CN116057151A - 用于调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法。所述蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15而使用。
Description
技术领域
本发明涉及一种在制造半导体元件的工艺中能够调节金属氮化膜对金属膜的蚀刻选择比的组合物及利用该组合物的蚀刻方法。特别是，涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用该组合物的蚀刻方法。
背景技术
在半导体制造工艺中，钨膜用于半导体器件和液晶显示器的薄膜晶体管的栅电极、布线、阻挡层或接触孔或通孔的填充等。
此外，氮化钛膜用作打印机布线基板、半导体器件及液晶显示器等的贵金属或铝、铜布线的基层和覆盖层，有时也用作阻挡层金属或栅极金属。
在半导体制造工艺中，所述钨膜作为导电金属而被广泛使用，但由于钨膜与硅膜、氧化硅膜等其他膜的粘附性不好，因此主要将所述氮化钛膜用作钨膜的保护膜。
在半导体制造工艺中，作为去除这些膜的工艺，经常是干式蚀刻工艺和湿式蚀刻工艺一起使用，就钨膜而言，有时还使用CMP工艺。此时，对具有能够将特定部分的氮化钛膜和钨膜同时以相同速度进行蚀刻或将两种膜以不同速度进行蚀刻的蚀刻选择比的工艺而言，难以通过干式蚀刻工艺来实现，因此需要湿式蚀刻工艺，为此，现实情况是，需要适合于这些湿式蚀刻工艺的蚀刻液组合物。
韩国公开专利公报第10-2015-050278号记载了氮化钛膜和钨膜的层叠体用蚀刻液组合物，其中，氮化钛膜和钨膜的蚀刻速度相同，从而氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比为1，作为高温工艺，包括能够在批次工艺中长时间使用的技术。
然而，近来，半导体工艺中的湿式蚀刻工艺正在变更为在防止工艺中的颗粒的再次污染方面有利的单一型工艺，相比于需要数十分钟工艺时间的批次工艺，单一型工艺具有在数分钟之内完成工艺的优点，因此，现实情况是，以单一型进行蚀刻工艺的情况正在增加。
此外，在以这种单一型蚀刻工艺进行的情况下，现实情况是，需要开发一种相比于钨膜的蚀刻速度，氮化钛膜的蚀刻速度非常快的蚀刻液组合物，即，氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比为高选择比的蚀刻液组合物。
另一方面，从存储器的种类来看，在NAND闪存的情况下，需要钨膜和氧化钛膜的蚀刻速度相同的蚀刻液，即，需要氧化钛膜对钨膜的蚀刻选择比为1的蚀刻液，与此相比，在DRAM的情况下，需要氮化钛膜的蚀刻速度比钨膜快的蚀刻液，即，需要氮化钛对钨膜的蚀刻选择比高从而为高选择比的蚀刻液，因此，最终现实情况是，迫切需要开发一种蚀刻选择比能够调节为1至高选择比的蚀刻液组合物。
发明内容
(要解决的技术问题)
本发明旨在解决如上所述的问题，其目的在于，提供一种在以单一型进行对钨膜和氮化钛膜的各种湿式蚀刻工艺时，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至高选择比的范围而使用的蚀刻液组合物。
本发明的另一目的在于，提供一种使用这种蚀刻液组合物的蚀刻方法。
(解决问题的方案)
根据本发明的蚀刻用组合物，作为包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水的蚀刻液组合物，是能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，同时能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比在1至高选择比的范围进行调节的蚀刻液组合物。
本发明的蚀刻液组合物中包含的无机酸作为蚀刻促进剂，可以是选自由硫酸、磷酸及它们的混合物所构成的群组中的任意一种。
其中，相对于蚀刻液组合物的总重量，所述无机酸的含量可以为81至95重量％。
此外，本发明的蚀刻液组合物中包含的氧化剂可以是选自由过氧化氢、硝酸、叔丁基过氧化氢及2-丁烷过氧化物所构成的群组中的任意一种。
此时，相对于蚀刻液组合物的总重量，所述氧化剂的含量可以为0.1至3重量％。
此外，本发明的的蚀刻液组合物中包含的添加剂由以下化学式1表示，可以包括包含阳离子表面活性剂的烷基铵盐或烷基醇铵盐，可以包括包含阴离子表面活性剂的烷基硫酸盐。
其中，相对于蚀刻液组合物的总重量，由所述化学式1表示的添加剂的含量可以为20至500重量ppm。
【化学式1】
在上述化学式1中，R1、R2、R3及R4相互独立地可以为氢原子、碳原子数为1至18的烷基、碳原子数为1至20的苄基烷基或碳原子数为1至6的烷基醇基，R5为1/2氧原子、羟基、碳原子数为1至16的烷基，n为1至2。
所述蚀刻液组合物能够调节组合物的组成成分和组成比例，从而能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，同时能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比。特别是，能够调节由化学式1表示的添加剂的阳离子和阴离子的结构，据此，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15(氮化钛膜蚀刻量：钨膜蚀刻量＝1：1至15：1)。
蚀刻液组合物的蚀刻工艺温度可以为50℃至90℃，为了提高蚀刻工艺的稳定性，可以将无机酸和其余组成成分在设备内进行混合而使用，当在设备外进行混合时，可以在开始蚀刻工艺之前进行混合而使用。
(发明的效果)
根据本发明的蚀刻用组合物在对氮化钛膜和钨膜进行湿式蚀刻工艺时，表现出能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，同时能够将氮化钛膜的蚀刻速度调节为与钨膜的蚀刻速度相同或氮化钛膜的蚀刻速度比钨膜的蚀刻速度快至15倍的显著效果，且由于对多晶硅或氧化硅膜等下层膜质的选择比也很优异，因此不仅能够广泛地适用于半导体制造工艺，还表现出能够改善氧化膜表面的颗粒吸附和氮化膜的去除不良等问题的效果。
最佳实施方式
以下，更加详细地说明本发明。
首先，根据本发明一实施例的蚀刻用组合物包括无机酸、氧化剂、由化学式1表示的添加剂、及余量的水，是一种能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15的蚀刻液组合物。
此时，无机酸作为蚀刻促进剂，可以是选自由硫酸、磷酸及它们的混合物所构成的群组中的任意一种，且相对于蚀刻液组合物的总重量，无机酸的含量为81至95重量％。
其中，当无机酸的含量不足81重量％时，存在钨膜的蚀刻速度过快的问题，当无机酸的含量超过95重量％时，存在氮化肽膜和钨膜的蚀刻速度均过慢的问题(氮化钛膜的蚀刻速度过慢是问题点)，因此，相对于蚀刻液组合物的总重量，无机酸的含量优选为81至95重量％。
此外，氧化剂是选自由过氧化氢、硝酸、叔丁基过氧化氢及2-丁烷过氧化物所构成的群组中的任意一种，且相对于蚀刻液组合物的总重量，氧化剂的含量为0.1至3重量％。
此时，当氧化剂的含量不足0.1重量％时，存在氮化钛膜和钨膜的蚀刻速度过慢的问题(氮化钛膜的蚀刻速度过慢是问题点)，当氧化剂的含量超过3重量％时，存在钨膜的蚀刻速度过快的问题，因此，相对于蚀刻液组合物的总重量，氧化剂的含量优选为0.1至3重量％。
此外，添加剂由以下化学式1表示，可以包括包含阳离子表面活性剂的烷基铵盐或烷基醇铵盐，可以包括包含阴离子表面活性剂的烷基硫酸盐。
【化学式1】
其中，所述添加剂可以是选自由四甲基铵甲基硫酸盐、三丁基甲基铵甲基硫酸盐、十二烷基三甲基铵甲基硫酸盐、二十二烷基三甲基铵甲基硫酸盐、十六烷基三甲基铵甲基硫酸盐、三异壬基甲基铵甲基硫酸盐、十七烷基三甲基铵甲基硫酸盐、三甲基十八烷基铵甲基硫酸盐、二甲基双十八烷基铵甲基硫酸盐、丁基二异辛基甲基铵甲基硫酸盐、三-2-羟乙基甲基铵甲基硫酸盐、硫酸铵、四甲基硫酸铵、四乙基硫酸铵、四甲基硫酸氢铵、二乙基硫酸铵、乙二硫酸铵、四乙基硫酸氢铵、三乙基硫酸铵、四丁基硫酸铵、四丁基硫酸氢铵、甲基硫酸铵、三甲基甲基硫酸铵、戊基硫酸铵、十二烷基硫酸铵、二十烷基硫酸铵、二十二烷基硫酸铵、异癸基硫酸铵、2-乙基己基硫酸铵、辛基硫酸铵、癸基硫酸铵、二乙铵辛基硫酸盐、二乙基十八烷基硫酸铵、二乙铵十六烷基硫酸盐、乙基三十八烷基铵乙基硫酸盐、十二烷基乙基二甲基铵乙基硫酸盐、环己基二乙基铵十二烷基硫酸盐、2-羟乙基铵(2-乙基己基)硫酸盐、乙基二甲基十八烷基铵乙基硫酸盐、2-羟基乙基铵十二烷基硫酸盐、乙基甲基双十八烷基铵乙基硫酸盐、二乙铵辛基硫酸盐及它们的混合物所构成的群组中的任意一种。其中，相对于蚀刻液组合物的总重量，由化学式1表示的添加剂的含量为20至500重量ppm(0.002至0.05重量％)。
当添加剂的含量不足20重量ppm(0.002重量％)时，钨膜的蚀刻速度增加，从而钨膜的蚀刻速度比氮化钛膜的蚀刻速度快，进而发生氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比不足1的问题，当添加剂的含量为500重量ppm(0.05重量％)以上时，发生钨膜和氮化钛膜的蚀刻速度均降低的问题(氮化钛膜的蚀刻速度过低是问题点)，因此，相对于蚀刻液组合物的总重量，添加剂的含量优选为20至500重量ppm(0.002至0.05重量％)。
为了调节蚀刻工艺中所需的氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比，所述蚀刻液组合物可以调节由化学式1表示的添加剂的阳离子和阴离子结构，据此，可以将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15(氮化钛膜蚀刻量：钨膜蚀刻量＝1：1至15：1)。总体而言，在阳离子的尺寸大时，氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比上升到1以上的大值，而在阴离子的尺寸大时，氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比接近1。
最终，根据本发明的蚀刻液组合物优选为包含：81至95重量％的无机酸、0.1至3重量％的氧化剂、0.002至0.05重量％的由化学式1表示的添加剂、及余量的水。
此外，蚀刻液组合物进行蚀刻工艺的温度优选为50℃至90℃。
此外，由于蚀刻液组合物在50℃至90℃进行蚀刻工艺，因此为了提高蚀刻工艺的稳定性，无机酸和其余组成成分优选为在设备内进行混合而使用，当在设备外进行混合时，优选至少在开始蚀刻工艺之前进行混合。
此外，本发明的利用蚀刻液组合物同时蚀刻氮化钛膜和钨膜的工艺，可以按照本领域公知的方法进行，可以列举通过批次工艺的浸渍方法、或通过单个设备以单片式逐张进行工艺并喷射蚀刻液的方法等。在蚀刻工艺中，可以考虑其他工艺和其他要素，根据需要变更蚀刻液的温度，但优选为50℃至90℃。
此外，利用本发明蚀刻液组合物的氮化钛膜和钨膜的蚀刻方法，可以适用于电子器件的制造方法。所述膜的基板可以是半导体晶圆，但是本发明并不限于此，可以使用本发明的技术领域中通常使用的任意基板。沉积在所述基板上的氮化钛膜和钨膜，可以通过通常的形成方法来形成。
以下，将利用实施例、比较例及实验例更加详细地说明本发明。然而，以下实施例和比较例及实验例和比较实验例旨在例示本发明，本发明并不限于以下实施例和比较例及实验例和比较实验例，可以进行各种修改和变更。
具体实施方式
实施例1至25及比较例1至12
将实施例和比较例的蚀刻液组合物以表1中记载的组成比投入到设置有磁棒的各个实验用烧杯中，然后密封烧杯上部，然后在常温下以400rpm的速度搅拌30分钟而制备组合物。
[表1]
A-1：硫酸
A-2：磷酸
B-1：过氧化氢
B-2：硝酸
B-3：叔丁基过氧化氢
B-4：2-丁烷过氧化物
C-1：四甲基硫酸铵
C-2：乙二胺硫酸铵
C-3：甲基硫酸铵
C-4：十二烷基三甲基硫酸铵
C-5：十二烷基硫酸铵
C-6：二乙铵辛基硫酸盐
C-7：硫酸铵
C-8：2-羟基乙基铵十二烷基硫酸盐
C-9：磷酸铵
C-10：乙酸铵
D-1：去离子水
[实验例及比较实验例]
氮化钛膜和钨膜的蚀刻速度测定
测定在上述实施例1至25及比较例1至12所制备的蚀刻液的性能，并将其结果以实验例1至25及比较实验例1至12示于表2。
首先，为了测定，利用CVD方法以与半导体制造过程相同地进行沉积而分别准备氮化钛膜和钨膜晶圆。
在开始蚀刻前，利用扫描电子显微镜测定蚀刻前的厚度。之后，在以500rpm的速度搅拌的石英材质的搅拌槽中，将氮化钛膜和钨膜晶圆浸渍于以80℃温度维持的蚀刻液中进行蚀刻工艺30秒。
蚀刻完成后，以超纯水洗涤，然后利用干燥装置将残留蚀刻液和水分完全干燥。
对干燥后的圆晶试样利用扫描电子显微镜测定蚀刻后的的薄膜厚度。据此，计算蚀刻前和蚀刻后的薄膜厚度差，从而测定在给定温度下氮化钛膜和钨膜的30秒蝕刻量。
[表2]
如上述表2中所示，查看以实验例1至25中所使用的蚀刻液在不同温度下蚀刻30秒的蚀刻量，在80℃时氮化钛膜的蚀刻量比钨的蚀刻量多，从而不仅表现出具有氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比为1至15(氮化钛膜蚀刻量：钨膜蚀刻量＝1：1至15：1)的显著效果，而且氮化钛膜的蚀刻量也多，因此，还具有蚀刻速度也快的显著效果。
与此相比，查看比较实验例1、2、3、4、6、8、9、10、12的结果，在80℃时氮化钛膜的蚀刻量比钨的蚀刻量少，蚀刻选择比小于1，因此无法用作本发明的蚀刻液。
此外，在比较实验例5、7、11的情况下，虽然蚀刻选择比大于1，但是两种膜质的蚀刻量均非常少，其结果，两种膜质的蚀刻速度均显著降低，最终，TiN的蚀刻速度显著降低而工艺时间变长，因此无法用作本发明的蚀刻液。
即，在比较实验例5中，选择比为1.8：1，在比较实验例7中，选择比为1：1，在比较实验例11中，选择比为2：1，仅从蚀刻选择比本身而言，可以用作本发明的蚀刻液，但是在这样的比较实验例5、7、11的情况下，TiN的蚀刻量为18、2、16，显著少，据此，TiN的蚀刻速度显著低，据此，导致工艺时间变长的结果，因此，最终无法用作本发明的蚀刻液。
综合评估如上所述的实施例1至25和比较例1至12及根据此的实验例和比较实验例的结果，对于根据实施例1至25的蚀刻液组合物而言，首先，氮化钛膜对于钨膜的蚀刻量多，因此氮化钛膜对于钨膜的蚀刻速度快，从而不仅能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15(氮化钛膜蚀刻量：钨膜蚀刻量＝1：1至15：1)，其次，与此同时，氮化钛膜和钨膜蚀刻量均显著多，因此均具有快的蚀刻速度，其结果，氮化钛膜的蚀刻速度显著快。
此外，在50℃至90℃的温度范围进行实验的结果，可以确认其具有与在80℃下进行时相同的趋势。
最终，根据本发明实施例的蚀刻液组合物包括：81至95重量％的无机酸、0.1至3重量％的氧化剂、0.002至0.05重量％的由化学式1表示的添加剂、及余量的水。探明了其表现出以下显著效果：根据半导体制造工艺的各种湿式蚀刻工艺，能够显著快的维持氮化钛膜的蚀刻速度，与此同时，能够将氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比调节为1至15(氮化钛膜蚀刻量：钨膜蚀刻量＝1：1至15：1)而使用。
以上，详细说明了本发明内容的特定部分，对于本领域的普通技术人员而言，显而易见的是，这些具体技术仅是有缘实施方式，本发明的范围并不由此限定。因此，本发明的实质范围将由所附权利要求和其均等物定义。
Claims (13)
1.一种蚀刻液组合物，其中，包括：
a)无机酸；
b)氧化剂；
c)由以下化学式1表示的添加剂；及
d)余量的水，
[化学式1]
在上述化学式1中，R1、R2、R3及R4相互独立地为氢原子、碳原子数为1至18的烷基、碳原子数为1至20的苄基烷基或碳原子数为1至6的烷基醇基，R5为1/2氧原子、羟基、碳原子数为1至16的烷基，n为1至2。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述无机酸是选自由硫酸、磷酸或它们的混合物所构成的群组中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
相对于蚀刻液组合物的总重量，所述无机酸的含量为81至95重量％。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述氧化剂是选自由过氧化氢、硝酸、叔丁基过氧化氢及2-丁烷过氧化物所构成的群组中的一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
相对于蚀刻液组合物的总重量，所述氧化剂的含量为0.1至3重量％。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
由所述化学式1表示的添加剂是包含阳离子表面活性剂的烷基铵盐或烷基醇铵盐。
7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
由化学式1表示的添加剂是包含阴离子表面活性剂的烷基硫酸盐。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
相对于蚀刻液组合物的总重量，由所述化学式1表示的添加剂的含量为0.002至0.05重量％。
9.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
所述蚀刻液组合物包括81至95重量％的无机酸、0.1至3重量％的氧化剂、0.002至0.05重量％的由化学式1表示的添加剂、及余量的水。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，
根据由所述化学式1表示的添加剂的阳离子和阴离子的结构，氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比为1至15。
11.一种氮化钛膜和钨膜的层叠体的蚀刻方法，其中，包括：
利用权利要求1至10中任一项所述的蚀刻液组合物蚀刻氮化钛膜和钨膜的层叠体的步骤。
12.根据权利要求11所述的氮化钛膜和钨膜的层叠体的蚀刻方法，其特征在于，
所述蚀刻氮化钛膜和钨膜的层叠体的步骤在50℃至90℃的温度下执行。
13.根据权利要求12所述的氮化钛膜和钨膜的层叠体的蚀刻方法，其特征在于，
在所述蚀刻氮化钛膜和钨膜的层叠体的步骤中，所述蚀刻液组合物中的无机酸和其余组成成分在蚀刻设备内混合而使用。
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Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130214199A1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-08-22 | Ubprecision Co., Ltd. | Cmp slurry composition for tungsten |
| KR20130136640A (ko) * | 2012-06-05 | 2013-12-13 | 동우 화인켐 주식회사 | 텅스텐막 식각액 조성물 및 이를 이용한 텅스텐막의 식각방법 |
| CN105936822A (zh) * | 2015-03-05 | 2016-09-14 | 东友精细化工有限公司 | 用于氮化钛层的蚀刻剂组合物及使用其形成金属线的方法 |
| KR20180041936A (ko) * | 2016-10-17 | 2018-04-25 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR102266618B1 (ko) * | 2020-08-04 | 2021-06-18 | 영창케미칼 주식회사 | 텅스텐막에 대한 질화티타늄막의 식각 선택비를 조절하기 위한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법 |
-
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2021
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- 2021-07-13 TW TW110125682A patent/TWI789824B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130214199A1 (en) * | 2011-08-16 | 2013-08-22 | Ubprecision Co., Ltd. | Cmp slurry composition for tungsten |
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