KR102406433B1 - 제해 장치 - Google Patents

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Abstract

순환수의 배수량을 저감하는 제해 장치를 제공한다.
순환수(R2) 중의 이산화규소의 농도와 순환수(R2) 중의 불화수소의 농도의 비가 규불화수소산을 생성 가능한 소정치 이상인 경우에는, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 저유량으로 낮추고, 순환수(R2) 중의 이산화규소의 농도와 순환수(R2) 중의 불화수소의 농도의 비가 소정치 미만인 경우에는, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 저유량보다 큰 고유량으로 올리는 제해 장치(30)이다.

Description

제해 장치{DETOXIFYING DEVICE}
본 발명은 제해(除害) 장치, 특히 규소를 포함하는 프로세스 가스 및 불소를 포함하는 클리닝 가스를 처리하는 제해 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 장치, 액정 패널 제조 장치, 태양전지 셀 제조 장치 등에서는, 규소(Si)를 포함하는 프로세스 가스, 불소(F)를 포함하는 클리닝 가스가 이용되고 있다. 예를 들면, 반도체 제조 프로세스에서는, 절연체, 금속막 등을 반도체 웨이퍼 상에 퇴적시키고, 화학 기상 반응을 이용하여 성막하는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리 등이 행해질 때에, 프로세스 챔버 내에는 예를 들면 모노실란(SiH4) 등의 프로세스 가스가 도입된다.
또 프로세스 챔버 내에 부착된 생성물을 제거할 때에는, 생성물의 종류에 따른 삼불화질소(NF3) 등의 클리닝 가스를 정기적으로 프로세스 챔버 내부에 도입하여, 부착물의 분해, 배출을 행함으로써 프로세스 챔버 내를 클리닝하고 있다.
프로세스 챔버로부터 배출된 프로세스 가스 및 클리닝 가스는 제해 장치에 도입되고, 제해 장치로 제해 처리가 행해져 무해화(無害化)된다. 이러한 제해 장치로서, 가스 스크러빙 유닛의 순환수의 산성도를 감소시키는 산제거 유닛과, 순환수 중의 고체 입자를 보충하는 필터 유닛을 구비하고 있는 것이 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본국 특허 제5457193호 공보
상술한 바와 같은 제해 장치에서는, 순환수의 산성도를 불화수소가 재휘발하지 않는 범위 내로 유지하기 위해, 순환수의 일부를 배출함과 더불어 물로 순환수를 희석하지 않으면 안 되어, 순환수의 배수 처리에 막대한 비용을 요한다는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 종래의 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 순환수의 배수량을 저감하는 제해 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 제안된 것이며, 청구항 1에 기재된 발명은, 규소를 포함하는 배출 가스 및 불소를 포함하는 배출 가스를 처리하는 제해 장치로서, 상기 규소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 이산화규소 및 상기 불소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 불화수소를 용해시키는 순환수를 수용하는 드레인 탱크와, 상기 드레인 탱크에 연통된 순환 경로와, 상기 순환 경로에 설치되며 상기 순환수의 일부를 외부로 배수하는 배수 밸브와, 상기 순환 경로에 보급수를 공급하는 보급수 공급 수단과, 상기 배수 밸브 및 상기 보급수 공급 수단을 제어하여, 상기 순환 경로 내의 상기 순환수의 평균 배수 유량을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 순환수 중의 상기 이산화규소의 농도와 상기 순환수 중의 상기 불화수소의 농도의 비가 규불화수소산을 생성 가능한 소정치 이상인 경우에는, 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량을 저유량으로 낮추고, 상기 순환수 중의 상기 이산화규소의 농도와 상기 순환수 중의 상기 불화수소의 농도의 비가 상기 소정치 미만인 경우에는, 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량을 상기 저유량보다 큰 고유량으로 올리는 제해 장치를 제공한다. 여기에서, 「평균 배수 유량」이란, 순환수를 외부로 배출할 때의 단위 시간당 평균 배수량을 말한다.
이 구성에 의하면, 이산화규소와 불화수소로 규불화수소산을 생성 가능한 경우, 순환수 내의 불소수소가 휘발하는 것을 억제하면서 순환수의 평균 배수 유량을 저유량으로 낮추므로, 순환수의 평균 배수 유량을 삭감할 수 있다.
청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명의 구성에 더하여, 상기 제어 수단은, 상기 규소를 포함하는 배출 가스의 적산 유량과 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량과 상기 보급수의 유량에 의거하여 상기 이산화규소의 농도를 도출하는 제해 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 제해 장치 내에 잔류하는 이산화규소의 농도에 의거하여, 규불화수소산의 생성 여부를 판단 가능하므로, 프로세스 챔버 내를 클리닝하는 경우 등의 프로세스 가스가 제해 장치 내에 유입되지 않는 경우에도, 순환수의 평균 배수 유량을 저감할 수 있다.
청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 2에 기재된 발명의 구성에 더하여, 상기 제어 수단은, 상기 불소를 포함하는 배출 가스의 적산 유량과 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량과 상기 보급수의 유량에 의거하여 상기 불화수소의 농도를 도출하는 제해 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 제해 장치 내에 잔류하는 불화수소의 농도에 의거하여, 규불화수소산의 생성 여부를 판단 가능하므로, CVD 처리 등에서 클리닝 가스가 제해 장치 내에 유입되지 않는 경우에도, 순환수의 평균 배수 유량을 저감할 수 있다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 발명의 구성에 더하여, 상기 순환수의 산성도를 계측하는 산성도 계측 수단을 구비하고 있는 제해 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 불화수소의 용해량에 따라 순환수가 과도하게 강산성이 되는 것을 억제하므로, 불화수소가 순환수로부터 재휘발하는 것을 억제할 수 있다.
청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 발명의 구성에 더하여, 상기 산성도는, 전도율 센서가 계측한 상기 순환수 중의 불화수소 농도에 의거하여 도출되는 제해 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 전도율 센서가 계측한 불화수소 농도에 의거하여 순환수의 산성도를 도출함으로써, 염가로 유지 보수하기 쉽고 장기에 걸쳐 제해 장치를 계속 운전할 수 있다.
청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 발명의 구성에 더하여, 상기 순환수로부터 상기 이산화규소를 분리하는 원심분리기를 구비하고 있는 제해 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 원심분리기보다 하류측의 기기에 이산화규소가 막히는 것을 억제할 수 있음과 더불어, 순환수의 평균 배수량 저감에 필요한 이산화규소를 드레인 탱크 내에 저류시킬 수 있다.
본 발명은 이산화규소와 불화수소로 규불화수소산을 생성 가능한 경우, 순환수의 평균 배수 유량을 저유량으로 낮춰도 순환수 내의 불소수소가 휘발하는 것이 억제되므로, 평균 배수 유량을 삭감할 수 있다.
도 1은 프로세스 챔버, 드라이 펌프, 제해 장치의 접속 관계를 도시하는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 제해 장치를 도시하는 모식도이다.
도 3은 원심분리기를 도시하는 사시도이다.
본 발명은 순환수의 배수량을 저감하는 제해 장치를 제공한다는 목적을 달성하기 위해, 규소를 포함하는 배출 가스 및 불소를 포함하는 배출 가스를 처리하는 제해 장치로서, 규소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 이산화규소 및 불소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 불화수소를 용해시키는 순환수를 수용하는 드레인 탱크와, 드레인 탱크에 연통된 순환 경로와, 순환 경로에 설치되며 순환수의 일부를 외부로 배수하는 배수 밸브와, 순환 경로에 보급수를 공급하는 보급수 공급 수단과, 배수 밸브 및 보급수 공급 수단을 제어하여, 순환 경로 내의 순환수의 평균 배수 유량을 제어하는 제어 수단을 구비하고, 제어 수단은, 순환수 중의 이산화규소의 농도와 순환수 중의 불화수소의 농도의 비가 규불화수소산을 생성 가능한 소정치 이상인 경우에는, 순환수의 평균 배수 유량을 저유량으로 낮추고, 순환수 중의 이산화규소의 농도와 순환수 중의 불화수소의 농도의 비가 소정치 미만인 경우에는, 순환수의 평균 배수 유량을 저유량보다 큰 고유량으로 올림으로써 실현하였다.
[실시예]
이하, 본 발명의 한 실시예에 따른 제해 장치를 도면에 의거하여 설명한다. 또한 이하에 있어서 「상」, 「하」 란, 상하 방향에 있어서의 상방, 하방에 대응하는 것이다.
도 1은 프로세스 챔버(10), 드라이 펌프(20), 제해 장치(30)의 접속 관계를 도시하는 도면이다.
프로세스 챔버(10)는 도시 생략의 반도체 제조 장치의 일부이다. 프로세스 챔버(10) 내에 배치된 도시 생략의 반도체 웨이퍼의 표면에 박막을 피착시키는 CVD 처리를 실시함으로써, 디바이스를 얻는다. 또한 도 1에서는 제해 장치 1대에 대해 프로세스 챔버 1대가 접속되어 있지만, 제해 장치 1대에 복수의 프로세스 챔버가 접속되어도 상관없다.
프로세스 챔버(10) 내에는 규소를 포함하는 프로세스 가스(G1)가 공급된다. 프로세스 가스(G1)는 프로세스 챔버(10) 내의 CVD 처리의 반응체로서 공급된다. 프로세스 챔버(10)에 공급된 프로세스 가스(G1)는 CVD 처리 시에 일부가 소비되며, 나머지는 드라이 펌프(20)에 흡인된다.
또 프로세스 챔버(10) 내에는 불소를 포함하는 클리닝 가스(G2)가 공급된다. 클리닝 가스(G2)는 프로세스 챔버(10) 내에 충전된 상태로 플라즈마 에칭을 행함으로써, CVD 처리의 잔류물을 휘발시킨다. 프로세스 챔버(10)에 공급된 클리닝 가스(G2)는 클리닝 처리 시에 일부가 소비되며, 나머지는 드라이 펌프(20)에 흡인된다.
매스플로 컨트롤러(11a)는 프로세스 가스(G1)의 유량을 계측하여 제어 수단(31)으로 이송한다. 매스플로 컨트롤러(11b)는 클리닝 가스(G2)의 유량을 계측하여 제어 수단(31)으로 이송한다. 또한 매스플로 컨트롤러(11a, 11b)를 설치하는 대신에, 반도체 제조 장치의 가공 조건에 의거하여 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)의 유량을 산출해도 상관없다.
프로세스 챔버(10)와 제해 장치(30)는 드라이 펌프(20)를 통해 접속되어 있다. 드라이 펌프(20)는 프로세스 챔버(10) 내에 잔류된 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)를 흡인하여 제해 장치(30)에 도입한다.
제해 장치(30)는 드라이 펌프(20)로부터 도입된 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)를 입상의 이산화규소(SiO2) 및 불화수소(HF) 가스(G3)로 변환한 후, 배기가스로부터 그들을 분리하여 순환수(R2)에 취입(取入)하고, 산배수(酸排水)(R1)로 배출하여 무해화한다. 구체적으로는, 배기가스 중에 포함되는 불화수소 농도를 소정치(예를 들면, 3ppm) 이하로 저감한다. 또 불화수소 가스가 용해된 산배수(R1)를 배수한다. 또한 이산화규소의 형상은 입상으로 한정되지 않으며, 예를 들면 페이스트상이어도 상관없다.
제어 수단(31)은 매스플로 컨트롤러(11a, 11b)로부터 이송되는 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)의 유량 및 유량계(32a)로부터 이송되는 불화수소 가스(G3) 및 산배수(R1)의 평균 배수 유량과 후술하는 보급수의 유량에 의거하여, 제해 장치(30)의 순환수의 평균 배수 유량을 제어한다.
다음으로, 제해 장치(30)의 구체적 구성에 대해 도 2, 3에 의거하여 설명한다. 도 2는 제해 장치를 도시하는 모식도이다. 도 3은 원심분리기를 도시하는 사시도이다.
제해 장치(30)는 가열 수단(33)과, 드레인 탱크(34)와, 충전탑(35)을 구비하고 있다. 제해 장치(30)에 도입된 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)는 가열 수단(33), 드레인 탱크(34), 충전탑(35)의 순서로 흐르고, 배기구(30a)로부터 외부로 배기된다.
가열 수단(33)은 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)를 고온으로 가열한다. 가열 수단(33) 내의 온도는, 예를 들면 600~800℃로 설정된다. 본 실시예에서는 가열 수단(33)으로서 가스 버너를 채용하고 있다. 또한 가열 수단(33)은 프로세스 가스(G1) 및 클리닝 가스(G2)를 가열 가능하면 어떠한 구성이어도 되며, 전기 히터의 복사열로 가열하는 히터 방식, 플라즈마로 가열하는 플라즈마 방식 등이어도 상관없다.
드레인 탱크(34)는 가열 수단(33)의 하방에 배치되어 있으며, 소정량의 순환수(R2)가 수용되어 있다. 드레인 탱크(34)는 폴리프로필렌 등의 내식 플라스틱제이며, 순환수(R2)의 온도는 60도 이하로 유지되는 것이 바람직하다.
충전탑(35)은 드레인 탱크(34)의 상방에 설치되어 있다. 충전탑(35) 내에는 도시 생략의 플라스틱제의 미소립체(微小粒體)가 충전되어 있으며, 충전탑(35)의 상방에 설치된 살수 노즐(35a)로부터 물이 미소립체를 향해 살수된다. 이에 의해, 수용성의 불화수소 가스가 미소립체 표면의 물에 용해되고, 물과 함께 드레인 탱크(34)에 적하된다.
