JP6406817B2 - 硬化樹脂成形体 - Google Patents

硬化樹脂成形体 Download PDF

Info

Publication number
JP6406817B2
JP6406817B2 JP2013254705A JP2013254705A JP6406817B2 JP 6406817 B2 JP6406817 B2 JP 6406817B2 JP 2013254705 A JP2013254705 A JP 2013254705A JP 2013254705 A JP2013254705 A JP 2013254705A JP 6406817 B2 JP6406817 B2 JP 6406817B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
free energy
surface free
cured resin
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013254705A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015115384A (ja
Inventor
牧八 伊藤
牧八 伊藤
亮介 遠藤
亮介 遠藤
キョンソン ユン
キョンソン ユン
近藤 洋文
洋文 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dexerials Corp
Original Assignee
Dexerials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2013254705A priority Critical patent/JP6406817B2/ja
Application filed by Dexerials Corp filed Critical Dexerials Corp
Priority to PCT/JP2014/078846 priority patent/WO2015087634A1/ja
Priority to US15/102,362 priority patent/US10564547B2/en
Priority to EP14868981.3A priority patent/EP3081989A4/en
Priority to CN201480066888.7A priority patent/CN105814490A/zh
Priority to KR1020167018307A priority patent/KR102269700B1/ko
Priority to TW103138508A priority patent/TW201534490A/zh
Publication of JP2015115384A publication Critical patent/JP2015115384A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6406817B2 publication Critical patent/JP6406817B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41CPROCESSES FOR THE MANUFACTURE OR REPRODUCTION OF PRINTING SURFACES
    • B41C1/00Forme preparation
    • B41C1/10Forme preparation for lithographic printing; Master sheets for transferring a lithographic image to the forme
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41NPRINTING PLATES OR FOILS; MATERIALS FOR SURFACES USED IN PRINTING MACHINES FOR PRINTING, INKING, DAMPING, OR THE LIKE; PREPARING SUCH SURFACES FOR USE AND CONSERVING THEM
    • B41N1/00Printing plates or foils; Materials therefor
    • B41N1/12Printing plates or foils; Materials therefor non-metallic other than stone, e.g. printing plates or foils comprising inorganic materials in an organic matrix
    • B41N1/14Lithographic printing foils
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0046Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds
    • G03F7/0755Non-macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Description

本発明は、表面自由エネルギー差によるパターンを有する硬化樹脂成形体に関する。
現在、半導体、ディスプレイ、電子製品等における電子回路の微細パターンのほとんどは、フォトリソグラフィー技術を用いて作製されているが、フォトリソグラフィー技術では、安価な製品の製造に限界がある。しかも、大面積化を目指すエレクトロニクス製品の製造においては、フォトリソグラフィー技術を用いた作製方法では、製造コストを抑えることが困難である。
このような現状を踏まえ、プリンティング(印刷)技術を活用し、電子回路、センサー、素子等を製造する、所謂「プリンテッド・エレクトロニクス」が検討されている。この方法は、化学物質の使用量の低減が期待でき、地球環境にやさしい製造プロセスとして注目されている。また、この方法の一部は、メンブレン・キーボードの電極印刷、自動車の窓ガラス熱線、RFID(Radio Frequency Identification)タグアンテナなどに既に応用されている。
プリンテッド・エレクトロニクスでは、基材(印刷される側)の濡れ性をコントロールすることが重要である。濡れ性のコントロールは、表面自由エネルギーをコントロールすることで達成され、種々の方法が提案されている。その中で表面自由エネルギー差をパターンニングした基材の提案もなされている。
例えば、特許文献1に記載の技術では、マスクを介して放射線若しくは発生したオゾンで表面を改質し、表面自由エネルギー差によりパターンを形成している。また、特許文献2に記載の技術では、フレネルレンズの光の透過性の差で部分的に低表面自由エネルギー部分を露光により作成し、その後、未露光の部分を水中で露光することにより高表面自由エネルギー部分を形成している。
しかしながら、特許文献1の基材は、表面自由エネルギー差は形成されているものの、その表面自由エネルギー差は小さい。そのため、表面にインクを塗布した場合、完全な塗り分けができず、塗膜の膜厚の差ができるのみである。
また、特許文献2の基材は、同様に表面自由エネルギー差は形成されているものの、その表面にインクを塗布しただけでは塗り分けができず、インクを付着させたくない部分(低表面自由エネルギーの部分)からインクを剥ぎ取る工程が必要である。
特開2005−52686号公報 特開2003−240916号公報
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、インクの塗り分けが
可能な硬化樹脂成形体を提供する。
前述した課題を解決するために、本発明に係る硬化樹脂成形体は、第1の領域と、該第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、6mJ/mよりも大きく、前記第1の領域と前記第2の領域とが、平滑に形成されてなり、前記パターンが、フッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物を含有する樹脂組成物の硬化物で形成されてなり、前記第1の領域の表面に配向するフッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物が、前記第2の領域よりも多いことを特徴としている。
また、本発明に係る硬化樹脂成形体の製造方法は、低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、前記第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する樹脂組成物を基材上に塗布する塗布工程と、前記樹脂組成物を表面自由エネルギー差によるパターンが形成された原版に接触させて硬化させ、前記基材上に前記原版のパターンが転写された硬化樹脂層を形成する硬化工程と、前記原版から前記硬化樹脂層を剥がし、第1の領域と、該第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、6mJ/mよりも大きく、前記第1の領域と前記第2の領域とが、平滑に形成されてなる硬化樹脂成形体を得る工程とを有することを特徴としている。
本発明によれば、パターンの表面自由エネルギー差が大きく、表面が平滑に形成されているため、容易にインクの塗り分けをすることができる。
パターン形成体の一例を示す断面図である。 塗布工程の概略を示す断面図である。 硬化工程の概略を示す断面図である。 実施例における原版6の概略を示す斜視図である。 原版6を用いて転写用の樹脂組成物を硬化させる硬化工程の概略を示す断面図である。 硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を模式的に示す断面図である。 原版6のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。 原版7のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。 原版8のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。 原版9のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。 5μmのL&Sのインクパターンの光学顕微鏡による表面観察画像である。 5μmのL&SのインクパターンのFE−SEMによる表面観察画像である。 5μmのL&SのインクパターンのFE−SEMによる断面観察画像である。 5μmのL&SのインクパターンのAFMによる観察画像である。 0.5μmのL&Sのインクパターンの光学顕微鏡による表面観察画像である。 0.5μmのL&SのインクパターンのFE−SEMによる表面観察画像である。 0.5μmのL&SのインクパターンのFE−SEMによる断面観察画像である。 0.5μmのL&SのインクパターンのAFMによる観察画像である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
1.パターン形成体
2.パターン形成体の製造方法
3.実施例
<1.パターン形成体>
本発明の一実施の形態に係るパターン形成体は、第1の領域と、第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、第1の領域と第2の領域との表面自由エネルギーの差が6mJ/mよりも大きく、第1の領域と第2の領域とが平滑に形成されてなることにより、インクの塗り分けを良好に行うことができる。
図1は、パターン形成体の一例を示す断面図である。パターン形成体は、基材11と、基材11上に低表面自由エネルギー領域aと高表面自由エネルギー領域bとにより形成されたパターンを有する硬化樹脂層12とを備える。
基材11は、特に制限されず、PET(Polyethylene terephthalate)、ガラス、ポリイミド等を用いることができる。また、透明材料又は不透明材料のいずれも用いることができる。硬化樹脂層12が、例えば紫外線硬化型の樹脂組成物からなる場合、紫外線を透過する透明材料用いることにより、基材11側から紫外線照射を行うことができる。
硬化樹脂層12は、低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する樹脂組成物が硬化したものであり、表面に低表面自由エネルギー領域aと高表面自由エネルギー領域bとを有する。
低表面自由エネルギー領域aと高表面自由エネルギー領域bとの表面自由エネルギーの差は、6mJ/mよりも大きく、20mJ/m以上であることがより好ましい。低表面自由エネルギー領域aは、例えば表面に配向するフッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物が、高表面自由エネルギー領域bよりも多い部分である。
また、低表面自由エネルギー領域aと高表面自由エネルギー領域bとは、光学的に平滑な面であり、具体的な両者の段差は、数10nm未満であることが好ましい。
第1の化合物は、所謂「ブロッキング防止剤」、「スリッピング剤」、「レベリング剤」、「防汚剤」等の表面調整剤を用いることが可能であり、フッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物が好ましく用いられる。フッ素樹脂系化合物としては、パーフルオロポリエーテル基含有化合物、パーフルオロアルキル基含有化合物等が挙げられ、シリコーン樹脂系化合物としては、ポリジメチルシロキサン含有化合物、ポリアルキルシロキサン含有化合物等が挙げられる。
第2の化合物は、第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる化合物であれば良く、例えば、第1の化合物としてパーフルオロアルキル基含有アクリレートを用いた場合、第2の化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレート、ポリエチレングリコールモノアクリレート等のヒドロキシル基含有アクリレートを用いることが好ましい。
樹脂組成物は、速硬化のラジカル重合型、又はカチオン重合型のものが好ましく用いられ、第1の化合物及び第2の化合物の他に、重合性樹脂と、重合開始剤とを含有する。
ラジカル重合型では、アクリレートと、ラジカル重合開始剤とを含有する。アクリレートとしては、例えば、ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピレングリコール変性グロセリントリアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート等が挙げられ、これらは、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。また、ラジカル重合開始剤としては、例えば、アルキルフェノン系光重合開始剤、アシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤、チタノセン系光重合開始剤等が挙げられ、これらは、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
カチオン重合型では、エポキシ樹脂と、カチオン重合開始剤とを含有する。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、脂環型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。また、カチオン重合開始剤としては、例えば、芳香族スルホニウム塩、芳香族ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、ホスホニウム塩、セレノニウム塩等のオニウム塩を挙げられ、これらは、1種単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。
なお、樹脂組成物には、その他の化合物として、任意に粘度調整剤、希釈剤を含んでいても良い。
本実施の形態に係るパターン形成体は、パターンの表面自由エネルギー差が大きく、表面が平滑に形成されているため、容易にインクの塗り分けをすることができる。したがって、平滑のパターン表面上に、インク組成物等により加工することにより、ファインピッチかつ寸法安定性に優れた加工パターンを得ることができる。また、電子回路パターン等のエレクトロニクス分野への応用や、DNAチップ等のバイオメディカル分野への応用が可能となる。
<2.パターン形成体の製造方法>
本発明の一実施の形態に係るパターン形成体の製造方法は、低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する樹脂組成物を基材上に塗布する塗布工程と、樹脂組成物を表面自由エネルギー差によるパターンが形成された原版に接触させて硬化させ、基材上に原版のパターンが転写された硬化樹脂層を形成する硬化工程と、原版から硬化樹脂層を剥がし、第1の領域と、第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、第1の領域と第2の領域との表面自由エネルギーの差が、6mJ/mよりも大きく、第1の領域と第2の領域とが、平滑に形成されてなるパターン形成体を得る工程とを有する。
以下、各工程について図2及び図3を用いて説明する。なお、図2,3中、第1の化合物としてフッ素樹脂系化合物を例示するが、これに限定するものではない。
図2は、塗布工程の概略を示す断面図である。この塗布工程では、基材11上に樹脂組成物13を塗布する。塗布には、バーコーター、スプレーコーター、スピンコーター等を用いることができる。
基材11としては、特に制限されず、PET(Polyethylene terephthalate)、ガラス、ポリイミド等を用いることができる。また、透明材料又は不透明材料のいずれも用いることができる。樹脂組成物13として紫外線硬化型を使用する場合は、紫外線を透過する透明材料用いることにより、基材11側から紫外線照射を行うことができる。
樹脂組成物13は、前述した硬化樹脂層12と同様、低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する。
図3は、硬化工程の概略を示す断面図である。この硬化工程では、樹脂組成物13を表面自由エネルギー差によるパターンが形成された原版20に接触させて硬化させ、基材11上に原版20のパターンが転写された硬化樹脂層を形成する。
原版20は、表面に高表面自由エネルギー領域21と、低表面自由エネルギー領域22とを有する。高表面自由エネルギー領域21は、例えばガラス、金属、シリコン等の領域であり、低表面自由エネルギー領域22は、例えばフッ素コーティング、シリコーンコーティング等の領域である。
原版20の基材は、フッ素コーティング等が容易なガラスであることが好ましい。また、原版20の表面は、平滑であることが好ましい。
図3に示すように、原版20を樹脂組成物13に接触させた場合、原版20と樹脂組成物13との界面状態は、下記(1)式のΔγが小さくなろうとするため、樹脂組成物13表面の第1の化合物は、原版20の低表面自由エネルギー領域22に移動し、第2の化合物は、高表面自由エネルギー領域22に移動する。
Δγ=γ−γ (1)
上記(1)式中、γは原版20表面の表面自由エネルギーであり、γは樹脂組成物12表面の表面自由エネルギーである。
よって、図3に示すように、例えばフッ素樹脂系化合物は、例えばフッ素コーティング領域等の低表面自由エネルギー領域22に移動し、高表面自由エネルギー領域21の界面から排除される。そして、原版20を樹脂組成物13に接触させた状態で樹脂組成物13を硬化させることにより、基材11上に原版20のパターンが転写された硬化樹脂層12を形成することができる。樹脂組成物13の硬化方法は、樹脂の種類に応じて適宜選択することができ、熱、紫外線等のエネルギー線照射を用いることができる。
また、硬化工程後、硬化樹脂層上にインク組成物を塗布、硬化させる加工工程をさらに有することが好ましい。インク組成物としては、例えば、樹脂組成物13の組成から第1の化合物を除いたものを用いることができる。
このように原版20を用いることにより、原版20の表面自由エネルギー差のパターンを繰り返し転写させることができる。また、転写された表面自由エネルギー差のパターンは、ファインピッチかつ寸法安定性に優れる。また、その硬化被膜は透明性に優れたものとなる。
<3.実施例>
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。本実施例では、全面に亘って所定の表面自由エネルギーを有する原版1〜5を用いて樹脂組成物に転写を行い、樹脂組成物の硬化物表面の表面自由エネルギーを測定した。そして、原版Eを下地とした部分的に表面自由エネルギーが低い原版6〜9を用いて樹脂組成物に転写を行った。また、パターンの線幅を変えて、インク組成物の寸法安定性を評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
露光機、接触角計、顕微鏡、FE−SEM及びAFM(Atomic Force Microscope)は、次の装置を使用した。
露光機1:マスクアライナー MA−20 (ミカサ株式会社製)
露光機2:アライメント露光装置 (東芝ライテック株式会社製)
接触角計:DM−701(協和界面科学社製)
顕微鏡:VHX−1000(株式会社キーエンス製)
SEM:S−4700(株式会社日立ハイテクテクノロジーズ製)
AFM:SPA400(株式会社日立ハイテクサイエンス製)
[表面自由エネルギーの評価]
接触角計を用いて、原版の表面自由エネルギー、及び転写用樹脂組成物の硬化後の表面自由エネルギーをケルブル・ウー法により算出した。
[転写用の樹脂組成物]
表1に、転写用の樹脂組成物の配合(質量部)を示す。

TMM-3:ペンタエリスリトールトリアクリレート、新中村化学社製
OTA-480:プロピレングリコール変性グロセリントリアクリレート、ダイセル・オルネクス社製
AE-400:ポリエチレンエチレングリコールモノアクリレート #400 、日油株式会社製
KY-1203:パーフルオロポリエーテル含有アクリレート、信越化学工業社製
イルガキュア184:BASF社製
[原版1の作成及び転写]
7cm×5cmのスライドガラスを、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)で洗浄し、その後、フッ素コーティング剤(商品名:DURASURF DS−5200、HARVES社製)を液滴滴下にて塗布した。一晩放置後、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)にて洗浄し、その後、フッ素コーティング剤(商品名:DURASURF DS−5200、HARVES社製)を液滴滴下にて塗布した。さらに一晩放置後、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)にて洗浄し、(全面がフッ素コーティングされた)原版1を得た。表2に示すように、原版1の表面自由エネルギーは、13.2mJ/mであった。
厚さ100μmのPETフィルム(商品名:ルミラーU−48、東レ社製)上に転写用の樹脂組成物をバーコーター(wet膜厚8μm相当)で塗布し、これを原版1に密着させ、露光機2を用いてPET面より露光硬化させた。このときの照射量は、6J/cmであった。原版1よりフィルムを剥離し、PETフィルム上に原版1の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た。表2に示すように、硬化樹脂層の表面自由エネルギーは、16.7mJ/mであった。
[原版2の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシル)シラン(SYNQUESTLab社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版1と同様にして原版2を作成した。表2に示すように、原版2の表面自由エネルギーは、14.0mJ/mであった。また、原版1と同様にして、原版2の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た結果、硬化樹脂層の表面自由エネルギーは、19.4mJ/mであった。
[原版3の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン(東京化成社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版1と同様にして原版3を作成した。表2に示すように、原版3の表面自由エネルギーは、24.3mJ/mであった。また、原版1と同様にして、原版3の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た結果、硬化樹脂層の表面自由エネルギーは、26.5mJ/mであった。
[原版4の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタフルオロペンチル)シラン(東京化成社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版1と同様にして原版4を作成した。表2に示すように、原版4の表面自由エネルギーは、38.2mJ/mであった。また、原版1と同様にして、原版4の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た結果、硬化樹脂層の表面自由エネルギーは、45.3mJ/mであった。
[原版5の作成及び転写]
フッ素コーティング剤を使用せずに原版1と同様に洗浄したスライドガラスを原版5とした。表2に示すように、原版5の表面自由エネルギーは、200−400mJ/mであった。また、原版1と同様にして、原版5の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た結果、硬化樹脂層の表面自由エネルギーは、51.3mJ/mであった。
<実施例1>
実施例1では、原版5を基板とするパターニングされた原版を作成し、硬化樹脂層にパターンを転写し、パターンの表面自由エネルギー差△によるインクの塗り分けについて、評価した。
[原版6の作成及び転写]
10cm×10cmのガラス基板にネガ型フォトレジスト(商品名:OFPR−800LB、東京応化工業製)をスピンコート法により塗布し、110℃、90秒ホットプレート上で乾燥させた。フォトレジストがコーティングされた基板と、5μmのライン及びスペースをパターンニングされたフォトマスクを配置し、露光機1で露光した。露光後、この基板を2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液中に1分間浸漬し、その後純水に1分間浸漬し、室温で乾燥し、現像を行った。
現像された基板を純水、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)の順番で洗浄し、その後、フッ素コーティング剤(商品名:DURASURF DS−5200、HARVES社製)を液滴滴下にて塗布した。一晩放置後、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)にて洗浄し、その後、フッ素コーティング剤(商品名:DURASURF DS−5200、HARVES社製)を液滴滴下にて塗布した。さらに一晩放置後、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)にて洗浄し、室温で乾燥した。
この基板を剥離液に5分間浸漬し、残ったレジスト膜を取り除き、アセトン、洗浄液(商品名:Novec7300、3M社製)順で洗浄した。これにより、図4に示すようにガラス基板30上に高表面自由エネルギー領域31と低表面自由エネルギー領域32とがパターンニングされた(部分的にフッ素コーティングされた)原版6を得た。高表面自由エネルギー領域31と低表面自由エネルギー領域32の線幅は、共に5μm(以下5μmL&Sと記す。)であった。
図5は、パターニングされた原版を用いて転写用の樹脂組成物を硬化させる硬化工程の概略を示す断面図である。図5に示すように、PETフィルム41上に転写用の樹脂組成物42をバーコーター(wet膜厚8μm相当)で塗布し、これをパターニング原版30に密着させ、露光機Bを用いてPET面より露光硬化させた。このときの照射量は、6J/cmであった。パターニング原版30よりフィルムを剥離し、PETフィルム41上に原版6の表面自由エネルギーが転写された硬化樹脂層を得た。
表3に示すように、原版6のパターンが転写された硬化樹脂層表面の表面自由エネルギー差は、原版5が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーと、原版1が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーとの差より34.6mJ/mとみなした。
そして、図6に示すように、硬化樹脂層の表面に油性ペンを塗り、インクの付着状態を顕微鏡で観察した。硬化樹脂層42には、表面に配向するフッ素含有分子が多い部分42aと、表面に配向するフッ素含有分子が少ない部分42bとが形成され、フッ素含有分子が少ない部分42bにのみ選択的にインク50を付着させた。なお、油性ペンは、市販のゼブラ社製マッキーを用いた。
図7は、原版6のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。パターンの表面自由エネルギー差が大きいため、5μmのライン&スペースに良好に塗り分けることができた。
[原版7の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタデカフルオロデシル)シラン(SYNQUESTLab社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版6と同様にして5μmL&Sのパターンニングされた原版7を作成した。
次に、原版6と同様にして、原版7のパターンが転写された硬化樹脂層を得た。表3に示すように、原版7のパターンが転写された硬化樹脂層表面の表面自由エネルギー差は、原版5が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーと、原版2が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーとの差より31.9mJ/mとみなした。
図8は、原版7のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。原版6と同様に硬化樹脂層の表面に油性ペンを塗った結果、パターンの表面自由エネルギー差が大きいため、5μmのライン&スペースに良好に塗り分けることができた。
[原版8の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン(東京化成社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版6と同様にして5μmL&Sのパターンニングされた原版8を作成した。
次に、原版6と同様にして、原版8のパターンが転写された硬化樹脂層を得た。表3に示すように、原版8のパターンが転写された硬化樹脂層表面の表面自由エネルギー差は、原版5が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーと、原版3が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーとの差より24.8mJ/mとみなした。
図9は、原版8のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。原版6と同様に硬化樹脂層の表面に油性ペンを塗った結果、一部不良部分があったものの、5μmのライン&スペースに塗り分けることができた。
[原版9の作成及び転写]
フッ素コーティング剤として、0.15%トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ヘプタフルオロペンチル)シラン(東京化成社製)のNovec7200(3M社製)溶液を用いた以外は、原版6と同様にして5μmL&Sのパターンニングされた原版9を作成した。
次に、原版6と同様にして、原版9のパターンが転写された硬化樹脂層を得た。表3に示すように、原版9のパターンが転写された硬化樹脂層表面の表面自由エネルギー差は、原版5が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーと、原版4が転写された硬化樹脂層の表面自由エネルギーとの差より6.0mJ/mとみなした。
図10は、原版9のパターンが転写された硬化樹脂層表面のインクの塗布状態を示す光学顕微鏡の写真である。原版6と同様に硬化樹脂層の表面に油性ペンを塗った結果、一部分のみであるが5μmのライン&スペースに塗り分けることができた。
表3に示す評価結果より、インクの塗り分けを行うためには、パターンの表面自由エネツギー差△が6.0mJ/mより大きいことが好ましく、24.8mJ/m以上であることがより好ましいことが分かった。
<実施例2>
実施例2では、5μmのL&Sのパターンを有する硬化樹脂層、及び0.5μmのL&Sのパターンを有する硬化樹脂層にインクを塗布し、顕微鏡、FE−SEM、AFMを用いて表面を観察した。
表4に、インクの配合(質量部)を示す。なお、このインクは、転写用の樹脂組成物からパーフルオロポリエーテル含有アクリレート(KY−1203、信越化学工業社製)を除いたものである。

TMM-3:ペンタエリスリトールトリアクリレート、新中村化学社製
OTA-480:プロピレングリコール変性グロセリントリアクリレート、ダイセル・オルネクス社製
AE-400:ポリエチレンエチレングリコールモノアクリレート #400 、日油株式会社製
イルガキュア184:BASF社製
[5μmのL&Sのインクパターンの作成]
厚さ100μmのPETフィルム(商品名:ルミラーU−48、東レ社製)上に転写用の樹脂組成物をバーコーター(wet膜厚8μm相当)で塗布し、これを原版6に密着させ、露光機2を用いてPET面より露光硬化させた。このときの照射量は、6J/cmであった。原版6よりフィルムを剥離し、PETフィルム上に原版6の5μmのL&Sの表面自由エネルギー差△のパターンが転写された硬化樹脂層を得た。
次に、この硬化樹脂層上にインクをバーコーター(wet膜厚1.5μm相当)で塗布し、窒素雰囲気下で露光機2を用いてPET面より露光硬化させ、5μmのL&Sのインクパターンを作成した。このときの照射量は、1.5J/cmであった。
図11〜14は、それぞれ5μmのL&Sのインクパターンの光学顕微鏡による表面観察画像、FE−SEMによる表面観察画像、FE−SEMによる断面観察画像、及びAFMによる観察画像である。これらの観察画像より、原版6の5μmの線幅でインク付着部とインク非付着部が観測され、べた塗りした場合でも選択的塗布が可能であり、寸法安定性に優れたパターンが得られることが分かった。
[0.5μmのL&Sのインクパターンの作成]
露光方法を二光束露光法に変えた以外は、原版6と同様にして0.5μmL&Sのパターンニングされた原版10を作成した。そして、5μmのL&Sのインクパターンの作成と同様にして、0.5μmのL&Sのインクパターンを作成した。
図15〜18は、それぞれ0.5μmのL&Sのインクパターンの光学顕微鏡による表面観察画像、FE−SEMによる表面観察画像、FE−SEMによる断面観察画像、及びAFMによる観察画像である。これらの観察画像より、原版10の0.5μmの線幅でインク付着部とインク非付着部が観測され、べた塗りした場合でも選択的塗布が可能であり、寸法安定性に優れたパターンが得られることが分かった。
以上説明したように、低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する樹脂組成物を、表面自由エネルギー差によるパターンが形成された原版に接触させて硬化させることにより、原版のパターンが転写され、ファインピッチかつ寸法安定性に優れた表面自由エネルギーのパターンを有する基材フィルムを得ることができる。
また、基材フィルム上に、樹脂組成物等のインクを塗布するだけで、塗布物の付着と非付着を、フィルムに形成された表面自由エネルギー差のパターンにより選択塗布することができ、非付着部のインクを取り去る必要もない。また、表面自由エネルギー差によるパターンは、サブミクロンも可能であり、原版からの再現性、寸法安定性に優れる。
11 基材、12 硬化樹脂層、13 樹脂組成物、20 原版、21 高表面自由エネルギー領域、22 低表面自由エネルギー領域、30 ガラス基板、31 高表面自由エネルギー領域、32 低表面自由エネルギー領域、41 PETフィルム、42 樹脂組成物、42a フッ素含有分子が多い部分、42b フッ素含有分子が少ない部分、50 インク

Claims (9)

  1. 第1の領域と、該第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、
    前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、6mJ/mよりも大きく、
    前記第1の領域と前記第2の領域とが、平滑に形成されてなり、
    前記パターンが、フッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物を含有する樹脂組成物の硬化物で形成されてなり、
    前記第1の領域の表面に配向するフッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物が、前記第2の領域よりも多い硬化樹脂成形体。
  2. 前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、20mJ/m以上である請求項1記載の硬化樹脂成形体。
  3. 前記樹脂組成物が、ラジカル重合型である請求項記載の硬化樹脂成形体。
  4. 低い表面自由エネルギーを発現させる第1の化合物と、前記第1の化合物よりも高い表面自由エネルギーを発現させる第2の化合物とを含有する樹脂組成物を基材上に塗布する塗布工程と、
    前記樹脂組成物を表面自由エネルギー差によるパターンが形成された原版に接触させて硬化させ、前記基材上に前記原版のパターンが転写された硬化樹脂層を形成する硬化工程と、
    前記原版から前記硬化樹脂層を剥がし、第1の領域と、該第1の領域よりも表面自由エネルギーが高い第2の領域とにより形成されたパターンを有し、前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、6mJ/mよりも大きく、前記第1の領域と前記第2の領域とが、平滑に形成されてなる硬化樹脂成形体を得る工程と
    を有する硬化樹脂成形体の製造方法。
  5. 前記第1の領域と前記第2の領域との表面自由エネルギーの差が、20mJ/m以上である請求項記載の硬化樹脂成形体の製造方法。
  6. 前記パターンが、フッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物を含有する樹脂組成物の硬化物で形成されてなり、
    前記第1の領域の表面に配向するフッ素樹脂系化合物、又はシリコーン樹脂系化合物が、前記第2の領域よりも多い請求項4又は5記載の硬化樹脂成形体の製造方法。
  7. 前記樹脂組成物が、ラジカル重合型である請求項4乃至6のいずれか1項に記載の硬化樹脂成形体の製造方法。
  8. 前記原版の基材が、ガラスである請求項4乃至7のいずれか1項に記載の硬化樹脂成形体の製造方法。
  9. 前記硬化樹脂層上にインク組成物を塗布、硬化させる加工工程をさらに有する請求項4乃至8のいずれか1項に記載の硬化樹脂成形体の製造方法。
JP2013254705A 2013-12-10 2013-12-10 硬化樹脂成形体 Active JP6406817B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013254705A JP6406817B2 (ja) 2013-12-10 2013-12-10 硬化樹脂成形体
US15/102,362 US10564547B2 (en) 2013-12-10 2014-10-30 Pattern formed body
EP14868981.3A EP3081989A4 (en) 2013-12-10 2014-10-30 Pattern formed body
CN201480066888.7A CN105814490A (zh) 2013-12-10 2014-10-30 图案形成体
PCT/JP2014/078846 WO2015087634A1 (ja) 2013-12-10 2014-10-30 パターン形成体
KR1020167018307A KR102269700B1 (ko) 2013-12-10 2014-10-30 패턴 형성체
TW103138508A TW201534490A (zh) 2013-12-10 2014-11-06 圖案形成體

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013254705A JP6406817B2 (ja) 2013-12-10 2013-12-10 硬化樹脂成形体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015115384A JP2015115384A (ja) 2015-06-22
JP6406817B2 true JP6406817B2 (ja) 2018-10-17

Family

ID=53370951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013254705A Active JP6406817B2 (ja) 2013-12-10 2013-12-10 硬化樹脂成形体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10564547B2 (ja)
EP (1) EP3081989A4 (ja)
JP (1) JP6406817B2 (ja)
KR (1) KR102269700B1 (ja)
CN (1) CN105814490A (ja)
TW (1) TW201534490A (ja)
WO (1) WO2015087634A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6381971B2 (ja) * 2014-05-30 2018-08-29 デクセリアルズ株式会社 表面自由エネルギー転写用光硬化性樹脂組成物、及びこれを用いた基板の製造方法
JP6453622B2 (ja) * 2014-11-21 2019-01-16 デクセリアルズ株式会社 配線基板の製造方法、及び配線基板
WO2017018103A1 (ja) * 2015-07-30 2017-02-02 デクセリアルズ株式会社 配線基板の製造方法、及び配線基板
US10477694B2 (en) 2015-07-30 2019-11-12 Dexerials Corporation Wiring board manufacturing method and wiring board
CN108020258A (zh) * 2017-11-09 2018-05-11 清华大学 制备偏光下可视的图案的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60226534A (ja) 1984-04-24 1985-11-11 Shin Etsu Chem Co Ltd 表面改質合成樹脂成形品
JPS60245643A (ja) 1984-05-21 1985-12-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 表面改質合成樹脂成形品
US5312716A (en) * 1991-06-06 1994-05-17 Asahi Glass Company Ltd. Process for producing a semiconductor
MY120404A (en) 1993-10-15 2005-10-31 Kuraishiki Boseki Kabushiki Kaisha Process for modifying the surfaces of the molded materials made of fluorine resins
JP2983438B2 (ja) * 1993-10-15 1999-11-29 倉敷紡績株式会社 フッ素樹脂成形体表面の改質法
JP4064125B2 (ja) 2002-02-22 2008-03-19 株式会社クラレ フレネルレンズシートおよびその製造方法
JP3963730B2 (ja) * 2002-01-25 2007-08-22 パナソニック コミュニケーションズ株式会社 印刷版、印刷装置、及び印刷方法
WO2004027889A1 (ja) * 2002-09-19 2004-04-01 Daikin Industries, Ltd. パターン表面をテンプレートとして用いる材料とその製法
JP2005052686A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Nitto Denko Corp パターン塗布方法、光学フィルム及び画像表示装置
JP4924424B2 (ja) * 2005-06-03 2012-04-25 ダイキン工業株式会社 フォトリソグラフィー用電磁波硬化組成物
JP2007069177A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Dainippon Printing Co Ltd 親疎水パターニング装置、親疎水パターニング方法
KR100873765B1 (ko) * 2005-09-29 2008-12-15 파나소닉 주식회사 전자 회로 구성 부재의 마운트 방법 및 마운트 장치
GB2432044A (en) * 2005-11-04 2007-05-09 Seiko Epson Corp Patterning of electronic devices by brush painting onto surface energy modified substrates
JP2009071037A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Konica Minolta Holdings Inc 導電膜パターンの形成方法
US8999492B2 (en) * 2008-02-05 2015-04-07 Micron Technology, Inc. Method to produce nanometer-sized features with directed assembly of block copolymers
JP5585209B2 (ja) * 2009-05-28 2014-09-10 株式会社リコー 電気機械変換素子の製造方法、該製造方法により製造した電気機械変換素子、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置
JP5744112B2 (ja) 2013-06-11 2015-07-01 デクセリアルズ株式会社 パターン形成体の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015087634A1 (ja) 2015-06-18
US20170261857A1 (en) 2017-09-14
US10564547B2 (en) 2020-02-18
CN105814490A (zh) 2016-07-27
EP3081989A1 (en) 2016-10-19
EP3081989A4 (en) 2017-08-23
JP2015115384A (ja) 2015-06-22
KR102269700B1 (ko) 2021-06-25
TW201534490A (zh) 2015-09-16
KR20160096669A (ko) 2016-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6406817B2 (ja) 硬化樹脂成形体
JP4625042B2 (ja) インプリントリソグラフィ
TWI398902B (zh) 軟式鑄模與製造此鑄模之方法
JP5761320B2 (ja) マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法
WO2014024423A1 (ja) モールドの製造方法およびそれを利用して製造されたモールド
JP5744112B2 (ja) パターン形成体の製造方法
JP4658997B2 (ja) パターン形成用レジン組成物及びこれを利用するインプレーンプリンティング工程方法
US8690559B2 (en) Nano-imprinting resin stamper and nano-imprinting apparatus using the same
KR102201321B1 (ko) 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법
JP6996333B2 (ja) ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法
JP6381971B2 (ja) 表面自由エネルギー転写用光硬化性樹脂組成物、及びこれを用いた基板の製造方法
US10477694B2 (en) Wiring board manufacturing method and wiring board
US10136521B2 (en) Wiring board and method for manufacturing the same
WO2017018103A1 (ja) 配線基板の製造方法、及び配線基板
JP2017103384A (ja) インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161104

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171211

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180801

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180904

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180918

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6406817

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250