JP5452884B2 - シリコンウェーハの酸化膜を処理する処理方法 - Google Patents
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Description
(1)フッ化水素及び水蒸気を含む混合ガスを生成する生成工程と、シリコンウェーハに前記混合ガスを噴射する噴射工程と、を含むシリコンウェーハの酸化膜を処理する処理方法であって、前記生成工程において、フッ化水素と水蒸気との比を前記酸化膜に合わせて変更可能なことを特徴とする処理方法を提供することができる。ここで、シリコンウェーハの酸化膜を処理するとは、後工程若しくは要求品質に応じて該酸化膜を好ましいものに変えることを含んでよい。この好ましいものに変えることは、該酸化膜を単純に除去することを含むことができ、また、該酸化膜を還元して異なる性質にすることを含むことができる。また、比を前記酸化膜に合わせるとは、該酸化膜の化学的及び/又は物理的性質に応ずることを意味してよい。例えば、該酸化膜の酸化度合いや、該酸化膜のポーラス度合い等の性質に応ずることであってよい。
(A)濃度(フッ酸水中のフッ化水素の濃度)
(B)流量(非酸化性ガスの流量)
(C)温度(非酸化性ガスの温度)
上記三つのパラメーターを調整し、HF/H2Oの比を制御することでエッチングレートをコントロールすることができる。このようにして、例えば、常に一定のエッチングレートを制御することができる。また、品質の安定したウェーハを生産することが可能となる。
(I)密封タンク内にフッ化水素水の濃縮原液及び純水を入れ、混合させる。このとき設置されている液濃度計によりフッ化水素濃度を測定し、望ましい濃度のフッ化水素水(フッ酸水)に調合する。
(II)次に、窒素供給装置から供給される所定量の窒素をバブリングタンク12b内のフッ化水素水にバブリングする。例えば、多孔質体からバブリングさせることによりフッ化水素、水蒸気、及び窒素の混合ガスをより容易に発生させる。
(III)ガス濃度計42により、HF/H2Oの比をチェックしながら窒素の流量をマスフローコントローラー38により調整し、更に、ヒーター36の出力を制御して供給窒素の温度を調整する。例えば、窒素流量を増やすと、フッ化水素の含有量が増え、水蒸気の含有量は減る。そのため、HF/H2Oの比は増加する。また、温度を上げると、フッ化水素及び水蒸気の含有量は高くなるが、HF/H2Oの比は相対的であるので、そのときの条件に応じて変化する。尚、この間エアバルブ46は閉じているので、処理部には混合ガスは供給されない。
(IV)望ましいHF/H2O比になることを確認し、エアバルブ46を開けて、シリコンウェーハ52へ、ノズル50から混合ガスを噴射し、処理を開始する。このとき、同時に回転ステージ56の回転を始め、均一に処理が進むようにする。
12 密封タンク
25 HF濃度計
42 ガス濃度計
50 ノズル
52 シリコンウェーハ
104 HF/H2O比測定装置
106 制御装置
116 ヒーター調整器
Claims (2)
- フッ化水素及び水蒸気を含む混合ガスを生成する生成工程と、
エピタキシャル層を成長させるための基板となるシリコンウェーハに前記混合ガスを噴射する噴射工程と、を含むシリコンウェーハの酸化膜を処理する処理方法であって、
前記生成工程は、
フッ酸水に非酸化性の気体をバブリングすることにより前記混合ガスを生成する工程と、
フッ化水素と水蒸気との比をチェックしながら前記非酸化性の気体の流量及び/又は温度を調整する工程と、を含み、
前記フッ化水素と水蒸気との比を0.25から1.25の範囲に調整することを特徴とする処理方法。 - シリコンウェーハ基板上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記シリコンウェーハ基板を請求項1に記載の処理方法により処理する工程と、
水素存在下で熱処理を行う工程と、
処理後の前記シリコンウェーハ基板上にエピタキシャル層を成長させる工程と、を含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
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