KR102564773B1 - 방사선 검출기, 방사선 검출기의 제조 방법 및 장치, 및 신틸레이터 패널, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

신틸레이터층과 반사층 또는 방습층과의 부착력을 향상시킬 수 있는 방사선 검출기, 방사선 검출기의 제조 방법 및 장치, 및 신틸레이터 패널, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 장치를 제공한다. 방사선 검출기는, 광전 변환 기판(11)과, 상기 광전 변환 기판 상에 진공 증착법에 의하여 형성되고, 주재료와 도프재를 포함하는 신틸레이터층과, 상기 신틸레이터층의 표면측에, 상기 신틸레이터층의 표면 형상을 따라 형성된 반사층 또는 방습층을 구비한다. 상기 신틸레이터층은, 상기 광전 변환 기판 상에 형성된 상기 주재료와 상기 도프재의 혼합층부와, 상기 혼합층부의 표면측에 형성된 상기 도프재만의 도프재층부를 가진다. 적어도 상기 도프재층부의 표면은, 요철 형상으로 형성되어 있다.

Description

방사선 검출기, 방사선 검출기의 제조 방법 및 장치, 및 신틸레이터 패널, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 장치
본 발명의 실시 형태는, 방사선을 검출하는 방사선 검출기, 방사선 검출기의 제조 방법 및 장치, 및 신틸레이터 패널, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 장치에 관한 것이다.
방사선 검출기 또는 신틸레이터 패널은 신틸레이터층을 구비하고 있다. 신틸레이터층은, 예를 들면, 탈륨 부활(賦活) 요오드화 세슘(CsI/Tl)으로 형성되어 있다. 신틸레이터층을 형성하려면, 주재료로서의 요오드화 세슘(CsI)과 도프재로서의 요오드화 탈륨(TlI)의 2 원 증착법이 유효하다. 또한, 음이온 원소를 구비하기 위하여, 탈륨(Tl)은 요오드화물인 요오드화 탈륨(TlI)으로서 도프된다.
Tl 농도(TlI 농도)를 조정함으로써, MTF(modulation transfer function) 특성 향상, 방사선에 의한 감도 열화 억제, 및 고스트 특성의 개선 등, 신틸레이터층의 특성을 조정하는 것이 알려져 있다.
그리고, 신틸레이터층의 표면측에는, 반사층, 또는 방습층이, 신틸레이터층의 표면 형상을 따라 형성된다. 상기 반사층은, 방사선의 입사에 의하여, 신틸레이터층에 의해 변환된 형광을, 예를 들면, 광전 변환 기판의 방향으로 반사시킨다. 상기 방습층은, 공기 중에 포함되는 수증기 등으로부터 신틸레이터층을 보호한다. 신틸레이터층과 반사층 또는 방습층과의 막의 박리를 억제하려면, 신틸레이터층과 반사층 또는 방습층과의 부착력이 높은 것이 바람직하다.
일본 특허 등록 공보 제6306334호
본 실시 형태는, 신틸레이터층과 반사층 또는 방습층과의 부착력을 향상시킬 수 있는 방사선 검출기, 방사선 검출기의 제조 방법 및 장치, 및 신틸레이터 패널, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 장치를 제공한다.
일 실시 형태의 방사선 검출기는, 광전 변환 기판과, 광전 변환 기판 상에 진공 증착법에 의하여 형성되고, 주재료와 도프재를 포함하는 신틸레이터층과, 신틸레이터층의 표면측에, 신틸레이터층의 표면 형상을 따라 형성된 반사층 또는 방습층을 구비한다. 신틸레이터층은, 상기 광전 변환 기판 상에 형성된 상기 주재료와 상기 도프재의 혼합층부와, 이 혼합층부의 표면측에 형성된 상기 도프재만의 도프재층부를 가진다. 적어도 도프재층부의 표면은, 요철 형상으로 형성되어 있다.
도 1은, 제1 실시 형태를 도시하는 방사선 검출기의 모식 단면도이다.
도 2는, 상기 방사선 검출기의 제조 장치의 모식 구성도이다.
도 3은, 상기 제조 장치의 전력 및 온도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4는, 상기 제조 장치의 전력 및 온도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 5는, 제2 실시 형태를 도시하는 신틸레이터 패널의 모식 단면도이다.
이하, 제1 실시 형태를, 도 1 내지 도 4를 참조하여 설명한다. 도 1에, 방사선 검출기(10)의 모식 단면도를 도시한다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 방사선 검출기(10)는, 방사선 화상인 X 선 화상을 검출하는 X 선 평면 검출기이다. 방사선 검출기(10)는, 예를 들면, 일반 의료 용도 등에 이용할 수 있다. 다만, 방사선 검출기(10)의 용도는, 일반 의료 용도에 한정되는 것은 아니다.
방사선 검출기(10)는, 광전 변환 기판(11), 이 광전 변환 기판(11) 상에 형성된 신틸레이터층(12), 이 신틸레이터층(12) 상에 형성된 반사층(13), 신틸레이터층(12) 및 반사층(13)을 덮는 방습체(14) 등을 구비하고 있다.
광전 변환 기판(11)은, 기판(15)과, 기판(15) 상에 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소를 구비하고 있다. 각각의 화소는, 포토 다이오드 등의 광전 변환 소자(16)와, 박막 트랜지스터를 가지고 있다. 광원 변환 소자(16)에 의하여 신틸레이터층(12)으로부터 입사하는 형광을 전기 신호로 변환하고, 박막 트랜지스터를 통하여 외부로 출력한다.
신틸레이터층(12)은, 탈륨 부활 요오드화 세슘(CsI/Tl)에 의하여 형성되어 있다. 신틸레이터층(12)은, 진공 증착법으로, 주재료인 요오드화 세슘(CsI)과 도프재인 요오드화 탈륨(TlI)을 포함하여, 기둥 형상으로 퇴적되어 성막되어 있다. 즉, 신틸레이터층(12)은, 광전 변환 기판(11)의 면 방향으로 복수의 직사각형 형상의 기둥 형상 결정(17)이 형성된 기둥 형상 결정 구조로 형성되어 있다. 그리고, 신틸레이터층(12)은, 방습체(14)측으로부터 입사하는 방사선을 형광으로 변환한다.
신틸레이터층(12)은, 광전 변환 기판(11) 상에 형성된 주재료인 요오드화 세슘과 도프재인 요오드화 탈륨으로 구성되는 혼합층부(12a)와, 이 혼합층부(12a)의 표면측에 형성된 도프재인 요오드화 탈륨만으로 구성되는 도프재층부(12b)를 가지고 있다. 그리고, 혼합층부(12a)의 표면은, 주재료인 요오드화 세슘과 도프재인 요오드화 탈륨이 서로 섞여 매끄러운 형상인 것임에 반해, 도프재층부(12b)의 표면은 도프재인 요오드화 탈륨의 결정립에 의하여 미세한 요철이 생겨있는 형상으로 형성되어 있다. 즉, 도프재층부(12b)의 표면은, 혼합층부(12a)의 표면보다 요철 형상의 조면(粗面)에 형성되어 있다.
반사층(13)은, 신틸레이터층(12)의 표면측에, 신틸레이터층(12)의 표면 형상을 따라 형성되어 있다. 즉, 반사층(13)은, 신틸레이터층(12)의 도프재층부(12b)의 표면에 부착되어 있다. 반사층(13)은, 신틸레이터층(12)에서 변환된 형광을 광전 변환 기판(11)을 향하여 반사시킨다.
방습체(14)는, 공기 중에 포함되는 수증기에 의하여, 신틸레이터층(12) 또는 반사층(13)의 특성이 열화하는 것을 억제하기 위하여 설치된다. 방습체(14)는, 해트(hat) 형상을 나타내고, 예를 들면, 알루미늄 합금 등으로 형성되어 있다. 방습체(14)의 주변의 플랜지부(14a)가 접합층(18)을 통하여 광전 변환 기판(11)에 접합되어 있다.
이어서, 도 2에, 방사선 검출기(10)의 신틸레이터층(12)을 형성하는 제조 장치(20)의 모식 구성도를 도시한다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 제조 장치(20)는, 증착 장치(21) 및 제어 장치(22)를 구비하고, 이들 증착 장치(21)와 제어 장치(22)가 전원용 또는 신호용의 각종 케이블(23)로 접속되어 있다.
증착 장치(21)는, 진공조(24)를 가지고 있다. 이 진공조(24) 내의 상부 측에, 광전 변환 기판(11)이 증착 마스크(25)에 장착된 상태로 배치된다. 증착 마스크(25)는 회전축(26)에 접속되어 있다. 회전축(26)은, 진공조(24)에 설치되는 도시하지 않은 회전 도입 플랜지를 통해 대기 중에 설치된 기판 회전용 모터(27)에 연결되어 있다. 또한, 증착 장치(21)는, 증착 마스크(25)에 장착된 광전 변환 기판(11)을 가열하는 도시하지 않은 기판 가열부를 구비하고 있다.
진공조(24) 내의 하부 측에는, 광전 변환 기판(11)에 대향하도록, 주재료를 수납하는 제1 도가니인 제1 증발원(28)이 배치되어 있다. 이 제1 증발원(28)에는, 광전 변환 기판(11)을 향하도록 주재료 증기가 분출하는 연돌(29)이 배치되어 있다. 제1 증발원(28)의 주위에는, 이 제1 증발원(28)을 가열하는 히터 등의 제1 가열부(30)가 배치되어 있다. 제1 증발원(28)의 상방에는, 광전 변환 기판(11)에 주재료 증기가 도달할지 여부를 제어하는 제1 셔터(31)가 개폐 가능하게 배치되어 있다. 또한, 제1 증발원(28)에는, 제1 증발원(28)의 온도를 측정하는 온도 측정부(제1 온도 측정부)(32)가 배치되어 있다.
진공조(24) 내에서 제1 증발원(28)과 광전 변환 기판(11)의 사이에는, 광전 변환 기판(11)에 대향하도록, 도프재를 수납하는 제2 도가니인 제2 증발원(33)이 배치되어 있다. 이 제2 증발원(33)도, 상부로부터 도프재 증기가 분출하는 구조로 되어 있다. 제2 증발원(33)의 주위에는, 이 제2 증발원(33)을 가열하는 히터인 제2 가열부(34)가 배치되어 있다. 제2 증발원(33)의 상방에는, 광전 변환 기판(11)에 도프재 증기가 도달할지 여부를 제어하는 제2 셔터(35)가 개폐 가능하게 배치되어 있다.
제2 증발원(33)은, 제2 증발원(33)의 질량을 측정하기 위한 변형 게이지(36)에 장착되어 있다. 변형 게이지(36)는, 알루미늄의 블록으로 이루어지고, 도 2 상에서는, 좌단 및 우단에 각각 연직 하방 및 연직 상방에 작용하는 힘에 의하여 생기는 블록의 변형을 검지하고, 전압 신호로서 출력하는 기능을 구비한 것이다. 본 실시 형태에서는, 변형 게이지(36)는, 좌단에 제2 증발원(33)의 전체 질량이 작용하도록 하고, 우단은 테이블(37)을 통하여 진공조(24) 내에 고정되어 있다. 결과적으로, 제2 증발원(33)의 질량에 따라 변형 게이지(36)의 변형량이 변동하도록 되어 있다. 또한, 제2 증발원(33)에는, 제2 증발원(33)의 온도를 측정하는 도시하지 않은 제2 온도 측정부가 배치되어 있다.
또한, 제어 장치(22)는, 제2 증발원(33)의 질량을 측정하는 질량계인 질량 측정부(40), 및 제조 장치(20)에 의한 제조 공정을 제어하는 제어부(41) 등을 구비하고 있다. 또한, 제어 장치(22)는, 기판 회전용 모터에 구동 전력을 공급하거나, 각 가열부(30, 34)에 전력을 공급하는 도시하지 않은 전원부를 구비하고 있어도 된다.
질량 측정부(40)는, 제2 증발원(33)의 질량에 따른 변형 게이지(36)로부터의 전압 신호를 입력하고, 질량 데이터로 변환한다. 질량 측정부(40)는, 제2 증발원(33)의 질량을 측정하고, 질량값을 리얼타임으로 제어부(41)에 BCD 신호로서 전송한다.
제어부(41)에는, 질량 측정부(40) 이외로부터도, 각 증발원(28, 33)의 온도(온도 측정부(32)로부터의 온도 정보를 포함함), 각 가열부(30, 34)의 전류 및 전압, 광전 변환 기판(11)의 온도, 각 셔터(31, 35)의 개폐 상태, 진공조(24) 내의 압력, 그 밖에 밸브의 개폐 상태 등, 증착 장치(21)의 구동에 관련된 신호가 받아들여진다. 또한, 제어부(41)는, 각 가열부(30, 34)의 온·오프 및 온 시의 전력, 광전 변환 기판(11)의 기판 가열부의 온·오프 및 온 시의 전력, 각 셔터(31, 35)의 개폐, 각 밸브의 개폐 등을, 증착 장치(21)의 각 기기로 제어 지령을 내리고 있다.
제어부(41)는, 제어 지령의 바탕이 되는 프로그램을 기억하고, 각종 기능을 가지고 있다. 그리고, 제어부(41)에는 다음의 기능이 포함된다.
온도 측정부(32)에서 측정된 제1 증발원(28)의 온도에 기초하여 제1 가열부(30)에 공급하는 전력을 제어하는 전력 제어부(42)의 기능.
제1 가열부(30)에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행한 것, 즉, 증착 종료를 판정하는 증착 종료 판정부(43)의 기능.
P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음이 판정됨으로써, 제2 증발원(33)으로부터의 증착을 정지시키는 증착 정지 제어부(44)의 기능.
이어서, 신틸레이터층(12)의 성막 공정에 대하여 설명한다. 주재료와 도프재의 2 원 증착을 행하는 경우, 증착 종료 프로세스의 설계가 중요하다. 즉, 주재료와 도프재의 광전 변환 기판(11)으로의 공급을 멈추는 타이밍을 적절히 제어할 필요가 있다.
증착 종료의 유력한 수단으로서, 1 공정에서 전체 재료의 증발을 완료시키는, 이른바 「전부 날림」 방법이 있다. 이 방식은, 미리 계량하여 각 증발원(28, 33)에 장치한 전체 재료를 증발에 사용하므로, 광전 변환 기판(11)에 부착한 신틸레이터층(12)의 막 두께의 재현성을 좋게 하는 유효한 방법이다. 이 때는, 전체 재료가 없어진 때가 증착 종료라고 하는 것이 된다. 단, 주재료와 도프재의 양방을 전부 날림 방식으로 하는 것은 불가능하다. 왜냐하면, 각 증발원(28, 33)에 수납한 주재료와 도프재를 전부 날리는 시간차를, 뱃치마다 원하는대로 하는 것은 어렵기 때문이다. 따라서, 일방을 전부 날려버리고, 타방을 셔터 개폐로 제어한다는 것이 현실적인 방법이다.
주재료쪽을 전술한 전부 날림이라고 생각하면, 도프재의 증착이 종료되는 타이밍이 주재료의 증착 종료에 대하여 상대적으로 너무 이른 때, 동시의 때, 너무 늦은 때에서, 각각 상이한 문제가 일어남을 생각할 수 있다.
우선, 너무 이른 때는, 주재료만 증착되는 시간대가 생긴다. 이 때, 신틸레이터층(12)의 최표면에 도프재 결핍층이 형성된다. 도프재 결핍층의 존재는, 신틸레이터층(12)의 감도 저하, 및 감도 고스트의 증대를 초래할 가능성이 있다.
동시의 때는, 특성적으로는 문제가 없으나, 기둥 형상 결정(17)의 최표면이 원활 형상이 된다. 이는, 신틸레이터층(12)을 구성하는 기둥 형상 결정(17) 상에 아무것도 형성하지 않으면 문제가 없으나, 반사층(13) 등을 형성할 때에는 막이 박리되는 문제가 생기기 쉬워진다. 이는, 전술한 너무 이른 때도 동일하다.
너무 늦은 때는, 다량의 도프재의 층이 신틸레이터층(12)의 표면에 형성되고, 이것이 신틸레이터층(12)에서 생긴 발광을 흡수하므로 신틸레이터층(12)의 감도가 저하된다.
본 실시 형태의 성막 공정에서는, 도프재층부(12b)의 막 두께를 적절히 설정한다.
본 실시 형태에서는, 도 3 및 도 4를 참조하여, 제1 증발원(28)의 가열 상태에 대해서도 설명한다. 도 3 및 도 4의 상단은, 제1 증발원(28)의 제1 가열부(30)에 가해지는 전력의 시간 변화를 나타내는 그래프이다. 꺾은 선 G은 직근(直近)(최근)의 단시간(τ1)=1 분간에서의 단시간 이동 평균의 값이며, 꺾은 선(J)은 직근(최근)의 장시간(τ2)=30 분간에서의 장시간 이동 평균의 값이며, 꺾은 선 H은 곡선(J)에 계수(K)=0.85를 곱한 값이다. 이들 값은, 증착 공정의 진행과 함께 리얼타임으로 산출되고, 후술의 증착 종료의 판정에 언제라도 사용할 수 있는 상태로 되어 있다. 또한, 도 3 및 도 4의 하단은, 제1 증발원(28)의 온도의 시간 변화를 나타내는 그래프이다.
도 2 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 그리고, 제1 증발원(28)에 주재료를 수납하고, 제2 증발원(33)에 도프재를 수납한다. 광전 변환 기판(11)을 증착 마스크(25)에 장착하고, 이 증착 마스크(25)를 회전축(26)에 장착한다.
이 상태에서, 진공조(24)를 닫고, 도시하지 않은 진공 펌프로 진공조(24) 내의 압력을 10-3Pa로 감압시킨다. 감압이 종료되면, 도 4에 있어서의 증착 공정의 제1 단계로 들어간다. 제1 단계는, 진공조(24) 내의 각 부분의 예비 가열을 행하는 단계이다.
우선, 기판 회전용 모터(27)로 광전 변환 기판(11)을 회전시키면서, 도시하지 않은 기판 가열부에서 광전 변환 기판(11)을 가열한다. 동시에, 제1 가열부(30) 및 제2 가열부(34)에 전력을 투입하고, 제1 증발원(28) 및 제2 증발원(33)의 가열을 개시한다. 제1 증발원(28)의 가열에 있어서는 온도 제어법을 이용한다. 즉, 제1 단계에서는, 제1 증발원(28)의 온도를 상온으로부터, 예를 들면, 700℃까지 120 분 들여서 일정한 레이트로 승온시키는 제어를 행한다. 이 때, 도 3에 도시하는 바와 같이, 단시간 이동 평균의 꺾은 선 G은 격렬히 상하 이동한다. 또한, 도 3 및 도 4에서는 생략하고 있으나, 제2 증발원(33)도 마찬가지로 온도 제어를 행하고 있다.
이어서, 증착 공정의 제2 단계에서는, 제1 증발원(28) 및 제2 증발원(33)의 온도가 각각, 예를 들면, 700℃및 410℃라고 하는 소정의 온도에 도달하면, 그 온도를 일정한 온도로 유지한다. 동일 시기에, 각 셔터(31, 35)가 개방되고, 각 증발원(28, 33)으로부터 주재료 증기 및 도프재 증기가 광전 변환 기판(11)을 향해 분출하고, 광전 변환 기판(11) 상에 신틸레이터층(12)을 구성하는 주재료와 도프재의 혼합층(12a)의 증착이 시작된다.
제2 단계의 동안에는, 제1 증발원(28)의 온도는 700℃로 일정하게 안정되어 있으므로, 특히 진공조(24) 내에서 변동 요인도 없고, 제1 가열부(30)에 공급하는 전력도 어느 한 값(예를 들면, 4200W)으로 대략 일정해진다. 단, 가끔, 온도의 약간의 상하 이동에 반응하여, 리플(g)이 관찰된다. 만약, 리플(g) 등이 원인으로, 단시간 이동 평균의 꺾은 선 G의 값이 일순간에라도 꺾은 선 H의 값을 밑돌면, 소프트웨어 상, 거기서 증착 종료라고 판단하여, 증착 장치의 오동작으로 연결된다. 이에, K의 값을 1 이하의 적절한 값으로 설정함으로써, 리플(g)이 발생해도, 꺾은 선 G이 결코 꺾은 선 H을 밑도는 일은 없도록 하였다. 예를 들면, 이번에는 K=0.85로 설정하였다.
혹은, 제2 단계를, 도 3 중의 구간 A 및 구간 B의 2 이상의 스텝으로 나누고, 아직 큰 리플(g)이 관찰되거나, 경험 상, 제1 증발원(28)의 주재료가 고갈되는 일이 있을 수 없다고 생각되어지는 시간대로서의 구간 A를 설치하고, 그곳에서는 리플(g)이 꺾은 선 H을 밑돌아도, 증착 종료라고 판단하지 않도록 프로그램할 수도 있다.
제2 단계, 혹은 제2 단계의 구간 B에서, 제1 증발원(28)에 수납된 주재료가 전량 증발하고, 제1 증발원(28) 중의 주재료가 고갈되면, 지금까지 가열 전력 중, 주재료의 증발열에 소비되어 있던 만큼이 제1 증발원(28)에 남으므로, 도 4의 구간 C에 도시하는 바와 같이, 제1 증발원(28)의 온도(곡선(L))가 다소 상승한다.
원래 설정값 700℃로 일정 온도 제어하고 있던 제1 증발원(28)의 온도가 상승하면, 온도를 원래의 값으로 되돌리고자, 제1 가열부(30)에 공급하는 전력은 급격히 감소한다. 제1 가열부(30)에 공급하는 전력이 급격하게 감소하면, 단시간 이동 평균의 곡선 G의 값도 그에 추종하여 신속히 감소한다. 그러나, 장시간 이동 평균의 꺾은 선(J)의 값은 그다지 급격하게는 저하하지 않는다. 결과적으로, 단시간 이동 평균의 꺾은 선 G의 값이 꺾은 선 H의 값을 도 4의 점 E에서 밑돌게 된다.
이 때, 제어부(41)의 증착 종료 판정부(43)에서는, 제1 가열부(30)에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K ≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했는지의 여부를 감시하고 있다. 그 때문에, 증착 종료 판정부(43)는, 도 4의 점 E에서, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1) ≤K·P(τ2)의 관계로 이행했다고 판정, 즉, 증착 종료라고 판정한다.
제어부(41)의 증착 정지 제어부(44)는, P(τ1) ≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음이 판정됨으로써, 제2 증발원(33)으로부터의 증착을 정지시킨다. 증착의 정지는, 광전 변환 기판(11)에 도프재 증기가 도달하지 않도록 제2 셔터(35)를 닫는다. 또한, 제어부(41)는, 증착 장치(21)의 각 가열부(30, 34)로의 전력의 공급을 정지하고, 냉각 구간에 전체의 가열을 종료시킨다.
또한, 구간 C의 동안에는, 주재료가 고갈되고, 도프재만이 증착되고, 신틸레이터층(12)의 혼합층부(12a)의 표면측에 도프재층부(12b)가 형성된다. 따라서, 구간 C의 시간은, 도프재층부(12b)의 막 두께에 비례한다. 이 구간 C의 길이는, 장시간 이동 평균에 곱하는 계수(K)의 크기, 및 단기 이동 평균의 평균 시간(τ1)에 의하여 변동한다. K가 작을수록, τ1이 클수록, 구간 C는 길어진다. 따라서, 이들 값의 증감에 의하여, 도프재층부(12b)의 막 두께를 적절히 조정할 수 있다. 본 실시 형태에서는, τ1=1 분, K=0.85로 설정함으로써, 도 1과 같이, 도프재층부(12b)의 막 두께를 0.1~0.3μm 정도로 억제하고, 또한 도프재층부(12b)의 표면이 혼합층부(12a)의 표면보다 요철 형상으로 형성된다. 이 이상의 후막은, 도프재층부(12b)가 광 흡수층이 되어, 특성의 열화를 일으킴을 알아냈다.
또한, 도프재층부(12b)의 표면의 요철의 공간적 주기는, 신틸레이터층(12)의 표면측의 요철의 공간적 주기, 즉, 복수의 기둥 형상 결정(17)의 선단 간의 요철의 공간적 주기보다 충분히 작지 않으면, 반사층(13)의 부착력을 향상시키는 효과는 작다. 그 때문에, 도프재층부(12b)의 표면의 요철의 공간적 주기는, 신틸레이터층(12)의 표면측의 요철의 공간적 주기, 즉, 복수의 기둥 형상 결정(17)의 선단 간의 요철의 공간적 주기의 1/5 이하가 되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 신틸레이터층(12)의 기둥 형상 결정(17)의 지름이 10μm인 경우, 도프재층부(12b)의 요철의 공간적 주기는 2μm 이하가 되므로, 도프재층부(12b)의 표면측에 형성되는 반사층(13)의 부착력이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 제2 단계가 종료하면, 냉각 단계가 된다. 냉각이 끝난 때에, 진공조(24) 내에 아르곤 가스를 도입하고, 압력이 대기압으로 되돌아오면, 광전 변환 기판(11)을 취출한다.
그리고, 진공 증착 공정을 거친 광전 변환 기판(11)은, 신틸레이터층(12)의 표면측에 반사층(13)을 도포 형성한다. 이어서, 방습체(14)를 신틸레이터층(12)과 반사층(13)을 감싸도록 배치하고, 광전 변환 기판(11)과 일체가 되도록, 방습체(14)의 플랜지부(14a)와 광전 변환 기판(11)을 접합층(18)을 통하여 접합한다. 상기에서 광전 변환 기판(11)을 기판으로 하는 방사선 검출기(10)가 완성된다.
이와 같이, 방사선 검출기(10)에 의하면, 신틸레이터층(12)은, 주재료와 도프재로 구성되는 혼합층부(12a)와, 이 혼합층부(12a)의 표면측에 형성된 도프재만의 도프재층부(12b)를 가지고, 혼합층부(12a)의 표면은 주재료와 도프재가 서로 섞여 매끄러운 형상인 것임에 반해, 도프재층부(12b)의 표면은 도프재의 결정립에 의하여 미세한 요철이 생겨있는 형상으로 형성, 즉, 도프재층부(12b)의 표면은, 혼합층부(12a)의 표면보다 요철 형상으로 형성되어 있다. 그 때문에, 신틸레이터층(12)의 표면측에 형성되는 반사층(13)은, 도프재층부(12b)의 표면에 형성되어, 신틸레이터층(12)에 대한 부착력을 향상시킬 수 있고, 막 박리를 억제할 수 있다.
또한, 방사선 검출기(10)의 제조 방법 및 제조 장치(20)에 의하면, 제1 증발원(28)의 온도를 측정하는 온도 측정 공정과, 온도 측정부(32)에서 측정된 제1 증발원(28)의 온도에 기초하여 제1 가열부(30)에 공급하는 전력을 제어하는 전력 제어 공정과, 제1 가열부(30)에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행한 것, 즉, 증착 종료를 판정하는 증착 종료 판정 공정과, P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음이 판정됨으로써, 제2 증발원(33)으로부터의 증착을 정지시키는 증착 정지 제어 공정을 포함하고 있다. 그 때문에, 주재료와 도프재로 구성되는 혼합층부(12a)와, 이 혼합층부(12a)의 표면측에 형성된 도프재만의 도프재층부(12b)를 가지는 신틸레이터층(12)을 형성할 수 있다. 이와 같이 형성된 신틸레이터층(12)의 표면측에 반사층(13)을 형성함으로써, 반사층(13)은, 도프재층부(12b)의 표면에 형성되고, 신틸레이터층(12)에 대한 부착력을 향상시킬 수 있어, 신틸레이터층(12)과의 밀착성을 확보할 수 있다.
그리고, 신틸레이터층(12)과 반사층(13)의 부착력이 향상됨으로써, 신틸레이터층(12)과 반사층(13)의 사이에 접착재 등을 개재시킬 필요가 없으며, 코스트 삭감 및 접착재에서의 광 산란을 방지하여, 해상도 특성의 향상에 기여하게 된다.
또한, 신틸레이터층(12)의 표면측에는, 반사층(13)을 대신하여, 방습층을 신틸레이터층(12)의 표면 형상을 따라 형성해도 된다. 방습층을 형성한 경우에도, 방습층은, 도프재층부(12b)의 표면에 형성되고, 신틸레이터층(12)에 대한 부착력을 향상시킬 수 있어, 신틸레이터층(12)과의 밀착성을 확보할 수 있다.
또한, 도 5에 제2 실시 형태를 도시한다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 제1 실시 형태의 신틸레이터층(12)의 구조, 제조 방법 및 제조 장치(20)는, 신틸레이터 패널(50), 및 이 신틸레이터 패널(50)의 제조 방법 및 제조 장치에도 적용할 수 있다.
신틸레이터 패널(50)은, 방사선이 투과하는 기판(51), 이 기판(51) 상에 형성된 신틸레이터층(12), 이 신틸레이터층(12)을 덮는 방습층(52) 등을 구비하고 있다. 신틸레이터층(12)은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 혼합층부(12a)와 도프재층부(12b)를 가지고 있다.
방습층(52)은, 예를 들면, 폴리-p-크실릴렌의 CVD(chemical vapor deposition)법에 의해 형성되어 있다.
도 2 및 도 5에 도시하는 바와 같이, 그리고, 기판(51)을 증착 마스크(25)에 장착하여 진공조(24) 내에 배치하고, 상술한 진공 증착법에 의하여, 기판(51) 상에 신틸레이터층(12)을 형성한다.
이와 같이 형성된 신틸레이터 패널(50)은, 방습층(52)의 표면측(기판(51)과 반대측)에, 예를 들면, 광전 변환 기판을 조합하여 방사선 검출기로서 구성된다. 신틸레이터 패널(50)은, 기판(51)측으로부터 입사하는 방사선을 신틸레이터층(12)에서 형광으로 변환한다.
따라서, 신틸레이터 패널(50), 및 이 신틸레이터 패널(50)의 제조 방법 및 제조 장치(20)에서도, 제1 실시 형태와 같은 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한, 각 실시 형태의 신틸레이터층(12)의 재료로서는, 탈륨 부활 요오드화 세슘(CsI/Tl), 유로퓸 부활 브롬화 세슘(CsBr/Eu), 나트륨 부활 요오드화 세슘(CsI/Na), 탈륨 부활 요오드화 나트륨(NaI/Tl) 등의 어느 하나여도 된다.
본 발명의 몇 가지 실시 형태를 설명했으나, 이들 실시 형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시 형태는, 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 다양한 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시 형태 또는 그 변형은, 발명의 범위 또는 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.

Claims (6)

  1. 광전 변환 기판과,
    상기 광전 변환 기판 상에 진공 증착법에 의하여 형성되고, 주재료와 도프재를 포함하는 신틸레이터층과,
    상기 신틸레이터층의 표면측에, 상기 신틸레이터층의 표면 형상을 따라 형성된 반사층 또는 방습층
    을 구비하고,
    상기 신틸레이터층은 복수의 기둥 형상 결정 구조를 구비하고, 각 기둥 형상 결정 구조는 상기 광전 변환 기판 상에 형성된 상기 주재료와 상기 도프재의 혼합층부와, 이 혼합층부의 표면측에 형성된 상기 도프재만의 도프재층부를 가지고,
    상기 각 기둥 형상 결정 구조의 적어도 상기 도프재층부의 표면은 요철 형상으로 형성되어 있고,
    상기 요철 형상의 공간적 주기가 상기 기둥 형상 결정 구조의 공간적 주기 보다 작은, 방사선 검출기.
  2. 진공 중에서, 광전 변환 기판과 주재료를 수납한 제1 증발원을 대향시키고, 또한, 상기 광전 변환 기판과 도프재를 수납한 제2 증발원을 대향시켜, 이들 제1 증발원 및 제2 증발원을 제1 가열부 및 제2 가열부에서 각각 가열하는 진공 증착법에 의하여, 상기 광전 변환 기판 상에 신틸레이터층을 형성하는 방사선 검출기의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 증발원의 온도를 측정하고,
    측정된 상기 제1 증발원의 온도에 기초하여 상기 제1 가열부에 공급하는 전력을 제어하고,
    상기 제1 가열부에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음을 판정하고,
    P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행한 때에, 상기 제2 증발원으로부터의 증착을 정지하는 방사선 검출기의 제조 방법.
  3. 진공 중에서, 광전 변환 기판과 주재료를 수납한 제1 증발원을 대향시키고, 또한, 상기 광전 변환 기판과 도프재를 수납한 제2 증발원을 대향시켜, 이들 제1 증발원 및 제2 증발원을 제1 가열부 및 제2 가열부에서 각각 가열하는 진공 증착법에 의하여, 상기 광전 변환 기판 상에 신틸레이터층을 형성하는 방사선 검출기의 제조 장치에 있어서,
    상기 제1 증발원의 온도를 측정하는 온도 측정부와,
    측정된 상기 제1 증발원의 온도에 기초하여 상기 제1 가열부에 공급하는 전력을 제어하는 전력 제어부와,
    상기 제1 가열부에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음을 판정하는 증착 종료 판정부와,
    P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음이 판정됨으로써, 상기 제2 증발원으로부터의 증착을 정지시키는 증착 정지 제어부를 구비하는 방사선 검출기의 제조 장치.
  4. 방사선이 투과하는 기판과,
    상기 기판 상에 진공 증착법에 의하여 형성되고, 주재료와 도프재를 포함하는 신틸레이터층과,
    상기 신틸레이터층의 표면측에, 상기 신틸레이터층의 표면 형상을 따라 형성된 방습층
    을 구비하고,
    상기 신틸레이터층은 복수의 기둥 형상 결정 구조를 구비하고, 각 기둥 형상 결정 구조는 상기 기판 상에 형성된 상기 주재료와 상기 도프재의 혼합층부와, 이 혼합층부의 표면측에 형성된 상기 도프재만의 도프재층부를 가지고,
    상기 각 기둥 형상 결정 구조의 적어도 상기 도프재층부의 표면은 요철 형상으로 형성되어 있고,
    상기 요철 형상의 공간적 주기가 상기 기둥 형상 결정 구조의 공간적 주기 보다 작은, 신틸레이터 패널.
  5. 진공 중에서, 방사선이 투과하는 기판과 주재료를 수납한 제1 증발원을 대향시키고, 또한, 상기 기판과 도프재를 수납한 제2 증발원을 대향시키고, 이들 제1 증발원 및 제2 증발원을 제1 가열부 및 제2 가열부에서 각각 가열하는 진공 증착법에 의하여, 상기 기판 상에 신틸레이터층을 형성하는 신틸레이터 패널의 제조 방법에 있어서,
    상기 제1 증발원의 온도를 측정하고,
    측정된 상기 제1 증발원의 온도에 기초하여 상기 제1 가열부에 공급하는 전력을 제어하고,
    상기 제1 가열부에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터, P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음을 판정하고,
    P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행으로 한 때에, 상기 제2 증발원으로부터의 증착을 정지하는 신틸레이터 패널의 제조 방법.
  6. 진공 중에서, 방사선이 투과하는 기판과 주재료를 수납한 제1 증발원을 대향시키고, 또한, 상기 기판과 도프재를 수납한 제2 증발원을 대향시키고, 이들 제1 증발원 및 제2 증발원을 제1 가열부 및 제2 가열부에서 각각 가열하는 진공 증착법에 의하여, 상기 기판 상에 신틸레이터층을 형성하는 신틸레이터 패널의 제조 장치에 있어서,
    상기 제1 증발원의 온도를 측정하는 온도 측정부와,
    측정된 상기 제1 증발원의 온도에 기초하여 상기 제1 가열부에 공급하는 전력을 제어하는 전력 제어부와,
    상기 제1 가열부에 공급하는 전력의 직근 단시간(τ1)에서의 단시간 이동 평균을 P(τ1), 직근 단시간(τ1)보다 긴 직근 장시간(τ2)에서의 장시간 이동 평균을 P(τ2), 계수를 K(0＜K≤1)로 하고, P(τ1)＞K·P(τ2)의 관계로부터 P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음을 판정하는 증착 종료 판정부와,
    P(τ1)≤K·P(τ2)의 관계로 이행했음이 판정됨으로써, 상기 제2 증발원으로부터의 증착을 정지시키는 증착 정지 제어부를 구비하는 신틸레이터 패널의 제조 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008051793A (ja) * 2006-03-02 2008-03-06 Canon Inc 放射線検出装置及びシンチレータパネル

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8600696A (nl) 1986-03-19 1987-10-16 Philips Nv Stralings conversie scherm.
US5753918A (en) * 1995-10-19 1998-05-19 Optoscint, Inc. Superior performance subassembly for scintillation detection and detectors employing the subassembly
JP4102084B2 (ja) * 2002-03-07 2008-06-18 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法
WO1999066346A1 (fr) 1998-06-18 1999-12-23 Hamamatsu Photonics K.K. Plaque de scintillateurs, capteur d'image radiologique et procede de fabrication
WO1999066350A1 (fr) * 1998-06-18 1999-12-23 Hamamatsu Photonics K.K. Panneau de scintillateur et capteur d'image radiologique
JP4234303B2 (ja) * 2000-05-19 2009-03-04 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器
EP1441019A1 (en) * 2002-12-25 2004-07-28 Konica Minolta Holdings, Inc. Radiographic image conversion panel
JP2004333381A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Canon Inc 放射線検出装置、及びその製造方法
JP5107500B2 (ja) * 2003-08-20 2012-12-26 公益財団法人国際科学振興財団 蒸着装置
DE102004048378A1 (de) * 2004-10-01 2006-04-13 Universität Leipzig Zinkoxid-Dünnfilm mit intensiver und lateral homogener Lumineszenz bei Raumtemperatur und Verfahren zu seiner Herstellung
JP5365720B2 (ja) * 2005-06-10 2013-12-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶及びその製造方法
JP2007114134A (ja) 2005-10-24 2007-05-10 Fujifilm Corp 放射線像変換パネルの製造方法
US20090072150A1 (en) * 2006-04-20 2009-03-19 Trissel Richard G Scintillator-based micro-radiographic imaging device
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
JP5521273B2 (ja) * 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
JP2009084471A (ja) 2007-10-01 2009-04-23 Konica Minolta Medical & Graphic Inc シンチレータプレート
US8476605B2 (en) 2009-06-26 2013-07-02 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel, method of producing scintillator panel, radiation image detector and method of producing radiation image detector
EP2530682B1 (en) * 2010-01-29 2019-11-20 Hamamatsu Photonics K.K. Radiation image conversion panel
JP6018854B2 (ja) * 2012-09-14 2016-11-02 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル、及び、放射線検出器
JP6092568B2 (ja) * 2012-10-11 2017-03-08 キヤノン株式会社 放射線検出装置及び放射線検出システム
JP6226579B2 (ja) * 2013-06-13 2017-11-08 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
JP6306334B2 (ja) * 2013-07-16 2018-04-04 東芝電子管デバイス株式会社 放射線検出器およびその製造方法
JP5751296B2 (ja) * 2013-08-28 2015-07-22 コニカミノルタ株式会社 放射線画像変換パネルとその製造方法
KR20150053196A (ko) * 2013-11-07 2015-05-15 주식회사 아비즈알 신틸레이터 패널
CN203616484U (zh) * 2013-11-13 2014-05-28 江苏龙信电子科技有限公司 用于生长碘化铯闪烁体的基板
JP2015155799A (ja) * 2014-02-19 2015-08-27 キヤノン株式会社 シンチレータ、放射線検出装置、放射線検出装置の製造方法及び放射線検出システム
US10580547B2 (en) * 2014-08-08 2020-03-03 Toray Industries, Inc. Scintillator panel and radiation detector
JP6528387B2 (ja) * 2014-11-05 2019-06-12 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよび放射線検出器
JP2016095189A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP6436793B2 (ja) * 2015-01-22 2018-12-12 キヤノン株式会社 シンチレータパネル、放射線検出器及びそれらの製造方法。
JP2018004590A (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 東芝電子管デバイス株式会社 シンチレータ、シンチレータパネル、放射線検出器、およびシンチレータの製造方法
JP2018010002A (ja) * 2017-08-21 2018-01-18 コニカミノルタ株式会社 シンチレータパネルおよび撮像パネル

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008051793A (ja) * 2006-03-02 2008-03-06 Canon Inc 放射線検出装置及びシンチレータパネル

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