KR200165881Y1

KR200165881Y1 - 가스 분산 공급구

Info

Publication number: KR200165881Y1
Application number: KR2019960066073U
Authority: KR
Inventors: 장창국; 정태성
Original assignee: 김영환; 현대반도체주식회사
Priority date: 1996-12-31
Filing date: 1996-12-31
Publication date: 2000-01-15
Also published as: KR19980052893U

Abstract

본 고안은 가스 분산 공급구에 관한 것으로, 종래 기술에 의한 가스 분산 공급구는 공급관을 통하여 공급된 증착가스를 상기 공급구의 저면부에 형성된 분사구멍을 통하여 균일하게 분산공급하지 못하여 상기 증착가스가 상기 반도체 웨이퍼에 불균일하게 증착되게 되는 문제점을 초래하였다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 본 고안은 아래 도면에 도시된 바와 같이, 체결보스(16)의 길이를 저면부(19)의 외주변에 형성되어 있는 측면부(20)와 단차지게 형성하여 상기 저면부(19)의 형상을 상기 체결부재인 나사(18)를 체결하여 변형할 수 있도록 하므로써, 상기 저면부(19)에 형성되어 있는 분사구멍(19a)을 통하여 분산되는 증착가스를 균일하게 분산함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼를 균일하게 증착할 수 있는 효과가 있다.

Description

가스 분산 공급구

본 고안은 가스 분산 공급구에 관한 것으로, 특히 체결보스의 길이를 저면부의 외주변에 형성되어 있는 측면부와 단차지게 형성하여 공급되는 증착가스를 균일하게 공급하도록 하므로써 반도체 웨이퍼를 균일하게 증착할 수 있도록 한 가스 분산 공급구에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 웨이퍼를 증착하는 플라즈마 화학기상증착장치는 상기 도1에 도시된 바와 같이, 소정의 용적을 갖고 밀폐된 챔버(1)가 형성되어 있고, 그 챔버(1)의 저부에는 증착할 반도체 웨이퍼(미도시)가 고정되는 스테이지(2)가 설치되어 있으며, 또 상기 챔버(1)의 상부에는 상기 반도체 웨이퍼에 증착할 증착가스를 공급하는 공급라인(3)이 설치된 리드(Lid)(4)가 설치되어 있고, 그 리드(4)의 저부에는 상기 공급관(3)을 통하여 공급된 증착가스를 일정하게 분산 공급할 수 있는 가스 분산 공급구(5)가 설치되어 있다.

상기 가스 분산 공급구(5)는 상기 도2와 도3에 도시된 바와 같이 증착가스가 분사되는 다수개의 분사구멍(6a)이 형성된 디스형의 저면부(6)가 형성되어 있고, 그 저면부(6)의 외주면에는 소정의 높이를 갖는 측면부(7)가 형성되어 있으며, 또 상기 저면부(6)에는 상기 가스 분산 분산 공급구(5)를 상기 리드(4)에 체결고정할 수 있는 체결부재인 나사(8)가 삽입되는 수개의 체결보스(9)가 형성되어 있다.

상기와 같이 형성된 가스 분산 공급구(5)는 상기 체결보스(9)를 통하여 체결부재인 나사(8)가 관통삽입되고, 그 나사(8)는 상기 리드(4)에 형성되어 있는 나사공(미도시)에 체결되게 되므로써, 설치고정되게 되는 것이다.

도면상의 미설명 부호 10은 가스공급판이다.

상기와 같이 형성되어 설치고정된 가스 분산 공급구(5)를 갖는 플라즈마 화학기상증착장치는 상기 도4에 도시된 바와 같이 상기 리드(4)에 설치되어 있는 공급관(3)을 통하여 상기 반도체 웨이퍼에 증착할 증착가스가 공급되고, 상기 공급관(3)을 통하여 공급된 증착가스는 상기 가스 분산 공급구의 저면부(6)에 형성된 분산구멍(6a)을 통하여 분산되며, 그 분사구멍(6a)을 통하여 분산된 증착가스는 상기 가스공급판(10)을 거쳐 상기 챔버(1)의 저부에 설치되어 있는 스테이지(2)에 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 증착되게 되는 것이다.

그러나, 상기와 같이 형성된 가스 분산 공급구는 상기 공급관을 통하여 공급된 증착가스를 상기 공급구의 저면부에 형성된 분사구멍을 통하여 균일하게 분산공급하지 못하여 상기 증착가스가 상기 반도체 웨이퍼에 불균일하게 증착되게 되는 문제점을 초래하였다.

따라서, 본 고안의 목적은 상기의 문제점을 해결하여 증착가스의 균일한 공급과 더불어 상기 반도체 웨이퍼를 균일하게 증착할 수 있는 가스 분산 공급구를 제공함에 있다.

도1은 종래 기술에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치의 구조를 보인 개략도.

도2는 종래 기술에 의한 가스 분산 공급구의 종단구조를 보인 단면도.

도3은 종래 기술에 의한 가스 분산 공급구의 구조를 보인 사시도.

도4는 종래 기술에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치에서 반도체 웨이퍼가 증착되는 상태를 보인 개략도.

도5는 본 고안에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치의 구조를 보인 개략도.

도6은 본 고안에 의한 가스 분산 공급구의 종단구조를 보인 단면도.

도7은 본 고안에 의한 가스 분산 공급구의 구조를 보인 사시도.

도8은 본 고안에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치에서 반도체 웨이퍼가 증착되는 상태를 보인 개략도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

11 : 가스 분산 공급구 16 : 체결보스

18 : 나사 19 : 저면부

19a : 분사구멍 20 : 측면부

본 고안의 목적은 반도체 웨이퍼에 증착되는 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 분사구멍이 형성된 디스크형의 저면부와, 그 저면부의 외주변에 일정 높이로 형성된 측면부와, 그 측면부의 높이와 다른 높이로 상기 저면부에 형성되고 체결부재가 삽입되는 수개의 체결보스를 구비하여 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산 공급구에 의하여 달성된다.

다음은, 본 고안에 의한 가스 분사 공급구의 일실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.

도5는 본 고안에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치의 구조를 보인 개략도이고, 도6은 본 고안에 의한 가스 분산 공급구의 종단구조를 보인 단면도이며, 또 도7은 본 고안에 의한 가스 분사 공급구의 구조를 보인 사시도이고, 도8은 본 고안에 의한 가스 분산 공급구가 설치된 플라즈마 화학기상증착장치에서 반도체 웨이퍼가 증착되는 상태를 보인 개략도이다.

상기 도5에 도시된 바와 같이, 본 고안에 의한 가스 분산 공급구(11)가 설치된 플라즈마 화학기상증착기는 소정의 용적을 갖고 밀폐된 챔버(12)가 형성되어 있고, 그 챔버(12)의 저부에는 증착할 반도체 웨이퍼가 고정되는 스테이지(13)가 설치되어 있으며, 또 상기 챔버(12)의 상부에는 상기 반도체 웨이퍼에 증착할 증착가스를 공급하는 공급라인(14)이 설치된 리드(Lid)(15)가 설치되어 있고, 그 리드(15)의 저부에는 상기 가스 분산 공급구(11)의 체결보스(16)가 삽입되는 수개의 보스삽입홀(17)이 형성되어 있으며, 상기 보스삽입홀(17)의 중심부에는 체결부재인 나사(18)를 체결할 수 있는 나사공(미도시)이 형성되어 있다.

상기와 같이 형성되어 설치된 리드(15)에는 상기 공급라인(14)을 통하여 공급된 증착가스를 분산 공급하는 가스 분산 공급구(11)가 설치되고, 그 가스 분산 공급구(11)는 상기 도6과 도7에 도시된 바와 같이, 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 분사구멍(19a)이 형성된 디스크형의 저면부(19)가 형성되어 있고, 그 저면부(19)의 외주변에 일정 높이로 형성된 측면부(20)가 있으며, 또 상기 측면부(20)과 다른 높이로 상기 체결부재인 상기 나사(18)가 삽입되는 수개의 체결보스(17)가 상기 리브(15)에 형성되어 있는 보스삽입홀(17)과 대응되도록 상기 저면부(19)에 형성되어 있다.

상기와 같이 형성된 가스 분산 공급구(11)는 상기 리브(15)에 형성되어 있는 보스 삽입홀(17)에 상기 체결보스(17)를 대응시켜 체결부재인 나사(18)를 체결하므로써 상기 도8에 도시된 바와 같이 저면부(19)가 곡면을 형성하거나 평면을 형성하여 상기 리브(15)에 고정되게 되는 것이다.

도면상의 미설명 부호 21은 가스공급판이다.

상기와 같이 형성된 가스 분사 공급구(11)가 설치된 상기 플라즈마 화학기상증착기는, 먼저 상기 리드(15)에 설치되어 있는 공급관(14)을 통하여 상기 반도체 웨이퍼에 증착할 증착가스가 공급되고, 상기 공급관(14)을 통하여 공급된 증착가스는 상기 가스 분산 공급구의 저면부(19)에 형성된 분사구멍(19a)을 통하여 분산되며, 이때 상기 체결부재인 나사(18)의 체결로 인하여 곡면으로 형성된 저면부의 분사구멍(19a)을 통하여 분산된 증착가스는 균일하게 분산되게 된다.

상기 가스 분산 공급부(11)를 통하여 균일하게 분산된 증착가스는 상기 가스공급판(21)을 거쳐 상기 챔버(12)의 저부에 설치되어 있는 스테이지(13)에 고정된 상기 반도체 웨이퍼에 증착되게 되는 것이다.

상기와 같이, 체결보스의 길이를 저면부의 외주변에 형성되어 있는 측면부와 단차지게 형성하여 상기 저면부의 형상을 상기 체결부재인 나사를 체결하여 변형할 수 있도록 하므로써, 상기 저면부에 형성되어 있는 분사구멍을 통하여 분산되는 증착가스를 균일하게 분산함과 아울러 상기 반도체 웨이퍼를 균일하게 증착할 수 있는 효과가 있다.

Claims

반도체 웨이퍼에 증착되는 증착가스가 분사될 수 있는 다수개의 분사구멍이 형성된 디스크형의 저면부와, 그 저면부의 외주변에 일정 높이로 형성된 측면부와, 그 측면부의 높이와 다른 높이로 상기 저면부에 형성되고 체결부재가 삽입되는 수개의 체결보스를 구비하여 형성된 것을 특징으로 하는 가스 분산 공급구.
제1항에 있어서, 상기 체결보스는 상기 측면부의 높이보다 높은 높이를 갖는 것을 특징으로 하는 가스 분산 공급구.