KR19990006363A - 스퍼터링장치 및 스퍼터링방법 - Google Patents

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Abstract

애스팩트비 4이상인 홀의 내면에 바텀커버리지율 좋게 성막을 행할 수 있도록 한다.
배기계(11)를 구비한 스퍼터챔버(1)내에 설치된 타겟(2)을 스퍼터하는 스퍼터전원(3)은, 타겟(2)에 대하여 소정의 고주파전력을 인가하는 것이고, 타겟(2)과 기판(50)과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극(6)이 설치되고, 보조전극(6)은 고주파전력이 인가된 타겟(2)과 용량성결합하도록 부유전위로 유지되든지, 동일한 주파수의 고주파전력이 인가된다. 보조전극(6)의 내측에는 플라즈마(P')가 형성되고, 타겟(2)으로부터 방출된 스퍼터입자가 이온화되고, 전계설정수단(8)이 설정한 인출용전계로 이끌려서 기판(50)에 수직으로 입사한다.

Description

스퍼터링장치 및 스퍼터링방법
본원의 발명은 각종 반도체 디바이스의 제작에 사용되는 스퍼터링장치에 관한 것이고, 특히, 스퍼터입자를 이온화하는 기능을 구비한 스퍼터링장치에 관한 것이다.
(종래의 기술)
각종 메모리나 논리같은 반도체 디바이스로서는, 각종 배선막의 작성이나 이종층의 상호확산을 방지하는 배리어막을 작성할 때에 스퍼터링 프로세스를 사용하고 있다. 스퍼터링 프로세스에서, 스퍼터링장치가 사용되고 있다. 이러한 스퍼터링장치는, 기판에 형성된 홀의 내면에 커버리지성 좋게 피복할 수 있는 것이, 최근 강하게 요청되고 있다.
구체적으로 설명하면, 예컨대 DRAM에서 다용되고 있는 CMOS- FET(전계 효과트랜지스터)에서는, 확산층의 위에 설치한 컨택트홀의 내면에 배리어막을 설치하여 컨택트배선층과 확산층과의 크로스콘테미네이션을 방지하는 구조가 채용된다. 각 메모리셀의 배선을 행하는 다층배선구조에서는, 하층배선과 상층배선을 잇기 위해서, 층간 절연막에 스루홀을 설치하여 이 스루홀내를 층간배선으로 매설하는 것이 행해진다. 이 때에도, 스루홀내에 배리어막을 작성하여, 크로스콘테미네이션을 방지한 구조가 채용된다.
이러한 홀은, 집적도의 증가를 배경으로서, 그 애스팩트비(홀의 개구의 직경또는 폭에 대한 홀의 깊이의 비)가 해마다 높아져 오고 있다. 예컨대, 64 메가비트 DRAM에서는, 애스팩트비는 4정도이지만, 256 메가비트에서는, 애스팩트비는 5∼6정도가 된다.
배리어막의 경우, 홀 주위 면으로의 퇴적량에 대하여 10에서 15%의 양의 박막을 홀의 저면에 퇴적시킬 필요가 있다. 고 애스팩트비의 홀에 대해서는, 바텀커버리지율(홀 주위 면으로의 성막속도에 대한 홀저면으로의 퇴적속도의 비를 높게 하여 성막을 행하는 것이 곤란하다. 바텀커버리지율이 저하하면, 홀의 저면에서의 배리어막이 얇게 되어, 정션 리크같은 장치특성에 치명적인 결함을 부여할 우려가 있다.
바텀커버리지율을 향상시키는 스퍼터링의 수법으로서, 콜리메이트 스퍼터나 저압원격스퍼터의 수법이 지금까지 개발되어 왔다. 콜리메이트 스퍼터는, 타겟과 기판과의 사이에 기판에 수직인 방향의 구멍을 다수 낸 판(콜리메이터)를 설치한다. 콜리메이트 스퍼터는, 기판에 거의 수직으로 비행하는 스퍼터입자(보통은, 스퍼터원자)만을 선택적으로 기판에 도달시키는 수법이다. 저압원격스퍼터는, 타겟과 기판과의 거리를 길게 하여 (보통의 약 3배로부터 5배)기판에 거의 수직으로 비행하는 스퍼터입자를 상대적 많이 기판에 입사되도록 함과 동시에, 보통보다 압력을 낮게 하고 (0.8 mTorr 정도이하)평균자유행정을 길게함으로써 이들 스퍼터입자가 산란되지 않도록 하는 수법이다.
콜리메이트 스퍼터에서는 콜리메이터의 부분에 스퍼터입자가 퇴적하여 손실되기때문에 성막속도가 저하하는 문제가 있고, 또한, 저압원격스퍼터에서는, 압력을 낮게 하여 타겟과 기판과의 거리를 길게 하기 때문에 본질적으로 성막속도가 저하하는 문제가 있다. 이러한 문제때문에, 콜리메이트 스퍼터는, 애스팩트비가 3정도까지의 16 메가비트의 클래스의 양산품에 사용될 뿐이고, 저압원격스퍼터에서도 애스팩트비 4정도까지의 장치가 한계로 되어있다.
본원의 발명은, 상술한 것 처럼 종래의 상황을 근거로, 애스팩트비4이상의 홀의 내면에 바텀커버리지율 좋게 성막을 행할 수 있도록 하는 것을 해결과제로 하고 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본원의 청구항1 기재의 발명의 이온화스퍼터링장치는, 스퍼터전원은, 타겟에 대하여 고주파전력을 인가하는 것이고, 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극이 설치된다.
이 보조전극은, 고주파전력이 인가된 타겟과 용량성결합하도록 부유전위에 유지되어, 타겟에 인가된 고주파전력에 의해서 보조전극의 내측에 플라즈마가 형성된다. 이온화스퍼터링장치는, 배기계를 구비한 스퍼터챔버를 가진다.
스퍼터챔버는, 그 안에 설치된 타겟과, 타겟을 스퍼터하는 스퍼터전원과, 스퍼터챔버내에 가스를 도입하는 가스도입수단을 가진다. 또, 이온화스퍼터링장치는, 스퍼터에 의해서 타겟으로부터 방출된 스퍼터입자가 입사하는 위치에 기판을 유지하는 기판 홀더를 구비한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항2기재의 발명은, 스퍼터전원은, 타겟에 대하여 고주파전력을 인가하는 것이다. 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극이 설치된다. 이 보조전극에는, 보조고주파전원이 접속되어 스퍼터전원과 동일한 주파수의 고주파전력이 인가되도록 되어 있다. 보조전극과 타겟이 용량성결합하고 보조전극의 내측에 플라즈마가 형성된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항3기재의 발명은, 보조전극의 내측에 형성된 플라즈마로부터 이온을 인출하여 기판에 입사시키기 위한 기판에 수직인 전계를 설정하는 전계설정수단이 설치된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항4기재의 발명은, 보조전극의 내측에 플라즈마를 트랩하기 위한 자장을 설정하는 자장설정수단이 설치된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항5기재의 발명은, 보조전극은, 자성체 또는 자석으로 형성되어 있고, 상기 자장설정수단의 일부 또는 전부는 해당 보조전극에 의해서 구성되어 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항6기재의 발명은, 보조전극의 표면은, 타겟과 동일한 재료 또는 기판을 오손하지않는 재료로 되어있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항7기재의 발명은, 상기 청구항 1, 2, 3, 4 또는 5항의 구성에 있어서, 상기 보조전극의 표면은, 내플라즈마 처리가 실시되어 피복되어 있다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항8기재의 발명의 스퍼터링방법에서, 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 설치한 보조전극에 대하여, 상기 타겟에 인가된 고주파전력을 용량성결합시킨다. 또 스퍼터챔버내를 10mTorr 내지 100mTorr의 범위의 압력으로 유지한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 청구항9기재의 발명의 스퍼터링방법에서 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 설치한 보조전극에 대하여, 상기 타겟에 인가된 고주파전력을 용량성결합시킨다. 또, 성막중의 스퍼터챔버내의 압력을, 타겟과 기판과의 거리에 비교해서 평균자유행정이 충분히 짧아지도록 하는 압력으로 유지한다.
