KR102571371B1 - 저α선량 황산바륨 입자와 그 이용과 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면, 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에, (a) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는 (b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는 (c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻는, 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 저α선량 황산바륨 입자와 그 이용과 그 제조 방법에 관한 것이다. 자세하게는, 본 발명은 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자와 그 제조 방법에 관한 것이고, 또한, 그와 같은 저α선량 황산바륨 입자의 이용에 관한 것이다.
최근의 전자 부품의 소형화나 고집적화에 따라, 전자 기기 중의 메모리 칩 등이 오작동하는 반항구적 손상, 소위 소프트 에러의 문제가 현저해지고 있다. 이러한 소프트 에러를 야기하는 원인의 하나는, 전자 부품 중의 무기 재료에 포함되는 U, Th, Ra 등의 α선원으로부터 발생하는 α선이다. 예컨대, 전자 부품의 소형화나 고집적화에 따라, 전자 부품을 구성하는 언더필층이 박층화됨으로써, 솔더 레지스트층 유래의 미약한 α선 조차도, 메모리 칩의 전하에 영향을 끼치는 등의 문제가 생겨 왔다.
황산바륨은 여러 가지의 수지 조성물에 충전제로서 배합되어 있고, 예컨대, 프린트 배선판의 레지스트층에 이용되는 레지스트 잉크 조성물에 배합되어 있지만, 상기 소프트 에러를 방지하기 위해, 최근, 황산바륨의 저α선량화가 더욱 강하게 요구되고 있다.
종래, 공업 용도에 이용되는 황산바륨으로서는, 중정석 원료 광석을 파쇄하여, 분급함으로써 얻어지는 분립성 황산바륨과, 중정석 원료 광석을 환원하여, 생성한 황화바륨을 수중에 침출시켜 황화바륨 수용액을 얻고, 이것에, 예컨대, 황산을 반응시키는 등의 화학 합성의 수단을 실시하여 얻는 침강성 황산바륨이 알려져 있다.
또한, 예컨대, 황화바륨 수용액에 황산암모늄을 반응시켜, 입도 분포가 좁고, 분산성을 개선한 침강성 황산바륨을 얻는 방법도 알려져 있다(특허문헌 1 참조). 그러나, 황산바륨의 저α선량화에 대해서는 아무것도 기재되어 있지 않다.
황화바륨 수용액을 출발 물질로 하고, 이것에 화학 합성의 수단을 실시하여, 저α선량의 수산화바륨이나 탄산바륨을 제조하는 방법은 이미 알려져 있다(특허문헌 2 참조).
그러나, 최근, 상기 수산화바륨이나 탄산바륨에 대해서도, 또한, 황산바륨 자체에 대해서도, 한층 더 α선량의 저감이 요구되고 있지만, 충분히 저α선량인 황산바륨은, 지금까지, 알려져 있지 않고, 또한, 그와 같은 저α선량 황산바륨 입자의 효율적인 제조 방법도 알려져 있지 않다.
또한, 최근에는 황산바륨의 저α선량화뿐만 아니라, 황 함유량의 저감도 강하게 요구되기에 이르러 있다. 단, 본 발명에 있어서, 황산바륨 중의 황 함유량이란, 황산바륨 중에 불순물로서 존재하는 황화물에 유래하는 황의 함유량을 의미한다. 전술한 바와 같이, 침강성 황산바륨은 합성 공정에서 황화바륨을 경유하기 때문에, 함유 황량이 높다.
전술한 바와 같이, 황산바륨은 여러 가지의 수지 조성물에 충전제로서 배합되어 있지만, 황산바륨 중의 황 함유량이 높을 때는, 그와 같은 황산바륨을 포함하는 수지 조성물에 바람직하지 않은 열화, 착색, 증점 등을 발생시키거나, 전자 부품의 경우에는, 전극의 부식을 촉진시키거나 하는 문제를 야기하기 때문이다.
그러나, 종래, α선량이 충분히 낮으며, 황 함유량도 충분히 낮은 저α선량 황산바륨 입자는 알려져 있지 않다.
본 발명자들은 전술한 황산바륨에 있어서의 종래의 문제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에 수파(elutriation) 처리 및/또는 체 처리를 실시하여, 실리카를 많이 포함하는 조립(粗粒)을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하로 하며, 미디어 분쇄 처리하여, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광(粉鑛)으로 함으로써, 화학 합성의 수단을 이용하는 일없이, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하이고, 더구나, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있는 것을 발견하여, 본 발명을 완성한 것이다.
덧붙여서, 종래, 시판되어 있는 황산바륨에 대해서 말하면, 기시다가가쿠(주) 제조(1급, 순도 98.0％)가 실리카 함유량 0.18 중량％, α선량 3.36 cph/㎠이고, 와코쥰야쿠고교(주) 제조(1급)가 실리카 함유량 0.18 중량％, α선량 3.19 cph/㎠이고, 시그마알드리치사 제조(순도 99％)가 실리카 함유량 0.18 중량％, α선량 1.00 cph/㎠이고, 일본 약국방 황산바륨 BAX-40(사카이가가쿠고교(주) 제조, 평균 입자경 5.0 ㎛)이 실리카 함유량 0.17 중량％, α선량 2.03 cph/㎠이고, 일본 약국방 황산바륨 BAX-80(사카이가가쿠고교(주) 제조, 입자경 9.0 ㎛)이 실리카 함유량 0.17 중량％, α선량 2.40 cph/㎠이다.
따라서, 본 발명은 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하이고, 더구나, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자와, 그와 같은 저α선량 황산바륨 입자를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 또한, 그와 같은 저α선량 황산바륨 입자의 이용을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자가 제공된다.
또한, 본 발명에 따르면, 전술한 바와 같은 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법이 제공된다.
즉, 본 발명에 따르면, 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에,
(a) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고,
이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻는 것을 특징으로 하는 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 전술한 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법에 있어서, 출발 물질로서 이용하는 상기 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광은, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리의 효율을 높이기 위해, 실리카 함유량은 0.65∼3.5 중량％의 범위인 것이 바람직하고, 특히, 0.65∼1 중량％의 범위인 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 전술한 파쇄광을 산 가열 처리한 후에, 상기 (a), (b) 또는 (c)의 처리를 행할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 전술한 바와 같이 하여, 저α선량 황산바륨 입자를 얻고, 계속해서, 상기 저α선량 황산바륨 입자에 실리카, 실리카 수화물 및 수산화알루미늄에서 선택되는 적어도 1종으로 표면 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 방법에 따르면, 화학 합성의 수단을 이용하는 일없이, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
본 발명의 방법에 따라 얻어지는 이러한 저α선량 황산바륨 입자는, 도료 조성물이나 레지스트 잉크 조성물을 포함하는 여러 가지의 수지 조성물에 있어서의 충전제로서 적합하게 이용할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 이러한 저α선량 황산바륨 입자를 수지 조성물에 충전제로서 배합할 때, 수지 조성물에 바람직하지 않은 열화, 착색, 증점 등을 발생시키지 않고, 또한, 전자 부품의 경우에는, 전극의 부식을 촉진시키거나 하는 일이 없고, 또한, 전자 부품에 있어서의 소프트 에러도 야기하기 어렵다.
본 발명에 따른 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법에 대해서 설명한다.
본 발명에 따른 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법은, 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에,
(a) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고,
이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻는 것이다.
중정석 원료 광석은 그 산지에 따라, 그 실리카 함유량이나 α선량이 어느 정도 상이하지만, 본 발명에 따르면, 중정석 원료 광석을 적절하게 선택하고, 이것을 파쇄함으로써, 평균 입자경 5∼50 ㎛, 바람직하게는 5∼20 ㎛, 실리카 함유량 0.65∼3.5 중량％, 바람직하게는 0.65∼1 중량％, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광을 얻을 수 있다.
본 발명에 있어서는, 전술한 파쇄광으로서, 산지에도 따르지만, 몇 가지인가의 중국산의 중정석 원료 광석이나 멕시코산의 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 파쇄광을 적합하게 이용할 수 있다.
특히, 본 발명에 따르면, 평균 입자경 5∼20 ㎛, 실리카 함유량 0.65∼3.5 중량％, 보다 바람직하게는 0.65∼1.0 중량％, α선량 0.5 cph/㎠ 이하, 그 중에서도 0.25 cph/㎠ 이하의 파쇄광을 바람직하게 이용할 수 있다.
본 발명의 방법에 따르면, 상기 파쇄광에,
(a) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행한다.
이와 같이, 본 발명에 따르면, 상기 파쇄광에 수파 처리 및/또는 체 처리와 미디어 분쇄 처리를 조합한 처리를 행하고, 이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량이 0.07 cph/㎠ 이하이고, 더구나, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
보다 상세하게는, 본 발명의 방법에 있어서, 상기 처리 (a)에 따르면, 파쇄광을 수파 처리하고, 조립을 제거하여, 실리카 함유량을 0.6 중량％ 이하로 한 후, 미디어 분쇄 처리하여, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 함으로써, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
상기 처리 (b)에 따르면, 파쇄광을 미디어 분쇄 처리하여, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 한 후, 이 분광을 체 처리하여, 실리카 함유량을 0.6 중량％ 이하로 함으로써, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
또한, 처리 (c)에 따르면, 파쇄광을 수파 처리하여, 조립을 제거한 후, 미디어 분쇄 처리하여, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 하고, 계속해서, 이 분광을 체 처리하고, 이때, 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해, 실리카 함유량을 0.6 중량％ 이하로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
수파 처리란, 고체 입자의 비중의 차이에 의해, 유체 중에서 그 고체 입자를 선별하는 조작을 말한다. 본 발명에 있어서는, 상기 파쇄광의 물 슬러리를 수파조에 넣고, 이 수파조의 하부로부터 수파수를 일정한 비율로 공급하며, 수파조의 상부로부터 상기 수파수의 공급 속도와 동일한 속도로 수파조의 웃물을 회수하는 조작을 계속하여, 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광을 포함하는 슬러리층과, 실리카 함량이 많으며, 비중이 작은 파쇄광을 포함하는 웃물층의 2층으로 분리시킨다.
여기에, 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광은, 수파조에 있어서 침강 속도가 빠르고, 한편, 실리카 함량이 많으며, 비중이 작은 파쇄광은, 수파조에 있어서 침강 속도가 느리기 때문에, 상기 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광은, 수파조로부터 언더플로우로서 회수할 수 있고, 한편, 실리카 함량이 많으며, 비중이 작은 파쇄광은, 수파조로부터 오버플로우로서 회수할 수 있다.
이렇게 하여, 본 발명에 따르면, 수파 처리에 의해, 파쇄광으로부터 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광과, 실리카를 많이 포함하는 비중이 작은 파쇄광을 효율적으로 분리할 수 있다. 덧붙여서, 황산바륨의 비중은 4.5이고, 실리카의 비중은 2.2이다.
물론, 파쇄광을 수파 처리함으로써, 파쇄광 중의 비중이 작은 여러 가지의 불순물 성분이나 입자경이 작은 불순물 성분도, 아울러 제거할 수 있다.
일반적으로, 수파 처리에 의한 고체 입자의 분리 효율에 영향을 끼치는 인자로서는, 고체 입자의 입자경, 고체 입자의 밀도, 수파에 이용하는 유체의 밀도와 점도나 수파조에의 공급 속도 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 황산이나 염산과 같은 무기산이나, 또는 유기산을 더하여, pH를 3 이하, 바람직하게는 2 이하로 조정한 수파수를 이용하며, 그 수파수의 수파조에의 공급 속도를 조정하여, 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광을 포함하는 슬러리층을 수파조에 넣은 슬러리의 전체적의 거의 70∼90％로 유지함으로써, 실리카 함량이 많으며, 비중이 작은 파쇄광의 웃물층에의 부상을 촉진할 수 있고, 이렇게 하여, 실리카 함량이 많으며, 비중이 작은 파쇄광을 오버플로우로 하여, 황산바륨 함량이 많으며, 비중이 큰 파쇄광으로부터 효율적으로 분리할 수 있다. 본 발명에 있어서는, 이러한 산성의 수파수로서는, 특히 황산을 포함하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 따르면, 전술한 바와 같이, 상기 공정 (a)에 따라 상기 파쇄광에 수파 처리를 실시하여, 파쇄광 중의 실리카 함유량이 많은 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 파쇄광으로 한 후, 이것을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 미디어 분쇄 처리함으로써, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
그러나, 본 발명에 따르면, 파쇄광은 상기 공정 (b) 또는 (c)에 따라 처리하여, 수파 처리를 하지 않고, 또는 수파 처리한 후에, 미디어 분쇄 처리하고, 이렇게 하여, 얻어진 분광을 체 처리하여, 조립을 제거하고, 그에 의해, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻는 것이 바람직하다.
특히, 본 발명에 따르면, 파쇄광은 상기 공정 (c)에 따라, 수파 처리한 후에 미디어 분쇄 처리하고, 계속해서, 얻어진 분광을 체 처리하는 것이 바람직하다.
상기 공정 (b) 또는 (c)에 따라, 파쇄광을 미디어 분쇄 처리하고, 계속해서, 체 처리한 경우, 체 처리 후의 황산바륨은, 미디어 분쇄 처리 후의 황산바륨과 비교하여, 그 평균 입자경에 있어서는 실질적으로 변화하지 않지만, 그러나, 이후에 설명하는 바와 같이, 체 처리에 의해, 얻어지는 황산바륨의 실리카 함유량을 저감할 수 있고, 이렇게 하여, 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
미디어 분쇄 처리란, 잘 알려져 있는 바와 같이, 미디어, 즉, 분쇄 매체를 이용하여 고체 입자를 습식 분쇄하는 것을 말하며, 본 발명에 있어서는, 상기 미디어로서는, 한정되는 것은 아니지만, 파쇄광을 공업적 규모로 바람직한 평균 입자경까지 효율적으로 분쇄할 수 있도록, 직경 0.8 ㎜ 이하의 것을 이용하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 파쇄광을 미디어 분쇄하면, 황산바륨(모스 경도 3.5)과 실리카(모스 경도 7)의 경도의 차이에 의해, 통상, 황산바륨을 많이 포함하는 파쇄광은 입자경 1 ㎛ 이하까지 분쇄되지만, 실리카를 많이 포함하는 파쇄광은, 통상, 충분히 세립까지 분쇄되지 않고, 대부분은 입자경 40∼50 ㎛의 조립으로서, 파쇄광 중에 잔존한다.
이와 같이, 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하까지 미디어 분쇄 처리하였을 때, 실리카는 황산바륨보다 딱딱하기 때문에, 실리카를 많이 포함하는 성분은 조립으로서 남기 쉽고, 그리고, 이러한 실리카가 주성분인 조립에 α선 발생원이 되는 성분이 많이 포함되어 있는 것이 본 발명자들에 의해 발견되었다.
그래서, 본 발명에 따르면, 바람직하게는 파쇄광에 수파 처리를 실시한 후, 평균 입자경 1 ㎛ 이하까지 미디어 분쇄 처리하고, 바람직하게는 이후, 체 처리에 의해, 상기 조립을 제거함으로써, 얻어지는 분광 중의 실리카량을 효과적으로 저감하여, 저α선량의 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
또한, 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하까지 미디어 분쇄 처리하여 얻은 저α선량 황산바륨 입자는, 수지에의 분산성이 우수하고, 따라서, 얻어지는 도료 조성물이나 레지스트 잉크 등의 수지 조성물은, 황산바륨이 갖는 전기 절연성, 내열성, 산이나 알칼리에 대한 화학적 안정성, 내수지 열화성 등이 우수한 특성을 보다 효과적으로 발현할 수 있다.
체 처리란, 체를 이용하여, 고체 입자의 입자경의 차이에 의해, 그 고체 입자를 선별하는 조작을 말한다. 본 발명에 있어서는, 파쇄광의 체 처리를 행할 때는, 파쇄광을 미디어 분쇄 처리에 의해 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄한 후에 행한다.
전술한 바와 같이, 파쇄광을 미디어 분쇄하면, 통상, 황산바륨을 많이 포함하는 파쇄광은 입자경 1 ㎛ 이하까지 분쇄되지만, 실리카를 많이 포함하는 파쇄광은, 통상, 충분히 세립까지 분쇄되지 않고, 대부분은 입자경 40∼50 ㎛의 조립으로서 파쇄광 중에 잔존하기 때문에, 입자경 1 ㎛ 이하의 황산바륨을 많이 포함하는 분광으로부터 실리카를 많이 포함하는 입자경 40∼50 ㎛의 조립을 효율적으로 분리하기 위해서는, 통상, 500 메쉬(체눈 크기 25 ㎛), 400 메쉬(체눈 크기 38 ㎛) 또는 325 메쉬(체눈 크기 45 ㎛)의 망체를 이용하는 것이 바람직하고, 특히, 체눈 크기가 작은 500 메쉬(체눈 크기 25 ㎛)의 망체가 바람직하게 이용된다.
즉, 본 발명에 따라, 파쇄광을 미디어 분쇄하여, 얻어진 분광의 슬러리를 상기 메쉬의 체로 처리함으로써, 입자경 1 ㎛ 이하의 황산바륨을 많이 포함하는 미세립은 조속하게 체 아래로 이행하는 데 대하여, 입자경 40∼50 ㎛의 실리카를 많이 포함하는 조립은 상기 망체를 통과하기 어렵기 때문에 체 위에 포착되고, 그 결과, 본 발명에 따르면, 입자경 1 ㎛ 이하의 황산바륨을 많이 포함하는 미세립을 실리카 함유량이 높은 조립으로부터 효율적으로 분리할 수 있다.
이와 같이 하여, 본 발명에 따르면, 파쇄광에 수파 처리를 실시한 후, 또는 실시하는 일없이, 파쇄광에 미디어 분쇄 처리를 실시하여, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 얻어진 분광을 체 처리하여, 전술한 바와 같이 하여, 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하로 함으로써, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
본 발명에 따르면, 필요에 따라, 파쇄광을 산 가열 처리한 후에, 공정 (a), (b) 또는 (c)를 행할 수 있다.
상기 산 가열 처리란, 상기 파쇄광의 물 슬러리에 산을 부가하여 가열하는 조작을 말한다. 산 가열 처리에 이용하는 산은, 무기산, 유기산 중 어느 것이어도 좋지만, 그 중에서도, 황산이 특히 바람직하다. 이와 같이, 상기 파쇄광의 물 슬러리에 산을 부가하여 가열함으로써, 실리카를 많이 포함하는 파쇄광을 웃물에 부유시킬 수 있고, 그래서, 예컨대, 데칸테이션에 의해 상기 실리카를 많이 포함하는 파쇄광을 제거할 수 있다.
즉, 파쇄광을 먼저, 산 가열 처리하고, 이후, 파쇄광을 공정 (a), (b) 또는 (c)에 의해 처리하면, 실리카량이 한층 더 저감된 분광을 얻을 수 있고, 따라서, 한층 더, 저α선량의 황산바륨 입자를 얻을 수 있다. 아울러, 알루미늄, 철, 칼륨, 칼슘, 나트륨, 마그네슘, 인 성분 등도 제거한 분광을 얻을 수 있다.
특히, 본 발명에 따르면, 이용하는 파쇄광이 0.8 중량％ 이상의 실리카 함유량을 가질 때, 그와 같은 파쇄광을 산 가열 처리함으로써, 실리카 함유량을 0.7 중량％ 이하로 할 수 있고, 그러면, 얻어진 파쇄광에 (a), (b) 또는 (c)의 처리를 행하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 함으로써, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
물론, 실리카 함유량이 0.65 중량％ 이상이며, 0.8 중량％ 미만인 파쇄광이면, 이것에 산 가열 처리를 실시한 후, 공정 (a), (b) 또는 (c)에 의한 처리를 행함으로써, 한층 더, 실리카 함유량이 낮은, 따라서, α선량이 저감된 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
본 발명에 따라 얻어지는 저α선량 황산바륨 입자의 순도는 97％ 이상이고, 바람직하게는 98％ 이상이다.
본 발명에 따르면, 전술한 바와 같이하여, 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있지만, 수지 조성물 중에 있어서의 분산성의 향상, 수지 성분에 대한 친화성을 향상시키는 것 등을 위해, 얻어진 저α선량 황산바륨 입자에 표면 처리를 실시할 수 있다.
그와 같은 표면 처리로서는, 실리카, 실리카 수화물 및 수산화알루미늄에서 선택되는 적어도 1종에 의한 표면 처리가 바람직하다.
저α선량 황산바륨 입자에 실리카 수화물로 표면 처리하기 위해서는, 이미 알려져 있는 방법에 따르면 좋고, 예컨대, 저α선량 황산바륨 입자의 물 슬러리를, 예컨대, 50∼90℃까지 승온시키고, 이것에 수산화나트륨 수용액을 부가하고, 계속해서, 상기 슬러리에 규산나트륨 수용액을 부가하고, 계속해서, 황산을 부가하여, 교반하고, 이후, 얻어진 슬러리를 여과, 수세, 건조하면 좋다.
또한, 저α선량 황산바륨 입자에 수산화알루미늄으로 표면 처리하기 위해서는, 이미 알려져 있는 방법에 따르면 좋고, 예컨대, 필요에 따라, 가온 하에 저α선량 황산바륨 입자의 물 슬러리에 수산화나트륨 수용액을 부가하고, 계속해서, 알루민산나트륨 수용액과 황산을 부가하고, 이후, 교반하여, 얻어진 슬러리를 여과, 수세, 건조하면 좋다.
실리카 또는 실리카 수화물에 의한 저α선량 황산바륨 입자의 표면 처리량은, 바람직하게는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자에 기초하여, 실리카 환산으로 0.1∼10 중량％의 범위인 것이 바람직하고, 특히 0.5∼5 중량％의 범위가 바람직하다. 또한, 저α선량 황산바륨 입자의 수산화알루미늄에 의한 표면 처리량은, 바람직하게는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자에 기초하여, 알루미나 환산으로 0.1∼10 중량％의 범위인 것이 바람직하고, 특히 0.5∼5 중량％의 범위가 바람직하다.
실리카 또는 실리카 수화물에 의한 표면 처리, 수산화알루미늄에 의한 표면 처리 중 어느 것에 대해서도, 그 표면 처리량이 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자에 기초하여, 0.1 중량％을 하회할 때는, 표면 처리의 효과를 충분히 부여할 수 없을 우려가 있고, 한편, 10 중량％을 상회할 때는, 황산바륨의 기능을 저하시킬 우려가 있다.
본 발명에 따른 저α선량 황산바륨 입자는, 전술한 바와 같이, 저α선량이고, 더구나, 미세하기 때문에, 여러 가지의 수계 또는 유기계의 분산체에 있어서의 분산질로서 적합하게 이용할 수 있다. 예컨대, 여러 가지의 수지 조성물에 충전제로서 적합하게 배합할 수 있다. 수지 조성물로서는, 예컨대, 도료 조성물이나 레지스트 잉크 조성물을 예시할 수 있다.
일반적으로, 본 발명에 있어서, 수지 조성물을 구성하는 수지는, 열 가소성 수지, 열 경화성 수지 중 어느 것이어도 좋고, 따라서, 구체예로서, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리페닐렌설파이드(PPS) 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드, 폴리이미드, 말레이미드 수지, 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 불소 수지, 폴리메타크릴산메틸, 에틸렌·아크릴산에틸 공중합체(EEA) 수지, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 폴리아세탈, 폴리페닐렌에테르, 폴리에테르이미드, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체(ABS) 수지, 액정 수지(LCP), 실리콘 수지, 아크릴 수지 등을 들 수 있다.
상기 수지 조성물에 있어서, 저α선량 황산바륨 입자의 배합량은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 전량에 대하여, 통상 5∼75 체적％의 비율이며, 바람직하게는 10∼70 체적％의 범위이다.
실시예
이하에 실시예와 비교예를 들어, 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것이 아니다.
이하의 실시예 및 비교예에 있어서는, 하기의 중정석 원료 광석을 이용하였다.
중정석 원료 광석 A: 중국산, 황산바륨 함유량 95 중량％ 이상
중정석 원료 광석 B: 중국산, 황산바륨 함유량 95 중량％ 이상
중정석 원료 광석 C: 중국산, 황산바륨 함유량 95 중량％ 이상
중정석 원료 광석 D: 멕시코산, 황산바륨과 황산스트론튬의 함유량 95 중량％ 이상
이하의 실시예 및 비교예에 있어서는, 파쇄광의 물 슬러리를 먼저, 산 가열 처리하였을 때는, 산 가열 처리에 의해 얻어진 슬러리로부터 소량의 시료를 채취하여, 건조한 후, 실리카 함유량을 측정하였다. 상기 실리카 함유량은 표 1 및 표 2에 있어서 산 가열 처리의 란에 나타낸다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 수파 처리하였을 때는, 회수한 언더플로우의 슬러리로부터 소량의 시료를 채취하여, 여과, 건조한 후, 실리카 함유량을 측정하였다. 상기 실리카 함유량은 표 1 및 표 2에 있어서 수파 처리의 란에 나타낸다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 수파 처리하고, 또는 수파 처리하지 않고, 분쇄 처리하였을 때는, 분쇄 후의 슬러리로부터 소량의 시료를 채취하고, 여과, 건조한 후, 실리카 함유량을 측정하였다. 상기 실리카 함유량은 표 1 및 표 2에 있어서 분쇄 처리의 란에 나타낸다.
분쇄 처리 후, 체 처리하였을 때는, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조한 후, 실리카 함유량, 평균 입자경 및 α선량을 측정하였다. 상기 실리카 함유량, 평균 입자경 및 α선량은 표 1 및 표 2에 있어서 체 처리의 란에 나타낸다.
또한, 분쇄 처리 또는 체 처리하여 얻어진 생산물이 목적으로 하는 저α선량 황산바륨 입자일 때는, 표 1 및 표 2에 있어서의 상기 실리카 함유량, 평균 입자경 및 α선량의 수치를 괄호를 붙여 나타내었다.
또한, 이하의 실시예 및 비교예에서 얻어진 저α선량 황산바륨 입자의 황 함유량 및 은 변색 시험의 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
이하의 실시예 및 비교예의 각 공정에서 얻어진 파쇄광, 분광 및 저α선량 황산바륨 입자의 물성과, 이하의 실시예 및 비교예에서 얻어진 저α선량 황산바륨 입자의 황 함유량 및 은 변색 시험은 하기와 같이 하여 평가하였다.
α선량(cph/㎠)
저레벨 α선 측정 장치 LACS-4000M((주)스미카분세키센터 제조)에 의해 측정하였다. 측정에 있어서는, 장치의 시료 측정부의 스테인레스판(1000 ㎠)에 시료를 깔고, 99시간에 걸쳐 측정하였다.
평균 입자경(D50)(㎛)
레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치 마이크로 트랙 MT-3300 EXII(니키소(주) 제조)에 의해, 체적 기준의 메디안 직경을 구하였다.
실리카(SiO2) 함유량(중량％)
형광 X선 분석 장치 ZSX Primus II((주)리가쿠 제조)에 의해 측정하였다. 이미 알려져 있는 방법에 따라, 표준 시료의 측정을 행하고, 형광 X선 강도와의 관계를 검량선으로 하여, 실리카(SiO2)의 정량을 행하였다.
알루미나(Al2O3) 함유량(중량％)
형광 X선 분석 장치 ZSX Primus II((주)리가쿠사 제조)에 의해 측정하였다. 이미 알려져 있는 방법에 따라, 표준 시료의 측정을 행하고, 형광 X선 강도와의 관계를 검량선으로 하여, 알루미나(Al2O3)의 정량을 행하였다.
황산바륨 중의 황 함유량(황화물에 유래하는 황의 함유량)
마개 달린 플라스크에 시료의 저α선량 황산바륨 입자 5 g과 농도 40 g/L의 수산화나트륨 수용액 50 mL를 부가하고, 80℃에서 30분간 교반하여, 상기 저α선량 황산바륨 입자를 분산시켰다. 얻어진 분산액에 0.01 ㏖/L의 요오드 25 mL를 부가한 후, 농염산 5 mL를 부가하고, 전분을 지시약으로 하여, 0.005 ㏖/L의 티오황산나트륨으로 적정하였다. 시료를 첨가하지 않고, 상기 시험을 행한 결과를 블랭크 시험으로 하여, 다음 식으로부터 시료 중의 황 함유량을 계산하였다.
황 함유량(ppm)=16×(블랭크 적정량(mL)-시료 적정량(mL))
은 변색 시험
내용적 100 mL의 유리제의 시료병에 시료의 저α선량 황산바륨 입자 3 g을 넣고, 덮개를 덮어 밀폐하였다. 미리, 온도 85℃, 상대 습도 85％의 상태로 안정화해 둔 항온항습조 내에 상기 시료병을 넣었다. 항온항습조 내가 일정한 온도와 습도가 된 것을 확인한 후, 항온항습조의 분위기 하에 은 페이스트(후지쿠라가세이(주) 제조 도타이트 D 550)를 도포한 슬라이드 유리를 시료병에 넣고, 덮개를 닫아 밀폐하였다. 72시간 후, 시료병으로부터 슬라이드 유리를 취출하여, 눈으로 보아 은 페이스트의 변색의 정도를 평가하였다. 시료의 저α선량 황산바륨 입자에 포함되는 불순물로서의 황화물 함유량이 많을 때, 휘발하는 황화물 성분(황화수소)에 의해 은 페이스트가 흑변한다. 은 페이스트의 변색의 정도는, 은 페이스트만의 시험을 블랭크로 하여, 그 블랭크와 동등일 때를 ○, 블랭크보다 약간 변색이 보여질 때를 △, 블랭크와 비교하여 변색이 현저할 때를 ×로 평가하였다.
표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 실리카 및 알루미나에 의한 표면 처리량
형광 X선 분석 장치 ZSX Primus II((주)리가쿠사 제조)에 의해 측정하였다. 이미 알려져 있는 방법에 따라, 표준 시료의 측정을 행하고, 형광 X선 강도와의 관계를 검량선으로 하여, 표면 처리량의 정량을 행하였다.
황산바륨 순도(중량％)
형광 X선 분석 장치 ZSX Primus II((주)리가쿠 제조)에 의해 측정하였다. 이미 알려져 있는 방법에 따라, 표준 시료의 측정을 행하고, 형광 X선 강도와의 관계를 검량선으로 하여, 황산바륨(BaSO4)의 정량을 행하였다.
실시예 1
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
순수 30 L에 62.5 중량％ 황산 120 mL와 35 중량％ 염산 250 mL를 부가하고, 더욱, 순수를 부가하여, 합계 60 L의 pH 1.6의 수파수를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 용적 13 L의 수파조에 투입하고, 이 수파조로부터의 오버플로우는 폐기하면서, 상기 수파조 하부로부터 상기 수파수 60 L를 1 L/분의 유속으로 1시간 계속해서 투입하였다. 이후, 계속해서, 오버플로우는 폐기하면서, 순수 60 L를 1 L/분의 유속으로 1시간 투입하는 수파 처리를 행하여, 언더플로우를 회수하였다.
상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도 300 g/L의 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드(도레이(주) 제조 「토레세럼」(등록 상표))(이하, 동일함)를 충전한 습식 비드밀(니폰코크스고교(주) 제조 SC100, 이하, 특별히 기재가 없는 한, 동일함)을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.27 ㎛의 분광으로 하였다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.49 중량％, 평균 입자경 0.27 ㎛, α선량 0.06 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 2
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 계속해서, 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도 300 g/L의 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.4 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀((주)신마루엔터프라이시스 제조 다이노밀 MULTILAB)을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.32 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.43 중량％, 평균 입자경 0.32 ㎛, α선량 0.05 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 3
중정석 원료 광석 B를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.21 cph/㎠, 평균 입자경 9.13 ㎛, 실리카 함유량 0.87 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수 125 mL를 부가하여 잘 교반하고, 이것에 62.5 중량％ 황산 437.5 mL와 35 중량％ 염산 125 mL를 부가하여, 잘 교반한 후, 110℃로 승온시켜, 3시간 산 가열 처리를 행하였다. 이와 같이 산 가열 처리한 파쇄광의 슬러리를 냉각하고, 데칸테이션으로 4회 수세하였다. 상기 산 가열 처리한 파쇄광의 실리카 함유량은 0.66 중량％였다.
계속해서, 얻어진 파쇄광에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 약 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다. 상기 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다.
상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도 300 g/L의 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.55 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.28 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.25 중량％, 평균 입자경 0.28 ㎛, α선량 0.03 cph/㎠, 황 함유량 3 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 4
중정석 원료 광석 C를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.10 cph/㎠, 평균 입자경 11.12 ㎛, 실리카 함유량 0.67 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.58 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여 60분간 분쇄 처리하고, 얻어진 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.58 중량％, 평균 입자경 0.29 ㎛, α선량 0.07 cph/㎠, 황 함유량 1 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 5
중정석 원료 광석 C를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.10 cph/㎠, 평균 입자경 11.12 ㎛, 실리카 함유량 0.67 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.28 ㎛의 분광을 얻었다. 계속해서, 상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.56 중량％, 평균 입자경 0.28 ㎛, α선량 0.07 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 6
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
계속해서, 상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.8 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.44 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.45 중량％, 평균 입자경 0.44 ㎛, α선량 0.05 cph/㎠, 황 함유량 1 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 7
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.5 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.41 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.44 중량％, 평균 입자경 0.41 ㎛, α선량 0.05 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 8
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형분을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L가 되는 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.65 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.42 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.46 중량％, 평균 입자경 0.42 ㎛, α선량 0.05 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 9
중정석 원료 광석 C를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.10 cph/㎠, 평균 입자경 11.12 ㎛, 실리카 함유량 0.67 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수 125 mL를 부가하여 잘 교반하고, 이것에 62.5 중량％ 황산 437.5 mL와 35 중량％ 염산 125 mL를 부가하여 잘 교반한 후, 110℃로 승온시켜, 3시간에 걸쳐 산 가열 처리를 행하였다. 이와 같이 산 가열 처리한 파쇄광의 슬러리를 냉각하고, 데칸테이션으로 4회 수세하여, 고형물을 얻었다. 산 가열 처리한 파쇄광의 실리카 함유량은 0.5 중량％였다.
계속해서, 상기 고형물에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 약 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다. 상기 고형물의 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다.
상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.41 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.29 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.16 중량％, 평균 입자경 0.29 ㎛, α선량 0.02 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 10
중정석 원료 광석 C를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.10 cph/㎠, 평균 입자경 11.12 ㎛, 실리카 함유량 0.67 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형분을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.28 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분광의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.37 중량％, 평균 입자경 0.28 ㎛, α선량 0.04 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 11
중정석 원료 광석 D를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.49 cph/㎠, 평균 입자경 10.53 ㎛, 실리카 함유량 3.24 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수 125 mL를 부가하여 잘 교반하고, 이것에 62.5 중량％ 황산 437.5 mL와 35 중량％ 염산 125 mL를 부가하여, 잘 교반한 후, 110℃로 승온시켜, 3시간에 걸쳐 산 가열 처리를 행하였다. 이와 같이 산 가열 처리한 파쇄광의 슬러리를 냉각하고, 데칸테이션으로 4회 수세하였다. 상기 산 가열 처리한 파쇄광의 실리카 함유량은 0.67 중량％였다.
계속해서, 산 가열 처리에 의해 얻어진 파쇄광에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 약 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다. 상기 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다.
상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도 300 g/L의 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.53 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하여, 평균 입자경 0.28 ㎛의 분광을 얻었다.
상기 분쇄 처리 후의 슬러리를 500 Mesh(체눈 크기 25 ㎛)의 체에 통과시켜, 체 아래의 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.47 중량％, 평균 입자경 0.28 ㎛, α선량 0.06 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
실시예 12
실시예 10에 있어서 얻어진 체 아래의 슬러리에 순수를 부가하고, 희석하여, 황산바륨 환산으로 150 g/L의 슬러리로 하였다. 상기 슬러리 8 L(황산바륨으로서 1200 g)를 교반하면서 가열하여, 70℃까지 승온시키고, 이것에 30 중량％ 수산화나트륨 수용액을 부가하여, pH를 9.5로 조정하였다.
이 슬러리에 실리카 환산으로 141 g/L의 규산나트륨 수용액 85 mL를 한번에 부가하고, 계속해서, 30 중량％ 황산 25.5 mL를 0.21 mL/분의 공급 속도로 120분에 걸쳐 정량적으로 적하한 후, 60분간 교반을 계속하였다.
계속해서, 얻어진 슬러리를 40℃로 냉각하고, 30 중량％ 수산화나트륨 수용액을 부가하여, pH를 8.5로 조정하였다. 이 슬러리의 pH를 8.5로 유지하면서, 이것에 알루미나 환산으로 267 g/L의 알루민산나트륨 수용액 108 mL를 1.2 mL/분의 공급 속도로, 30 중량％ 황산 162 mL를 1.8 mL/분의 공급 속도로 각각, 90분간에 걸쳐 정량적으로 부가한 후, 30분간 교반을 계속하였다.
계속해서, 이와 같이 하여 얻어진 슬러리를 여과, 수세, 건조하여, 실리카 수화물 및 수산화알루미늄으로 표면 피복된 저α선량 황산바륨 입자를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 표면 피복 저α선량 황산바륨 입자는, α선량 0.04 cph/㎠, 평균 입자경 0.28 ㎛로서, 실리카 환산으로 실리카 수화물 1.29 중량％를 포함하고, 알루미나 환산으로 수산화알루미늄 1.89 중량％를 포함하는 것이었다.
비교예 1
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 120 g을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다.
상기 슬러리 0.4 L를 미디어를 이용하지 않는 습식 미립화 장치((주)스기노머신 제조 스타버스트 minimo HJP-25001SE)를 이용하여, 160 ㎫의 분쇄압으로 5 패스 분쇄 처리하였다. 얻어진 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.69 중량％, 평균 입자경 1.27 ㎛, α선량 0.13 cph/㎠, 황 함유량 3 ppm인 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 2
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하여, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하고, 여과, 건조하여, 실리카 함유량 0.62 중량％, 평균 입자경 0.27 ㎛, α선량 0.09 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm의 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 3
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.8 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하고, 여과, 건조하여, 실리카 함유량 0.61 중량％, 평균 입자경 0.45 ㎛, α선량 0.09 cph/㎠, 황 함유량 3 ppm의 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 4
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형물을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.63 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 0.4 L를 미디어를 이용하지 않는 습식 미립화 장치를 이용하여, 160 ㎫의 분쇄압으로 7 패스 분쇄 처리하여, 얻어진 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.63 중량％, 평균 입자경 1.00 ㎛, α선량 0.09 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 5
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 125 g/L인 슬러리 12 L를 조제하였다.
상기 파쇄광의 물 슬러리를 실시예 1과 동일하게 수파 처리하여, 언더플로우를 회수하였다. 상기 회수한 언더플로우의 슬러리를 여과하고, 얻어진 고형분을 순수로 리펄프하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리를 조제하였다. 상기 수파 처리에 의해, 실리카 함유량 0.62 중량％의 파쇄광을 얻었다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 1.5 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 300분간 분쇄 처리하고, 얻어진 슬러리를 여과하고, 건조하여, 실리카 함유량 0.62 중량％, 평균 입자경 0.59 ㎛, α선량 0.09 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 6
중정석 원료 광석 A를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.13 cph/㎠, 평균 입자경 10.06 ㎛, 실리카 함유량 0.70 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리 5 L를 조제하였다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하고, 여과, 건조하여, 실리카 함유량 0.69 중량％, 평균 입자경 0.27 ㎛, α선량 0.13 cph/㎠, 황 함유량 2 ppm인 황산바륨 입자를 얻었다.
비교예 7
중정석 원료 광석 B를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.21 cph/㎠, 평균 입자경 9.13 ㎛, 실리카 함유량 0.87 중량％의 파쇄광과 코우크스를 도가니에 넣어, 잘 혼합하여, 전기로에서 소성하고, 순수로 침출하여, 황화바륨 수용액을 얻었다. 얻어진 황화바륨 수용액에 30 중량％ 황산 수용액을 부가하여, 황화바륨을 황산과 반응시켜, 황산바륨을 석출시키고, 이것을 여과하여, 황산바륨 입자를 얻었다.
상기 황산바륨 입자는, 실리카 함유량 0.25 중량％, 평균 입자경 0.30 ㎛, α선량 0.12 cph/㎠, 황 함유량 170 ppm이었다.
비교예 8
중정석 원료 광석 C를 파쇄하여 얻어진 α선량 0.10 cph/㎠, 평균 입자경 11.12 ㎛, 실리카 함유량 0.67 중량％의 파쇄광 1500 g에 순수를 부가하여, 황산바륨으로서의 농도가 300 g/L인 슬러리 5 L를 조제하였다.
상기 슬러리 4 L를 미디어 직경 0.3 ㎜의 지르코니아 비드를 충전한 습식 비드밀을 이용하여, 60분간 분쇄 처리하고, 여과, 건조하여, 실리카 함유량 0.66 중량％, 평균 입자경 0.28 ㎛, α선량 0.10 cph/㎠, 황 함유량 3 ppm인 황산바륨 입자를 얻었다.
표 1 및 표 2에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따르면, 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 파쇄광에 산 가열 처리를 행하지 않고, 또는 산 가열 처리를 행한 후에, 공정 (a), (b) 또는 (c)의 처리를 실시함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 있다.
이에 대하여, 비교예 1에 있어서는, 파쇄광을 수파 처리 및 체 처리 없이, 미디어 분쇄 처리 대신에, 미디어를 이용하지 않는 습식 미분화 장치를 이용하여 분쇄하였기 때문에, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광을 얻을 수 없고, 그 때문에, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 없었다.
비교예 4에 있어서는, 파쇄광을 수파 처리하였지만, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 파쇄광을 얻을 수 없고, 더구나, 수파 처리 후, 미디어를 이용하지 않는 습식 미분화 장치를 이용하여 분쇄하였기 때문에, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 없었다.
비교예 2, 비교예 3 및 비교예 5에 있어서는, 공정 (a), (b) 또는 (c)에 의한 처리를 실시하여 얻어진 분광의 실리카 함유량이 0.6 중량％를 넘었기 때문에, α선량 0.07 cph/㎠ 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 없었다.
비교예 6 및 비교예 8에 있어서는, 수파 처리와 체 처리 모두 행하지 않고, 미디어 분쇄 처리만을 행하였기 때문에, 얻어진 황산바륨은 실리카 함유량이 0.6 중량％를 넘고, α선량 0.07 cph/㎠ 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻을 수 없었다.
비교예 7은 파쇄광에 아무런 처리도 실시하지 않고, 환원 배소하여 얻어진 황화바륨 수용액에 황산을 부가하여, 황산바륨을 얻은 것으로서, 실리카 함유량은 0.6 중량％ 이하이지만, α선량, 황 함유량 모두 높은 것이었다.
실시예 13
(도료 조성물의 조제와 도포막의 α선량)
상기 실시예 4에서 얻어진 황산바륨 16 g, 바니시(DIC(주) 제조, 아크리딕 A-801-P) 20 g, 초산부틸(와코쥰야쿠고교(주) 제조, 시약 특급) 10 g, 크실렌(쥰세이가가쿠(주) 제조, 순정 특급) 10 g, 글래스 비드(직경 1.5 ㎜ 포터즈·발로티니사 제조) 76 g을 용적 140 mL의 마요네즈병에 넣어, 잘 혼합한 후, 페인트 컨디셔너(RED DEVIL사 제조 5410형)에 고정하여, 60분간 진동을 부여하고, 분산 처리하여, 도료 조성물을 조제하였다.
다음에, 상기 도료 조성물을 폴리에틸렌 필름 상에 적하하고, 바 코터((주)야스다세이키세이사쿠쇼 제조, No.579 ROD No.6)를 이용하여, 안료 중량 농도(PWC) 61.5 중량％의 도포막을 제작하였다.
상기 도포막을 20℃에서 12시간 건조한 후, 그 α선량을 저레벨 α선 측정 장치 LACS-4000M((주)스미카분세키센터 제조)을 이용하여 측정한 바, 0.04 cph/㎠였다. 측정에 있어서는, 장치의 시료 측정부의 스테인레스판(1000 ㎠)에 상기 도포막을 두고, 99시간에 걸쳐 측정하였다.
비교예 9
(도료 조성물의 조제와 도포막의 α선량)
실시예 13에 있어서, 실시예 4에서 얻어진 황산바륨 대신에, 비교예 6에서 얻어진 황산바륨을 이용한 것 이외에는, 동일하게 하여, 도료 조성물을 조제하여, 그 도포막의 α선량을 측정한 바, 0.08 cph/㎠였다.
실시예 14
(수지 조성물 시트의 조제와 그 α선량의 측정)
상기 실시예 4에서 얻어진 황산바륨 56 g, 에틸렌-아크릴산에틸 공중합체 수지(니폰폴리에틸렌(주) 제조 EEA 수지, 렉스펄(등록 상표) A1150) 24 g을 LABO PLASTMILL((주)도요세이키세이사쿠쇼 제조)을 이용하여, 믹서의 회전수 40 rpm, 150℃의 조건에서 10분간 혼련하였다.
얻어진 혼련물을 믹서로부터 취출한 후, 두께 2 ㎜의 스테인레스제 주형판(150 ㎜×200 ㎜)의 중앙에 두고, 상하로부터 스테인레스제 판(200 ㎜×300 ㎜)으로 사이에 끼워, 미니 테스트 프레스-10((주)도요세이키세이사쿠쇼 제조)의 시료대에 설치하고, 160℃에서 가열하면서, 0.5 ㎫에서 2분간 가압하고, 추가로 압력을 5 ㎫로 올려, 160℃에서 가열하면서 2분간 가압하고, 추가로 압력을 25 ㎫로 올려, 160℃에서 가열하면서 3분간 가압하였다.
다음에, 25 ㎫에서 가압하면서, 5분간 냉각하여, 필러 충전율 70 중량％의 수지 조성물 시트를 얻었다. 얻어진 수지 조성물 시트의 α선량을 저레벨 α선 측정 장치 LACS-4000M((주)스미카분세키센터 제조)를 이용하여 측정한 바, 0.05 cph/㎠였다. 측정에 있어서는, 장치의 시료 측정부의 스테인레스판(1000 ㎠)에 수지 조성물 시트를 깔고, 99시간에 걸쳐 측정하였다.
비교예 10
(수지 조성물 시트의 조제와 그 α선량의 측정)
실시예 14에 있어서, 실시예 4에서 얻어진 황산바륨 대신에, 비교예 6에서 얻어진 황산바륨을 이용한 것 이외에는, 동일하게 하여, 수지 조성물 시트를 조제하고, 그 수지 조성물 시트의 α선량을 측정한 바, 0.09 cph/㎠였다.
실시예 13, 실시예 14, 비교예 9 및 비교예 10에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 저α선량 황산바륨을 배합한 도포막이나 수지 조성물 시트는, 그 배합한 황산바륨보다 더욱 낮은 α선량을 나타낸다.
그러나, α선량 0.13 cph/㎠의 비교예 6의 황산바륨을 배합한 도포막이나 수지 조성물 시트는, 0.07 cph/㎠를 넘는 α선량을 갖는 것이었다.
실시예에 나타내는 바와 같이, 고순도화를 위한 복잡한 조작을 필요로 하지 않고, α선량 0.07 cph/㎠ 이하로 저감시킴으로써, 예컨대, 언더필층이 박막화된 고기능의 전자 부품의 솔더 레지스트층에도 사용이 가능해졌다.
Claims (16)
- 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하의 저α선량 황산바륨 입자.
- 제1항에 기재된 저α선량 황산바륨 입자가 실리카, 실리카 수화물 및 수산화알루미늄에서 선택되는 적어도 1종으로 표면 처리가 이루어져 있는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자.
- 제1항에 기재된 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 수지 조성물.
- 제1항에 기재된 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 도료 조성물.
- 제1항에 기재된 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 레지스트 잉크 조성물.
- 제2항에 기재된 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 수지 조성물.
- 제2항에 기재된 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 도료 조성물.
- 제2항에 기재된 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자를 포함하는 레지스트 잉크 조성물.
- 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에,
(a) 수파(elutriation) 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고,
이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻는 것을 특징으로 하는 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법. - 제9항에 있어서, 상기 파쇄광이 0.65∼3.5 중량％의 범위의 실리카 함유량을 갖는 것인 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 파쇄광이 0.65∼1 중량％의 범위의 실리카 함유량을 갖는 것인 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
- 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파쇄광을 산 가열 처리한 후, 상기 (a), (b) 또는 (c)의 처리를 행하는 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
- 중정석 원료 광석을 파쇄하여 얻어진 평균 입자경 5∼50 ㎛, α선량 1 cph/㎠ 이하의 파쇄광에,
(a) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(b) 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고, 또는
(c) 수파 처리와 미디어 분쇄 처리와 체 처리를 이 순서로 행하고,
이때, 상기 미디어 분쇄 처리에 있어서, 상기 파쇄광을 평균 입자경 1 ㎛ 이하의 분광으로 분쇄하며, 상기 수파 처리 및/또는 체 처리에 의해 조립을 제거하여, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하의 분광으로 함으로써, 평균 입자경 1 ㎛ 이하, 실리카 함유량 0.6 중량％ 이하, α선량 0.07 cph/㎠ 이하, 황 함유량 10 ppm 이하인 저α선량 황산바륨 입자를 얻고,
계속해서, 상기 저α선량 황산바륨 입자에 실리카, 실리카 수화물 및 수산화알루미늄에서 선택되는 적어도 1종으로 표면 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법. - 제13항에 있어서, 상기 파쇄광을 산 가열 처리한 후, 상기 (a), (b) 또는 (c)의 처리를 행하는 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 파쇄광이 0.65∼3.5 중량％의 실리카 함유량을 갖는 것인 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
- 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 파쇄광이 0.65∼1 중량％의 실리카 함유량을 갖는 것인 표면 처리 저α선량 황산바륨 입자의 제조 방법.
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