KR960005767A - 균일 가스 유동 패턴을 위한 배출 배플 - Google Patents

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Abstract

배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없으며 반도체 가공 챔버에서 개선된 가공 가스 유동 분배를 제공하는 틈이 그 사이에 형성하는 두개의 단부를 가지는 아아크형 배출 배플은 아아크형 배출 플리넘을 통하여 형성되며 배플 원주 주위에 분배된 다수의 개구를 포함한다. 개구는 기판 가공 중에 상기 기판 표면에 균일 가스 유동을 발생시키기 위하여 상기 하부 배출 플리넘과 통한다. 배출 배플은 상기 기판 표면에 대하여 예각 상태로 상기 틈으로부터 상기 기판 표면에 상기 가공 가스를 흘리기 적합한 적어도 하나의 오프셋 통로가 그 사이에 형성되며, 이에 의하여 기판의 전체 원주에 대한 가공 가스 유통에 영향을 주는 배출 패턴을 제공한다. 본 발명의 선택적인 실시예는 서로 접하며 상기 틈으로부터 가공 챔버의 가공 가스를 안내하는 다수의 개구 및 적어도 하나의 오프셋 통로를 형성하는 두개의 배플 영역을 가진 배출 배플을 제공한다.

Description

균일 가스 유동 패턴을 위한 배출 배플
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 배출 배플의 평면도이다.
제4도는 본 발명의 배출 배플의 부분 단면,확대, 사시도이다.
제5도는 본 발명의 두 부분으로 된 배출 배플의 상부 및 하부에 대한 부분조립도이다.

Claims (19)

