KR102149795B1 - 레지스트 필름 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 현상 공정에서 현상액 분사 시 가해지는 분사압에 의한 레지스트의 물리·화학적 변화를 방지하기 위해 창출된 것으로, 패턴 형성용 레지스트층; 및 상기 패턴 형성용 레지스트층의 상,하면 중 어느 한 면과 접합하는 액 접촉 방지용 레지스트층;을 포함하는, 레지스트 필름을 제시한다.

Description

레지스트 필름 및 패턴 형성 방법{RESIST FILM AND METHODS OF FORMING A PATTERN}
본 발명은 레지스트 필름에 관한 발명으로, 보다 구체적으로, 인쇄회로기판의 회로배선 형성에 사용되는 레지스트 필름에 관한 것이다.
인쇄회로기판(Printed Circuit Board)에서 회로배선을 형성하는 데에는 통상적으로 레지스트(Resist)가 사용된다. 예를 들어, 회로 형성 공법 중 하나인 MSAP공법을 보면, 기판 일면에 시드층을 증착 후 레지스트를 부착하고, 여기에 노광 및 현상 공정을 진행하여 레지스트 패턴을 형성한다. 그 다음, 시드층을 인입선으로 전해 도금하여 레지스트 패턴 사이로 금속을 석출시키고, 레지스트 제거 후 외부로 노출된 시드층을 에칭하여 회로배선을 형성한다(한국 공개특허공보 제 10-2006-0042015호 참조).
한편, 레지스트는 회로 형성 외에도 기판의 최외층에 구비되어 기판을 보호하는 역할을 할 수 있다. 이때, 기판 최외층에 형성된 패드와 반도체 칩 등의 소자간의 연결을 위하여, 기판 패드를 노출시키는 개구부를 레지스트에 형성해야 하며, 이 역시 노광 및 현상 공정으로 진행하게 된다.
이처럼, 레지스트에 노광 및 현상 공정을 진행하여 패턴이나 개구부를 형성하는데, 여기서, 현상 공정 시 현상액이 직접 레지스트에 분사된다. 이 경우, 분사압에 의해 현상액이 레지스트 표면에 물리적 타격을 가하게 되고, 그 결과, 경화가 부족한 패턴 하지 부분이 떨어져 나가버리는 언더컷(undercut) 현상이 발생할 수 있다. 이는 패턴 들뜸 문제를 야기시키게 된다.
또한, 패턴 표면의 깍임 현상으로 인하여, 패턴 표면에 흠집이나 찢어짐 등의 상처가 생길 수 있고, 레지스트에 포함된 각종 필러(filler)가 외부로 돌출되는 등의 외관 불량이 발생할 수 있다. 작은 흠집일지라도 소자 실장 시 기판에 높은 압력이 가해지면 흠집의 크기가 점점 커지게 되고, 이는 결국, 레지스트의 전체 파손으로 이어지게 된다.
한편, 일반적으로 레지스트는 친수성을 높이기 위해 카르복시기(-COOH)를 작용기로 갖는 중합체를 이용하여 조성하는데, 분사압에 의한 물리적 타격으로 인하여 표면의 카르복시기(-COOH) 분자가 떨어져 나가 버리면, 레지스트 표면은 소수성으로 변하게 된다. 그 결과, 레지스트의 표면에너지가 감소하게 되고, 이는 소자 실장 시 언더필(Underfill) 공정에서 수지의 흐름성을 저하시키는 요인이 된다.
한국 공개특허공보 제 10-2006-0042015호
본 발명은, 패턴이 형성되는 레지스트층에 현상액이 직접 분사되지 않도록 함으로써 레지스트의 물리·화학적 변화를 막고, 이에 따라, 전술한 문제를 해결하고자 하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 창안된 본 발명는, 패턴 형성용 레지스트층; 및 상기 패턴 형성용 레지스트층의 상,하면 중 어느 한 면과 접합하는 액 접촉 방지용 레지스트층;을 포함하는, 레지스트 필름을 제공한다.
여기서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층은 노광 및 현상이 가능한 재질로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층은, 상기 패턴 형성용 레지스트층 현상에 사용되는 현상액과 동일한 현상액으로 현상 가능한 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 패턴 형성용 레지스트층은 건상 또는 액상 형태인 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층의 외부 노출면과 상기 패턴 형성용 레지스트층의 외부 노출면 중 적어도 어느 한 면에 보호 필름이 부착된 것을 특징으로 할 수 있다.
