KR102236907B1 - 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막 - Google Patents

은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 은 및 비스무트를 포함하고, 상기 은과 상기 비스무트의 질량 비율(은 : 비스무트)이 95 : 5 ~ 40 : 60이고, 레이저 회절식 입도 측정법에 의한 체적 기준의 입경 분포에 있어서 누적 50% 입경(D50)이 0.1 μm ~ 10 μm이며, 산소 함유량이 5.5 질량% 이하인 은-비스무트 분말을 제공한다.

Description

은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막{SILVER-BISMUTH POWDER, CONDUCTIVE PASTE AND CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막에 관한 것이다.
종래부터 배선 재료 및 전극 재료로서 구리의 사용이 검토되고 있고, 비교적 저온(200℃ 이하)에서 경화 또는 건조되는 인쇄 배선판 용도 등의 도전성 페이스트에 사용되고 있다. 그러나 비교적 고온(500℃ 이상)에서 연소되는 용도로는 구리의 산화에 의해 도전성의 저하가 발생하므로 산화 분위기(atmosphere)에서는 사용할 수 없으며, 질소 분위기, 환원 분위기 등의 특정 분위기에서만 적용할 수 있다. 따라서 비교적 고온 산화 분위기에서의 연소 용도로는 은이 사용되는 경우가 많지만 은은 구리에 비해 비용이 높기 때문에 비용 상승을 초래한다는 문제가 있다. 또한, 구리와 은 사이의 특성과 비용을 고려하여 은 도금 구리 분말을 사용하는 것도 검토되고 있으며, 구리보다 내산화성은 개선되지만, 여전히 비교적 고온 산화 분위기에서의 연소 용도로는 사용할 수 없다는 문제가 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 예를 들어, 은 및 적어도 2종의 비은(non-silver) 함유 원소를 함유하는 다원소 합금 분말이 제안되고 있다(특허문헌 1 참조). 그러나 이 제안은 세라믹 압전 장치용 합금 분말 용도로 사용하는 것을 의미한다. 따라서, 팔라듐(palladium)과 백금(platinum) 등의 귀금속을 함유하고, 고융점(high melting point)을 갖는다. 또한, 상기 분말은 에어로졸 분해법에 의해 생산되므로 생산성이 좋지 않아 저비용으로 생산하는 것이 어렵다.
또한, 비스무트를 기초로 하는 합금으로 이루어진 무연 경납이 제안되고 있다(특허문헌 2 참조). 그러나, 이 제안은 비교적 고온에서 연소되는 용도로 사용하는 것을 의도한 것은 아니며, 비스무스 함유량이 80 질량% 이상으로 많기 때문에 비교적 고온 산화 분위기에서 연소되는 용도로는 도전성이 저하된다는 문제가 있다.　
또한, Ag 및 / 또는 Cu를 총 20 질량% 이상 80 질량% 이하 포함하고, 나머지 Bi 및 불가피한 불순물로 이루어지고, 입경이 0.03 mm 이상 0.5 mm 이하의 구형으로 응고되어 이루어지는 배선 기판용 금속구이며, 상기 금속구 진원도가 입경의 5% 이하인 배선 기판용 금속구가 제안되었다(특허문헌 3 참조). 그러나, 이 제안은 금속구 입경이 크기 때문에, 도전성 페이스트의 충전제로는 사용할 수 없다는 문제가 있다.
따라서, 땜납 습윤성이 양호하고, 체적 저항률이 낮고, 비교적 고온(500℃ 이상)의 산화 분위기에서 연소되는 용도로도 뛰어난 도전성을 갖는 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막의 제공이 요구된다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개2011-514432호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2004-528992호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개2010-123681호
본 발명은 종래의 상기 문제들을 해결하고 아래의 목적을 달성하는 것을 과제로 한다. 즉, 본 발명은 땜납 습윤성이 양호하고, 체적 저항률이 낮으며, 비교적 고온(500℃ 이상)의 산화 분위기에서 연소되는 용도에서도 뛰어난 도전성을 갖는 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기위한 수단으로서 본 발명의 은-비스무트 분말은 은과 비스무트를 포함하고, 상기 은과 상기 비스무트와의 질량 비율(실버 : 비스무트)이 95 : 5 ~ 40 : 60이고,
레이저 회절식 입도 분포 측정법에 의한 체적기준의 입경 분포의 누적 50% 입경(D50)이 0.1 μm ~ 10 μm이며,
산소 함유량이 5.5 질량% 이하이다.