도 1은 청구항1의 발명에 대응한 제1실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 정면개략도,
도 2는 이온화스퍼터입자의 작용을 설명하기 위한 퇴적하는 박막의 단면개략도,
도 3은 도1의 장치에서 자장설정수단의 구성의 변경예를 나타내는 정면개략도,
도 4는 청구항2의 발명에 대응한 제2실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 정면개략도,
도 5는 제3실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 정면개략도,
도 6은 제4실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 평면개략도.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1: 스퍼터챔버 2: 타겟
3: 스퍼터전원 4: 가스도입수단
5: 기판 홀더 6: 보조전극
8: 전계설정수단 9: 방착시일드
11: 배기계 34: 제1스퍼터전원
35: 제2스퍼터전원 36: 교환기
50: 기판 62: 보조고주파전원
71: 제1자석 72: 제2자석
81: 기판바이어스용 고주파전원 601: 자성체부
이하, 본원발명의 실시의 형태에 관하여 설명한다. 우선, 청구항1의 스퍼터링장치의 발명에 대응한 제1실시형태에 관하여 설명한다. 도1은, 청구항1의 발명에 대응한 제1실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 정면개략도이다.
도1에 나타내는 스퍼터링장치는, 배기계(11)를 구비한 스퍼터챔버(1)를 가진다. 스퍼터챔버(1)는, 그 안에 설치된 타겟(2)과, 타겟(2)을 스퍼터하는 스퍼터전원(3)과, 스퍼터챔버(1)내에 원하는 가스를 도입하는 가스도입수단(4)을 가진다. 스퍼터에 의해서 타겟(2)으로부터 방출된 스퍼터입자는, 기판 홀더(5)에 유지된 기판(50)에 입사한다.
스퍼터챔버(1)는, 도시하지 않은 게이트밸브를 구비한 기밀한 용기이다. 이 스퍼터챔버(1)는 스테인레스같은 금속제이고 전기적으로는 접지되어 있다.
배기계(11)는 터보분자펌프나 확산펌프를 구비한 다단의 진공배기시스템이다. 배기계(11)는 스퍼터챔버(1)내를 10-8Torr 정도까지 배기가능하게 되어 있다. 배기계(11)는 배리어블 오리피스같은 도시하지 않은 배기속도조정기를 구비하여, 배기속도를 조정하는 것이 가능하게 되어 있다.
타겟(2)은 두께6 mm, 직경300 mm 정도의 원판형상이다. 타겟(2)은, 금속제의 타겟 홀더(21) 및 절연체(22)를 통해 스퍼터챔버(1)에 설치되어 있다.
타겟(2)의 배후에는, 마그네트론스퍼터를 행하도록 자석어셈블리(30)가 설치된다. 자석어셈블리(30)는 중심자석(31)과 이 중심자석(31)을 둘러싸는 주변자석(32)과, 중심자석(31) 및 주변자석(32)을 잇는 원판형상의 요크(33)로 구성되어 있다. 각 자석(31,32)은 모두 영구자석이지만 전자석으로 이들을 구성하는 것도 가능하다.
스퍼터전원(3)은, 일정한 고주파를 타겟(2)에 인가하도록 구성된다. 구체적으로는, 스퍼터전원(3)은, 주파수13.56 MHz 정도의 고주파를 6 kW 정도의 전력으로 공급한다. 스퍼터전원(3)과 타겟(2)의 사이에는 도시하지 않은 정합기가 설정되어, 임피던스 매칭이 행해진다.
가스도입수단(4)은, 아르곤 등의 스퍼터방전용의 가스를 넣은 가스 봄베(41)와, 가스 봄베(41)와 스퍼터챔버(1)를 잇는 배관(42)과, 배관(42)에 설정된 밸브(43)나 유량조정기(44)로 주로 구성되어 있다.
기판 홀더(5)는, 절연체(53)를 통해 스퍼터챔버(1)에 기밀하게 설정되어 있고, 타겟(2)에 대하여 평행하게 기판(50)을 유지한다. 기판 홀더(5)에는, 기판(50)을 정전기에 의해서 흡착하는 도시하지 않은 정전흡착기구가 설정된다. 정전흡착기구는, 기판 홀더(5) 내에 흡착전극을 설치하여, 흡착전극에 직류전압을 가압한다. 성막중에 기판(50)을 가열하여 성막을 효율적으로 하는 도시하지 않은 가열기구가 기판 홀더(5) 내에 설정된다.
본 실시형태의 장치의 큰 특징점은, 타겟(2)과 기판(50)과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극(6)이 설치되는 점이다.
보조전극(6)은 원통형이고, 타겟(2) 및 기판(50)과 동축상에 설치된다. 보조전극(6)은, 판두께 2 mm 정도의 원통형이고, 내경은 350∼400 mm정도, 높이50 mm 정도이다.
보조전극(6)은, 절연체(61)를 통해 스퍼터챔버(1)에 유지되어 있다. 스퍼터방전에 의해서 형성되는 플라즈마(P)에 대해서는, 보조전극(6)은 부유전위로 된다.
보조전극(6)은, 스퍼터전원에 의해서 타겟(2)에 고주파가 인가되어 플라즈마 (P)가 형성되었을 때, 방전공간의 용량을 통해 타겟(2)와 보조전극(6)은 용량성결합하도록 되어있다. 보조전극(6)은, 타겟(2)의 주기적인 전위변화에 따라서 주기적으로 전위가 변화하고, 보조전극(6)의 내측에 고주파전계가 설정된다. 이 고주파전계에 의해서, 보조전극(6)의 내측에 플라즈마(P')가 보조적으로 형성된다.
스퍼터방전에 의해서 형성되는 P와 보조전극(6)의 작용에 의해서 형성되는 플라즈마(P')는, 공간적으로 연속하고 있는 경우가 있어, 외견상 구별할 수 없는 경우가 있다. 스퍼터방전에 의해서 형성되는 플라즈마(P)가 보조전극(6)의 내측의 공간에 확산한 것처럼 보이는 경우도 있다. 플라즈마(P)가 확산하는지, 별도 형성된 플라즈마(P')가 플라즈마(P)와 연속하는지는 본질적인 차이는 아니다. 플라즈마(P)가 확산하는 경우도, 그 확산한 장소에서 충분한 밀도의 플라즈마가 유지되는 것은, 보조전극(6)의 작용에 의하기 때문이다. 보조전극(6)에 의해서 별도 플라즈마가 형성되는 것과 본질적으로 변하지 않는다.
도1에 나타내는 장치에서는, 보조전극(6)의 내측에 플라즈마를 트랩하기 위한 자장을 설정하는 자장설정수단(7)이 설치된다. 자장설정수단(7)은, 보조전극(6)의 외측을 둘러싸도록 스퍼터챔버(1)내에 배치된 제1자석(71)과, 기판 홀더(5) 의 아래쪽으로 배치된 제2자석(72)로 구성되어 있다.
제1자석(71)은, 보조전극(6)과 동축상에 배치된 원통형의 영구자석이고, 내면과 외면과 서로 다른 자극이 나타나록 되어 있다. 이 제1자석(71)은, 금속제의 유지 부재(711)를 통해 스퍼터챔버(1)에 있고, 따라서, 전기적으로는 접지전위이다.
제1자석(71)의 크기는, 타겟(2)나 기판(50)의 크기에 따라서도 변한다. 직경300 mm의 타겟(2)을 사용하는 경우, 제1자석(71)은 내경 350mm정도, 외부 지름 400 mm정도, 높이 40mm 정도로 된다. 제1자석(71)은, 내측 면의 표면에서 500 가우스 정도의 강한 것이 사용된다.
제2자석(72)은, 기판 홀더(5) 보다도 작은 지름의 원통형의 영구자석이다. 제2자석(72)은, 제1자석(71)과 동심형상에 배치되어 있다. 제2자석(72)에서는, 상단면과 하단면에 서로 다른 자극이 나타나게 되어 있다. 제2자석(72)의 크기는 기판(50)의 크기에 따라서 다르다. 직경8인치의 기판을 사용하는 경우, 내경 약 140 mm, 외부 지름 약180 mm, 높이 약30 mm의 것이 제2자석(72)으로서 사용된다. 제2자석(72)의 강함은, 상단면의 표면에서 예컨대 100 가우스 정도이다.
제1자석(71)의 내면의 자극과 제2자석(72)의 상단면의 자극과는 서로 다르고, 제1자석(71)의 외면과 제2자석(72)의 하단면과는 서로 다른 자극으로 되어 있다. 도1에 나타내는 것 같은 자력선(73)이 스퍼터챔버(1)로 설정되게 되어 있다.
상기 자장설정수단(7)은, 보조전극(6)의 내측에 고밀도의 플라즈마(P')를 형성하고, 플라즈마중의 주로 전자를 트랩하여 플라즈마(P')의 확산을 방지한다. 플라즈마(P') 중에 자장이 설정되면, 플라즈마(P') 중의 주로 전자가 자력선에 트랩되고, 확산이 방지된다. 이 결과, 플라즈마밀도가 높아진다. 본 실시형태에서는, 도1에 나타내는 것 같은 자력선(73)이 설정된다. 기판 홀더(5) 의 외측의 영역에 향하여 플라즈마(P')가 확산하는 것이 특히 방지된다. 보조전극(6)의 내측에 고밀도 플라즈마가 유지된다.
본 실시형태의 장치에서는, 보조전극(6)의 내측에 형성된 플라즈마(P') 에서 이온을 인출하여 기판(50)에 입사시키기 위해서 기판(50)에 수직인 전계를 설정하는 전계설정수단(8)이 설치된다. 전계설정수단(8)은, 기판(50)에 고주파전압을 인가하여 고주파와 플라즈마(P')와의 작용에 의해 기판(50)에 셀프바이어스전압을 부여하는 기판바이어스용 고주파전원(81)으로 구성되어 있다.
기판바이어스용 고주파전원(81)에 의해서 기판(50)에 고주파전압이 인가되면, 기판(50)의 표면에는 플라즈마(P') 속의 가전입자가 주기적으로 가까이 당겨진다. 이 중, 이동도가 높은 전자는 플러스이온에 비교해서 많지만 기판(50)의 표면에 가까이 당겨진다. 그 결과, 기판(50)의 표면은 마이너스의 전위에 바이어스된 것과 같은 상태가 된다. 상술한 예의 기판바이어스용 고주파전원(81)의 경우, 평균치로 -100 V 정도의 바이어스전압을 기판(50)에 부여한다.
상기 기판바이어스전압이 부여된 상태는, 직류이극방전으로 플라즈마를 형성한 경우의 음극시스영역과 마찬가지이고, 플라즈마(P')와 기판(50)과의 사이에 기판(50)에 향해서 내려 가는 전위경도를 가지는 전계(이하, 인출용전계)가 설정된 상태가 된다. 이 인출용전계는 기판(50)에 대하여 수직인 방향의 전계이다.
본 실시형태의 장치에서는, 스퍼터입자의 불필요한 장소에의 부착을 방지하는 방착시일드(9)가 스퍼터챔버(1)의 기벽의 내측에 설치된다. 스퍼터입자가 스퍼터챔버(1)의 기벽에 부착하면, 경시적으로 박막을 퇴적한다. 이 박막이 어느 정도의 양에 달하면 내부스트레스에 의해서 박리한다. 박리한 박막편은, 스퍼터챔버(1)내를 더스트파티클이 되어 부유한다. 이 더스트파티클이 기판(50)에 달하면, 국부적인 막 두께 이상같은 불량을 발생시킨다.
이 때문에, 본 실시형태의 장치는, 스퍼터챔버(1)의 기벽의 내측을 방착시일드(9)로 덮고, 기벽으로의 스퍼터입자의 부착을 방지하고 있다. 방착시일드(9)는 스퍼터챔버(1)의 기벽의 형상에 따른 형상이다. 방착시일드(9)는, 스퍼터챔버(1)에 대하여 착탈이 자유롭게 설치된다. 방착시일드(9)의 표면에는, 퇴적한 박막의 박리를 방지하는 요철이 설정되어 있고, 박막이 벗겨질 정도의 두께까지 부착하면, 스퍼터챔버(1)로부터 떼어 신품으로 교환하도록 되어있다.
다음에 도1을 사용하여, 본 실시형태의 스퍼터링장치의 동작에 관하여 설명한다.
기판(50)이 도시하지 않은 게이트밸브를 통해서 스퍼터챔버(1)내에 반입되고, 기판 홀더(5) 상에 재치된다. 스퍼터챔버(1)내는 미리 10-9Torr 정도까지 배기되어 있다. 기판(50)의 재치후에 가스도입수단(4)이 동작하고, 아르곤 등의 프로세스가스가 일정한 유량으로 도입된다.
배기계(11)의 배기속도조정기를 제어하여 스퍼터챔버(1)내를 20mTorr∼40mTorr 정도로 유지한다. 이 상태로 스퍼터전원(3)을 동작시킨다. 기판바이어스용 고주파전원(81)도 동시에 동작시킨다.
스퍼터전원(3)에 의해서 타겟(2)에 일정한 고주파전압이 부여되고 마그네트론스퍼터방전이 생긴다. 마그네트론스퍼터방전에 의해서, 타겟(2)의 아래쪽으로 플라즈마(P)가 형성된다. 타겟(2)과 보조전극(6)은 방전공간의 용량을 통해 용량성결합하고, 타겟(2)에 인가된 고주파는 보조전극(6)에 전파한다. 이 결과, 보조전극(6)의 내측에 플라즈마(P')가 형성된다.
기판바이어스용 고주파전원(81)에 의해서 기판바이어스전압이 기판(50)에 부여된다. 이 결과, 플라즈마(P')와 기판(50)과의 사이에 인출용전계가 설정된다.
타겟(2)로부터 방출된 스퍼터입자는, 기판(50)에 도달하여 타겟(2)의 재료로 이루어지는 박막을 퇴적한다. 박막이 원하는 두께에 달하면, 스퍼터전원(3), 기판바이어스용 고주파전원(81), 가스도입계(4)의 동작을 각각 정지한다. 스퍼터챔버(1)내를 두 번째 배기한 후, 기판(50)을 스퍼터챔버(1)로부터 추출한다.
