TWI719613B - 放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置 - Google Patents

放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種可提高閃爍器層與反射層或防濕層之附著力之放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置。 放射線檢測器具備：光電轉換基板11；閃爍器層，其藉由真空蒸鍍法形成於上述光電轉換基板上，包含主材料與摻雜層；及反射層或防濕層，其沿上述閃爍器層之表面形狀而形成於上述閃爍器層之表面側。上述閃爍器層具有：上述主材料與上述摻雜材之混合層部，其形成於上述光電轉換基板上；及僅有上述摻雜材之摻雜材層部，其形成於上述混合層部之表面側。至少上述摻雜材層部之表面形成為凹凸形狀。

Description

放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置
本發明之實施形態係關於一種檢測放射線之放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置。
放射線檢測器或閃爍器面板具備閃爍器層。閃爍器層由例如鉈激活碘化銫(CsI/Tl)形成。對於形成閃爍器層而言，作為主材料之碘化銫(CsI)及作為摻雜材之碘化鉈(TlI)之2維蒸鍍法較為有效。另，為了備齊陰離子元素，而摻雜鉈(Tl)作為碘化物即碘化鉈(TlI)。
已知藉由調整Tl濃度(TlI濃度)，而提高MTF(modulation transfer function：調變轉變函數)特性、抑制因放射線所致之感度劣化、及改善重影特性等調整閃爍器層之特性。
且，於閃爍器層之表面側，沿閃爍器層之表面形狀形成反射層或防濕層。上述反射層使藉由放射線之入射而由閃爍器層轉換之螢光沿例如光電轉換基板之方向反射。上述防濕層保護閃爍器層免受空氣中所含之水蒸氣等。對於抑制閃爍器層與反射層或防濕層之膜剝落而言，較佳使閃爍器層與反射層或防濕層之附著力較高。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第6306334號公報
[發明所欲解決之問題]
本實施形態提供一種可提高閃爍器層與反射層或防濕層之附著力之放射線檢測器、放射線檢測器之製造方法及裝置、閃爍器面板、閃爍器面板之製造方法及裝置。 [解決問題之技術手段]
一實施形態之放射線檢測器具備：光電轉換基板；閃爍器層，其藉由真空蒸鍍法形成於光電轉換基板上，包含主材料與摻雜材；及反射層或防濕層，其沿閃爍器層之表面形狀而形成於閃爍器層之表面側。閃爍器層具有：上述主材料與上述摻雜材之混合層部，其形成於上述光電轉換基板上；及僅有上述摻雜材之摻雜材層部，其形成於該混合層部之表面側。至少摻雜材層部之表面形成為凹凸形狀。
以下，參照圖1至圖4說明第1實施形態。圖1係放射線檢測器10之模式剖視圖。
如圖1所示，放射線檢測器10係檢測放射線圖像即X線圖像之X線平面檢測器。放射線檢測器10可用於例如一般醫療用途等。但，放射線檢測器10之用途並非限定於一般醫療用途。
放射線檢測器10具備光電轉換基板11、形成於該光電轉換基板11上之閃爍器層12、形成於該閃爍器層12上之反射層13、及覆蓋閃爍器層12及反射層13之防濕體14等。
光電轉換基板11具備基板15、及於基板15上矩陣狀形成之複數個像素。各像素具有光電二極體等光電轉換元件16、及薄膜電晶體。藉由光源轉換元件16，將自閃爍器層12入射之螢光轉換成電性信號，經由薄膜電晶體輸出至外部。
閃爍器層12藉由例如鉈激活碘化銫(CsI/Tl)形成。閃爍器層12包含主材料即碘化銫(CsI)與摻雜材即碘化鉈(TlI)，以真空蒸鍍法柱狀堆積而成膜。即，閃爍器層12形成為沿光電轉換基板11之面方向形成有複數條帶狀之柱狀結晶17之柱狀結晶構造。且，閃爍器層12將自防濕體14側入射之放射線轉換成螢光。
閃爍器層12具有：混合層部12a，其以形成於光電轉換基板11上之主材料即碘化銫與摻雜材即碘化鉈構成；及摻雜材層部12b，其僅以形成於該混合層部12a之表面側之摻雜材即碘化鉈構成。且，混合層部12a之表面為主材料即碘化銫與摻雜材即碘化鉈混合而光滑之形狀，相對於此，摻雜材層部12b之表面形成為藉由摻雜材即碘化鉈之結晶粒而產生微細凹凸之形狀。即，摻雜材層部12b之表面與混合層部12a之表面相比，形成為形狀更凹凸之粗糙面。
反射層13於閃爍器層12之表面側，沿閃爍器層12之表面形狀形成。即，反射層13附著於閃爍器層12之摻雜材層部12b之表面。反射層13向光電轉換基板11反射經閃爍器層12轉換之螢光。
防濕體14為了抑制因空氣中所含之水蒸氣致使閃爍器層12或反射層13之特性劣化而設置。防濕體14呈帽形狀，例如由鋁合金等形成。防濕體14周邊之凸緣部14a經由接合層18而與光電轉換基板11接合。
接著，圖2係顯示形成放射線檢測器10之閃爍器層12之製造裝置20之模式構成圖。
如圖2所示，製造裝置20具備蒸鍍裝置21及控制裝置22，該等蒸鍍裝置21與控制裝置22以電源用或信號用之各種載台23連接。
蒸鍍裝置21具有真空槽24。光電轉換基板11以安裝於蒸鍍罩25之狀態配置於該真空槽24內之上部側。蒸鍍罩25連接於旋轉軸26。旋轉軸26通過設置於真空槽24之未圖示之旋轉導入凸緣，與設置於大氣中之基板旋轉用馬達27連結。另，蒸鍍裝置21具備加熱安裝於蒸鍍罩25之光電轉換基板11之未圖示之基板加熱部。
於真空槽24內之下部側，以與光電轉換基板11對向之方式，配置有收納主材料之第1坩鍋即第1蒸發源28。於該第1蒸發源28，以朝向光電轉換基板11之方式配置有噴出主材料蒸汽之煙囪29。於第1蒸發源28周圍，配置有加熱該第1蒸發源28之加熱器等之第1加熱部30。於第1蒸發源28之上方，可開閉地配置有控制主材料蒸汽是否到達光電轉換基板11的第1擋板31。再者，於第1蒸發源28配置有測定第1蒸發源28之溫度的溫度測定部(第1溫度測定部)32。
於真空槽24內且第1蒸發源28與光電轉換基板11之間，以與光電轉換基板11對向之方式，配置有收納摻雜材之第2坩堝即第2蒸發源33。該第2蒸發源33亦為自上部噴出摻雜材蒸汽之構造。於第2蒸發源33周圍，配置有加熱該第2蒸發源33之加熱器即第2加熱部34。於第2蒸發源33之上方，可開閉地配置有控制摻雜材蒸汽是否到達光電轉換基板11之第2擋板35。
第2蒸發源33安裝於用以測定第2蒸發源33之質量之應變儀36。應變儀36包含鋁塊體，且具備檢測對圖2上之左端及右端分別於鉛直下方及鉛直上方施加之力而產生之塊體之應變，且輸出作為電壓信號的功能。本實施形態中，應變儀36設為對左端施加第2蒸發源33之全質量，右端經由載台37固定於真空槽24內。其結果，應變儀36之應變量根據第2蒸發源33之質量而變動。再者，於第2蒸發源33配置有測定第2蒸發源33之溫度之未圖示之第2溫度測定部。
又，控制裝置22具備測定第2蒸發源33之質量之質量計即質量測定部40、及控制製造裝置20之製造步驟之控制部41等。另，控制裝置22亦可具備：未圖示之電源部，其對基板旋轉用馬達供給驅動電力，或對各加熱部30、34供給電力。
質量測定部40輸入對應於第2蒸發源33之質量之來自應變儀36之電壓信號，轉換成質量資料。質量測定部40測定第2蒸發源33之質量，將質量值作為BCD信號即時傳送至控制部41。
於控制部41，亦自質量測定部40以外獲取各蒸發源28、33之溫度(包含來自溫度測定部32之溫度資訊)、各加熱部30、34之電流及電壓、光電轉換基板11之溫度、各擋板31、35之開閉狀態、真空槽24內之壓力、其他閥之開閉狀態等蒸鍍裝置21之驅動相關之信號。再者，控制部41對蒸鍍裝置21之各機器，發出各加熱部30、34之接通、斷開及接通時之電力、光電轉換基板11之基板加熱部之接通、斷開及接通時之電力、各擋板31、35之開閉、各閥之開閉等控制指令。
控制部41記憶作為控制指令來源之程式，並具有各種功能。且，控制部41包含以下功能。
基於溫度測定部32所測定之第1蒸發源28之溫度，控制供給至第1加熱部30之電力之電力控制部42之功能。
將供給至第1加熱部30之電力之最近短時間τ1 之短時間移動平均值設為P(τ1 )，將較最近短時間τ1 更長之最近長時間τ2 之長時間移動平均值設為P(τ2 )，將係數設為K(0＜K≦1)，判定自P(τ1 )＞K・P(τ2 )之關係轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係即蒸鍍結束之蒸鍍結束判定部43之功能。
藉由判定為轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係，而停止來自第2蒸發源33之蒸鍍之蒸鍍停止控制部44之功能。
接著，對閃爍器層12之成膜步驟進行說明。
進行主材料及摻雜材之2維蒸鍍之情形時，蒸鍍結束製程之設計較為重要。即，需要適當控制使主材料與摻雜材對光電轉換基板11之供給停止之時序。
作為蒸鍍結束之有力方式，有以1個步驟結束全部材料之蒸鍍之所謂「碎散」之方法。該方式係用於將預先測量並裝入各蒸發源28、33之全部材料蒸發，從而使附著於光電轉換基板11之閃爍器層12之膜厚之再現性良好之有效方法。該情形下，全部材料消失時意指蒸鍍結束。但，無法將主材料與摻雜材之兩者設為碎散方式。其理由在於，難以如願按批次設置使收納於各蒸發源28、33之主材料及與摻雜材碎散之時間差。因此，出現了使一者碎散，並以快門開閉控制另一者之較為現實的方法。
若使主材料如上述般碎散，則認為摻雜材之蒸鍍結束較主材料之蒸鍍結束，於時序上相對過早、同時、過晚之情形，會產生各不相同之問題。
首先，過早之情形，產生僅主材料蒸鍍之時段。此時，於閃爍器層12之最表面形成摻雜材缺乏層。摻雜材缺乏層之存在可能導致閃爍器層12之感度降低，及感度重影之增大。
同時之情形，雖特性上無問題，但柱狀結晶17之最表面變為圓滑形狀。該情況雖於構成閃爍器層12之柱狀結晶17上未形成任意者時不存在問題，但於形成反射層13等時，易產生膜剝落之問題。此於上述過早之情形時亦相同。
過晚之情形，大量摻雜材之層形成於閃爍器層12之表面，其吸收閃爍器層12所產生之發光，因而使閃爍器層12之感度降低。
本實施形態之成膜步驟中，適當設定摻雜材層部12b之膜厚。
本實施形態中，參照圖3及圖4，亦針對第1蒸發源28之加熱狀態進行說明。圖3及圖4之上段係顯示施加於第1蒸發源28之第1加熱部30之電力之時間變化之圖表。折線G為最近(最近)之短時間τ1 ＝1分鐘之短時間移動平均值，折線J為最近(最近)之長時間τ2 ＝30分鐘之長時間移動平均值，折線H為對曲線J乘以係數K=0.85之值。該等值隨蒸鍍步驟之進行一起即時算出，成為對於後述之蒸鍍結束之判定亦可使用之狀態。又，圖3及圖4之下段係顯示第1蒸發源28之溫度之時間變化之圖表。
如圖2至圖4所示，且，將主材料收納於第1蒸發源28，將摻雜材收納於第2蒸發源33。將光電轉換基板11安裝於蒸鍍罩25，將該蒸鍍罩25安裝於旋轉軸26。
於該狀態下，關閉真空槽24，以未圖示之真空泵將真空槽24內之壓力減壓至10-3 Pa。減壓結束後，進入圖4中之蒸鍍步驟之第1階段。第1階段係進行真空槽24內之各部分之預備加熱之階段。
首先，一面以基板旋轉用馬達27使光電轉換基板11旋轉，一面以未圖示之基板加熱部加熱光電轉換基板11。同時，對第1加熱部30及第2加熱部34投入電力，開始第1蒸發源28及第2蒸發源33之加熱。第1蒸發源28之加熱時使用溫度控制法。即，第1階段中，進行控制使第1蒸發源28之溫度於120分鐘內以固定速率自常溫昇溫至700°C。此時，如圖3所示，短時間移動平均值之折線G激烈地上下移動。另，雖於圖3及圖4中省略，但第2蒸發源33亦同樣地進行溫度控制。
接著，於蒸鍍步驟之第2階段中，若第1蒸發源28及第2蒸發源33之溫度分別到達例如700°C及410°C等特定溫度，則將該溫度維持為固定溫度。同時期內，開始使各擋板31、35開放，且自各蒸發源28、33向光電轉換基板11噴出主材料蒸汽及摻雜材蒸汽，並於光電轉換基板11上構成閃爍器層12之主材料與摻雜材之混合層12a的蒸鍍。
由於第2階段期間，第1蒸發源28之溫度固定為700°C時較穩定，故尤其於真空槽24內亦無變動原因，且供給於第1加熱部30之電力亦大致固定為某值(例如4200 W)。但，有時會因溫度之略微上下移動而發現波紋g。若因波紋g等，使短時間移動平均值之折線G之值瞬間低於折線H之值，則軟體判斷此時蒸鍍結束，導致蒸鍍裝置之錯誤動作。因此，藉由將K值設定為1以下之適當值，即便產生波紋g，折線G亦不會低於折線H。例如，此次設定為K=0.85。
或，可編程為，將第2階段分成圖3中之區間A與區間B之2個以上之步驟，且設置區間A作為仍能發現稍大之波紋g、或憑經驗認為第1蒸發源28之主材料不可能枯竭之時段，因此即使波紋g低於折線H，亦不判斷為蒸鍍結束。
第2階段或第2階段之區間B中，若收納於第1蒸發源28之主材料全量蒸發，且第1蒸發源28中之主材料枯竭，則至此加熱電力中主材料之蒸發熱所消耗之部分殘留於第1蒸發源28，因而如圖4之區間C所示，第1蒸發源28之溫度(曲線L)略微上升。
若原本控制為設定值700°C之固定溫度之第1蒸發源28之溫度上升，則溫度欲返回原值，供給至第1加熱部30之電力急劇減少。若供給至第1加熱部30之電力急劇減少，則短時間移動平均值之曲線G之值隨之迅速減少。但，長時間移動平均值之折線J值不會降低得如此迅速。其結果致使短時間移動平均值之折線G之值於圖4之點E時低於折線H之值。
此時，控制部41之蒸鍍結束判定部43中，將供給至第1加熱部30之電力之最近短時間τ1 之短時間移動平均值設為P(τ1 )，將較最近短時間τ1 長之最近長時間τ2 之長時間移動平均值設為P(τ2 )、將係數設為K(0＜K≦1)，監視是否自P(τ1 )＞K・P(τ2 )之關係轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係。因此，蒸鍍結束判定部43判定於圖4之點E，自P(τ1 )＞K・P(τ2 )之關係轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係，即，判定蒸鍍結束。
因判定轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係，從而控制部41之蒸鍍停止控制部44使自第2蒸發源33之蒸鍍停止。蒸鍍之停止以不使摻雜材蒸汽到達光電轉換基板11之方式關閉第2擋板35。再者，控制部41停止對蒸鍍裝置21之各加熱部30、34之電力供給，結束對冷卻區間全體之加熱。
又，區間C之期間，主材料枯竭，僅摻雜材被蒸鍍，於閃爍器層12之混合層部12a之表面側形成摻雜材層部12b。因此，區間C之時間與摻雜材層部12b之膜厚成比例。該區間C之長度根據與長時間移動平均值相乘之係數K之大小、及短時間移動平均值之平均時間τ1 而變動。K愈小，τ1 愈大，區間C愈長。因此，藉由該等值之增減，可適當調整摻雜材層部12b之膜厚。本實施形態中，藉由設定為τ1 =1分鐘，K=0.85，而如圖1所示，將摻雜材層部12b之膜厚抑制為0.1～0.3 μm左右，且摻雜材層部12b之表面形成為較混合層部12a之表面更為凹凸之形狀。經發現得知，其以上之厚膜會使摻雜材層部12b成為光吸收層而引起特性之劣化。
另，摻雜材層部12b表面之凹凸之空間性週期與閃爍器層12之表面側之凹凸之空間性週期、即複數個柱狀結晶17之前端間之凹凸之空間性週期相比若不夠小，則提高反射層13之附著力之效果不大。因此，摻雜材層部12b表面凹凸之空間性週期較佳為閃爍器層12之表面側之凹凸之空間性週期、即複數個柱狀結晶17之前端間之凹凸之空間性週期之1/5以下。例如，閃爍器層12之柱狀結晶17之徑為10 μm之情形時，摻雜材層部12b之凹凸之空間週期為2 μm以下，故可獲得形成於摻雜材層部12b之表面側之反射層13之附著力提高之效果。
又，若第2階段結束，則成為冷卻階段。冷卻結束後，即將氬氣導入真空槽24內，當壓力返回至大氣壓時，取出光電轉換基板11。
且，將經過真空蒸鍍步驟之光電轉換基板11於閃爍器層12之表面側塗佈形成反射層13。接著，以包圍閃爍器層12與反射層13之方式配置防濕體14，並以與光電轉換基板11一體化之方式，將防濕體14之凸緣部14a與光電轉換基板11經由接合層18而接合。
如上所述，完成以光電轉換基板11為基板之放射線檢測器10。
如此，根據放射線檢測器10，閃爍器層12具有：混合層部12a，其由主材料與摻雜材構成；及僅摻雜材之摻雜材層部12b，其形成於該混合層部12a之表面側；混合層部12a之表面為主材料與摻雜材混合而光滑之形狀，相對於此，摻雜材層部12b之表面形成為藉由摻雜材之結晶粒而產生微細凹凸之形狀，即，摻雜材層部12b之表面與混合層部12a之表面相比，形成為更凹凸之形狀。因此，形成於閃爍器層12之表面側之反射層13形成於摻雜材層部12b之表面，可提高對於閃爍器層12之附著力，且可抑制膜剝落。
再者，根據放射線檢測器10之製造方法及製造裝置20，包含：測定第1蒸發源28之溫度之溫度測定步驟；基於溫度測定部32所測定之第1蒸發源28之溫度，控制供給至第1加熱部30之電力之電力控制步驟；將供給至第1加熱部30之電力之最近短時間τ1 之短時間移動平均值設為P(τ1 )，將較最近短時間τ1 長之最近長時間τ2 之長時間移動平均值設為P(τ2 )，將係數設為K(0＜K≦1)，判定自P(τ1 )＞K・P(τ2 )之關係轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係，即，蒸鍍結束之蒸鍍結束判定步驟；及判定轉變為P(τ1 )≦K・P(τ2 )之關係，藉此停止來自第2蒸發源33之蒸鍍之蒸鍍停止控制步驟。因此，可形成閃爍器層12，其具有：混合層部12a，其以主材料與摻雜材構成；及僅摻雜材之摻雜材層部12b，其形成於該混合層部12a之表面側。藉由於如此形成之閃爍器層12之表面側形成反射層13，可使反射層13形成於摻雜材層部12b之表面，可提高對於閃爍器層12之附著力，且可確保與閃爍器層12之密著性。
且，藉由提高閃爍器層12與反射層13之附著力，而無需使接著材等介於閃爍器層12與反射層13之間，有助於成本削減、及防止接著材之光散射、及解析度特性之提高。
另，亦可於閃爍器層12之表面側，使防濕層取代反射層13，沿閃爍器層12之表面形狀形成。形成防濕層之情形時，防濕層亦形成於摻雜材層部12b之表面，可提高對於閃爍器層12之附著力，可確保與閃爍器層12之密著性。
又，圖5係顯示第2實施形態。
如圖5所示，第1實施形態之閃爍器層12之構造、製造方法及製造裝置20亦可應用於閃爍器面板50、及該閃爍器面板50之製造方法及製造裝置。
閃爍器面板50具備供放射線透過之基板51、形成於該基板51上之閃爍器層12、及覆蓋該閃爍器層12之防濕層52等。閃爍器層12與第1實施形態相同，具有混合層部12a與摻雜材層部12b。
防濕層52藉由例如聚對二甲苯之CVD(chemical vapor deposition：化學蒸氣沈積)法形成。
如圖2及圖5所示，接著，將基板51安裝於蒸鍍罩25並配置於真空槽24內，且藉由上述真空蒸鍍法，於基板51上形成閃爍器層12。
如此形成之閃爍器面板50於防濕層52之表面側(基板51之相反側)與例如光電轉換基板組合而作為放射線檢測器構成。閃爍器面板50將自基板51側入射之放射線以閃爍器層12轉換成螢光。
因此，閃爍器面板50、該閃爍器面板50之製造方法及製造裝置20中，亦獲得與第1實施形態同樣之作用效果。
另，作為各實施形態之閃爍器層12之材料，亦可為鉈激活碘化銫(CsI/Tl)、銪激活溴化銫(CsBr/Eu)、納激活碘化銫(CsI/Na)、鉈激活碘化鈉(NaI/Tl)等之任一者。
雖已說明本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為一例而提示者，並未意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態係可以其他多種形態實施，於未脫離發明之主旨之範圍內，可進行多種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化係包含於發明之範圍或主旨，且包含於專利申請範圍所記載之發明及其均等之範圍內。 [相關申請案之交叉參考]
本申請案係基於日本專利申請案第2018-165281(申請日：2018年9月4日)號，享受該申請案之優先利益。本申請案藉由參照該申請案而包含同申請案之全部內容。
10:放射線檢測器 11:光電轉換基板 12:閃爍器層 12a:混合層部 12b:摻雜材層部 13:反射層 14:防濕體 14a:凸緣部 15:基板 16:光電轉換元件 17:柱狀結晶 18:接合層 20:製造裝置 21:蒸鍍裝置 22:控制裝置 23:載台 24:真空槽 25:蒸鍍罩 26:旋轉軸 27:基板旋轉用馬達 28:第1蒸發源 29:煙囪 30:第1加熱部 31:第1擋板 32:第1溫度測定部 33:第2蒸發源 34:第2加熱部 35:第2擋板 36:應變儀 37:載台 40:質量測定部 41:控制部 42:電力控制部 43:蒸鍍結束判定部 44:蒸鍍停止控制部 50:閃爍器面板 51:基板 52:防濕層 A:區間 B:區間 C:區間 E:點 G:折線 g:波紋 H:折線 J:折線 L:曲線
圖1係顯示第1實施形態之放射線檢測器之模式剖視圖。 圖2係同上放射線檢測器之製造裝置之模式構成圖。 圖3係顯示同上製造裝置之電力及溫度之時間變化之圖表。 圖4係顯示同上製造裝置之電力及溫度之時間變化之圖表。 圖5係顯示第2實施形態之閃爍器面板之模式剖視圖。
10:放射線檢測器
11:光電轉換基板
12:閃爍器層
12a:混合層部
12b:摻雜材層部
13:反射層
14:防濕體
14a:凸緣部
15:基板
16:光電轉換元件
17:柱狀結晶
18:接合層

Claims (8)

  1. 一種放射線檢測器，其具備：光電轉換基板；閃爍器層，其藉由真空蒸鍍法形成於上述光電轉換基板上，包含主材料及摻雜材；及反射層或防濕層，其沿上述閃爍器層之表面形狀而形成於上述閃爍器層之表面側；且上述閃爍器層具有：上述主材料與上述摻雜材之混合層部，其形成於上述光電轉換基板上；及僅有上述摻雜材之摻雜材層部，其形成於該混合層部之表面側；上述混合層部具有複數個柱狀結晶，上述混合層部的表面形成為凹凸形狀，至少上述摻雜材層部之表面形成為凹凸形狀，且比上述混合層部的表面為更粗糙面。
  2. 如申請專利範圍第1項的放射線檢測器，其中，上述摻雜材層部的上述表面的凹凸的空間週期為上述混合層部的上述表面的凹凸的空間週期的1/5以下。
  3. 一種放射線檢測器之製造方法，其係藉由真空蒸鍍法而於上述光電轉換基板上形成閃爍器層者，該真空蒸鍍法係於真空中，使光電轉換基板與收納主材料之第1蒸發源對向，且使上述光電轉換基板與收納摻雜材之第2蒸發源 對向，以第1加熱部及第2加熱部分別加熱該等第1蒸發源及第2蒸發源；且測定上述第1蒸發源之溫度；基於經測定之上述第1蒸發源之溫度，控制供給至上述第1加熱部之電力；將供給至上述第1加熱部之電力之最近短時間τ1之短時間移動平均值設為P(τ1)，將較最近短時間τ1更長之最近長時間τ2之長時間移動平均值設為P(τ2)、將係數設為K(0<K≦1)，判定是否自P(τ1)>K‧P(τ2)之關係轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係；轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係後，即停止自上述第2蒸發源之蒸鍍。
  4. 一種放射線檢測器之製造裝置，其係藉由真空蒸鍍法而於上述光電轉換基板上形成閃爍器層者，該真空蒸鍍法係於真空中，使光電轉換基板與收納主材料之第1蒸發源對向，且使上述光電轉換基板與收納摻雜材之第2蒸發源對向，以第1加熱部及第2加熱部分別加熱將該等第1蒸發源及第2蒸發源；且具備：溫度測定部，其測定上述第1蒸發源之溫度；電力控制部，其基於經測定之上述第1蒸發源之溫度，控制供給至上述第1加熱部之電力；蒸鍍結束判定部，其將供給至上述第1加熱部之電力之最近短時間τ1之短時間移動平均值設為P(τ1)，將較最近 短時間τ1更長之最近長時間τ2之長時間移動平均值設為P(τ2)、將係數設為K(0<K≦1)，判定是否自P(τ1)>K‧P(τ2)之關係轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係；及蒸鍍停止控制部，其藉由判定為轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係，使自上述第2蒸發源之蒸鍍停止。
  5. 一種閃爍器面板，其具備：基板，其供放射線透過；閃爍器層，其藉由真空蒸鍍法形成於上述基板上，且包含主材料與摻雜材；及防濕層，其沿上述閃爍器層之表面形狀而形成於上述閃爍器層之表面側；且上述閃爍器層具有：上述主材料與上述摻雜材之混合層部，其形成於上述基板上；及僅有上述摻雜材之摻雜材層部，其形成於該混合層部之表面側；上述混合層部具有複數個柱狀結晶，上述混合層部的表面形成為凹凸形狀，至少上述摻雜材層部之表面形成為凹凸形狀，且比上述混合層部的表面為更粗糙面。
  6. 如申請專利範圍第5項的閃爍器面板，其中，上述摻雜材層部的上述表面的凹凸的空間週期為上述混合層部的上述表面的凹凸的空間週期的1/5以下。
  7. 一種閃爍器面板之製造方法，其係藉由真空蒸鍍法而於上述基板上形成閃爍器層者，該真空蒸鍍法係於真空中，使供放射線透過之基板與收納主材料之第1蒸發源對向，且使上述基板與收納摻雜材之第2蒸發源對向，以第1加熱部及第2加熱部分別加熱將該等第1蒸發源及第2蒸發源；且測定上述第1蒸發源之溫度；基於經測定之上述第1蒸發源之溫度，控制供給至上述第1加熱部之電力；將供給至上述第1加熱部之電力之最近短時間τ1之短時間移動平均值設為P(τ1)，將較最近短時間τ1長之最近長時間τ2之長時間移動平均值設為P(τ2)、將係數設為K(0<K≦1)，判定是否自P(τ1)>K‧P(τ2)之關係轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係；轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係後，即停止自上述第2蒸發源之蒸鍍。
  8. 一種閃爍器面板之製造裝置，其係藉由真空蒸鍍法而於上述基板上形成閃爍器層者，該真空蒸鍍法係於真空中，使供放射線透過之基板與收納主材料之第1蒸發源對向，且使上述基板與收納摻雜材之第2蒸發源對向，以第1加熱部及第2加熱部分別加熱將該等第1蒸發源及第2蒸發源；且具備：溫度測定部，其測定上述第1蒸發源之溫度； 電力控制部，其基於經測定之上述第1蒸發源之溫度，控制供給至上述第1加熱部之電力；蒸鍍結束判定部，其將供給至上述第1加熱部之電力之最近短時間τ1之短時間移動平均值設為P(τ1)，將較最近短時間τ1長之最近長時間τ2之長時間移動平均值設為P(τ2)，將係數設為K(0<K≦1)，判定自P(τ1)>K‧P(τ2)之關係轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係；及蒸鍍停止控制部，其藉由判定為轉變為P(τ1)≦K‧P(τ2)之關係，使自上述第2蒸發源之蒸鍍停止。
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