본 발명에 따르면, 종래의 상기 문제들을 해결하고 상기 목적을 달성할 수 있는 땜납 습윤성이 양호하고, 체적 저항률이 낮으며, 비교적 고온(500℃ 이상)의 산화 분위기에서 연소되는 용도에서도 뛰어난 도전성을 갖는 은-비스무트 분말, 도전성 페이스트 및 도전막을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 있어서 분말 중 은의 질량 비율과 체적 저항률의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 2는 실시예에 있어서 분말 중 은의 질량 비율 및 땜납 습윤성과의 관계를 나타내는 그래프이다.
(은-비스무트 분말)
본 발명의 은-비스무트 분말은 은과 비스무트를 포함한다.
상기 은과 상기 비스무트의 질량 비율(실버 : 비스무트)은 95 : 5 ~ 40 : 60이며, 95 : 5 ~ 70 : 30이 바람직하고, 낮은 체적 저항률, 땜납 습윤성 및 저비용화의 측면에서 90 : 10 ~ 80 : 20이 보다 바람직하다. 상기 수치 범위에서 땜납 습윤성이 양호하고, 체적 저항률이 낮아진다.
상기 은-비스무트 분말은 귀금속인 은의 일부를 비금속인 비스무트로 대체하여 저비용화가 가능하며, 상기 질량 비율(은 : 비스무트) 범위로 함으로써 은-비스무트 분말은 산화 분위기에서의 연소에서도 도전성을 가진다. 이것은 (1) 은과 비스무트는 용융하면 2개 층으로 분리되고, 은 연소막의 계면에 비스무트가 편재하기 어려운 것, (2) 도전성이 떨어지는 금속 간 화합물을 생성하기 어려운 것, (3) 용융된 비스무트 중에서 은이 액상 소결을 일으키기 때문에 소결이 촉진되는 것 등으로부터 은-비스무트 분말을 이용한 경우에는 비교적 고온(500℃ 이상)의 산화 분위기에서 연소되는 용도로도 도전성이 발현하는 것으로 추측된다.
상기 은-비스무트 분말은 레이저 회절식 입도 분포 측정법에 의한 체적기준의 입경 분포의 누적 50% 입경(D50)은 0.1 μm ~ 10 μm이며, 0.5 μm ~ 4 μm가 바람직하다. 이 수치 범위 내에서 비용적인 측면에서 유리한 도전성 페이스트용 필러로서 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 누적 50% 입경(D50)이 0.1 μm 미만이면, 은-비스무트 분말을 이용하여 제작한 도전막의 체적 저항률이 높아질 수 있으며, 10 μm를 초과하면 스크린 인쇄에 막힘이 생겨 미세화가 곤란해질 수 있다.
상기 은-비스무트 분말 누적 50% 입경(D50)은 예를 들면, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(SYMPATEC GmbH, 헤로스 입도 분포 측정 장치)를 이용하여 체적기준의 입경 분포로 산출되는 값을 이용하여 측정하였다.
상기 은-비스무트 분말의 산소 함유량은 5.5 질량% 이하이며, 2 질량% 이하가 바람직하다. 상기 산소 함유량이 5.5 질량%를 초과하면 은-비스무트 분말을 이용하여 제작한 도전막의 체적 저항률이 높아질 수 있다.
상기 산소 함유량은 예를 들어, 산소·질소 분석 장치(LECO Corporation, TC-436) 등을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 은-비스무트 분말의 BET 비표면적은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 0.1 m2/g ~ 5 m2/g이 바람직하다.
상기 BET 비 표면적은 예를 들어, BET 비 표면적 측정 장치(Yuasa Ionics Co., Ltd., 4 Sorb US) 등을 이용하여 측정할 수 있다.
