KR19990029375A - 탄화규소 성형체 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 강도 특성 및 열 특성이 뛰어난 CVD-SiC 성형체로 이루어지는 탄화규소 성형체를 제공한다. CVD법에 의해 제작한 SiC 성형체(CVD-SiC 성형체)로서, SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 100∼300W/m·K 범위이고, 내부 조직의 평균 입자 직경이 4∼12㎛인 탄화규소 성형체를 제공한다. SiC 결정 성장 방향의 열전도율과 그것과 직각 방향의 열전도율과의 비가 1.10∼1.40인 것이 바람직하다.

Description

탄화규소 성형체
본 발명은 순도가 높고, 치밀성, 내식성 및 강도 특성 등이 뛰어나며, 예컨대 에피택셜 성장, 플라스마 에칭 처리, CVD 처리 등에 이용되는 서셉터, 더미 웨이퍼 또는 타겟(target)재나 각종 지그 등의 반도체 제조에 이용하는 부재로서 유용한 탄화규소 성형체에 관한 것이다.
탄화규소 성형체(하기 SiC로 표기함)는 내열성, 내마모성, 내식성 등의 재질 특성이 뛰어나, 각종 공업용 부재로서 유용되고 있다. 특히, CVD법(화학적 기상 증착법)을 이용하여 제작한 SiC 성형체(CVD-SiC 성형체)는 치밀하고 순도가 높기 때문에 반도체 제조용의 각종 부재로서 널리 사용하고 있다.
이 CVD-SiC 성형체는 원료 가스를 기상 반응시켜 기판면 위에 SiC의 결정립을 적층시키고, 결정립의 성장에 의해 피막을 생성한 후 기판 몸체를 제거함으로써 얻어지는 것으로, 재질적으로 치밀하고 순도가 높으며 조직의 균질성이 높다고 하는 특징이 있다.
CVD-SiC 성형체로서, 예컨대 일본국 특허 공개 공보 평성 7-188927호에는, SiC, Si3N4등의 내열 세라믹 재료로 이루어지는 CVD 자립막(自立膜) 구조체에 있어서, 결정립의 배향이 랜덤하게 되는 것을 특징으로 하는 CVD 자립막 구조체가 개시되어 있다. 본 발명은 CVD 자립막 구조체의 기계적 강도의 이방성의 감소를 도모하기 위해서, 재결정 온도 이상의 온도(예컨대, 1700∼2200℃)에서 더욱 열처리하여 결정립의 배향을 랜덤으로 하는 것으로, 공정이 번잡하게 된다는 난점이 있다.
또한, 일본국 특허 공개 공보 평성 8-188408호에는, 화학 증착법에 의해 형성된 탄화규소 기판의 양면에 탄화규소막을 가지는 화학 증착법에 의한 탄화규소 성형체 및 기체의 표면에 화학 증착법에 의해 탄화규소막을 형성하고, 상기 기체를 제거하여 얻어진 탄화규소 기판의 양면에 탄화규소막을 형성하는 화학 증착법에 의한 탄화규소 성형체의 제조 방법이 개시되어 있다.
더욱이, 일본국 특허 공개 공보 평성 8-188468호에는 3층 이상의 탄화규소층의 적층체로 이루어지고, 또한 각 탄화규소층의 두께가 100㎛ 이하인 화학 증착법에 의한 탄화규소 성형체 및 기체의 표면에 화학 증착법에 의해 탄화규소막을 형성하고, 상기 기체를 제거함으로써 탄화규소 성형체를 제조하는 방법에 있어서, 화학 증착법에 의해 탄화규소층을 형성하고, 이어서 이 탄화규소층의 표면을 평탄화하는 공정을 복수회 반복함으로써 각 층의 두께가 100㎛ 이하인 탄화규소층을 소망 두께 이상으로 적층한 후, 기체를 제거하는 화학 증착법에 의한 탄화규소 성형체의 제조 방법이 개시되어 있다.
