TWI635051B - 銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜 - Google Patents

銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜 Download PDF

Info

Publication number
TWI635051B
TWI635051B TW103114579A TW103114579A TWI635051B TW I635051 B TWI635051 B TW I635051B TW 103114579 A TW103114579 A TW 103114579A TW 103114579 A TW103114579 A TW 103114579A TW I635051 B TWI635051 B TW I635051B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
silver
powder
conductive paste
particle size
mass
Prior art date
Application number
TW103114579A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201442961A (zh
Inventor
尾木孝造
井上健一
江原厚志
淺野彰宏
藤本英幸
山田雄大
Original Assignee
同和電子科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 同和電子科技有限公司 filed Critical 同和電子科技有限公司
Publication of TW201442961A publication Critical patent/TW201442961A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI635051B publication Critical patent/TWI635051B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C12/00—Alloys based on antimony or bismuth
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/052—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles characterised by a mixture of particles of different sizes or by the particle size distribution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/06—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
    • B22F9/08—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/06—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material
    • B22F9/08—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying
    • B22F9/082—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying atomising using a fluid
    • B22F2009/0824—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying atomising using a fluid with a specific atomising fluid
    • B22F2009/0828—Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from liquid material by casting, e.g. through sieves or in water, by atomising or spraying atomising using a fluid with a specific atomising fluid with water
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明提供一種銀-鉍粉末，其包含銀與鉍，該銀與該鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至40：60；以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.1μm至10μm；且氧含量為5.5質量%以下。

Description

銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜
本發明係關於銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜。
先前技術有研討銅之使用作為配線材料及電極材料，在較低溫度(200℃以下)下被使用於經硬化或乾燥的印刷配線板用途等的導電性糊。但是，在較高溫度(500℃以上)下所燒成的用途，因起因於銅的氧化而產生導電性的降低，故在氧化環境無法使用，只能適用在氮環境、還原環境等特殊環境下。因此，在較高溫度的氧化環境之燒成用途多使用銀，不過銀與銅相較之下，因成本高，故有導致成本上揚的問題。又，檢討針對銅與銀間之特性與成本，來使用鍍銀銅粉，且比銅更能改善抗氧化性，不過仍然有著被認為在較高溫度的氧化環境之燒成用途，無法使用的課題。
為了解決該課題，例如有提案一種多元素合金粉末，其含有銀及至少二種含有非銀之元素(參照專利文獻1)。但是，該提案，因是陶瓷壓電裝置用的合金粉末用途，故含有鈀或鉑等貴金屬，屬高熔點，而且因製法為氣溶膠分解法，故生產性不良，低成本化有困難。
又，有提案一種無鉛焊料，其包含以鉍為基礎的合金(參照專利文獻2)。但是，該提案，並非意圖在較高溫度下被燒成的用途作使用，而且因鉍含量多至80質量%以上，故在較高溫度的氧化環境之燒成用途，會有導電性降低的問題。
又，有提案一種配線基板用金屬球，其銀及/或銅合計含有20質量%以上80質量%以下，且包含殘餘部分鉍及不可避免的雜質，被凝固成粒徑為0.03mm以上0.5mm以下球狀而成者，其特徵為該金屬球之正圓度為粒徑之5%以下(參照專利文獻3)。但是，在該提案，因金屬球之粒徑大，故以導電性糊充填劑而言，被認為有無法使用的問題。
因此，提供一種銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜，其焊料濕潤性良好，體積電阻率低，即使在較高溫度(500℃以上)的氧化環境所燒成的用途，也具有優異導電性為理想。
【先前技術文獻】
【專利文獻】
[專利文獻1]日本特表第2011-514432號公報
[專利文獻2]日本特表第2004-528992號公報
[專利文獻3]日本特開第2010-123681號公報
本發明之課題係解決先前技術中之多個問題，並達成下述目的。亦即，本發明之目的係提供一種銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜，其焊料濕潤性為良好，體積電阻率低，即使在較高溫度(500℃以上)之經氧化環境所燒成的用途，也具有優異導電性。
作為用以解決前述課題之手段的本發明之銀-鉍粉末，包含銀與鉍，該銀與該鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至40：60；以雷射繞射式粒度分佈 測定法所測定的體積基準的粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.1μm至10μm；且氧含量為5.5質量%以下。
根據本發明，可解決先前技術中的多個問題，可達成前述目的，其係提供一種銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜，其焊料濕潤性良好，體積電阻率低，即使在較高溫度(500℃以上)之氧化環境所燒成的用途，亦具有優異導電性。
第1圖係表示實施例粉末中銀質量比率與體積電阻率之關係圖。
第2圖係表示實施例粉末中銀質量比率與焊料濕潤性之關係圖。
(銀-鉍粉末)
本發明之銀-鉍粉末含有銀與鉍。
該銀與該鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至40：60，較佳為95：5至70：30，由低體積電阻率、焊料濕潤性及低成本化之特點觀之，更佳為90：10至80：20。在該數值範圍中，因焊料濕潤性良好，且體積電阻率變低。
該銀-鉍粉末係藉由將屬貴金屬的銀一部分替換成卑金屬的鉍，而謀求低成本化，且藉由設定該質量比率(銀：鉍)範圍，而使銀-鉍粉末即使在氧化環境之燒成，亦具有導電性。此係由於：(1)若銀與鉍熔融時，則分離成二層，且在銀燒成膜之界面難以使鉍不均勻分散；(2)難以產生導電性不良的金屬間化合物；(3)因在已熔融的鉍中銀引起液相燒結，而促進燒結等，故吾人推測在使用銀-鉍粉末之情形，即使在較高溫度(500℃以上)之氧化環境所燒成的用 途，也可顯現導電性。
該銀-鉍粉末，以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中之累積50%粒徑(D50)為0.1μm至10μm，較佳為0.5μm至4μm。在該數值範圍，可適當使用作為成本上有利的導電性糊用充填劑。
該累積50%粒徑(D50)小於0.1μm時，會有使用銀-鉍粉末而製作的導電膜之體積電阻率變高了的情況，超過10μm時，在網版印刷產生堵塞，使微細化造成困難。
該銀-鉍粉末之累積50%粒徑(D50)，例如使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(SYMPATEC公司製，HELOS粒度分佈測定裝置)，再使用由體積基準之粒徑分佈所計算之值來測定。
該銀-鉍粉末之氧含量為5.5質量%以下，較佳為2質量%以下。該氧含量，若超過5.5質量%，則會有使用銀-鉍粉末製作的導電膜之體積電阻率變高的情況。
該氧含量例如可使用氧、氮分析裝置(LECO公司製，TC-436型)等來測定。
該銀-鉍粉末之BET比表面積，並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過較佳為0.1m2/g至5m2/g。
