KR102318784B1 - 웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치 - Google Patents
웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102318784B1 KR102318784B1 KR1020150113346A KR20150113346A KR102318784B1 KR 102318784 B1 KR102318784 B1 KR 102318784B1 KR 1020150113346 A KR1020150113346 A KR 1020150113346A KR 20150113346 A KR20150113346 A KR 20150113346A KR 102318784 B1 KR102318784 B1 KR 102318784B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- grinding
- polishing
- imaging
- inspection method
- Prior art date
Links
- 238000000227 grinding Methods 0.000 title claims abstract description 218
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 73
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 34
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 22
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 234
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
- B24B37/013—Devices or means for detecting lapping completion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/0076—Other grinding machines or devices grinding machines comprising two or more grinding tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
- B24B37/105—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement
- B24B37/107—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping the workpieces or work carriers being actively moved by a drive, e.g. in a combined rotary and translatory movement in a rotary movement only, about an axis being stationary during lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20048—Transform domain processing
- G06T2207/20056—Discrete and fast Fourier transform, [DFT, FFT]
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 웨이퍼 상으로부터 연삭흔을 제거하여 웨이퍼의 연마 불량을 줄이는 것을 목적으로 한다.
연마 가공 후의 웨이퍼를 검사하는 웨이퍼의 검사 방법은, 연삭 가공 후의 웨이퍼를 연마하는 공정과, 연마 가공 후의 웨이퍼의 가공면을 촬상하고, 촬상 화상으로부터 웨이퍼의 가공면에 남겨진 복수의 연삭흔의 특성을 포함하는 촬상 데이터를 생성하는 공정과, 촬상 데이터를 푸리에 변환하여 연삭흔을 나타내는 주파수 분포를 추출하고, 추출한 주파수 분포를 역푸리에 변환하여 얻어지는 진폭이 미리 규정된 규정폭보다도 큰 경우에 연마 불량으로 판단하는 공정을 갖는 구성으로 하였다.
연마 가공 후의 웨이퍼를 검사하는 웨이퍼의 검사 방법은, 연삭 가공 후의 웨이퍼를 연마하는 공정과, 연마 가공 후의 웨이퍼의 가공면을 촬상하고, 촬상 화상으로부터 웨이퍼의 가공면에 남겨진 복수의 연삭흔의 특성을 포함하는 촬상 데이터를 생성하는 공정과, 촬상 데이터를 푸리에 변환하여 연삭흔을 나타내는 주파수 분포를 추출하고, 추출한 주파수 분포를 역푸리에 변환하여 얻어지는 진폭이 미리 규정된 규정폭보다도 큰 경우에 연마 불량으로 판단하는 공정을 갖는 구성으로 하였다.
Description
본 발명은, 연마 후의 웨이퍼의 연삭흔(硏削痕)을 검사하는 웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치에 관한 것이다.
연삭 연마 장치는 웨이퍼에 대하여 연삭 가공 후에 연마 가공을 행하는 것으로, 웨이퍼에 잔존하는 연삭 데미지가 제거되어 항절 강도를 높일 수 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에 기재된 연삭 연마 장치는, 복수의 척테이블이 배치된 턴테이블이 설치되어 있고, 턴테이블의 주위에 연삭 수단 및 연마 수단이 설치되어 있다. 그리고, 턴테이블이 간헐적으로 회전됨으로써, 척테이블 상의 웨이퍼가 연삭 수단, 연마 수단에 차례로 위치된다. 이 때문에, 척테이블로부터 웨이퍼를 떼어내지 않고, 연삭 가공과 연마 가공을 연속적으로 실시하는 것이 가능해지고 있다.
그런데, 연삭 가공에 있어서는, 웨이퍼의 상면을 통과한 연삭 지석에 의해 웨이퍼의 상면에 원호형의 연삭흔이 그려져 있다. 특허문헌 1에 기재된 연삭 연마 장치에서는, 연삭 가공 후에 연삭흔이 없어지도록 웨이퍼에 연마 가공이 실시되지만, 웨이퍼 상의 연삭흔이 깊은 경우 등에는, 웨이퍼 상에서 연삭흔이 충분히 제거되지 않을 우려가 있다. 이 때문에, 연마 가공이 실시되었음에도 불구하고 웨이퍼 상에 연삭흔이 남겨진 상태가 되고, 웨이퍼에 연마 불량이 발생하고 있었다.
본 발명은 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 웨이퍼 상에서 연삭흔을 제거하여 웨이퍼의 연마 불량을 줄일 수 있는 웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 검사 방법은, 연마 가공된 웨이퍼의 가공면을 촬상하여 연마 가공 결과를 검사하는 웨이퍼 검사 방법으로서, 척테이블로 유지한 웨이퍼의 연삭 지석으로 연삭한 연삭면을 연마하는 연마 공정과, 상기 연마 공정을 거친 웨이퍼의 가공면의, 적어도 웨이퍼의 중심을 중심으로 하는 360도의 정해진 영역을 촬상하는 촬상 공정과, 상기 촬상 공정으로부터 얻어진 촬상 데이터를 푸리에 변환하여 연삭흔을 나타내는 주파수 분포를 추출하고, 추출한 주파수 분포를 역푸리에 변환하여 얻어지는 진폭이 미리 규정된 규정폭보다 큰 경우에 연마 불량이라고 판단하는 판단 공정을 포함한다.
이 구성에 따르면, 연마 가공 후의 웨이퍼의 가공면이 촬상되어, 웨이퍼의 가공면에 남겨진 연삭흔의 진폭(고저차)의 특성을 포함하는 촬상 데이터가 생성된다. 웨이퍼의 가공면에는 연삭흔이 주기적(주위 방향에 등간격)으로 표시되기 때문에, 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 행해져 연삭흔을 나타내는 주파수 분포가 추출된다. 또한, 연삭흔의 주파수 분포가 역푸리에 변환됨으로써, 노이즈를 없앤 웨이퍼의 연삭흔의 진폭을 구할 수 있다. 노이즈가 없는 연삭흔의 진폭을 규정폭과 비교할 수 있기 때문에, 웨이퍼의 연마 불량을 정밀하게 판단할 수 있다. 연삭흔의 진폭이 커서 웨이퍼가 연마 불량이라고 판단된 경우에는, 웨이퍼를 다시 연마 가공함으로써 연마 불량을 줄일 수 있다.
본 발명의 다른 웨이퍼 검사 방법은, 연마 가공된 웨이퍼의 가공면을 촬상하여 연마 가공 결과를 검사하는 웨이퍼 검사 방법으로서, 척테이블에 유지시킨 웨이퍼를 연삭 지석으로 연삭한 면을 연마하는 연마 공정과, 상기 연마 공정을 거친 웨이퍼의 상기 가공면에서, 적어도 웨이퍼의 중심을 중심으로 하는 360도의 정해진 영역을 촬상하는 촬상 공정과, 상기 촬상 공정으로부터 얻어진 촬상 데이터를 푸리에 변환하여 주파수 분포를 생성하고, 상기 주파수 분포의 일부의 주파수의 강도가 미리 규정된 임계치보다 큰 경우에 연마 불량이라고 판단하는 제2 판단 공정을 포함한다.
이 구성에 따르면, 연마 가공 후의 웨이퍼의 가공면이 촬상되어, 웨이퍼의 가공면에 남겨진 연삭흔의 진폭(고저차)뿐만 아니라, 연삭 가공시에 발생한 가공 부스러기나 흠집의 특성을 포함하는 촬상 데이터가 생성된다. 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 행해짐으로써, 가공면의 고저차가 주파수마다의 강도(진폭, 진폭량)를 나타내는 주파수 분포로서 구해진다. 주파수 분포 전체의 강도와 규정된 임계치를 비교할 수 있기 때문에, 연삭흔에 의한 연마 불량뿐만 아니라, 연삭흔이 없는 위치에서 가공 부스러기나 흠집에 의한 웨이퍼의 표면 상태의 악화 등의 연마 불량을 판단할 수 있다. 일부 주파수의 진폭이 커서, 웨이퍼가 연마 불량이라고 판단된 경우에는, 웨이퍼를 다시 연마 가공하여 연마 불량을 줄일 수 있다.
본 발명의 연삭 연마 장치는, 웨이퍼의 하면을 유지하는 유지면을 갖는 척테이블과, 상기 척테이블을 회전시키는 회전 수단과, 상기 척테이블이 유지하는 웨이퍼의 상면에 환상으로 배치하는 연삭 지석을 접촉시켜 연삭하는 연삭 수단과, 상기연삭 수단으로 연삭된 웨이퍼의 상면을 연마하는 연마 수단과, 상기 연마 수단으로 연마한 웨이퍼의 가공면을 검사하는 상기한 웨이퍼 검사 방법을 가능하게 하는 웨이퍼 검사 기구를 구비하고, 상기 웨이퍼 검사 기구는, 웨이퍼의 가공면을 위쪽에서 촬상하는 촬상 카메라와, 상기 촬상 카메라가 촬상하는 웨이퍼의 촬상 영역을 옆에서 조사하는 광원과, 상기 촬상 카메라로부터 얻어진 상기 촬상 데이터로부터 상기 연마 불량을 판단하는 판단 수단을 구비한다.
본 발명의 연삭 연마 장치에 있어서, 상기 웨이퍼 검사 기구로 웨이퍼를 검사한 결과, 상기 연마 불량이라고 상기 판단 수단이 판단했을 때에는, 다시 상기 연마 수단으로 웨이퍼를 연마한다.
본 발명에 따르면, 연마 공정에서 웨이퍼의 가공면의 연삭흔을 정밀하게 검사하여, 필요에 따라 웨이퍼에 대하여 다시 연마 가공을 실시함으로써, 웨이퍼 상으로부터 연삭흔을 제거하여 웨이퍼의 연마 불량을 줄일 수 있다.
도 1은, 본 실시형태에 따른 연삭 연마 장치의 사시도이다.
도 2는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공면의 촬상 데이터를 도시한 도면이다.
도 3은, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다.
도 4는, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다.
도 6은, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공면의 촬상 데이터를 도시한 도면이다.
도 3은, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다.
도 4는, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다.
도 6은, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 실시형태에 따른 연삭 연마 장치에 대해서 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 연삭 연마 장치의 사시도이다. 또한, 본 실시형태에서는, 도 1에 도시된 구성으로 한정되지 않는다. 연삭 연마 장치는, 웨이퍼에 대하여 연삭 가공, 연마 가공을 실시 가능하다면, 어떻게 구성되어도 좋다.
도 1에 도시된 바와 같이, 연삭 연마 장치(1)는, 풀 오토 타입의 가공 장치로서, 웨이퍼(W)에 대하여 반입 처리, 조연삭 가공, 마무리 연삭 가공, 연마 가공, 세정 처리, 반출 처리로 이루어진 일련의 작업을 전자동으로 실시하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)는, 대략 원판상으로 형성되어 있고, 카세트(C)에 수용된 상태에서 연삭 연마 장치(1)에 반입된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 연삭 대상 및 연마 대상이 되는 판상의 워크이면 좋고, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체 기판이라도 좋으며, 세라믹, 유리, 사파이어 등의 무기 재료 기판이라도 좋고, 또한, 반도체 제품의 패키지 기판 등이라도 좋다.
연삭 연마 장치(1)의 베이스(11)의 앞쪽에는, 복수의 웨이퍼(W)가 수용된 한 쌍의 카세트(C)가 배치되어 있다. 한 쌍의 카세트(C)의 후방에는, 카세트(C)에 대하여 웨이퍼(W)를 출납하는 카세트 로봇(16)이 설치되어 있다. 카세트 로봇(16)의 양쪽으로 비스듬하게 후방에는, 가공 전의 웨이퍼(W)를 위치 결정하는 위치 결정 기구(21)와, 가공이 끝난 웨이퍼(W)를 세정하는 세정 기구(26)가 설치되어 있다. 위치 결정 기구(21)와 세정 기구(26) 사이에는, 가공 전의 웨이퍼(W)를 척테이블(42)로 반입하는 반입 수단(31)과, 척테이블(42)로부터 가공이 끝난 웨이퍼(W)를 반출하는 반출 수단(36)이 설치되어 있다.
카세트 로봇(16)은, 다절(多節) 링크로 이루어진 로봇 아암(17)의 선단에 핸드부(18)를 설치하여 구성되어 있다. 카세트 로봇(16)에서는, 카세트(C)로부터 위치 결정 기구(21)에 가공 전의 웨이퍼(W)가 반송되는 것 외에, 세정 기구(26)로부터 카세트(C)에 가공이 끝난 웨이퍼(W)가 반송된다. 위치 결정 기구(21)는, 임시 배치 테이블(22)의 주위에, 임시 배치 테이블(22)의 중심에 대하여 진퇴 가능한 복수의 위치 결정 핀(23)을 배치하여 구성된다. 위치 결정 기구(21)에서는, 임시 배치 테이블(22) 상에 배치된 웨이퍼(W)의 외주 가장자리에 복수의 위치 결정 핀(23)이 부딪치게 함으로써, 웨이퍼(W)의 중심이 임시 배치 테이블(22)의 중심에 위치 결정된다.
반입 수단(31)은, 베이스(11) 상에서 선회 가능한 반입 아암(32)의 선단에 반입 패드(33)를 설치하여 구성된다. 반입 수단(31)에서는, 반입 패드(33)에 의해 임시 배치 테이블(22)로부터 웨이퍼(W)가 들어 올려지고, 반입 아암(32)에 의해 반입 패드(33)가 선회됨으로써 척테이블(42)에 웨이퍼(W)가 반입된다. 반출 수단(36)은, 베이스(11) 상에서 선회 가능한 반출 아암(37)의 선단에 반출 패드(38)를 설치하여 구성된다. 반출 수단(36)에서는, 반출 패드(38)에 의해 척테이블(42)로부터 웨이퍼(W)가 들어 올려지고, 반출 아암(37)에 의해 반출 패드(38)가 선회됨으로써 척테이블(42)로부터 웨이퍼(W)가 반출된다.
세정 기구(26)는, 스피너 테이블(27)을 향해 세정수 및 건조 에어를 분사하는 각종 노즐(도시하지 않음)을 설치하여 구성된다. 세정 기구(26)에서는, 웨이퍼(W)를 유지한 스피너 테이블(27)이 베이스(11) 내에 강하되고, 베이스(11) 내에서 세정수가 분사되어 웨이퍼(W)가 스피너 세정된 후, 건조 에어가 내뿜어져 웨이퍼(W)가 건조된다. 반입 수단(31) 및 반출 수단(36)의 후방에는, 4개의 척테이블(42)이 둘레 방향으로 균등 간격으로 배치된 턴테이블(41)이 설치되어 있다. 각 척테이블(42)의 상면에는, 웨이퍼(W)의 하면을 유지하는 유지면(43)이 형성되어 있다. 또한, 각 척테이블(42)은, 베이스(11)에 설치된 회전 수단(도시하지 않음)에 의해 회전 가능하게 구성되어 있다.
턴테이블(41)이 90° 간격으로 간헐 회전함으로써, 웨이퍼(W)가 반입 및 반출되는 반입출 위치, 조연삭 수단(46)에 대치하는 조연삭 위치, 마무리 연삭 수단(51)에 대치하는 마무리 연삭 위치, 연마 수단(56)에 대치하는 연마 위치에 차례로 위치시킨다. 조연삭 위치에서는, 조연삭 수단(46)에 의해 웨이퍼(W)가 정해진 두께까지 조연삭된다. 마무리 연삭 위치에서는, 마무리 연삭 수단(51)에 의해 웨이퍼(W)가 마무리 두께까지 마무리 연삭된다. 연마 위치에서는, 연마 수단(56)에 의해 웨이퍼(W)가 연마된다. 턴테이블(41) 주위에는, 칼럼(12, 13, 14)이 세워져 있다.
칼럼(12)에는, 조연삭 수단(46)을 상하 이동시키는 이동 수단(61)이 설치되어 있다. 이동 수단(61)은, 칼럼(12)의 전면에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(62)과, 한 쌍의 가이드 레일(62)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(63)을 갖고 있다. Z축 테이블(63)의 전면에는, 하우징(64)을 통해 조연삭 수단(46)이 지지되어 있다. Z축 테이블(63)의 배면측에는 볼나사(65)가 나사 결합되어 있고, 볼나사(65)의 일단에는 구동 모터(66)가 연결되어 있다. 구동 모터(66)에 의해 볼나사(65)가 회전 구동되고, 조연삭 수단(46)이 가이드 레일(62)을 따라 Z축 방향으로 이동된다.
마찬가지로, 칼럼(13)에는, 마무리 연삭 수단(51)을 상하 이동시키는 이동 수단(71)이 설치되어 있다. 이동 수단(71)은, 칼럼(13)의 전면에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(72)과, 한 쌍의 가이드 레일(72)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(73)을 갖고 있다. Z축 테이블(73)의 전면에는, 하우징(74)을 통해 마무리 연삭 수단(51)이 지지되어 있다. Z축 테이블(73)의 배면측에는 볼나사(75)가 나사 결합되어 있고, 볼나사(75)의 일단에는 구동 모터(76)가 연결되어 있다. 구동 모터(76)에 의해 볼나사(75)가 회전 구동되고, 마무리 연삭 수단(51)이 가이드 레일(72)을 따라 Z축 방향으로 이동된다.
조연삭 수단(46) 및 마무리 연삭 수단(51)은, 원통형 스핀들의 하단에 마운트(47, 52)를 설치하여 구성되어 있다. 조연삭 수단(46)의 마운트(47)의 하면에는, 복수의 조연삭 지석(48)이 환상으로 배치된 조연삭용 연삭휠(49)이 장착된다. 조연삭 지석(48)은, 예컨대, 다이아몬드 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳힌 다이아몬드 지석으로 구성된다. 또한, 마무리 연삭 수단(51)의 마운트(52)의 하면에는, 복수의 마무리 연삭 지석(53)이 환상으로 배치된 연삭휠(54)이 장착된다. 마무리 연삭 지석(53)은, 조연삭 지석(48)보다도 입경이 미세한 지립으로 형성된다. 조연삭 가공 및 마무리 연삭 가공에서는 웨이퍼(W)가 정해진 두께까지 박화된다.
칼럼(14)에는, 연마 수단(56)을 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 연마 위치에 위치시키는 이동 수단(81)이 설치되어 있다. 이동 수단(81)은, 칼럼(14)의 전면에 배치된 Y축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(82)과, 한 쌍의 가이드 레일(82)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Y축 테이블(83)을 갖고 있다. 또한, 이동 수단(81)은, Y축 테이블(83)의 전면에 배치된 Z축 방향으로 평행한 한 쌍의 가이드 레일(84)과, 한 쌍의 가이드 레일(84)에 슬라이드 가능하게 설치된 모터 구동의 Z축 테이블(85)을 갖고 있다. Z축 테이블(85)의 전면에는, 하우징(86)을 통해 연마 수단(56)이 지지되어 있다.
Y축 테이블(83), Z축 테이블(85)의 배면측에는 볼나사(도시하지 않음)가 나사 결합되어 있고, 볼나사의 일단에는 구동 모터(87, 88)가 연결되어 있다. 구동 모터(87, 88)에 의해 볼나사가 회전 구동되고, 연마 수단(56)이 가이드 레일(82, 84)을 따라 Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동된다. 연마 수단(56)은, 원통형 스핀들의 하단에 마운트(57)를 설치하여 구성되어 있다. 마운트(57)의 하면에는 발포재나 섬유질 등으로 형성된 연마 패드(58)가 장착되어 있다. 연마 가공에서는, 웨이퍼(W)의 상면이 약간 연마됨으로써, 조연삭 가공 및 마무리 연삭 가공으로 웨이퍼(W)에 남겨진 연삭 데미지가 제거된다.
이 경우, 조연삭 가공 및 마무리 연삭 가공 후의 웨이퍼(W)의 상면에는, 연삭 데미지로서 원호형의 연삭흔(99)(도 2c 참조)이 그려져 있다. 연마 가공에 의해 웨이퍼(W)의 상면이 연마되지만, 연삭흔(99)의 고저차가 크면 완전히 제거할 수 없는 경우가 있다. 그래서, 본 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 가공면을 검사하는 웨이퍼 검사 기구(91)를 반입 반출 위치에 설치하고, 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 연마 불량을 검사하고 있다. 또한, 연마 불량이라고 판단된 웨이퍼(W)에 대해서는, 다시 연마 가공을 행함으로써 가공면으로부터 연삭흔(99)을 제거하고 있다.
웨이퍼 검사 기구(91)는, 웨이퍼(W)의 촬상 영역을 광원(도시하지 않음)으로 옆에서 조사하면서, 척테이블(42) 상의 웨이퍼(W)의 가공면을 촬상 카메라(92)로 위쪽에서 촬상하도록 구성되어 있다. 웨이퍼(W)의 가공면이 옆에서 광원으로 조사됨으로써, 연삭흔(99)(도 2c 참조)이 촬상 카메라(92)에 입체적으로 촬상되어, 웨이퍼(W) 상의 연삭흔(99)이 명확한 촬상 화상이 생성된다. 또한, 웨이퍼 검사 기구(91)에는, 촬상 화상으로부터 얻어진 촬상 데이터로부터, 웨이퍼(W)의 연마 불량을 판단하는 판단 수단(93)이 설치되어 있다. 또한, 판단 수단(93)에 의한 판단 처리의 상세한 내용에 대해서는 후술한다.