상기한 일본국 특허 공개 공보 평성 8-188408호 및 특허 공개 공보 평성 8-188468호의 발명은 탄화규소 성형체에 발생하는 균열이나 휘어짐의 억제를 목적으로서 SiC막을 소망 두께까지 한꺼번에 형성하지 않고 도중에 멈추고, SiC막에 축적되는 내부 응력을 최소한으로 억제함으로써 결정립의 크기가 일치하며, 막 표면의 요철(凹凸) 정도를 감소시킨 SiC막을 기판으로서 그 상면과 하면의 양면에 SiC막을 형성하는(일본국 특허 공개 공보 평성 8-188408호), 또는 SiC층 형성을 초기 단계에서 멈추고, 층 표면을 평탄화하는 공정을 복수회 반복하는 것(일본국 특허 공개 공보 평성 8-188468호)이다.
따라서, 이 일본국 특허 공개 공보 평성 8-188408호, 동일 8-188468호의 발명에서는, CVD법으로 형성하는 SiC막을 원하는 막 두께까지 한꺼번에 형성하지 않고 도중에 멈추고, 또한 평탄화 처리하는 등 공정이 번잡화되어, 제조 효율이 저하하는 문제점이 있으며, 또, 강도 특성이나 내열충격 특성도 충분하지 않다고 하는 문제점도 있다.
본 발명자 등은 상기 문제점의 해소를 도모하기 위해서 연구를 진행시킨 결과, CVD법에 의해 석출한 SiC 결정립의 성상을 특정 범위로 설정 제어하면, 강도 특성 및 열적 특성이 뛰어난 CVD-SiC 성형체가 얻어진다는 것을 발견하였다. 본 발명은 이 지견에 기초하여 개발된 것으로, 그 목적은 번잡한 처리를 필요로 하지 않고, 강도 특성 및 열적 특성이 뛰어난 탄화규소 성형체를 제공하는 것에 있다. 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 탄화규소 성형체는 CVD법에 의해 제작한 SiC 성형체(CVD-SiC 성형체)로서 SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 100∼300W/m·K이고, 내부 조직의 평균 입자경이 4∼12㎛인 것을 구성상의 특징으로 한다. 또한 바람직하게는 SiC 결정 성장 방향의 열전도율과, 그것과 직각 방향의 열전도율의 비가 1.10∼1.40의 범위로 설정된다.
CVD법에 의해 제작한 SiC 성형체, 즉 CVD-SiC 성형체는 CVD법(화학적 기상 증착법)에 의해 원료 가스를 기상 반응시켜 기체면 위에 SiC를 석출시킨 후 기체를 제거하여 얻어지는 것으로, 기체로는 탄소재나 세라믹재 등이 이용된다. 기체의 제거는 기체를 절삭 또는 연삭하여 제거할 수도 있지만, 변형이나 불순물 혼입을 방지하기 위해서 연소시킴으로써 용이하게 제거할 수 있는 탄소재가 바람직하게 이용된다.
CVD법에 의해 SiC가 적층되고, 기체면 위에 SiC막이 형성 피복되는 과정은 우선 원료 가스가 기상 반응하여 기체면 위에 SiC의 핵이 생성되고, 이 SiC 핵이 성장하여 비결정질 SiC가 되며, 더욱 미세한 다결정질 SiC립으로 성장한다. 더욱이, CVD 반응을 계속하면 미세 다결정질 SiC립은 기둥 모양 조직의 결정 조직으로 성장을 계속하여 SiC막이 형성 피복된다. SiC막이 기재 표면에서 상측으로 막 두께가 증가하는 방향으로 성장한다. 이 성장 과정에서 결정립의 크기에 불균형이 생긴다. 따라서, CVD-SiC 성형체의 강도 특성이나 열적 특성은 기체면 위에 적층되어 형성된 SiC막의 입자 성상에 따라서 크게 달라지게 된다.