배리어막을 작성하는 경우, 티타늄제의 타겟(2)를 사용한다. 최초에 프로세스가스로서 아르곤을 도입하여 티타늄박막을 성막한다. 그 후 프로세스가스로서 질소가스를 도입하여 티타늄과 질소와 반응시킨다. 티타늄박막의 위에 질화티타늄박막을 적층한 배리어막을 얻을 수 있다.
타겟(2)으로부터 방출되는 스퍼터입자의 대부분은, 플라즈마(P') 속을 통과할 때에 이온화하여, 이온화스퍼터입자가 된다. 이 이온화스퍼터입자는, 인출용전계에 의해서 효율적으로 플라즈마(P') 에서 인출되고, 효율적으로 기판(50)에 입사한다.
이 이온화스퍼터입자는, 기판(50)의 표면에 형성된 홀의 내부까지 효율적으로 도달한다. 홀내를 바텀커버리지율 좋게 성막하는데 기여하고 있다. 이 점을 더욱 자세히 설명한다.
도2는, 이온화스퍼터입자의 작용을 설명하기 위한 퇴적하는 박막의 단면개략도이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 기판(50)의 표면에 형성된 미세한 홀(500)내에 박막(510)을 퇴적시킬 때, 홀(500)의 개구의 테두리(503)의 부분에 박막(510)이 볼록하게 퇴적하는 경향이 있다. 이 볼록한 부분의 박막(510)은「오버행」이라고 불린다. 오버행이 형성되면, 홀(500)의 개구가 작아지고 외견상 애스팩트비가 높아져 버린다. 홀(500)내에 달하는 스퍼터원자의 양이 적어져, 바텀커버리지율이 저하해 버린다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 이온화스퍼터입자(20)가 기판(50)에 달하면, 이 이온화스퍼터입자(20)는 오버행 부분의 박막(510)을 재스퍼터하여 무너뜨린다. 이온화스퍼터입자(20)는, 오버행 부분의 박막(510)을 홀(500)내에 떨어뜨려 넣도록 작용한다. 이온화스퍼터입자(20)는, 홀(500)의 개구가 작아진는 것을 방지함과 동시에, 홀(500)의 저면으로의 막퇴적을 촉진한다. 그 결과, 바텀커버리지율이 향상한다. 이러한 오버행의 재스퍼터는, 이온화스퍼터입자(20) 뿐만 아니라, 스퍼터방전을 위해 도입한 프로세스가스의 이온에 의해서도 생길 수 있다.
본 실시형태의 장치에서는, 전계설정수단(8)에 의해서 기판(50)에 수직인 기판(50)에 향해서 전위가 내려 가는 인출용전계가 설정된다. 이온화스퍼터입자(20)는, 이 인출용전계에 의해서 이끌려서 기판(50)에 수직으로 입사하기 쉽게 된다. 이온화스퍼터입자(20)는 깊은 홀(500)의 저면에까지 도달하기 쉽게 된다. 이 점도 바텀커버리지율의 향상에 기여한다.
타겟(2)에 공급하는 고주파전력을 13.56 MHz 6kW, 기판바이어스용 고주파전원(81)이 타겟에 부여하는 고주파전력을 13.56 MHz 200W, 스퍼터챔버(1)내의 압력을 30 mTorr로 하면, 애스팩트비4인 홀에 대하여 50% 정도의 바텀커버리지율로 성막을 수 있다.
상기 성막압력의 조건은, 이온화스퍼터입자의 효과를 적합하게 얻는데 중요하다. 성막압력이 10mTorr를 밑돌면, 스퍼터입자의 충분한 이온화가 곤란하게 된다. 성막압력이 100mTorr를 넘으면, 스퍼터입자의 이온화는 충분히 행해진다. 그러나, 스퍼터입자의 비행경로에 존재하는 다수의 가스분자에 의해서 이온화한 스퍼터입자가 산란되어, 기판(50)에까지 충분히 닿지 않는 문제가 있다. 따라서, 일반적으로는, 성막압력은 10mTorr 내지 100mTorr의 범위에 설정하는 것이 바람직하다.
상기 성막압력의 조건은, 이온화스퍼터입자의 평균자유행정과의 관계로부터도 최적화될 필요가 있다. 이온화스퍼터입자의 작용을 바람직하게 얻기 위해서는, 스퍼터입자가 타겟(2)으로부터 방출되어 기판(50)에 도달할 때, 스퍼터입자가 전자나 이온에 높은 확률로 충돌할 필요가 있다. 타겟(2)과 기판(50)과의 거리에 비교해서, 스퍼터입자의 평균자유행정을 충분히 짧게 하는 것이 중요하다.
이 때의 평균자유행정은, 정확히는 스퍼터입자가 플라즈마중의 이온에 충돌할 때의 평균자유행정이지만, 대략은 프로세스가스끼리의 평균자유행정에 근사하더라도 좋다. 그 이유는, 프로세스가스끼리 빈번하게 충돌할 때는, 프로세스가스에 대하여 스퍼터입자도 빈번하게 충돌하기때문이다.
상기 실시형태의 예로서, 타겟(2)과 기판(50)과의 거리를 120 mm 정도로 하여, 성막압력을 30 mTorr 로 하면, 평균자유행정은 5 mm 이하가 된다. 타겟(2)과 기판(50)의 거리에 비교해서 충분히히 짧은 길이의 평균자유행정이 된다. 스퍼터입자가 빈번하게 이온과 충돌하고 이온화가 촉진된다.
상술하였듯이, 본 실시형태의 장치는, 스퍼터입자를 효율적으로 이온화시켜 기판(50)에 수직으로 입사한다. 본 실시형태의 장치는, 고 애스팩트비의 홀에 대하여 높은 바텀커버리지율로 성막을 할 수 있다. 본 실시형태의 장치는, 이온화를 위한 플라즈마(P')를 타겟(2)에 투입된 전력의 일부를 이용하여 형성하고 있다. 따라서, 본 실시형태의 장치는, 별도전원이 불필요하고 비용 면에서 유리하다. 전술한 조건에서는, 타겟(2)에 인가된 고주파전력의 30% 정도가 보조전극(6)에 전파하는 것으로 추정된다.
상술한 실시형태의 장치에서, 보조전극(6)은 플라즈마(P')에 노출되어 있기 때문에, 보조전극(6) 자체도 스퍼터될 우려가 있다. 보조전극(6)이 스퍼터되면, 스퍼터된 보조전극(6)이 기판(50)에 달하여 기판(50)을 오손하는 문제가 생긴다.
이 문제를 해결하기 위해서는, 보조전극(6)을 타겟(2)과 동일 또는 거기에 가까운 재료로 형성하면좋다. 타겟(2)이 티타늄제인 경우, 보조전극(6)도 티타늄 또는 티타늄합금으로 형성한다. 여기서, 「타겟의 재료에 가까운 재료」란, 「기판을 오손하지 않는 재료」라는 의미이다.
보조전극(6)의 표면을 타겟(2)와 동일한 재료로 피복하도록 해도 좋다. 타겟(2)이 티타늄제인 경우, 보조전극(6)의 표면에 100μ 정도의 두께로 티타늄막을 형성해 둔다. 이러한 피복은, 전해도금이나 스퍼터링에 의해서 행할 수 있다. 성막처리의 회수가 진행하여 바탕 재료가 노출되게 되면, 신품의 보조전극(6)과 교환하도록 한다.
보조전극(6)의 표면에 알루마이트처리같은 내플라즈마화하는 표면처리를 실시하고, 플라즈마(P')에 의해서 스퍼터되지 않도록 하더라도 좋다.
상술한 자장설정수단(7)에서, 제1자석(71)과 제2자석(72)을 잇도록 설정되는 자력선은, 플라즈마(P') 에서 기판(50)에 도달하고 있다. 이 자장설정수단(7)은, 플라즈마중에서 전자나 이온을 인출하여 이용하는데 적합하다. 기판(50)에 대한 전자충격이 문제가 될 때는, 아래와 같이 자장설정수단(7)을 변경하면 좋다.
도3는, 도1의 장치에서 자장설정수단(7)의 구성을 변경한 예를 나타내는 정면개략도이다. 이 도3의 예로서는, 제1자석(71)의 내면과 제2자석(72)의 상단면은 동일한 예컨대 S 극으로 되어 있고, 제1자석(71)의 외면과 제2자석(72)의 하단면은 동일한 예컨대 N 극으로 되어 있다. 도3에 나타내는 것 같은 자력선(74)이 스퍼터챔버(1)로 설정된다.
이 도3에 나타내는 자장형상에서는, 플라즈마(P') 에서 직접 기판(50)에 도달하는 자력선이 적기때문에, 플라즈마로부터 전자나 이온이 인출되는 효과는 도1의 경우보다는 적다. 그렇지만, 그만큼, 전자충격에 의한 기판(50)의 손상같은 문제는 적어지고 있다.
다음에, 청구항2의 스퍼터링장치의 발명에 대응한 제2실시형태에 관하여 설명한다. 도4는, 청구항2의 발명에 대응한 제2실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 정면개략도이다.
이 제2실시형태의 장치가 제1실시형태의 장치와 다른 것은, 보조전극(6)에 고주파전력이 인가되도록 되어 있는 점이다. 보조전극(6)에는, 보조고주파전원(62)이 접속되어 있다. 이 보조고주파전원(62)은, 주파수400 kHz에서 출력500 W 정도이다.
보조고주파전원(62)은, 도시하지 않은 절연재를 개재시켜 스퍼터챔버(1)를 기밀하게 관통시킨 동축케이블등의 전송선(63)에 의해서 보조전극(6)에 접속되어 있다. 본 실시형태에서는, 보조전극(6)의 상단면에 전송선(63)이 접속되어 있지만, 외측면 등이라도 좋다.
보조전극(6)을 유지한 절연체(61)를 관형상으로 하고, 내부에 동축케이블을 설치하여 보조전극(6)에 접속하는 구성이나, 고주파를 전파시키는 것이 가능한 동축관 등에 의해서 보조전극(6)의 유지를 행하는 구성도 채용할 수 있다. 동축관이 스퍼터챔버(1)에 고정되는 경우, 동축관과 스퍼터챔버(1)는 절연된다.
이 제2실시형태에서는, 타겟(2)에 대하여 고주파전압과 마이너스의 직류전압을 바꿔 인가할수 있다. 타겟(2)에는, 고주파전력을 인가하는 제1스퍼터전원(34)과, 마이너스의 직류전압을 인가하는 제2스퍼터전원(35)이 접속되어 있다. 변환기(36)에 의해서 어느 한쪽을 선택할 수 있게 되어 있다.
고주파전력을 인가하는 제1스퍼터전원(34)은, 전술한 제1실시형태에서의 스퍼터전원(3)과 동일한 것을 사용할 수 있다. 제1스퍼터전원(3)과 보조고주파전원(62)이 동일한 주파수의 고주파를 인가하도록 되어있는 것이 필요하다. 또, 제2 스퍼터전원(35)에서는, - 600 V 정도의 전압을 인가하는 것이 사용된다.
이 제2실시형태에서, 제1스퍼터전원(34)을 사용하여 타겟(2)에 고주파전압을 인가하면, 타겟(2)와 보조전극(6)이 방전공간의 용량을 통해 용량성결합하고, 보조전극(6)의 내측에 효율적으로 플라즈마(P')가 형성된다. 이 실시형태에서는, 보조고주파전원(62)이 필요하게 되기 때문에, 비용이 많이 드는 결점이 있지만, 보다 높은 밀도의 플라즈마(P')를 형성할 수 있다. 이 결과, 스퍼터입자의 이온화효율이 향상한다. 제1실시형태와 같은 압력조건 아래에서, 애스팩트비 4의 홀에 대하여 약 60% 정도의 바텀커버리지율을 얻을 수 있다.
다음에, 청구항5의 발명에 대응한 제3실시형태에 관하여 설명한다. 도5는, 제3실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 설명하는 정면개략도이다.
이 실시형태의 장치가 전술한 각 실시형태의 장치와 다른 것은, 보조전극(6)이 자장설정수단(7)의 일부를 구성하고 있는 점이다. 보조전극(6)의 기판 홀더(5) 측의 약 절반의 부분(601)은, 자성재료로 형성되어 있다 (이하, 자성체부라고 한다). 자성체부(601)는, 자성스테인레스 또는 표면에 니켈도금의 부식방지처리를 한 철로 형성되어 있다.
기판 홀더(5) 의 아래쪽으로는, 제1실시형태에서의 제2자석(72)과 같은 보조자석(75)이 설치된다. 보조전극(6)의 자성체부(601)는, 이 보조자석에 의한 자장의 자석로를 형성함과 동시에 경시적으로 자화되어, 제2자석(75)과 동시에 자장설정수단(7)을 구성한다.
이 제3실시형태에서도, 도1에 나타내는 경우와 마찬가지로, 보조전극(6)의 내측에 플라즈마(P')가 트랩되기때문에, 높은 밀도의 플라즈마(P')를 얻어 상기 이온화스퍼터입자의 이온화율을 보다 높게 한다. 그리고, 보조전극(6)에 의해서 자장설정수단(7)의 일부가 겸용되므로, 비용면에서도 유리하다.
보조전극(6)의 일부를 자성체로 하였지만, 전부가 자성체이더라도 좋은 것은 물론이다. 자성체는 당초부터 자화되어 있어도, 즉, 자석이더라도 당연히 좋다.
다음에, 청구항5의 발명에 대응한 제4실시형태에 관하여 설명한다. 도6는, 제4실시형태의 스퍼터링장치의 구성을 나타내는 평면개략도이다.
이 실시형태의 장치에서는, 자장설정수단(7)의 전부가 보조전극(6)으로 형성되어 있다. 이 실시형태에서의 보조전극(6)은, 스퍼터챔버(1)의 높이방향으로 긴 각봉막대상의 부재이다. 도6에 도시한 바와 같이, 원주상에 같은 간격을 두고 복수설치된다. 각 보조전극(6)은, 자화된 자성체 즉 자석으로 형성되어 있다.
각 보조전극(6)의 내측의 표면은 동일한 자극(예컨대 S 극)으로 되어 있고, 각 보조전극(6)의 외측의 표면은 다른 동일한 자극(예컨대 N 극)으로 되어 있다. 각 보조전극(6)의 내측에는, 도5에 나타내는 것 같은 커스프 자장이 원주상으로 형성된다. 이 커스프자장에서, 플라즈마(P')는 자력선(76)을 가로 지르는 방향으로 확산하는 것이 곤란하기 때문에, 각 보조전극(6)중 측에 플라즈마(P')가 트랩되고, 그 결과, 고밀도의 플라즈마(P')가 형성된다.
