KR102426049B1 - 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치 - Google Patents

발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102426049B1
KR102426049B1 KR1020190153869A KR20190153869A KR102426049B1 KR 102426049 B1 KR102426049 B1 KR 102426049B1 KR 1020190153869 A KR1020190153869 A KR 1020190153869A KR 20190153869 A KR20190153869 A KR 20190153869A KR 102426049 B1 KR102426049 B1 KR 102426049B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
sif
light emission
chamber
reaction
Prior art date
Application number
KR1020190153869A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200067751A (ko
Inventor
가즈아키 니시무라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20200067751A publication Critical patent/KR20200067751A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102426049B1 publication Critical patent/KR102426049B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/66—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence
    • G01N21/68—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light electrically excited, e.g. electroluminescence using high frequency electric fields
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32963—End-point detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32972—Spectral analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/12—Circuits of general importance; Signal processing
    • G01N2201/122—Kinetic analysis; determining reaction rate
    • G01N2201/1222—Endpoint determination; reaction time determination

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, 고정밀도로 SiF의 발광을 모니터할 수 있는 기술을 제공한다.
SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, SiF의 발광을 모니터하는 모니터 방법은, 반응의 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를, Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정과, 발광 모니터 유닛의 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정을 갖는다.

Description

발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치{METHOD OF MONITORING LIGHT EMISSION, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는, 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
실리콘 산화막을 화학적으로 제거하는 방법으로서 HF 가스 및 NH3 가스를 사용하는 화학적 산화물 제거 처리(Chemical Oxide Removal; COR)가 알려져 있다(특허문헌 1, 2). COR 처리에서는, 반응 생성물로서 규불화암모늄(AFS)이 생성된다. COR 처리 후, AFS를 분해시킬 필요가 있지만, 그 종점 검출 방법으로서, AFS가 분해되어 생긴 SiF4 등을 포함하는 배기 가스를 분석 유닛에 도입하고, 플라스마에 의해 여기하여 SiF의 발광을 분석하는 것이 알려져 있다(특허문헌 3).
일본 특허 공개 제2005-39185호 공보 일본 특허 공개 제2008-160000호 공보 일본 특허 제4792369호 공보
본 개시는, SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, 고정밀도로 SiF의 발광을 모니터할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일 양태에 관한 발광 모니터 방법은, SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, SiF의 발광을 모니터하는 모니터 방법이며, 상기 반응의 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를, Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정과, 상기 발광 모니터 유닛의 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정을 갖는다.
본 개시에 따르면, SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, 고정밀도로 SiF의 발광을 모니터할 수 있다.
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 2는, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법의 다른 예를 나타내는 흐름도이다.
도 3은, SiO2막 상에 AFS를 생성시킨 경우와 AFS를 생성시키지 않는 경우에 대해서, 퍼지 가스로서 N2 가스를 사용하여 SiF의 발광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, SiO2막 상에 AFS를 생성시킨 경우와 AFS를 생성시키지 않는 경우에 대해서, 퍼지 가스로서 Ar 가스를 사용하여 SiF의 발광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 5는, SiO2막 상에 AFS를 생성시킨 경우와 AFS를 생성시키지 않는 경우에 대해서, OH의 발광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 6은, COR 장치로 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 COR 처리, 진공화를 행한 후, Ar 가스 및/또는 N2 가스로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 7은, 기판 온도를 100℃ 및 105℃로 하고, COR 장치로 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 COR 처리, 여러 가지 시간으로 진공화를 행한 후, 100％ Ar 가스로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 8은, 기판 온도를 105℃로 하고, 도 7보다도 단시간인 것도 더하여 여러 가지 시간으로 진공화를 행한 후, 100％ Ar 가스로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
도 9는, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 10은, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 11은, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법의 실시에 사용하는 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 구성도이다.
도 12는, COR 장치를 나타내는 단면도이다.
도 13은, PHT 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 실시 형태에 대해서 설명한다.
<경위 및 개요>
처음에, 본 개시의 실시 형태에 관한 종점 검출 방법의 경위 및 개요에 대해서 설명한다.
종래, SiO2막과 같은 실리콘 산화물계 재료를 화학적으로 에칭하는 COR은, 에칭 가스로서 HF 가스와 NH3 가스를 사용한다. 이 기술에서는, COR 장치로, SiO2막에 HF 가스와 NH3 가스를 흡착시키고, 이들을 이하의 (1)식에 나타내는 바와 같이SiO2와 반응시켜서 고체상의 반응 생성물인 (NH4)2SiF6(AFS)을 생성시킨다. 그리고, 생성한 AFS를, COR 장치 내에서, 또는 별개로 마련된 가열 장치(PHT 장치)로 가열함으로써, 이하의 (2)식에 나타내는 반응으로 승화시킨다.
6HF＋6NH3＋SiO2→2H2O＋4NH3＋(NH4)2SiF6 … (1)
(NH4)2SiF6→2NH3＋SiF4＋2HF … (2)
상기 (2)식의 반응이 불완전하면, 잔존한 AFS가 디바이스에 악영향을 미치기 때문에, AFS가 완전히 승화된 것을 확인할 필요가 있다.
특허문헌 1에는, PHT 장치의 챔버로부터의 배기 가스를 도입하고, 배기 가스를 플라스마에 의해 여기하고, 여기된 원자 또는 원자의 발광을 분광하여, 발광 분석기에 의해 분광된 광의 강도를 측정하는 분석 유닛을 마련하는 것이 기재되어 있다. PHT 장치에서는, (2)식을 따라서 NH3 가스, SiF4 가스, HF 가스 등의 분해 가스가 발생하고, 이들 가스를 퍼지 가스인 N2 가스와 함께 배기한다. 그리고, 상기 분석 유닛의 용기 내에 퍼지 가스인 N2 가스를 캐리어 가스로서 사용하고, 배기 가스를 도입하여, 발광 분석에 의해 농도 측정을 행한다. PHT 장치에 있어서는, AFS가 완전히 분해되면 상기 분해 가스의 발생이 정지되기 때문에, 특허문헌 1에서는 배기 가스 중의 분해 가스의 발광을 모니터링함으로써, AFS의 분해 처리의 종점을 검출하고 있다.
그러나, 특허문헌 1와 같이, 퍼지 가스, 즉 분석 유닛의 캐리어 가스로서 N2 가스를 사용하는 경우에는, 실제로는, 분석 유닛으로 분해 가스인 SiF4 가스 등으로부터 유래하는 발광 피크는 거의 관찰 불가능하다는 것이 판명되었다.
캐리어 가스로서 N2 가스를 사용한 경우에도, AFS에 함유되는 H2O가 플라스마 중에서 OH로 분해 여기된 성분의 발광은 관찰할 수 있지만, H2O는 챔버에 흡착되거나 함으로써 탈리되기 어렵다. 또한, AFS에 함유되는 H2O는, 환경에 의한 것과의 분리가 곤란하기 때문에, 감도나 응답성에 어려움이 있다. 특히, OH 성분은, AFS 성분 또는 AFS 유래 성분이 아니라는 근본적인 문제점이 있다.
그래서 검토의 결과, 분석 유닛의 캐리어 가스로서 종래의 N2 가스 대신에 Ar 가스를 사용함으로써, SiF4 가스를 플라스마에 의해 여기하여 발생하는 SiF의 발광을 관찰할 수 있다는 것이 판명되었다.
마찬가지로, 실리콘 함유막을 불소 함유 가스로 에칭할 때의 에칭 반응에서 SiF4가 발생하는 경우에도, 캐리어 가스로서 Ar 가스를 사용함으로써, SiF의 발광을 관찰할 수 있다.
즉, SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, SiF의 발광을 모니터하는 데 있어서, 반응 생성물의 분해 반응 또는 당해 에칭 반응의 배기 가스를 Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하여, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터한다. 측정 환경을 Ar 가스로 함으로써, 분해 가스 중의 SiF4를 플라스마에 의해 여기하여 얻어지는 SiF의 발광을 명확하게 검출할 수 있어, SiF의 발광을 고정밀도로 모니터할 수 있다. 이에 의해, 예를 들어 반응 생성물의 분해 반응 또는 에칭 반응의 종점을, 고정밀도로 검출할 수 있다.
<구체적인 실시 형태>
다음으로, 구체적인 실시 형태에 대해서 설명한다.
[제1 실시 형태]
처음에, 제1 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에서는 COR 장치로, COR 처리 및 AFS의 제거 처리(분해 처리)를 행하고, AFS의 제거 처리의 종점 검출을 행하는 예에 대해서 설명한다.
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
먼저, 에칭 대상인 실리콘 함유막으로서 실리콘계 산화막, 전형적으로는 실리콘 산화막(SiO2막)을 갖는 기판에 대해서 COR 장치로 COR 처리를 실시한다(스텝 1).
기판은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 실리콘 웨이퍼로 대표되는 반도체 웨이퍼(이하, 간단히 웨이퍼라 기재함)가 예시된다.
COR 처리는, 실리콘 산화막의 표면에 HF 가스와 NH3 가스를 흡착시키고, 이들을 상기 (1)식과 같이 실리콘 산화막과 반응시켜서 AFS를 생성시킨다.
본 실시 형태에서는, COR 처리의 압력은, 2.666 내지 399.9Pa(20 내지 3000mTorr)의 범위가 바람직하고, 기판 온도는, 20 내지 130℃의 범위가 바람직하다.
다음으로, COR 장치의 챔버 내를 진공화(완전 흡인)하여, 상기 (2)식에 나타내는, 기판에 부착된 AFS의 제거 처리(분해 처리)를 행한다(스텝 2).
이때의 AFS의 분해 처리는, COR 처리의 온도와 마찬가지의 온도 또는 그것보다도 높은 온도에서 행한다. 진공화에 의해, AFS가 분해되어 생긴 분해 가스는 챔버로부터 배출된다.
다음으로, COR 장치의 챔버 배기부에 설치된 발광 모니터 유닛으로, SiF의 발광을 모니터함으로써 AFS의 분해 반응의 종점 검출을 행한다(스텝 3).
이 종점 검출은, AFS의 분해 반응을 행하고 있는 COR 장치의 챔버의 SiF4를 포함하는 배기 가스를, Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정(스텝 3-1)과, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정(스텝 3-2)에 의해 행한다. 구체적으로는, 챔버의 퍼지 가스로서 Ar 가스를 사용하고, 그 Ar 가스를 발광 모니터 유닛의 캐리어 가스로서 배기 가스를 발광 모니터 유닛의 용기 내에 유도한다. 그리고, 유도된 가스를 플라스마에 의해 여기하여 발광 분석을 행한다. 이와 같이 측정 환경을 Ar 가스로 함으로써, 배기 가스에 포함되는 분해 가스 중의 SiF4 가스가 플라스마에 의해 여기되어서 발생한 SiF의 발광을 모니터할 수 있어, 고정밀도로 종점 검출을 행할 수 있다.
AFS의 일부가 미분해인 채로 잔존하고 있으면, SiF4 가스가 배출되어, SiF의 소정의 발광이 검출된다. 한편, AFS가 거의 완전히 분해되어 있으면, SiF4 가스는 거의 배출되지 않아, SiF의 발광은 거의 검출되지 않는다. 따라서, SiF의 발광 강도가 역치 이하, 혹은 발광이 없다는 것을 확인함으로써 AFS의 분해 반응의 종료를 검출할 수 있다.
종점 검출은, AFS가 완전히 분해되기까지의 시간을 미리 파악해 두고, 그 시간 경과 후, 혹은 그 시간 ＋α의 시간 경과 후에 SiF의 발광을 모니터하여, SiF의 발광 강도가 역치 이하, 혹은 발광이 없다는 것을 확인함으로써 행할 수 있다. 모니터한 시점에서 역치 이상의 SiF의 발광이 검출된 경우는, 예를 들어 조건을 변경하거나 하는 대책을 실시할 수 있다.
스텝 1 내지 스텝 3은, 에칭하는 실리콘 산화막의 양에 따라 복수회 반복해도 된다. 이 경우, 스텝 3의 종점 검출은, 모든 타이밍에 행하지 않아도 되며, 임의의 타이밍에 행할 수 있다.
또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 스텝 2의 진공화 후, 챔버를 퍼지 가스에 의해 퍼지하는 퍼지 처리를 행하여 AFS의 제거 처리를 계속하고(스텝 4), 스텝 4에 계속해서 스텝 3의 종점 검출을 행하도록 해도 된다. 퍼지 처리에 의해 AFS의 제거가 촉진된다. 스텝 4에서 Ar 가스를 사용하는 경우는, 스텝 4가 종료된 직후에 계속해서 스텝 3을 실시할 수 있다. 스텝 1, 스텝 2, 스텝 4, 스텝 3은, 에칭하는 실리콘 산화막의 양에 따라 복수회 반복해도 된다. 단, 이 경우에도, 스텝 3의 종점 검출은, 모든 타이밍에 행하지 않아도 되며, 임의의 타이밍에 행할 수 있다.
종래, AFS의 제거 처리는, PHT 장치로 퍼지 가스로서 N2 가스를 사용하여 행해지고 있으며, 이 경우에는, AFS가 분해되어 생긴 SiF4 가스를 포함하는 분해 가스를 발광 분석해도, SiF의 발광은 관찰되지 않았다. 실제로, SiO2막 상에 AFS 생성시켜, 퍼지 가스로서 N2 가스를 사용하여 SiF의 발광 분석을 행한 결과, 도 3에 나타내는 바와 같이, AFS가 존재하지 않는 경우와 마찬가지로, SiF의 발광은 거의 보이지 않는다.
이에 비해, SiO2막 상에 AFS 생성한 후, 퍼지 가스로서 Ar 가스를 사용하여 SiF의 발광 분석을 행한 결과, 도 4에 나타내는 바와 같이, 파장 440nm의 SiF의 발광 강도가 명확하게 상승한다.
또한, 도 5에 나타내는 바와 같이, 퍼지 가스로서 N2 가스를 사용한 경우 및 Ar 가스를 사용한 경우 모두, AFS에 함유되는 H2O가 플라스마 중에서 OH로 분해 여기된 성분(OH 성분)의 발광(308.9nm)은 관찰된다. 그러나, 도시와 같이 응답성 및 감도가 낮다.
발광 분석의 측정 환경은, Ar 가스가 체적％로 87％를 초과하는 Ar 가스 분위기인 것이 바람직하다. 즉, 퍼지 가스를 바람직하게는 체적％로 87％ 초과된 Ar 가스를 포함하는 것으로 하고, 발광 모니터 유닛의 캐리어 가스가 Ar 가스 87％ 초과로 되도록 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, Ar 가스만(100％ Ar)이다. Ar 가스 측정 환경에 Ar 가스 이외의 가스가 포함되면 SiF의 발광 강도는 급격하게 저하되며, Ar 가스 이외의 가스가 13％ 이상이 되면 SiF의 발광 강도가 검출되기 어려워진다.
도 6은, COR 장치로 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 COR 처리, 진공화를 행한 후, Ar 가스 및/또는 N2 가스로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
여기에서는, 기판 온도(스테이지 온도)를 20 내지 130℃로 하고, COR 처리(에칭)에서는 압력: 20 내지 3000mTorr, HF/NH3/Ar 유량: 10 내지 2000/10 내지 2000/10 내지 2000sccm, 시간: 2 내지 100sec으로 하고, 진공화(완전 흡인)의 시간을 2sec으로 하였다. 챔버의 퍼지를 2000mTorr로 10sec 행한 후, SiF의 발광을 모니터하였다. 매회 동일 조건에서의 COR 처리(에칭)를 실시하여, SiF의 발광을 모니터하는 스텝에서의 조건을 비교하였다. 퍼지 가스로서는, Ar/N2 유량: 375/0sccm(100％ Ar), Ar/N2 유량: 325/50sccm(N2: 13.3％), Ar/N2 유량: 300/75sccm(N2: 20％), Ar/N2 유량: 0/375sccm(100％ N2)으로 하였다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 퍼지 가스 중의 N2 가스의 양이 13％ 정도의 소량이어도, SiF의 발광은 극단적으로 저하된다. 이것으로부터, 발광 모니터 유닛에 있어서의 측정 환경은, Ar 가스가 87％보다 많은 환경인 것이 바람직하고, Ar 가스만이 보다 바람직하다는 것을 알 수 있다.
또한, 스텝 3의 종점 검출에 있어서의 SiF의 발광 모니터를 Ar 가스만(100％ Ar)의 측정 환경에서 행함으로써, 고감도로 종점을 검출할 수 있다.
도 7은, 기판 온도(스테이지 온도)를 100℃ 및 105℃로 하고, COR 장치로 HF 가스 및 NH3 가스에 의한 COR 처리, 여러 가지 시간으로 진공화를 행한 후, Ar 가스만(100％ Ar)으로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
여기에서는, COR 처리에서는 압력: 20 내지 3000mTorr, HF/NH3/Ar 유량: 10 내지 2000/10 내지 2000/10 내지 2000sccm, 시간: 2 내지 100sec으로 하고, 진공화(Vac)의 시간을 5, 10, 30, 50, 80sec으로 하였다. 챔버의 퍼지를 2000mTorr로 10sec 행한 후, SiF의 발광을 모니터하였다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 스테이지 온도가 100℃와 105℃에서의 진공화 5sec에 있어서, SiF의 발광에 큰 차가 보이고, 조건의 차이에 따른 AFS의 승화량(분해량)의 차를 고감도로 파악할 수 있다는 것이 확인되었다. 또한, 진공화의 시간이 30sec 이상이면, 온도에 관계 없이, 거의 SiF의 발광이 보이지 않았다. 이것은 모니터하기 전에 SiF가 대부분 퍼지 아웃되었기 때문이다.
도 8은, 기판 온도(스테이지 온도)를 105℃로 하고, 도 7보다도 단시간인 것도 부가하여 여러 가지 시간으로 진공화를 행한 후, Ar 가스만(100％ Ar)으로 챔버의 퍼지를 행하여, SiF의 분광 분석을 행한 결과를 나타내는 도면이다.
여기에서는, 진공화의 시간으로서 1, 2, 3, 4sec을 부가하고, COR 처리, 퍼지의 조건은 도 7과 동일하게 하였다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 스테이지 온도 105℃에서, 진공화 시간이 보다 짧은 1, 2, 3, 4sec에 있어서, SiF의 발광이 명확하게 보이고, 고감도로 AFS의 분해 반응이 발생하고 있다는 것을 검출할 수 있음이 확인되었다. 본 도면에 있어서도 도 7과 마찬가지로, 진공화의 시간이 30sec 이상이면, 모니터하기 전에 SiF가 대부분 퍼지 아웃되었기 때문에, 거의 SiF의 발광이 보이지 않았다.
[제2 실시 형태]
다음으로, 제2 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에서는 COR 장치로 COR 처리를 행하고, 다음으로 PHT 장치로 AFS의 제거 처리(분해 처리)를 행하여, AFS의 제거 처리의 종점 검출을 행하는 예에 대해서 설명한다.
도 9는, 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
먼저, 에칭 대상인 실리콘 함유막으로서 실리콘 산화막(SiO2막)을 갖는 기판에 대해서 COR 장치로 COR 처리를 실시한다(스텝 11).
본 실시 형태에 있어서도, 기판은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 웨이퍼가 예시된다.
COR 처리는, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 챔버 내에서 실리콘 산화막의 표면에 HF 가스와 NH3 가스를 흡착시켜, 이들을 상기 (1)식과 같이 실리콘 산화막과 반응시켜서 AFS를 생성시킨다.
본 실시 형태에서는, COR 처리의 압력은, 2.666 내지 399.9Pa(20 내지 3000mTorr)의 범위가 바람직하고, 기판 온도는, 20 내지 130℃의 범위가 바람직하다.
다음으로, AFS가 부착된 기판에 대해서, PHT 장치로 기판을 가열하여 상기 (2)식의 반응으로 AFS의 제거 처리(분해 처리)를 행한다(스텝 12).
이때, 챔버 내의 압력을 1.333 내지 666.6Pa(10 내지 5000mTorr)로 하고, 기판의 가열 온도를 100 내지 300℃로 하여, AFS를 분해시키면서, 퍼지 가스를 공급하여, 분해 가스를 PHT 장치의 챔버로부터 배출한다.
다음으로, PHT 장치의 챔버 배기부에 설치된 발광 모니터 유닛으로, SiF의 발광을 모니터함으로써 AFS의 분해 반응의 종점 검출을 행한다(스텝 13).
이 종점 검출은, AFS의 분해 반응을 행하고 있는 PHT 장치의 챔버의 SiF4를 포함하는 배기 가스를, Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정(스텝 13-1)과, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정(스텝 13-2)에 의해 행한다. 구체적으로는, 챔버의 퍼지 가스로서 Ar 가스를 사용하고, 그 Ar 가스를 발광 모니터 유닛의 캐리어 가스로서 배기 가스를 발광 모니터 유닛의 용기 내에 유도한다. 그리고, 유도된 가스를 플라스마에 의해 여기하여 발광 분석을 한다. 이와 같이 측정 환경을 Ar 가스로 함으로써, 배기 가스에 포함되는 분해 가스 중의 SiF4 가스가 플라스마에 의해 여기되어서 발생한 SiF의 발광을 모니터할 수 있다.
AFS의 일부가 미분해인 채로 잔존하고 있으면, SiF4 가스가 배출되어, SiF의 소정의 발광이 검출된다. 한편, AFS가 거의 완전히 분해되어 있으면, SiF4 가스는 거의 배출되지 않아, SiF의 발광은 거의 검출되지 않는다. 따라서, SiF의 발광 강도가 역치 이하, 혹은 발광이 없다는 것을 확인함으로써 AFS의 분해 반응의 종료를 검출할 수 있다.
종점 검출에 있어서는, SiF의 발광을 계속적으로 모니터하여, 발광 강도가 역치 이하, 혹은 제로가 된 시점을 종점이라 판정할 수 있다. 이때, PHT 장치에 의한 가열 처리의 처음부터 모니터를 개시해도 되고, 소정 시간 경과 후에 모니터를 개시해도 된다. 또한, AFS가 완전히 분해되기까지의 시간을 미리 파악해 두고, 그 시간 경과 후, 혹은 그 시간 ＋α의 시간 경과 후에 SiF의 발광을 모니터하여, SiF의 발광 강도가 역치 이하, 혹은 제로인 것을 확인하고 종점 검출을 행할 수도 있다. 모니터한 시점에서 SiF의 발광이 검출된 경우는, 예를 들어 가열 처리 시간을 연장하거나 하는 대책을 실시할 수 있다.
종점 검출을 위한 SiF의 발광 모니터를 행하고 있지 않을 때는, PHT 장치의 퍼지 가스는 N2 가스여도 된다.
제1 실시 형태와 마찬가지로, 발광 분석 시에 사용하는 캐리어 가스로서, Ar 가스가 체적％로 87％ 초과인 것을 사용하고, 발광을 측정하는 환경을 Ar 가스가 체적％로 87％를 초과하는 Ar 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, Ar 가스만(100％ Ar)이다.
[제3 실시 형태]
다음으로, 제3 실시 형태에 대해서 설명한다.
본 실시 형태에서는, Si 함유막을 불소 함유 가스로 에칭할 때의 종점 검출을 행하는 예에 대해서 설명한다.
도 10은, 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 방법을 나타내는 흐름도이다.
먼저, 에칭 대상인 실리콘 함유막으로서 폴리실리콘막을 갖는 기판에 대해서, 에칭 장치로, 불소 함유 가스로서, 예를 들어 HF 가스＋F2 가스를 공급하여 폴리실리콘막의 에칭을 행한다(스텝 21).
다음으로, 에칭 장치의 챔버 배기부에 설치된 발광 모니터 유닛에서, SiF의 발광을 모니터함으로써 에칭의 종점 검출을 행한다(스텝 22).
이 종점 검출은, 에칭 장치의 챔버 SiF4를 포함하는 배기 가스를, 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정(스텝 22-1)과, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정(스텝 22-2)에 의해 행한다. 구체적으로는, 챔버의 퍼지 가스로서 Ar 가스를 사용하고, 그 Ar 가스를 발광 모니터 유닛의 캐리어 가스로서 에칭 시의 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를 발광 모니터 유닛의 용기 내에 유도한다. 그리고, 유도된 가스를 플라스마에 의해 여기하여 발광 분석을 행한다. 이와 같이 측정 환경을 Ar 가스로 함으로써, 배기 가스 중의 SiF4 가스가 플라스마에 의해 여기되어서 발생한 SiF의 발광을 모니터할 수 있다.
에칭 반응이 종료되어 있지 않으면, SiF4 가스가 배출되어, SiF의 발광이 검출된다. 한편, 에칭 반응이 종료되어 있으면, SiF4 가스는 배출되지 않아, SiF의 발광은 검출되지 않는다. 따라서, SiF의 발광이 없다는 것을 확인함으로써 에칭의 종료를 검출할 수 있다.
종점 검출에 있어서는, SiF의 발광을 계속적으로 모니터하여, 발광 강도가 제로가 된 시점을 종점이라 판정할 수 있다. 이때, 에칭 처리의 처음부터 모니터를 개시해도 되고, 소정 시간 경과 후에 모니터를 개시해도 된다. 또한, 에칭이 종료되기까지의 시간을 미리 파악해 두고, 그 시간 경과 후, 혹은 그 시간 ＋α의 시간 경과 후에 SiF의 발광을 모니터하여, SiF의 발광이 없다는 것을 확인하고 종점 검출을 행할 수도 있다. 모니터한 시점에서 SiF의 발광이 검출된 경우는, 예를 들어 에칭 시간을 연장하거나 하는 대책을 실시할 수 있다.
본 실시예에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로, 발광 분석 시에 사용하는 캐리어 가스로서, Ar 가스가 체적％로 87％ 초과인 것을 사용하고, 발광을 측정하는 환경을 Ar 가스가 체적％로 87％를 초과하는 Ar 가스 분위기로 하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, Ar 가스만(100％ Ar)이다.
<처리 시스템>
다음으로, 실시 형태에 관한 기판 처리 방법의 실시에 사용하는 처리 시스템의 일례에 대해서 설명한다.
도 11은, 그와 같은 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 구성도이다. 이 처리 시스템(1)은, SiO2막이 형성된 웨이퍼(W)에 대해서, 상술한 제1 실시 형태 또는 제2 실시 형태의 기판 처리 방법을 실시하는 것이다.
처리 시스템(1)은, 반출입부(2)와, 2개의 로드 로크실(L/L)(3)과, 2개의 PHT 장치(4)와, 2개의 COR 장치(5)와, 제어부(6)를 구비하고 있다.
반출입부(2)는, 웨이퍼(W)를 반출입하기 위한 것이다. 반출입부(2)는, 웨이퍼(W)를 반송하는 제1 웨이퍼 반송 기구(11)가 내부에 마련된 반송실(L/M)(12)을 가지고 있다. 제1 웨이퍼 반송 기구(11)는, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유 지지하는 2개의 반송 암(11a, 11b)을 가지고 있다. 반송실(12)의 길이 방향의 측부에는, 적재대(13)가 마련되어 있고, 이 적재대(13)에는, 웨이퍼(W)를 복수매 배열하여 수용 가능한 캐리어(C)가 예를 들어 3개 접속할 수 있도록 되어 있다. 또한, 반송실(12)에 인접하고, 웨이퍼(W)를 회전시켜서 편심량을 광학적으로 구하여 위치 정렬을 행하는 오리엔타(14)가 설치되어 있다.
반출입부(2)에 있어서, 웨이퍼(W)는, 반송 암(11a, 11b)에 의해 보유 지지되고, 제1 웨이퍼 반송 기구(11)의 구동에 의해 대략 수평 면 내에서 직진 이동, 또한 승강됨에 의해, 원하는 위치로 반송된다. 그리고, 적재대(13) 상의 캐리어(C), 오리엔타(14), 로드 로크실(3)에 대해서 각각 반송 암(11a, 11b)이 진퇴됨으로써, 웨이퍼(W)가 반출입되도록 되어 있다.
2개의 로드 로크실(L/L)(3)은, 반출입부(2)에 인접하여 마련되어 있다. 각 로드 로크실(3)은, 반송실(12)과의 사이에 각각 게이트 밸브(16)가 개재된 상태에서, 반송실(12)에 각각 연결되어 있다. 각 로드 로크실(3) 내에는, 웨이퍼(W)를 반송하는 제2 웨이퍼 반송 기구(17)가 마련되어 있다. 또한, 로드 로크실(3)은, 소정의 진공도까지 진공화 가능하도록 구성되어 있다.
제2 웨이퍼 반송 기구(17)는, 다관절 암 구조를 가지고 있으며, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 보유 지지하는 피크를 가지고 있다. 이 제2 웨이퍼 반송 기구(17)에 있어서는, 다관절 암을 오므린 상태로 피크가 로드 로크실(3) 내에 위치한다. 그리고, 다관절 암을 신장시킴으로써, 피크가 PHT 장치(4)에 도달하고, 또한 신장시킴으로써 COR 장치(5)에 도달함이 가능하도록 되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)를 로드 로크실(3), PHT 장치(4), 및 COR 장치(5) 사이에서 반송하기가 가능하도록 되어 있다.
반송실(12)과 로드 로크실(L/L)(3)의 사이에는 게이트 밸브(16)가 마련되어 있다. 또한, 로드 로크실(L/L)(3)과 PHT 장치(4)의 사이에는 게이트 밸브(22)가 마련되어 있다. 또한, PHT 장치(4)와 COR 장치(5)의 사이에는 게이트 밸브(54)가 마련되어 있다.
제어부(6)는 컴퓨터로 구성되어 있고, CPU를 구비한 주 제어부와, 입력 장치(키보드, 마우스 등), 출력 장치(프린터 등), 표시 장치(디스플레이 등), 기억 장치(기억 매체)를 가지고 있다. 주 제어부는, 처리 시스템(1)의 각 구성부의 동작을 제어한다. 주 제어부에 의한 각 구성부의 제어는, 기억 장치에 내장된 기억 매체(하드 디스크, 광 데스크, 반도체 메모리 등)에 기억된 제어 프로그램인 처리 레시피에 의해 실행된다.
<COR 장치>
다음으로, COR 장치(5)에 대해서 설명한다.
도 12는, COR 장치를 나타내는 단면도이다. 도 12에 나타내는 바와 같이, COR 장치(5)는, 밀폐 구조의 챔버(40)를 구비하고 있고, 챔버(40)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 한 상태로 적재시키는 적재대(42)가 마련되어 있다. 또한, COR 장치(5)는, 챔버(40)에 에칭 가스를 공급하는 가스 공급 기구(43), 챔버(40) 내를 배기하는 배기 기구(44), 및 발광 모니터 유닛(45)을 구비하고 있다.
챔버(40)는, 챔버 본체(51)와 덮개부(52)로 구성되어 있다. 챔버 본체(51)는, 대략 원통 형상의 측벽부(51a)와 저부(51b)를 갖고, 상부는 개구로 되어 있으며, 이 개구가 덮개부(52)로 닫힌다. 측벽부(51a)와 덮개부(52)는, 시일 부재(도시하지 않음)에 의해 밀폐되어서, 챔버(40) 내의 기밀성이 확보된다. 덮개부(52)의 천장벽에는 상방으로부터 챔버(40) 내를 향해서 제1 가스 도입 노즐(61) 및 제2 가스 도입 노즐(62)이 삽입되어 있다.
측벽부(51a)에는, PHT 장치(4)의 챔버와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반출입하는 반입출구(53)가 마련되어 있고, 이 반입출구(53)는 게이트 밸브(54)에 의해 개폐 가능하도록 되어 있다.
챔버(40)의 측벽에는, 챔버(40) 내의 압력을 계측하기 위한 압력계로서, 각각 고압용 및 저압용의 2개의 캐패시턴스 마노미터(86a, 86b)가, 챔버(40) 내에 삽입되도록 마련되어 있다.
적재대(42)는, 평면으로 보아 대략 원형을 이루고 있으며, 챔버(40)의 저부(51b)에 고정되어 있다. 적재대(42)의 내부에는, 적재대(42)의 온도를 조절하는 온도 조절기(55)가 마련되어 있다. 온도 조절기(55)는, 예를 들어 온도 조절용 매체(예를 들어 물 등)가 순환하는 관로를 구비하고 있으며, 이러한 관로 내를 흐르는 온도 조절용 매체와 열교환이 행해짐으로써, 적재대(42)의 온도가 조절되어, 적재대(42) 상의 웨이퍼(W)의 온도 제어가 이루어진다. 또한, 온도에 따라서는, 온도 조절기(55)는 히터여도 된다. 적재대(42)에 적재된 웨이퍼(W)의 근방에는, 웨이퍼(W)의 온도를 검출하는 온도 센서(도시하지 않음)가 마련되어 있으며, 온도 센서의 검출값에 의해, 온도 조절기(55)의 온도 조절용 매체의 유량 등이 조정되어, 웨이퍼(W)의 온도 제어가 이루어진다.
가스 공급부(43)는, 상술한 제1 가스 도입 노즐(61) 및 제2 가스 도입 노즐(62)에 접속된, 제1 가스 공급 배관(71) 및 제2 가스 공급 배관(72)를 가지고 있으며, 또한 이들 제1 가스 공급 배관(71) 및 제2 가스 공급 배관(72)에 각각 접속된 HF 가스 공급원(73) 및 NH3 가스 공급원(74)을 가지고 있다. 또한, 제1 가스 공급 배관(71)에는 제3 가스 공급 배관(75)이 접속되고, 제2 가스 공급 배관(72)에는 제4 가스 공급 배관(76)이 접속되어 있다. 이들 제3 가스 공급 배관(75) 및 제4 가스 공급 배관(76)에는, 각각 Ar 가스 공급원(77) 및 N2 가스 공급원(78)가 접속되어 있다. 제1 내지 제4 가스 공급 배관(71, 72, 75, 76)에는 유로의 개폐 동작 및 유량 제어를 행하는 유량 제어기부(79)가 마련되어 있다. 유량 제어부(79)는 예를 들어 개폐 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러로 구성되어 있다.
그리고, HF 가스 및 Ar 가스는, 제1 가스 공급 배관(71), 제1 가스 도입 노즐(61)을 통해서 챔버(40) 내로 공급되며, NH3 가스 및 N2 가스는, 제2 가스 공급 배관(72) 및 제2 가스 도입 노즐(62)을 통해서 챔버(40) 내로 토출된다.
상기 가스 중 HF 가스와 NH3 가스는 반응 가스이며, Ar 가스 및 N2 가스는 희석 가스(캐리어 가스) 또는 퍼지 가스로서 기능한다.
또한, 챔버(40)의 상부에 샤워 플레이트를 마련하고, 샤워 플레이트를 통해 가스를 샤워 형상으로 공급해도 된다.
배기 기구(44)는, 챔버(40)의 저부(51b)에 형성된 배기구(81)로 이어지는 배기 배관(82)을 가지고 있다. 배기 기구(44)는, 또한, 배기 배관(82)에 마련된, 챔버(40) 내의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 밸브(APC)(83) 및 챔버(40) 내를 배기하기 위한 진공 펌프(84)를 가지고 있다.
발광 모니터 유닛(45)은, 용기(91)와, ICP 안테나(92)와, 고주파 전원(93)과, 발광 분석기(94)를 갖는다. 용기(91)는, 챔버(40)의 측벽부(51a)의 하부에 마련된 도입구(90)에 연통되어 있어, 챔버(40) 내의 배기 가스가, Ar 가스를 캐리어 가스로서 용기(91)에 유도된다. ICP 안테나(92)에는, 고주파 전원(93)으로부터 고주파 전력이 인가되어, 용기(91) 내에 유도 결합 플라스마(P)가 생성된다. 발광 분석기(94)는, 용기(91)와 관측창(95)을 통해 연통되어 있어, 용기(91) 내의 유도 결합 플라스마(P)의 발광을 계측한다. 발광 모니터 유닛(45)에서는, 발광 분석기(94)가 플라스마의 발광 스펙트럼에 있어서의 SiF의 파장(440nm)의 분광 강도를 계측하여, AFS의 분해 반응의 종점을 검출한다. 발광 모니터 유닛(45)은, COR 장치(5)에 의해 AFS의 분해 처리를 행하는 경우에 사용된다.
이와 같이 구성된 COR 장치(5)에 있어서는, 웨이퍼(W)를 챔버(40) 내에 반입하고, 적재대(42)에 적재하여 처리를 개시한다. COR 장치(5)에서는, 제1 실시 형태와 같이, COR 처리와 AFS의 제거 처리의 양쪽을 행해도 되고, 제2 실시 형태와 같이, COR 처리만을 행하고, AFS의 제거 처리를 PHT 장치(4)로 행해도 된다.
COR 처리와 AFS의 제거 처리의 양쪽을 행하는 경우에는, 챔버(40) 내의 압력을, 바람직하게는 2.666 내지 399.9Pa(20 내지 3000mTorr)의 범위로 하고, 적재대(42)의 온도 조절기(55)에 의해 웨이퍼(W)를 바람직하게는 20 내지 130℃로 한다.
그리고, 가스 공급 기구(43)에 의해 HF 가스 및 NH3 가스를, 각각 Ar 가스 및 N2 가스로 희석된 상태로 챔버(40) 내로 공급하여 COR 처리를 행한다. 이때의 가스 유량은, HF 가스 유량: 10 내지 2000sccm, NH3 가스 유량: 10 내지 2000sccm, Ar 가스 유량: 10 내지 2000sccm, N2 가스 유량: 10 내지 2000sccm이 바람직하다.
이에 의해, HF 가스 및 NH3 가스가 웨이퍼(W)에 흡착되고, 이들이 웨이퍼(W) 표면의 SiO2막과 반응하여, AFS가 생성된다.
AFS의 제거는, COR 처리 후, 배기 기구(44)의 진공 펌프(84)를 완전 흡인 상태로 하여 진공화함으로써 행해진다. 이때의 시간은, AFS의 흡착량에 따라 미리 설정된다. 이때, 압력: 666.5Pa(5000mTorr) 이하, Ar 가스 또는 N2 가스 유량: 2000sccm 이하로 퍼지하면서 제거해도 된다. AFS 제거 시의 기판 온도는, COR 처리의 온도와 동일로 행해도 되고, 또한, 100 내지 300℃의 범위로 승온하여 보다 높은 온도에서 행해도 된다.
다음으로, 소정 시간 경과 후에, 발광 모니터 유닛(45)으로, SiF의 발광을 검출함으로써 AFS의 분해 반응의 종점 검출을 행한다. 이때는, 챔버(40)를 Ar 가스로 퍼지하여, 압력이 안정된 시점에서 측정을 개시한다. 측정 시에는, Ar 가스를 캐리어 가스로 하여 배기 가스를 용기(91)에 유도하고, 용기(91) 내에 유도 결합 플라스마를 생성하고, 여기되어서 생성된 SiF의 발광을, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 발광 분석기(94)로 모니터한다. SiF의 발광이 없다는 것을 확인함으로써 종점이 검출된다.
또한, 상술한 바와 같이 COR 처리, AFS 제거 처리, 종점 검출은, 복수회 반복해도 된다. 이 경우, 종점 검출은 모든 타이밍에 행하지 않아도 되며, 임의의 타이밍에 행할 수 있다.
또한, AFS 제거 처리에 있어서, 진공화 후에, 챔버(40)의 퍼지 처리를 행하고, 그 후에 종점 검출을 행해도 된다. 퍼지 처리를 Ar 가스로 행하는 경우는, 퍼지 처리가 종료된 직후에 계속하여 종점 검출을 행할 수 있다. COR 처리, AFS 제거 처리, 퍼지 처리, 종점 검출은, 복수회 반복해도 된다. 이 경우, 종점 검출은 모든 타이밍에 행하지 않아도 되며, 임의의 타이밍에 행할 수 있다.
또한, AFS 제거 처리를 PHT 장치(4)로 행하는 경우에는, COR 장치(5)에 발광 모니터 유닛(45)은 마련하지 않아도 된다.
<PHT 장치>
다음으로, PHT 장치(4)에 대해서 설명한다.
도 13은, PHT 장치(4)를 나타내는 단면도이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 밀폐 구조의 챔버(20)를 구비하고 있고, 챔버(20)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 한 상태로 적재시키는 적재대(21)가 마련되어 있다. 또한, PHT 장치(4)는, 챔버(20)에 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급 기구(23), 챔버(20) 내를 배기하는 배기 기구(24), 및 상술한 구성의 발광 모니터 유닛(45)을 구비하고 있다.
챔버(20)의 로드 로크실(3)측에는, 로드 로크실(3)과의 사이에서 웨이퍼를 반송하는 반입출구(20a)가 마련되어 있고, 이 반입출구(20a)는 게이트 밸브(22)에 의해 개폐 가능하도록 되어 있다. 또한, 챔버(20)의 에칭 장치(COR 장치)(5)측에는 에칭 장치(5)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반입출구(20b)가 마련되어 있고, 이 반입출구(20b)는 게이트 밸브(54)에 의해 개폐 가능하도록 되어 있다.
적재대(21)는, 평면으로 보아 대략 원형을 이루고 있으며, 챔버(20)의 저부에 고정되어 있다. 적재대(21)의 내부에는 히터(25)가 매설되어 있어, 이 히터(25)에 의해 웨이퍼(W)가 가열된다.
가스 공급 기구(23)는, Ar 가스 공급원(26) 및 N2 가스 공급원(27)을 가지고 있다. Ar 가스 공급원(26)에는 배관(28)이 접속되고, N2 가스 공급원(27)에는 배관(29)이 접속되어 있다. 이들 배관(28 및 29)은 챔버(20)에 접속된 합류 배관(30)에 합류되어, Ar 가스 및 N2 가스가 챔버(20) 내에 공급되도록 되어 있다. 배관(28 및 29)에는, 유로의 개폐 동작 및 유량 제어를 행하는 유량 제어기부(31)가 마련되어 있다. 유량 제어부(31)는 예를 들어 개폐 밸브 및 매스 플로우 컨트롤러로 구성되어 있다.
배기 기구(24)는, 챔버(20)의 저부에 형성된 배기구(35)로 이어지는 배기 배관(32)을 가지고 있다. 배기 기구(24)는, 또한, 배기 배관(32)에 마련된, 챔버(20) 내의 압력을 제어하기 위한 자동 압력 제어 밸브(APC)(33) 및 챔버(20) 내를 배기하기 위한 진공 펌프(34)를 가지고 있다.
발광 모니터 유닛(45)은, 챔버(20)의 측벽부의 하부에 마련된 도입구(36)에 연통되어 있고, COR 장치(5)에 마련한 것과 마찬가지의 구성을 갖는다.
이와 같이 구성된 PHT 장치(4)에 있어서는, COR 장치(5)로 COR 처리를 행한 후의 웨이퍼(W)를, 챔버(20) 내에 반입하고, 적재대(21)에 적재하여 AFS의 제거 처리를 행한다.
이때, 챔버(20) 내의 압력을 1.333 내지 666.6Pa(10 내지 5000mTorr)로 하고, 기판의 가열 온도를 100 내지 300℃로 하여, AFS를 분해시키면서, 퍼지 가스를 공급하여, 분해 가스를 PHT 장치의 챔버로부터 배출한다.
그리고, 발광 모니터 유닛(45)으로 SiF의 발광을 검출함으로써 AFS의 분해 반응의 종점 검출을 행한다. 이때는, 챔버(20)를 Ar 가스로 퍼지하고, 압력이 안정된 시점에서 측정을 개시한다. 측정 시에는, Ar 가스를 캐리어 가스로 하여 배기 가스를 용기(91)에 유도하고, 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 하여 용기(91) 내에 생성된 유도 결합 플라스마를 생성하고, 여기되어서 생성된 SiF의 발광을 모니터한다. SiF의 발광이 없다는 것을 확인함으로써 종점이 검출된다.
종점 검출에 있어서는, SiF의 발광을 계속적으로 모니터하여, 발광 강도가 제로가 된 시점을 종점이라 판정할 수 있다. 이때, PHT 장치(4)에 의한 가열 처리 처음부터 모니터를 개시해도 되고, 소정 시간 경과 후에 모니터를 개시해도 된다. 또한, 미리 설정된 시간 경과 후에 SiF의 발광을 모니터하여, SiF의 발광이 없다는 것을 확인하고 종점 검출을 행할 수도 있다.
종점 검출을 위한 SiF의 발광 모니터를 행하고 있지 않을 때는, PHT 장치(4)의 퍼지 가스는 N2 가스여도 된다.
AFS의 제거 처리를 COR 장치(5)로 행하는 경우는, PHT 장치(4)에서는, 처리 후의 잔사 제거를 행한다. 이 경우는, PHT 장치(4)에는 발광 모니터 유닛(45)은 불필요하다.
또한, 제3 실시 형태를 실시하는 경우에는, 예를 들어 COR 장치(5)를, 불소 함유 가스로 하여 HF 가스 및 F2 가스를 공급하는 가스 공급 기구를 갖는 에칭 장치 대신 바꾼 처리 시스템을 사용할 수 있다. 이 경우는, 반응 생성물을 분해할 필요가 없으므로, PHT 장치(4)는 잔사 제거용으로서 사용한다.
<다른 적용>
이상, 실시 형태에 대해서 설명했지만, 금회 개시된 실시 형태는, 모든 점에서 예시이지 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기의 실시 형태는, 첨부의 특허 청구 범위 및 그 주 요지를 벗어나지 않고, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
예를 들어, 상기 실시 형태의 장치는 예시에 불과하며, 여러 가지 구성의 장치를 사용할 수 있다. 또한, 피처리 기판으로서 반도체 웨이퍼를 사용한 경우에 대해서 나타냈지만, 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD(액정 디스플레이)용 기판으로 대표되는 FPD(플랫 패널 디스플레이) 기판이나, 세라믹스 기판 등 다른 기판이어도 된다. 또한, 상기 실시 형태에서는, SiF를 모니터함으로써 종점 검출을 행하는 경우를 예시했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.

Claims (19)

  1. SiF4 가스가 발생하는 반응에 있어서, SiF의 발광을 모니터하는 발광 모니터 방법이며,
    상기 반응의 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를, Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정과,
    상기 발광 모니터 유닛의 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정
    을 포함하는, 발광 모니터 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 SiF4 가스가 발생하는 반응은, 기판 표면에 생성된 규불화암모늄의 분해 반응인, 발광 모니터 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 규불화암모늄은, 기판이 갖는 실리콘계 산화막을 불소 함유 가스로 에칭했을 때 생기는 반응 생성물인, 발광 모니터 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 불소 함유 가스는, HF 가스 및 NH3 가스인, 발광 모니터 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 SiF4 가스가 발생하는 반응은, 실리콘 함유막을 불소 함유 가스로 에칭할 때의 에칭 반응인, 발광 모니터 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 에칭 반응은, 실리콘막을 HF 가스 및 F2 가스로 에칭할 때의 에칭 반응인, 발광 모니터 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Ar 가스 분위기는, Ar 가스가 체적％로 87％를 초과하는 분위기인, 발광 모니터 방법.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 모니터 유닛은, SiF4 가스를 플라스마에 의해 여기하여 SiF를 발생시켜, SiF의 발광을 모니터하는, 발광 모니터 방법.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 SiF의 발광을 모니터하는 공정에서, SiF의 발광이 역치 이하임을 검출했을 때 상기 반응의 종점이라 판정하는, 발광 모니터 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 반응의 종점까지의 시간을 미리 파악해 두고, 그 시간 경과 후에 SiF의 발광을 모니터하는, 발광 모니터 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 SiF의 발광을 계속적으로 모니터하여, 발광 강도가 역치 이하로 된 시점에서 상기 반응의 종점이라 판정하는, 발광 모니터 방법.
  12. 기판이 갖는 실리콘 함유물을 불소 함유 가스로 에칭하고, 상기 기판 상에, 분해 반응에 의해 SiF4 가스를 생성하는 반응 생성물을 생성하는 공정과,
    상기 반응 생성물을 분해하는 공정과,
    상기 반응 생성물을 분해하는 공정에 있어서 SiF의 발광을 모니터하는 공정
    을 갖고,
    상기 모니터 공정은,
    상기 반응 생성물의 분해 반응에 의해 생성된 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를 Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정과,
    상기 발광 모니터 유닛의 측정 환경을 Ar 가스 분위기로 한 상태에서 SiF의 발광을 모니터하는 공정
    을 포함하는, 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 실리콘 함유물은 실리콘계 산화막이며, 상기 불소 함유 가스는, HF 가스 및 NH3 가스이며, 상기 반응 생성물은 규불화암모늄인, 기판 처리 방법.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 반응 생성물을 생성하는 공정과, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정은, 동일한 장치의 챔버 내에서 행하고, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정은, 진공화에 의해 행하며,
    상기 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를 Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정은, 상기 진공화 후, 상기 챔버 내를 Ar 가스로 퍼지하고, 상기 챔버로부터의 배기 가스를 상기 발광 모니터 유닛에 유도하는, 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 반응 생성물을 생성하는 공정과, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정을 반복하여 행하고, 상기 분해 반응의 종점을 검출하는 공정을, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정이 종료 후의 임의의 타이밍에 행하는, 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 반응 생성물을 분해하는 공정 후, 상기 종점을 검출 공정 전에, 상기 챔버 내를 퍼지하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 반응 생성물을 생성하는 공정과, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정과, 상기 챔버 내를 퍼지하는 공정을 반복하여 행하고, 상기 종점을 검출하는 공정을, 상기 챔버 내를 퍼지하는 공정이 종료 후의 임의의 타이밍에 행하는, 기판 처리 방법.
  18. 제12항 또는 제13항에 있어서,
    상기 반응 생성물을 생성하는 공정은, 반응 장치의 챔버 내에서 행하고, 상기 반응 생성물을 분해하는 공정은, 상기 반응 장치와는 별개로 마련된 가열 장치로 상기 기판을 가열함으로써 행하며,
    상기 분해하는 반응의 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스를 Ar 가스와 함께 발광 모니터 유닛에 유도하는 공정은, 상기 가열 장치의 챔버의 배기 가스를 상기 발광 모니터 유닛에 유도하는, 기판 처리 방법.
  19. 기판 처리 장치이며,
    실리콘 함유물을 갖는 기판이 수용되는 챔버와,
    상기 챔버 내에서, 상기 기판을 적재하는 적재대와,
    상기 적재대 상의 기판의 온도를 조절하는 온도 조절부와,
    에칭 가스인 불소 함유 가스 및 Ar 가스를 공급하는 가스 공급부와,
    상기 챔버 내를 배기하는 배기부와,
    상기 챔버로부터 배출되는 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스의 발광을 모니터하는 발광 모니터 유닛
    을 포함하고,
    상기 발광 모니터 유닛은, 상기 SiF4 가스를 포함하는 배기 가스가 유도되는 용기와, 상기 용기 내에 플라스마를 생성하는 플라스마 생성 기구와, 상기 플라스마의 발광을 계측하는 발광 분석기를 갖고,
    상기 발광 모니터 유닛에서 상기 배기 가스의 발광을 모니터할 때 상기 챔버 내에 상기 가스 공급부로부터 Ar 가스가 공급되어서 상기 챔버 내가 퍼지된 상태에서, 상기 SiF4 가스를 포함하는 상기 배기 가스가, 상기 Ar 가스와 함께 상기 용기 내에 유도되어, 측정 환경이 Ar 가스 분위기의 상태에서 상기 발광 분석기에 의해 SiF의 발광이 계측되는, 기판 처리 장치.
KR1020190153869A 2018-12-04 2019-11-27 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치 KR102426049B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018227102A JP7224160B2 (ja) 2018-12-04 2018-12-04 発光モニタ方法、基板処理方法、および基板処理装置
JPJP-P-2018-227102 2018-12-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200067751A KR20200067751A (ko) 2020-06-12
KR102426049B1 true KR102426049B1 (ko) 2022-07-28

Family

ID=70850298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190153869A KR102426049B1 (ko) 2018-12-04 2019-11-27 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20200176338A1 (ko)
JP (1) JP7224160B2 (ko)
KR (1) KR102426049B1 (ko)
CN (1) CN111276425B (ko)
TW (1) TW202032108A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021144832A (ja) * 2020-03-11 2021-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ計測装置、及びプラズマ計測方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008098514A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び基板処理の終点検出方法
US20150235816A1 (en) 2014-02-14 2015-08-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for monitoring gas and plasma process equipment including the same
JP2018513965A (ja) * 2015-03-06 2018-05-31 メカニック・アナリティック・インコーポレーテッド マルチモードプラズマ式光学発光ガス検出器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002289589A (ja) 2001-03-27 2002-10-04 Fujitsu Ltd エッチング方法
JP4833512B2 (ja) 2003-06-24 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
JP5084250B2 (ja) 2006-12-26 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法ならびに記憶媒体
JP2014060220A (ja) 2012-09-14 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd エッチング装置およびエッチング方法
JP6139986B2 (ja) 2013-05-31 2017-05-31 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP6692202B2 (ja) 2016-04-08 2020-05-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008098514A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、及び基板処理の終点検出方法
US20150235816A1 (en) 2014-02-14 2015-08-20 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for monitoring gas and plasma process equipment including the same
JP2018513965A (ja) * 2015-03-06 2018-05-31 メカニック・アナリティック・インコーポレーテッド マルチモードプラズマ式光学発光ガス検出器

Also Published As

Publication number Publication date
CN111276425B (zh) 2024-02-20
US20200176338A1 (en) 2020-06-04
CN111276425A (zh) 2020-06-12
TW202032108A (zh) 2020-09-01
JP7224160B2 (ja) 2023-02-17
KR20200067751A (ko) 2020-06-12
JP2020092135A (ja) 2020-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101853522B1 (ko) 에칭 방법 및 기억 매체
TWI763759B (zh) 受暴露以供處理之基板的表面之原子層蝕刻之執行方法及系統
CN110581067B (zh) 蚀刻方法及蚀刻装置
KR101422651B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
KR20190005760A (ko) 에칭 방법 및 잔사 제거 방법
KR20090102730A (ko) 가스 처리 장치, 및 가스 처리 방법, 그리고 기억 매체
CN106796881B (zh) 蚀刻方法
JP6689159B2 (ja) エッチング方法およびｄｒａｍキャパシタの製造方法
JP6073172B2 (ja) エッチング方法
US10734242B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
KR20100071961A (ko) 클리닝 방법 및 기판 처리 장치
KR101707295B1 (ko) 산화물 에칭 방법
WO2014171214A1 (ja) エッチング方法
KR101716535B1 (ko) 에칭 장치 및 에칭 방법
CN113745103A (zh) 等离子体处理方法和等离子体处理装置
KR102426049B1 (ko) 발광 모니터 방법, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치
TWI827674B (zh) 蝕刻方法、蝕刻殘渣之去除方法及記憶媒體
CN113675080A (zh) 蚀刻方法和蚀刻装置
JP2015073035A (ja) エッチング方法
WO2015186461A1 (ja) エッチング方法
JP2020205304A (ja) エッチング方法およびエッチング装置
US20230290653A1 (en) Etching method and etching apparatus
JP2014013841A (ja) 処理方法およびコンデショニング方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right