상기 은-비스무트 분말의 탭 밀도는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 1.0 g/cm3 ~ 10.0 g/cm3이 바람직하다.
상기 탭 밀도는 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개 2007-263860호에 기재된 방법 등을 이용하여 측정할 수 있다.
<은-비스무트 분말의 제조방법>
상기 은-비스무트 분말의 제조방법으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 습식 환원법, 기체상 환원법, 원자화(atomization) 법 등을 들 수 있다. 이 중에서도 저렴한 비용으로 대량 생산할 수 있다는 점에서 원자화법이 바람직하며, 생산성, 합금화, 미립자화가 용이하다는 점에서 물 원자화법이 보다 바람직하다.
상기 원자화법은 은-비스무트의 용융 금속에 고압의 가스 또는 물을 분쇄 매체로 분사하여 은-비스무트의 용융 금속을 분쇄하고 냉각하여 응고시킴으로써 은-비스무트 분말을 제조하는 방법이다.
상기 분쇄 매체로 물을 이용하는 물 원자화법은 가스와 같은 유속으로 전단하여도 물의 질량이 가스보다도 무거운 것보다, 전단 에너지가 크고, 입경이 작은 것을 제조할 수 있다.
물 원자화에 의해 얻어진 분말을 여과하고 수세한 후 건조, 파쇄, 분급, 체질(seiving)하여 은-비스무트 분말을 제조할 수 있다.
상기 건조는 질소 분위기 하에서 실시하는 것이 바람직하고, 60℃ ~ 150℃에서 5시간 ~ 50시간 건조시킨 후 산소 농도를 2 단계로 올려 천천히 산화하는 것이 바람직하다. 산화에 의한 발열이 크기 때문에 천천히 산화시킴으로써 안정화를 도모할 수 있다. 상기 천천히 산화시키는 방법은 예를 들어, 산소 농도 2%에서 30분간 처리한 후 산소 농도 15%에서 12.5 시간 처리하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 분급은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 풍력 분급이 바람직하다.
(도전성 페이스트)
본 발명의 도전성 페이스트는 은-비스무트 분말과 유리 원료, 레진 및 용매를 함유하고, 필요에 따라 추가적으로 기타 성분을 함유할 수 있다.
<은-비스무트 분말>
상기 은-비스무트 분말로는 본 발명의 상기 은-비스무트 분말이 사용된다.
상기 은-비스무트 분말의 함유량은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 도전성 페이스트 전체 양에 대해 40 질량% ~ 90 질량%가 바람직하다.
<유리 원료>
상기 유리 원료는 연소 시에 상기 은-비스무트 분말을 기판에 접착시키기 위한 성분이다.
상기 유리 원료로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 붕규산 비스무트계, 붕규산 알칼리 금속계, 붕규산 알칼리 토금속계, 붕규산 아연계, 붕규산 납계, 붕산 납계, 규산 납계 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 또한, 환경에 미치는 영향을 고려하여 납을 포함시키지 않는 것이 바람직하다.
상기 유리 원료의 연화점은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 400℃ ~ 600℃가 바람직하다. 상기 연화점이 400℃ 미만에서는 도전성 페이스트 가운데 레진 성분이 증발하기 전에 유리 소결(sintering)이 시작되기 때문에 탈 바인더 처리가 잘 진행되지 않으며 그 결과, 연소 후에 잔류 탄소가 되고 도전막이 벗겨지는 원인이 되는 경우가 있고, 600℃를 초과하면 600℃ 정도 이하의 온도에서 연소할 때 충분한 접착 강도를 갖는 치밀한 도전막을 얻지 못할 수 있다.
상기 연화점은 예를 들어, 열 중량 측정 장치를 이용하여 측정한 DTA 곡선의 제 2 흡열부 아래쪽의 온도로부터 구할 수 있다.
상기 유리 원료의 함유량은 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 상기 은-비스무트 분말에 대해 0.1 질량% ~ 10 질량%가 바람직하다.
<레진>
상기 레진으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들면, 아크릴 레진, 에틸 셀룰로오스, 에틸 히드록시에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
상기 용매로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 톨루엔, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 테트라데칸, 테트랄 린, 프로필 알코올, 이소프로필 알코올, 테르피네올, 에틸 카르비톨, 부틸 카르비톨, 에틸 카르비톨 아세테이트, 부틸 카르비톨 아세테이트 및 2,2,4-트리메틸-1,3-펜타네디올 모노이소부틸레이트 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
상기 기타 성분으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 분산제, 점도 조절제 등을 들 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 제조방법으로는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 상기 은-비스무트 분말, 상기 유리 원료, 상기 레진, 상기 용매 및 필요에 따라 기타 성분, 예를 들면, 초음파 분산제, 분산제, 트리플 롤 밀, 볼밀, 비드 밀, 쌍축 니더(biaxial kneader), 자기 공전식 교반기 등을 이용하여 혼합함으로써 제조할 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 점도는 25℃에서 10Pa·s ～ 1,000Pa·s 가 바람직하다.
상기 도전성 페이스트의 점도가 10Pa·s 미만이면 점도가 낮은 영역에서는 ‘번짐’이 발생할 수 있으며, 1,000Pa·s를 초과하면 점도가 높은 영역에서는 ‘긁힘’과 같은 인쇄 문제가 발생할 수 있다.
상기 도전성 페이스트의 점도는 은-비스무트 분말의 함유량, 점도 조절제의 첨가와 용매의 종류에 따라 조정할 수 있다.
본 발명의 도전성 페이스트는 연소형 도전성 페이스트로 이용되며, 아래에서 설명하는 본 발명의 도전막의 형성에 적합하게 사용된다.
(도전막)
본 발명의 도전막은 본 발명의 상기 도전성 페이스트를 연소하여 얻을 수 있다. 상기 도전막은 본 발명의 상기 도전성 페이스트를 기판 위에 도포하여 건조시킨 후 건조한 도막을 연소하여 얻을 수 있다.
상기 도포는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으며, 예를 들어, 스크린 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 와이어 바 코팅법, 닥터 블레이드 코팅법, 롤 코팅법 등을 들 수 있다. 이 중에서도 스크린 인쇄법이 바람직하다.
상기 도막의 연소 온도는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 상기 도전성 페이스트에 포함되는 유리 원료의 연화점 이상인 것이 바람직하며, 구체적으로는 500℃ ~ 700℃가 보다 바람직하다. 상기 연소 온도가 유리 원료의 연화점 미만이면 유리 원료의 유동성이 불충분하게 되어 충분한 강도를 갖는 도전막을 얻을 수 없는 경우가 있다.
상기 도막의 연소 시간은 상기 연소 온도에 따라 다르므로 일률적으로 규정할 수 없으나, 1분 ~ 120분이 바람직하다.
상기 도막의 연소는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적절하게 선택할 수 있으나, 대기 중에서 실시하는 것이 바람직하다.
본 발명의 도전성 페이스트를 연소하여 얻어지는 본 발명의 도전막은 예를 들어, 태양 전지, 칩 부품, 하이브리드 IC, 김서림방지장치, 서미스터, 배리스터, 프린터 헤드, 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 전계 방출 표시 장치(FED), 각종 전자 부품의 전극 및 회로, 전자파 차폐 재료 등에 적합하게 사용된다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
<물 원자화법에 의한 분말의 제조>
표 1에 나타낸 배합 비율의 은과 비스무트를 가열 용융한 용융 금속을 턴 디쉬 하부로부터 낙하시키고, 고압수를 분사시켜 급냉 응고시켰다. 얻어진 분말을 여과하고 수세 한 후 건조(120℃에서 7시간) 및 파쇄, 풍력 분급 처리하여 No. 1 ~ 12의 분말을 제조하였다.
또한, 예를 들어, No. 2 분말은 은 3.8 kg과 비스무트 0.2 kg과 배합하였다.
다음으로 제조한 각 분말에 대해 다음과 같이하여 여러 특성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<입도 분포>
제조한 각 분말의 입도 분포는 레이저 회절식 입도 분포 측정장치(SYMPATEC GmbH, 헤로스 입도 분포 측정장치)를 이용하고, 측정 조건은 초점 거리 = 20 mm, 분산 압력이 5.0 bar에서 누적 10% 입자 직경(D10), 누적 25% 입경(D25), 누적 50% 입경(D50), 누적 75% 입경(D75), 누적 90% 입경(D90) 및 누적 99% 입경(D99)을 측정했다.
<BET 비표면적>
제조한 각 분말의 BET 비표면적은 BET 비표면적 측정장치(Yuasa Ionics Co., Ltd., 4 Sorb US)를 이용하여 BET 법을 통해 구했다.
<탭 밀도>
제조한 각 분말의 탭 밀도(TAP)는 일본 공개특허공보 특개2007-263860호에 기재된 방법을 통해 구했다.
<산소 함유량>
제조한 각 분말의 산소 함유량은 산소·질소 분석장치(LECO Corporation, TC-436)를 통해 측정하였다.
<조성 분석>
제조한 각 분말 가운데 은 및 비스무트 함유량은 다음 방법을 통해 측정하였다. 분말(약 2.5g)을 염화 비닐링(내경 3.2 mm × 두께 4 mm) 내에 깔고 난 다음, 정제형 성형 압축기(Maekawa Testing Machine MFG. Co., Ltd., 모델: BRE-50)를 이용하여 100 kN의 하중을 걸어 각 분말의 펠렛을 제조하였다.
제조한 각 펠렛을 샘플 홀더(개구 직경 3.0 cm)에 넣고, 형광 X선 분석장치(Rigaku Corporation, RIX2000) 내 측정 위치에 설정하고, 측정 분위기를 감압(8.0 Pa)으로 하여 X선 출력을 50 kV, 50 mA로 한 조건에서 측정하였다. 측정 결과를 장치의 부속 소프트웨어로 자동 계산하여 각 분말 중 은 및 비스무트의 함유량을 구했다.
[표 1-1]
Figure 112020100899430-pct00006
[표 1-2]
Figure 112015114697121-pct00002
(실시예 2)
<도전성 페이스트 제작>
아크릴 레진 4 g(Mitsubishi Rayon Co., Ltd., BR-105)을 부틸 카르비톨 아세테이트(Wako Pure Chemical Industries, LTD. 시약) 12 g에 용해시킨 비히클, 상기 제조한 각 분말 82 g, 유리 원료(ASAHI GLASS CO., LTD., ASF-1100, 연화점 440℃) 2 g을 반죽 탈포기에서 혼합하고, 세 개의 롤에서 5회 통과시켜 균일하게 분산시켰다. 이상에 의해, No. 1 ~ 12의 도전성 페이스트를 제작 하였다.
<도전막의 제작>
얻어진 각 도전성 페이스트를 스크린 인쇄에서 알루미나 기판 상에 선폭 500 μm, 선 길이 37.5 mm 패턴으로 도포하고, 건조기(Yamato Scientific Co., Ltd., DK-43)를 이용하여 대기 하, 150℃에서 10분간 건조시켰다. 그 다음, 소성로(Koyo Thermo Systems Co., Ltd., 소형 컨베이어로 810A)를 이용하여 대기 하, 600℃에서 3.3 분간 연소하여 No. 1 ~ 12의 도전막을 제조하였다.
그 다음, 제조한 각 도전막에 대해 다음과 같이 체적 저항률 및 땜납 습윤성을 평가했다. 결과를 표 2, 도 1 및 도 2에 나타냈다.
<< 체적 저항률 >>
얻어진 각 도전막의 라인 저항을 쌍단자형 저항측정기(Hioki E. E. Corporation, 3540 Milliohm HiTester)로 측정하여 두께를 표면 거칠기 형상 측정기(TOKYO SEIMITSU Co., Ltd., SURFCOM 1500DX)로 측정하고 다음 식에 따라 체적 저항률을 산출하였다.
체적 저항률 (μΩ · cm)
= 라인 저항 (μΩ) × 두께 (cm) × 선폭 (cm) ÷ 선 길이 (cm)
<< 땜납 습윤성 >>
패드부(각 도전성막의 직사각형 패턴부(2 mm × 2 mm))에 플럭스(Senju Metal Industry Co., Ltd., ESR-250T4)를 담근 후 260℃로 설정한 땜납 탱크에 2 초간 땜납 담금하였다. 땜납 담금 후 직사각형 패턴부의 땜납 습윤 면적을 육안으로 확인하고 땜납이 솟아오른 부분의 면적을 패드부의 면적으로 나눈 다음, 100을 곱해 땜납 습윤성(%)을 구했다. 또한 땜납 습윤성은 70% 이상이 바람직하다.
[표 2]
Figure 112015114697121-pct00003
표 2, 도 1 및 도 2의 결과로부터 분말 중 은의 질량 비율이 70% 이상이면, 체적 저항률이 낮고, 땜납 습윤성이 양호한 것으로 나타났다.
본 발명의 양태로는, 예를 들면 다음과 같다.
<1> 은 및 비스무트를 포함하고, 상기 은과 상기 비스무트와의 질량 비율(은 : 비스무트)은 95 : 5 ~ 40 : 60이고,
레이저 회절식 입도 측정법에 의한 체적 기준의 입경 분포에 있어서 누적 50% 입경(D50)이 0.1 μm ~ 10 μm이며,
산소 함유량이 5.5 질량% 이하인 것을 특징으로 하는 은-비스무트 분말이다.
<2> 레이저 회절식 입도 측정법에 의한 체적 기준의 입경 분포에 있어서 누적 50% 입경(D50)이 0.5 μm ~ 4 μm인 상기 <1>에 기재된 은-비스무트 분말이다.
<3> 은과 비스무트와의 질량 비율(은 : 비스무트)이 95 : 5 ~ 70 : 30 인 상기 <1>에서 <2> 중 어느 하나의 은- 비스무트 분말이다.
<4> 물 원자화법에 의해 제조되는 상기 <1> 내지 <3> 중 어느 하나의 은-비스무트 분말이다.
<5> 상기 <1> 내지 <4> 중 어느 하나의 은-비스무트 분말, 레진, 유리 원료와 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이다.
<6> 유리 원료의 연화점이 400℃ ~ 600℃인 상기 <5>에 기재된 도전성 페이스트이다.
<7> 상기 <5> 내지 <6> 중 어느 하나의 도전성 페이스트를 연소하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 도전성 막이다.
<8> 유리 원료의 연화점 이상의 온도에서 연소하는 상기 <7>에 기재된 도전막이다.

Claims (8)

  1. 금속으로서 은 및 비스무트만을 포함하고, 상기 은과 상기 비스무트의 질량 비율(은 : 비스무트)이 95 : 5 ~ 40 : 60이고,
    레이저 회절식 입도 측정법에 의한 체적 기준의 입경 분포에 있어서 누적 50% 입경(D50)이 0.5 μm ~ 4 μm이며,
    또한 산소를 포함하고, 산소 함유량이 5.5 질량% 이하인 것을 특징으로 하는 은-비스무트 분말.
  2. 금속으로서 은 및 비스무트만을 포함하고, 상기 은과 상기 비스무트의 질량 비율(은 : 비스무트)이 95 : 5 ~ 70 : 30이고,
    레이저 회절식 입도 측정법에 의한 체적 기준의 입경 분포에 있어서 누적 50% 입경(D50)이 0.1 μm ~ 10 μm이며,
    또한 산소를 포함하고, 산소 함유량이 5.5 질량% 이하인 것을 특징으로 하는 은-비스무트 분말.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 및 제 2 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 은-비스무트 분말은 물 원자화법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 은-비스무트 분말.
  5. 제 1 항 및 제 2 항 중 어느 한 항의 은-비스무트 분말과 레진, 유리 원료 및 용매를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 유리 원료는 연화점이 400℃ ~ 600℃ 인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
  7. 제 5 항의 도전성 페이스트를 연소하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 도전막.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 도전막은 유리 원료의 연화점 이상의 온도에서 연소하는 것을 특징으로 하는 도전막.
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