KR102370517B1 - 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6404189B2 (ja) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6726430B2 (ja) * 2016-01-25 2020-07-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101817211B1 (ko) * 2016-05-27 2018-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101914479B1 (ko) * 2016-08-31 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6815799B2 (ja) * 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2018110186A (ja) * 2017-01-04 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
WO2018159193A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10875149B2 (en) * 2017-03-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for timed dispensing various slurry components
JP6923344B2 (ja) 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Screenホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US20210280429A1 (en) * 2018-07-26 2021-09-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
CN111081585B (zh) * 2018-10-18 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置及清洗设备
JP7169865B2 (ja) * 2018-12-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI820263B (zh) * 2018-12-14 2023-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP7308048B2 (ja) * 2019-02-15 2023-07-13 株式会社Screenホールディングス 液処理装置および液処理方法
JP7390837B2 (ja) * 2019-09-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR102877982B1 (ko) * 2019-12-16 2025-10-29 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법
US11756805B2 (en) 2019-12-27 2023-09-12 Veeco Instruments Inc. Apparatus and method for die stack flux removal
JP7362505B2 (ja) * 2020-02-20 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
JP7453020B2 (ja) * 2020-03-06 2024-03-19 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
TWI886306B (zh) * 2020-07-28 2025-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7486372B2 (ja) * 2020-07-29 2024-05-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2022097520A1 (ja) * 2020-11-05 2022-05-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102877342B1 (ko) * 2021-01-11 2025-10-30 삼성디스플레이 주식회사 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법
JP7798516B2 (ja) * 2021-09-27 2026-01-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN114420552B (zh) * 2021-12-31 2025-10-03 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种基于流场控制的高温蚀刻方法
JP2024047495A (ja) 2022-09-26 2024-04-05 株式会社Screenホールディングス 学習装置、情報処理装置、基板処理装置、基板処理システム、学習方法および処理条件決定方法
JP2024124092A (ja) 2023-03-02 2024-09-12 株式会社Screenホールディングス 学習装置、情報処理装置、基板処理装置、学習モデル生成方法および処理条件決定方法
JP2024136166A (ja) 2023-03-23 2024-10-04 株式会社Screenホールディングス 情報処理装置、基板処理装置および処理条件決定方法
CN120937117A (zh) 2023-03-24 2025-11-11 株式会社斯库林集团 学习装置、信息处理装置、基板处理装置、学习方法以及处理条件决定方法
US12544805B2 (en) 2023-06-02 2026-02-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to enable droplet jet cleaning at elevated temperature

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093497A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
US20090004876A1 (en) 2006-01-31 2009-01-01 Sakae Koyata Method for Etching Single Wafer
US20100101497A1 (en) 2008-10-29 2010-04-29 Takashi Izuta Substrate treatment apparatus

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245287A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd ウエットエッチング装置
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
US6516815B1 (en) * 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3585437B2 (ja) * 2000-11-22 2004-11-04 株式会社荏原製作所 ルテニウム膜のエッチング方法
US7927429B2 (en) * 2003-11-18 2011-04-19 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and computer readable recording medium
JP4760255B2 (ja) 2005-09-21 2011-08-31 富士ゼロックス株式会社 ネットワークプリントシステム
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4638402B2 (ja) * 2006-10-30 2011-02-23 大日本スクリーン製造株式会社 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2008218545A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置
JP4988616B2 (ja) 2007-08-21 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20090107519A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for chemically enhanced laser trimming of substrate edges
US20090214985A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Tokyo Electron Limited Method for reducing surface defects on patterned resist features
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US20090241995A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and apparatus
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
JP5349944B2 (ja) * 2008-12-24 2013-11-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置の液飛散防止カップ、基板処理装置、及びその運転方法
JP5634341B2 (ja) 2011-06-29 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5693439B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6183705B2 (ja) * 2013-01-15 2017-08-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093497A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
US20090004876A1 (en) 2006-01-31 2009-01-01 Sakae Koyata Method for Etching Single Wafer
US20100101497A1 (en) 2008-10-29 2010-04-29 Takashi Izuta Substrate treatment apparatus

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