본 발명의 탄화규소 성형체는 기체면 위에 형성 피복된 SiC막의 물리적 성상으로서 SiC의 결정 성장 방향의 열전도율을 100∼300W/m·K의 범위로 특정하는 것이다. SiC막이 미세 다결정질 SiC 입자가 많고 기둥 모양 입자의 비율이 적은 상태의 SiC 입자로 구성되어 있으면, 입계에 있어서의 포논(phonon)의 산란이 커지고 열 저항이 커지기 때문에 열전도율은 작아지고, 또한 형성된 SiC막의 강도는 증대한다. 본 발명에서 SiC 결정 성장 방향의 열전도율을 100∼300W/m·K의 범위로 특정하는 이유는 열전도율이 100W/m·K 미만인 경우에는 가열 냉각 사이클에 있어서의 내열 충격성이 저하하고, 또한 300W/m·K를 초과하면 입자 성상의 방향성이 증대하기 때문에 강도 특성이나 열적 특성의 이방성도 커지고, 성형체의 열적 변형도 생기기 쉽게 되기 때문이다. 또한 바람직한 범위는 150∼250W/m·K이다.
더욱이, 본 발명의 탄화규소 성형체는 그 내부 조직의 평균 입자 직경이 4∼12㎛일 필요가 있다. CVD-SiC 성형체의 내부 조직은 CVD 반응에 의해 기체면 위에 적층되어 형성된 SiC막의 SiC 입자에 의해 구성되어 있고, 이 SiC 입자의 크기는 CVD-SiC 성형체의 강도 특성이나 열적 특성에 영향을 준다. 입경이 작은 경우, 입계가 응력을 완화하는 작용을 가지고, 입경이 커지면 응력 집중에 의해 결정 입자 자체의 분해(cleavage)가 발생하는 경향이 있다. 즉, 본 발명은 이 CVD-SiC 성형체를 구성하는 내부 조직의 평균 입자 직경을 4∼12㎛의 범위로 특정함으로써 강도 특성과 열적 특성의 밸런스를 도모하는 것으로, 평균 입자 직경이 4㎛를 밑돌면 열전도율 등의 열적 특성이 저하하고, 한편 평균 입자 직경이 12㎛를 상회하면 굽힘 강도에서 600MPa를 밑도는 등의 강도 특성이 저하하기 때문이다. 또한 바람직한 범위는 5∼8㎛이다.
더욱이, CVD-SiC 성형체의 SiC 결정 성장 방향의 열전도율과, 그것과 직각 방향의 열전도율과의 비가 1.10∼1.40의 범위에 있으면 SiC 입자 성상의 이방성이 낮아져, 열적 특성의 개선, 예컨대 가열 냉각 사이클에 의한 열 충격시에도 균열 등의 발생을 억제할 수 있다. CVD-SiC 성형체는 주로 입방정형(立方晶形)의 β-SiC이고, 여러 가지 결정 성장의 형태를 취하며, 예컨대, X선 회절 강도에서는 주로 (111), (200), (220), (311)의 회절 강도가 여러 가지 비율로 나타난다. 그러나, CVD-SiC 성형체의 열전도율은 결정 형태에 따라서 방향 이방성을 나타내는 경우가 있고, 예컨대, 가스 농도나 압력 등의 반응 조건에 의해 원료 가스의 과포화도가 높아진 경우에는 기재에 수직인 방향으로 결정이 성장하고, 그 결과 열전도율의 방향 이방성이 나타나 강도나 열 충격성도 저하하는 경향을 나타내게 되기 때문이다.
CVD-SiC 성형체는 예컨대 탄소재를 기체로서 CVD 장치의 반응 챔버(chamber) 내에 넣어 가열하고, 반응 챔버에 할로겐화 유기 규소 화합물과 수소와의 혼합 가스를 도입하여 할로겐화 유기 규소 화합물의 환원 열분해에 의해 탄소 기체면에 SiC를 적층하여 소정 두께로 SiC막을 형성한 후, 탄소 기체를 제거함으로써 제작된다. 원료 가스가 되는 할로겐화 유기 규소 화합물로서는, 트리클로로메틸실란, 트리클로로페닐실란, 디클로로메틸실란, 디클로로디메틸실란, 클로로트리메틸실란 등이 이용된다. 탄소 기체의 제거는 탄소재를 절삭 제거하는 방법, 공기 중에서 가열하여 탄소재를 연소 제거하는 방법 등 적당한 방법으로 행하여지지만, 연소 제거의 조작이 간편하고 바람직하다. 또한 탄소 기체를 제거한 후, 연마 처리하여 면을 평활화하는 것이 바람직하다.