  1. 반도체 가공 챔버에서 반도체 기판의 표면 사이의 가공 가스 분배를 제어하는 장치에 있어서, 가공 챔버 진공 시스템에 연결되고 상기 가공 가스가 상기 가공 챔버로부터 배출되도록 하며, 직접 접근할 수 없는 사이의 틈을 형성하는 두개의 단부를 가지는 배출 플리넘; 및 상기 배출 플리넘 위에 놓이며, 상기 가공 가스가 상기 가공 챔버로부터 직접 상기 배출 플리넘으로 유입될 수 있도록 형성된 적어도 한 세트의 개구를 가진 배플을 포함하며, 상기 배플은 상기 틈으로부터 상기 가공 가스를 흘리기 위하여 상기 배출 플리넘과 통하고 상기 배출 플리넘으로부터 분기된 적어도 하나의 통로를 가지며, 상기 개구 및 통로는 기판 가공 중에 상기 기판 표면에 가스 유동 균일성을 향상시키기 위하여 상기 하부 배출 플리넘과 통하는 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개구 및 통로 중 적어도 하나는 상기 기판 표면에 대하여 예각 상태로 상기 기판 표면에 상기 가공 가스를 흘리기 적합한 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 개구 및 통로 중 적어도 하나는 상기 기판 표면에 대하여 예각 상태로 상기 기판 표면에 상기 가공 가스를 흘리기 적합한 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 통로는 상기 기판 표면 쪽으로 부분적으로 접하도록 만들어진 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 배플은 사이 배출 플리넘에 가깝게 배치된 하부 배플 부분; 및 상기 하부 배플 부분과 물려 있는 상부 배플 부분을 더 포함하며, 상기 하부 배플 부분은 상기 개구 세트 및 통로의 하부부분을 포함하며, 상기 상부 배플 부분은 상기 개구 세트 및 통로의 대응 상부부분을 포하하는 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 상부 배플 부분은 "C"형상이며, 상기 통로는 상기 "C"의 개방 단부에서 상기 배플에 대하여 개방된 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 장치.
  7. 하부 가공 챔버 배출 플리넘과 접하여 이를 덮도록 만들어지며, 상기 배출 플리넘을 상기 가공 챔버에 연결시키도록 형성된 저어도 하나의 개구를 가진 배플을 포함하며, 상기 개구가 상기 기판 표면에 대하여 예각 상태로 상기 기판 표면에 상기 가공 가스를 흘리기 적합한 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 배플.
  8. 제7항에 있어서, 상기 개구는 상기 하부 배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없는 영역으로부터 가공 가스를 흘리기에 적합한 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 배플.
  9. 아아크형 가공 챔버 배출 플리넘을 덮는 제1배플 부분; 및 상기 제1배플 부분 중 적어도 일부분을 덮는 제2배플 부분을 포함하며, 상기 배출 플리넘은 상기 배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없는 틈을 그 사이에 형성하는 두개의 단부를 가지며, 상기 제1배플 부분은 선택된 위치에서 이를 통하여 형성되며 제1배플 부분 상부 표면으로부터 배출 플리넘으로 가공 가스를 흘리기에 적합한 제1세트의 개구를 가지며, 상기 제1배플 부분은 상기 제1세트의 개구와 분리되어 형성된 통로를 포함하며, 상기 통로는 상기 제1배플 부분 상부 표면상의 위치로부터 상기 제1배플 부분 하부 표면상의 제2위치로 가공 가스를 흘리기에 적합하며, 상기 제2위치는 상기 배출 플리넘에 인접하게 배치되며 상기 제1위치는 상기 가공 챔버에 인접하게 배치되며, 상기 제2배플 부분은 그를 통하여 형성된 제2세트의 개구를 가지며, 상기 제1배플 부분에 인접하고 정확하게 접촉되도록 상기 제2배플 부분을 배치하는 것은 상기 제1세트의 개구와 상기 제2세트의 개구를 정렬시키도록 하는 것이며; 상기 제2배플 부분을 가공 가스가 상기 제2배플 부분의 하부 표면 및 상기 제1배플 부분의 상부 표면 사이의 통로를 통하여 흐르도록 상기 통로의 일부분을 감싸기에 적합한 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 배플.
  10. 배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없는 틈을 그 사이에 형성하는 두개의 단부를 가지는 아아크형 가공 챔버 배출 플리넘을 덮는 배플을 포함하며, 상기 배플은 배플을 통하여 형성되며 상기 배출 플리넘으로부터 상기 틈과 일치하는 상기 배플위의 위치에 진공의 경로를 형성하기에 적합한 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 배플은 기판 가공 중에 기판을 감싸기에 적하한 링형 하부 배플 부분; 및 상기 통로 위에서 종료하는 단부를 가진 "C"형 상부 배플 부분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 상부 배플 부분은 상기 통로에 접하는 슬롯을 포함하며, 상기 슬롯은 상기 "C"형 상부 배플 부분의 단부에 대하여 개방되며 상기 통로 위에서 종료하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 장치.
  13. 반도체 가공 챔버에서 반도체 기판의 표면사이의 가공 가스 분배를 제어하는 방법에 있어서, 배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없으며 상기 가공 가스가 상기 가공 챔버로부터 배출되도록 하는 배플에 의하여 가공 챔버 진공 시스템에 연결되는 틈을 그 사이에 형성하는 두개의 단부를 가진 하부 아아크형 배출 플리넘을 덮는 단계; 상기 배플을 통하여 형성된 적어도 하나의 개구 세트를 통하여 상기 가공 챔버로부터 상기 배출 플리넘에 가공 가스를 직접 흘리는 단계; 및 상기 배플을 통하여 형성되며 상기 배출 프리넘과 통하며 상기 배출 플리넘로부터 분기된 적어도 하나의 통로를 통하여 상기 틈으로부터 가공 가스를 흘리는 단계를 포함하며, 상기 개구 및 통로는 기판 가공 중에 상기 기판 표면에 균일 가스 유동을 발생시키기 위하여 상기 하부 배출 플리넘과 통하는 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 개구 및 통로 중 적어도 하나는 상기 기판 표면에 대하여 예각 상태로 상기 기판 표면에 상기 가공 가스를 흘리기 적합한 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  15. 제13항에 있어서, 상기 통로는 배플 배출 플리넘 표면에서 원형 구조를 가지며, 상기 통로는 배플 상부 표면에서 슬롯형 구조가 되도록 깔때기 모양으로 벌어지는 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 통로는 상기 기판 표면 쪽으로 부분적으로 접하도록 만들어진 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  17. 제13항에 있어서, 상기 배플은 상기 배출 플리넘에 가깝게 배치된 하부 배플 부분; 및 상기 하부 배플 부분과 물려 있는 상부 배플 부분을 더 포함하며, 상기 하부 배플 부분은 상기 개구 세트 및 통로의 하부부분을 포함하며, 상기 상부 배플 부분은 상기 개구 세트 및 통로의 대응 상부부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 상부 배플 부분은 "C"형상이며, 상기 통로는 상기 "C"의 개방 단부에서 상기 배플에 대하여 개방된 것을 특징으로 하는 가공 가스 분배를 제어하는 방법.
  19. 틈을 그 사이에서 형성하는 두개의 단부를 가진 아아크형 배출 플리넘으로서, 상기 틈은 상기 배출 플리넘에 의하여 직접 접근할 수 없으며 기판 원주 중 적어도 일부분 주위에 거의 일정한 배출 압력을 제공하기에 적합하도록 된 아아크형 배출 플리넘; 및 상기 배출 플리넘을 덮으며, 상기 배출 플리넘으로부터 상기 틈으로 배출 압력의 경로를 형성하기에 적합한 통로가 그를 통하여 형성되는 배플을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 가공 챔버용 가공 가스 분배 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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