게 되면 1차혼합부(21) 또는 2차혼합부(23)의 내측이 오염물질에 의하여 오염되어 수리를 요하는 경우가 발생되는데, 이때는 1차혼합부(21)의 외주벽(33)에 형성된 암나사부(33a)에 나사결합되어 있는 2차혼합부(23)의 수나사부(43b)가 해체되도록 2차혼합부(23)를 1차혼합부(21)에서 분리한 다음, 오염물질을 제거하고 다시 조립하여 사용하게 된다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치는 1차혼합부에서 1차적으로 혼합된 혼합가스를 2차혼합부에서 재차혼합할 수 있도록 함으로써, 공정가스의 충분한 혼합이 이루어지게 되어 증착막의 조성불균일이 발생되지 않는 효과가 있다. 그리고, 2차혼합부를 통과하는 혼합가스가 히터밴드 및 세퍼레이션 플레이트에 의하여 일정온도로 유지되므로 액화가 방지되어 공정가스의 액화에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하게 되는 효과가 있다. 또한, 1차혼합부와 2차혼합부가 분해 또는 결합할 수 있도록 되어 있어서 수리가 용이한 효과가 있다.
Claims (8)
- 주입된 가스를 1차적으로 혼합하기 위한 1차혼합부와, 그 1차혼합부에 공정가스를 공급하기 위한 수개의 인렛 포트와, 상기 1차혼합부의 하측에 설치되어 혼합가스를 재차 혼합하기 위한 2차혼합부와, 그 2차혼합부의 내측에 설치되어 1차혼합된 가스의 체류시간을 연장시키기 위한 세퍼레이션 플레이트와, 상기 2차혼합부에서 혼합된 혼합가스를 프로세스 챔버의 내측으로 유입시키기 위한 아웃렛 포트를 구비하여서 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제1항에 있어서, 상기 1차혼합부는 하측으로 유출구가 형성되도록 혼합공간)이 형성되며, 상기 인렛 포트들이 설치되는 상측벽과 외주벽이 일체로 형성된 원통체로 된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제 2항에 있어서, 상기 상측벽과 외주벽에 설치되는 인렛 포트는 가스주입방향이 직교되도록 수직방향으로 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제1항에 있어서, 상기 2차혼합부는 상기 1차혼합부의 유출구에 결합되는 유입구가 형성되는 혼합공간이 형성되도록 아웃렛 포트가 설치된 하측벽과, 그 하측벽에 일체로 형성된 외주벽으로 이루어지는 원통체로 된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제4항에 있어서, 상기 2차혼합부의 외주벽 내측에는 혼합가스의 체류시간을 길게하기 위하여 다수개의 가스체류판을 일정간격으로 설치하고, 그 가스체류판을 지지바로 지지하도록 되어 있는 세퍼레이션 플레이트가 설치된 것을특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제5항에 있어서, 상기 가스체류판들은 일정각도로 경사지도록 설치된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제4항에 있어서, 상기 2차혼합부의 외주벽 외주면에는 히팅코일이 내설된 히터밴드가 일정간격으로 감겨져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
- 제1항에 있어서, 상기 1차혼합부의 외주벽 하단부 내주면에는 암나사부가 형성되어 있고, 2차혼합부의 외주벽 상단부에 연장형성된 플랜지의 외주면에는 수나사부가 형성되어 있으며, 상기 플랜지의 내주면에 설치된 받침턱과 상기 암나사부의 상단부에 내주면에 설치된 지지턱의 사이에 리플레이스먼트 실을 설치하여, 1차혼합부와 2차혼합부가 착,탈가능하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970074703A KR100273261B1 (ko) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970074703A KR100273261B1 (ko) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19990054826A true KR19990054826A (ko) | 1999-07-15 |
| KR100273261B1 KR100273261B1 (ko) | 2000-12-15 |
Family
ID=19528844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970074703A KR100273261B1 (ko) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100273261B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756626B1 (ko) * | 2000-10-28 | 2007-09-07 | 주성엔지니어링(주) | 기체 믹싱 포트 및 이를 이용한 액상반응원료 운반시스템 |
| KR20160023563A (ko) * | 2014-08-21 | 2016-03-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 화합물의 인시츄 형성을 위한 방법 및 시스템 |
Families Citing this family (203)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10683571B2 (en) * | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3081860B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2000-08-28 | 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社 | 化学気相成長装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-12-26 KR KR1019970074703A patent/KR100273261B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100756626B1 (ko) * | 2000-10-28 | 2007-09-07 | 주성엔지니어링(주) | 기체 믹싱 포트 및 이를 이용한 액상반응원료 운반시스템 |
| KR20160023563A (ko) * | 2014-08-21 | 2016-03-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 화합물의 인시츄 형성을 위한 방법 및 시스템 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100273261B1 (ko) | 2000-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100273261B1 (ko) | 반도체 화학기상증착장비의 가스혼합장치 | |
| US6495233B1 (en) | Apparatus for distributing gases in a chemical vapor deposition system | |
| US6056823A (en) | Temperature controlled gas feedthrough | |
| KR100862658B1 (ko) | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 | |
| US7303141B2 (en) | Gas supplying apparatus | |
| TWI524371B (zh) | 具有擴散板和注入器組件的批次處理腔 | |
| KR20110036933A (ko) | Ｃｖｄ 적용을 위한 챔버 구성요소 | |
| WO2002023964A1 (en) | Processing chamber with multi-layer brazed lid | |
| KR102436438B1 (ko) | 방위각 믹서 | |
| KR20040088950A (ko) | 일체형 디퓨저 프레임을 가지는 ｃｖｄ 장치 | |
| KR101590419B1 (ko) | 액화가스 기화기 | |
| KR100517557B1 (ko) | 반도체 소자 제조 장치 | |
| KR100286330B1 (ko) | 반도체의유체접촉방식복사가열장치 | |
| US20130058828A1 (en) | Integrated ozone generator system with removable contact plate and method for individually replacing electrode assemblies of such system | |
| KR100257737B1 (ko) | 반도체웨이퍼 증착장비의 샤워헤드 | |
| KR100234534B1 (ko) | 반도체 확산설비의 덮개판 고정장치 | |
| KR20050011061A (ko) | 반도체소자 제조용 종형로 | |
| KR200165881Y1 (ko) | 가스 분산 공급구 | |
| KR200153143Y1 (ko) | 반도체공정용 화학기상증착장치 | |
| JPH05155606A (ja) | オゾン発生装置 | |
| KR101007821B1 (ko) | 반도체 제조용 가스 분사 장치 | |
| KR20240085512A (ko) | 약액 온도유지 가능형 분사장치 | |
| KR200163644Y1 (ko) | 화학기상증착장치 | |
| KR200153296Y1 (ko) | 웨이퍼 적재용 보우트 | |
| KR19980025928A (ko) | 반도체 증착장비의 액화가스분사기 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080820 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |