KR19980032539A - 화학증폭형 레지스트 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중 R1및 R2는 히드록시 또는 카르복실산기를 가지는 C0∼C10의 지방족 탄화수소이고, R3은 수소 또는 메틸이고, R4는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐이고, m 및 n은 정수이다.
또한, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
식중, x는 C5∼C8의 사이클릭(Cyclic) 또는 앨러사이클릭(Alicyclic) 화합물이고, R1은 수소, 메틸(Methyl)로 이루어지는 군에서 선택되며, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl), 아다맨틸(Adamantyl)로 이루어지는 군에서 선택되는 한편, m 및 n은 정수로서 n/(m+n)=0.1∼0.5이다.
본 발명에 의하면, 현상시에 현상액으로서 통상의 방법에서 사용하는 현상액을 사용하는 것이 가능하고, 뛰어난 식각내성을 가지며, 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공한다.

Description

화학증폭형 레지스트 조성물(CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION)
본 발명은 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것으로, 특히 ArF엑시머레이저 파장으로 노광할 때 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공하고, 현상시에는 통상적인 현상액사용이 가능하며, 식각에 대한 내성(Etch Resistance)이 뛰어난 화학증폭형 레지스트 조성물에 관한 것이다.
반도체 칩의 집적도가 증가함에 따라 포토리소그래피(Photo-Lithography) 공정에 있어서 서브쿼터 마이크론급의 미세 패턴형성이 필수적인 과제로 되어 있다.
더욱이 1기가(Giga)급 이상의 소자에서는 기존의 DUV(Deep-Ultraviolet : λ=248nm) 노광원인 KrF 엑시머레이저보다 단파장인 ArF 엑시머레이저(λ=193nm)를 이용하는 포토리소그래피기술이 도입되면서 새로운 레지스트 조성물이 등장하게 되었다.
일반적으로, ArF 엑시머레이저용 화학증폭형 레지스트 조성물은 다음과 같은 요건을 만족해야 한다. 즉, 먼저 193nm의 파장영역에서 투과율(Transmittance)이 우수하여야 하며, 열적 특성이 우수해야 한다.
여기에서 열적 특성이 우수하다는 것은 유리전이온도(Tg)가 높다는 것을 의미한다. 또한, 막질에 대한 접착력이 우수하고, 건식 식각에 대한 내성이 우수하며, 현상시에는 통상적으로 사용되는 현상액을 그대로 사용할 수 있어야 한다.
상기와 같은 특성이 요구되는 ArF 엑시머레이저용 레지스트 조성물의 일 예로서 테트라폴리머인 폴리(IBMA-MMA-tBMA-MAA)가 제안되었다.
상기 레지스트 조성물은 식각에 대한 내성이 매우 약하고, 접착력이 약하며, 현상시에 특수한 현상액을 사용하여야 한다는 단점을 가지고 있다. 이러한 점을 감안하여, 최근에는 폴리머의 백본(Backbone)이 환식(環式) 구조를 가지는 시클로폴리머 등이 발표되고 있다.
그러나, 이러한 시클로폴리머는 식각에 대한 내성에 따른 문제는 어느 정도 해결하였으나 만족할 만한 정도는 아니며, 막질에 대한 접착력이 약하여 레지스트에서 리프팅(Lifting)현상이 발생하거나 또는 현상시에 각종 레지스트에 폭넓게 사용되는 통상적인 현상액 대신 특정한 범위내의 농도를 갖는 현상액을 별도로 준비하여야 하므로 제조상 번거롭다.
본 발명의 목적은 무수말레인산을 이용한 중합시스템에서 앨러사이클군(Alicyclic Group)자체에 사이클군(Cyclic Group)을 직접 결합시킨 Bi, Tri-사이클 구조의 모노머(Monomer)를 중합하므로써 ArF 엑시머레이저 파장으로 노광할 때, 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공하고, 현상시에는 통상적인 현상액사용이 가능하며, 식각에 대한 내성이 뛰어난 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 폴리(OL/MA-tBMA)의 식각내성을 링파라미터(Ring Parameter)를 이용하여 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프,
도 2는 본 발명에 따른 폴리(OL40/MA60-tBMA20)의 식각률을 오니쉬파라미터 (Ohnishi Parameter) 및 링파라미터를 이용하여 측정한 결과를 나타내는 그래프이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
화학식 1
상기 식중 R1및 R2는 히드록시 또는 카르복실산기를 가지는 C0∼C10의 지방족 탄화수소이고, R3는 수소 또는 메틸이며, R4는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐(Tetrahydropyranyl)이고, m 및 n은 정수이다.
바람직하게는 상기 PAG의 함량은 상기 화학식 1의 고분자의 중량을 기준으로 하여 1∼20중량%이고, 상기 R1및 R2중 어느 하나는 메탄올, 카르복실산 또는 무수 카르복실산이다.
또한 바람직하게는, 상기 화학식 1의 고분자의 중량평균분자량은 5,000∼200,000이고, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염, 트리아릴요도늄염, 술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된다.
하기 반응식 1에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제공된 고분자의 노광메카니즘이 나타나 있다.
상기 반응식 1로부터 상기 노광과정을 거치기 이전의 고분자(Ⅰ)은 현상액에 잘 용해되지 않는 반면, 산촉매하의 노광공정을 거친 후의 고분자(Ⅱ)는 현상액에 잘 용해된다.
한편 상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 화학식 2의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트 조성물을 제공한다.
화학식 2
상기 화학식 2에서 x는 C5∼C8인 사이클릭(Cyclic) 또는 앨러사이클릭(Alicyclic) 화합물이고, R1은 수소, 메틸로 이루어지는 군에서 선택되며, R2는 t-부틸, 테트라히드로피라닐, 아다맨틸(Adamantyl)로 이루어지는 군에서 선택되고, m 및 n은 정수로서 n/(m+n)=0.1∼0.5이다.
바람직하게는 상기 PAG의 함량은 상기 화학식 2의 고분자의 중량을 기준으로하여 0.5∼10중량%이다.
또한, 바람직하게는 상기 화학식 2의 고분자의 중량평균분자량은 2,000∼100,000이고, 상기 PAG는 트리아릴술포늄염(Triarylsulfonium Salts)과 디아릴요도늄염(Diaryliodonium Salts)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나를 포함한다.
상기한 트리아릴술포늄염은 트리페닐트리플레이트(Triphenyltriflate), 트리페닐안티모네이트(Triphenylantimonate),메톡시트리페닐트리플레이트(Methoxytriphenyltriflate),메톡시트리페닐안티모네이트(Methoxytriphenylantimonate), 트리메틸트리페닐트리플레이트(Trimethyltriphenyltriflate),나프탈린트리플레이트(Naphthalenetriflate)로 이루어지는 군에서 선택된다.
한편, 상기 디아릴요도늄염은 디페닐요도늄트리플레이트(Diphenyliodonium triflate), 메톡시페닐요도늄안티모네이트(Methoxyphenyliodoniumantimonate), 메톡시페닐요도늄트리플레이트(Methoxyphenyliodoniumtriflate), 디-t-부틸비스페닐안티모네이트(Di-t-butylbisphenylantionate),디-t-부틸비스페닐트리플레이트(Di-t-butylbisphenyltriflate)로 이루어지는 군에서 선택된다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
실시예 1
코폴리머(Copolymer)의 합성
본 실시예에 따른 코폴리머의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
5-노르보르넨-2-메탄올(5-norbornene-2-methanol)(Ⅲ) 12.4g(0.1mol)과 무수 말레인산(Ⅳ) 9.8g(0.1mol)을 AIBN(2,2'-azobisisobutyronitrile) 1.31g(0.008mol)과 함께 THF(Tetrahydrofuran) 200ml에 용해시키고, N2퍼지하에서 약 24시간동안 65∼70℃의 온도를 유지하면서 중합시켰다.
중합이 완료된 후에 반응물을 n-헥산에서 침전시킨 후, 침전물을 약 50℃로 유지되는 진공오븐내에서 약 24시간동안 건조시켜서 코폴리머(Ⅴ)생성물을 얻었다(수율 약 85%).
이 때, 상기 생성물의 중량평균분자량은 25, 000이었고, 분산도(중량평균분자량/수평균분자량)는 2.5이었다.
실시예 2
코폴리머의 합성
본 실시예에 따른 코폴리머의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
5-노르보르넨-2,3-디카르복실산(5-norbornene-2,3-dicarboxylic acid)(Ⅵ) 16.4g(0.1mol)과 무수말레인산(Ⅳ) 9.8g(0.1mol)을 THF 200ml에 용해시킨 후 여기에 AIBN 1.31g(0.008mol)을 가하고, N2분위기하에서 약 24시간동안 65∼70℃의 온도로 중합시켰다.
중합이 완료된 후에 반응물을 n-헥산에서 침전시킨 후, 침전물을 약 50℃로 유지되는 진공오븐내에서 약 24시간 동안 건조시켜서 코폴리머(Ⅶ)생성물을 얻었다(수율 약 80%).
이 때, 상기 생성물의 중량평균분자량은 31,000이었고, 분산도는 2.4이었다.
실시예 3
터폴리머(Terpolymer)의 합성
본 실시예에 따른 터폴리머의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
식중 R1은 수소 또는 메틸이고, R2는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐이다.
(ⅰ) R2가 t-부틸인 경우
5-노르보르넨-2-메탄올(Ⅲ) 12.4g(0.1mol), 무수말레인산(Ⅳ) 9.8g(0.1mol) 및 t-부틸 메타크릴레이트 7.1g(0.05mol)을 THF 250ml에 용해시킨 후, 여기에 AIBN 1.4g(0.01mol)을 가한 후, 약 24시간동안 65∼70℃의 온도를 유지하면서 중합시켰다.
중합이 완료된 후에 반응물을 n-헥산에서 침전시킨 후, 침전물을 약 50℃로 유지되는 진공오븐내에서 약 24시간 동안 건조시켜서 터폴리머(Ⅸ)생성물을 얻었다(수율 약 80%).
이 때, 상기 생성물의 중량평균분자량은 33,000이었고, 분산도는 2.4이었다.
(ⅱ) R2가 테트라히드로피라닐인 경우
t-부틸메타크릴레이트 대신 테트라히드로피라닐 메타크릴레이트8.5g(0.05mol)을 사용하여 상기 (ⅰ)에서와 같은 방법으로 터폴리머(Ⅸ)생성물을 얻었다.
이 때, 상기 생성물의 중량평균분자량은 35,000이었고, 분산도는 2.3이었다.
실시예 4
레지스트조성물의 제조
상기 실시예 3으로부터 얻은 터폴리머(Ⅸ) 1g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 7g에 용해시킨 후, 트리페닐술포늄 트리플레이트 0.02g을 가하여 충분히 교반하였다. 이어서, 상기 혼합물을 0.2μm의 마이크로필터를 이용하여 여과한 후, 얻어진 레지스트 조성물을 웨이퍼상에 약 0.5μm의 두께로 코팅하였다.
상기 코팅된 웨이퍼를 약 110℃의 온도에서 약 90초동안 베이킹하고, 개구수(NA)가 0.45인 KrF 엑시머레이저를 조사하여 노광한 다음, 약 110℃의 온도에서 약 90초동안 포스트베이킹(Post-Baking)하였다.
그 후, 약 2.38중량%의 테트라메틸암모늄 히드록사이드(TMAH)용액을 이용하여 현상하였다.
실시예 5
다음의 3단계공정을 통하여 본 발명의 다른 특징을 구성하는 베이스폴리머인 폴리(Octalol/Maleicanhydride-tert-Butylmethylmethacrylate : OL/MA-tBMA)를 얻을 수 있었다.
(ⅰ) 옥타론 모노머(Octalone Monomer)의 제조
본 실시예에 따른 옥타론 모노머의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
2-시클로헥사논 4.8g(50mmol)이 용해된 드라이톨루엔 100ml에 염화알루미늄(Aluminium Chloride) 1.66g(12.5mmol)이 용해된 드라이톨루엔 100ml를 첨가한 후, N2퍼지하에 상온에서 60분동안 교반혼합하였다.
그런다음, 시클로펜타디엔(Cyclopentadien) 19.8g(300mmol)이 용해된 드라이톨루엔을 첨가 혼합하고, 그 혼합물을 40℃에서 7시간동안 반응시켰다.
반응후 냉각된 용액을 냉각수에 혼합한 후, 에틸에테르(Ethylether)로써 추출하는 데, 상기의 추출과정은 포화식염수(Saturated Brine)로 세척한 후 황산마그네슘(MgSO4)으로 건조시키므로써 이루어진다.
건조 후 진공하에서 증발시킨 다음, 그 여액은 헥산(Hexane)과 에테르(Ether)의 비율이 9 : 1인 컬럼 크로마토그라피(Column Chromatography)를 통과시켜 옥타론을 분리하였다(수율 약 70∼80%).
생성물에는 endo와 exo의 두가지 형태의 입체이성체(Diastereoisomer)가 존재한다.
이와 같이 제조된 옥타론모노머의 특성은 다음과 같다.
IR : 3,060(Olefinic CH), 1,700(C=0)Cm -1
1H No. : δ 0.7∼0.9(1H, 4), 1.2∼1.5(2H, CH2Bridge)
1.6∼1.85(2H, 3), 1.85∼1.9(1H, 2), 1.9∼2.0(1H, 4)
2.31(1H, 2), 2.6∼2.73(2H, 9, 10), 2.88(1H, 5)
3.26(1H, 8), 6.01∼6.17(2H, 6, 7).
(ⅱ) 옥타롤 모노머(Octalol Monomer)의 제조
본 실시예에 따른 옥타롤 모노머의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
500ml들이 플라스크에 NaBH4(Sodium borohydride) 3.783g(0.1mol)을 디에틸에테르 200ml에 녹인 다음, (ⅰ)에서 제조된 Octalone 16.4g(0.1mol)을 점적(點滴)시키고, 점적 후 반응물을 약 12시간동안 리플럭스(Reflux)시킨다.
리플럭스 후, 반응물을 과량의 물에 떨어뜨린 다음, HCl로 중화시키고, 디에틸에테르로 추출한다.
추출 후 MgSO4로 건조시킨 다음, 진공증류하여 옥타롤을 분리하였다(수율 75%).
이와 같이 제조된 옥타롤모노머의 특성은 다음과 같다.
IR : 3,619(Alcoholic OH), 3,060(Olefinic CH)Cm -1
1H No. : δ 2.8∼2.9(2H, 6, 11), 6.1∼6.3(2H, 8, 9)
4.1(1H, 1)
(ⅲ) 폴리(OL/MA-tBMA)의 합성
본 실시예에 따른 폴리(OL/MA-tBMA)의 합성반응은 다음 식으로 표시될 수 있다.
옥타롤(Octalol) 6.569g(20mmol), 무수말레인산 5.884g(60mmol), t-BMA(Tert-butylmethylmethacrylate) 2.84g(20mmol)을 테트라하이드로푸란(THF) 62ml에 혼합한 후, 중합개시제 1mol%를 넣어 70℃에서 21시간 동안 리플럭스 시켰다.
리플럭스 후, 냉각용액을 n-헥산에서 침전시킨 다음, 40℃ 진공드라이 오븐에서 24시간 건조시킨 결과 베이스폴리머인 폴리(OL/MA-tBMA)가 얻어졌다.
이와 같이 얻어진 베이스폴리머인 폴리(OL/MA-tBMA)의 식각내성 및 식각율을 링파라미터(Ring Parameter)와 오니쉬파라미터(Ohnishi Parameter)를 이용하여 시뮬레이션하고, 그 결과를 도 1 및 도 2에 나타내었다.
도 1은 본 발명에 따른 폴리(OL/MA-tBMA)의 식각내성을 링파라미터를 이용하여 시뮬레이션한 결과를 나타내는 그래프이다.
이를 참조하면, 그래프 1은 기존 무수말레인산 중합체의 식각률(Etch Rate)을 나타내며, 그래프 2는 폴리(OL/MA-tBMA)의 최소 식각내성(Etch Resitance)을 시뮬레이션한 결과를 나타내는 한편, 그래프 3은 폴리(OL/MA-tBMA)의 실제 식각내성을 예상한 결과를 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 폴리(OL40/MA60-tBMA20)의 식각률을 오니쉬파라미 및 링파라미터를 이용하여 테스트한 결과를 나타내는 그래프이다.
상기의 식각률 테스트에 사용한 식각약품(Etch Chemistry)은 CF4/CHF3/Ar 이며, 조건은 각각 20/35/50 SCCM, 60mT, 80G이고, 사용장비는 MERIE Type의 P-5000이다.
이와 같은 식각약품조건에서 기존의 무수말레인산 중합체의 ArF 레지스트가 보이는 식각률은 1.39정도의 값을 보였으며, 시뮬레이션 후 실제 중합한 옥타롤계열의 중합체는 1.24, 1.21정도의 만족할 만한 식각률을 얻을 수 있었다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 레지스트 조성물은 현상시에 현상액으로서 통상의 방법에서 사용되는 현상액을 사용하는 것이 가능하며, 식각내성이 뛰어나고, 막질에 대하여 우수한 접착력을 제공한다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위내에서 당분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형이 가능하다.

Claims (11)

  1. 화학식 1의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물.
    화학식 1
    식중 R1및 R2는 히드록시 또는 카르복실산기를 가지는 C0∼C10의 지방족 탄화수소이고, R3는 수소 또는 메틸이고, R4는 t-부틸 또는 테트라히드로피라닐이고, m 및 n은 정수임.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 PAG의 함량은 상기 화학식 1의 고분자의 중량을 기준으로 하여 1∼20중량%인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 R1및 R2어느 하나는 메탄올, 카르복실산 또는 무수카르복실산인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 화학식 1의 고분자의 중량평균분자량은 5,000∼200,000인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 PAG는 트리아릴술포늄염, 트리아릴요도늄염, 술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  6. 화학식 2의 고분자 및 PAG(Photoacid Generator)를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물.
    화학식 2
    식중 x는 C5∼C8인 사이클릭(Cyclic) 또는 앨러사이클릭(Alicyclic) 화합물이고, R1은 수소 또는 메틸군에서 선택된 어느 하나이며, R2는 t-부틸군, 테트라히드로피라닐군, 아다맨틀리군중에서 선택된 어느 하나이고, m 및 n은 정수로서 n/(m+n) = 0.1∼0.5 임.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 PAG의 함량은 상기 화학식 2의 고분자의 중량을 기준으로 하여 0.5∼10중량%인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 PAG는 트리아릴술포늄염, 트리아릴요도늄염으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 화학식 2의 고분자의 중량평균분자량은 2,000∼100,000인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 트리아릴술포늄염은 트리페닐트리플레이트, 트리페닐안티모네이트, 메톡시 트리페닐트리플레이트, 메톡시 트리페닐안티모네이트, 트리메틸 트리페닐트리플레이트, 나프탈렌 트리플레이트 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 디아릴요도늄염은 디페닐요도늄트리플레이트, 메톡시페닐요도늄안티모네이트, 메톡시페닐요도늄트리플레이트, 디-t-부틸비스페닐안티모네이트, 디-t-부틸비스페닐 트리플레이트 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트 조성물.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687464B1 (ko) * 2000-02-28 2007-02-27 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학적 증폭형 포지티브 내식막 조성물

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6232417B1 (en) 1996-03-07 2001-05-15 The B. F. Goodrich Company Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
AU725653B2 (en) * 1996-03-07 2000-10-19 B.F. Goodrich Company, The Photoresist compositions comprising polycyclic polymers with acid labile pendant groups
KR100245410B1 (ko) * 1997-12-02 2000-03-02 윤종용 감광성 폴리머 및 그것을 이용한 화학증폭형 레지스트 조성물
KR100211548B1 (ko) * 1996-12-20 1999-08-02 김영환 원자외선용 감광막 공중합체 및 그 제조방법
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
US6808859B1 (en) 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
KR100225956B1 (ko) * 1997-01-10 1999-10-15 김영환 아민을 도입한 에이알에프 감광막 수지
US6103445A (en) * 1997-03-07 2000-08-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Photoresist compositions comprising norbornene derivative polymers with acid labile groups
RU2199773C2 (ru) * 1997-09-12 2003-02-27 З Би. Эф. Гудрич Кампэни Фоторезистная композиция
KR100254472B1 (ko) * 1997-11-01 2000-05-01 김영환 신규한 말레이미드계 또는 지방족 환형 올레핀계 단량체와 이들 단량체들의 공중합체수지 및 이수지를 이용한 포토레지스트
KR100252546B1 (ko) * 1997-11-01 2000-04-15 김영환 공중합체 수지와 포토레지스트 및 그 제조방법
KR100321080B1 (ko) 1997-12-29 2002-11-22 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와이의제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100520148B1 (ko) 1997-12-31 2006-05-12 주식회사 하이닉스반도체 신규한바이시클로알켄유도체와이를이용한포토레지스트중합체및이중합체를함유한포토레지스트조성물
KR100354871B1 (ko) 1997-12-31 2003-03-10 주식회사 하이닉스반도체 공중합체수지와그제조방법및이수지를이용한포토레지스트
KR100313150B1 (ko) * 1997-12-31 2001-12-28 박종섭 리소콜릴에시딜(메타)아크릴레이트 단량체와 그를 도입한 공중합체 수지 및 이 수지를 이용한 포토레지스트
JPH11231541A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Daicel Chem Ind Ltd 放射線感光材料及びそれを使用したパターン形成方法
KR19990081722A (ko) 1998-04-30 1999-11-15 김영환 카르복실기 함유 지환족 유도체 및 그의 제조방법
KR100376983B1 (ko) 1998-04-30 2003-08-02 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한미세패턴의형성방법
AU4826399A (en) * 1998-07-01 2000-01-24 B.F. Goodrich Company, The Polycyclic copolymer compositions
KR100403325B1 (ko) 1998-07-27 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 포토레지스트중합체및이를이용한포토레지스트조성물
KR20000015014A (ko) 1998-08-26 2000-03-15 김영환 신규의 포토레지스트용 단량체, 중합체 및 이를 이용한 포토레지스트 조성물
JP3587743B2 (ja) 1998-08-26 2004-11-10 株式会社ハイニックスセミコンダクター フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、および、半導体素子。
US6569971B2 (en) 1998-08-27 2003-05-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Polymers for photoresist and photoresist compositions using the same
KR100271419B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
KR100274119B1 (ko) * 1998-10-08 2001-03-02 박찬구 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
JP4144957B2 (ja) 1999-01-22 2008-09-03 富士通株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
KR100520167B1 (ko) * 1999-02-04 2005-10-10 주식회사 하이닉스반도체 신규한 포토레지스트 단량체, 그의 중합체 및 이를 함유한포토레지스트 조성물
KR100634973B1 (ko) 1999-04-09 2006-10-16 센쥬긴소쿠고교가부시키가이샤 솔더볼 및 솔더볼의 피복방법
KR100301062B1 (ko) * 1999-07-29 2001-09-22 윤종용 백본이 환상구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100520187B1 (ko) * 1999-08-31 2005-10-10 주식회사 하이닉스반도체 할로겐을 포함하는 신규의 포토레지스트
US6482568B1 (en) 1999-09-17 2002-11-19 Jsr Corporation Radiation-sensitive resin composition
JP4269119B2 (ja) 1999-10-25 2009-05-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
KR100498440B1 (ko) 1999-11-23 2005-07-01 삼성전자주식회사 백본이 환상 구조를 가지는 감광성 폴리머와 이를포함하는 레지스트 조성물
US6673513B2 (en) 2000-01-19 2004-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same
US6833230B2 (en) 2000-01-19 2004-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymers containing adamantylalkyl vinyl ether, and resist compositions including the same
US6517990B1 (en) 2000-01-19 2003-02-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Photosensitive polymer including copolymer of alkyl vinyl ether and resist composition containing the same
KR100510488B1 (ko) * 2002-06-21 2005-08-26 삼성전자주식회사 아다만틸알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물
KR100413756B1 (ko) * 2000-01-19 2003-12-31 삼성전자주식회사 알킬 비닐 에테르의 공중합체를 포함하는 감광성 폴리머및 이를 포함하는 레지스트 조성물
EP1130468A3 (en) * 2000-02-25 2003-07-30 Shipley Company LLC Polymer and photoresist compositions
US6777157B1 (en) * 2000-02-26 2004-08-17 Shipley Company, L.L.C. Copolymers and photoresist compositions comprising same
US6306554B1 (en) 2000-05-09 2001-10-23 Shipley Company, L.L.C. Polymers containing oxygen and sulfur alicyclic units and photoresist compositions comprising same
JP3589160B2 (ja) 2000-07-07 2004-11-17 日本電気株式会社 レジスト用材料、化学増幅型レジスト及びそれを用いたパターン形成方法
US6927011B2 (en) 2000-07-12 2005-08-09 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Resins for resists and chemically amplifiable resist compositions
TWI291953B (ko) 2001-10-23 2008-01-01 Mitsubishi Rayon Co
CN100440431C (zh) * 2003-03-04 2008-12-03 东京応化工业株式会社 液浸曝光工艺用浸渍液及使用该浸渍液的抗蚀剂图案形成方法
JP4929722B2 (ja) 2006-01-12 2012-05-09 日立化成工業株式会社 光硬化型ナノプリント用レジスト材及びパターン形成法
US7527913B2 (en) * 2007-01-25 2009-05-05 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoacid generators, photoresist composition including the same and method of forming pattern using the same
KR101099506B1 (ko) * 2010-11-17 2011-12-27 주식회사 동진쎄미켐 고분자 화합물 및 이를 포함하는 액침 노광 프로세스용 레지스트 보호막 조성물
US8715900B2 (en) 2011-07-14 2014-05-06 Promerus, Llc Self-imageable layer forming polymer and compositions thereof
CN109384909B (zh) * 2018-09-05 2020-09-04 天津大学 可纺丝的偶氮苯聚合物储能材料及其制备方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3280080A (en) * 1964-09-03 1966-10-18 Union Carbide Corp Copolymers of maleic anhydride and bicyclo[2. 2. 1] hept-2-ene
DD128164B1 (de) * 1976-11-04 1990-06-13 Vb Leuna Werke Walter Ulbricht Verfahren zur herstellung alternierend aufgebauter propen-maleinsaeureanhydrid-kopolymerisate
JPH0463810A (ja) * 1990-07-03 1992-02-28 Kuraray Co Ltd アクリル―ノルボルネン系共重合体およびその製造法
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687464B1 (ko) * 2000-02-28 2007-02-27 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 화학적 증폭형 포지티브 내식막 조성물

Also Published As

Publication number Publication date
PT836119E (pt) 2004-03-31
JPH10153864A (ja) 1998-06-09
DE69726542D1 (de) 2004-01-15
DE69726542T2 (de) 2004-06-09
CN1141619C (zh) 2004-03-10
EP0836119A1 (en) 1998-04-15
KR100261022B1 (ko) 2000-09-01
EP0836119B1 (en) 2003-12-03
CN1181520A (zh) 1998-05-13
JP3675133B2 (ja) 2005-07-27

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