상기 CVD-SiC 성형체의 제작 시에, 원료 가스인 할로겐화 유기 규소 화합물과 환원제인 수소 가스와의 비율, 혼합 가스의 유량, CVD 반응의 온도나 시간, CVD 장치의 노압(爐壓) 등의 조건을 설정 제어함으로써 본 발명의 탄화규소 성형체를 얻을 수 있다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 비교예와 대비하여 구체적으로 설명한다.
실시예 1∼10, 비교예 1∼11
직경 202mm, 두께 6mm의 고순도 등방성 흑연재(회분 20ppm 이하)를 기체로서 CVD 장치의 석영 반응관 내에 넣어 가열하였다. 원료 가스인 할로겐화 유기 규소 화합물로는 트리클로로메틸실란을 이용하고, 수소와의 혼합 가스를 190L/min의 유량으로 반응관에 송입하여 24시간 CVD 반응을 행하여, 기체면 위에 SiC막을 부착 형성하였다. 이 경우에, 혼합 가스 중에 있어서의 트리클로로메틸실란의 농도, CVD 반응 온도, 반응관 내의 압력 등을 바꾸어, 다른 물리 성상을 구비한 SiC막을 적층시켰다. 이어서, 기체를 횡단 방향으로 절단하여 2분할한 후, 대기 중에서 650℃의 온도로 가열하여 흑연 기체를 연소 제거하고, 더욱이 표면을 연마 가공하여 직경 200mm, 두께 1.2mm의 원판상의 CVD-SiC 성형체를 제작하였다. 이들 탄화규소 성형체에 대하여, 하기 방법에 의해 열전도율, 내부 조직의 평균 입자 직경 및 굽힘 강도를 측정하고, 또한 열 충격 시험을 행하였다. 얻어진 결과를 CVD-SiC 성형체의 제작 조건과 대비하여 표 1a 및 표 1b에 나타내었다.
① 열전도율(W/m·K) ;
JIS R1611-1991에 기초하여, 레이저 플래시법에 의해 열확산율과 비열용량을 측정하고, 하기 수학식 1로 열전도율을 구하였다.
② 내부 조직의 평균 입자 직경(㎛) ;
배율 3000의 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 관찰을 행하고, 누적 면적율 50%을 평균 입자 직경으로 하였다.
③ 굽힘 강도(MPa) ;
JIS R1601-1981에 준거하여, 3점 굽힘법에 의하였다.
④ 열충격 시험 ;
실온의 샘플을 불활성 분위기 및 1200℃의 온도로 유지한 전기로에 넣어, 2분간 유지한 후 전기로로부터 취출하고, 대기 중에서 200℃의 온도로 냉각한 뒤, 다시 1200℃의 온도로 유지한 전기로에 넣는다고 하는 열처리를 10회 반복하여 행하고, 이 열처리 사이클에 의한 샘플의 상태를 관찰하였다.