베이스(11) 내에는, 연삭 연마 장치(1)의 각부를 통괄 제어하는 제어 수단(96)이 설치되어 있다. 제어 수단(96)에서는, 조연삭 수단(46)에 의한 조연삭 공정, 마무리 연삭 수단(51)에 의한 마무리 연삭 공정, 연마 수단(56)에 의한 연마 공정, 판단 수단(93)에 의한 연마 불량의 판단 공정(판단 공정, 제2 판단 공정) 등의 각종 제어가 실시된다. 또한, 제어 수단(96)은, 각종 처리를 실행하는 프로세서나, 메모리 등에 의해 구성되어 있다. 메모리는, 용도에 따라 ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등 중 하나 또는 복수의 기억 매체로 구성된다.
이러한 연삭 연마 장치(1)에서는, 카세트(C) 내에서 웨이퍼(W)가 위치 결정 기구(21)에 반송되어, 위치 결정 기구(21)로 웨이퍼(W)가 센터링된다. 다음에, 척테이블(42) 상에 웨이퍼(W)가 반입되고, 턴테이블(41)의 회전에 의해 웨이퍼(W)가 조연삭 위치, 마무리 연삭 위치, 연마 위치의 순으로 위치된다. 조연삭 위치에서는 웨이퍼(W)가 조연삭 가공되고, 마무리 연삭 위치에서는 웨이퍼(W)가 마무리 연삭 가공되며, 연마 위치에서는 웨이퍼(W)가 연마 가공된다. 그리고, 연마 후의 웨이퍼(W)의 연마 불량이 검사된 후, 세정 기구(26)에 의해 웨이퍼(W)가 세정되고, 세정 기구(26)로부터 카세트(C)로 웨이퍼(W)가 반출된다.
이하, 웨이퍼 검사 기구에 의한 웨이퍼 검사 방법에 대해서 설명한다. 웨이퍼 검사 기구는, 연삭흔에 의한 가공면의 고저차로부터 연마 불량을 판단하는 제1 웨이퍼 검사 방법, 연삭흔에 부가하여 흠집이나 가공 부스러기에 의한 가공면의 고저차로부터 연마 불량을 판단하는 제2 웨이퍼 검사 방법이 실시 가능하게 구성되어 있다.
우선, 도 2a∼도 3b를 참조하여, 판단 수단에 의한 제1 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정에 대해서 설명한다. 도 2a∼도 2c는, 본 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공면의 촬상 데이터를 도시한 도면이다. 도 3a 및 도 3b는, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다.
도 2a에 도시된 촬상 데이터는, 웨이퍼(W)의 가공면의 촬상 화상으로부터 얻어지는 것으로서, 웨이퍼(W)의 가공면에 있어서의 고저차를 나타내고 있다. 촬상 데이터의 종축이 웨이퍼(W)의 반경(R), 촬상 데이터의 횡축이 웨이퍼(W)의 1회전분의 각도(θ)를 나타내고 있고, Rθ 좌표에 의해 웨이퍼의 가공면 전체가 표시되어 있다. 촬상 데이터에는, 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차가 큰 지점이 파형(W1)의 실선으로 표시되어 있고, 주로 연삭흔(99)(도 2c 참조)에 의해 파형(W1)이 형성되어 있다. 이 때문에, 촬상 데이터에는, 웨이퍼(W)의 가공면에 남겨진 연삭흔(99)에 의해 파형(W1)이 주기적으로 반복되고 있다.
또한, 도 2a의 촬상 데이터는, 설명의 편의상, 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차를 파형(W1)으로 나타내고 있지만, 실제로는 색의 농담에 의해 나타내고 있다. 즉, 도 2a의 촬상 데이터는, 색이 진한 지점과 색이 흐린 지점의 경계에 선을 그어 파형(W1)으로 한 것이다. 따라서, 도 2a의 촬상 데이터에는, 파형이 기재되어 있지 않은 지점에도 고저차에 관한 정보가 포함되며, 또한 파형(W1)의 위치에 따라서도 고저차가 변화하고 있다. 또한, 촬상 데이터는, 판단 수단(93)(도 1 참조)에 의해, 촬상 화상에 있어서 웨이퍼(W)의 가공면을 구성하는 각 화소의 휘도에 기초하여 생성된다.
도 2b에 도시된 촬상 데이터는, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 반경(a)의 위치에서, 웨이퍼(W)를 둘레 방향으로 절단한 지점의 고저차를 나타내고 있다(도 2c 참조). 즉, 도 2b에 도시된 촬상 데이터는, 도 2a에 도시된 촬상 데이터로부터 반경(a)의 위치의 데이터를 취출한 것이다. 촬상 데이터의 종축이 a-a 단면에 있어서의 진폭(웨이퍼(W)의 가공면의 고저차), 촬상 데이터의 횡축이 웨이퍼(W)의 각도(θ)를 나타내고 있다. 또한, a-a 선의 촬상 데이터에는, 웨이퍼(W)의 가공면의 연삭흔(99)에 의해 주기적으로 파형(W2)이 반복되고 있지만, 파형(W2)에는 가공 부스러기나 흠집 등의 노이즈도 포함되어 있다.
이 경우, 연삭흔(99)이 웨이퍼(W)의 가공면에 주기적으로 반복되고 있고, 웨이퍼(W)의 1 둘레(360도)에 있어서의 연삭흔(99)의 수에 따라 연삭흔(99)의 주기가 결정된다. 따라서, 연삭흔(99)의 수가 증가함에 따라 연삭흔(99)의 주기가 짧아지고, 반대로 연삭흔(99)을 나타내는 파형의 반복 횟수가 증가하여 주파수가 높아진다. 한편, 가공 부스러기나 흠집 등의 노이즈는 웨이퍼(W)의 가공면에 주기적으로 반복되는 것은 아니다. 이와 같이, 파형(W2)에는, 특정 주기, 즉 특정 주파수 성분으로서 연삭흔(99)이 포함되고, 그 이외의 주파수 성분으로서 노이즈가 포함되어 있다.
다음에, 도 3a에 도시된 바와 같이, 촬상 데이터가 푸리에 변환되어, 주파수 성분으로 나누어 분석된다. 이에 따라, 파형(W2)이 연삭흔(99)의 주파수 분포(Fd)와 가공 부스러기나 흠집 등의 노이즈로 나누어진다. 이 경우, 푸리에 변환 후의 종축은 주파수마다의 진폭의 합계치(이하, 진폭량으로 함)를 나타내고 있다. 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차는 연삭흔(99)에서 커지기 때문에, 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)에서 진폭량이 커진다. 그리고, 푸리에 변환 후의 데이터를 필터링하여 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)가 추출된다. 이 경우, 연삭 가공의 가공 조건에 따라 연삭흔(99)이 표시되는 주파수대를 예측할 수 있기 때문에, 이 주파수대에서 필터링되어 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)가 추출된다.
연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)의 진폭량은, 개개의 연삭흔(99)의 진폭(고저차)을 합계한 것이기 때문에, 연삭흔(99)의 수가 많아짐에 따라 진폭량이 많아진다. 이 때문에, 각 연삭흔(99)의 개개의 진폭(고저차)이 작아도 주파수가 높아지면 진폭량이 커지는 경우가 있고, 진폭량의 크기만으로는 연삭 불량을 정확히 판단하기 어렵다. 그래서, 제1 웨이퍼 검사 방법에서는, 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)에 역푸리에 변환을 행함으로써, 각 연삭흔(99)의 개개의 진폭의 크기를 검사하도록 하고 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 연삭흔(99)의 주파수 분포(Fd)가 역푸리에 변환되어, 노이즈가 제거된 파형(W3)이 생성된다. 이 때, 진폭량이 각 연삭흔(99)의 진폭으로 분리되면서 역푸리에 변환된다. 파형(W3)의 진폭은 개개의 연삭흔(99)의 고저차를 나타내고 있고, 이 연삭흔(99)의 고저차가 전체 둘레에 걸쳐 규정폭(D1)보다도 큰지 여부에 따라 연마 불량이 판단된다. 도 3b에 도시된 예와 같이, 연삭흔(99)의 고저차가 규정폭(D1)보다도 큰 경우에는, 연마 가공에 의해 연삭흔(99)이 완전히 제거되지 않는다고 하여 연마 불량이라고 판단된다. 연삭흔(99)의 고저차가 규정폭(D1)보다도 작은 경우에는, 연마 가공에 의해 연삭흔(99)이 충분히 제거되고있다고 하여 양품이라고 판단된다.
또한, 본 실시형태에서는, 도 2b에 도시되는 a-a 선의 촬상 데이터를 주파수 분석하여 연마 불량을 판단하는 구성으로 하였지만, 도 2a에 도시된 촬상 데이터를 주파수 분석하여 연마 불량을 판단하여도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 촬상 데이터의 푸리에 변환 후의 종축이, 각 주파수에 있어서의 진폭의 합계치인 진폭량을 나타내도록 구성하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 촬상 데이터의 푸리에 변환 후의 종축은, 진폭량이 아니라 각 주파수의 진폭을 나타내도록 구성하여도 좋다.
도 4를 참조하여, 웨이퍼 검사 기구에 의한 제1 웨이퍼 검사 방법의 흐름에 대해서 설명한다. 도 4는, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다. 또한, 도 4에 있어서는, 척테이블로 유지된 웨이퍼의 연삭 지석으로 연삭된 면이 연마되는 연마 공정이 실시되고 있는 것으로 한다.
도 4에 도시된 바와 같이, 연마 가공을 거친 웨이퍼(W)의 가공면을 촬상하는 촬상 공정이 실시된다(단계 S01). 촬상 공정에서는, 웨이퍼(W)의 직경 방향으로 촬상 카메라(92)(도 1 참조)가 선회되면서, 웨이퍼(W)가 연속 회전됨으로써, 웨이퍼(W)의 전체면이 소용돌이형으로 촬상된다. 또한, 웨이퍼(W)의 반경과 동일한 길이의 라인 센서로 촬상하고, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 전체면을 촬상하는 것도 가능하다. 또한, 웨이퍼(W)의 전체면을 촬상하는 구성에 한정되지 않고, 웨이퍼(W)의 가공면에서, 적어도 웨이퍼(W)의 중심을 중심으로 하는 360도의 정해진 영역이 촬상되고 있으면 좋다.
또한, 촬상 공정에서는, 웨이퍼(W)의 가공면의 촬상 화상으로부터 촬상 데이터가 생성된다. 촬상 데이터는, 종축을 웨이퍼(W)의 반경(R), 횡축을 웨이퍼(W)의 1회전분의 각도(θ)로 하는 Rθ 좌표로, 웨이퍼(W)의 가공면에 있어서의 고저차를 나타낸 것이다(도 2a 참조). 이 경우, 웨이퍼(W)의 촬상시에는 횡 방향에서 조사되기 때문에, 촬상 화상에 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차가 휘도의 차이로서 표시된다. 이 촬상 화상의 각 화소의 휘도로부터 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차를 구할 수 있어 촬상 데이터가 생성된다. 촬상 데이터에는, 연삭흔(99)뿐만 아니라 가공 부스러기나 흠집 등에 의한 고저차도 포함되어 있다.
다음에, 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 실시된다(단계 S02). 이에 따라, 촬상 데이터가 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포와 노이즈를 나타내는 주파수 분포로 나누어진다(도 3a 참조). 이 경우, 도 2a에 도시된 촬상 데이터를 푸리에 변환하여도 좋고, 도 2a의 촬상 데이터의 a-a 선에 있어서의 도 2b에 도시된 촬상 데이터를 푸리에 변환하여도 좋다. 다음에, 푸리에 변환 후의 데이터가 필터링되어 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)가 추출되고, 추출된 주파수 분포(Fd)에 대하여 역푸리에 변환이 실시된다(단계 S03). 이에 따라, 촬상 데이터에 포함된 노이즈가 제거되어, 연삭흔(99)의 고저차를 나타내는 진폭을 얻을 수 있다(도 3b 참조).
다음에, 연삭흔(99)의 진폭이 규정폭(D1)(예컨대, 0.1 ㎛)보다 큰지 여부가 판정된다(단계 S04). 연삭흔(99)의 진폭이 규정폭(D1) 이하인 경우(단계 S04에서 No), 웨이퍼(W)가 연마 불량이 아니라고 판단되어 웨이퍼(W)의 검사가 종료된다. 한편, 연삭흔(99)의 진폭이 규정폭(D1)보다 큰 경우(단계 S04에서 Yes), 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단되어 웨이퍼(W)에 다시 연마 공정을 실시하는지 여부가 판단된다(단계 S05). 이 경우, 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 두께에는 1 ㎛의 허용폭이 설정되어 있고, 재연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 두께가 허용폭의 범위 내에 들어가는지 여부가 판단된다.
웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정을 실시하지 않는다고 판단된 경우(단계 S05에서 No), 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단되어 웨이퍼(W)의 검사가 종료된다. 한편, 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정을 실시한다고 판단된 경우(단계 S05에서 Yes), 웨이퍼(W)의 연삭흔(99)의 진폭이 규정폭(D1)보다도 작아지도록, 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정이 실시된다(단계 S06). 이와 같이, 제1 웨이퍼 검사 방법에서는, 촬상 데이터로부터 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)를 추출하여, 연삭흔(99)의 고저차에 기초하여 웨이퍼(W)의 연마 불량이 판단되고 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 제1 웨이퍼 검사 방법은, 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 행해져 연삭흔(99)을 나타내는 주파수 분포(Fd)가 추출되고, 연삭흔(99)의 주파수 분포(Fd)가 역푸리에 변환됨으로써, 노이즈를 없앤 웨이퍼(W)의 연삭흔(99)의 진폭을 구할 수 있다. 노이즈가 없는 연삭흔(99)의 진폭을 규정폭(D1)과 비교할 수 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 연마 불량이 정밀하게 판단된다. 그리고, 연삭흔(99)의 진폭이 커서 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단된 경우에는, 웨이퍼(W)를 다시 연마 가공하여 연마 불량을 줄일 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하여, 판단 수단에 의한 제2 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정(제2 판단 공정)에 대해서 설명한다. 도 5a 및 도 5b는 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정의 설명도이다. 제2 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정은, 푸리에 변환 후의 촬상 데이터의 진폭량으로부터 연마 불량을 판단한다는 점에서, 제1 웨이퍼 검사 방법의 판단 공정과 상이하다. 또한, 제2 웨이퍼 검사 방법에 있어서도, 제1 웨이퍼 검사 방법과 동일한 촬상 데이터가 이용된다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 바와 같이, 촬상 데이터(도 2a, 2b 참조)가 푸리에 변환되어, 주파수 성분으로 나누어져 분석된다. 이에 따라, 주파수 성분마다 진폭의 합계치인 진폭량을 구할 수 있다. 푸리에 변환 후의 데이터에서는, 웨이퍼(W)의 가공면 전체면에 가공 부스러기나 흠집이 많이 존재하고 있으면, 연삭흔(99)(도 2c 참조)을 나타내는 주파수뿐만 아니라, 다른 주파수에서도 큰 진폭량이 검출되는 경우가 있다. 이러한 경우에는, 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 가공면에 남겨진 연삭흔(99)의 고저차가 크지 않아도, 가공 부스러기나 흠집에 의해 웨이퍼(W)의 가공면의 표면 상태에 이상이 있는 것이 상정된다.
그래서, 제2 웨이퍼 검사 방법에서는, 촬상 데이터를 푸리에 변환하여 주파수 분포를 생성하고, 주파수 분포의 적어도 일부의 진폭량(강도)이 미리 규정된 진폭량(임계치)(D2)보다도 큰지 여부에 따라 연마 불량이 판단된다. 규정된 진폭량(D2)은, 연삭흔(99)의 진폭량의 판단 기준이 됨과 동시에 가공 부스러기나 흠집 등의 진폭량의 판단 기준이 되도록 설정된다. 이와 같이, 연삭흔(99)에 의한 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차뿐만 아니라, 가공 부스러기나 흠집 등에 따른 가공면의 고저차도 검사된다. 따라서, 촬상 데이터의 푸리에 변환 후의 주파수의 위치에 관계없이, 일부의 주파수에 있어서의 진폭량이 규정된 진폭량보다도 큰 경우에는 연마 불량이라고 판단된다.
예컨대, 도 5a에 도시된 예와 같이, 연삭흔(99)을 나타내는 주파수(F1)의 진폭량이 규정된 진폭량(D2)보다도 큰 경우에는, 연삭흔(99)에 의한 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차가 크다고 하여 연마 불량이라고 판단된다. 또한, 도 5b에 도시된 예와 같이, 연삭흔(99)을 나타내는 주파수(F1) 이외의 주파수(F2, F3)의 진폭량이 규정된 진폭량(D2)보다도 큰 경우에는, 가공 부스러기나 먼지 등이 웨이퍼(W)의 가공면에 많이 존재하거나(F2), 또는 큰 가공 부스러기 혹은 깊은 흠집이 웨이퍼(W)의 가공면에 존재함(F3)으로써, 웨이퍼(W)의 가공면의 고저차가 커지고 있다고 하여 연마 불량이라고 판단된다. 주파수 분포의 각 주파수의 진폭량이 규정된 진폭량(D2)보다도 작은 경우에는, 연마 가공이 양호하게 실시되고 있다고 하여 양품이라고 판단된다.
또한, 도 2a에 도시된 a-a 선의 촬상 데이터를 주파수 분석하여 연마 불량을 판단하여도 좋고, 도 2b에 도시된 촬상 데이터를 주파수 분석하여 연마 불량을 판단하여도 좋다. 또한, 본 실시형태에서는, 촬상 데이터의 푸리에 변환 후의 종축이, 각 주파수에 있어서의 진폭의 합계치인 진폭량을 나타내도록 구성하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 촬상 데이터의 푸리에 변환 후의 종축은, 진폭량이 아니라 각 주파수의 진폭을 나타내도록 구성하여도 좋다.
도 6을 참조하여, 웨이퍼 검사 기구에 의한 제2 웨이퍼 검사 방법의 흐름에 대해서 설명한다. 도 6은, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법을 도시한 흐름도이다. 또한, 도 6에 있어서는, 척테이블로 유지된 웨이퍼의 연삭 지석으로 연삭된 면이 연마되는 연마 공정이 실시되고 있는 것으로 한다. 또한, 제1 웨이퍼 검사 방법과 동일한 구성에 대해서는 극력 설명을 생략한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 제1 웨이퍼 검사 방법과 동일하게 하여, 연마 가공을 거친 웨이퍼(W)의 가공면을 촬상하는 촬상 공정이 실시된다(단계 S11). 촬상 공정에서는, 촬상 카메라(92)(도 1 참조)에 의해, 웨이퍼(W)의 가공면에서, 적어도 웨이퍼(W)의 중심을 중심으로 하는 360도의 정해진 영역이 촬상된다. 또한, 촬상 공정에서는, 웨이퍼(W)의 가공면의 촬상 화상으로부터 촬상 데이터가 생성된다.
다음에, 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 실시된다(단계 S12). 이에 따라, 촬상 데이터의 주파수 분포를 구할 수 있고, 주파수 성분마다 진폭의 합계치인 진폭량을 구할 수 있다. 이 경우, 도 2a에 도시된 촬상 데이터를 푸리에 변환하여도 좋고, 도 2a의 촬상 데이터의 a-a 선에 있어서의 도 2b에 도시된 촬상 데이터를 푸리에 변환하여도 좋다.
다음에, 주파수 분포의 각 주파수의 진폭량이 미리 정해진 진폭량(D2)보다도 큰지 여부가 판단된다(단계 S13). 각 주파수의 진폭량이 규정된 진폭량(D2) 이하인 경우(단계 S13에서 No), 웨이퍼(W)가 연마 불량이 아니라고 판단되어 웨이퍼(W)의 검사가 종료된다. 한편, 일부의 주파수의 진폭량이 규정된 진폭량(D2)보다도 큰 경우(단계 S13에서 Yes), 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단되어 웨이퍼(W)에 다시 연마 공정을 실시하는지 여부가 판단된다(단계 S14). 이 경우, 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 두께에는 1 ㎛의 허용폭이 설정되어 있고, 재연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 두께가 허용폭의 범위 내에 들어가는지 여부로 판단된다.
웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정을 실시하지 않는다고 판단된 경우(단계 S14에서 No), 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단되어 웨이퍼(W)의 검사가 종료된다. 한편, 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정을 실시한다고 판단된 경우(단계 S14에서 Yes), 웨이퍼(W)의 가공면의 진폭량이 규정폭(D2)보다도 작아지도록, 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 공정이 실시된다(단계 S15). 이와 같이, 제2 웨이퍼 검사 방법에서는, 촬상 데이터를 주파수 분석하여, 연삭흔(99)에 더하여 흠집이나 가공 부스러기에 의한 가공면의 고저차에 기초하여 웨이퍼(W)의 연마 불량이 판단되고 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 따른 제2 웨이퍼 검사 방법은, 연마 가공 후의 웨이퍼(W)의 가공면이 촬상되어, 웨이퍼(W)의 가공면에 남겨진 연삭흔(99)의 진폭(고저차)뿐만 아니라, 연삭 가공시에 발생한 가공 부스러기나 흠집의 특성을 포함하는 촬상 데이터가 생성된다. 촬상 데이터에 대하여 푸리에 변환이 실시됨으로써 가공면의 고저차가 주파수마다의 강도(진폭, 진폭량)를 나타내는 주파수 분포로서 구해진다. 주파수 분포 전체의 진폭량과 규정된 진폭량(D2)을 비교할 수 있기 때문에, 연삭흔(99)에 의한 연마 불량뿐만 아니라, 연삭흔(99)이 없는 위치에 있어서 가공 부스러기나 흠집에 의한 웨이퍼(W)의 표면 상태의 악화 등의 연마 불량을 판단할 수 있다. 일부의 주파수의 진폭량이 커서, 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단된 경우에는, 웨이퍼(W)를 다시 연마 가공하여 연마 불량을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시하는 것이 가능하다. 상기 실시형태에 있어서, 첨부 도면에 도시되어 있는 크기나 형상 등에 대해서는, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 발휘하는 범위 내에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 그 밖에, 본 발명의 목적하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시하는 것이 가능하다.
예컨대, 상기한 본 실시형태에 있어서, 연삭 연마 장치(1)가 제1, 제2 웨이퍼 검사 방법 중 어느 한쪽을 실시하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 연삭 연마 장치(1)는, 제1, 제2 웨이퍼 검사 방법을 선택적으로 실시하여도 좋고, 제1, 제2 웨이퍼 검사 방법을 적절하게 조합하여 실시하여도 좋다. 이 경우, 푸리에 변환 후의 촬상 데이터의 각 주파수의 진폭량이 미리 정해진 진폭량보다도 큰지 여부로 연마 불량이 판단된다. 또한 규정된 진폭량을 초과한 주파수 분포가 필터링에 의해 추출되고, 추출된 주파수 분포에 대하여 역푸리에 변환이 실시된다. 이 역푸리에 변환 후의 진폭이 규정폭 이하인지 여부에 따라 연마 불량이 판정된다. 이와 같이 2 단계로 연마 불량을 판단하는 구성으로 하여도 좋다.
또한, 상기한 본 실시형태에 있어서, 웨이퍼(W)가 연마 불량이라고 판단되면, 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 가공을 실시하는 구성으로 하였지만, 이 구성에 한정되지 않는다. 웨이퍼(W)에 대하여 다시 연마 가공을 실시하지 않고 폐기하도록 하여도 좋다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은, 웨이퍼 상으로부터 연삭흔을 제거하여 웨이퍼의 연마 불량을 줄일 수 있다고 하는 효과를 가지며, 특히, 연삭 가공 및 연마 가공을 전자동으로 실시하는 풀 오토 타입의 연삭 연마 장치, 이 연삭 연마 장치로 실시되는 웨이퍼 검사 방법에 유용하다.
1 : 연삭 연마 장치
42 : 척테이블
46 : 조연삭 수단(연삭 수단)
48 : 조연삭 지석(연삭 지석)
51 : 마무리 연삭 수단(연삭 수단)
53 : 마무리 연삭 지석(연삭 지석)
56 : 연마 수단
91 : 웨이퍼 검사 기구
92 : 촬상 카메라
93 : 판단 수단
99 : 연삭흔
W : 웨이퍼
42 : 척테이블
46 : 조연삭 수단(연삭 수단)
48 : 조연삭 지석(연삭 지석)
51 : 마무리 연삭 수단(연삭 수단)
53 : 마무리 연삭 지석(연삭 지석)
56 : 연마 수단
91 : 웨이퍼 검사 기구
92 : 촬상 카메라
93 : 판단 수단
99 : 연삭흔
W : 웨이퍼
Claims (4)
- 연마 가공된 웨이퍼의 가공면을 촬상하여 연마 가공 결과를 검사하는 웨이퍼 검사 방법에 있어서,
척테이블로 유지한 웨이퍼의 연삭 지석으로 연삭한 연삭면을 연마하는 연마 공정;
상기 연마 공정을 거친 웨이퍼의 상기 가공면에서, 웨이퍼의 중심을 중심으로 하는 360도의 영역을 촬상하는 촬상 공정; 및
상기 촬상 공정으로부터 얻어진 상기 가공면에서의 고저차를 나타내는 촬상 데이터를 푸리에 변환하여, 푸리에 변환후의 데이터를, 연삭 가공의 가공 조건에 따라서 예측되는 주파수대이며, 상기 가공면에 대하여 원호형의 연삭흔이 둘레 방향으로 주기적으로 나타나는 상기 주파수대에서 필터링하여, 연삭흔의 고저차를 나타내는 주파수 분포를 추출하고, 추출한 주파수 분포를 역푸리에 변환하여 얻어지는 진폭이 미리 규정된 규정폭보다 큰 경우에 연마 불량이라고 판단하는 판단 공정
을 포함하는 웨이퍼 검사 방법. - 웨이퍼의 하면을 유지하는 유지면을 갖는 척테이블과, 상기 척테이블을 회전시키는 회전 수단과, 상기 척테이블이 유지하는 웨이퍼의 상면에 환상으로 배치하는 연삭 지석을 접촉시켜 연삭하는 연삭 수단과, 상기 연삭 수단으로 연삭된 웨이퍼의 상면을 연마하는 연마 수단과, 상기 연마 수단으로 연마한 웨이퍼의 가공면을 검사하는 제1항에 기재된 웨이퍼 검사 방법을 가능하게 하는 웨이퍼 검사 기구를 포함하고,
상기 웨이퍼 검사 기구는, 웨이퍼의 가공면을 위쪽에서 촬상하는 촬상 카메라와, 상기 촬상 카메라가 촬상하는 웨이퍼의 촬상 영역을 옆에서 조사하는 광원과, 상기 촬상 카메라로부터 얻어진 상기 촬상 데이터로부터 상기 연마 불량을 판단하는 판단 수단을 포함하는 연삭 연마 장치. - 제2항에 있어서,
상기 웨이퍼 검사 기구로 웨이퍼를 검사한 결과, 상기 연마 불량이라고 상기 판단 수단이 판단했을 때에는, 다시 상기 연마 수단으로 웨이퍼를 연마하는 연삭 연마 장치. - 삭제
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2014-175158 | 2014-08-29 | ||
JP2014175158A JP6377459B2 (ja) | 2014-08-29 | 2014-08-29 | ウエーハ検査方法、研削研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20160026691A KR20160026691A (ko) | 2016-03-09 |
KR102318784B1 true KR102318784B1 (ko) | 2021-10-27 |
Family
ID=55312460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020150113346A KR102318784B1 (ko) | 2014-08-29 | 2015-08-11 | 웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9616544B2 (ko) |
JP (1) | JP6377459B2 (ko) |
KR (1) | KR102318784B1 (ko) |
CN (1) | CN105390410B (ko) |
DE (1) | DE102015216194A1 (ko) |
TW (1) | TWI667099B (ko) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9737971B2 (en) * | 2016-01-12 | 2017-08-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad, polishing layer analyzer and method |
JP6707291B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2020-06-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6760820B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2020-09-23 | 株式会社ディスコ | スクラッチ検出方法 |
JP6791551B2 (ja) * | 2016-11-01 | 2020-11-25 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
US9925604B1 (en) * | 2016-12-07 | 2018-03-27 | Design Ready Controls, Inc. | Automated DIN rail shear system |
JP6879747B2 (ja) * | 2017-01-16 | 2021-06-02 | 株式会社ディスコ | チャックテーブルの詰まり検出方法及び加工装置 |
JP2018140469A (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-13 | 株式会社ディスコ | 被加工物の検査方法、被加工物の検査装置及び加工装置 |
JP6807254B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2021-01-06 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
JP6860416B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP6906859B2 (ja) | 2017-09-13 | 2021-07-21 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
US10879077B2 (en) * | 2017-10-30 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Planarization apparatus and planarization method thereof |
JP7096674B2 (ja) * | 2018-01-31 | 2022-07-06 | 株式会社ディスコ | 研削研磨装置及び研削研磨方法 |
DE102018105133A1 (de) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | Karl Heesemann Maschinenfabrik Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Betreiben einer Schleifvorrichtung |
JP7061021B2 (ja) * | 2018-06-06 | 2022-04-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法及び研削装置 |
JP7125746B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-08-25 | 学校法人同志社 | びびり振動抑制方法およびびびり振動抑制システム |
CN109434671A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-03-08 | 德淮半导体有限公司 | 一种晶圆加工设备及加工方法 |
JP7216613B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2023-02-01 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
JP2021015850A (ja) | 2019-07-10 | 2021-02-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハ検査装置 |
JP7341022B2 (ja) * | 2019-10-03 | 2023-09-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板研磨装置および膜厚マップ作成方法 |
US20230026751A1 (en) * | 2019-12-03 | 2023-01-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
CN111037455B (zh) * | 2019-12-23 | 2021-02-26 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 晶圆研磨方法 |
CN111633520B (zh) * | 2020-06-10 | 2021-06-18 | 清华大学 | 一种高度集成化的减薄设备 |
JP2022123325A (ja) * | 2021-02-12 | 2022-08-24 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
JP2010016078A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法 |
JP2012093200A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Toyota Motor Corp | 表面評価装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9824986D0 (en) * | 1998-11-13 | 1999-01-06 | Isis Innovation | Non-contact topographical analysis apparatus and method thereof |
JP3996728B2 (ja) * | 2000-03-08 | 2007-10-24 | 株式会社日立製作所 | 表面検査装置およびその方法 |
US6894303B2 (en) * | 2000-06-29 | 2005-05-17 | Essex Electro Engineers, Inc. | Method and apparatus for radiographic imaging |
JP4103534B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2008-06-18 | トヨタ自動車株式会社 | エンジンボア内周面評価装置 |
JP4464113B2 (ja) | 2003-11-27 | 2010-05-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工装置 |
US7605913B2 (en) * | 2004-12-19 | 2009-10-20 | Kla-Tencor Corporation | System and method for inspecting a workpiece surface by analyzing scattered light in a front quartersphere region above the workpiece |
JP4611098B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-01-12 | 学校法人同志社 | 微小凹凸を有するエラストマーの摩擦特性評価方法 |
US20100006081A1 (en) * | 2007-02-22 | 2010-01-14 | Hana Silicon, Inc | Method for manufacturing silicon matter for plasma processing apparatus |
JP2009061511A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法及び研削装置 |
TW200951428A (en) * | 2008-04-28 | 2009-12-16 | Nikon Corp | Inspection device |
DE102008021569A1 (de) * | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | System und Verfahren zur optischen Endpunkterkennung während des CMP unter Anwendung eines substratüberspannenenden Signals |
US8559014B2 (en) * | 2009-09-25 | 2013-10-15 | Hwan J. Jeong | High-resolution, common-path interferometric imaging systems and methods |
JP5612945B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-10-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨の進捗を監視する方法および研磨装置 |
US20130137244A1 (en) * | 2011-05-26 | 2013-05-30 | Solexel, Inc. | Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse |
JP5825511B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2015-12-02 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の切断方法 |
US8781211B2 (en) * | 2011-12-22 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corporation | Rotational multi-layer overlay marks, apparatus, and methods |
CN102645436B (zh) * | 2012-04-09 | 2014-07-09 | 天津大学 | 基于磨削纹理去除技术的工程陶瓷磨削表面损伤检测方法 |
JP6273281B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2018-01-31 | エコラブ ユーエスエイ インク | サファイア表面を研磨する方法 |
WO2014150884A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Ecolab Usa Inc. | Methods of polishing sapphire surfaces |
-
2014
- 2014-08-29 JP JP2014175158A patent/JP6377459B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-07 TW TW104122016A patent/TWI667099B/zh active
- 2015-08-11 KR KR1020150113346A patent/KR102318784B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-25 DE DE102015216194.3A patent/DE102015216194A1/de active Pending
- 2015-08-27 US US14/837,199 patent/US9616544B2/en active Active
- 2015-08-28 CN CN201510542261.0A patent/CN105390410B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006297847A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Nippei Toyama Corp | 半導体ウエーハの製造方法およびワークのスライス方法ならびにそれらに用いられるワイヤソー |
JP2010016078A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶ウェーハの製造方法並びにシリコン単結晶ウェーハの評価方法 |
JP2012093200A (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-17 | Toyota Motor Corp | 表面評価装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI667099B (zh) | 2019-08-01 |
TW201607683A (zh) | 2016-03-01 |
JP2016049581A (ja) | 2016-04-11 |
JP6377459B2 (ja) | 2018-08-22 |
US9616544B2 (en) | 2017-04-11 |
KR20160026691A (ko) | 2016-03-09 |
DE102015216194A1 (de) | 2016-03-03 |
CN105390410A (zh) | 2016-03-09 |
CN105390410B (zh) | 2020-08-14 |
US20160059375A1 (en) | 2016-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102318784B1 (ko) | 웨이퍼 검사 방법 및 연삭 연마 장치 | |
KR102345186B1 (ko) | 웨이퍼 검사 방법 및 웨이퍼 검사 장치 | |
US7387963B2 (en) | Semiconductor wafer and process for producing a semiconductor wafer | |
CN107186612B (zh) | 基板的研磨装置、研磨方法及记录介质 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
US10937697B2 (en) | Method of processing a semiconductor wafer that involves cutting to form grooves along the dicing lines and grinding reverse side of the wafer | |
CN108326699B (zh) | 磨削装置 | |
CN111312616A (zh) | 切削装置和使用了切削装置的晶片的加工方法 | |
KR20150143151A (ko) | 웨이퍼의 연마 방법 | |
JP5059449B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
JP2018140469A (ja) | 被加工物の検査方法、被加工物の検査装置及び加工装置 | |
JP6893824B2 (ja) | 加工装置 | |
WO2016143273A1 (ja) | ウェーハの面取り加工装置及びウェーハの面取り加工方法 | |
TWI760551B (zh) | 研削方法 | |
US12134165B2 (en) | Grinding method of workpiece | |
JP5385519B2 (ja) | 面取り機能つき洗浄装置 | |
JP6774263B2 (ja) | 切削装置 | |
JP2015076555A (ja) | 加工装置 | |
JP7370265B2 (ja) | 加工方法及び加工装置 | |
JP2005013963A (ja) | 研磨洗浄方法及び研磨洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |