JPH10298750A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH10298750A JPH10298750A JP11631997A JP11631997A JPH10298750A JP H10298750 A JPH10298750 A JP H10298750A JP 11631997 A JP11631997 A JP 11631997A JP 11631997 A JP11631997 A JP 11631997A JP H10298750 A JPH10298750 A JP H10298750A
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- JP
- Japan
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- target
- collimator
- sputtering apparatus
- deposited
- sputtering
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜速度の低下を伴わず、コンタクトホール
への埋込性の良いスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１１内でターゲット１２にプラ
ズマのイオンを衝突させ、ターゲット１２から放出され
た粒子を被処理体１４上に堆積させて膜を形成する。電
気的に絶縁された２つの部位を組み合わせることにより
形成されるコリメータ１７を、ターゲット１２本体と被
堆積基板１４の間に配置する。コリメータ１７を形成す
る２つの部位の間に高周波を印加する。コリメータ１７
により方向性が揃えられたスパッタリング粒子がコリメ
ータ１７内でイオン化され、電界によりさらに被堆積基
板１４の法線方向の速度成分が大きくなるので、高アス
ペクト比のコンタクトホールの底部へのカバレッジ特性
が向上する。
への埋込性の良いスパッタリング装置を提供する。 【解決手段】 真空容器１１内でターゲット１２にプラ
ズマのイオンを衝突させ、ターゲット１２から放出され
た粒子を被処理体１４上に堆積させて膜を形成する。電
気的に絶縁された２つの部位を組み合わせることにより
形成されるコリメータ１７を、ターゲット１２本体と被
堆積基板１４の間に配置する。コリメータ１７を形成す
る２つの部位の間に高周波を印加する。コリメータ１７
により方向性が揃えられたスパッタリング粒子がコリメ
ータ１７内でイオン化され、電界によりさらに被堆積基
板１４の法線方向の速度成分が大きくなるので、高アス
ペクト比のコンタクトホールの底部へのカバレッジ特性
が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、成膜装置に関し、
特に被処理体にスパッタリング粒子を被着させるスパッ
タリング装置に関するものである。
特に被処理体にスパッタリング粒子を被着させるスパッ
タリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より半導体製造工程においては、半
導体ウェハなどの被処理体に対して電極を形成し、ある
いは配線を形成するために、所定の減圧雰囲気に置かれ
た処理室内に被処理体と所望の成膜材料からなるターゲ
ットを対向配置し、ターゲットからスパッタされたスパ
ッタリング粒子を被処理体に被着させるスパッタリング
装置が使用されている。
導体ウェハなどの被処理体に対して電極を形成し、ある
いは配線を形成するために、所定の減圧雰囲気に置かれ
た処理室内に被処理体と所望の成膜材料からなるターゲ
ットを対向配置し、ターゲットからスパッタされたスパ
ッタリング粒子を被処理体に被着させるスパッタリング
装置が使用されている。
【０００３】ところで、半導体デバイスの高集積化に伴
い半導体製造工程においても、より微細な加工を正確に
行う技術の確立が求められている。例えばスパッタリン
グ装置を用いた内部配線形成プロセスにおいて、径が小
さくかつ深さの深い、すなわちアスペクト比の大きなコ
ンタクトホールをスパッタリング粒子により埋め込む必
要性が生じている。
い半導体製造工程においても、より微細な加工を正確に
行う技術の確立が求められている。例えばスパッタリン
グ装置を用いた内部配線形成プロセスにおいて、径が小
さくかつ深さの深い、すなわちアスペクト比の大きなコ
ンタクトホールをスパッタリング粒子により埋め込む必
要性が生じている。
【０００４】しかしながら、スパッタリングプロセス
は、一般にステップカバレッジ特性が低いため、開口部
の底部における断線不良が発生し易く、問題となってい
た。そこで最近の装置では、ターゲットと被処理体との
間に、金属板あるいは絶縁板に対して複数の円形または
ハニカム状の貫通孔を設けたコリメータを設置する。そ
してターゲットからｃｏｓθ曲線を描きながら放射され
るスパッタリング粒子の放射方向をコリメータにより規
制し、被処理体の処理面に対して垂直に入射する成分の
みを選択することにより、ステップカバレッジを改善さ
せるコリメートスパッタリング装置が用いられている
（例えば、特開平１−１１６０７０号公報参照）。
は、一般にステップカバレッジ特性が低いため、開口部
の底部における断線不良が発生し易く、問題となってい
た。そこで最近の装置では、ターゲットと被処理体との
間に、金属板あるいは絶縁板に対して複数の円形または
ハニカム状の貫通孔を設けたコリメータを設置する。そ
してターゲットからｃｏｓθ曲線を描きながら放射され
るスパッタリング粒子の放射方向をコリメータにより規
制し、被処理体の処理面に対して垂直に入射する成分の
みを選択することにより、ステップカバレッジを改善さ
せるコリメートスパッタリング装置が用いられている
（例えば、特開平１−１１６０７０号公報参照）。
【０００５】一方、図３に示すように真空チャンバ３１
の外に高周波コイル３８を設け、高周波電源３９により
スパッタリング粒子をイオン化する。また、基板ホルダ
３３とターゲット３２の間に接続された直流電源３５に
よって印加された電界によりスパッタリング粒子をウェ
ハ３４上に引き込む方法（いわゆる、イオン化スパッタ
法）も用いられている。
の外に高周波コイル３８を設け、高周波電源３９により
スパッタリング粒子をイオン化する。また、基板ホルダ
３３とターゲット３２の間に接続された直流電源３５に
よって印加された電界によりスパッタリング粒子をウェ
ハ３４上に引き込む方法（いわゆる、イオン化スパッタ
法）も用いられている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
コリメートスパッタリング装置ではホール内のカバレッ
ジ特性を改善するためにはコリメータのホールアスペク
ト比を３以上に大きくしなければならず、それに伴う成
膜速度の低下は避けられなかった。また、従来のイオン
化スパッタリング装置は、ランダムな方向のスパッタリ
ング粒子をイオン化することから、成膜面に対するスパ
ッタリング粒子の入射の際十分な垂直成分が得られな
い。従って、高アスペクト比のコンタクトホール内のカ
バレッジ特性を改善することができないのが実情であっ
た。
コリメートスパッタリング装置ではホール内のカバレッ
ジ特性を改善するためにはコリメータのホールアスペク
ト比を３以上に大きくしなければならず、それに伴う成
膜速度の低下は避けられなかった。また、従来のイオン
化スパッタリング装置は、ランダムな方向のスパッタリ
ング粒子をイオン化することから、成膜面に対するスパ
ッタリング粒子の入射の際十分な垂直成分が得られな
い。従って、高アスペクト比のコンタクトホール内のカ
バレッジ特性を改善することができないのが実情であっ
た。
【０００７】そこで本発明は、成膜速度の低下を招くこ
となく、高アスペクト比のコンタクトホールの底部への
カバレッジ特性を向上するスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
となく、高アスペクト比のコンタクトホールの底部への
カバレッジ特性を向上するスパッタリング装置を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、真空容器内でターゲットにプラズマイオンを衝
突させ、該ターゲットから放出された粒子を被処理体上
に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置におい
て、前記ターゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁
された２つの部位を組み合わせて形成されたコリメータ
を配置する。
装置は、真空容器内でターゲットにプラズマイオンを衝
突させ、該ターゲットから放出された粒子を被処理体上
に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置におい
て、前記ターゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁
された２つの部位を組み合わせて形成されたコリメータ
を配置する。
【０００９】また、本発明のスパッタリング装置は、真
空容器内でターゲットにプラズマイオンを衝突させ、該
ターゲットから放出された粒子を被処理体上に堆積させ
て膜を形成するスパッタリング装置において、前記ター
ゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁された第１お
よび第２のコリメータを所定の間隔をおいて配置する。
空容器内でターゲットにプラズマイオンを衝突させ、該
ターゲットから放出された粒子を被処理体上に堆積させ
て膜を形成するスパッタリング装置において、前記ター
ゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁された第１お
よび第２のコリメータを所定の間隔をおいて配置する。
【００１０】また、本発明のスパッタリング装置の一態
様において、前記コリメータに高周波を印加する。ま
た、本発明のスパッタリング装置の一態様において、前
記高周波は、周波数１３．５６ＭＨｚ以上である。ま
た、本発明のスパッタリング装置の一態様において、前
記２つの構造体を組み合わせて形成されたコリメータの
アスペクト比は、１乃至３の範囲にある。
様において、前記コリメータに高周波を印加する。ま
た、本発明のスパッタリング装置の一態様において、前
記高周波は、周波数１３．５６ＭＨｚ以上である。ま
た、本発明のスパッタリング装置の一態様において、前
記２つの構造体を組み合わせて形成されたコリメータの
アスペクト比は、１乃至３の範囲にある。
【００１１】本発明によれば、コリメータにより方向性
がそろえられたスパッタリング粒子がコリメータ内でイ
オン化され、電界によってさらに被堆積基板の法線方向
の速度成分が大きくなる。これによりコンタクトホール
の底部へのカバレッジ特性が向上する。
がそろえられたスパッタリング粒子がコリメータ内でイ
オン化され、電界によってさらに被堆積基板の法線方向
の速度成分が大きくなる。これによりコンタクトホール
の底部へのカバレッジ特性が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
を適用した幾つかの具体的な実施形態について説明す
る。まず、本発明の第１の実施形態を図１を用いて説明
する。図１（ａ）は本発明のスパッタリング装置の縦断
面図である。図１（ｂ）はコリメータの平面図を示して
いる。第１の実施形態のスパッタリング装置において
は、真空チャンバ１１内にターゲット１２とその対極に
基板ホルダ１３が配置されている。
を適用した幾つかの具体的な実施形態について説明す
る。まず、本発明の第１の実施形態を図１を用いて説明
する。図１（ａ）は本発明のスパッタリング装置の縦断
面図である。図１（ｂ）はコリメータの平面図を示して
いる。第１の実施形態のスパッタリング装置において
は、真空チャンバ１１内にターゲット１２とその対極に
基板ホルダ１３が配置されている。
【００１３】基板ホルダ１３上には、ターゲット材料が
成膜されるウェハ１４が設置されている。ターゲット１
２は真空チャンバ１１と電気的に絶縁されており、ター
ゲット１２の背面には磁石１６が設置されている。この
磁石１６によってターゲット１２表面に磁力線を形成す
る。プラズマで発生した電子をターゲット１２近傍で捕
獲することにより、スパッタリングガスであるアルゴン
イオンのターゲット１２への衝突を促進し、成膜速度の
向上を図ることができる。
成膜されるウェハ１４が設置されている。ターゲット１
２は真空チャンバ１１と電気的に絶縁されており、ター
ゲット１２の背面には磁石１６が設置されている。この
磁石１６によってターゲット１２表面に磁力線を形成す
る。プラズマで発生した電子をターゲット１２近傍で捕
獲することにより、スパッタリングガスであるアルゴン
イオンのターゲット１２への衝突を促進し、成膜速度の
向上を図ることができる。
【００１４】ターゲット１２とウェハ１４の間に２つの
構造体からなるコリメータ１７が設置されている。この
コリメータ１７を構成する２つの部分には高周波電源１
９が接続されている。このコリメータ１７は、各穴の開
口幅が１ｃｍ、また穴の深さが１ｃｍ、すなわちアスペ
クト比が１になるように設計されている。
構造体からなるコリメータ１７が設置されている。この
コリメータ１７を構成する２つの部分には高周波電源１
９が接続されている。このコリメータ１７は、各穴の開
口幅が１ｃｍ、また穴の深さが１ｃｍ、すなわちアスペ
クト比が１になるように設計されている。
【００１５】そして、図示しない排気ユニットによって
真空チャンバ１１を排気すると共にＡｒガスあるいはＮ
2 ガスなどの不活性ガスを真空チャンバ１１内に導入
し、圧力を１０-3Ｔｏｒｒ程度になるよう制御する。ウ
ェハ１４を配置した基板ホルダ１３とターゲット１２の
間に、直流電源１５によりターゲット１２が負になるよ
うに直流電圧を印加する。これにより基板ホルダ１３と
ターゲット１２の間に放電を生起させる。この放電によ
って発生した正電荷を有するガスイオンを負電位のター
ゲット１２に衝突させて、ターゲット１２からスパッタ
リング粒子を放出させる。
真空チャンバ１１を排気すると共にＡｒガスあるいはＮ
2 ガスなどの不活性ガスを真空チャンバ１１内に導入
し、圧力を１０-3Ｔｏｒｒ程度になるよう制御する。ウ
ェハ１４を配置した基板ホルダ１３とターゲット１２の
間に、直流電源１５によりターゲット１２が負になるよ
うに直流電圧を印加する。これにより基板ホルダ１３と
ターゲット１２の間に放電を生起させる。この放電によ
って発生した正電荷を有するガスイオンを負電位のター
ゲット１２に衝突させて、ターゲット１２からスパッタ
リング粒子を放出させる。
【００１６】ターゲット１２から放出されたスパッタリ
ング粒子がコリメータ１７を通過する際、コリメータ１
７を構成する２つの部分に印加された高周波、たとえば
周波数１３．５６ＭＨｚ（もしくはそれ以上であればよ
い）の電界によりスパッタリング粒子はイオン化し、負
の電荷を帯びる。この負の電荷はスパッタリングガスが
正電荷を帯びた際に、生じた電子により与えられたもの
である。このイオン化されたスパッタリング粒子うち、
コリメータ１７に対して比較的垂直に入射したスパッタ
リング粒子は、コリメータ１７を通過することができ
る。そしてコリメータ１７を通過した負電荷を帯びたス
パッタリング粒子は直流電源１５による電界で、ウェハ
１４面の法線方向に加速されるので、ウェハ１４の面に
垂直に開口されたコンタクトホールの底部に到達し易く
なる。すなわち、スパッタ膜のボトムカバレッジが向上
する。
ング粒子がコリメータ１７を通過する際、コリメータ１
７を構成する２つの部分に印加された高周波、たとえば
周波数１３．５６ＭＨｚ（もしくはそれ以上であればよ
い）の電界によりスパッタリング粒子はイオン化し、負
の電荷を帯びる。この負の電荷はスパッタリングガスが
正電荷を帯びた際に、生じた電子により与えられたもの
である。このイオン化されたスパッタリング粒子うち、
コリメータ１７に対して比較的垂直に入射したスパッタ
リング粒子は、コリメータ１７を通過することができ
る。そしてコリメータ１７を通過した負電荷を帯びたス
パッタリング粒子は直流電源１５による電界で、ウェハ
１４面の法線方向に加速されるので、ウェハ１４の面に
垂直に開口されたコンタクトホールの底部に到達し易く
なる。すなわち、スパッタ膜のボトムカバレッジが向上
する。
【００１７】なお、第１の実施形態におけるコリメータ
のアスペクト比は、１より小さいとコリメータにより方
向性を揃えることが難しい。また３より大きいと、コリ
メータを通過するスパッタリング粒子が極端に少なくな
り、従ってアスペクト比は１乃至３の範囲が好ましい。
のアスペクト比は、１より小さいとコリメータにより方
向性を揃えることが難しい。また３より大きいと、コリ
メータを通過するスパッタリング粒子が極端に少なくな
り、従ってアスペクト比は１乃至３の範囲が好ましい。
【００１８】つぎに、本発明の第２の実施形態を図２を
用いて説明する。図２（ａ）は本発明のスパッタリング
装置の縦断面図である。また図２（ｂ）はコリメータの
平面図を示している。第２の実施形態のスパッタリング
装置においては、真空チャンバ２１内にターゲット２２
とその対極に基板ホルダ２３が配置されている。
用いて説明する。図２（ａ）は本発明のスパッタリング
装置の縦断面図である。また図２（ｂ）はコリメータの
平面図を示している。第２の実施形態のスパッタリング
装置においては、真空チャンバ２１内にターゲット２２
とその対極に基板ホルダ２３が配置されている。
【００１９】基板ホルダ２３上には、ターゲット材料が
成膜されるウェハ２４が設置されている。ターゲット２
２は真空チャンバ２１と電気的に絶縁されており、ター
ゲット２２の背面には磁石２６が設置されている。この
磁石２６によってターゲット２２表面に磁力線を形成す
る。プラズマで発生した電子をターゲット２２近傍で捕
獲することにより、スパッタリングガスであるアルゴン
イオンのターゲット２２への衝突を促進し、成膜速度の
向上を図ることができる。
成膜されるウェハ２４が設置されている。ターゲット２
２は真空チャンバ２１と電気的に絶縁されており、ター
ゲット２２の背面には磁石２６が設置されている。この
磁石２６によってターゲット２２表面に磁力線を形成す
る。プラズマで発生した電子をターゲット２２近傍で捕
獲することにより、スパッタリングガスであるアルゴン
イオンのターゲット２２への衝突を促進し、成膜速度の
向上を図ることができる。
【００２０】ターゲット２２とウェハ２４の間に互いに
同様の形状をしたコリメータ２７ａおよび２７ｂが適当
な間隔、たとえば１ｃｍ（好ましくは、０．５ｃｍ以
下）離間して設置されている。この２つのコリメータ２
７ａおよび２７ｂには高周波電源２９が接続されてい
る。これらのコリメータ２７ａ，２７ｂはそれぞれ、各
穴の開口幅が１ｃｍ、また穴の深さが１ｃｍであり、す
なわちこの例では２つのコリメータ２７ａ，２７ｂを組
合せたアスペクト比が３になるように設計されている。
同様の形状をしたコリメータ２７ａおよび２７ｂが適当
な間隔、たとえば１ｃｍ（好ましくは、０．５ｃｍ以
下）離間して設置されている。この２つのコリメータ２
７ａおよび２７ｂには高周波電源２９が接続されてい
る。これらのコリメータ２７ａ，２７ｂはそれぞれ、各
穴の開口幅が１ｃｍ、また穴の深さが１ｃｍであり、す
なわちこの例では２つのコリメータ２７ａ，２７ｂを組
合せたアスペクト比が３になるように設計されている。
【００２１】そして、図示しない排気ユニットによって
真空チャンバ２１を排気すると共にＡｒガスあるいはＮ
2 ガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入
し、圧力を１０-3Ｔｏｒｒ程度になるよう制御する。ウ
ェハ２４を配置した基板ホルダ２３とターゲット２２の
間に、直流電源２５によりターゲット２２が負になるよ
うに直流電圧を印加する。これにより基板ホルダ２３と
ターゲット２２の間に放電を生起させる。この放電によ
って発生した正電荷を有するガスイオンを負電位のター
ゲット２２に衝突させて、ターゲット２２からスパッタ
リング粒子を放出させる。
真空チャンバ２１を排気すると共にＡｒガスあるいはＮ
2 ガスなどの不活性ガスを真空チャンバ２１内に導入
し、圧力を１０-3Ｔｏｒｒ程度になるよう制御する。ウ
ェハ２４を配置した基板ホルダ２３とターゲット２２の
間に、直流電源２５によりターゲット２２が負になるよ
うに直流電圧を印加する。これにより基板ホルダ２３と
ターゲット２２の間に放電を生起させる。この放電によ
って発生した正電荷を有するガスイオンを負電位のター
ゲット２２に衝突させて、ターゲット２２からスパッタ
リング粒子を放出させる。
【００２２】ターゲット２２から放出されたスパッタリ
ング粒子が２つのコリメータ２７ａおよび２７ｂの間を
通過する際、２つのコリメータ２７ａ，２７ｂ間に印加
された高周波、たとえば周波数１３．５６ＭＨｚ（もし
くはそれ以上であればよい）の電界によりスパッタリン
グ粒子はイオン化し、負の電荷を帯びる。この負の電荷
はスパッタリングガスが正電荷を帯びた際に、生じた電
子により与えられたものである。このうちコリメータ２
７ａ，２７ｂに対して比較的垂直に入射したスパッタリ
ング粒子は、コリメータ２７ａ，２７ｂを通過すること
ができる。そしてコリメータ２７ａおよび２７ｂを通過
した負電荷を帯びたスパッタリング粒子は直流電源２５
による電界で、ウェハ２４の面の法線方向に加速される
ので、ウェハ２４の面に垂直に開口されたコンタクトホ
ールの底部に到達し易くなる。すなわち、スパッタ膜の
ボトムカバレッジが向上する。
ング粒子が２つのコリメータ２７ａおよび２７ｂの間を
通過する際、２つのコリメータ２７ａ，２７ｂ間に印加
された高周波、たとえば周波数１３．５６ＭＨｚ（もし
くはそれ以上であればよい）の電界によりスパッタリン
グ粒子はイオン化し、負の電荷を帯びる。この負の電荷
はスパッタリングガスが正電荷を帯びた際に、生じた電
子により与えられたものである。このうちコリメータ２
７ａ，２７ｂに対して比較的垂直に入射したスパッタリ
ング粒子は、コリメータ２７ａ，２７ｂを通過すること
ができる。そしてコリメータ２７ａおよび２７ｂを通過
した負電荷を帯びたスパッタリング粒子は直流電源２５
による電界で、ウェハ２４の面の法線方向に加速される
ので、ウェハ２４の面に垂直に開口されたコンタクトホ
ールの底部に到達し易くなる。すなわち、スパッタ膜の
ボトムカバレッジが向上する。
【００２３】なお、第２の実施の形態における２つのコ
リメータ２７ａ，２７ｂを組合せたアスペクト比は、１
よりも小さいとコリメータにより方向性を揃えることが
難しい。また３よりも大きいと、コリメータを通過する
スパッタリング粒子が極端に少なくなり、従ってアスペ
クト比は１乃至３の範囲が好ましい。
リメータ２７ａ，２７ｂを組合せたアスペクト比は、１
よりも小さいとコリメータにより方向性を揃えることが
難しい。また３よりも大きいと、コリメータを通過する
スパッタリング粒子が極端に少なくなり、従ってアスペ
クト比は１乃至３の範囲が好ましい。
【００２４】上記のように第１および第２の実施形態に
おいては、低アスペクト比のコリメータにより方向性が
揃えられたスパッタリング粒子がコリメータ内でイオン
化され、電界によりさらに被堆積基板の法線方向の速度
成分が大きくなるので、コンタクトホールの底部へのカ
バレッジ特性が向上する。
おいては、低アスペクト比のコリメータにより方向性が
揃えられたスパッタリング粒子がコリメータ内でイオン
化され、電界によりさらに被堆積基板の法線方向の速度
成分が大きくなるので、コンタクトホールの底部へのカ
バレッジ特性が向上する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、低
アスペクト比のコリメータにより方向性が揃えられたス
パッタリング粒子がコリメータ内でイオン化され、電界
によりさらに被堆積基板の法線方向の速度成分が大きく
なるので、成膜速度の低下を招くことなく、高アスペク
ト比のコンタクトホールの底部へのカバレッジ特性が向
上する。コンタクト抵抗などの電気特性が改善され、製
品性能および歩留の向上に寄与することができる等の利
点を有している。
アスペクト比のコリメータにより方向性が揃えられたス
パッタリング粒子がコリメータ内でイオン化され、電界
によりさらに被堆積基板の法線方向の速度成分が大きく
なるので、成膜速度の低下を招くことなく、高アスペク
ト比のコンタクトホールの底部へのカバレッジ特性が向
上する。コンタクト抵抗などの電気特性が改善され、製
品性能および歩留の向上に寄与することができる等の利
点を有している。
【図１】本発明による第１の実施形態を説明するための
装置縦断面図である。
装置縦断面図である。
【図２】本発明による第２の実施形態を説明するための
装置縦断面図である。
装置縦断面図である。
【図３】従来のスパッタリング装置を説明するための装
置縦断面図である。
置縦断面図である。
１１，２１ 真空チャンバ １２，２２ ターゲット １３，２３ 基板ホルダ １４，２４ ウェハ １５，２５ 直流電源 １６，２６ 磁石 １７，２７ａ，２７ｂ コリメータ １９，２９ 高周波電源
Claims (5)
- 【請求項１】 真空容器内でターゲットにプラズマイオ
ンを衝突させ、該ターゲットから放出された粒子を被処
理体上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁され
た２つの構造体を組み合わせて形成されたコリメータを
配置することを特徴を有するスパッタリング装置。 - 【請求項２】 真空容器内でターゲットにプラズマイオ
ンを衝突させ、該ターゲットから放出された粒子を被処
理体上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットと前記被処理体の間に電気的に絶縁され
た第１および第２のコリメータを所定の間隔をおいて配
置することを特徴を有するスパッタリング装置。 - 【請求項３】 前記コリメータに高周波を印加すること
を特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング
装置。 - 【請求項４】 前記高周波は、周波数１３．５６ＭＨｚ
以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の
スパッタリング装置。 - 【請求項５】 前記２つの構造体を組み合わせて形成さ
れたコリメータのアスペクト比は、１乃至３の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631997A JPH10298750A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11631997A JPH10298750A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10298750A true JPH10298750A (ja) | 1998-11-10 |
Family
ID=14684048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11631997A Withdrawn JPH10298750A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10298750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI621156B (zh) * | 2016-03-14 | 2018-04-11 | Toshiba Kk | Processing device and collimator |
-
1997
- 1997-04-18 JP JP11631997A patent/JPH10298750A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI621156B (zh) * | 2016-03-14 | 2018-04-11 | Toshiba Kk | Processing device and collimator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040706 |