번호 CVD-SiC 성형체
제작 조건 특성
원료농도(Vol%)＊1 반응온도(℃) 압력(Torr) 열전도율(W/m·K) 평균입자직경(㎛) 굽힘 강도(㎫) 열충격시험
A＊2 B＊3 B/A
실시예 1 7.5 1320 760 130 150 1.15 4 700 양호
2 7.5 1320 500 145 165 1.14 5 680 양호
3 7.5 1350 760 140 170 1.21 5 680 양호
번호 CVD-SiC 성형체
제작 조건 특성
원료농도(Vol%)＊1 반응온도(℃) 압력(Torr) 열전도율(W/m·K) 평균입자직경(㎛) 굽힘 강도(㎫) 열충격시험
A＊2 B＊3 B/A
실시예 4 7.5 1360 500 160 180 1.13 7 660 양호
5 7.5 1360 760 155 175 1.13 6 670 양호
6 5.0 1360 760 165 190 1.15 7 660 양호
7 7.5 1380 760 185 220 1.19 8 650 양호
8 7.5 1380 500 190 225 1.18 10 630 양호
9 5.0 1380 760 190 230 1.12 9 630 양호
10 7.5 1400 760 250 280 1.12 12 600 양호
비교예 1 7.5 1160 760 90 120 1.33 2 710 8회＊4
2 7.5 1200 760 75 105 1.40 2 715 6회＊4
3 7.5 1270 500 85 110 1.29 3 705 7회＊4
4 7.5 1270 760 75 95 1.27 2 715 5회＊4
5 5.0 1270 760 85 105 1.23 3 710 7회＊4
6 10.0 1350 760 110 170 1.55 4 480 5회＊4
7 12.5 1380 760 150 240 1.60 6 470 5회＊4
8 7.5 1400 500 270 300 1.11 14 540 양호
9 5.0 1400 760 320 350 1.09 15 520 양호
10 7.5 1450 500 370 390 1.05 18 440 양호
11 7.5 1450 760 360 380 1.06 17 450 양호
주 ;*1혼합 가스 중에 있어서의 클로로메틸실란의 농도(Vol%)*2SiC 결정 성장과 직각 방향의 열전도율(W/m·K)*3SiC 결정 성장 방향의 열전도율(W/m·K)*4균열이 발생한 열처리 사이클 회수
상기 표 1a 및 표 1b의 결과에서, SiC 결정 성장 방향의 열전도율(B)이 100∼300W/m·K 및 내부 조직의 평균 입자 직경이 4∼12㎛의 물리 성상을 가지는 실시예의 탄화규소 성형체는 비교예의 탄화규소 성형체에 비하여 어느것 모두 굽힘 강도가 높고, 내열충격성도 우수하다는 것을 알았다. 더욱이 SiC 결정 성장 방향의 열전도율(B)과 그것과 직각 방향의 열전도율(A)과의 비(B/A)가 1.10∼1.40의 범위에 있으면, 내열충격성이 보다 한층더 향상되고 있는 것이 인지된다.
본 발명에 의하면 고순도이고 치밀한 CVD-SiC 성형체로 이루어지는 강도 특성 및 열적 특성이 뛰어난 탄화규소 성형체가 제공된다. 따라서, 본 발명의 탄화규소 성형체는 에피택셜 성장, 플라스마 에칭 처리, CVD 처리 등에 이용되는 서셉터, 더미 웨이퍼 또는 타겟재나 각종 지그 등의 반도체 제조에 이용하는 부재로서 극히 유용하다.

Claims (5)

  1. 화학증착법(CVD)에 의해 제조되는 탄화규소(SiC) 성형체에 있어서,
    SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 100∼300W/m·K이고, 내부 조직의 평균 입자 직경이 4∼12㎛인 것을 특징으로 하는 탄화규소 성형체.
  2. 제1항에 있어서, SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 150∼250W/m·K인 것을 특징으로 하는 탄화규소 성형체.
  3. 제1항에 있어서, 내부 조직의 평균 입자 직경이 5∼8㎛인 것을 특징으로 하는 탄화규소 성형체.
  4. 제1항에 있어서, SiC 결정 성장 방향에 직각인 방향으로의 열전도율에 대한 SiC 결정 성장 방향의 열전도율의 비가 1.10∼1.40인 것을 특징으로 하는 탄화규소 성형체.
  5. 화학증착법(CVD)에 의해 제조되는 탄화규소(SiC) 성형체에 있어서,
    SiC 결정 성장 방향의 열전도율이 150∼250W/m·K이고, 내부 조직의 평균 입자 직경이 5∼8㎛이며, SiC 결정 성장 방향에 직각인 방향으로의 열전도율에 대한 SiC 결정 성장 방향의 열전도율의 비가 1.10∼1.40인 것을 특징으로 하는 탄화규소 성형체.
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