該BET比表面積，例如可使用BET比表面積測定裝置(Yuasa Ionics股份有限公司製，4 Sobu US)等來測定。
該銀-鉍粉末之粉體密度，並無特別限制，可依目的適宜選擇，較佳為1.0g/cm3至10.0g/cm3。
該粉體密度，可以例如日本特開第2007-263860號公報所記載之方法等來測定。
<銀-鉍粉末之製造方法>
以該銀-鉍粉末之製造方法而言，並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列 舉例如濕式還原法、氣相還原法、霧化法等。該等中，由低成本且可大量生產之特點觀之，較佳為霧化法，由生產性、合金化、微粒化為容易之特點觀之，更佳為水霧化法。
該霧化法，係指在銀-鉍之金屬熔液上噴射高壓氣體或水作為粉碎介質，而將銀-鉍之金屬熔液粉碎、冷卻、予以凝固，來製造銀-鉍粉末之方法。
使用水於該粉碎介質的水霧化法，即使以與氣體相同流速加以剪斷，由於水的質量較氣體更重，故剪斷能量大，可製造粒徑小之物。
可藉由過濾由水霧化法所得之粉末，加以水洗後，乾燥、裂解、分級、篩出，而製造銀-鉍粉末。
該乾燥較佳為在氮環境下進行，在60℃至150℃乾燥5小時至50小時後，將氧濃度分二階段調高，進行逐漸氧化為佳。由於氧化所產生之發熱大，故因逐漸氧化而可謀求穩定化。該逐漸氧化，可列舉例如以氧濃度2%經30分鐘處理後，在氧濃度15%進行12.5小時處理之方法等。
前述分級，並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過較佳為風力分級。
(導電性糊)
本發明之導電性糊，含有銀-鉍粉末、玻璃熔塊、樹脂與溶劑，進一步可依照需要含有其他成分。
<銀-鉍粉末>
以該銀-鉍粉末而言，可使用本發明之銀-鉍粉末。
該銀-鉍粉末之含量，並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過相對於導電性糊總量，較佳為40質量%至90質量%。
<玻璃熔塊>
該玻璃熔塊，係在燒成時，用以將該銀-鉍粉末黏結於基板的成分。
以該玻璃熔塊而言，並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列舉例如硼矽 酸鉍系、硼矽酸鹼金屬系、硼矽酸鹼土類金屬系、硼矽酸鋅系、硼矽酸鉛系、硼酸鉛系、矽酸鉛系等。該等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。此外，因環境產生的影響，故較佳為不含鉛。
該玻璃熔塊之軟化溫度，並無特別限制，可依目的適宜選擇，較佳為400℃至600℃。該軟化溫度在小於400℃，在導電糊中之樹脂成分蒸發之前，因開始玻璃之燒結，故無法使脫黏著劑處理良好地進行，其結果，在燒成後成為殘留碳，會有造成導電膜剝離原因之情形，若超過600℃時，在600℃左右以下溫度燒成時，會有無法獲得具有充分黏結強度的精細導電膜之情況。
該軟化溫度，例如可使用熱重量測定裝置，從已測定的DTA曲線之第二吸熱部的邊緣之溫度求得。
該玻璃熔塊之含量，並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過相對於該銀-鉍粉末，較佳為0.1質量%至10質量%。
<樹脂>
以該樹脂而言，並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列舉例如丙烯酸樹脂、乙基纖維素、乙基羥乙基纖維素、硝基纖維素等。該等可使用單獨一種，亦可併用二種以上。
以該溶劑而言、並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列舉例如甲苯、甲乙酮、甲基異丁酮、十四烷、四氫化萘、丙醇、異丙醇、孟烯醇、乙卡必醇、丁卡必醇、乙卡必醇乙酸酯、丁卡必醇乙酸酯、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇單異丁酸酯等。該等可單獨使用一種，亦可併用二種以上。
以該其他成分而言，並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列舉例如分散劑、黏度調整劑等。
以該導電性糊之製造方法而言，並無特別限制，可依目的適宜選擇，例如，藉由將該銀-鉍粉末、該玻璃熔塊、該樹脂、該溶劑及可依照需要之 其他成分，例如使用超音波分散、分散裝置、三輥磨、球磨機、珠磨機、二軸捏合機、自轉-公轉型攪拌機等，加以混合來製作。
該導電性糊之黏度較佳為在25℃、10Pa‧s至1,000Pa‧s。
該導電性糊之黏度，小於10Pa‧s時，則會有於低黏度區域發生「滲出」之情況，超過1,000Pa‧s時，則在高黏度區域會發生「模糊」等的印刷不便利之情形。
該導電性糊之黏度，可以銀-鉍粉末之含量、黏度調整劑之添加或溶劑之種類來調整。
本發明之導電性糊被使用作為燒成型導電性糊，在下述說明之本發明導電膜之形成可適當使用。
(導電膜)
本發明之導電膜係將本發明之導電性糊燒成所得。
該導電膜，係將本發明之該導電性糊塗佈於基板上，予以乾燥後，將已乾燥的塗膜燒成所得。
該塗佈，並無特別限制，可依目的適宜選擇，可列舉例如網版印刷法、凹版印刷法、金屬線棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥塗佈法等。該等中，較佳為網版印刷法。
該塗膜之燒成溫度，並無特別限制，可依目的適宜選擇，不過較佳為該導電性糊所含玻璃熔塊之軟化溫度以上，具體言之更佳為500℃至700℃。該燒成溫度若小於玻璃熔塊之軟化溫度時，則玻璃熔塊之流動不充分，無法獲得具有充分強度的導電膜。
該塗膜之燒成時間，因該燒成溫度而不同，無法籠統地規定，較佳為1分鐘至120分鐘。
該塗膜之燒成，並無特別限制，可依目的適宜選擇，較佳為在大氣中進行。
將本發明之導電性糊燒成所得本發明之導電膜，可適當使用於例如太陽電池、晶片零件、混合IC、除霧器、熱敏電阻、可變電阻器、熱頭、液晶顯示器(LCD,liquid crystal display)、電漿顯示器(PDP,plasma display panel)、電場釋放顯示裝置(FED,field emission display)各種的電子零件之電極或電路、電磁波屏蔽材料等。
[實施例]
茲說明本發明實施例如下，但本發明並無對該等實施例作任何限定。
(實施例1)
<水霧化法所得到的粉末製作>
將表1所示調配比例之銀與鉍經加熱熔融的金屬熔液，自漏斗下部使之落下，噴上高壓水，予以驟冷凝固。過濾所得之粉末，經水洗後，藉由乾燥(在120℃、7小時)，裂解、風力分級處理，來製作No.1至No.12的粉末。
此外，例如No.2之粉末係調配3.8kg銀及0.2kg鉍。
其後，就製作的各粉末，如下述方式，評價多個特性。結果如表1所示。
<粒度分佈>
已製作的各粉末之粒度分佈係使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(SYMPATEC公司製，HELOS粒度分佈測定裝置)，測定條件係在焦距=20mm、分散壓5.0bar，測定累積10%粒徑(D10)、累積25%粒徑(D25)、累積50%粒徑(D50)、累積75%粒徑(D75)、累積90%粒徑(D90)、及累積99%粒徑(D99)。
<BET比表面積>
已製作的各粉末之BET比表面積，係使用BET比表面積測定裝置(Yuasa Ionics股份有限公司製，4 Sobu US)，以BET法求得。
<粉體密度>
已製作的各粉末之粉體密度(TAP)，係以日本特開2007-263860號公報所記載之方法求得。
<氧含量>
已製作的各粉末氧含量係以氧、氮分析裝置(LECO公司製，TC-436型)來測定。
<組成分析>
已製作的各粉末中銀及鉍的含量，係將粉末(約2.5g)鋪滿於氯化乙烯製環(內徑3.2mm×厚度4mm)內後，以錠劑型成型壓縮機(前川試驗製作所股份有限公司製，型號BRE-50)，施加100kN之負荷，製作各粉末之顆粒。
將已製作的各顆粒裝入試樣保持架(開口徑3.0cm)，再設置於螢光X線段析裝置(Rigaku股份有限公司製，RIX2000)內之測定位置，將測定環境設在減壓下(8.0Pa)，將X線輸出在設為50kV、50mA之條件下測定。由測定結果，藉由在附屬於裝置的軟體進行自動計算，來求得各粉末中之銀及鉍之含量。
(實施例2)
<導電性糊製作>
藉由以捏合脫泡機，將4g丙烯酸樹脂(三菱Rayon股份有限公司製，BR-105)溶解於12g丁卡必醇乙酸酯(和光純藥工業股份有限公司製，試藥)的溶劑、前述82g已製作的各粉末及2g玻璃熔塊(旭玻璃股份有限公司製，ASF-1100，軟化溫度440℃)混合，以三輥通過5次，而加以均勻地分散。藉由上述，來製作No.1至No.12之導電性糊。
<導電膜之製作>
將所得各導電性糊用網版印刷，在鋁氧基板上以線寬500μm、線長37.5mm之圖案來塗佈，使用乾燥機(Yamato科學股份有限公司製，DK-43)，在大氣下，於150℃、10分鐘之條件下乾燥。其後，使用燒成爐(光洋Thermo系統股份有限公司製，小型輸送帶爐810A)，在大氣下，於600℃、3.3分鐘之條件下燒成，製作了No.1至No.12導電膜。
其後，就已製作的各導電膜，如下述方式，評價體積電阻率及焊料濕潤性。結果如表2、第1圖及第2圖所示。
<<體積電阻率>>
所得各導電膜之線電阻以二端子型電阻率計(日置電機股份有限公司製，3540mΩ HiTESTER)測定，用表面粗度形狀測定機(東京精密股份有限公司製，surfcom 1500DX)測定膜厚，以下述式計算體積電阻率。
體積電阻率(μΩ‧cm)=線電阻(μΩ)×膜厚(cm)×線寬(cm)÷線長(cm)
<<焊料濕潤性>>
在焊墊部(各導電膜之矩形圖案部(2mm×2mm))浸漬焊料(千住金屬工業股份有限公司製，ESR-250T4)後，在設定於260℃的焊料槽經焊料浸浴2秒。藉由以目視確認焊料浸浴後之矩形圖案部的焊料濕潤面積，並將焊料隆起部分之面積除以焊墊部之面積，再乘以100倍，而求得焊料濕潤性(%)。此外，焊料濕潤性較佳為70%以上。
由表2、第1圖及第2圖之結果可知，粉末中銀之質量比率為70%以上時，體積電阻率低，焊料濕潤性良好。
以本發明之態樣而言，例如係如下述。
<1>一種銀-鉍粉末，含有銀與鉍，該銀及該鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至40：60；以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.1μm至10μm；且 氧含量為5.5質量%以下者。
<2>如該<1>所述之銀-鉍粉末，其中以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.5μm至4μm。
<3>如該<1>至<2>中任一者所述之銀-鉍粉末，其中銀與鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至70：30。
<4>如該<1>至<3>所述中任一者之銀-鉍粉末，其係以水霧化法來製造。
<5>一種導電性糊，含有該<1>至<4>所述中任一者之銀-鉍粉末、樹脂、玻璃熔塊及溶劑。
<6>如該<5>所述之導電性糊，其中玻璃熔塊之軟化溫度為400℃至600℃。
<7>一種導電膜，其係將該<5>至<6>中任一者所述之導電性糊加以燒成所得。
<8>如該<7>所述之導電膜，其係以玻璃熔塊軟化溫度以上的溫度燒成。

