CN113186540B - 一种化学机械抛光后清洗液 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种化学机械抛光后清洗液。本发明提供了一种化学机械抛光后清洗液。本发明的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.01％‑25％强碱、0.01％‑30％醇胺、0.001％‑1％抗氧化物、0.01％‑0.1％杂环化合物、0.01％‑10％缓蚀剂、0.01％‑10％螯合剂、0.01％‑5％表面活性剂和14％‑75％水，各组分质量分数之和为100％；其中，所述杂环化合物为嘧菌腙和三环唑，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1。本发明的清洗液清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强、稳定性更好，可同时实现清洗、缓蚀和BTA的去除的效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种化学机械抛光后清洗液。
背景技术
金属材料如铜，铝，钨等是集成电路中常用的导线材料。在制造器件时，化学机械抛光(CMP)成为晶片平坦化的主要技术。金属化学机械抛光液通常含有研磨颗粒、络合剂、金属腐蚀抑制剂、氧化剂等。其中研磨颗粒主要为二氧化硅、三氧化二铝、掺杂铝或覆盖铝的二氧化硅、二氧化铈、二氧化钛、高分子研磨颗粒等。在金属CMP工序以后，晶片表面会受到金属离子以及抛光液中研磨颗粒本身的污染，这种污染会对半导体的电气特性以及器件的可靠性产生影响。这些金属离子和研磨颗粒的残留都会影响晶片表面的平坦度，从而可能降低器件的性能影响后续工序或者器件的运行。所以在金属CMP工艺后，去除残留在晶片表面的金属离子、金属腐蚀抑制剂以及研磨颗粒，改善清洗后的晶片表面的亲水性，降低表面缺陷是非常有必要的。
目前CMP后清洗液在开发过程中，如何兼顾清洗、缓蚀和苯并三氮唑(BTA)的去除，使三者协同发展，是一大技术难点。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，本发明旨在发展一种全新的产品，将CMP各方面性能提升，本发明提供了一种化学机械抛光后清洗液。本发明的清洗液清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强、稳定性更好，可同时实现清洗、缓蚀和BTA的去除。
本发明提供了一种清洗液，其原料包括下列质量分数的组分：0.01％-25％强碱、0.01％-30％醇胺、0.001％-1％抗氧化物、0.01％-0.1％杂环化合物、0.01％-10％缓蚀剂、0.01％-10％螯合剂、0.01％-5％表面活性剂和14％-75％水，各组分质量分数之和为100％；其中，所述杂环化合物为嘧菌腙和三环唑，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1。
所述清洗液的原料中，所述强碱为本领域常规，优选季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种，更优选季铵碱，例如四甲基氢氧化铵。
所述清洗液的原料中，所述季铵碱优选烷基上有羟基取代的季铵碱和/或四烷基季铵碱。
所述清洗液的原料中，所述烷基上有羟基取代的季铵碱优选为胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵和三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵中的一种或多种。
所述清洗液的原料中，所述四烷基季铵碱优选四甲基氢氧化铵和/或四丙基氢氧化铵，更优选四甲基氢氧化铵。
所述清洗液的原料中，所述季鏻碱优选四烷基季鏻碱和/或烷基上有羟基取代的季鏻碱。
所述清洗液的原料中，所述四烷基季鏻碱优选四丁基氢氧化膦。
所述清洗液的原料中，所述胍类化合物优选四甲基胍。
所述清洗液的原料中，所述表面活性剂为本领域常规，优选离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂，更优选非离子型表面活性剂，例如为十二烷基苯磺酸。
所述清洗液的原料中，所述醇胺为本领域常规，优选单乙醇胺。
所述清洗液的原料中，所述抗氧化物为本领域常规，优选抗坏血酸。
所述清洗液的原料中，所述缓蚀剂为本领域常规，优选2-巯基苯并噻唑、3-巯基苯并噻唑和4-巯基苯并噻唑中的一种或多种，更优选2-巯基苯并噻唑。
所述清洗液的原料中，所述螯合剂为本领域常规，优选丙二酸。
所述清洗液的原料中，所述的水为本领域常规，所述水为纯水；较佳地，所述水选自去离子水、蒸馏水和超纯水中的一种或多种。
所述清洗液的原料中，所述强碱的质量分数优选1％-20％，更优选5-15％，例如5％、10％、15％或20％。
所述清洗液的原料中，所述强碱的质量分数优选12％-18％。
所述清洗液的原料中，所述醇胺的质量分数优选1％-10％，更优选5％-8％，例如8％。
所述清洗液的原料中，所述抗氧化物的质量分数优选0.002％-0.1％，更优选0.005％-0.01％，例如0.01％。
所述清洗液的原料中，所述杂环化合物的质量分数优选0.01％-0.05％，更优选0.01％-0.03％，例如0.03％、0.01％、0.05％或0.1％。
所述清洗液的原料中，所述缓蚀剂的质量分数优选0.1％-1％，更优选0.5％-0.8％，例如0.8％。
所述清洗液的原料中，所述螯合剂的质量分数优选0.1％-1％，更优选0.3％-0.9％，例如0.9％。
所述清洗液的原料中，所述表面活性剂的质量分数优选0.1％-1％，更优选0.2％-0.7％，例如0.7％。
较佳地，所述清洗液的原料由下列质量分数的组分组成：0.01％-25％强碱、0.01％-30％醇胺、0.001％-1％抗氧化物、0.01％-0.1％杂环化合物、0.01％-10％缓蚀剂、0.01％-10％螯合剂、0.01％-5％表面活性剂和14％-75％水，各组分质量分数之和为100％，其中，所述杂环化合物为嘧菌腙和/或三环唑，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1。
较佳地，所述清洗液的原料由以下任一配方组成：
方案一：15％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.03％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案二：15％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.01％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案三：15％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.05％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案四：5％的四甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.01％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案五：15％的胆碱、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.1％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案六：10％的四丙基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％抗坏血酸、0.03％嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案七：15％的(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.03％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案八：20％的三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.03％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案九：15％的四丁基氢氧化膦、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.03％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％；
方案十：15％的四甲基胍、8％的单乙醇胺、0.01％的抗坏血酸、0.03％的嘧菌腙和三环唑(9:1,m:m)、0.8％的2-巯基苯并噻唑、0.9％的丙二酸、0.7％的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100％。
较佳地，所述清洗液由以下制备方法制得，所述制备方法包括以下步骤：将所述的原料混合，即可。
所述制备方法中，所述的混合优选为将所述的原料中的固体加入到液体中，搅拌均匀，即可。
所述制备方法中，所述的混合的温度优选为室温。
所述制备方法中，较佳地，所述的制备方法还进一步包含振荡，过滤，所述振荡的目的是为了使各原料组分充分混合，所述振荡速度和时间不限，所述过滤是为了除去不溶物。
较佳地，所述清洗液用于清洗化学机械抛光后半导体器件，更佳地，所述半导体器件优选铜基芯片、钴基芯片和钨基芯片中的一种或多种，例如铜基芯片。
在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：本发明的清洗液清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强、稳定性更好，可同时实现清洗、缓蚀和BTA的去除的效果。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
一、制备实施例1-10及制备对比例1-7：清洗液的制备
将表1各组分原料按表2中的质量分数混合，用水补足余量，混合的温度为室温。混合后，还进一步包含振荡和过滤操作。以下表1中，各实施例中的组分种类还包括水，其中嘧菌腙的结构式为：
三环唑的结构式为
表1：各实施例中的组分种类
其中，m:m表示嘧菌腙和三环唑的质量比。
表2：实施例清洗液中各原料组分含量
表中的“余量”为各实施例中，100％减去除水之外其它组分的质量百分比。
二、效果实施例
铜晶片的准备：1、前处理：对8寸电镀Cu后晶圆(镀铜厚度约1um)，采用10％H2SO4在25℃处理2min；2、纯水清洗后氮气吹干；
抛光：抛光机台为8”Mirra，抛光盘及抛光头转速93/87rpm，抛光液流速150ml/min，铜抛光所用抛光垫为IC1010，阻挡层抛光所用抛光垫为Fujibo H7000。铜抛光液为AEPU3000,阻挡层抛光液为TCU2000H4。将准备好的铜晶片进行抛光处理。
测试步骤：
实施例1-10清洗液及对比例1-7清洗液的性能检测见表5-表8。具体测试方法分别如下：
1.ER的检测
测试方法：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用四点探针仪测量铜晶片的厚度及其电阻率的函数关系，生成回归曲线，并确定铜厚度与电阻率的函数关系，用于计算铜腐蚀速率；
3、采用50ml清洗液在25℃下进行浸泡1min进行腐蚀；
4、四点探针仪测电阻，然后计算腐蚀前后金属厚度变化，并计算出腐蚀速率。
2.表面腐蚀检测
测试方法：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用清洗液在25℃下浸泡1min进行腐蚀；
3、对腐蚀后铜晶片进行原子力显微镜(AFM)测试，测试其RMS值。
3.清洗能力检测
测试方法：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、在清洗液中在25℃下浸泡清洗2min；
3、SEM下观察
4.BTA去除能力
检测方法1：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；用1+1硝酸溶液浸泡铜片25℃处理2min后采用表面轮廓仪测试铜厚度；
3、纯水清洗后氮气吹干；
4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；
5、BTA的去除：分别用不同的清洗液浸泡长BTA膜的铜片(25℃浸泡1min)，采用轮廓仪测量厚度来表征BTA的去除效果。
检测方法2：
1、将抛光后的铜晶片切割成3cm*3cm的方片；
2、采用3％柠檬酸在25℃处理2min；后测试去离子水的接触角；
3、纯水清洗后氮气吹干；
4、Cu-BTA成膜：将上述处理后的铜片在3％双氧水+0.5％BTA+20ppm硫酸溶液中25℃浸泡10min；测试去离子水的接触角；
5、BTA的去除：用清洗液浸泡长BTA膜后的铜片(25℃浸泡2min)，测试去离子水的接触角；
BTA膜具有一定的疏水性，通过第5步减去第2步测得的接触角的差值来表征BTA是否完全去除。如果差值越大且为正值，说明BTA残留越多。
5.溶液稳定性检测
将0.4升清洗液注入0.5L塑料容器中，剩余0.1升填充氮气，观察4天、7天及1个月的放置中，以下各方面的变化：
1、溶液颜色的变化；
2、气泡的发生；
3、pH的变化；
4、铜腐蚀速率的变化(检测方法同前述)；
5、AFM检测表面粗糙度RMS的变化(检测方法同前述)。
表3：新鲜配置的溶液的效果
表4：放置了4天后的溶液的效果
表5：放置了7天后的溶液的效果
| 编号 | 溶液颜色、气泡 | pH变化值 | Cu腐蚀速率(A/min) | RMS(nm) |
| 实施例1 | 无色，无气泡 | -0.1 | 2.5 | 2.5 |
| 实施例2 | 无色，无气泡 | 0.1 | 2.3 | 2.8 |
| 实施例3 | 无色，无气泡 | -0.1 | 2.5 | 2.4 |
| 实施例4 | 无色，无气泡 | 0.9 | 2.9 | 2.7 |
| 实施例5 | 无色，无气泡 | -0.1 | 2.8 | 2.9 |
| 实施例6 | 无色，无气泡 | 0.2 | 2.6 | 2.8 |
| 实施例7 | 无色，无气泡 | 0.3 | 3.2 | 2.8 |
| 实施例8 | 无色，无气泡 | 0.1 | 3.2 | 3.3 |
| 实施例9 | 无色，无气泡 | 1 | 3 | 3.3 |
| 实施例10 | 无色，无气泡 | 0.5 | 3.6 | 3.4 |
| 对比例1 | 淡粉色，无气泡 | 0.1 | 5.5 | 3.9 |
| 对比例2 | 粉色，有气泡 | 0.3 | 5.7 | 3.5 |
| 对比例3 | 粉色，有气泡 | -0.1 | 1.2 | 0.5 |
| 对比例4 | 淡粉色，无气泡 | 1 | 6.5 | 4.7 |
| 对比例5 | 淡粉色，无气泡 | 0.4 | 8.6 | 4 |
| 对比例6 | 粉色，有气泡 | 0.5 | 2.5 | 0.9 |
| 对比例7 | 粉色，有气泡 | 0.3 | 9 | 4.8 |
表6：放置了30天后的溶液的效果
| 编号 | 溶液颜色、气泡 | pH变化值 | Cu腐蚀速率(A/min) | RMS(nm) |
| 实施例1 | 无色，无气泡 | 0.1 | 1.5 | 2.6 |
| 实施例2 | 无色，无气泡 | 0.2 | 3 | 2.4 |
| 实施例3 | 无色，无气泡 | -0.1 | 2.8 | 2.8 |
| 实施例4 | 无色，无气泡 | 1 | 1.6 | 3 |
| 实施例5 | 无色，无气泡 | -0.1 | 3.6 | 2.7 |
| 实施例6 | 无色，无气泡 | 0 | 2.9 | 3.1 |
| 实施例7 | 无色，无气泡 | 0.1 | 2.1 | 3.6 |
| 实施例8 | 无色，无气泡 | 0.8 | 4.1 | 3.1 |
| 实施例9 | 无色，无气泡 | 0 | 3.4 | 3.9 |
| 实施例10 | 无色，无气泡 | 0.1 | 2.4 | 4.5 |
| 对比例1 | 粉色，有气泡 | 0.2 | 5.6 | 5 |
| 对比例2 | 粉色，有气泡 | 0.8 | 4.6 | 4.5 |
| 对比例3 | 粉色，有气泡 | 0.1 | 2.3 | 1 |
| 对比例4 | 粉色，有气泡 | -0.2 | 7.3 | 5.8 |
| 对比例5 | 粉色，有气泡 | 0.4 | 6.3 | 4.6 |
| 对比例6 | 粉色，有气泡 | 0.2 | 4.5 | 1.4 |
| 对比例7 | 粉色，有气泡 | 0.9 | 8.9 | 6.4 |
根据以上实施例，本发明的清洗液通过添加特定的杂环化合物，即嘧菌腙和三环唑，且其质量比为9:1，使清洗能力更强、腐蚀速率更低、BTA去除能力更强、稳定性更好，可同时实现清洗、缓蚀和BTA的去除。
发明人进一步研究了本发明的清洗液在钴基、钨基芯片上CMP后的应用效果，发现效果与铜基芯片相当。本发明的清洗液对钴基材、钨基材芯片上CMP后的清洗同样具有腐蚀性低、清洗效果佳、长效稳定性好、生物兼容性佳的优势。
Claims (9)
1.一种清洗液，其特征在于，其原料包括下列质量分数的组分：0.01%-25%强碱、0.01%-30%醇胺、0.001%-1%抗氧化物、0.01%-0.1%杂环化合物、0.01%-10%缓蚀剂、0.01%-10%螯合剂、0.01%-5%表面活性剂和14%-75%水，各组分质量分数之和为100%；其中，所述杂环化合物为嘧菌腙和三环唑，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1。
2.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；
和/或，所述表面活性剂为离子型表面活性剂或非离子型表面活性剂；
和/或，所述醇胺为单乙醇胺；
和/或，所述抗氧化物为抗坏血酸；
和/或，所述缓蚀剂为2-巯基苯并噻唑；
和/或，所述螯合剂为丙二酸；
和/或，所述水为纯水；
和/或，所述强碱的质量分数为1%-20%；
和/或，所述醇胺的质量分数为1%-10%；
和/或，所述抗氧化物的质量分数为0.002%-0.1%；
和/或，所述杂环化合物的质量分数为0.01%-0.05%；
和/或，所述缓蚀剂的质量分数为0.1%-1%；
和/或，所述螯合剂的质量分数为0.1%-1%；
和/或，所述表面活性剂的质量分数为0.1%-1%；
和/或，所述清洗液用于清洗化学机械抛光后半导体器件。
3.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述季铵碱为烷基上有羟基取代的季铵碱和/或四烷基季铵碱；
和/或，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述季鏻碱为四烷基季鏻碱和/或烷基上有羟基取代的季鏻碱；
和/或，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述胍类化合物为四甲基胍；
和/或，所述表面活性剂为非离子型表面活性剂；
和/或，所述水为去离子水、蒸馏水和超纯水中的一种或多种；
和/或，所述强碱的质量分数为5%-15%；
和/或，所述醇胺的质量分数为5%-8%；
和/或，所述抗氧化物的质量分数为0.005%-0.01%；
和/或，所述杂环化合物的质量分数为0.01%-0.03%；
和/或，所述缓蚀剂的质量分数为0.5%-0.8%；
和/或，所述螯合剂的质量分数为0.3%-0.9%；
和/或，所述表面活性剂的质量分数为0.2%-0.7%；
和/或，所述清洗液用于清洗化学机械抛光后半导体器件，所述半导体器件为铜基芯片、钴基芯片和钨基芯片中的一种或多种。
4.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述季铵碱为烷基上有羟基取代的季铵碱和/或四烷基季铵碱；所述烷基上有羟基取代的季铵碱为胆碱、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵和三（2-羟乙基）甲基氢氧化铵中的一种或多种；
和/或，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述季铵碱为烷基上有羟基取代的季铵碱和/或四烷基季铵碱；所述四烷基季铵碱为四甲基氢氧化铵和/或四丙基氢氧化铵；
和/或，所述强碱为季铵碱、季鏻碱和胍类化合物中的一种或多种；所述季鏻碱为四烷基季鏻碱和/或烷基上有羟基取代的季鏻碱；所述四烷基季鏻碱为四丁基氢氧化膦；
和/或，所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸；
和/或，所述强碱的质量分数为5%、10%、15%或20%；
和/或，所述醇胺的质量分数为8%；
和/或，所述抗氧化物的质量分数为0.01%；
和/或，所述杂环化合物的质量分数为0.03%、0.01%或0.05%；
和/或，所述缓蚀剂的质量分数为0.8%；
和/或，所述螯合剂的质量分数为0.9%；
和/或，所述表面活性剂的质量分数为0.7%；
和/或，所述清洗液用于清洗化学机械抛光后半导体器件，所述半导体器件为铜基芯片。
5.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述强碱为季铵碱；
和/或，所述强碱的质量分数为12%-18%。
6.如权利要求2所述的清洗液，其特征在于，所述强碱为四甲基氢氧化铵。
7.如权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液的原料由以下任一配方组成：
方案一：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案二：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.01%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案三：15%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.05%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案四：5%的四甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.01%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案五：15%的胆碱、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.1%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案六：10%的四丙基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案七：15%的(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案八：20%的三（2-羟乙基）甲基氢氧化铵、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案九：15%的四丁基氢氧化膦、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1；
方案十：15%的四甲基胍、8%的单乙醇胺、0.01%的抗坏血酸、0.03%的嘧菌腙和三环唑、0.8%的2-巯基苯并噻唑、0.9%的丙二酸、0.7%的十二烷基苯磺酸、余量的水补充100%，所述嘧菌腙和三环唑的质量比为9:1。
8.如权利要求1-7中任一项所述的清洗液，其特征在于，所述清洗液由以下制备方法制得，所述制备方法包括以下步骤：将所述的原料混合，即可。
9.如权利要求8所述的清洗液，其特征在于，所述的混合为将所述的原料中的固体加入到液体中，搅拌均匀；
和/或，所述的混合的温度为室温；
和/或，所述的制备方法还进一步包含振荡，过滤。
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