KR102266618B1 - 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 - Google Patents
텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102266618B1 KR102266618B1 KR1020200097214A KR20200097214A KR102266618B1 KR 102266618 B1 KR102266618 B1 KR 102266618B1 KR 1020200097214 A KR1020200097214 A KR 1020200097214A KR 20200097214 A KR20200097214 A KR 20200097214A KR 102266618 B1 KR102266618 B1 KR 102266618B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- sulfate
- titanium nitride
- nitride film
- methylsulfate
- Prior art date
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 110
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 15
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N tert‐butyl hydroperoxide Chemical compound CC(C)(C)OO CIHOLLKRGTVIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001273 butane Substances 0.000 claims description 4
- SHFJWMWCIHQNCP-UHFFFAOYSA-M hydron;tetrabutylazanium;sulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC SHFJWMWCIHQNCP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate(1-) Chemical compound COS([O-])(=O)=O JZMJDSHXVKJFKW-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- IPTLKMXBROVJJF-UHFFFAOYSA-N azanium;methyl sulfate Chemical compound N.COS(O)(=O)=O IPTLKMXBROVJJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- QOYNIGGAEJZVFK-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethanol;2-ethylhexyl hydrogen sulfate Chemical compound NCCO.CCCCC(CC)COS(O)(=O)=O QOYNIGGAEJZVFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BNZCDZDLTIHJAC-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumylethylazanium;sulfate Chemical compound NCC[NH3+].OS([O-])(=O)=O BNZCDZDLTIHJAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZJSHKBMGBWALPK-UHFFFAOYSA-N azanium;2-ethylhexyl sulfate Chemical compound N.CCCCC(CC)COS(O)(=O)=O ZJSHKBMGBWALPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GNTPLJPFPFPCBB-UHFFFAOYSA-N azanium;8-methylnonyl sulfate Chemical compound [NH4+].CC(C)CCCCCCCOS([O-])(=O)=O GNTPLJPFPFPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VPDKMELSVLIAOG-UHFFFAOYSA-N azanium;decyl sulfate Chemical compound N.CCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O VPDKMELSVLIAOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- UTTKDFKVRXMSDP-UHFFFAOYSA-N azanium;docosyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O UTTKDFKVRXMSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XAFPIFNFBCOYLV-UHFFFAOYSA-N azanium;icosyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O XAFPIFNFBCOYLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PYWCSLGSEKAVNK-UHFFFAOYSA-N azanium;octyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCOS([O-])(=O)=O PYWCSLGSEKAVNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MGHQUGUIYCOZKR-UHFFFAOYSA-N azanium;pentyl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCOS([O-])(=O)=O MGHQUGUIYCOZKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XWMSHCCTLYFBQF-UHFFFAOYSA-M butyl-methyl-bis(6-methylheptyl)azanium;methyl sulfate Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CC(C)CCCCC[N+](C)(CCCC)CCCCCC(C)C XWMSHCCTLYFBQF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- MJNWLRYDRDXBNF-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl(diethyl)azanium;decyl sulfate Chemical compound CCN(CC)C1CCCCC1.CCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MJNWLRYDRDXBNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FPDLLPXYRWELCU-UHFFFAOYSA-M dimethyl(dioctadecyl)azanium;methyl sulfate Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC FPDLLPXYRWELCU-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- QVBODZPPYSSMEL-UHFFFAOYSA-N dodecyl sulfate;2-hydroxyethylazanium Chemical compound NCCO.CCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O QVBODZPPYSSMEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ODGXMRVMAFAHQH-UHFFFAOYSA-M dodecyl(trimethyl)azanium;methyl sulfate Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C ODGXMRVMAFAHQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- KQPPJWHBSYEOKV-UHFFFAOYSA-M dodecyl-ethyl-dimethylazanium;ethyl sulfate Chemical compound CCOS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC KQPPJWHBSYEOKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- MGUHJFIMPPINPG-UHFFFAOYSA-M ethyl sulfate;ethyl(trioctadecyl)azanium Chemical compound CCOS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](CC)(CCCCCCCCCCCCCCCCCC)CCCCCCCCCCCCCCCCCC MGUHJFIMPPINPG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- NRLUCCYRQRCHIJ-UHFFFAOYSA-M ethyl-dimethyl-octadecylazanium;ethyl sulfate Chemical compound CCOS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC NRLUCCYRQRCHIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZTFPMLHJBJMKPX-UHFFFAOYSA-M ethyl-methyl-dioctadecylazanium;ethyl sulfate Chemical compound CCOS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(CC)CCCCCCCCCCCCCCCCCC ZTFPMLHJBJMKPX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- RHMYLLZPXHTBMH-UHFFFAOYSA-M heptadecyl(trimethyl)azanium;methyl sulfate Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C RHMYLLZPXHTBMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- OEWKLERKHURFTB-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;methyl sulfate Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C OEWKLERKHURFTB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- CREVBWLEPKAZBH-UHFFFAOYSA-M hydron;tetraethylazanium;sulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O.CC[N+](CC)(CC)CC CREVBWLEPKAZBH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M hydron;tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.OS([O-])(=O)=O DWTYPCUOWWOADE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- JGJWEFUHPCKRIJ-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;tetramethylazanium Chemical compound C[N+](C)(C)C.COS([O-])(=O)=O JGJWEFUHPCKRIJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- FIMHASWLGDDANN-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;tributyl(methyl)azanium Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCC[N+](C)(CCCC)CCCC FIMHASWLGDDANN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WYTNTFGZBBTWNR-UHFFFAOYSA-M methyl sulfate;trimethyl(octadecyl)azanium Chemical compound COS([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WYTNTFGZBBTWNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- NKNFUMKGJYKPCT-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylethanamine;sulfuric acid Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CC[NH+](CC)CC.CC[NH+](CC)CC NKNFUMKGJYKPCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ITFGZZGYXVHOOU-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylmethanamine;methyl hydrogen sulfate Chemical compound C[NH+](C)C.COS([O-])(=O)=O ITFGZZGYXVHOOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MADASEMXYZRAQW-UHFFFAOYSA-N n-ethylethanamine;hexadecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCNCC.CCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O MADASEMXYZRAQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SDGWRBIFSZNMMS-UHFFFAOYSA-N n-ethylethanamine;octadecyl hydrogen sulfate Chemical compound CCNCC.CCCCCCCCCCCCCCCCCCOS(O)(=O)=O SDGWRBIFSZNMMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QZZGOJPCSBTTHI-UHFFFAOYSA-N n-ethylethanamine;sulfuric acid Chemical compound CC[NH2+]CC.CC[NH2+]CC.[O-]S([O-])(=O)=O QZZGOJPCSBTTHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZXUCBXRTRRIBSO-UHFFFAOYSA-L tetrabutylazanium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC ZXUCBXRTRRIBSO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- TXBULBYASDPNNC-UHFFFAOYSA-L tetraethylazanium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CC[N+](CC)(CC)CC.CC[N+](CC)(CC)CC TXBULBYASDPNNC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 127
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 43
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- -1 alkyl alcohol ammonium salt Chemical class 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[5-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]acetyl]-3,6-dihydro-2H-pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NN=C(O1)CC(=O)N1CCC(=CC1)C(=O)O DBGSRZSKGVSXRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000005233 alkylalcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCCCPSSXVCKQLA-UHFFFAOYSA-L dodecyl(trimethyl)azanium;sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C.CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C XCCCPSSXVCKQLA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절할 수 있는 식각 조성물 및 이를 이용한 식각방법에 대한 것으로서, 상기 식각용 조성물은 무기산, 산화제, 화학식 1로 표기되는 첨가제, 및 잔량의 물을 포함하는 것이며, 반도체 제조공정의 다양한 습식 식각공정에 따라 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하면서도, 이와 동시에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15로 조절하여 사용할 수 있는 현저한 효과를 나타내는 것이다.
Description
본 발명은 반도체소자를 제조하는 공정에 있어서 금속막에 대한 질화금속막의 식각 선택비를 조절할 수 있는 조성물 및 그 조성물을 이용하는 식각방법에 관한 것으로서, 특히 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절할 수 있는 식각액 조성물 및 그 조성물을 이용하는 식각방법에 관한 것이다.
반도체를 제조하는 공정에 있어서, 텅스텐막은 반도체 디바이스 및 액정 디스플레이의 박막 트랜지스터의 게이트 전극, 배선, 배리어층이나 콘택트홀 또는 비아홀의 매립 등에 사용되는 것이다.
그리고 질화티타늄막은 프린터 배선기판, 반도체 디바이스 및 액정 디스플레이 등에 귀금속이나 알루미늄, 구리 배선의 하지층 및 캡층으로 이용되는 것이며 베리어메탈 또는 게이트 메탈로서 사용되는 경우도 있는 것이다.
반도체를 제조하는 공정에서 상기 텅스텐막은 전도성 금속으로서 널리 사용되고 있으나 텅스텐막은 실리콘막, 산화실리콘막 등의 다른 막과의 접착성이 좋지 못하여 주로 상기 질화티타늄막을 텅스텐막의 보호막으로서 사용하는 것이다.
반도체를 제조하는 공정 중 이들 막을 제거하는 공정으로서 건식 식각공정, 습식 식각공정이 같이 사용되는 경우가 많으며, 텅스텐막의 경우에는 CMP 공정 또한 사용되는 경우가 있는 것이다. 이때 특정부분의 질화티타늄막과 텅스텐막을 동시에 같은 속도로 식각하거나 두 가지 막을 서로 다른 속도로 식각할 수 있는 식각 선택비를 갖는 공정은 건식 식각공정으로는 어렵기 때문에 습식 식각공정이 필요하며, 이러한 이유로 이들 습식 식각공정에 적합한 식각액 조성물이 필요한 실정이다.
대한민국공개특허공보 제10-2015-050278호는 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체용 식각액 조성물이 기재되어 있는 것으로서 질화티타늄막과 텅스텐막의 식각속도가 동일하여 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 1인 것이며 고온공정으로서 배치 공정에서 장시간 사용될 수 있도록 하는 기술을 포함하고 있는 것이다.
그러나 최근의 반도체 공정중의 습식 식각공정은 공정중의 파티클의 재오염을 방지하는 측면에서 유리한 싱글 타입 공정으로 변경되고 있는 상황이며, 배치 타입 공정은 수십분의 공정시간이 요구되는데 비하여, 싱글 타입 공정은 수분이내에 공정이 완료되는 장점이 있기 때문에, 싱글 타입으로 식각공정을 진행하는 경우가 많아지고 있는 실정이다.
그리고, 이러한 싱글 타입의 식각공정으로 진행되는 경우 텅스텐막의 식각속도에 비하여 질화티타늄막의 식각속도가 매우 빠르게 되는 식각액 조성물, 즉, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 고선택비가 되는 식각액 조성물의 개발이 요구되고 있는 실정인 것이다.
한편, 메모리의 종류에 따라서 보면, 낸드플레시 메모리의 경우 텅스텐막과 질화티타늄막의 식각 속도가 동일한 식각액, 즉, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 1인 식각액이 요구되고 있는 것이며, 이에 비하여 DRAM의 경우에는 질화티타늄의 식각속도가 텅스텐막 보다 빠른 식각액, 즉, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 커서 고선택비가 되는 식각액이 요구되고 있는 상황인 것이므로, 결국 식각 선택비가 1 내지 고선택비로 조절될 수 있는 식각액 조성물의 개발이 시급한 실정인 것이다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 싱글 타입으로 텅스텐막과 질화티타늄막에 대한 다양한 습식 식각공정을 진행하는데 있어서, 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하면서도, 이와 동시에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15 범위로 고선택비의 범위에서 조절하여 사용할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 이러한 식각액 조성물을 사용한 식각 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 식각용 조성물은, 무기산, 산화제, 화학식 1로 표기되는 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 식각액 조성물로서, 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하는 동시에, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15 범위로 고선택비의 범위에서 조절하는 것이 가능한 식각액 조성물이다.
본 발명의 식각액 조성물 중에 포함되는 무기산은 식각촉진제로서 황산, 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것일 수 있다.
여기서, 상기 무기산의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 81 내지 95중량%로 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명의 식각액 조성물 중에 포함되는 산화제는 과산화수소, 질산, tert-부틸하이드로퍼옥사이드 및 2-부탄퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
이때, 상기 산화제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3중량%로 포함할 수 있다.
그리고, 본 발명의 식각액 조성물 중에 포함되는 첨가제는 하기 화학식 1로 표기되는 것으로서, 양이온 계면활성제를 포함하는 알킬암모늄염 또는 알킬알코올암모늄염을 포함할 수 있고, 음이온 계면활성제를 포함하는 알킬설페이트염을 포함할 수 있다.
여기서 상기 화학식 1로 표기되는 첨가제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 500중량ppm으로 포함할 수 있다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서 R1, R2, R3 및 R4은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 내지 18의 알킬기, 탄소수 1 내지 20의 벤질알킬기 또는 탄소수 1 내지 6의 알킬알콜기일 수 있으며, R5는 1/2산소원자, 하이드록시기, 탄소수 1 내지 16의 알킬기이다. n은 1 내지 2이다.
상기 식각액 조성물은 공정에서 요구되는 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하면서도, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위하여 조성물의 조성성분 및 조성비율을 조절할 수 있는 것이며, 특히 화학식 1로 표기되는 첨가제의 양이온과 음이온의 구조를 조절 할 수 있는 것으로서, 이에 따라서 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15(질화티타늄막 식각량 : 텅스텐막 식각량 = 3.8:1 내지 15:1)로 조절을 할 수 있다.
식각액 조성물의 식각 공정의 온도는 50℃ 내지 90℃일 수 있으며, 식각 공정의 안정성을 증대시키기 위하여 무기산과 나머지 조성 성분들을 설비 내에서 혼합하여 사용할 수 있으며, 설비 외에서 혼합할 경우에는 식각 공정 직전에 혼합하여 사용할 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 식각용 조성물은 질화티타늄막과 텅스텐막에 대한 습식 식각공정을 진행하는데 있어서, 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하면서도, 질화티타늄막의 식각속도가 텅스텐막의 식각속도보다 3.8 내지 15배까지 빠르게 조절할 수 있는 현저한 효과를 나타내는 것이며, 폴리실리콘 또는 산화실리콘막과 같은 하부막질에 대한 선택비 또한 우수하여 반도체 제조공정에서 광범위하게 적용이 가능할 뿐 아니라, 산화막 표면의 파티클 흡착 및 질화막의 제거 불량 등의 문제점을 개선할 수 있는 효과를 나타내는 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 식각용 조성물은 무기산, 산화제, 화학식 1로 표기되는 첨가제 및 잔량의 물을 포함하는 것으로서 질화티타늄막의 식각속도를 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠르게 유지하면서도, 이와 동시에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15로 조절하는 것이 가능한 식각액 조성물이다.
이때, 무기산은 식각촉진제로서 황산, 인산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것이고 무기산의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 81 내지 95중량%로 포함한다.
여기서, 무기산의 함량이 81중량% 미만일 경우 텅스텐막의 식각 속도가 너무 빨라지는 문제점이 있고, 95중량%를 초과하게 되면 질화티타늄막과 텅스텐막의 식각 속도 모두가 너무 느려지는 문제점이 있으므로(질화티타늄막의 식각 속도가 너무 느려지는 것이 문제점이다), 무기산의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 81 내지 95중량%인 것이 바람직한 것이다.
또한, 산화제는 과산화수소, 질산, tert-부틸하이드로퍼옥사이드 및 2-부탄퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이고, 산화제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3중량%로 포함한다.
이때, 산화제의 함량이 0.1중량% 미만이 되면 질화티타늄막과 텅스텐막의 식각 속도가 너무 느려지는 문제점이 있고(질화티타늄막의 식각 속도가 너무 느려지는 것이 문제점이다), 3중량%를 초과하게 되면 텅스텐막의 식각 속도가 너무 빨라지는 문제점이 있으므로, 산화제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3중량%인 것이 바람직한 것이다.
그리고, 첨가제는 하기 화학식 1로 표기되는데, 양이온 계면활성제를 포함하는 알킬암모늄염 또는 알킬알코올암모늄염을 포함할 수 있고, 음이온 계면활성제를 포함하는 알킬설페이트염을 포함하는 것이다.
[화학식 1]
여기서, 상기 첨가제는 테트라메틸암모늄 메틸설페이트, 트리부틸메틸암모늄 메틸설페이트, 도데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 도코실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 헥사데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 트리아이소노닐메틸암모늄 메틸설페이트, 헵타데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 트리메틸옥타데실암모늄 메틸설페이트, 디메틸디옥타데실암모늄 메틸설페이트, 부틸디아이소옥틸메틸암모늄 메틸설페이트, 트리스-2-하이드록시에틸 메틸암모늄 메틸설페이트, 테트라메틸암모늄 설페이트, 테트라에틸암모늄 설페이트, 테트라메틸암모늄 하이드로전설페이트, 디에틸암모늄 설페이트, 에틸렌다이암모늄 설페이트, 테트라에틸암모늄 하이드로전설페이트, 트리에틸암모늄 설페이트, 테트라부틸암모늄 설페이트, 테트라부틸암모늄 하이드로전설페이트, 암모늄 메틸설페이트, 트리메틸암모늄 메틸설페이트, 암모늄 펜틸설페이트, 암모늄 아이코실설페이트, 암모늄 도코실설페이트, 암모늄 아이소데실설페이트, 암모늄 2-에틸헥실설페이트, 암모늄 옥틸설페이트, 암모늄 데실설페이트, 디에틸암모늄 옥타데실설페이트, 디에틸암모늄 헥사데실설페이트, 에틸트리옥타데실암모늄 에틸설페이트, 도데실에틸디메틸암모늄 에틸설페이트, 사이클로헥실디에틸암모늄 데실설페이트, 2-하이드록시에틸암모늄 2-에틸헥실설페이트, 에틸디메틸옥타데실암모늄 에틸설페이트, 2-하이드록시에틸암모늄 도데실설페이트, 에틸메틸디옥타데실암모늄 에틸설페이트 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.여기서, 화학식 1로 표기되는 첨가제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 500중량ppm(0.002 내지 0.05중량%)으로 포함하는 것이다.
첨가제의 함량이 20중량ppm(0.002중량%) 미만이 되면 텅스텐막의 식각속도가 증가하게 되어 텅스텐막의 식각속도가 질화티타늄막의 식각속도보다 빨라지게 되어 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각선택비가 3.8 미만이 되는 문제점이 발생하고, 500중량ppm(0.05중량%) 이상이 되면 텅스텐막과 질화티타늄막 모두의 식각속도가 낮아지게 되는 문제점이 발생하는 것이므로(질화티타늄막의 식각 속도가 너무 느려지는 것이 문제점이다), 첨가제의 함량은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 20 내지 500중량ppm(0.002 내지 0.05중량%)인 것이 바람직한 것이다.
상기 식각액 조성물은 식각 공정에서 요구 되는 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위하여 화학식 1로 표기되는 첨가제의 양이온과 음이온의 구조를 조절 할 수 있으며, 이에 따라서 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15(질화티타늄막 식각량 : 텅스텐막 식각량 = 3.8:1 내지 15:1)로 조절을 할 수 있다. 전반적으로 양이온의 크기가 큰 경우에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 3.8이상으로서 큰 값으로 상승하고, 음이온의 크기가 큰 경우에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 3.8과 비슷하게 되는 것이다.
결국, 본 발명에 따른 식각액 조성물은, 무기산 81 내지 95중량%, 산화제 0.1 내지 3중량%, 화학식 1로 표기되는 첨가제 0.002 내지 0.05중량%, 및 잔량의 물,을 포함하는 것이 바람직한 것이다.
그리고, 식각액 조성물의 식각 공정이 수행되는 온도는 50℃ 내지 90℃인 것이 바람직한 것이다.
또한, 식각액 조성물은 식각 공정이 50℃ 내지 90℃에서 수행되므로, 식각 공정의 안정성을 증대시키기 위하여 무기산과 나머지 조성 성분들을 설비 내에서 혼합하여 사용하는 것이 바람직한 것이며, 설비 외에서 혼합할 경우에는 적어도 식각 공정 직전에 혼합하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 질화티타늄막 및 텅스텐막을 식각액 조성물을 이용하여 동시에 식각하는 공정은 당 업계에 공지된 방법에 따라 수행될 수 있는바, 배치공정에 의한 침지시키는 방법, 또는 싱글장비에 의하여 매엽식으로 한장씩 공정을 진행하면서 식각용액을 분사하는 방법 등을 예로 들 수 있다. 식각 공정 시 식각액의 온도는 다른 공정과 기타 요인을 고려하여 필요에 따라 변경할 수 있는데, 50℃ 내지 90℃인 것이 바람직한 것이다.
그리고, 본 발명의 식각액 조성물을 이용하는 질화티타늄막 및 텅스텐막의 식각방법은 전자 소자의 제조방법에 적용될 수 있다. 상기 막의 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 기술분야에서 통상적으로 사용되는 기판은 어느 것이나 사용 가능하다. 상기 기판에 증착되는 질화티타늄막과 텅스텐막은 통상의 형성방법에 따라 형성 될 수 있다.
이하 본 발명을 실시예, 비교예 및 실험예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예와 비교예 및 실험예와 비교실험예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명은 하기 실시예와 비교예 및 실험예와 비교실험예에 의하여 한정되지 않으며 다양하게 수정 및 변경될 수 있다.
[실시예 및 비교예]
실시예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 12
마그네틱바가 설치되어 있는 각각의 실험용 비커에 표 1로 기재된 조성비로 실시예 및 비교예의 식각액 조성물을 투입하고 난 이후 비이커 상부를 밀폐시킨 이후에 상온에서 30분 동안 400rpm의 속도로 교반하여 조성물을 제조하였다.
구분 | 무기산 | 산화제 | 첨가제 | 물 | ||||
성분 | 함량 (중량%) | 성분 | 함량 (중량%) | 성분 | 함량 (중량%) | 성분 | 함량 | |
실시예 1 | A-1 | 89 | B-1 | 1 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 2 | A-1 | 95 | B-1 | 0.3 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 3 | A-1 | 81 | B-1 | 3 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 4 | A-2 | 84 | B-1 | 0.3 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 5 | A-2 | 81 | B-1 | 1 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 6 | A-1 | 89 | B-2 | 2 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 7 | A-1 | 89 | B-3 | 0.1 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 8 | A-1 | 89 | B-4 | 0.1 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 9 | A-2 | 81 | B-2 | 2 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 10 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-3 | 0.003 | D-1 | 잔량 |
실시예 11 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-3 | 0.05 | D-1 | 잔량 |
실시예 12 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-3 | 0.002 | D-1 | 잔량 |
실시예 13 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-4 | 0.05 | D-1 | 잔량 |
실시예 14 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-2 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 15 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-3 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 16 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-4 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
실시예 17 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-7 | 0.02 | D-1 | 잔량 |
실시예 18 | A-2 | 82 | B-1 | 2 | C-7 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
비교예 1 | A-1 | 81 | B-1 | 6 | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 2 | A-1 | 79 | B-1 | 2 | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 3 | A-2 | 79 | B-1 | 2 | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 4 | A-2 | 89 | B-1 | 2 | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 5 | A-1 | 96 | B-1 | 0.05 | C-1 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
비교예 6 | A-1 | 92 | B-1 | 0.05 | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 7 | A-1 | 96 | - | - | - | - | D-1 | 잔량 |
비교예 8 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-6 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
비교예 9 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-7 | 0.01 | D-1 | 잔량 |
비교예 10 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-1 | 0.001 | D-1 | 잔량 |
비교예 11 | A-1 | 89 | B-1 | 2 | C-1 | 0.06 | D-1 | 잔량 |
비교예 12 | A-2 | 70 | B-2 | 5 | - | - | D-1 | 잔량 |
A-1 : 황산
A-2 : 인산
B-1 : 과산화수소
B-2 : 질산
B-3 : tert-부틸하이드로퍼옥사이드
B-4 : 2-부탄퍼옥사이드
C-1 : 테트라메틸암모늄 설페이트
C-2 : 에틸렌디아민암모늄 설페이트
C-3 : 암모늄 메틸설페이트
C-4 : 도데실트리메틸암모늄 설페이트
C-5 : 2-하이드록시에틸암모늄 도데실설페이트
C-6 : 암모늄 포스페이트
C-7 : 암모늄 아세테이트
D-1 : 탈이온수
[실험예 및 비교실험예]
질화티타늄막 및 텅스텐막의 식각 속도 측정
상기 실시예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 12에서 제조된 식각액의 성능을 측정하여 그 결과를 실험예 1 내지 18 및 비교실험예 1 내지 12로 표 2에 기재하였다.
먼저, 측정을 위하여 CVD 방법을 이용하여 반도체 제조 과정과 동일하게 증착하여 질화티타늄막 및 텅스텐막 웨이퍼를 각각 준비하였다.
식각을 시작하기 전, 주사전자현미경을 이용하여 식각전의 두께를 측정하였다. 이후에 500rpm의 속도로 교반되는 석영 재질의 교반조에서 80℃의 온도로 유지되고 있는 식각액에 질화티타늄막 및 텅스텐막 웨이퍼를 침지하여 식각 공정을 30초간 진행하였다.
식각이 완료된 이후에 초순수로 세정한 후 건조 장치를 이용하여 잔여 식각액 및 수분을 완전히 건조 시켰다.
건조된 웨이퍼의 쿠폰은 주사전자현미경을 이용하여 식각 후의 박막 두께를 측정하였다. 이로써 식각 전과 식각 후의 박막 두께 차이를 계산하여 주어진 온도에서 질화티타늄막 및 텅스텐막의 30초간의 식각량을 측정하였다.
구분 | 식각량 | 식각 선택비 | |
TiN (Å/min) | W (Å/min) | TiN/W | |
실험예 1 | 76 | 9 | 8.4 |
실험예 2 | 45 | 4 | 11.3 |
실험예 3 | 84 | 15 | 5.6 |
실험예 4 | 53 | 8 | 6.6 |
실험예 5 | 82 | 8 | 10.3 |
실험예 6 | 54 | 6 | 10.7 |
실험예 7 | 45 | 4 | 11.3 |
실험예 8 | 43 | 5 | 8.6 |
실험예 9 | 48 | 7 | 6.9 |
실험예 10 | 90 | 18 | 5 |
실험예 11 | 68 | 9 | 7.6 |
실험예 12 | 94 | 25 | 3.8 |
실험예 13 | 58 | 4 | 14.5 |
실험예 14 | 79 | 12 | 6.6 |
실험예 15 | 82 | 12 | 6.8 |
실험예 16 | 70 | 6 | 11.7 |
실험예 17 | 56 | 11 | 5.1 |
실험예 18 | 50 | 9 | 5.6 |
비교실험예 1 | 105 | 131 | 0.8 |
비교실험예 2 | 57 | 75 | 0.76 |
비교실험예 3 | 45 | 65 | 0.69 |
비교실험예 4 | 54 | 76 | 0.71 |
비교실험예 5 | 18 | 10 | 1.8 |
비교실험예 6 | 15 | 23 | 0.65 |
비교실험예 7 | 2 | 2 | 1.0 |
비교실험예 8 | 150 | 240 | 0.63 |
비교실험예 9 | 124 | 184 | 0.67 |
비교실험예 10 | 95 | 113 | 0.84 |
비교실험예 11 | 16 | 8 | 2.0 |
비교실험예 12 | 23 | 32 | 0.72 |
상기 표 2에 나타난 바와 같이 실험예 1 내지 18에서 사용된 식각액으로 온도별 30초 동안 식각시킨 식각량을 보면 80℃에서 질화티타늄막의 식각량이 텅스텐의 식각량보다 많은 것이어서 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 3.8 내지 15(질화티타늄막 식각량 : 텅스텐막 식각량 = 3.8:1 내지 15:1)를 갖는 현저한 효과를 나타내는 것일 뿐 아니라, 질화티타늄막의 식각량 또한 많은 것이어서 식각속도 역시 빠른 현저한 효과를 갖는 것이다.
이에 비하여 비교실험예 1, 2, 3, 4, 6, 8, 9, 10, 12의 결과를 보면 80℃에서 질화티타늄막의 식각량이 텅스텐의 식각량보다 적은 것이어서 식각 선택비가 1보다 작은 것이므로 본 발명의 식각액으로 채택할 수 없는 것이다.
또한, 비교실험예 5, 7, 11의 경우 식각 선택비가 1보다 크기는 하지만, 두 막질의 식각량 모두가 매우 적어진 결과 두 막질 모두의 식각속도가 현저히 낮게 되는 것이며, 결국 TiN의 식각속도가 현저히 낮게 되어 공정시간이 길어지게 되는 것이므로 본 발명의 식각액으로 채택될 수 없는 것이다.
즉, 비교실험예 5에서 선택비가 1.8:1이 되고, 비교실험예 7에서 선택비가 1:1이 되며, 비교실험예 11에서 선택비가 2:1이 되어 식각 선택비가 낮아 본 발명의 식각액으로 채택할 수 없는 것일 뿐 아니라, 이러한 비교실험예 5, 7, 11의 경우에는 TiN의 식각량이 18, 2, 16이 되어 현저하게 적은 것이고 그에 따라 TiN의 식각속도가 현저히 낮은 것이어서 그에 따라 공정시간이 길어지게 되는 결과를 초래하는 것이므로, 결국 본 발명의 식각액으로 사용할 수 없는 것이다.
위와 같은 실시예 1 내지 18 및 비교예 1 내지 12와 이에 따른 실험예 및 비교실험예의 결과를 종합적으로 평가하면, 실시예 1 내지 18에 따른 식각액 조성물은 첫째, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각량이 많아서 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 속도가 빠른 것이어서 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15(질화티타늄막 식각량 : 텅스텐막 식각량 = 3.8:1 내지 15:1)로 조절이 가능한 것일 뿐 아니라, 둘째, 이와 동시에 질화티타늄막 및 텅스텐막 모두의 식각량이 현저하게 많은 것이어서 모두 빠른 식각속도를 갖는 것이며, 특히 질화티타늄막의 식각속도가 식각속도가 43 내지 94 Å/min 범위로 현저하게 빠른 것이다.
그리고, 50 내지 90℃의 온도범위에서도 실험을 진행한 결과 80℃에서와 동일한 경향을 갖는 것을 확인할 수 있었다.
결국, 본 발명의 실시예에 따른 식각액 조성물은, 무기산 81 내지 95중량%, 산화제 0.1 내지 3중량%, 화학식 1로 표기되는 첨가제 0.002 내지 0.05중량%, 및 잔량의 물,을 포함하는 것으로서, 반도체 제조공정의 다양한 습식 식각공정에 따라 질화티타늄막의 식각속도를 현저하게 빠르게 유지하면서도, 이와 동시에 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 3.8 내지 15(질화티타늄막 식각량 : 텅스텐막 식각량 = 3.8:1 내지 15:1)로 조절하여 사용할 수 있는 현저한 효과를 나타내는 것으로 밝혀진 것이다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (13)
- a) 황산, 인산 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 무기산은 식각액 조성물 총 중량에 대하여 81 내지 95중량%이고;
b) 과산화수소, 질산, tert-부틸하이드로퍼옥사이드 및 2-부탄퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 산화제는 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 3중량%이고;
c) 테트라메틸암모늄 메틸설페이트, 트리부틸메틸암모늄 메틸설페이트, 도데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 도코실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 헥사데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 트리아이소노닐메틸암모늄 메틸설페이트, 헵타데실트리메틸암모늄 메틸설페이트, 트리메틸옥타데실암모늄 메틸설페이트, 디메틸디옥타데실암모늄 메틸설페이트, 부틸디아이소옥틸메틸암모늄 메틸설페이트, 트리스-2-하이드록시에틸 메틸암모늄 메틸설페이트, 테트라메틸암모늄 설페이트, 테트라에틸암모늄 설페이트, 테트라메틸암모늄 하이드로전설페이트, 디에틸암모늄 설페이트, 에틸렌다이암모늄 설페이트, 테트라에틸암모늄 하이드로전설페이트, 트리에틸암모늄 설페이트, 테트라부틸암모늄 설페이트, 테트라부틸암모늄 하이드로전설페이트, 암모늄 메틸설페이트, 트리메틸암모늄 메틸설페이트, 암모늄 펜틸설페이트, 암모늄 아이코실설페이트, 암모늄 도코실설페이트, 암모늄 아이소데실설페이트, 암모늄 2-에틸헥실설페이트, 암모늄 옥틸설페이트, 암모늄 데실설페이트, 디에틸암모늄 옥타데실설페이트, 디에틸암모늄 헥사데실설페이트, 에틸트리옥타데실암모늄 에틸설페이트, 도데실에틸디메틸암모늄 에틸설페이트, 사이클로헥실디에틸암모늄 데실설페이트, 2-하이드록시에틸암모늄 2-에틸헥실설페이트, 에틸디메틸옥타데실암모늄 에틸설페이트, 2-하이드록시에틸암모늄 도데실설페이트, 에틸메틸디옥타데실암모늄 에틸설페이트 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제는 식각액 조성물 총 중량에 대하여 0.002 내지 0.05중량%이며;
d) 잔량의 물;로 이루어지는 식각액 조성물로서,
e) 질화티타늄막의 식각속도가 43 내지 94 Å/min이며, 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비가 3.8 내지 15인 것을 특징으로 하는 식각액 조성물.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항의 식각액 조성물을 이용하여 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 단계를 포함하는 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 단계는 50 내지 90℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 단계는 상기 식각액 조성물 중 무기산과 나머지 조성 성분들이 식각 설비 내에서 혼합되어 사용되는 것을 특징으로 하는 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체를 식각하는 방법.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200097214A KR102266618B1 (ko) | 2020-08-04 | 2020-08-04 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
JP2023501828A JP2023534014A (ja) | 2020-08-04 | 2021-07-05 | タングステン膜に対する窒化チタン膜のエッチング選択比を調節するためのエッチング液組成物、及びこれを用いたエッチング方法 |
PCT/KR2021/008475 WO2022030765A1 (ko) | 2020-08-04 | 2021-07-05 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
US18/016,725 US20230295500A1 (en) | 2020-08-04 | 2021-07-05 | Etchant composition for adjusting etching selectivity of titanium nitride film with respect to tungsten film, and etching method using same |
CN202180057994.9A CN116057151A (zh) | 2020-08-04 | 2021-07-05 | 用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法 |
TW110125682A TWI789824B (zh) | 2020-08-04 | 2021-07-13 | 用於控制氮化鈦層對鎢層的蝕刻選擇比的蝕刻組合物及使用該組合物的蝕刻方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200097214A KR102266618B1 (ko) | 2020-08-04 | 2020-08-04 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102266618B1 true KR102266618B1 (ko) | 2021-06-18 |
Family
ID=76623664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020200097214A KR102266618B1 (ko) | 2020-08-04 | 2020-08-04 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230295500A1 (ko) |
JP (1) | JP2023534014A (ko) |
KR (1) | KR102266618B1 (ko) |
CN (1) | CN116057151A (ko) |
TW (1) | TWI789824B (ko) |
WO (1) | WO2022030765A1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113604803A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-11-05 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择蚀刻钨及氮化钛的蚀刻液 |
WO2022030765A1 (ko) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | 영창케미칼 주식회사 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
CN114350365A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-04-15 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种稳定蚀刻氮化钛的蚀刻液 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150050278A (ko) | 2013-10-31 | 2015-05-08 | 솔브레인 주식회사 | 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체용 식각 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 이로부터 제조된 반도체 소자 |
KR101587758B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2016-01-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101335946B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2013-12-04 | 유비머트리얼즈주식회사 | 텅스텐 연마용 cmp 슬러리 조성물 |
KR20130136640A (ko) * | 2012-06-05 | 2013-12-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 텅스텐막 식각액 조성물 및 이를 이용한 텅스텐막의 식각방법 |
KR20180041936A (ko) * | 2016-10-17 | 2018-04-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 |
KR102266618B1 (ko) * | 2020-08-04 | 2021-06-18 | 영창케미칼 주식회사 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
-
2020
- 2020-08-04 KR KR1020200097214A patent/KR102266618B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-07-05 US US18/016,725 patent/US20230295500A1/en active Pending
- 2021-07-05 CN CN202180057994.9A patent/CN116057151A/zh active Pending
- 2021-07-05 JP JP2023501828A patent/JP2023534014A/ja active Pending
- 2021-07-05 WO PCT/KR2021/008475 patent/WO2022030765A1/ko active Application Filing
- 2021-07-13 TW TW110125682A patent/TWI789824B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150050278A (ko) | 2013-10-31 | 2015-05-08 | 솔브레인 주식회사 | 질화티타늄막 및 텅스텐막의 적층체용 식각 조성물, 이를 이용한 식각 방법 및 이로부터 제조된 반도체 소자 |
KR101587758B1 (ko) * | 2015-03-05 | 2016-01-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022030765A1 (ko) * | 2020-08-04 | 2022-02-10 | 영창케미칼 주식회사 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
CN113604803A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-11-05 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种选择蚀刻钨及氮化钛的蚀刻液 |
CN114350365A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-04-15 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种稳定蚀刻氮化钛的蚀刻液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202206575A (zh) | 2022-02-16 |
US20230295500A1 (en) | 2023-09-21 |
TWI789824B (zh) | 2023-01-11 |
CN116057151A (zh) | 2023-05-02 |
WO2022030765A1 (ko) | 2022-02-10 |
JP2023534014A (ja) | 2023-08-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102266618B1 (ko) | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 | |
JP5349326B2 (ja) | 窒化ケイ素の選択的除去のための組成物および方法 | |
TWI510675B (zh) | 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2) | |
KR101587758B1 (ko) | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 | |
CN111225965B (zh) | 蚀刻组合物 | |
KR20050043947A (ko) | 에칭액 및 에칭 방법 | |
KR20150053212A (ko) | 식각 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 | |
KR20170084600A (ko) | 질화 티탄(TiN) 막의 식각액 조성물 및 그를 이용한 금속배선의 형성 방법 | |
KR102309758B1 (ko) | 질화티타늄막 및 텅스텐막 적층체 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각방법 | |
KR102447288B1 (ko) | 몰리브데늄막 식각액 조성물 및 그를 이용한 식각 방법 | |
KR102179756B1 (ko) | 질화 금속막 식각액 조성물 | |
KR102506218B1 (ko) | 질화티타늄 막의 식각액 조성물 | |
KR20160090574A (ko) | 구리계 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
KR102309755B1 (ko) | 질화티타늄막 및 텅스텐막 적층체 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 식각방법 | |
TWI823984B (zh) | 蝕刻組成物 | |
KR102373108B1 (ko) | 도전막 식각액 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20190131911A (ko) | 실란 화합물을 포함하는 절연막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR102243569B1 (ko) | 식각 조성물 및 이를 이용하는 식각 방법 | |
KR20230033319A (ko) | 실리콘 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR20150092892A (ko) | 금속막 식각액 조성물 | |
KR20210100923A (ko) | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 | |
KR20200107248A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 및 금속 패턴의 형성 방법 | |
KR20200124465A (ko) | 식각 조성물 및 이를 이용하는 식각 방법 | |
KR20220081169A (ko) | 실리콘 식각액 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 | |
KR20220043520A (ko) | 실리콘 식각액 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AMND | Amendment | ||
X091 | Application refused [patent] | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |