KR19980070851A - 패턴 검사 장치 및 그 방법 - Google Patents

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Abstract

시료에 상을 형성하고 시료에 형성된 패턴을 검사하기 위한 패턴검사 장치 및 방법에 있어서, 이 방법은 시료의 상에 대응하는 기준 상을 메모리에 축적하는 단계, 상기 메모리로부터 읽어낸 기준 상을 시료의 상과 비교하는 단계, 기준 상과 결점이 있는 시료의 상사이의 상이한 부분을 검출하는 단계, 검출된 상이한 부분에 근거하여 다른 결함으로부터 시료의 치명결함(즉, 불량의 원인이 되는 결함)이거나 치명결함이 될 결함의 확률을 결정하는 단계를 포함한다.

Description

패턴검사 장치 및 그 방법
본 발명은 반도체 장치 제작을 포함하여 다양한 산업분야에 사용되는, 패턴형성을 위해 필수 불가결한 기술의 하나로서 패턴검사를 위한 장치와 그 방법에 관한 것이다. 특히, 주사형 전자현미경(가시관찰용 SEM), 레이저 주사현미경, I-빔 현미경, 및 주사형 원자력 현미경과 같은 장치를 사용하여 상이 형성되고, 패턴이 그렇게 형성된 상을 관찰함으로써 검사되는 패턴검사 장치에 관한 것이다.
본 발명이 속하는 종래의 분야로서 반도체 제조분야를 들 수 있다. 반도체 제조에 있어서, 가시-검사 SEM(주사형 전자현미경)이 패턴 검사에 널리 사용되고 있다. 가시-검사 SEM을 사용하여 형성되는 패턴의 검사는 예를 들어 다음의 단계를 거쳐 수행된다.
웨이퍼 카세트로부터 꺼내어진 검사될 웨이퍼의 시트(sheet)가, 방위 플랫부 또는 기준으로 사용되는 웨이퍼의 노치를 선-정렬(pre-alignment) 공정을 수행하게 된다. 선-정렬은 웨이퍼의 결정 방향을 XY-스테이지의 이동 방향에 정렬시킨다. 선-정렬 후, 웨이퍼는 이송되어 XY-스테이지 위에 장착되고 진공으로 유지된 시료실내에 배치된다. XY-스테이지 위에 장착된 웨이퍼는 시료실의 상단에 장착된 광학 현미경을 이용하여 정렬 공정을 수행하게 된다. 상기 정렬 공정은 웨이퍼 위에 형성된 패턴의 좌표계를 스테이지 좌표계로 조정하는데 사용된다. 더욱 구체적으로, 광학 현미경으로 웨이퍼 위에 형성된 정렬 패턴의 수 백배 정도로 확대된 상을 미리 저장되어 있는 정렬 패턴의 기준용 상과 비교하고, 후자, 즉 기준 상과 전자의 상이 올바르게 저장되도록 스테이지 좌표 위치를 조정하여 정렬이 수행된다. 정렬 후, 웨이퍼는 웨이퍼 이동에 의해 검사되어지는 바람직한 점으로 이동된다. 검사되어지는 점은 주사전자빔에 의하여 조사된 위치로 이동하고 그것에 의하여 SEM상이 형성된다. 조작자는 자신이 가지고 있는 지식과 정보에 근거하여서 형성된 SEM상을 관측하고, 패턴 결함의 존재 및 결함의 분류를 결정한다.
위에 주지한 방법은 조작자의 시각에 근거한 결함의 분류이다. 반면에 대상이 SEM상 대신에 광학 현미경 상으로 변환된다면, 자동 분류가 행해진다. 이 자동분류의 방법은 얻어진 결함 상으로부터 크기 및 형태가 같은 특이성을 끄집어는 것과 동일하다. 결함 분류자(classifier)는 상기 특이성에 근거하여 자동분류를 수행한다. 이 목적을 위해, 중성 네트워크와 같은 분류자가 널리 사용된다. 이런 방법은 M. H. Bennett 의 Automatic Defect Classification: Status and industry trends(SPIE 회보,Vol. 2439, 1995)의 210 ~ 220 쪽에 기술되어 있고, 이하 본 명세서에서 인용한다.
결함 분류의 최대 목적은 소자 불량의 원인이 되는 결함(소위치명결함)의 존재를 정확하게 판정하고 분류하는 데에 있다. 그러한 치명결함을 결정함으로써 생산품 산출(수율)에 영향을 미치는 결함을 효과적으로 저감하고 이에 의하여 수율을 단기간에 향상시키는 것이 가능하게 된다.
종래는 일반적으로 결함을 원, 사각, 직사각형, 삼각형 등과 같이 기하학적 상으로 나타내거나 결함 크기를 절대 치수로 기술하여 분류하고 있다. 이와 같은 분류방법은 치명결함과 비-치명결함을 분리하기 위해 항상 적절한 방법은 아니다.
본 발명의 목적은 치명으로 이어지는 결함을 정확, 신속하게 판정하고 분류하기에 적합한 패턴검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 시료에 형성된 패턴을 검사하고 시로의 상을 생성하는 패턴검사 장치에 있어서, 시료의 상에 대응하는 기준 상을 저장하고, 저장된 기준 상을 읽어내고, 읽어낸 기준 상과 시료의 상을 비교하고, 결점을 가진 표본상과 기준 상과의 상이한 부분을 검출하고, 그리고 검출한 부분들에 근거한 다른 결점으로부터 치명적 결점을 분리하는 것을 특징으로 기술된다.
본 발명에 의하면, 패턴검사 장치 및 방법은 정확하고 빠르게 치명적 결함의 존재를 결정하고 제공될 수 있는 결함을 분류하기에 적합하다.
도 1은 본 발명에 따른 패턴검사 장치로써 가시검사SEM의 일실시 예를 도시한 일반적 정렬;
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 결함 분류의 예를 도시한다;
도 3은 본 발명에 따른 검사의 과정의 플로우챠트 예시도;
도 4는 본 발명에 따른 형태 분류에 대한 과정의 플로우챠트 예시도;
도 5는 본 발명에 따른 크기 분류에 대한 과정의 플로우챠트 예시도;
도 6a 및 도 6b는 본 발명에 따른 검사되는 특정 점들 및 결함 분류 결과를 표시하는 예시도;
도 7은 본 발명에 따른 결함 발생의 확률을 계산한 예시 테이블;
도 8은 본 발명에 따른 임계등급 돌출 결함 크기 사이의 상관의 예시도;
도 9는 본 발명에 따른 계산 불량의 등급을 표시한 예시도.
도 2a에 도시된 예들의 방식에 의해, 쓰는 패턴에서 돌출의 결함이 고려될 때, 경험에 의해서 결정되어질 수 있는 결점의 치명률(즉 치명적 결함이 될 확률, 다시 말해서, 칩 및 웨이퍼 불량의 명백한 원인이 되는 결점)이 결함d 와 e 로 지시되는 것처럼 결함과 패턴의 스페이스 사이의 상대적 크기의 상관보다 기하학적 상 및 a, b, c로 지시되는 결함의 절대 크기와의 상관이 더 낮다. 다시 말해, 결함 a, b, c 에 대해 치명적인 결함으로 되는 결함의 확률은 실질적으로 같으며 그들의 기하학적 형태와 무관하다. 반면에, 비록 결함d가 결함e 보다 클지라도, 결함e가 치명적 결함이 될 확률은 결함d가 치명적 확률보다 크다.
더욱, 도 2b에 도시된 바와 같이, 결함 부분의 상, 크기에 관계없이 배선의 단선이나 단락회로는 반드시 치명결함이 된다. 한편, 단락회로, 단선의 결함과 유사한 다른 결함으로서는 돌출, 공동, 핀홀 및 독립(isolation) 결함을 들 수 있다. 다른 한편, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함이 불량을 직접적으로 일으키는 일은 드물다. 그러나, 그와 같은 결함은 이후의 공정에서 불량이나 소자의 특성 저하, 후속 단계들에서 신뢰도 저하를 일으킬 수 있다.
불량을 일으키는 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 같은 결함의 확률은 결함이 현존하는 부분의 패턴 크기와 인접 패턴까지의 거리에 의존하고 있다. 유사한 결함이라도, 결함이 현존하는 부분 패턴 크기가 클수록 또는 인접 패턴까지의 거리가 길수록 그 결함이 치명결함이 될 확률은 적어진다. 예를 들어, 도 2c에서, 핀홀 b가 치명적 결함으로 될 확률은 핀홀 b가 좁은 패턴에서 형성되기 때문에 동일 크기의 핀홀 a가 치명적 결함이 될 확률보다 매우 크다. 유사하게, 도 2d에서 도시된 독립들이 치명결함이 될 확률은 결함 b가 가장 크고 결함 c가 가장 작다(결함 a는 그 둘 사이). 부연하면, 여기에서 상기 독립 이라는 용어는 하나 이상의 고립된 패턴의 물질의 조각이 이격되어 형성되지만 패턴부에 인접된 도 2d에 도시된 결점의 형태로서 언급한다.
상기 경험에 근거한 고찰에서, 검사 방법은 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함으로 분류하는 단계를 포함한다. 또한 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함에 대해 스페이스 및 패턴 폭을 단위로 사용하는 크기로 결함을 소분류하는 단계를 더 포함한다. 검사 장치는 양자의 차이 부분을 결함으로서 검출하도록 검사용 상을 미리 저장된 검사용 기준 상과 비교하는 기능과, 결함을 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함으로 나누어 유형 분류하고, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함에 대하여 패턴 폭 또는 스페이스를 단위로 하여 크기로 소분류하는 기능을 구비한다.
상기 전술한 설계에서, 치명적 결함의 존재는 좀더 정확하고 신속하게 판정하고 분류할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 패턴검사 장치로서의 가시검사SEM의 일 실시예의 기본 구성을 나타낸다. 전자총(1)에서 방출된 전자빔(2)은 집속 렌즈(3) 및 대물 렌즈(4)에 의해 가늘게 좁혀지고, 시료인 웨이퍼(5)의 면 위에 초점을 맺는다. 동시에 전자빔(2)의 궤적은 편향기(6)에 의해 구부려지고 그것에 의해 상기 웨이퍼 표면에 2차원적으로 주사된다.
한편, 제 2의 전자(7)는 전자빔(2)에 의해 조사(照射)를 받은 웨이퍼 부분으로부터 방출되고 제 2의 전자(7)는 제 2의 전자 검출기(8)에 의해 검출되고 전기신호로 변환된 후, 증폭 등의 처리를 받는다. 처리를 거친 전기 신호는 표시장치(9)를 휘도-변조하는데 사용된다. 표시장치(9)는 전자빔(2)의 웨이퍼 면의 주사와 동기하여 주사되므로, 표시장치 위에 시료상(SEM상)이 형성된다.
본 발명에 따른 검사 순서의 일 예를 도 3에 나타낸다. 우선 단계(1)에서, 검사될 웨이퍼(5)의 1매가, 단계(1)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 카셋트(10)에서 꺼내어진다. 단계(2)에서, 웨이퍼가 선-정렬(pre-alignment)되는 과정을 거치는 동시에, 이 웨이퍼 위에 형성된 웨이퍼 번호가 비도시된 웨이퍼 번호 판독기에 의해 읽혀진다. 웨이퍼 번호는 각 웨이퍼에 고유하게 할당된 것이다. 단계(3)에서, 이 웨이퍼에 대응하는 미리 기록된 처방(recipe)이 키로 사용되는 읽혀진 웨이퍼 번호를 가지고 읽혀진다. 처방이란 웨이퍼의 검사 과정이나 검사 조건을 제공하는 것이다.
이후의 단계는 읽어낸 처방에 따라 자동적 또는 반자동적으로 수행된다. 단계(4)에서, 웨이퍼 번호가 읽힌 후, 웨이퍼(5)는 이송되고 진공으로 유지된 시료실(11) 내의 XY-스테이지(12) 위로 장착된다. 단계(5)에서, XY-스테이지(12) 위에 장착 웨이퍼(5)는 시료실(11)의 윗면에 장착된 광학 현미경(13)에 의하여 정렬 공전이 수행된다. 정렬공정은 웨이퍼(5)위에 형성된 정렬 패턴의 광학 현미경 상(수 백배 정도로 확대된)과 처방에 따라 미리 기록된 정렬에 대한 기준 상을 비교하고, 전자의 상과 후자 즉, 기준 상과 겹치도록 스테이지 위치 좌표를 조정함으로써 행하여진다. 정렬이 이루어진 후, 단계(6)에 보는 것처럼, 이 웨이퍼에 대응한 웨이퍼 맵(검사점 맵)이 읽혀져, 표시장치 위에 표시된다. 웨이퍼 맵에는 이 웨이퍼의 검사될 요구 점과 내력이 나타난다.
웨이퍼 맵 표시된 후, 단계(7)에 보는 것처럼, 조작자는 웨이퍼 맵 위에 표시된 점 중에서 검사될 하나이상의 부분의 대응점을 지정한다. 단계(8)에서 보는 것처럼, 검사점이 지정되었을 때, 피측정 웨이퍼(5)는 지정의 검사점이 전자빔 아래에 정확하게 오도록 스테이지 동작에 의해 이동된다. 웨이퍼가 이동된 후, 주사전자빔이 검사될 지점 위에 조사되고, 이것에 의하여 비교적 저배율에서의 SEM상(위치결정용 상)이 형성된다. 단계(9)에 보는 것처럼, 형성된 저배율 SEM상은 정렬 공정에서 이루어진 거처럼, 지정의 검사점에 대응하는 미리 기록된 기준용 SEM 상(위치결정용 기준 상)과 비교되고, 검사점의 정밀한 위치결정은 전자 상이 후자, 기준용 SEM 상과 정확히 겹치도록 검사점의 정밀한 위치결정이 행하여진다. 위치결정은 예를 들어 전자빔의 주사 영역을 미(微)조정함으로써 행하여진다.
위치 결정된 웨이퍼는 피검사 영역이 대략 화면 중앙, 즉 전자빔 바로 아래에 위치한다. 단계(10)에 보는 것처럼, 이 상태에서 피검사 영역의 고 배율 검사 SEM상(검사용 상)이 형성된다. 단계(11)에 보는 것처럼, 검사 SEM상은 처방에 상응하여 기록된, 이 피조사 영역에 상응한 기준용 SEM상(검사용 기준 상)과 비교되고, 양 상의 차이 부분이 검출된다. 차이 부분은 패턴 결함이라고 간주된다. 단계(12)에 보는 것처럼, 패턴 결함은 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함으로 나뉘어 유형 분류된다.
이어서, 돌출 및 독립 결함은 인접 패턴과의 거리를 최소 공간을 단위로 하여 표현하고, 대향 길이(결함을 패턴에 투영하였을 때의 그 그림자의 길이)를 최소 패턴 폭을 단위로 하여 표현하여 크기로 분류된다. 한편 단계(13)에서 보는 것처럼, 핀홀 및 공동 결함은 그들이 존재하는 패턴의 폭을 횡 방향의 단위로 하여 최소 패턴 폭을 종 방향의 단위로 하여 크기로 분류된다. 또한, 최소 패턴 폭 및 최소 공간은 검사 디바이스의 패턴 설계 규칙에 따르고, 검사에 앞서 기록된 값이다.
단계(12)의 결점 분류 형태는 제 4도에 단계(124, 125)로 나타낸 과정에 따라 다음과 같이 수행된다. 이전에 준비된 기준 SEM상이 기록될 때, 조작자는 분류선/롤, 패턴/기초, 최소 패턴 폭/공간, 및 기준 SEM 상의 패턴층에 대한 확대 정보를 특정 할 수 있다. 검사용 SEM상이 형성되고, 검사용 SEM 상은 다른 부 및 기준 SEM상과 비교된, 즉, 결함이 검출된 후, 결점이 패턴에 있는지 아니면 제 4도의 단계(121)에 도시한 표시화면에 결함 위치상에 근거한 기초(foundation)에 있는지 여부를 결정하는 것이다. 만약 결함이 기초에 있으면, 결함과 패턴의 단부 사이의 거리가 다음 단계(122)에 의해서 계산 또는 측정된다. 단계(122)에서 이러한 측정은 다음 두 접근(1 및 2)중 하나로 수행된다.
1) 기준 SEM 상과 상기 비교 단계로 얻어진 추출 상은 겹쳐지고 표시화면 상에 표시된다. 그리고 추출 상은 패턴의 단부와 접촉하도록 패턴의 단부로 이동한다. 그것에 의하여 결함과 패턴의 단부사이의 거리는 이동 거리에 근거하여 얻어진다;
2) 기준 SEM 상과 상기 비교의 단계로 얻어진 추출 상은 겹쳐지거나 소정의 스케일(Scale)로 표시화면 상에 표시되고, 그 다음 결함과 패턴의 단부 사이의 거리가 스케일을 사용하여 읽혀진다. 거리를 읽는 이러한 과정은 조작자나 컴퓨터에 의해 수행된다.
패턴매칭(pattern matching) 방법은 상기 제 1 접근에 적용된다. 상기 제 2 접근에 사용된 스케일은 직선 형태의 스케일을 대신하여 격자 혹은 원형의 중심으로서 결함의 단부를 갖는 동심원의 집합이 될 수 있다. 단계(122)에 나타내듯이, 결함과 패턴의 단부 사이의 거리가 `0`이 아니고, 결함이 패턴의 단부와 접촉하지 않으면, 패턴 결함은 독립으로 분류된다.
반면에, 결함과 패턴의 단부 사이의 거리가 `0`이고 결함이 전후 좌우로 이동될 때 결함이 패턴의 단부에 접하면, 결함이 패턴의 단부에 접하는 접합부는 다음의 단계(123)로 체크된다. 만약 전후 좌우에서 오로지 하나의 접촉부가 있다면, 패턴 결함은 돌출로 분류된다. 만약 전후 좌우에서 두 개의 접촉부가 있다면, 패턴 결함은 단락 회로 분류된다.
만약 단계(121)가 결점이 패턴에 있는 것으로 결정한다면, 결함은 단계(124, 125)에 도시한 것처럼, 동일한 과정으로 핀홀, 공동 및 단선으로 분류된다. 다시 말해, 단계(124)는 결점이 핀홀인지 여부를 결정하기 위하여 단계(122)에서 수행된 동일한 접근(1, 2)을 이용하고, 그렇지 않다면, 단계(125)는 결점이 공동 및 단선여부를 결정하기 위하여 단계(123)를 유사한 방식으로 수행한다.
상기 기술한 형태분류 단계 후에, 돌출, 독립, 핀홀 및 공동의 결함들은 제 3도의 단계(13)에서 도시한 것처럼, 단위로 사용된 최소 패턴 폭 및 최소 패턴 스페이스를 가진 크기로 분류된다.
첫 번째 단계(131)로서, 추출 상(결함)의 최대 절대 측정은 임계차원주사전자 현미경(critical dimensional-ESM; CD-SEM)을 사용하는 공지된 크기 측정과정에 따라 각 방향(X, Y방향)에서 얻어진다. 여기서, CD-SEM의 공지된 크기 측정과정에서, 패턴의 단부는 결함 상의 선 프로파일(profile)에 근거하여 검출되며, 패턴의 크기는 패턴의 단부들 사이의 거리에 근거하여 얻어진다. 상기 단계(131)에서 얻어진 절대측정은 단계(132)에 도시한 것처럼, 이전의 기준 SEM상이 기록되어질 때, 특정된 최소 패턴 폭/ 공간과 같은 장치의 패턴 설계 규칙에 따른 값들로 표준화된다.
결함의 형태와 크기를 분류하기 위하여 사용된 수단은 예를 들어, 도 1의 부분 A에서 도시한 것과 같은 하드웨어 형태이다. 다시 말하면, 부분 A 에 도시된 요소들은 상기에서 기술한 도 3의 단계(1, 2)를 수행한다(도 4, 5에 상술). 상 신호는 A/D 컨버터(21)에 의해 디지털 신호로 바뀐다. 그 신호는 프로세서(22)에 의해 노이즈 제거와 같은 상처리를 거치고 상 메모리(23)에 저장된다. 상 메모리(23)에 저장된 상은 프로세서(22)를 통해 표시장치상에 출력되고, 동시에, 결함분류를 거친다. 결함분류를 달성하기 위해서, 패턴 컨토(pattern contour)를 검출하기 위하여 상 정보를 추출하고, 검출상과 기준 상과 상호 차이 부분을 검출하고, 차이 부분과 컨토 사이의 연속성을 판정하고, 차이 부분의 크기 산출하는 소프트웨어 기능이 프로세서(22)에 편성되어 있다. 물론 기준 상은 프로세서 내의 메모리에 저장되어 있다.
검사될 특정 검사점의 결함 존재의 판정과 결함 분류가 종료한 후, 분류 결과는 웨이퍼 맵 상에 검사될 특정 검사점 위에 겹쳐 쓰여지고 또한 검사 데이터베이스에 저장된다. 이런 방식으로 1점의 검사가 완성된다.
검사점들이 아직 남아 있으면, 다음의 검사점들이 웨이퍼 맵 상에 특정되고, 검사점 특정에 후속하는 도 3의 과정의 단계들이 검사될 각점에 대하여 반복하여 수행된다. 상기 웨이퍼의 전 검사가 종료될 때, 칩 단위, 전체 결함의 밀도유형별로 분류된 결함/크기로 분류된 결함과 수율이 단계14에서 각 칩과 각 웨이퍼에 대하여 계산된다. 수율 계산은 결함의 각 유형별에 대한 결함 크기에 대한 임계등급의 미리 기록된 표를 이용하여 수행된다. 결함 크기에 대한 임계등급 표는 각 임계등급과 크기 분류된 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함들을 상관시킨 것이다. 이러한 계산 결과는 검사 결과와 함께 단계14에 도시된바와같이, 검사 데이터베이스에 저장되고, 그 데이터는 단계15에 나타낸 것처럼 필요에 따라 수시 출력되어 사용된다. 이것은 이후 상세히 기술할 것이다.
웨이퍼 카세트 중에 피검사 웨이퍼가 남아 있다면, 다음에 검사될 웨이퍼를 웨이퍼 카세트에서 꺼낸 후, 도 3의 과정에 따라 검사를 행한다. 복수 웨이퍼의 밀도 및 수율도 상기 1웨이퍼의 경우에 준하여 계산된다.
도 6a는 웨이퍼 지도 및 도면상에 검사되는 특정 점들을 도시한다. 도 6b는 웨이퍼 맵상에 검사될 특정점들 위에 겹쳐 쓰여진 결함분류(예를 들어 도 4, 5에서 도시)의 결과를 도시한다. 여기서, 돌출 및 공동과 같은 결함의 크기는 최소 패턴 폭 및 최소 패턴 공간으로 정규화된다. 결함의 크기는 공간의 1/3미만, 1/3 에서 2/3 사이, 2/3 초과와 같은 세가지 유형으로 분류된다. 도 6b에 도시한 예에서, 두 개의 칩, AII(선A, 컬럼II) 및 AIII(선 A, 컬럼III) 는 이미 분리되어있고, 반면 다른 칩들은 아직 분류되지 않았다.
결함 분류의 결과는 웨이퍼 맵을 대신하여 도 7에 도시된 분류 테이블에 기술될 수 있다. 각 결함들의 밀도(즉, 검사된 점들의 수와 연관되어 검출된 결함개수)는 데이터 양에 근거하여 각 웨이퍼 및/또는 각 칩에 대해 얻을 수 있다.
도 7은 칩 내의 결함의 밀도 및 웨이퍼 내의 결함의 형태의 밀도의 계산 결과의 예를 도시한다. 각 결함 크기에 대한 결과 역시 얻어진다. 만약 전체 웨이퍼의 검사될 특정 점들의 검사를 대신하여 수행되면, 각 칩 혹은 웨이퍼에 대한 결함의 밀도가 데이터 양과 및 웨이퍼/칩의 크기에 근거하여 얻어질 수 있다.
다음으로, 상응은 제조 공정에서 얻어지는 임계등급(즉, 치명결함이거나 될 확률)에 연관하여 분류된 결함에 대해 결정된다. 예를 들면, 도 8에서 각 임계등급과 돌출결함 크기 사이의 연관성을 나타내었다. 각 임계등급은 공간의 1/3미만의 돌출 결함크기가 위기등급의 3%(즉, 치명결함으로될 3%의 기회)에 대응하는 것, 공간의 1/3에서 2/3사이의 돌출결함 크기가 임계등급으로서 40%에 상응하는 것 및 공간의 2/3 초과의 돌출결함 크기가 임계등급의 70%에 상응하는 것과 같은 유형으로 분류된 각 결합과 연관된다. 이들 각 임계등급은 웨이퍼 불량 혹은 칩 불량의 확률을 계산에 사용된다(수율과 역관계). 예를 들면, 칩 불량의 확률은 칩 내에 존재하는 각 결함에 대한 각 임계등급이 각 결함에 대한 임계등급에 근거하여 부여된 무게계수에 의하여 곱해지고, 그 곱해진 결과는 다음과 같이 합산되어 계산된다.
(칩 불량의 확률) = ∑(결함 무게 계수)
× (결함에 대한 각 임계등급)
칩 내에서의 결함에 대해 최대 임계등급의 무게 계수다. 예를 들면, 단락회로이나 단선과 같은 분명한 치명결함에 대해서 `1`인 반면에 다른 무게 계수들은 `0`에서`1`이다. 계산된 불량 확률은 도 9에서 도시한 웨이퍼 맵에 표현하였다. 웨이퍼 불량의 확률은 웨이퍼내의 칩 불량의 모든 확률을 합산하여 얻어진다.
상기, 결함의 존재 및 결함의 분류를 결정하는 방법은 맵에서 조사되어져야만 하는 점들을 특정하는 조작자에 의해서 시작된다. 그 대신에, 조사되어져야할 점들이 처방에 주어진 특정에 따라 기계적으로 접근되고 결함의 분류가 기계적으로 수행되는 자동방법이 사용될 수 있다.
전술한 방법은 오직 검사되어지는 소정의 점들이 스테이지가 다음 단계로 이동되거나 반복되는 동안 검사되어진다. 그 대신에, 계속적으로 검사 범위 또는 웨이퍼의 전체 표면을 포함하도록 스테이지를 이동하는 것이 가능하다.
웨이퍼의 전체 표면을 검사할 때, 기준상을 검사 조작에 앞서 선행하여 기록하도록 반드시 요구되지는 않는다. 검사 공정 중에, 인접한 칩 혹은 셀의 상응하는 부분의 상에서 읽고, 사용을 위해 기준상 같은 상을 연속적으로 기록하는 것 또한 가능하다.
검사조작 중에 기준 상을 재기록 혹은 부가적 기록의 능력은 이전에 기록된 기준 상의 휘도 혹은 콘트라스트(contrast)가 검사 상과 매우 다르고 기준 상을 변경하는 것이 바람직할 때 유용하다.
이전에 기록된 휘도나 콘트라스트가 검사된 상과 매우 다른 경우에 대하여, 검사상의 휘도, 채도,콘트라스트와 같은 상 파라미터가 검사상과 기준상에 분리하여 변경될 수 있는 장치를 설계하는 것이 실용적이다.
시료에 의존하는 상은 질이 나빠질 수 있다. 비록 상이한 부분이 결함으로 검출되었을 지라도, 종종 결함을 자동적으로 분류하는 것이 불가능해진다. 그러한 경우, 자동적으로 제공된 제공된 기능이 조작자가 상황을 정정 할 수 있도록 조작자 보조 결고를 주는 것이 바람직하다.
전자 빔, 이온빔과 같은 대전입자빔을 사용할 때, 종종 시료를 대전시키기에 오랜 시간이 걸린다. 위치에 대한 상이나 검사 상은 대전 입자 선의 방사가 소정의 기간동안 가할 때 까지는 유용성이 없다.
검사SEM상 및 기준SEM상의 동시적 표시도 가능하다. 이리하여, 분류 결과의 적정성이 쉽게 확인될 수 있다.
전술에서, 위치화 과정이 정렬공정이 저배율 상을 사용하여 수행된 후 고배율 상을 사용하여 수행되는 방법이 기술되었다. 그러나, 장치는 이전 정렬 과정이 없이, 점이 검출되어 질 때까지 검사되는 점의 근방을 조사하여, 검사될 특정점을 직접적으로 위치하는 기능이 구비된다.
전술에는, XY-스테이지를 사용하였다. XY-스테이지 대신에 XYT(T는 경사를 의미한다)-스테이지가 될 수 있고, 그 경우에 시료형태가 경사진 상태에서의 검사될 수 있다.
지금까지는 검사 상의 결함 존재의 판정과 결함분류만을 기술하였다. 그러나, 장치가 특성 X선 분석기나 오거(Auger) 전자 분석기 등의 분석기능을 구비한다면 결함부의 조성과 같은, 분석 데이터를 함께 얻을 수 있다.
상기에서 상 전자빔이 상형성 프로브(probe)로서 이용하였다. 대신에 이온빔, 광빔 또는 기계적 프로브가 프로브로서 사용할 수 있다.
상기에서 1프로브·1화소의 경우가 기술되었다. 멀티프로브나 멀티화소로 상을 형성하는 시스템을 또한 사용할 수 있다.
상기에서 주사에 의하여 얻어진 상을 이용하였다. 대신에, 대상으로 상 형성(image-forming)광학 시스템에 의해 형성된 상을 사용하는 것도 가능하다.
반도체 웨이퍼를 검사하는 경우를 상기에서 기술하였다. 검사 대상은 상형성 장치용 웨이퍼, 표시장치 또는 다른 장비 형태에서 사용되는 반도체 웨이퍼도 된다. 선택적으로, 검사 대상은 웨이퍼외의 다른 시료 형태도 가능하다.
본 발명에 의하면, 치명적인 결함을 정확, 신속하게 판정하고, 분류하는 데 적합한 패턴 검사장치가 제공된다.

Claims (26)

  1. 시료의 상을 형성하고 시료에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사 방법에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 기준 상을 메모리에 저장하는 단계;
    상기 메모리에서 읽혀진 기준 상을 상기 시료의 상과 비교하는 단계;
    상기 기준 상과 결함으로서 상기 시료의 상 사이의 상이한 부분을 검출하는 단계; 및
    상기 검출된 상이한 부분에 근거하여 그것의 완성된 형태에서 시료가 치명 결함을 가질 확률을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상이한 부분을 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립으로 분류하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    적어도 상기 돌출, 공동, 핀홀 및 독립 결함이 패턴의 폭과 검사되는 패턴과 단위로 사용되는 인접한 패턴 사이의 공간을 크기로하여 분류되는 것을 특징으로 하는 패턴검사방법.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 돌출과 독립의 상기 결함은, 단위로 사용된 최소 공간으로 측정된 상기 인접한 패턴까지의 거리와 단위로 사용되는 최소 패턴 폭으로 측정된 검사된 패턴의 양측사이의 거리를 크기로 분류되고, 상기 핀홀과 공동의 결함은 횡방향에서 단위로서 결함이 현존한 검사된 패턴의 폭과 종방향에서 단위로 사용되는 상기 최소 패턴 폭을 크기로 분류되어지는 것을 특징으로 하는 패턴검사 방법.
  5. 시료의 상을 형성하고 시료에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사 방법에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 기준 상을 메모리에 저장하는 단계;
    상기 메모리에서 읽혀진 기준 상을 상기 시료의 상과 비교하는 단계;
    상기 기준 상과 결함으로서 상기 시료의 상 사이의 상이한 부분을 검출하는 단계;
    상기 검출된 상이한 부분에 근거하여 그것의 완성된 형태에서 시료가 치명 결함을 갖을 확률을 결정하는 단계; 및
    상기 결정의 결과를 표시화면에 표시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 확률은 상기 시료에 형성된 칩 내에 각 특정 점에 대해 치명적 결함으로 될 상기 결함 확률과 정규화된 결함 사이의 소정의 상관 테이블로 계산되는 것을 특징으로 하는 패턴검사방법.
  7. 시료의 상을 형성하고 시료 상에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사 장치에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 기준 상을 저장하는 메모리;
    상기 메모리에서 읽혀진 기준 상을 상기 시료의 상과 비교하고 상기 기준 상과 결함으로서 상기 시료의 상 사이의 상이한 부분을 검출하기 위한 검출 수단; 및
    상기 검출된 상이한 부분을 근거로하여 상기 시료의 치명결함이 되는 결함의 확률을 결정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 검사장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀, 독립의 결함으로 상기 상이한 부분을 분류하는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함들은 적어도 패턴 폭과 검사되는 패턴과 단위로 사용되는 인접한 패턴사이의 공간을 크기로 분류되는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 돌출과 독립의 결함은, 단위로 사용된 최소 공간으로 측정된 상기 인접한 패턴까지의 거리와 단위로 사용되는 최소 패턴 폭으로 측정된 검사된 패턴의 양측 사이의 거리를 크기로 분류되어지고, 상기 핀홀과 공동의 결함은 횡방향에서 단위로서 결함이 현존한 검사된 패턴의 폭과 종방향에서 단위로 사용되는 상기 최소 패턴 폭을 갖는 크기로 분류되어지는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  11. 시료에 상을 형성하고 시료 상에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사 장치에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 기준 상을 저장하는 메모리;
    상기 메모리로 읽혀진 기준 상을 상기 시료의 상과 비교하는 수단;
    상기 기준 상과 상기 결함으로서 시료의 상 사이의 상이한 부분을 검출하는 수단;
    상기 상이한 부분을 적어도 단위로 사용되는 최소 공간으로 측정된 인접한 패턴까지의 거리를 복수의 유형으로 분류하는 수단;
    상기 형태에 의해 분류된 상기 결함에 근거하여 시료의 치명결함이 되는 확률을 결정하는 수단; 및
    상기 결정의 결과를 표시화면에 표시하는 표시장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 확률은 상기 시료에 형성되는 칩 내에 각 특정점에 대해 치명결함으로되는 상기 결함 확률과 정규화된 결함사이의 소정의 상관 테이블로 계산되는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  13. 시료의 상을 형성하고 이 시료 위에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사 장치에 있어서,
    (1) 상기 시료를 선-정열하는 기능;
    (2) 그 시료의 검사 수행을 위한 처방을 미리 기록하는 기능;
    (3) 상기 시료 위에 형성된 시료 번호를 읽는 기능;
    (4) 상기 읽혀진 시료번호에 따라 상기 시료에 상응하는 처방을 읽는 기능;
    (5) 상기 처방에 의거하여 검사를 수행하는 기능;
    (6) 정렬용 기준 상을 미리 기록하는 기능;
    (7) 상기 정렬용 기준 상을 형성하고, 상기 시료의 정렬된 패턴의 상을 상기 기준 상과 비교하여 상기 시료를 정렬하는 기능;
    (8) 상기 시료의 검사될 점의 맵을 미리 기록하는 기능;
    (9) 검사될 지점의 기록된 맵을 읽고 표시하는 기능;
    (10) 검출될 지점의 맵 상에서의 지정 또는 상기 처방의 특정에 의거하여 상기 시료를 이동시켜 그 지정 또는 특정된 검사될 지점을 원하는 위치에 배치하는 기능;
    (11) 검사될 지정 또는 특정된 점의 기준용 상을 미리 기록하기 위한 기능;
    (12) 검사될 지정 또는 특정된 점의 기준 상을 형성하고 검사될 지정 또는 특정된 점의 위치결정용 상과 그 검사될 점의 위치결정용 기준 상을 비교하여 상기 검사될 점의 위치결정을 수행하는 기능;
    (13) 상술된 위치 결정된 검사될 지점의 검사용 상을 형성하는 기능;
    (14) 상술된 위치 결정된 검사될 지점의 검사용 기준 상을 저장하는 기능;
    (15) 상기 검사용 상과 상기 검사용 기준 상을 표시하는 기능;
    (16) 상기 검사용 상과 기준 상을 비교하여 서로의 차이 부분을 검출하는 기능;
    (17) 상기 검사용 상과 기준 상의 차이 부분을 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함으로 분류하는 기능;
    (18) 상기 적어도 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함을 크기로 분류하는 기능;
    (19) 상기 시료의 차이 부분을 프로브로 조사하여 물리 분석하는 기능;
    (20) 검사될 상기 지정 또는 지시된 검사될 점의 차이 부분의 분류 결과를 상기 검사될 점의 맵 위에 쓰는 기능;
    (21) 상기 시료가 웨이퍼인 경우 모든 유형의 결합의 밀도, 유형에 의해 분류된 결함 및 각칩, 각 웨이퍼 및 각 특정 웨이퍼를 크기로 분류된 결함을 계산하는 기능;
    (22) 상기 결함 유형별로 결함 크기에 대하여 치명결함이 될 결함의 확률의 표를 미리 기록하는 기능;
    (23) 상기 결함 유형별의 결함 크기의 확률표를 사용하여 각칩, 각 웨이퍼 단위 및 각 특정 웨이퍼의 수율을 계산하는 기능;
    (24) 검사될 상기 특정된 점의 차이 부분의 검출 결과, 차이 부분의 분류 결과 및 각 결함밀도 및 수율 계산 결과를 기록하는 기능; 및
    (25) 기록된 검사 결과와, 계산 결과를 출력하기 위한 기능중 (14) 내지 (17)의 기능과 그 이외의 적어도 하나의 기능을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치;
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 검사용 상 및 검사용 기준 상의 휘도, 채도 및 콘트라스트를 포함하는 상 파라미터를 상기 검사용 상 및 검사용 기준 상 각각에 대하여 분리하여 변경할 수 있는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  15. 제 13항 또는 제 14항에 있어서,
    상이한 부분을 분류함에 있어서, 조작자 보조 경고가 상이한 부분이 어떤 형태로도 분류되어 질 수 없을 때 자동적으로 주어지는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 검사용 기준상은 검사 공정의 과정동안 기록될 수 있는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 검사용 상과 상기 검사용 기준상은 동시 또는 매칭 방식으로 표시되는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    대전입자선이 프로브로 사용될 때, 상기 시료가 시간의 현재 기간에 대하여 프루브에 의해 방출되는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  19. 시료에 상을 형성하고 시료에 형성된 패턴을 검사하는 패턴검사장치에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 축적된 기준 상을 저장하는 메모리; 및
    상기 메모리로부터 읽어낸 기준 상과 상기 시로의 상을 비교하고, 상기 기준 상과 상기 결점으로서 시료의 상 사이의 상이한 부분을 검사하고, 상기 검출된 상이한 부분에 근거한 상기 시료의 치명 결함이 되는 결함의 확률을 결정하는 조작을 수행하는 프로세서를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 프로세서는 상기 상이한 부분을 적어도 단락회로, 단선, 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함들로 분류하는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 돌출, 공동, 핀홀 및 독립의 결함은 적어도 검사되는 패턴과 단위로서 사용되는 인접한 패턴사이의 공간과 패턴 폭을 크기에로 분류되는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 돌출과 독립의 결함은, 단위로 사용된 최소 공간으로 측정된 상기 인접한 패턴까지의 거리와 단위로 사용되는 최소 패턴 폭으로 측정된 검사된 패턴의 반대편들 사이의 거리를 크기로 분류되고, 상기 핀홀과 공동의 결함은 횡방향에서 단위로서 결함이 현존하는 사용되는 검사되는 패턴의 폭과 종방향에서 단위로 사용되는 상기 최소 패턴 폭을 갖는 크기로 분류되어지는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  23. 시료의 상을 형성하고 시료에 형성된 패턴을 검사하는 검사장치에 있어서,
    상기 시료의 상에 상응하는 기준 상을 저장하는 메모리;
    상기 메모리로부터 읽어낸 상기 기준 상과 상기 시로의 상을을 비교하고, 상기 기준 상과 상기 결점으로서 시료의 상기 상사이의 상이한 부분을 검출하고, 상기 상이한 부분을 적어도 단위로서 사용되는 최소의 공간으로 측정되는 인접한 패턴 사이의 최소한의 거리를 갖는 복수의 유형으로 분류되고, 상기 유형으로 분류된 상기 결함에 근거하여 시료의 치명결함으로될 확률을 결정하는 조작을 수행하는 프로세서; 및
    상기 결정의 결과를 표시화면에 표시하는 표시장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴검사장치.
  24. 제 5항에 있어서,
    상기 상이한 부분과 기준 상은 겹쳐지고 상기 표시화면에 표시되고, 상기 상이한 부분은 상기 연결된 패턴의 단부로 이동하여 상기 상이한 부분이 상기 인접한 패턴의 단부와 접촉하여, 상기 상이한 부분과 인접한 패턴과의 상기 거리가 이동 거리에 근거하여 측정되는 것을 특징으로 하는 패턴검사 장치.
  25. 제 5항에 있어서,
    상기 상이한 부분과 상기 기준 상은 겹쳐지고 상기 표시 화면에 소정의 스케일로 표시되어, 상기 상이한 부분과 상기 인접한 패턴사이의 거리는 상기 스케일을 사용하여 측정하는 것을 특징으로 하는 패턴검사 방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 스케일은 직선형, 상기 원 혹은 격자 형태의 중심으로서 상이한 부분의 단부를 갖는 동심원의 집합과 같은 형태인 것을 특징으로 하는 패턴검사 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101386358B1 (ko) * 2010-04-06 2014-04-16 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 검사 방법 및 그 장치

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6389326B2 (en) * 1997-08-22 2002-05-14 Globitech Incorporated Differential process control method
US6097887A (en) * 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
JP3961657B2 (ja) * 1998-03-03 2007-08-22 株式会社東芝 パターン寸法測定方法
US6987873B1 (en) * 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
JP4206192B2 (ja) * 2000-11-09 2009-01-07 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
JP4021084B2 (ja) * 1998-12-28 2007-12-12 株式会社日立製作所 電子顕微鏡及び検査方法
US6539106B1 (en) * 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
WO2004105077A1 (ja) * 1999-02-24 2004-12-02 Katsuto Goto 高密度記録走査顕微鏡
US6707936B1 (en) * 1999-04-16 2004-03-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for predicting device yield from a semiconductor wafer
US6516085B1 (en) * 1999-05-03 2003-02-04 Kla-Tencor Apparatus and methods for collecting global data during a reticle inspection
US6922482B1 (en) * 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
US6577757B1 (en) * 1999-07-28 2003-06-10 Intelligent Reasoning Systems, Inc. System and method for dynamic image recognition
US7817844B2 (en) 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7796801B2 (en) 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US6868175B1 (en) 1999-08-26 2005-03-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
JP3802716B2 (ja) * 1999-09-17 2006-07-26 株式会社日立製作所 試料の検査方法及びその装置
US20070131877A9 (en) * 1999-11-29 2007-06-14 Takashi Hiroi Pattern inspection method and system therefor
US6571196B2 (en) * 1999-11-29 2003-05-27 Hitachi Kokusai Electric Inc. Size inspection/measurement method and size inspection/measurement apparatus
JP4312910B2 (ja) * 1999-12-02 2009-08-12 株式会社日立製作所 レビューｓｅｍ
EP1146481A3 (en) * 2000-03-21 2003-10-15 Nanogeometry Research Pattern inspection apparatus, pattern inspection method, and recording medium
JP2002043200A (ja) * 2000-07-24 2002-02-08 Mitsubishi Electric Corp 異常原因検出装置及び異常原因検出方法
EP1184725A1 (en) * 2000-09-04 2002-03-06 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method for adjusting a lithographic tool
JP3678133B2 (ja) * 2000-10-30 2005-08-03 株式会社日立製作所 検査システムおよび半導体デバイスの製造方法
JPWO2002075806A1 (ja) * 2001-03-16 2004-07-08 株式会社日立製作所 ウエハの検査方法、集束イオンビーム装置及び透過電子ビーム装置
JP4170611B2 (ja) * 2001-03-29 2008-10-22 株式会社東芝 半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置
JP2002310962A (ja) * 2001-04-19 2002-10-23 Hitachi Ltd 画像分類方法並びに観察方法及びその装置
EP1258915A1 (en) * 2001-05-17 2002-11-20 Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Method of detecting defects on a semiconductor device in a processing tool and an arrangement therefore
JP3788279B2 (ja) * 2001-07-09 2006-06-21 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
DE10147880B4 (de) * 2001-09-28 2004-05-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Messung einer charakteristischen Dimension wenigstens einer Struktur auf einem scheibenförmigen Objekt in einem Meßgerät
AU2002343545A1 (en) * 2001-10-19 2003-06-10 Auburn University Estimating reliability of components for testing and quality optimization
KR100689694B1 (ko) * 2001-12-27 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치
JP3810694B2 (ja) * 2002-02-15 2006-08-16 三菱電機株式会社 パターン検査装置及びパターン検査方法
JP4095860B2 (ja) * 2002-08-12 2008-06-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及びその装置
DE10250814B4 (de) * 2002-10-23 2013-04-11 Carl Zeiss Industrielle Messtechnik Gmbh Verfahren zum Vermessen von Werkstücken
JP2004198265A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Dainippon Printing Co Ltd 加工製品の外観検査、選別方法および加工製品の外観検査、選別システム
JP4121849B2 (ja) * 2002-12-26 2008-07-23 オリンパス株式会社 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
JP4185789B2 (ja) * 2003-03-12 2008-11-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン検査方法及びその装置
JP3699960B2 (ja) * 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
JP2004349515A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Hitachi High-Technologies Corp Ｓｅｍ式外観検査装置，レビュー装置、およびアライメント座標設定方法
DE10331686A1 (de) * 2003-07-14 2005-02-17 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Bewertung von aufgenommenen Bildern von Wafern
EP1501115B1 (en) 2003-07-14 2009-07-01 FEI Company Dual beam system
JP4230880B2 (ja) * 2003-10-17 2009-02-25 株式会社東芝 欠陥検査方法
US20050255611A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 Patterson Oliver D Defect identification system and method for repairing killer defects in semiconductor devices
US7593565B2 (en) * 2004-12-08 2009-09-22 Rudolph Technologies, Inc. All surface data for use in substrate inspection
JP2006098151A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パターン検査装置およびパターン検査方法
JP5134188B2 (ja) * 2004-10-15 2013-01-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 試料上の欠陥を分析する装置
US20060092274A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Rockwell Automation Technologies, Inc. Image sensor annotation method and apparatus
DE102005017642B4 (de) * 2005-04-15 2010-04-08 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
US7760347B2 (en) * 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
JP4972298B2 (ja) * 2005-08-10 2012-07-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの欠陥検査方法及びその装置
DE102006000946B4 (de) * 2006-01-07 2007-11-15 Isra Vision Systems Ag Verfahren und System zur Inspektion einer periodischen Struktur
JP2007192595A (ja) * 2006-01-17 2007-08-02 Horon:Kk 検査方法および検査装置
JP4943304B2 (ja) 2006-12-05 2012-05-30 株式会社 Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
GB0625001D0 (en) * 2006-12-14 2007-01-24 Plastic Logic Ltd Short isolation
DE102007024954A1 (de) * 2007-05-30 2008-12-04 Siltronic Ag Poliertuch für DSP und CMP
JP5352066B2 (ja) * 2007-06-15 2013-11-27 株式会社ジャパンディスプレイ 電子回路基板の製造装置
DE102008011349A1 (de) * 2008-02-27 2009-09-03 Volkswagen Ag Zerstörungsfreie Prüfung einer Schweißnaht
JP2009204444A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 半導体外観検査装置
JP5292043B2 (ja) * 2008-10-01 2013-09-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察装置及び欠陥観察方法
US8094924B2 (en) * 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
US8150140B2 (en) * 2008-12-22 2012-04-03 Ngr Inc. System and method for a semiconductor lithographic process control using statistical information in defect identification
JP5429869B2 (ja) 2008-12-22 2014-02-26 株式会社 Ｎｇｒ パターン検査装置および方法
US20100158346A1 (en) * 2008-12-23 2010-06-24 Wei Fang Method and system of classifying defects on a wafer
KR101286548B1 (ko) * 2009-03-31 2013-07-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 검사 시스템 및 방법
US9390490B2 (en) * 2010-01-05 2016-07-12 Hitachi High-Technologies Corporation Method and device for testing defect using SEM
JP5647999B2 (ja) * 2012-01-04 2015-01-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターンマッチング装置、検査システム、及びコンピュータプログラム
JP5597234B2 (ja) * 2012-11-08 2014-10-01 日立アロカメディカル株式会社 Ｘ線測定補助具
CN105097578B (zh) * 2014-05-05 2018-02-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种缺陷扫描机台对准系统的改进方法
JP2016058465A (ja) * 2014-09-08 2016-04-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥定量化方法、欠陥定量化装置、および欠陥評価値表示装置
US10650530B2 (en) * 2018-03-29 2020-05-12 Uveye Ltd. Method of vehicle image comparison and system thereof
US10643332B2 (en) * 2018-03-29 2020-05-05 Uveye Ltd. Method of vehicle image comparison and system thereof
US10753729B2 (en) 2018-10-02 2020-08-25 Saudi Arabian Oil Company Photonic sensing analytical device
TWI703535B (zh) * 2018-10-25 2020-09-01 南茂科技股份有限公司 邊緣缺陷檢查方法
CN113176278B (zh) * 2021-03-19 2022-07-22 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 一种面板缺陷检测设备及面板缺陷检测方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5544256A (en) * 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
JPH07201946A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Hitachi Ltd 半導体装置等の製造方法及びその装置並びに検査方法及びその装置
JP3247823B2 (ja) * 1995-06-26 2002-01-21 株式会社日立製作所 欠陥検査方法およびその装置並びに薄膜磁気ヘッド用の素子の製造方法
DE19822672B4 (de) * 1998-05-20 2005-11-10 GSF - Forschungszentrum für Umwelt und Gesundheit GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines gerichteten Gasstrahls

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101386358B1 (ko) * 2010-04-06 2014-04-16 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 검사 방법 및 그 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6047083A (en) 2000-04-04
KR100775437B1 (ko) 2008-04-22
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TW425473B (en) 2001-03-11

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