드레인 탱크(34)는 순환 경로(r)에 연통되어 있으며, 드레인 탱크(34) 내의 순환수(R2)가 순환 경로(r) 내를 순환하도록 되어 있다. 순환 경로(r)의 상류단은 드레인 탱크(34)에 접속되어 있다. 순환 경로(r)는 원심분리기(36)에서 분기되며, 한쪽은 열교환기(37)에 접속되고, 다른 쪽은 드레인 탱크(34)에 접속되어 있다. 제1 밸브(ｖ1)를 개방함으로써, 산배수(R1)로서 순환수(R2)가 외부로 배수된다. 또 제2 밸브(v2)를 개방함으로써, 순환수(R2)가 드레인 탱크(34)로 환류된다. 또한 부호 P는 부스터 펌프이다.
순환 경로(r)에는 순환수(R2) 중의 입상의 이산화규소를 선별하는 원심분리기(36)가 설치되어 있다. 원심분리기(36)는 도 3에 나타내는 바와 같이, 유입구(36a)로부터 유입된 순환수(R2)를 화살표로 나타내는 바와 같이 원심분리함으로써, 입상의 이산화규소를 하방 배출구(36b)로부터 배출하고, 이산화규소를 포함하지 않는 순환수(R2)를 상방 배수구(36c)로부터 배수한다.
열교환기(37)는 순환수(R2)의 온도를 냉각하여, 순환수(R2)의 수온을 소정치(예를 들면, 60도) 이하로 유지한다. 열교환기(37)로 냉각된 순환수(R2)는 드레인 탱크(34)로 환류된다.
순환 경로(r)에는 산성도 계측 수단으로서의 전도율 센서(38)가 설치되어 있다. 순환수(R2) 중의 산성도가 높아지면 순환수(R2)의 전도율이 올라가고, 산성도가 저하하면 전도율이 내려간다. 이에 의해 순환수(R2)의 산성도를 도출한다. 전도율 센서(38)에 의해 도출된 산성도는 제어 수단(31)으로 이송된다. 산성도 계측 수단은 염가로 유지 보수하기 쉬운 전동율 센서(38)를 채용하였지만, 보다 정확하게 산성도를 계측 가능한 pH계 등이어도 상관없다.
보급수 공급 수단(39)은 충전탑(35)에 보급수(순수)를 공급한다. 드레인 탱크(34) 내에 설치된 도시 생략의 수위 검지 수단이 드레인 탱크(34) 내의 순환수(R2)의 수위를 제어 수단(31)으로 이송하고, 순환수(R2)의 수위가 소정치를 밑도는 경우에는, 제어 수단(31)이 보급수 공급 수단(39)에 보급수를 공급시킨다. 또한 제어 수단(31)이 제3 밸브(ｖ3)를 개방함과 더불어 제4 밸브(ｖ4)를 폐쇄함으로써, 충전탑(35) 내에 보급수가 공급된다. 또 보급수의 공급량은 불화수소 가스(G3) 농도가 소정치 이하가 되도록 제어된다. 또한 부호 39a는 보급수의 유량을 계측하는 유량계이다.
제어 수단(31)은 프로세스 가스(G1), 클리닝 가스(G2), 불화수소 가스(G3) 및 산배수(R1)의 유량, 순환수(R2)의 산성도에 의거하여, 제1 밸브(ｖ1), 제2 밸브(ｖ2), 제3 밸브(ｖ3), 제4 밸브(ｖ4)를 개폐한다. 구체적으로는 순환수(R2)의 산성도가 역치 이상으로 상승하면, 제1 밸브(ｖ1)와 제3 밸브(ｖ3)를 개방하여, 산배수(R1)를 배출함과 더불어 순환수(R2)를 물로 희석함으로써 산성도를 낮춘다. 순환수(R2)의 산성도가 역치 미만인 경우에는, 제2 밸브(ｖ3)와 제4 밸브(ｖ4)를 개방하여, 순환수(R2)를 순환 경로(r) 내에서 순환시킨다. 또한 배수 밸브(ｖ1)는 개폐 시간을 제어함으로써, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 조정할 수 있다.
다음으로 제해 장치(30)를 이용한 프로세스 가스(G1)의 처리에 대해 설명한다. 또한 이하, 프로세스 가스(G1)로서 모노실란(SiH4), 클리닝 가스(G2)로서 삼불화질소(NF3)를 예로 설명하지만, 프로세스 가스(G1)는 모노실란으로 한정되는 것은 아니며, 또 클리닝 가스(G2)는 삼불화수소로 한정되는 것은 아니다.
