KR102368022B1 - 멀티플렉서 및 고주파 필터 - Google Patents

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Abstract

멀티플렉서(1)는 복수개의 필터를 포함하고, 복수개의 필터 각각의 한쪽의 입출력 단자(m11, m21 및 m31)는 공통 단자(m1)에 접속되고, 복수개의 필터에 포함되는 제1 필터(10)는 래더형 필터이며, 공통 단자(m1)와 제1 필터(10)의 다른 쪽의 입출력 단자(m12)를 잇는 경로 상에 접속된 적어도 하나의 직렬암 공진자와, 상기 경로 상에 마련된 접속 노드와 그라운드 사이에 접속된 적어도 하나의 병렬암 공진자와, 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 접속되고, 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환하는 스위치(SW1)를 포함한다.

Description

멀티플렉서 및 고주파 필터
본 발명은 멀티플렉서 및 고주파 필터에 관한 것이다.
종래, 휴대전화단말 등의 통신 장치에서, 하나의 단말로 복수개의 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 송수신하는 것, 이른바 캐리어 어그리게이션(CA)화에 대응하는 것이 요구되고 있다. 이와 같은 방식을 채용하는 통신 장치에서는 예를 들면, 복수개의 필터의 안테나 측에서 멀티포트 온 스위치(multiport on switch)(복수개의 스위치를 포함하고, 복수개의 스위치 중 2개 이상을 동시에 켜는 것이 가능한 스위치)가 접속되고, 복수개의 주파수 대역의 고주파 신호가 동시에 송수신된다(예를 들면, 특허문헌 1).
일본 공개특허공보 특개2015-208007호
예를 들면, 2개의 주파수 대역의 고주파 신호를 동시에 송수신하는 경우, 복수개의 필터 중 하나의 필터의 통과 대역 밖에서의 반사 특성을 향상시킴으로써, 상기 통과 대역 밖을 통과 대역으로 하는 다른 필터의 통과 특성을 향상시킬 수 있다. 이것은 복수개의 필터 중 한쪽의 입출력 단자는 공통 단자(예를 들면 안테나 측의 단자)로 공통 접속되고, 다른 필터의 통과 대역에 대응하는 고주파 신호가 하나의 필터에 흘러 들어가지 않고 반사되기 때문이다. 그러나 상기 멀티포트 온 스위치가 사용되면, 안테나와 복수개의 필터 각각 사이에 스위치가 직렬로 접속되게 되기 때문에, 상기 스위치가 손실이 되어 하나의 필터의 반사 특성이 열화되고, 그에 따라 다른 필터의 통과 특성이 열화된다.
따라서, 본 발명은 필터 특성을 개선할 수 있는 멀티플렉서 등을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 한 양태에 따른 멀티플렉서는 복수개의 필터를 포함하고, 상기 복수개의 필터 각각의 한쪽의 입출력 단자는 공통 단자에 접속되며, 상기 복수개의 필터에 포함되는 제1 필터는 래더(ladder)형 필터이고, 상기 공통 단자와 상기 제1 필터의 다른 쪽의 입출력 단자를 잇는 경로 상에 접속된 적어도 하나의 직렬암(serial arm) 공진자와, 상기 경로 상에 마련된 접속 노드와 그라운드 사이에 접속된 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자와, 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가깝게 접속된 제1 병렬암 공진자와 직렬로 접속되고, 상기 제1 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드와 그라운드의 도통(導通) 및 비(非)도통을 전환하는 제1 스위치를 포함한다.
이에 따르면, 제1 스위치는 공통 단자와 제1 필터의 다른 쪽의 입출력 단자를 잇는 경로 상에 접속되지 않기 때문에, 스위치의 손실에 의한 제1 필터의 필터 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 제1 병렬암 공진자는 제1 필터를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자에 가장 가깝고, 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자이다. 제1 스위치가 비도통 상태(제1 병렬암 공진자가 접속된 접속 노드와 그라운드가 비도통 상태)인 경우, 공통 단자에 가장 가까운 제1 병렬암 공진자가 오픈된다. 따라서, 제1 필터의 통과 대역 밖에서의 공통 단자 측에서 본 임피던스를 제1 병렬암 공진자가 오픈된 만큼 크게 할 수 있고, 제1 필터의 통과 대역 밖에서의 반사 특성을 개선할 수 있다. 즉, 제1 필터와 함께 멀티플렉서를 구성하고, 상기 통과 대역 밖을 통과 대역으로 하는 다른 필터의 통과 특성을 개선할 수 있다. 이와 같이, 필터 특성을 개선할 수 있는 멀티플렉서를 제공할 수 있다.
또한, 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자는 적어도 2개의 직렬암 공진자이며, 상기 제1 병렬암 공진자는 상기 적어도 2개의 직렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가깝게 접속된 제1 직렬암 공진자와 2번째로 가깝게 접속된 제2 직렬암 공진자 사이의 상기 접속 노드에 접속되어도 된다.
제1 직렬암 공진자 및 제2 직렬암 공진자는 공통 단자에 가깝게 접속되기 때문에 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 된다. 그리고 제1 스위치가 비도통 상태인 경우, 제1 직렬암 공진자 및 제2 직렬암 공진자 사이에 접속된 제1 병렬암 공진자가 오픈되기 때문에 제1 직렬암 공진자 및 제2 직렬암 공진자의 합성 용량은 작아진다. 따라서, 제1 필터의 통과 대역 밖에서의 공통 단자 측에서 본 임피던스를 보다 크게 할 수 있고, 제1 필터의 통과 대역 밖에서의 반사 특성을 보다 개선할 수 있다. 즉, 상기 다른 필터의 통과 특성을 보다 개선할 수 있다.
또한, 상기 공통 단자와 상기 제1 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드는 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 것도 개재하지 않고 접속되어도 된다.
이에 따르면, 공통 단자와 제1 병렬암 공진자가 접속된 접속 노드 사이에 직렬암 공진자가 접속되지 않기 때문에, 제1 필터는 공통 단자 측에서 보아, 제1 병렬암 공진자와 제1 스위치가 직렬로 접속된 회로로부터 시작되는 래더형 필터가 된다. 그리고 제1 스위치가 비도통 상태인 경우에는 제1 병렬암 공진자는 오픈되고, 제1 필터를 공통 단자 측에서 보아 직렬암 공진자로부터 시작되는 래더형 필터로 할 수 있다. 한편, 제1 스위치가 도통 상태(제1 병렬암 공진자가 접속된 접속 노드와 그라운드가 도통 상태)인 경우에는 제1 필터를 제1 병렬암 공진자로부터 시작되는 래더형 필터로 할 수 있다. 직렬암 공진자로부터 시작되는 래더형 필터와 병렬암 공진자로부터 시작되는 래더형 회로에서는 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스가 크게 다르다. 따라서, 제1 스위치의 도통·비도통에 의해, 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스를 크게 변화시킬 수 있기 때문에 제1 필터를 임피던스 조정 회로로도 사용할 수 있다.
또한, 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자는 적어도 2개의 병렬암 공진자이며, 상기 제1 필터는 제2 스위치를 더 포함하고, 상기 제2 스위치는 상기 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 상기 제1 병렬암 공진자보다도 상기 다른 쪽의 입출력 단자 측에 접속된 제2 병렬암 공진자와 직렬로 접속되며, 상기 제2 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환해도 된다.
이에 따르면, 제1 스위치 및 제2 스위치에 의해, 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스를 유연하게 조정할 수 있다.
또한, 상기 제2 병렬암 공진자는 상기 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 2번째로 가깝게 접속되어도 된다.
이에 따르면, 제2 병렬암 공진자는 제1 필터를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자에 2번째로 가깝고, 제1 필터의 공통 단자 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉽기 때문에 상기 임피던스를 보다 유연하게 조정할 수 있다.
또한, 상기 제1 필터를 제외한 상기 복수개의 필터 중 어느 하나의 필터가 사용될 때에 상기 제1 스위치는 비도통으로 되어도 된다.
이에 따르면, 제1 필터를 제외한 복수개의 필터 중 어느 하나의 필터가 사용될 때에 상기 어느 하나의 필터의 통과 특성을 개선할 수 있다.
또한, 상기 복수개의 필터에는 상기 제1 필터보다 통과 대역이 높은 필터가 포함되어도 된다. 구체적으로는 상기 제1 필터는 상기 복수개의 필터 중 가장 통과 대역이 낮은 필터여도 된다.
제1 스위치가 도통 상태인 경우, 제1 스위치의 손실(예를 들면 온(ON) 저항)에 의해, 제1 병렬암 공진자의 공진점 부근의 Q값이 열화된다. 제1 병렬암 공진자의 반공진점은 제1 필터의 통과 대역을 형성하고, 상기 반공진점보다 주파수가 낮은 공진점은 상기 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역을 형성한다. 따라서, 상기 공진점은 제1 필터의 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역의 감쇠 특성에 영향을 주기 때문에, 상기 공진점의 Q값이 열화됨으로써, 상기 감쇠 대역의 감쇠 특성이 열화된다. 이에 반하여, 복수개의 필터 중 제1 필터의 통과 대역이 될 수 있는 한 낮고, 예를 들면, 가장 낮음으로써, 제1 필터의 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역과 다른 필터의 통과 대역이 중복되지 않도록 할 수 있으며, 다른 필터로의 상기 감쇠 대역의 감쇠 특성의 열화에 의한 영향을 억제할 수 있다.
또한, 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자에는 상기 제1 병렬암 공진자의 공진 주파수보다 공진 주파수가 높은 병렬암 공진자가 포함되어도 된다. 구체적으로는, 상기 제1 병렬암 공진자는 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 가장 공진 주파수가 낮은 병렬암 공진자여도 된다.
제1 스위치가 도통 상태인 경우, 제1 스위치의 손실(예를 들면 온 저항)에 의해, 제1 병렬암 공진자의 공진점 부근의 Q값이 열화된다. 병렬암 공진자의 저역 측의 공진점으로부터 고역 측의 반공진점에 걸쳐 필터의 통과 대역이 형성되기 때문에, 공진점 부근의 Q값이 열화된 제1 병렬암 공진자의 공진 주파수가 될 수 있는 한 낮고, 예를 들면, 가장 낮음으로써, 상기 Q값의 열화에 의한 제1 필터의 통과 특성으로의 영향을 억제할 수 있다.
본 발명의 한 양태에 따른 고주파 필터는 래더형 고주파 필터로서, 제1 입출력 단자와 제2 입출력 단자를 잇는 경로 상에 접속된 적어도 하나의 직렬암 공진자와, 상기 경로 상에 마련된 접속 노드와 그라운드 사이에 접속된 적어도 하나의 병렬암 공진자와, 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 어느 하나와 직렬로 접속되고, 상기 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환하는 스위치를 포함한다.
이에 따르면, 필터 특성을 개선할 수 있는 고주파 필터를 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 멀티플렉서 등에 따르면, 필터 특성을 개선할 수 있다.
도 1은 실시형태 1에 따른 멀티플렉서의 회로 구성도이다.
도 2a는 실시형태 1에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다.
도 2b는 실시형태 1에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터의 반사 손실을 나타내는 그래프이다.
도 3은 실시형태 1에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제2 필터의 삽입 손실을 나타내는 그래프이다.
도 4는 비교예에 따른 제1 필터의 회로 구성도이다.
도 5는 실시형태 1과 비교예를 비교했을 때의 제1 필터의 반사 손실을 나타내는 그래프이다.
도 6은 실시형태 1의 변형예에 따른 멀티플렉서의 회로 구성도이다.
도 7a는 실시형태 1의 변형예에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다.
도 7b는 실시형태 1의 변형예에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터의 반사 손실을 나타내는 그래프이다.
도 8은 실시형태 2에 따른 제1 필터의 회로 구성도이다.
도 9는 실시형태 2에서, 제1 스위치가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다.
도 10은 실시형태 3에 따른 제1 필터의 회로 구성도이다.
도 11은 실시형태 3에서, 제1 스위치로부터 제3 스위치의 비도통 및 도통을 전환했을 때의 제1 필터의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 한편, 이하에서 설명하는 실시형태는 모두 포괄적 또는 구체적인 예를 나타내는 것이다. 이하의 실시형태에서 나타내지는 수치, 형상, 재료, 구성 요소, 구성 요소의 배치 및 접속 형태 등은 일례이며, 본 발명을 한정하는 주지가 아니다. 이하의 실시형태에서의 구성 요소 중 독립 청구항에 기재되지 않은 구성 요소에 대해서는 임의의 구성 요소로서 설명된다. 또한, 각 도면에서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명은 생략 또는 간략화하는 경우가 있다. 또한, 이하의 실시형태에서, "접속되다"란, 직접 접속되는 경우뿐만 아니라, 다른 소자 등을 통해 전기적으로 접속되는 경우도 포함된다.
(실시형태 1)
[1. 멀티플렉서의 구성]
우선, 실시형태 1에 따른 멀티플렉서의 구성에 대해 설명한다.
도 1은 실시형태 1에 따른 멀티플렉서(1)의 회로 구성도이다. 도 1에는 멀티플렉서(1)의 공통 단자(m1)에 접속된 안테나 소자(ANT)도 도시되어 있다. 안테나 소자(ANT)는 고주파 신호를 송수신하는, 예를 들면 LTE(Long Term Evolution) 등의 통신 규격에 준거한 멀티밴드 대응의 안테나이다.
멀티플렉서(1)는 래더형의 제1 필터(10)를 포함하는 복수개의 필터를 포함하고, 복수개의 필터 각각의 한쪽의 입출력 단자(입출력 단자(m11, m21 및 m31))가 공통 단자(m1)에 공통적으로 접속된 분파·합파기이다. 복수개의 필터는 예를 들면, 통과 대역이 서로 다르다. 본 실시형태에서는 멀티플렉서(1)는 3개의 필터를 포함하는 트리플렉서이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 멀티플렉서(1)는 각각 래더형의 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)를 포함한다. 복수개의 필터 각각의 다른 쪽의 입출력 단자(입출력 단자(m12, m22 및 m32))에는 도시하지 않았지만, 예를 들면, 스위치 회로 또는 파워 앰프, 로우노이즈 앰프 등의 증폭 회로 등을 통해 RF 신호 처리 회로(RFIC: Radio Frequency Integrated Circuit)가 접속된다. 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30) 중 어느 것을 사용하여 통신을 할지는, 예를 들면, RFIC에 의해 제어된다. 예를 들면, 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30) 중 2개 이상의 필터가 동시에 사용됨으로써 CA가 실시된다.
제1 필터(10)는 예를 들면, LTE의 Band 66Rx(2110-2200㎒)를 통과 대역으로 하는 고주파 필터이다. 제1 필터(10)는 예를 들면, 래더형 탄성파 필터이다.
제1 필터(10)는 한쪽의 입출력 단자(m11)(제1 입출력 단자)와 다른 쪽의 입출력 단자(m12)(제2 입출력 단자)를 잇는 경로 상에 접속된 적어도 하나의 직렬암 공진자를 포함한다. 한편, 입출력 단자(m11)는 공통 단자(m1)에 접속되기 때문에, 상기 경로는 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m12)를 잇는 경로여도 된다. 본 실시형태에서는 제1 필터(10)는 서로 직렬 접속된 직렬암 공진자(s11~s14)를 포함한다.
또한, 제1 필터(10)는 상기 경로 상에 마련된 접속 노드와 그라운드 사이에 접속된 적어도 하나의 병렬암 공진자를 포함한다. 접속 노드란, 소자와 소자, 또는 소자와 단자 사이의 접속점이며, 도 1에서는 n1 등으로 나타내는 점에 의해 나타내고 있다. 본 실시형태에서는 제1 필터(10)는 적어도 하나의 병렬암 공진자로서, 직렬암 공진자(s11 및 s12) 사이의 노드(n1)와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p11), 직렬암 공진자(s12 및 s13) 사이의 노드(n2)와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p12), 직렬암 공진자(s13 및 s14) 사이의 노드(n3)와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p13)를 포함한다.
병렬암 공진자(p11)는 적어도 하나의 병렬암 공진자(여기서는 병렬암 공진자(p11~p13)) 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 제1 병렬암 공진자이다. 병렬암 공진자(p11)는 제1 필터(10)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속되기 때문에, 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 된다. 한편, 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속이란, 회로도 상에서 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속되는 것을 의미한다. 즉, 예를 들면 기판 상 등에서의 배치에 대해서는 병렬암 공진자(p11)는 병렬암 공진자(p11~p13) 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 배치되지 않아도 된다.
적어도 하나의 직렬암 공진자 및 적어도 하나의 병렬암 공진자는 탄성파를 이용한 공진자이며, 예를 들면, SAW(Surface Acoustic Wave)를 이용한 공진자, BAW(Bulk Acoustic Wave)를 이용한 공진자, 혹은 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) 등이다. 한편, SAW에는 표면파뿐만 아니라 경계파도 포함된다. 여기서는 이들 공진자를 SAW 공진자로 한다. 이로써, 고주파 필터를 압전성을 가지는 기판 상에 형성된 IDT(InterDigital Transducer) 전극에 의해 구성할 수 있으므로, 급준도(急峻度)가 높은 통과 특성을 가지는 소형이면서 저배(低背)인 필터 회로를 실현할 수 있다. 한편, 압전성을 가지는 기판은 적어도 표면에 압전성을 가지는 기판이다. 상기 기판은 예를 들면, 표면에 압전 박막을 포함하고, 상기 압전 박막과 음속이 다른 막, 및 지지 기판 등의 적층체로 구성되어도 된다. 또한, 상기 기판은 예를 들면, 고음속 지지 기판과, 고음속 지지 기판 상에 형성된 압전 박막을 포함하는 적층체, 고음속 지지 기판과, 고음속 지지 기판 상에 형성된 저음속막과, 저음속막 상에 형성된 압전 박막을 포함하는 적층체, 또는 지지 기판과, 지지 기판 상에 형성된 고음속막과, 고음속막 상에 형성된 저음속막과, 저음속막 상에 형성된 압전 박막을 포함하는 적층체여도 된다. 한편, 상기 기판은 기판 전체에 압전성을 가져도 된다. 또한, 이하에서 설명하는 공진자에 대해서도 마찬가지이기 때문에, 이하에서는 상세한 설명을 생략한다.
또한, 제1 필터(10)는 스위치(SW1)(제1 스위치)를 포함한다. 스위치(SW1)는 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 접속되고, 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환하는 스위치이다. 비도통이란, 완전히 비도통은 물론, 누설 전류 등의 미소한 전류가 흐르는 경우도 포함된다. 한편, 스위치(SW1)는 병렬암 공진자(p11)와 그라운드 사이에 접속되는데, 노드(n1)와 병렬암 공진자(p11) 사이에 접속되어도 된다. 스위치(SW1)는 예를 들면 SPST(Single Pole Single Throw)형 스위치 소자이다. 스위치(SW1)는 RFIC 등의 제어부(도시하지 않음)로부터의 제어 신호에 의해 도통 및 비도통이 전환됨으로써, 이들의 접속 노드와 그라운드를 도통 또는 비도통으로 한다. 예를 들면, 스위치(SW1)는 GaAs 혹은 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)로 이루어지는 FET(Field Effect Transistor) 스위치, 또는 다이오드 스위치를 들 수 있다. 한편, 이하에서 설명하는 스위치에 대해서도 마찬가지이기 때문에 이하에서는 상세한 설명을 생략한다.
스위치(SW1)는 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m12)를 잇는 경로 상에 접속되지 않기 때문에, 제1 필터(10)의 필터 특성에 영향을 주기 어렵다. 예를 들면, 스위치가 상기 경로 상에 접속된 경우에, 제1 필터(10)를 사용할 때에는 상기 스위치는 도통 상태가 된다. 이 때, 스위치의 손실(온 저항)에 의해, 제1 필터(10)의 통과 특성 및 반사 특성이 열화된다. 따라서, 제1 필터(10)와 다른 필터가 동시 사용되는 경우에는 제1 필터(10)의 반사 특성이 열화됨으로써, 상기 다른 필터의 통과 특성도 열화된다. 따라서, 본 발명에서는 스위치는 상기 경로 상에 접속되지 않고, 병렬암 공진자와 직렬로 접속된다.
스위치(SW1)가 비도통 상태, 즉, 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)와 그라운드가 비도통 상태인 경우, 공통 단자(m1)에 가장 가까운 병렬암 공진자(p11)가 오픈된다. 본 실시형태에서는 적어도 하나의 직렬암 공진자는 적어도 2개의 직렬암 공진자이며, 병렬암 공진자(p11)는 적어도 2개의 직렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 직렬암 공진자(s11)(제1 직렬암 공진자)와 2번째로 가깝게 접속된 직렬암 공진자(s12)(제2 직렬암 공진자) 사이의 노드(n1)에 접속된다. 이로써, 스위치(SW1)가 비도통 상태에서는 직렬로 접속된 2개의 직렬암 공진자(s11 및 s12)의 합성 용량은 작아진다.
제1 필터(10)가 사용될 때에는 예를 들면, 스위치(SW1)가 도통이 된다. 한편, 제1 필터(10)를 제외한 복수개의 필터 중 어느 하나의 필터(제2 필터(20) 또는 제3 필터(30))가 사용될 때에 스위치(SW1)는 비도통이 된다. 이 경우, 제2 필터(20)만 사용되어도 되고, 제3 필터(30)만 사용되어도 되며, 제2 필터(20) 및 제3 필터(30) 양쪽이 사용되어서 CA가 실시되어도 된다. 한편, 제2 필터(20) 또는 제3 필터(30)가 사용될 때에, 제1 필터(10)도 사용되는 경우(예를 들면 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)가 동시 사용되는 3CA 시)에는 스위치(SW1)가 비도통이 되어도 된다.
한편, 제1 필터(10)가 포함하는 직렬암 공진자의 수는 4개에 한정되지 않고, 병렬암 공진자의 수는 3개에 한정되지 않는다. 예를 들면, 제1 필터(10)는 직렬암 공진자를 1~3개, 또는, 5개 이상 포함해도 되고, 병렬암 공진자를 1개, 2개, 또는 4개 이상 포함해도 된다. 예를 들면, 제1 필터(10)는 하나의 직렬암 공진자(s11), 하나의 병렬암 공진자(p11) 및 스위치(SW1)만 포함하는 구성이어도 된다.
제2 필터(20)는 예를 들면, LTE의 Band 25Rx(1930-1995㎒)를 통과 대역으로 하는 필터이다. 제2 필터(20)는 예를 들면, 래더형 탄성파 필터이다. 제2 필터(20)는 한쪽의 입출력 단자(m21)(공통 단자(m1))와 다른 쪽의 입출력 단자(m22)를 잇는 경로 상에 접속된 직렬암 공진자(s21~s24)를 포함한다. 또한, 제2 필터(20)는 직렬암 공진자(s21 및 s22) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p21), 직렬암 공진자(s22 및 s23) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p22), 직렬암 공진자(s23 및 s24) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p23)를 포함한다.
제3 필터(30)는 예를 들면, LTE의 Band 30Rx(2350-2360㎒)를 통과 대역으로 하는 필터이다. 제3 필터(30)는 예를 들면, 래더형 탄성파 필터이다. 제3 필터(30)는 한쪽의 입출력 단자(m31)(공통 단자(m1))와 다른 쪽의 입출력 단자(m32)를 잇는 경로 상에 접속된 직렬암 공진자(s31~s34)를 포함한다. 또한, 제3 필터(30)는 직렬암 공진자(s31 및 s32) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p31), 직렬암 공진자(s32 및 s33) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p32), 직렬암 공진자(s33 및 s34) 사이의 노드와 그라운드 사이에 접속된 병렬암 공진자(p33)를 포함한다.
[2. 멀티플렉서의 특성]
다음으로, 멀티플렉서(1)의 특성에 대해 설명한다.
도 2a는 실시형태 1에서, 스위치(SW1)가 비도통(OFF)인 경우와 도통(ON)인 경우에서의 제1 필터(10)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다. 구체적으로는, 도 2a는 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측의 입출력 단자(m11) 측에서 보았을 때의 제1 필터(10)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다. 한편, 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 영향을 받지 않을 때의 제1 필터(10)의 임피던스 특성을 설명하기 위해, 도 2a에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 제1 필터(10)와 분리된 상태로 되어 있다. 즉, 도 2a에서는 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 접속 상태는 설명을 위해 실사용 상태(도 1에 나타내는 상태)로 되어 있지 않다. 도 2b는 실시형태 1에서, 스위치(SW1)가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타내는 그래프이다. 한편, 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 영향을 받지 않을 때의 제1 필터(10)의 반사 손실을 설명하기 위해, 도 2b에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 분리된 상태로 되어 있다. 즉, 도 2b에서는 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 접속 상태는 설명을 위해 실사용 상태로 되어 있지 않다. 도 2b에서는 실선은 스위치(SW1)가 비도통인 경우의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타내고, 파선은 스위치(SW1)가 도통인 경우의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타낸다. 각 도면은 제1 필터(10)의 통과 대역(2110-2200㎒) 밖이며, 제2 필터(20)의 통과 대역(1930-1995㎒)에서의 제1 필터(10)의 필터 특성을 나타낸다. 이하에서 설명하는 도면에서도 별도로 설명하지 않을 경우에는 마찬가지이다.
도 2a로부터 분명한 바와 같이, 스위치(SW1)가 도통인 경우와 비도통인 경우를 비교하면, 스위치(SW1)를 비도통으로 함으로써, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖(구체적으로는, 제2 필터(20)의 통과 대역: 1930-1995㎒)에서의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스가 커진다. 상술한 바와 같이, 병렬암 공진자(p11)는 제1 필터(10)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속되고, 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자이기 때문이다. 즉, 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 스위치(SW1)를 접속하고, 스위치(SW1)를 비도통으로 하여 병렬암 공진자(p11)를 오픈함으로써 상기 임피던스를 크게 할 수 있다.
또한, 직렬암 공진자(s11 및 s12)는 직렬암 공진자(s11 및 s12) 사이에 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)가 있기 때문에, 공통 단자(m1)에 가깝게 접속됨으로써, 제1 필터(10)의 공통 단자 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 된다. 따라서, 병렬암 공진자(p11)가 오픈됨으로써, 직렬암 공진자(s11 및 s12)의 합성 용량이 작아지는(임피던스가 커지는) 것도 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 크게 할 수 있는 요인이다.
이로써, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 스위치(SW1)가 비도통인 경우에는 제1 필터(10)의 통과 대역 밖(제2 필터(20)의 통과 대역)에서의 반사 손실이 작아지고, 제2 필터(20)의 통과 대역에 대응하는 고주파 신호가 제1 필터(10)에서 반사되기 쉬워지며, 제2 필터(20)의 통과 대역에서의 삽입 손실이 개선된다.
도 3은 실시형태 1에서, 스위치(SW1)가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제2 필터(20)의 삽입 손실을 나타내는 그래프이다. 한편, 도 3에서는 제1 필터(10), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 접속 상태는 실사용 상태로 되어 있다. 도 3에서는 실선은 스위치(SW1)가 비도통인 경우의 제2 필터(20)의 삽입 손실을 나타내고, 파선은 스위치(SW1)가 도통인 경우의 제2 필터(20)의 삽입 손실을 나타낸다. 도 3은 제1 필터(10)의 통과 대역(2110-2200㎒) 밖이며, 제2 필터(20)의 통과 대역(1930-1995㎒)에서의 제2 필터(20)의 통과 특성을 나타낸다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 스위치(SW1)가 비도통인 경우에는 제2 필터(20)의 통과 대역에서의 삽입 손실이 작아지고, 제2 필터(20)의 통과 특성이 개선된 것을 알 수 있다. 구체적으로는, 제2 필터(20)의 삽입 손실은 스위치(SW1)가 도통인 경우, 1930㎒에서는 2.349㏈, 1995㎒에서는 2.853㏈인 것에 반해, 스위치(SW1)가 비도통인 경우, 1930㎒에서는 2.28㏈, 1995㎒에서는 2.552㏈로 개선되었다.
상술한 바와 같이, 병렬암 공진자(p11)는 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 되고, 병렬암 공진자(p11)를 오픈하기 위해, 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 스위치(SW1)가 접속된다. 이하에서는 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 스위치(SW1)가 접속되지 않은 비교예에 대해 설명한다.
도 4는 비교예에 따른 제1 필터(100)의 회로 구성도이다. 한편, 도시를 생략했지만, 제1 필터(100), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)에 의해 도 1에 나타내는 바와 같은 멀티플렉서가 구성된다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 비교예에서는 병렬암 공진자(p11)에 스위치(SW1)가 접속되지 않고, 병렬암 공진자(p12)에 스위치(SW1a)가 접속된다. 병렬암 공진자(p12)는 제1 필터(100)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 공진자가 아니기 때문에, 병렬암 공진자(p11)보다 제1 필터(100)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 어려운 공진자가 된다.
도 5는 실시형태 1과 비교예를 비교했을 때의 제1 필터(10 및 100)의 반사 손실을 나타내는 그래프이다. 한편, 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 영향을 받지 않을 때의 제1 필터(100)의 반사 손실을 설명하기 위해, 도 5에서는 제2 필터(20), 제3 필터(30)는 제1 필터(100)와 분리된 상태로 되어 있다. 즉, 도 5에서는 제1 필터(100), 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)의 접속 상태는 설명을 위해 실사용 상태로는 되어 있지 않다. 도 5에서는 실선은 스위치(SW1)가 비도통인 경우의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타내고, 파선은 스위치(SW1)가 도통인 경우의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타내며, 일점쇄선은 스위치(SW1a)가 비도통인 경우의 제1 필터(100)의 반사 손실을 나타낸다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 제1 필터(100)에서 스위치(SW1a)를 비도통으로 한 경우에는 제1 필터(10)에서 스위치(SW1)를 비도통으로 했을 때보다 반사 손실이 커진 것을 알 수 있다. 이것은 상술한 바와 같이, 병렬암 공진자(p12)는 병렬암 공진자(p11)보다 제1 필터(100)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 어려운 공진자이기 때문이다. 따라서, 본 실시형태와 같이, 제1 필터(10)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속되는 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 스위치(SW1)를 접속함으로써, 제1 필터(100)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 향상시킬 수 있다.
[3. 변형예]
한편, 멀티플렉서(1)는 공통 단자(m1)와 각 필터의 한쪽의 입출력 단자(m11, m21 및 m31) 사이에 매칭 회로를 포함해도 된다.
도 6은 실시형태 1의 변형예에 따른 멀티플렉서(1)의 회로 구성도이다.
본 실시형태의 변형예에 따른 멀티플렉서(1)는 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m11) 사이에 제1 필터(10)의 임피던스 조정용 매칭 회로(11)를 포함하고, 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m21) 사이에 제2 필터(20)의 임피던스 조정용 매칭 회로(21)를 포함하며, 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m31) 사이에 제3 필터(30)의 임피던스 조정용 매칭 회로(31)를 포함한다. 매칭 회로(11, 21 및 31)는 예를 들면, LC회로 등이지만, 특별히 한정되지 않는다. 단, 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m11, m21 및 m31)를 잇는 경로 상에 스위치가 직렬로 접속된 경우에는 상기 스위치에 의한 손실에 의해 각 필터의 필터 특성이 열화되기 때문에, 매칭 회로(11, 21 및 31)는 상기 스위치를 포함하지 않는다. 본 실시형태의 변형예에서는 매칭 회로(11, 21 및 31)는 션트(shunt) 인덕터에 의해 구성된다.
도 7a는 실시형태 1의 변형예에서, 스위치(SW1)가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터(10)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다. 도 7b는 실시형태 1의 변형예에서, 스위치(SW1)가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터(10)의 반사 손실을 나타내는 그래프이다. 한편, 도 2a 및 도 2b와 마찬가지로, 도 7a 및 도 7b에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 제1 필터(10)와 분리된 상태로 되어 있다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에서의 스미스 차트 상에서의 제1 필터(10)의 임피던스 특성은 도 2a에 나타내는 임피던스 특성과 비교하여, 스위치(SW1)가 도통 및 비도통 중 어느 것에서도 등(等) 레지스턴스 원(constant resistance circuit)을 반시계 방향으로 회전한 위치에 있고, 임피던스(특히 리액턴스)가 커진 것을 알 수 있다. 이것은 공통 단자(m1)와 제1 필터(10) 사이에 매칭 회로(11)로서 션트 인덕터가 접속되었기 때문이다.
또한, 도 7b에 나타내는 바와 같이, 매칭 회로(11)가 접속되어도 스위치(SW1)가 비도통인 경우에는 도통인 경우와 비교하여 제1 필터(10)의 반사 특성을 개선할 수 있는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 공통 단자(m1)와 제1 필터(10) 사이에 매칭 회로(11)를 접속하여, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖에서의 공통 단자(m1)에서 본 임피던스를 크게 해도 된다.
[4. 정리]
이상 설명한 바와 같이, 스위치(SW1)는 공통 단자(m1)와 입출력 단자(m12)를 잇는 경로와 그라운드 사이에 접속되고 상기 경로 상에 접속되지 않기 때문에, 스위치의 손실에 의한 제1 필터(10)의 필터 특성의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 병렬암 공진자(p11)는 제1 필터(10)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 가장 가깝고, 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 된다. 스위치(SW1)가 비도통 상태인 경우, 공통 단자(m1)에 가장 가까운 병렬암 공진자(p11)가 오픈된다. 따라서, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖에서의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 크게 할 수 있고, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖에서의 반사 특성을 개선할 수 있다. 즉, 제1 필터(10)와 함께 멀티플렉서(1)를 구성하고, 상기 통과 대역 밖을 통과 대역으로 하는 다른 필터(제2 필터(20) 등)의 통과 특성을 개선할 수 있다.
본 발명은 멀티플렉서에서 동시 사용될 수 있는 복수개의 필터에 우선도가 낮은 필터와 우선도가 높은 필터가 포함되는 경우에 특히 유효하다. 우선도가 높은 필터란, 예를 들면, 빈번하게 사용되는 주파수 대역에 대응하는 필터, 또는 요구 사양이 엄격한 필터 등을 말한다. 예를 들면, 본 실시형태에서는 제1 필터(10)는 스위치(SW1)가 비도통이 됨으로써 병렬암 공진자(p11)가 오픈되기 때문에, 스위치(SW1)가 비도통 상태에서는 제1 필터(10)의 필터 특성은 열화된다. 따라서, 제1 필터(10)는 우선도가 낮은 필터로 사용되면 된다. 한편, 제2 필터(20)는 제1 필터(10)에 의해 필터 특성이 개선되기 때문에, 제1 필터(10)보다 우선도가 높은 필터로 사용되면 된다.
또한, 2개의 직렬암 공진자(s11 및 s12) 사이에 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)가 있기 때문에, 2개의 직렬암 공진자(s11 및 s12)도 공통 단자(m1)에 가깝게 접속되게 되고, 제1 필터(10)의 공통 단자 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉬운 공진자가 된다. 그리고 스위치(SW1)가 비도통 상태인 경우, 2개의 직렬암 공진자(s11 및 s12) 사이에 접속된 병렬암 공진자(p11)가 오픈되기 때문에, 2개의 직렬암 공진자(s11 및 s12)의 합성 용량은 작아진다. 따라서, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖에서의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 보다 크게 할 수 있고, 제1 필터(10)의 통과 대역 밖에서의 반사 특성을 보다 개선할 수 있다. 즉, 다른 필터(제2 필터(20) 등)의 통과 특성을 보다 개선할 수 있다.
한편, 멀티플렉서(1)를 구성하는 복수개의 필터에는 제1 필터(10)보다 통과 대역이 높은 필터가 포함되어도 되고, 예를 들면, 제1 필터(10)는 복수개의 필터 중 가장 통과 대역이 낮은 필터여도 된다.
스위치(SW1)가 도통 상태인 경우, 스위치(SW1)의 손실(예를 들면 온 저항)에 의해, 병렬암 공진자(p11)의 공진점(공진자의 임피던스가 극소가 되는 특이점(이상적으로는 임피던스가 0이 되는 점))의 Q값이 열화된다. 병렬암 공진자(p11)의 반공진점(공진자의 임피던스가 극대가 되는 특이점(이상적으로는 임피던스가 무한대가 되는 점))은 제1 필터(10)의 통과 대역을 형성하고, 상기 반공진점보다 주파수가 낮은 공진점은 상기 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역을 형성한다. 따라서, 상기 공진점은 제1 필터(10)의 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역의 감쇠 특성에 영향을 주기 때문에, 상기 공진점의 Q값이 열화됨으로써, 상기 감쇠 대역의 감쇠 특성이 열화된다. 이에 반하여, 복수개의 필터 중 제1 필터(10)의 통과 대역이 될 수 있는 한 낮고, 예를 들면, 가장 낮음으로써, 제1 필터(10)의 통과 대역보다 낮은 측의 감쇠 대역과 다른 필터(예를 들면 제3 필터(30))의 통과 대역이 중복되지 않도록 할 수 있고, 다른 필터로의 상기 감쇠 대역의 감쇠 특성의 열화에 의한 영향을 억제할 수 있다.
또한, 적어도 하나의 병렬암 공진자에는 병렬암 공진자(p11)의 공진 주파수보다 공진 주파수가 높은 병렬암 공진자가 포함되어도 되고, 예를 들면, 병렬암 공진자(p11)는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 가장 공진 주파수가 낮은 병렬암 공진자여도 된다.
스위치(SW1)가 도통 상태인 경우, 스위치(SW1)의 손실(예를 들면 온 저항)에 의해, 병렬암 공진자(p11)의 공진점 부근의 Q값이 열화된다. 병렬암 공진자의 저역 측의 공진점으로부터 고역 측의 반공진점에 걸쳐 필터의 통과 대역이 형성되기 때문에, 공진점 부근의 Q값이 열화된 병렬암 공진자(p11)의 공진 주파수가 될 수 있는 한 낮고, 예를 들면, 가장 낮음으로써, 상기 Q값의 열화에 의한 제1 필터(10)의 통과 특성으로의 영향을 억제할 수 있다.
(실시형태 2)
다음으로, 실시형태 2에 따른 제1 필터(10a)에 대해 설명한다.
실시형태 2에 따른 제1 필터(10a)는 직렬암 공진자(s11)를 포함하지 않은 점이 실시형태 1에 따른 제1 필터(10)와 다르다. 그 밖의 점은 실시형태 1에 따른 제1 필터(10)와 동일하기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 도시하지 않았지만, 실시형태 2에서, 제1 필터(10a)는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)와 함께 멀티플렉서를 구성한다. 또한, 제1 필터(10a)의 통과 대역은 제1 필터(10)와 동일한 LTE의 Band 66Rx(2110-2200㎒)로 한다.
도 8은 실시형태 2에 따른 제1 필터(10a)의 회로 구성도이다.
실시형태 2에 따른 제1 필터(10a)는 실시형태 1에 따른 제1 필터(10)와 비교하여 직렬암 공진자(s11)를 포함하지 않음으로써, 공통 단자(m1)(입출력 단자(m11))와 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)는 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 것도 개재하지 않고 접속된다. 이로써, 노드(n1)는 공통 단자(m1)(입출력 단자(m11))와 직렬암 공진자(s12) 사이에 마련된 접속 노드가 된다. 따라서, 노드(n1)의 공통 단자(m1) 측에는 직렬암 공진자가 접속되지 않기 때문에, 제1 필터(10a)는 공통 단자(m1) 측에서 보아, 병렬암 공진자(p11)와 스위치(SW1)가 직렬로 접속된 회로로부터 시작되는 래더형 필터가 된다.
도 9는 실시형태 2에서, 스위치(SW1)가 비도통인 경우와 도통인 경우에서의 제1 필터(10a)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다. 한편, 도 2a와 마찬가지로, 도 9에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 제1 필터(10a)와 분리된 상태가 된다.
도 9로부터 분명한 바와 같이, 스위치(SW1)가 도통인 경우와 비도통인 경우를 비교하면, 스위치(SW1)를 비도통으로 함으로써, 제1 필터(10a)의 통과 대역 밖(구체적으로는 제2 필터(20)의 통과 대역: 1930-1995㎒)에서의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스가 커졌다. 단, 본 실시형태에서의 스미스 차트 상에서의 제1 필터(10a)의 임피던스 특성은 도 2a에 나타내는 제1 필터(10)의 임피던스 특성과 비교하여, 등 레지스턴스 원을 시계 방향으로 회전한 위치에 있고, 임피던스(특히 리액턴스)가 작아진 것을 알 수 있다. 이것은 실시형태 1에서는 직렬암 공진자(s11 및 s12)의 합성 용량이 작아짐으로써 인덕턴스가 커졌지만, 실시형태 2에서는 제1 필터(10a)가 직렬암 공진자(s11)를 포함하지 않고, 그 만큼 용량이 커졌기(즉 임피던스가 작아졌기) 때문이다.
그러나 본 실시형태에서는 스위치(SW1)가 비도통 상태인 경우에는 병렬암 공진자(p11)는 오픈되고, 제1 필터(10a)를 공통 단자(m1) 측에서 보아 직렬암 공진자(s12)로부터 시작되는 래더형 필터로 할 수 있다. 한편, 스위치(SW1)가 도통 상태인 경우에는 제1 필터(10a)를 병렬암 공진자(p1)로부터 시작되는 래더형 필터로 할 수 있다. 이로써, 본 실시형태에서의 스미스 차트 상에서의 제1 필터(10a)의 임피던스 특성은 도 2a에 나타내는 제1 필터(10)의 임피던스 특성과 비교하여, 스위치(SW1)가 도통인 경우와 비도통인 경우의 임피던스의 변화량이 커졌다. 이와 같이, 직렬암 공진자(s12)로부터 시작되는 래더형 필터와 병렬암 공진자(p11)로부터 시작되는 래더형 필터에서는 제1 필터(10)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스가 크게 다르다. 따라서, 스위치(SW1)의 도통·비도통에 의해, 제1 필터(10a)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 크게 변화시킬 수 있기 때문에 제1 필터(10a)를 임피던스 조정 회로로도 사용할 수 있다.
(실시형태 3)
다음으로, 실시형태 3에 따른 제1 필터(10b)에 대해 설명한다.
실시형태 3에 따른 제1 필터(10b)는 적어도 2개의 병렬암 공진자를 포함하고, 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 병렬암 공진자(p11) 이외의 병렬암 공진자에도 직렬로 스위치가 접속된 점이 실시형태 1에 따른 제1 필터(10)와 다르다. 또한, 실시형태 3에 따른 제1 필터(10b)는 병렬암 공진자(p14) 및 직렬암 공진자(s15)를 포함하는 점도 실시형태 1에 따른 제1 필터(10)와 다르지만, 상기 다른 점은 직렬암 공진자의 직렬 접속 수 및 병렬암 공진자의 병렬 접속 수가 실시형태 1에서의 것과 달라도 되는 것을 나타내는 것이며, 실시형태 3의 주된 특징이 아니기 때문에 상세한 설명을 생략한다. 또한, 도시하지 않았지만, 실시형태 3에서 제1 필터(10b)는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)와 함께 멀티플렉서를 구성한다. 또한, 제1 필터(10b)의 통과 대역은 제1 필터(10)와 동일한 LTE의 Band 66Rx(2110-2200㎒)로 한다.
도 10은 실시형태 3에 따른 제1 필터(10b)의 회로 구성도이다.
제1 필터(10b)는 스위치(SW2)(제2 스위치)를 더 포함한다. 스위치(SW2)는 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 병렬암 공진자(p11)보다 다른 쪽의 입출력 단자(m12) 측에 접속된 병렬암 공진자(p12)(제2 병렬암 공진자)와 직렬로 접속되고, 병렬암 공진자(p12)가 접속된 노드(n2)와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환한다. 또한, 병렬암 공진자(p11)가 접속된 노드(n1)와 병렬암 공진자(p12)가 접속된 노드(n2) 사이에는 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 하나(여기서는 직렬암 공진자(s12))가 접속된다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 병렬암 공진자(p12)는 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)(입출력 단자(m11))에 2번째로 가깝게 접속된다. 한편, 제1 필터(10b)는 직렬암 공진자(s12)를 포함하지 않아도 되고, 노드(n1)와 노드(n2) 사이에는 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 것도 접속되지 않아도 된다.
또한, 제1 필터(10b)는 스위치(SW3)(제3 스위치)를 포함한다. 스위치(SW3)는 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 병렬암 공진자(p11)보다 다른 쪽의 입출력 단자(m12) 측에 접속된 병렬암 공진자(p13)와 직렬로 접속되고, 병렬암 공진자(p13)가 접속된 노드(n3)와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환한다. 또한, 병렬암 공진자(p12)가 접속된 노드(n2)와 병렬암 공진자(p13)가 접속된 노드(n3) 사이에는 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 하나(여기서는 직렬암 공진자(s13))가 접속된다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 병렬암 공진자(p13)는 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)(입출력 단자(m11))에 3번째로 가깝게 접속된다. 한편, 제1 필터(10b)는 직렬암 공진자(s13)를 포함하지 않아도 되고, 노드(n2)와 노드(n3) 사이에는 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 것도 접속되지 않아도 된다.
이와 같이, 본 실시형태에서는 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 병렬암 공진자(p11) 외에 병렬암 공진자(p11)보다 입출력 단자(m12) 측에 접속된 병렬암 공진자에도 스위치가 직렬로 접속된다. 한편, 제1 필터(10b)는 스위치(SW2 및 SW3) 중 어느 하나를 포함하지 않아도 되고, 또한 병렬암 공진자(p14)와 직렬로 스위치가 접속되어도 된다.
도 11은 실시형태 3에서, 스위치(SW1)부터 스위치(SW3)의 비도통 및 도통을 전환했을 때의 제1 필터(10b)의 임피던스 특성을 나타내는 스미스 차트이다. 한편, 도 2a와 마찬가지로, 도 11에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 제1 필터(10b)와 분리된 상태가 된다. 도 11에 나타내는 "전체 SW ON"은 스위치(SW1~SW3)를 모두 도통 상태로 한 경우의 제1 필터(10b)의 임피던스 특성을 나타낸다. "SW1 OFF"는 스위치(SW1)만 비도통 상태로 하고 스위치(SW2 및 SW3)를 도통 상태로 한 경우의 제1 필터(10b)의 임피던스 특성을 나타낸다. "SW1, SW2 OFF"는 스위치(SW1 및 SW2)를 비도통 상태로 하고 스위치(SW3)만 도통 상태로 한 경우의 제1 필터(10b)의 임피던스 특성을 나타낸다. "전체 SW OFF"는 스위치(SW1~SW3)를 모두 비도통 상태로 한 경우의 제1 필터(10b)의 임피던스 특성을 나타낸다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 스위치(SW1~SW3)가 모두 도통인 상태에 대하여, 공통 단자(m1)에 가깝게 접속된 병렬암 공진자에 대응하는 스위치부터 순서대로 비도통 상태로 해 감(즉, 스위치(SW1, SW2, SW3)의 순서로 도통 상태로 해 감)으로써, 단계적으로 임피던스가 커져 가는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 병렬암 공진자에 접속되는 스위치로서, 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 병렬암 공진자(p11) 이외의 병렬암 공진자에도 스위치가 접속됨으로써, 제1 필터(10b)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스를 유연하게 조정할 수 있다. 또한, 병렬암 공진자(p12)는 제1 필터(10b)를 구성하는 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 공통 단자(m1)에 2번째로 가깝고, 제1 필터(10b)의 공통 단자(m1) 측에서 본 임피던스에 영향을 주기 쉽기 때문에, 병렬암 공진자(p11) 이외의 병렬암 공진자로서 병렬암 공진자(p12)에 스위치(SW2)가 접속됨으로써, 상기 임피던스를 보다 유연하게 조정할 수 있다.
(기타 실시형태)
이상, 본 발명에 따른 멀티플렉서 및 고주파 필터(제1 필터)에 대해 실시형태를 들어 설명했는데, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태에서의 임의의 구성 요소를 조합하여 실현되는 다른 실시형태나, 상기 실시형태에 대하여 본 발명의 주지를 일탈하지 않는 범위에서 당업자가 생각해내는 각종 변형을 가하여 얻어지는 변형예나, 본 발명에 따른 멀티플렉서 및 고주파 필터를 내장한 각종 기기도 본 발명에 포함된다.
예를 들면, 상기 실시형태에서는 멀티플렉서(1)는 트리플렉서였는데, 듀플렉서, 쿼드플렉서 등이어도 된다.
또한, 예를 들면, 상기 실시형태에서는 제1 필터(10, 10a 및 10b)의 통과 대역은 LTE의 Band 66Rx(2110-2200㎒), 제2 필터(20)의 통과 대역은 LTE의 Band 25Rx(1930-1995㎒), 제3 필터(30)의 통과 대역은 LTE의 Band 30Rx(2350-2360㎒)였는데, 이들은 일례이며, 요구 사양에 따라 적절히 결정된다.
또한, 예를 들면, 상기 실시형태에서는 제2 필터(20) 및 제3 필터(30)는 래더형 탄성파 필터였는데, LC필터 등이어도 된다.
또한, 예를 들면, 상기 실시형태에서는, 스위치(SW1)는 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 접속되었는데, 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 어느 하나와 직렬로 접속되면 된다. 즉, 스위치(SW1)는 반드시 공통 단자(m1)에 가장 가깝게 접속된 병렬암 공진자(p11)와 직렬로 접속되지 않아도 된다.
본 발명은 멀티밴드 시스템에 적용할 수 있는 멀티플렉서 및 고주파 필터로서 휴대전화 등의 통신기기에 널리 이용할 수 있다.
1: 멀티플렉서
10, 10a, 10b, 100: 제1 필터
11, 21, 31: 매칭 회로
20: 제2 필터
30: 제3 필터
m1: 공통 단자
m11: 입출력 단자(제1 입출력 단자)
m12: 입출력 단자(제2 입출력 단자)
m21, m22, m31, m32: 입출력 단자
n1~n4: 노드
p11: 병렬암 공진자(제1 병렬암 공진자)
p12: 병렬암 공진자(제2 병렬암 공진자)
p13, p14, p21~p23, p31~p33: 병렬암 공진자
s11: 직렬암 공진자(제1 직렬암 공진자)
s12: 직렬암 공진자(제2 직렬암 공진자)
s13~s15, s21~s24, s31~s34: 직렬암 공진자
ANT: 안테나 소자
SW1: 스위치(제1 스위치)
SW2: 스위치(제2 스위치)
SW1a, SW3: 스위치

Claims (11)

  1. 복수개의 필터를 포함하고,
    상기 복수개의 필터 각각의 한쪽의 입출력 단자는 공통 단자에 접속되며,
    상기 복수개의 필터에 포함되는 제1 필터는,
    래더(ladder)형 필터이고,
    상기 공통 단자와 상기 제1 필터의 다른 쪽의 입출력 단자를 잇는 경로 상에 접속된 적어도 하나의 직렬암(serial arm) 공진자와,
    상기 경로 상에 마련된 접속 노드와 그라운드 사이에 접속된 적어도 하나의 병렬암(parallel arm) 공진자와,
    상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가깝게 접속된 제1 병렬암 공진자와 직렬로 접속되고, 상기 제1 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드와 그라운드의 도통(導通) 및 비(非)도통을 전환하는 제1 스위치를 포함하고,
    상기 제1 필터를 제외한 상기 복수개의 필터 중 어느 하나의 필터가 사용될 때에 상기 제1 스위치는 비도통이 되는, 멀티플렉서.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 직렬암 공진자는 적어도 2개의 직렬암 공진자이며,
    상기 제1 병렬암 공진자는 상기 적어도 2개의 직렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 가장 가깝게 접속된 제1 직렬암 공진자와 2번째로 가깝게 접속된 제2 직렬암 공진자 사이의 상기 접속 노드에 접속되는, 멀티플렉서.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 공통 단자와 상기 제1 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드는 상기 적어도 하나의 직렬암 공진자 중 어느 것도 개재하지 않고 접속되는, 멀티플렉서.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 병렬암 공진자는 적어도 2개의 병렬암 공진자이며,
    상기 제1 필터는 제2 스위치를 더 포함하고,
    상기 제2 스위치는 상기 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 상기 제1 병렬암 공진자보다 상기 다른 쪽의 입출력 단자 측에 접속된 제2 병렬암 공진자와 직렬로 접속되고, 상기 제2 병렬암 공진자가 접속된 상기 접속 노드와 그라운드의 도통 및 비도통을 전환하는, 멀티플렉서.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 병렬암 공진자는 상기 적어도 2개의 병렬암 공진자 중 상기 공통 단자에 2번째로 가깝게 접속되는, 멀티플렉서.
  6. 삭제
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수개의 필터에는 상기 제1 필터보다 통과 대역이 높은 필터가 포함되는, 멀티플렉서.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 필터는 상기 복수개의 필터 중 가장 통과 대역이 낮은 필터인, 멀티플렉서.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 병렬암 공진자에는 상기 제1 병렬암 공진자의 공진 주파수보다 공진 주파수가 높은 병렬암 공진자가 포함되는, 멀티플렉서.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 병렬암 공진자는 상기 적어도 하나의 병렬암 공진자 중 가장 공진 주파수가 낮은 병렬암 공진자인, 멀티플렉서.
  11. 삭제
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102368022B1 (ko) * 2017-10-10 2022-02-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 멀티플렉서 및 고주파 필터
JP7383417B2 (ja) * 2019-07-31 2023-11-20 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法、圧電薄膜共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ
US20220029646A1 (en) * 2020-07-27 2022-01-27 Corning Research & Development Corporation Radio frequency transceiver filter circuit having inter-stage impedance matching
CN112511131B (zh) * 2021-02-05 2021-05-25 成都频岢微电子有限公司 一种具有高隔离度和高通频带低频侧高陡峭度的双工器
JP2022183065A (ja) * 2021-05-28 2022-12-08 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド スイッチング可能弾性波フィルタ及び関連マルチプレクサ

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090251235A1 (en) * 2008-02-15 2009-10-08 Stmicroelectronics S.A. Bulk acoustic wave resonator filter being digitally reconfigurable, with process
US20110299432A1 (en) * 2009-12-03 2011-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Sub-band duplexer with active frequency tuning
WO2014167755A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3878714B2 (ja) * 1997-04-24 2007-02-07 京セラ株式会社 弾性表面波フィルタ
JP4943137B2 (ja) 2006-12-25 2012-05-30 京セラ株式会社 分波器および通信装置
JP5441095B2 (ja) * 2008-01-31 2014-03-12 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、デュープレクサ、通信モジュール、および通信装置
JP2010252254A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Murata Mfg Co Ltd 弾性波フィルタ及び分波器
US9246536B2 (en) * 2009-12-03 2016-01-26 Rf Micro Devices, Inc. Duplexer with active temperature compensation
JP5859579B2 (ja) * 2012-02-06 2016-02-10 太陽誘電株式会社 フィルタ回路およびモジュール
KR101916554B1 (ko) * 2013-12-27 2018-11-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 필터
US9602156B2 (en) 2014-04-22 2017-03-21 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for diversity modules
DE102014111904A1 (de) 2014-08-20 2016-02-25 Epcos Ag Abstimmbares HF-Filter mit Parallelresonatoren
WO2017138540A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社村田製作所 高周波フィルタ回路、デュプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
CN108604890B (zh) * 2016-02-08 2022-06-21 株式会社村田制作所 高频前端电路以及通信装置
JP6411398B2 (ja) * 2016-03-14 2018-10-24 太陽誘電株式会社 フィルタ回路、フロントエンド回路およびモジュール
CN108886349B (zh) * 2016-03-31 2022-06-07 株式会社村田制作所 频率可变滤波器、rf前端电路以及通信终端
CN109155639A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 株式会社村田制作所 高频前端电路以及通信装置
WO2017204347A1 (ja) * 2016-05-27 2017-11-30 株式会社村田製作所 高周波フィルタ装置、及び、通信装置
JP6669252B2 (ja) * 2016-05-27 2020-03-18 株式会社村田製作所 高周波フィルタ回路、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN109196777B (zh) * 2016-05-27 2022-06-14 株式会社村田制作所 高频滤波电路、多工器、高频前端电路以及通信装置
CN109478882B (zh) * 2016-07-15 2022-08-23 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信终端
WO2018037967A1 (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 株式会社村田製作所 フィルタ装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018037968A1 (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018043608A1 (ja) * 2016-09-02 2018-03-08 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
CN109643988B (zh) * 2016-09-02 2022-11-22 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置、高频前端电路以及通信装置
JP6669262B2 (ja) * 2016-09-02 2020-03-18 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018051864A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 株式会社村田製作所 高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018056224A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
KR102193508B1 (ko) * 2016-09-26 2020-12-21 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치, 고주파 프론트엔드 회로 및 통신 장치
WO2018061949A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018061878A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波装置、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018061950A1 (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018135538A1 (ja) * 2017-01-19 2018-07-26 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
US10547286B2 (en) * 2017-02-03 2020-01-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Filter and front end module including the same
WO2018147135A1 (ja) * 2017-02-07 2018-08-16 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
WO2018151218A1 (ja) * 2017-02-20 2018-08-23 株式会社村田製作所 フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
CN110383687B (zh) * 2017-03-01 2023-02-17 株式会社村田制作所 高频滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
CN110431744B (zh) * 2017-03-15 2023-07-21 株式会社村田制作所 多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2018186227A1 (ja) * 2017-04-03 2018-10-11 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置、デュプレクサ、高周波フロントエンド回路、および通信装置
CN110663179B (zh) * 2017-05-18 2023-03-21 株式会社村田制作所 多工器、高频电路以及通信装置
WO2019003855A1 (ja) * 2017-06-28 2019-01-03 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2019003619A1 (ja) * 2017-06-28 2019-01-03 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2019013015A1 (ja) * 2017-07-10 2019-01-17 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2019012822A1 (ja) * 2017-07-10 2019-01-17 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2019044656A1 (ja) * 2017-08-28 2019-03-07 株式会社村田製作所 フィルタ装置、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
KR102368022B1 (ko) * 2017-10-10 2022-02-25 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 멀티플렉서 및 고주파 필터
CN111201709B (zh) * 2017-10-16 2023-07-25 株式会社村田制作所 弹性波滤波器、多工器、高频前端电路以及通信装置
WO2019188864A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
US10659086B2 (en) * 2018-06-13 2020-05-19 Qorvo Us, Inc. Multi-mode radio frequency circuit
WO2020059352A1 (ja) * 2018-09-19 2020-03-26 株式会社村田製作所 フィルタ装置ならびにそれを用いた高周波フロントエンド回路および通信装置
US11563421B2 (en) * 2018-09-21 2023-01-24 Qorvo Us, Inc. Acoustic structure having tunable parallel resonance frequency
JP2021064874A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 株式会社村田製作所 高周波モジュールおよび通信装置
JP2022183065A (ja) * 2021-05-28 2022-12-08 スカイワークス ソリューションズ，インコーポレイテッド スイッチング可能弾性波フィルタ及び関連マルチプレクサ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090251235A1 (en) * 2008-02-15 2009-10-08 Stmicroelectronics S.A. Bulk acoustic wave resonator filter being digitally reconfigurable, with process
US20110299432A1 (en) * 2009-12-03 2011-12-08 Rf Micro Devices, Inc. Sub-band duplexer with active frequency tuning
WO2014167755A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 株式会社村田製作所 デュプレクサ

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