이 커스프자장에 의해서, 스퍼터입자의 이온화가 효율적으로 행해진다. 각 보조전극(6)에 향하여 플라즈마(P')의 확산이 방지되기때문에, 각 보조전극(6)의 플라즈마(P') 에 의한 스퍼터나 손상 또는 전자충격에 의한 가열도 억제된다.
도6에 도시한 바와 같이 두개의 보조전극(2)에 대하여 하나의 보조고주파전원(62)을 설치하고, 이분할기를 사용하여 전송선을 분기시켜 각 보조전극(2)에 고주파전력을 공급하고 있다. 각 보조전극(6)에 전용의 보조고주파전원(62)을 설치하더라도 좋고, 하나의 보조고주파전원(62)으로부터 분기시켜 각 보조전극(6)에 고주파전력을 공급하더라도 좋다. 각 보조전극(6)의 배치간격을 조정하고, 인접하는 보조전극(6)끼리 고주파가 결합하도록 하면, 전력의 공급 부분은 1개소로 충분하기 때문에, 분기는 불필요하게 된다. 이 경우, 각 보조전극(6)에서 고주파가 공진하고 있으면 더욱 적합하다.
본원발명의 이온화스퍼터링장치는, 각종 반도체 디바이스 외에, 액정 디스플레이나 그 밖의 각종전자제품의 제작에 이용할 수 있다.
이상 설명한 대로, 본원의 청구항1의 발명에 의하면, 보조전극의 내측에 형성된 플라즈마중에서스퍼터입자가 이온화되므로, 고 애스팩트비의 홀에 대하여 높은 성막을 할 수 있다. 이 때, 타겟으로의 투입전력의 일부를 사용하여 플라즈마를 형성하기때문에, 별도전원을 설치하는 것은 불필요하고, 비용도 저렴하게 할 수 있다.
청구항2의 발명에 의하면, 용량성결합하는 보조전극에 보조고주파전원으로부터 고주파가 인가되므로, 바텀커버리지율에 대한 이온화스퍼터입자에 의한 효과를 보다 높게 얻을 수 있다.
청구항3의 발명에 의하면, 상기 효과에 더하여, 인출용전계에 의해서 이온화스퍼터입자가 인출되고 기판에 수직에 입사하기 쉽게 되기 때문에, 이온화스퍼터입자가 홀의 저면까지 효율적으로 달한다. 따라서, 고 애스팩트비의 홀에 대하여 또 높은 바텀커버리지율로 성막을 행할 수 있다.
청구항4의 발명에 의하면, 보조전극의 내측의 플라즈마가 자장설정수단에 의해서 트랩되기때문에, 플라즈마밀도가 높아진다. 스퍼터입자의 이온화율을 더욱 높게 얻을 수 있다.
청구항5의 발명에 의하면, 상기 효과에 가하여, 자장설정수단의 일부 또는 전부가 보조전극에 의해서 구성되어 있기때문에, 구조가 간략화되어 비용 면에서도 유리해진다.
청구항6의 발명에 의하면, 상기 효과에 더하여, 보조전극이 스퍼터됨으로써 기판이 오손되는 문제가 방지된다.
청구항7의 발명에 의하면, 상기 청구항6의 효과와 동시에, 보조전극의 손상 등이 방지된다.
청구항8 또는 9의 발명에 의하면, 성막압력의 조건이 최적화되어, 바텀커버리지율을 향상시키는 효과를 충분히 얻을 수 있다.

Claims (9)

  1. 배기계를 구비한 스퍼터챔버와, 스퍼터챔버내에 설치된 타겟과, 타겟을 스퍼터하는 스퍼터전원과, 스퍼터챔버내에 가스를 도입하는 가스도입수단과, 스퍼터에 의해서 타겟으로부터 방출된 스퍼터입자가 입사하는 위치에 기판을 유지하는 기판 홀더를 구비한 이온화스퍼터링장치에 있어서,
    상기 스퍼터전원은, 상기 타겟에 대하여 고주파전력을 인가하는 것이고, 상기 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극이 설치되어 있고, 이 보조전극은, 상기 고주파전력이 인가된 타겟과 용량성결합하도록 부유전위로 유지되고, 상기 타겟에 인가된 고주파전력에 의해서 당해 보조전극의 내측에 플라즈마가 형성되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  2. 배기계를 구비한 스퍼터챔버와, 스퍼터챔버내에 설치된 타겟과, 타겟을 스퍼터하는 스퍼터전원과, 스퍼터챔버내에 가스를 도입하는 가스도입수단과, 스퍼터에 의해서 타겟으로부터 방출된 스퍼터입자가 입사하는 위치에 기판을 유지하는 기판 홀더를 구비한 이온화스퍼터링장치에 있어서,
    상기 스퍼터전원은, 상기 타겟에 대하여 고주파전력을 인가하는 것이고, 상기 타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 보조전극이 설치되어 있고, 이 보조전극에는, 보조고주파전원이 접속되어 상기 스퍼터전원과 동일한 주파수의 고주파전력이 인가되도록 되어 있고, 당해 보조전극과 상기 타겟이 용량성결합하여 당해 보조전극의 내측에 플라즈마가 형성되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 보조전극의 내측에 형성된 플라즈마로부터 이온을 인출하여 기판에 입사시키기 위한 기판에 수직인 전계를 설정하는 전계설정수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 보조전극의 내측에 플라즈마를 트랩하기 위한 자장을 설정하는 자장설정수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 보조전극은, 자성체 또는 자석으로 형성되어 있고, 상기 자장설정수단의 일부 또는 전부는 당해 보조전극에 의해서 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 보조전극의 표면은, 타겟과 동일한 재료 또는 기판을 오손하지 않는 재료로 되어있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 보조전극의 표면은, 내 플라즈마처리가 실시되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링장치.
  8. 스퍼터챔버내에 설치된 타겟에 고주파전력을 인가하여 당해 타겟을 스퍼터하고, 당해 타겟으로부터 방출된 스퍼터입자를 기판에 도달시켜 기판의 표면에 박막을 퇴적시키는 스퍼터링방법에 있어서,
    타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 설치한 보조전극에 대하여, 상기 타겟에 인가된 고주파전력을 용량성결합시킴과 동시에, 스퍼터챔버내를 10mTorr 내지 100mTorr의 범위의 압력으로 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
  9. 스퍼터챔버내에 설치된 타겟에 고주파전력을 인가하여 당해 타겟을 스퍼터하고, 당해 타겟으로부터 방출된 스퍼터입자를 기판에 도달시켜 기판의 표면에 박막을 퇴적시키는 스퍼터링방법에 있어서,
    타겟과 기판과의 사이의 스퍼터입자의 비행경로를 둘러싸도록 설치한 보조전극에 대하여, 상기 타겟에 인가된 고주파전력을 용량성결합시킴과 동시에, 성막중의 스퍼터챔버내의 압력을, 타겟과 기판과의 거리에 비해서 스퍼터입자의 평균자유행정이 충분히 짧아지도록 하는 압력으로 유지하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100421293B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-09 동부전자 주식회사 반도체 소자용 금속막 증착장치
KR101447162B1 (ko) * 2007-08-10 2014-10-07 주성엔지니어링(주) 박막증착을 위한 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한미세결정질 실리콘 박막의 증착방법

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3275166B2 (ja) * 1997-02-28 2002-04-15 住友重機械工業株式会社 プラズマビームの偏り修正機構を備えた真空成膜装置
JP4355036B2 (ja) * 1997-03-18 2009-10-28 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化スパッタリング装置
KR100273326B1 (ko) * 1998-12-04 2000-12-15 김영환 고주파 스퍼터링 장치 및 이를 이용한 박막형성방법
US6579421B1 (en) 1999-01-07 2003-06-17 Applied Materials, Inc. Transverse magnetic field for ionized sputter deposition
US6610184B2 (en) * 2001-11-14 2003-08-26 Applied Materials, Inc. Magnet array in conjunction with rotating magnetron for plasma sputtering
US10047430B2 (en) 1999-10-08 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
WO2003042424A1 (en) * 2000-10-10 2003-05-22 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US8696875B2 (en) * 1999-10-08 2014-04-15 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US20030116427A1 (en) * 2001-08-30 2003-06-26 Applied Materials, Inc. Self-ionized and inductively-coupled plasma for sputtering and resputtering
JP4021601B2 (ja) * 1999-10-29 2007-12-12 株式会社東芝 スパッタ装置および成膜方法
JP3610289B2 (ja) * 2000-04-28 2005-01-12 キヤノン株式会社 スパッタ装置及びスパッタ方法
US8043484B1 (en) 2001-03-13 2011-10-25 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for resputtering process that improves barrier coverage
US6764940B1 (en) 2001-03-13 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a diffusion barrier for copper interconnect applications
US7781327B1 (en) 2001-03-13 2010-08-24 Novellus Systems, Inc. Resputtering process for eliminating dielectric damage
JP4339597B2 (ja) 2001-04-20 2009-10-07 ジェネラル・プラズマ・インコーポレーテッド ダイポールイオン源
US7023128B2 (en) * 2001-04-20 2006-04-04 Applied Process Technologies, Inc. Dipole ion source
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US7041201B2 (en) * 2001-11-14 2006-05-09 Applied Materials, Inc. Sidewall magnet improving uniformity of inductively coupled plasma and shields used therewith
KR101312690B1 (ko) * 2001-11-14 2013-09-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스퍼터링 및 재스퍼터링을 위한 자기-이온화 및 유도 결합 플라즈마
US20030207093A1 (en) * 2001-12-03 2003-11-06 Toshio Tsuji Transparent conductive layer forming method, transparent conductive layer formed by the method, and material comprising the layer
US6743340B2 (en) * 2002-02-05 2004-06-01 Applied Materials, Inc. Sputtering of aligned magnetic materials and magnetic dipole ring used therefor
US6709553B2 (en) * 2002-05-09 2004-03-23 Applied Materials, Inc. Multiple-step sputter deposition
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US7504006B2 (en) * 2002-08-01 2009-03-17 Applied Materials, Inc. Self-ionized and capacitively-coupled plasma for sputtering and resputtering
US6846396B2 (en) * 2002-08-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Active magnetic shielding
US20040087163A1 (en) * 2002-10-30 2004-05-06 Robert Steimle Method for forming magnetic clad bit line
US7842605B1 (en) 2003-04-11 2010-11-30 Novellus Systems, Inc. Atomic layer profiling of diffusion barrier and metal seed layers
US8298933B2 (en) 2003-04-11 2012-10-30 Novellus Systems, Inc. Conformal films on semiconductor substrates
JP2005036250A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタ装置
WO2005028697A1 (en) 2003-09-12 2005-03-31 Applied Process Technologies, Inc. Magnetic mirror plasma source and method using same
JP4326895B2 (ja) * 2003-09-25 2009-09-09 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
SE0303136D0 (sv) * 2003-11-24 2003-11-24 Chemfilt R & D Ab Method and apparatus for reactive soilid-gas-plasma deposition
US20050150758A1 (en) 2004-01-09 2005-07-14 Yakshin Andrey E. Processes and device for the deposition of films on substrates
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US20060172536A1 (en) * 2005-02-03 2006-08-03 Brown Karl M Apparatus for plasma-enhanced physical vapor deposition of copper with RF source power applied through the workpiece
JP4531599B2 (ja) * 2005-03-17 2010-08-25 株式会社アルバック スパッタ源、スパッタ装置
JP4922581B2 (ja) * 2005-07-29 2012-04-25 株式会社アルバック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP4922580B2 (ja) * 2005-07-29 2012-04-25 株式会社アルバック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP2007051337A (ja) * 2005-08-18 2007-03-01 Ulvac Japan Ltd スパッタ電極及びスパッタ電極を備えたスパッタリング装置
US7678710B2 (en) 2006-03-09 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7645710B2 (en) 2006-03-09 2010-01-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system
US7837838B2 (en) 2006-03-09 2010-11-23 Applied Materials, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus
US7855147B1 (en) 2006-06-22 2010-12-21 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for engineering an interface between a diffusion barrier layer and a seed layer
JP5590886B2 (ja) 2006-09-26 2014-09-17 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 欠陥パシベーションのための高ｋゲート積層構造に対するフッ素プラズマ処理
US7510634B1 (en) 2006-11-10 2009-03-31 Novellus Systems, Inc. Apparatus and methods for deposition and/or etch selectivity
US7682966B1 (en) 2007-02-01 2010-03-23 Novellus Systems, Inc. Multistep method of depositing metal seed layers
US20080197015A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Terry Bluck Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement
US7922880B1 (en) 2007-05-24 2011-04-12 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for increasing local plasma density in magnetically confined plasma
US7897516B1 (en) 2007-05-24 2011-03-01 Novellus Systems, Inc. Use of ultra-high magnetic fields in resputter and plasma etching
CN101868561B (zh) * 2007-11-28 2013-01-30 株式会社爱发科 溅射装置以及成膜方法
US20100270143A1 (en) * 2008-01-15 2010-10-28 Ulvac, Inc. Substrate stage, sputtering apparatus provided with same, and film forming method
US9856558B2 (en) * 2008-03-14 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition method with a source of isotropic ion velocity distribution at the wafer surface
JP5248171B2 (ja) * 2008-04-03 2013-07-31 株式会社アルバック 貴金属膜の成膜装置及び貴金属膜の成膜方法
US8017523B1 (en) 2008-05-16 2011-09-13 Novellus Systems, Inc. Deposition of doped copper seed layers having improved reliability
JP5249328B2 (ja) * 2008-07-11 2013-07-31 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜の成膜方法
JP2012084191A (ja) * 2008-12-26 2012-04-26 Canon Anelva Corp 磁気記録媒体の製造方法、及び、磁気記録媒体の製造装置
TWI429492B (zh) * 2009-02-17 2014-03-11 Univ Nat Chunghsing Preparation of inorganic nano-particles and application of the preparation of the system
US8698400B2 (en) * 2009-04-28 2014-04-15 Leybold Optics Gmbh Method for producing a plasma beam and plasma source
WO2013170052A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Sio2 Medical Products, Inc. Saccharide protective coating for pharmaceutical package
DK2251453T3 (da) 2009-05-13 2014-07-07 Sio2 Medical Products Inc Beholderholder
US9458536B2 (en) 2009-07-02 2016-10-04 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles
US8936703B2 (en) * 2009-08-31 2015-01-20 Semicat, Inc. Methods to fabricate non-metal films on semiconductor substrates using physical vapor deposition
KR20110039920A (ko) * 2009-10-12 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치
KR101073557B1 (ko) * 2009-11-24 2011-10-14 삼성모바일디스플레이주식회사 스퍼터링 장치
SE535381C2 (sv) * 2010-02-24 2012-07-17 Plasmadvance Ab Plasmasputtringsprocess för att producera partiklar
CN102199753A (zh) * 2010-03-24 2011-09-28 沈阳科友真空技术有限公司 磁控增强离子镀铝工艺及装置
US11624115B2 (en) 2010-05-12 2023-04-11 Sio2 Medical Products, Inc. Syringe with PECVD lubrication
US8486242B2 (en) * 2010-10-18 2013-07-16 Applied Materials, Inc. Deposition apparatus and methods to reduce deposition asymmetry
US9878101B2 (en) 2010-11-12 2018-01-30 Sio2 Medical Products, Inc. Cyclic olefin polymer vessels and vessel coating methods
IN2013CN05221A (ko) * 2011-01-13 2015-08-07 Univ Minnesota
US9272095B2 (en) 2011-04-01 2016-03-01 Sio2 Medical Products, Inc. Vessels, contact surfaces, and coating and inspection apparatus and methods
AU2012318242A1 (en) 2011-11-11 2013-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Passivation, pH protective or lubricity coating for pharmaceutical package, coating process and apparatus
US11116695B2 (en) 2011-11-11 2021-09-14 Sio2 Medical Products, Inc. Blood sample collection tube
US9499901B2 (en) * 2012-01-27 2016-11-22 Applied Materials, Inc. High density TiN RF/DC PVD deposition with stress tuning
KR101362437B1 (ko) * 2012-04-06 2014-02-13 (주)아인스 반도체 제조용 트랩장치
US9664626B2 (en) 2012-11-01 2017-05-30 Sio2 Medical Products, Inc. Coating inspection method
DE102012110927A1 (de) * 2012-11-14 2014-05-15 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur plasmagestützten Vakuumbehandlung von Substraten
WO2014078666A1 (en) 2012-11-16 2014-05-22 Sio2 Medical Products, Inc. Method and apparatus for detecting rapid barrier coating integrity characteristics
WO2014085348A2 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of pecvd deposition on medical syringes, cartridges, and the like
US9764093B2 (en) 2012-11-30 2017-09-19 Sio2 Medical Products, Inc. Controlling the uniformity of PECVD deposition
WO2014127230A1 (en) 2013-02-15 2014-08-21 Regents Of The University Of Minnesota Particle functionalization
EP2961858B1 (en) 2013-03-01 2022-09-07 Si02 Medical Products, Inc. Coated syringe.
EP2971228B1 (en) 2013-03-11 2023-06-21 Si02 Medical Products, Inc. Coated packaging
US9937099B2 (en) 2013-03-11 2018-04-10 Sio2 Medical Products, Inc. Trilayer coated pharmaceutical packaging with low oxygen transmission rate
US9863042B2 (en) 2013-03-15 2018-01-09 Sio2 Medical Products, Inc. PECVD lubricity vessel coating, coating process and apparatus providing different power levels in two phases
TWI485277B (zh) * 2013-12-13 2015-05-21 Univ Minghsin Sci & Tech 多靶反應性濺鍍製程穩定控制方法
EP3693493A1 (en) 2014-03-28 2020-08-12 SiO2 Medical Products, Inc. Antistatic coatings for plastic vessels
BR112018003051B1 (pt) 2015-08-18 2022-12-06 Sio2 Medical Products, Inc Tubo de coleta de sangue submetido a vácuo
US11823859B2 (en) 2016-09-09 2023-11-21 Ionquest Corp. Sputtering a layer on a substrate using a high-energy density plasma magnetron
US11482404B2 (en) 2015-12-21 2022-10-25 Ionquest Corp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
US11359274B2 (en) * 2015-12-21 2022-06-14 IonQuestCorp. Electrically and magnetically enhanced ionized physical vapor deposition unbalanced sputtering source
US20170178878A1 (en) 2015-12-21 2017-06-22 IonQuest LLC Electrically and Magnetically Enhanced Ionized Physical Vapor Deposition Unbalanced Sputtering Source
GB201706284D0 (en) * 2017-04-20 2017-06-07 Spts Technologies Ltd A method and apparatus for controlling stress variation in a material layer formed via pulsed DC physical vapour deposition
CN111826627A (zh) * 2020-08-07 2020-10-27 中国电子科技集团公司第三十八研究所 一种用于提高导通孔真空镀膜深度的工艺室和镀膜线
US20220380888A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Applied Materials, Inc. Methods for shaping magnetic fields during semiconductor processing
GB202115616D0 (en) * 2021-10-29 2021-12-15 Spts Technologies Ltd PVD method and apparatus

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3530057A (en) * 1967-05-29 1970-09-22 Nat Res Corp Sputtering
JPS57198635A (en) * 1981-06-01 1982-12-06 Fujitsu Ltd Sputtering method
US4871433A (en) * 1986-04-04 1989-10-03 Materials Research Corporation Method and apparatus for improving the uniformity ion bombardment in a magnetron sputtering system
US4853102A (en) * 1987-01-07 1989-08-01 Hitachi, Ltd. Sputtering process and an apparatus for carrying out the same
JPH01111872A (ja) * 1987-10-23 1989-04-28 Sumitomo Electric Ind Ltd スパッタリング装置
JPH029115A (ja) * 1988-06-28 1990-01-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH0689446B2 (ja) * 1988-12-19 1994-11-09 株式会社日立製作所 薄膜形成装置
DE3920834A1 (de) * 1989-06-24 1991-02-21 Leybold Ag Mikrowellen-kathodenzerstaeubungseinrichtung
US5026470A (en) * 1989-12-19 1991-06-25 International Business Machines Sputtering apparatus
US5316645A (en) * 1990-08-07 1994-05-31 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus
US5178739A (en) * 1990-10-31 1993-01-12 International Business Machines Corporation Apparatus for depositing material into high aspect ratio holes
DE4126236C2 (de) * 1991-08-08 2000-01-05 Leybold Ag Rotierende Magnetron-Kathode und Verwendung einer rotierenden Magnetron-Kathode
US5308417A (en) * 1991-09-12 1994-05-03 Applied Materials, Inc. Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers
JP3343620B2 (ja) * 1992-04-09 2002-11-11 アネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法および装置
US5346600A (en) * 1992-08-14 1994-09-13 Hughes Aircraft Company Plasma-enhanced magnetron-sputtered deposition of materials
US5630916A (en) * 1993-03-02 1997-05-20 Cvc Products, Inc. Magnetic orienting device for thin film deposition and method of use
US5455197A (en) * 1993-07-16 1995-10-03 Materials Research Corporation Control of the crystal orientation dependent properties of a film deposited on a semiconductor wafer
DE4336830A1 (de) * 1993-10-28 1995-05-04 Leybold Ag Plasma-Zerstäubungsanlage mit Mikrowellenunterstützung
JPH07268624A (ja) * 1994-03-25 1995-10-17 Tatsuo Asamaki 放電装置
JP2904263B2 (ja) * 1995-12-04 1999-06-14 日本電気株式会社 スパッタ装置
US5807467A (en) * 1996-01-22 1998-09-15 Micron Technology, Inc. In situ preclean in a PVD chamber with a biased substrate configuration

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100421293B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-09 동부전자 주식회사 반도체 소자용 금속막 증착장치
KR101447162B1 (ko) * 2007-08-10 2014-10-07 주성엔지니어링(주) 박막증착을 위한 플라즈마 공정장치 및 이를 이용한미세결정질 실리콘 박막의 증착방법

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