프로세스 챔버(10)로부터 제해 장치(30)에 도입된 모노실란이 가열 수단(33)으로 가열되면, 수식 1의 반응식에 의거하여 입상의 이산화규소(SiO2)가 생성된다.
[수식 1]
Figure 112017039394134-pct00001
드레인 탱크(34) 내에 유입된 이산화규소의 대부분은 순환수(R2) 내에 혼입되는 미소입경의 분진으로서 순환 경로(r) 내에 존재한다. 이산화규소의 일부는 충전탑(35)을 통과하여, 배기구(30a)로부터 외부로 배기된다. 드레인 탱크(34) 내에 존재하는 이산화규소와 외부로 배기되는 이산화규소의 비율은 제해 장치(30)의 종류 등에 따라 변하지만, 예를 들면, 전자가 60%, 후자가 40%이다.
다음으로 제해 장치(30)를 이용한 클리닝 가스(G2)의 처리에 대해 설명한다.
프로세스 챔버(10)로부터 제해 장치(30)에 도입된 삼불화질소가 가열 수단(33)으로 가열되면, 수식 2의 반응식에 의거하여 가스상의 불화수소(HF)가 생성된다.
[수식 2]
Figure 112017039394134-pct00002
드레인 탱크(34) 내를 경유하여 충전탑(35)에 유입된 불화수소는 충전탑(35) 내를 통과할 때에 물에 용해되어 드레인 탱크(34)에 적하되므로, 배기구(30a)로부터 외부로 배기되는 불화수소 농도는 소량(예를 들면, 3ppm 이하)이다.
불화수소가 순환수(R2)에 용해되어 순환수(R2)의 산성도가 높아지면, 제해 장치(30)의 내식성이 문제가 된다. 예를 들면, 스테인리스(SUS316 그레이드)가 순환수(R2)와 직접 접촉하는 구성 재료로서 사용되고 있는 경우, 구성 재료가 단기간에 부식되는 것을 억제하기 위해, 불화수소 농도가 0.5% 이하로 관리되는 것이 바람직하다. 한편, 제해 장치(30)의 허용 불화수소 농도에 마진을 너무 취하면 평균 배수 유량이 증가해 버려, 결과적으로 제해 장치(30)의 러닝코스트가 증가한다. 그래서 전도율 센서(38)가 순환수(R2)의 전도율을 계측하여, 산성도가 소정 역치 이상이면, 제1 밸브(ｖ1) 및 제3 밸브(ｖ3)를 개방하여, 산배수(R1)의 유량을 올림과 더불어 보급수의 공급량을 늘려, 순환수(R2)의 산성도를 낮춘다. 산성도의 역치는 임의로 설정 가능하며, 예를 들면, 0.5%로 설정되는 것이 생각된다.
한편으로 예를 들면 역치를 0.5%로 설정한 경우, 또한 순환수(R2) 중에 불화수소만이 존재하는 경우, 즉, 순환수(R2) 중에 이산화규소가 존재하지 않는 경우, 순환수(R2) 중의 불화수소가 재휘발하여, 배기되는 불화수소 가스의 불화수소 농도가 높아질 우려가 있다.
그러나 CVD 처리의 제해 처리에서는, 모노실란과 삼불화질소가 도입된 제해 장치(30)에는, 드레인 탱크(34) 및 순환 경로(r) 내를 순환하는 순환수(R2) 내에 존재한 입상의 이산화규소와 순환수(R2)에 용해된 불화수소가 존재하고 있다. 그리고 이산화규소와 불화수소는 수식 3의 반응식에 의거하여 규불화수소산을 생성한다.
[수식 3]
Figure 112017039394134-pct00003
식 3의 반응식에 의거하여 생성되는 규불화수소산은, 순환수(R2)에 용해되면 불화수소와 동일하게 산성을 나타낸다. 즉, 순환수(R2)의 전도율을 상승시키지만 불화수소와 같이 재휘발의 우려는 없다. 따라서, 상술한 전도율 센서(38)를 이용하여 순환수(R2)의 산성도(R2)를 역치 이하로 관리하여 제해 장치(30)의 신뢰성을 확보함과 더불어, 불화수소가 감소하여 규불화수소산이 생성됨으로써, 상술한 바와 같은 불화수소에 기인한 산성도의 상승이 억제되므로, 산배수의 유량을 삭감할 수 있다. 식 3에 나타내는 바와 같이, 규불화수소산의 생성에 필요한 이산화규소 및 불화수소의 몰비는 1:6이다. 따라서, 순환수(R2) 중의 이산화규소/불화수소의 몰비가 1/6, 즉 약 0.17을 웃도는 경우에는, 불화수소가 이산화규소와 반응하여, 규불화수소산이 생성되는 반응이 발생한다.
제어 수단(31)은 프로세스 가스(G1)의 유량과 순환수(R2)의 평균 배수 유량에 의거하여, 순환수(R2) 중의 이산화규소의 농도를 산출한다. 이산화규소는 일부가 제해 장치(30) 내에 잔류하고, 나머지가 외부로 배출된다. 또 제해 장치(30) 내에 잔류하는 이산화규소의 일부가 순환수(R2) 중에 수용되고, 나머지가 제해 장치(30) 내에 수용된다. 따라서, 이산화규소의 몰수, 즉, 프로세스 가스(G1) 중의 모노실란의 몰수에, 제해 장치(30) 내에 수용되는 이산화규소의 비율 및 순환수(R2) 중에 수용되는 비율을 곱하여 순환수(R2) 중의 이산화규소의 농도를 산출한다. 예를 들면, 전자의 값은 60%이며 후자의 값은 75%가 생각되며, 이 경우에는, 순환수(R2) 중의 이산화규소의 몰수는 0.6과 0.75를 곱하여, 모노실란의 몰수의 0.45배가 된다.
순환수(R2) 중의 이산화규소 농도는, 프로세스 가스(G1)의 적산 유량과 보급수 유량과 순환수(R2)의 평균 배수 유량에 의거하여 산출된다. 이에 의해, 프로세스 챔버(10) 내를 클리닝하거나 하여 클리닝 가스(G2)만이 도입되는 경우여도, 제해 장치(30) 내의 이산화규소의 잔량에 의거하여 규불화수소산이 생성 가능한 때에는, 산배수(R1)의 유량을 억제할 수 있다.
또 제어 수단(31)은 클리닝 가스(G2)의 유량과 보급수 유량과 순환수(R2)의 평균 배수 유량에 의거하여, 순환수(R2) 중의 불화수소의 농도를 산출한다. 불화수소는 거의 전량이 순환수(R2)에 용해된다. 따라서, 불화수소의 몰수는 삼불화질소의 몰수의 3배가 된다.
불화수소의 농도는 클리닝 가스(G2)의 적산 유량에 의거하여 산출된다. 이에 의해, 프로세스 챔버(10)로부터 프로세스 가스(G1)만이 제해 장치(30)에 도입되는 경우라도, 제해 장치(30) 내의 불화수소의 잔량에 의거하여 규불화수소산이 생성 가능한 때에는, 산배수(R1)의 유량을 억제할 수 있다.
이와 같이 하여 순환수(R2) 중의 이산화규소의 농도 및 불화수소의 농도가 산출되고, 이산화규소의 농도와 불화수소의 농도의 비가 소정치 이상인 경우, 즉, 약 0.17 이상인 경우에는 규불화수소산이 생성되므로, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 저유량(예를 들면, 10L/min)으로 낮춘다. 한편, 이산화규소의 농도와 불화수소의 농도의 비가 소정치 미만인 경우, 즉, 약 0.17 미만인 경우에는, 불화수소의 재휘발을 억제하기 위해, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 고유량(예를 들면, 20L/min)으로 올린다. 또한 순환수(R2) 중의 이산화규소 농도와 불화수소 농도가 충분히 낮은 경우에는, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 제로로 하는 것도 가능하다.
드레인 탱크(34) 및 순환 경로(r) 내를 순환하는 순환수(R2)의 유량에 대해, 프로세스 가스(G1)의 단위 시간당 유량을 20slm으로 설정하고, 클리닝 가스(G2)의 단위 시간당 유량을 50slm으로 설정한 경우를 예로 설명한다.
표준 순환 모드(순환수(R2) 중의 이산화규소 농도와 불화수소 농도가 충분히 낮은 경우)에서는, 순환수(R2)의 평균 배수 유량 및 보급수 유량은 각각 제로이며, 드레인 탱크(34) 및 순환 경로(r) 내를 순환하는 순환수(R2)의 유량은, 제해 장치(30)의 제해 처리에 필요한 유량으로서 80L/min으로 설정된다. 구체적으로는, 표준 순환 모드에서는, 열교환기(37)를 경유하여 순환하는 순환수(R2)의 복귀량을 70L/min으로 설정하고, 제2 밸브(ｖ2)를 개방하여, 드레인 탱크(34)로의 복귀량을 10L/min으로 설정한다.
저유량 모드(순환수(R2)의 산성도가 역치 이하이며, 규불화수소산의 생성 조건을 만족하는 경우)에서는, 배수 밸브(ｖ1)를 개방하여 순환수(R2)가 산배수(R1)로서 배수된다. 배수 밸브(ｖ1)를 개방하였을 때의 배수 유량은 30L/min으로 설정되어 있으며, 배수 밸브(ｖ1)의 개폐 제어에 의해 순환수(R2)의 평균 배수 유량은 10L/min으로 제어된다. 따라서, 드레인 탱크(34) 및 순환 경로(r) 내의 순환수(R2)의 유량은 80L/min~100L/min으로 설정된다. 구체적으로는, 순환수(R2)의 최소 유량은 배수 밸브(ｖ1)가 폐쇄되어 있는 경우이며, 열교환기(37)를 경유하여 순환하는 순환수(R2)의 복귀량(70L/min)과 드레인 탱크(34)로의 복귀량(10L/min)의 합인 80L/min으로 설정된다. 한편, 순환수(R2)의 최대 유량은 배수 밸브(ｖ1)가 개방되어 있는 경우이며, 열교환기(37)를 경유하여 순환하는 순환수(R2)의 복귀량(70L/min)과, 배수 밸브(ｖ1)를 통해 외부로 배수되는 배수 유량(30L/min)의 합인 100L/min으로 설정된다. 또한 제3 밸브(ｖ3)를 개방하였을 때의 보급수의 유량은 20L/min으로 설정되어 있으며, 제3 밸브(ｖ3)의 개폐 제어에 의해 보급수의 평균 유량은 10L/min으로 제어된다.
고유량 모드(순환수(R2)의 산성도가 역치 이상인 경우, 또는, 규불화수소산의 생성 조건을 만족하지 않는 경우)에서는, 배수 밸브(ｖ1)를 개방하여 순환수(R2)가 산배수(R1)로서 배수된다. 배수 밸브(ｖ1)의 개폐 제어에 의해 순환수(R2)의 평균 배수 유량은 20L/min으로 제어된다. 따라서, 드레인 탱크(34) 및 순환 경로(r) 내의 순환수(R2)의 유량은 저유량 모드와 동일하게 80L/min~100L/min으로 설정된다. 또한 고유량 모드에서는 제3 밸브(ｖ3)는 항상 개방되어 있으며, 보급수의 유량은 20L/min으로 일정하다.
이와 같이 하여 본 발명에 따른 제해 장치는, 이산화규소와 불화수소로 규불화수소산을 생성 가능한 경우, 순환수(R2)의 평균 배수 유량을 저유량으로 낮춰도 순환수(R2) 내의 불소수소가 휘발하는 것이 억제되므로, 산배수 유량을 삭감할 수 있다. 또한 순환 경로(r) 내에 설치된 원심분리기(36)보다 하류측의 기기에 입상의 이산화규소가 막히는 것을 억제할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 변형 이외에도, 본 발명의 정신을 일탈하지 않는 한 여러 가지의 개변이 가능하며, 그리고 본 발명이 상기 개변된 것에 미치는 것은 당연하다.
본 발명은 반도체 제조 장치 외에, 액정 패널 제조 장치, 태양전지 셀 제조 장치 등에도 적용할 수 있다.
10: 프로세스 챔버 20: 드라이 펌프
30: 제해 장치 31: 제어 장치
32a: 유량계 33: 가열 수단
34: 드레인 탱크 35: 충전탑
36: 원심분리기 37: 열교환기
38: 전도율 센서(산성도 계측 수단) 39: 보급수 공급 수단
G1: 프로세스 가스 G2: 클리닝 가스
G3: 불화수소 가스 R1: 산배수
R2: 순환수 r: 순환 경로
ｖ1: 제1 밸브(배수 밸브) ｖ2: 제2 밸브
ｖ3: 제3 밸브 ｖ4: 제4 밸브

Claims (6)

  1. 규소를 포함하는 배출 가스 및 불소를 포함하는 배출 가스를 처리하는 제해(除害) 장치로서,
    상기 규소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 이산화규소 및 상기 불소를 포함하는 배출 가스로부터 생성된 불화수소를 용해시키는 순환수를 수용하는 드레인 탱크와,
    상기 드레인 탱크에 연통된 순환 경로와,
    상기 순환 경로에 설치되며 상기 순환수의 일부를 외부로 배수하는 배수 밸브와,
    상기 순환 경로에 보급수를 공급하는 보급수 공급 수단과,
    상기 배수 밸브 및 상기 보급수 공급 수단을 제어하여, 상기 순환 경로 내의 상기 순환수의 평균 배수 유량을 제어하는 제어 수단을 구비하고,
    상기 제어 수단은,
    상기 순환수 중의 상기 이산화규소의 농도와 상기 순환수 중의 상기 불화수소의 농도의 비가 규불화수소산을 생성 가능한 소정치 이상인 경우에는, 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량을 저유량으로 낮추고,
    상기 순환수 중의 상기 이산화규소의 농도와 상기 순환수 중의 상기 불화수소의 농도의 비가 상기 소정치 미만인 경우에는, 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량을 상기 저유량보다 큰 고유량으로 올리는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 규소를 포함하는 배출 가스의 적산 유량과 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량과 상기 보급수의 유량에 의거하여 상기 이산화규소의 농도를 도출하는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 불소를 포함하는 배출 가스의 적산 유량과 상기 순환수의 상기 평균 배수 유량과 상기 보급수의 유량에 의거하여 상기 불화수소의 농도를 도출하는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 순환수의 산성도를 계측하는 산성도 계측 수단을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 산성도는, 전도율 센서가 계측한 상기 순환수 중의 불화수소 농도에 의거하여 도출되는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 순환수로부터 상기 이산화규소를 분리하는 원심분리기를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 제해 장치.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7021237B2 (ja) * 2017-02-09 2022-02-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 水蒸気および酸素の反応物を利用するプラズマ軽減技術
GB2604652A (en) * 2021-03-12 2022-09-14 Edwards Ltd Abatement apparatus
CN114100352B (zh) * 2021-10-19 2024-02-02 安徽京仪自动化装备技术有限公司 一种废气洗涤处理系统及控制方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072006A1 (en) 2006-12-14 2008-06-19 Edwards Limited Method of treating a gas stream

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1417064A (en) * 1921-02-25 1922-05-23 Charles H Holmgren Centrifugal separator
GB9224594D0 (en) * 1991-12-10 1993-01-13 Ici Plc Water separation process
US6986874B2 (en) 2000-12-14 2006-01-17 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for the production of nitrogen trifluoride
KR100521398B1 (ko) * 2003-12-30 2005-10-12 손복남 산성가스를 처리하기 위한 스크러버 시스템
JP2005334729A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Canon Inc ガス処理方法
ITMI20041677A1 (it) * 2004-08-30 2004-11-30 E T C Epitaxial Technology Ct Processo di pulitura e processo operativo per un reattore cvd.
DE102004044592A1 (de) 2004-09-13 2006-03-30 Basf Ag Verfahren zur Trennung von Chlorwasserstoff und Phosgen
JP4394555B2 (ja) * 2004-09-30 2010-01-06 株式会社日立製作所 フッ素化合物含有ガスの処理方法及び処理装置
JP4434933B2 (ja) * 2004-12-03 2010-03-17 株式会社荏原製作所 排ガスの処理方法及び処理装置
JP4576312B2 (ja) 2005-10-03 2010-11-04 東北電力株式会社 四フッ化ケイ素の製造方法、及びそれに用いる製造装置
US7718151B1 (en) * 2006-04-07 2010-05-18 Liang Hu Methods and systems for deacidizing gaseous mixtures
JP2009018290A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Ebara Corp 排ガス洗浄装置
US20110020187A1 (en) 2008-03-06 2011-01-27 Toyo Tanso Co., Ltd. Surface treatment apparatus
JP5554482B2 (ja) * 2008-09-08 2014-07-23 大陽日酸株式会社 排ガス処理方法
WO2010034791A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Siemens Vai Metals Technologies Gmbh & Co Verfahren und vorrichtung zur trockenen entstaubung und reinigung von bei der eisenerzeugung oder kohlevergasung produziertem gas
US20100126349A1 (en) * 2008-11-26 2010-05-27 Applied Materials, Inc. Reduced temperature scrubbing of effluent gas
CA2750562C (en) 2009-01-27 2017-08-15 Schlumberger Norge As Methods for granular scavenger material transfer
DK2539281T3 (da) 2010-02-25 2016-04-18 Alfa Laval Corp Ab Rensningsudstyr til udstødningsgas og gas-scrubber-fluid og fremgangsmåde
US8642252B2 (en) 2010-03-10 2014-02-04 International Business Machines Corporation Methods for fabrication of an air gap-containing interconnect structure
WO2011162023A1 (ja) * 2010-06-21 2011-12-29 エドワーズ株式会社 ガス処理システム
US8937186B2 (en) * 2012-08-21 2015-01-20 Uop Llc Acids removal and methane conversion process using a supersonic flow reactor
JP5941028B2 (ja) * 2012-11-15 2016-06-29 オー・ジー株式会社 Ｓｉ含有フッ酸系廃液からＳｉを除去する方法及びＳｉ含有フッ酸系混酸廃液からフッ酸を回収する方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008072006A1 (en) 2006-12-14 2008-06-19 Edwards Limited Method of treating a gas stream

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