또한, 상기 패턴 형성용 레지스트는 경화 부분과 미경화 부분으로 구성되는 것을 특징으로 할 수 있다.
한편, 상기 레지스트 필름을 이용하여 패턴을 형성하는 방법으로 본 발명의 제1 실시예는, 기판 일면에 패턴 형성용 레지스트층을 부착하는 단계; 상기 패턴 형성용 레지스트층을 선택적으로 노광하는 단계; 상기 패턴 형성용 레지스트층 상에 액 접촉 방지용 레지스트층을 적층하는 단계; 및 상기 액 접촉 방지용 레지스트층 표면에 현상액을 분사하는 단계;를 포함하는, 패턴 형성 방법을 제공한다.
여기서, 상기 현상액을 분사하는 단계에서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층과, 상기 패턴 형성용 레지스트층의 미경화 부분이 함께 현상되는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 패턴 형성용 레지스트층을 부착하는 단계는, 액상의 레지스트 잉크를 도포하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 레지스트 필름을 이용하여 패턴을 형성하는 방법으로 본 발명의 제2 실시예는, 패턴 형성용 레지스트층과 액 접촉 방지용 레지스트층이 접합된 레지스트 필름을 준비하는 단계; 상기 패턴 형성용 레지스트층을 접합면으로 하여 상기 레지스트 필름을 기판 일면에 부착하는 단계; 상기 레지스트 필름을 선택적으로 노광하고 현상하는 단계; 및 상기 액 접촉 방지용 레지스트층을 제거하는 단계;를 포함하는, 패턴 형성 방법을 제공한다.
여기서, 상기 레지스트 필름을 노광하는 단계에서, 패턴 형성용 레지스트층까지 노광되도록 빛을 조사하는 것을 특징으로 할 수 있다.
그리고, 상기 레지스트 필름을 현상하는 단계에서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층의 미경화 부분과, 상기 패턴 형성용 레지스트층의 미경화 부분이 함께 현상되는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 레지스트 필름을 사용하면, 패턴이 형성되는 패턴 형성용 레지스트층에 현상액이 직접 분사되지 않고, 그 결과, 분사압에 의한 물리적 타격이 없어 경화가 부족한 패턴 하지 부분에서 종래의 언더컷(undercut) 문제가 발생하지 않는다.
또한, 레지스트의 표면 깍임 현상을 최소화하여 상처나 필러 돌출 등의 외관 불량을 방지할 수 있다.
또한, 레지스트 표면에 있는 카르복시기(-COOH) 분자의 감소를 최소화하여 표면에너지 감소를 막을 수 있고, 그 결과, 언더필(Underfill) 공정에서 수지의 흐름성을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 레지스트 필름의 단면도
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레지스트 필름의 단면도
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 순서대로 나타낸 공정도
도 7 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 순서대로 나타낸 공정도
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 기술 등은 첨부되는 도면들과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 함과 더불어, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공될 수 있다.
한편, 본 명세서에서 사용된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprise)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 레지스트 필름의 단면도이다. 부가적으로, 도면의 구성요소는 반드시 축척에 따라 그려진 것은 아니고, 예컨대, 본 발명의 이해를 돕기 위해 도면의 일부 구성요소의 크기는 다른 구성요소에 비해 과장될 수 있다. 한편, 각 도면에 걸쳐 표시된 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, 도시의 간략화 및 명료화를 위해, 도면은 일반적 구성 방식을 도시하고, 본 발명의 설명된 실시예의 논의를 불필요하게 불명료하도록 하는 것을 피하기 위해 공지된 특징 및 기술의 상세한 설명은 생략될 수 있다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 드라이 필름 레지스트(100)는, 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 서로 마주보며 두께 방향으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 기판과 직접 접합하는 층으로 노광 및 현상 공정을 거쳐 소정의 패턴이 형성될 수 있다. 여기서, 패턴은 본 발명의 드라이 필름 레지스트(100)가 기판의 회로배선 형성 시에 사용되는 것일 경우, 기판의 회로배선에 대응하는 형태로 형성될 수 있다. 또는, 기판 최외층 보호를 위해 기판 최외층에 적층되는 것일 경우, 기판의 패드를 노출시키는 개구부 형태로 형성될 수 있다.
따라서, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 기재에 대한 밀착성 및 해상성이 우수하며, 노광 공정에 의해 경화가 가능한 광경화성 고분자 수지를 주성분으로 하여 조성될 수 있다. 예를 들면, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)을 구성하는 주요 수지 조성물로는, 광중합 조성물의 기계적 강도를 높이며, 기판의 회로배선용 금속 재질(예를 들어, Cu)과의 화학적 접착성이 우수한 아크릴계 중합체, 스틸렌계 중합체, 에폭시계 중합체, 아미드계 중합체, 아미드 에폭시계 중합체, 알키드계 중합체, 페놀계 중합체 중에서 1종을 단독으로 사용하거나 2종 이상을 조합할 수 있다. 특히, 이들 중합체 중에서도 카르복시기(-COOH)가 함유된 것이 바람직하다.
이들 중합체로 이루어지는 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 약알칼리 수용액(예컨대, Na2CO3)에서 현상 및 박리가 일어나는 성질을 가지며, 카르복시기(-COOH)를 작용기로 갖는 중합체의 경우 높은 친수성을 가지므로 표면 에너지가 크게 증가할 수 있다. 이는, 소자 실장 시 언더필(Underfill) 공정에서 수지의 흐름성을 좋게 한다.
상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 전술한 중합체 외에도 빛에 의해 광중합을 하는 단관능 또는 2관능 이상의 다관능 모노머(monomer)와, 광중합이 일어나도록 빛에 의해 라디칼(radical)을 유도하는 광개시제(photoinitiator), 그리고 안정제(stabilizer), 접착촉진제(adhesion promotor), 열중합 방지제(inhibitor) 등의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)이 기판 최외층 보호를 위해 기판 최외층에 적층되는 것일 경우, 내열 안정성, 열에 의한 치수안정성, 수지 접착력 등을 높이기 위하여, 전술한 고분자 수지에 공지된 필러(filler), 예를 들어, 황산바륨, 미분상 탄화규소, 무정형 실리카, 탈크, 마이카 등을 함유할 수 있다.
이러한 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 건상 또는 액상 형태로 존재할 수 있다. 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)이 건상 형태인 경우, 기판에 부착되기 전 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)과 접합된 상태로 취급된다. 반면, 액상 형태인 경우, 기판에 레지스트 잉크를 도포한 후 건조함으로써 패턴 형성용 레지스트층(110)이 제조되고, 그 위에 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)을 접합하게 된다.
상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)의 상,하면 중 어느 한 면과 접합하는 층으로, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)이 기판과 직접 접합하면, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 패턴 형성용 레지스트층(110) 상부에 적층하게 된다.
이와 같은 구조에 따라, 현상 공정 시 현상액은 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)에 직접 분사되고, 따라서, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 액 접촉 방지용 레지스트층(120)에 의해 현상액과의 직접적인 접촉이 차단될 수 있다. 그 결과, 분사압에 의한 패턴 형성용 레지스트층(110)의 물리·화화적 변화를 막을 수 있게 된다.
만약, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 없어 현상액이 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)에 직접 분사되면, 경화가 부족한 패턴 하지 부분이 분사압의 물리적 타격으로 인하여 떨어져 나가버리는 언더컷(undercut) 현상이 발생할 수 있다.
또한, 표면 깍임 현상으로 인하여 표면에 흠집이나 찢어짐 등의 상처가 생길 수 있고, 패턴 형성용 레지스트층(110)에 포함된 각종 필러(filler)가 외부로 돌출되는 등의 외관 불량이 발생할 수 있다.
또한, 패턴 형성용 레지스트층(110) 표면의 카르복시기(-COOH) 분자가 떨어져 나감으로써 소수성으로 변하게 되고, 이는 표면 에너지의 감소로 이어져 결국, 소자 실장 시 언더필(Underfill) 공정에서 수지의 흐름성이 크게 나빠질 수 있다.
따라서, 본 발명처럼 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)에 의해 현상액과 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)의 직접적인 접촉을 차단하게 되면, 종래 구조에서 발생하는 물리·화화적 변화에 의한 문제를 개선할 수 있게 된다.
한편, 후술하겠지만 패턴 형성 과정에서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 적층된 상태로 현상 공정이 진행되고, 따라서, 하지의 패턴 형성용 레지스트층(110)이 현상될 수 있도록, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 현상이 가능한 재질로 이루어질 수 있다. 보다 바람직하게는, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110) 현상에 사용되는 현상액(예컨대, Na2CO3)과 동일한 현상액으로 현상 가능한 재질을 사용하는 것이 좋다. 한번의 현상 공정으로 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)을 동시에 현상하기 위함이다.
그리고, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 현상 뿐만 아니라 노광에 의한 경화가 이루어질 수 있는 광경화성 수지를 주성분으로 하여 조성될 수 있다. 이를 이용한 패턴 형성 방법에 대해서는 나중에 자세히 설명하기로 한다.
본 발명의 레지스트 필름(100)이 건상 형태인 경우 통상 롤(Roll)에 권취된 상태로 취급되며, 이에 따라, 본 발명의 레지스트 필름(100)은, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 외부 노출면과, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)의 외부 노출면 중 적어도 어느 한 면(바람직하게는 양면 모두)에 부착된 보호 필름(130)을 더 포함할 수 있다.
상기 보호 필름(130)은 취급 과정에서 발생하는 물리적 충격과 먼지와 같은 이물로부터 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)을 보호하며, 기판 부착시에 제거되어 사용된다. 이러한 상기 보호 필름(130)은 통상 폴리에틸렌(polyethylene) 재질 등으로 이루어질 수 있으며, 10~50㎛ 범위의 두께를 가질 수 있다.
한편, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 레지스트 필름의 단면도로써, 도 2 구조의 레지스트 필름(100)은, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 적층 순서에 따라, 경화 부분(110a)과 미경화 부분(110b)으로 구성되는 패턴 형성용 레지스트층(110)을 가질 수 있다. 경화 부분(110a)과 미경화 부분(110b)의 구분은 요구되는 회로배선의 패턴에 따라 선택적으로 노광됨으로써 결정된다.
즉, 도 2 구조의 레지스트 필름(100)은, 먼저, 기판에 패턴 형성용 레지스트층(110)이 부착되면 여기에 노광 공정을 실시하고, 그 위에 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)을 적층함으로써 완성될 수 있다. 이를 이용한 패턴 형성 방법에 대해서는 이하에서 자세히 살펴보기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 순서대로 나타낸 공정도로서, 먼저, 도 3과 같이, 기판(200) 일면에 패턴 형성용 레지스트층(110)을 부착한다. 이는 커텐코팅, 스프레이코팅 또는 롤코팅 등으로 레지스트 잉크를 일정 두께로 코팅한 후 건조시키는 것으로 진행할 수 있다. 물론, 라미네이션 설비를 이용하여 건상 형태의 패턴 형성용 레지스트층(110)을 기판에 부착하는 것으로도 진행할 수 있으나, 전술한대로, 건상 형태의 경우 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 접합된 상태로 취급되므로, 액상의 레지스트 잉크를 도포하여 형성하는 것이 보다 바람직하다.
여기서, 상기 기판(200)은 단면 기판이나 양면 기판, 또는 다층 기판 등 여러 형태의 기판이 될 수 있고, 여기에 부착되는 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 기판의 회로배선을 형성하기 위한 용도이거나 기판 최외층 보호를 위한 용도로 사용될 수 있다.
이처럼, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)이 기판(200)에 부착되면, 도 4와 같이, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)을 선택적으로 노광하는 단계를 진행한다. 노광 공정으로는 아트워크(포토 마스크)를 사용하는 콘택트(Contact) 노광 방식이나, 포토 마스크를 사용하지 않는 레이저 다이렉트 이미지(Laser Direct Image;LDI) 노광 방식 등 당업계에 공지된 통상의 노광 방식으로 진행하면 되고, 어느 특정의 노광 방식에 한정하는 것은 아니다.
원하는 패턴에 따라 선택적으로 빛을 조사하게 되면, 빛이 조사된 부분은 광중합 반응이 일어나 경화되어 경화 부분(110a)을 이루고, 빛이 조사되지 않은 부분은 미경화 부분(110b)이 된다. 물론, 이러한 네거티브(negative) 방식과는 달리, 빛이 조사된 부분이 이후 현상 공저에서 제거되는 포지티브(positive) 방식을 사용할 수도 있다.
노광 공정이 완료되면, 도 5와 같이, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110) 상에 액 접촉 방지용 레지스트층(120)을 적층하는 단계를 진행한다.
상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 후속하는 현상 공정에서 패턴 형성용 레지스트층(110)의 미경화 부분(110b)과 함께 현상되는 재질로 이루어지며, 패턴 형성용 레지스트층(110)과 동일한 면적을 가져 하지의 패턴 형성용 레지스트층(110) 전면(全面)은 모두 커버될 수 있다.
여기서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 양면에 보호 필름이 부착된 건상의 형태로 취급될 수 있으며, 따라서, 적층 시 어느 한 쪽면의 보호 필름을 제거하고, 보호 필름이 제거된 면을 접합면으로 하여 적층한 다음, 나머지 한 쪽면의 보호 필름을 제거하도록 한다.
이와 같이, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 적층되면, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120) 표면에 현상액을 분사하여 패턴을 최종 완성할 수 있다(도 6).
상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 현상 가능한 재질로 이루어지므로, 현상 공정에 의해 패턴 형성용 레지스트층(110)의 미경화 부분(110b)과 함께 제거될 수 있다. 이때, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)에 의해 패턴 형성용 레지스트층(110)은 현상액과 직접적으로 접촉되지 않고, 이로 인하여, 분사압에 의한 물리적 타격을 최소화할 수 있어 종래와 같은 언더컷(undercut) 현상을 방지할 수 있다.
또한, 패턴 형성용 레지스트층(110)의 경화 부분(110a), 즉, 패턴의 표면이 보호되므로, 종래 표면 깍임 현상에 의한 상처나 필러 돌출 등의 외관 불량을 방지할 수 있다.
또한, 패턴 표면의 카르복시기(-COOH) 분자의 감소를 최소화함으로써, 보다 높은 친수성을 유지할 수 있고, 그 결과, 소자 실장 시 언더필(Underfill) 공정에서 수지의 흐름성을 개선할 수 있다.
이제, 본 발명의 제2 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 살펴보기로 한다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 패턴 형성 방법을 순서대로 나타낸 공정도로서, 먼저, 도 7과 같이, 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 접합된 레지스트 필름을 준비한다.
그 다음, 도 8과 같이, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)을 접합면으로 하여 상기 레지스트 필름(100)을 기판 일면에 부착한다.
여기서, 상기 레지스트 필름(100)은, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 외부 노출면과 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)의 외부 노출면 각각에 보호필름이 부착된 건상 형태로 준비될 수 있고, 이 경우, 패턴 형성용 레지스트층(110)의 외부 노출면에 부착된 보호 필름을 제거한 다음 레지스트 필름(100)을 부착하고, 이후 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 외부 노출면에 부착된 보호 필름을 제거하도록 한다.
이처럼, 레지스트 필름(100)이 기판에 부착되면, 상기 레지스트 필름(100)을 선택적으로 노광하고 현상하는 단계를 진행한다.
노광 공정 시, 하지의 패턴 형성용 레지스트층(110)까지 노광되도록 노광량을 조절하여 조사하도록 하며, 앞서 살펴본 제1 실시예와는 달리 본 실시예에서는, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 적층된 상태에서 노광 공정을 진행하므로 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)도 함께 노광될 수 있다. 이에 따라, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)은 도 9에 도시된 것처럼, 경화 부분(120a)과 미경화 부분(120b)으로 구분될 수 있다.
그리고, 현상 공정에서, 하지의 패턴 형성용 레지스트층(110)까지 현상되도록 현상액을 분사하게 되면, 도 10에 도시된 것처럼, 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)의 미경화 부분(110b)과, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 미경화 부분(120b)은 함께 제거될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 미경화 부분(120a)에 의해 상기 패턴 형성용 레지스트층(110)은 현상액과의 직접적인 접촉이 차단되며, 이에 따라, 제 1실시예에서 전술한 효과가 그대로 발휘될 수 있다. 이에 더하여, 본 실시예에서는 패턴 형성용 레지스트층(110)과 액 접촉 방지용 레지스트층(120)이 접합된 건상 형태의 레지스트 필름(100)을 사용하므로, 작업의 효율성을 높일 수 있는 장점이 있다.
현상 공정이 끝나면, 마지막으로, 도 11과 같이, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층(120), 구체적으로, 액 접촉 방지용 레지스트층(120)의 경화 부분(120a)을 제거함으로써 패턴을 최종 완성할 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 레지스트 필름 110: 패턴 형성용 레지스트층
120: 액 접촉 방지용 레지스트층 130: 보호 필름
200: 기판

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  8. 기판 일면에 패턴 형성용 레지스트층을 부착하는 단계;
    상기 패턴 형성용 레지스트층을 선택적으로 노광하는 단계;
    상기 패턴 형성용 레지스트층 상에 액 접촉 방지용 레지스트층을 적층하는 단계; 및
    상기 액 접촉 방지용 레지스트층 표면에 현상액을 분사하는 단계;를 포함하는, 패턴 형성 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 현상액을 분사하는 단계에서, 상기 액 접촉 방지용 레지스트층과, 상기 패턴 형성용 레지스트층의 미경화 부분이 함께 현상되는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 패턴 형성용 레지스트층을 부착하는 단계는, 액상의 레지스트 잉크를 도포하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 패턴 형성 방법.
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