Claims (7)

  1. 一種銀-鉍粉末，含有銀與鉍，該銀與該鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至40：60；以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.5μm至4μm；且氧含量為5.5質量%以下。
  2. 一種銀-鉍粉末，含有銀與鉍，該銀與鉍之質量比率(銀：鉍)為95：5至70：30；以雷射繞射式粒度分佈測定法所測定的體積基準之粒徑分佈中累積50%粒徑(D50)為0.1μm至10μm；且氧含量為5.5質量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之銀-鉍粉末，其係以水霧化法來製造。
  4. 一種導電性糊，包含：如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之銀-鉍粉末；樹脂；玻璃熔塊；及溶劑。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之導電性糊，其中玻璃熔塊之軟化溫度為400℃至600℃。
  6. 一種導電膜，係將如申請專利範圍第4或5項所述的導電性糊加以燒成而得。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之導電膜，其係以玻璃熔塊之軟化溫度以上的溫度燒成。
TW103114579A 2013-04-25 2014-04-22 銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜 TWI635051B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013092094A JP6184731B2 (ja) 2013-04-25 2013-04-25 銀−ビスマス粉末、導電性ペースト及び導電膜
JP2013-092094 2013-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201442961A TW201442961A (zh) 2014-11-16
TWI635051B true TWI635051B (zh) 2018-09-11

Family

ID=51791566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103114579A TWI635051B (zh) 2013-04-25 2014-04-22 銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10458004B2 (zh)
JP (1) JP6184731B2 (zh)
KR (1) KR102236907B1 (zh)
CN (1) CN105142824B (zh)
SG (1) SG11201508728YA (zh)
TW (1) TWI635051B (zh)
WO (1) WO2014174984A1 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM512217U (zh) 2013-06-20 2015-11-11 Plant PV 太陽能電池
US20150060742A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-05 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste used for a solar cell electrode
JP6355949B2 (ja) * 2014-03-31 2018-07-11 株式会社タムラ製作所 金属接合材料
CN104525940A (zh) * 2014-12-31 2015-04-22 中国地质大学（武汉） 一种铋微米颗粒及其制备方法
JP6368288B2 (ja) * 2015-08-07 2018-08-01 福田金属箔粉工業株式会社 フレーク状銀粒子の集合体及び該銀粒子の集合体を含有するペースト
WO2017035103A1 (en) 2015-08-25 2017-03-02 Plant Pv, Inc Core-shell, oxidation-resistant particles for low temperature conductive applications
WO2017035102A1 (en) 2015-08-26 2017-03-02 Plant Pv, Inc Silver-bismuth non-contact metallization pastes for silicon solar cells
US9741878B2 (en) 2015-11-24 2017-08-22 PLANT PV, Inc. Solar cells and modules with fired multilayer stacks
SG11201804392WA (en) * 2015-11-24 2018-06-28 Plant Pv Inc Fired multilayer stacks for use in integrated circuits and solar cells
JP6811080B2 (ja) * 2016-02-03 2021-01-13 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀被覆銅粉およびその製造方法
JP6899275B2 (ja) * 2016-08-10 2021-07-07 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀合金粉末およびその製造方法
JP6796448B2 (ja) * 2016-10-20 2020-12-09 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 導電性ペーストおよびその製造方法、ならびに太陽電池セル
WO2018209147A1 (en) * 2017-05-10 2018-11-15 PLANT PV, Inc. Multi-layer metal film stacks for shingled silicon solar cell arrays
JP7090511B2 (ja) * 2017-09-29 2022-06-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 銀粉およびその製造方法
KR102284981B1 (ko) * 2018-10-17 2021-08-03 창저우 퓨전 뉴 머티리얼 씨오. 엘티디. 나노텍스쳐링 기판 함유 태양 전지의 전극 형성용 조성물, 이로부터 제조된 전극 및 이로부터 제조된 전극을 포함하는 태양 전지
CN110385442A (zh) * 2019-09-05 2019-10-29 宁波广新纳米材料有限公司 一种太阳能电池银浆用超细银铋合金粉的生产方法
CN110899714A (zh) * 2019-11-14 2020-03-24 江苏博迁新材料股份有限公司 一种电子浆料用超细银锡二元合金粉的生产方法
CN114171237A (zh) * 2021-12-23 2022-03-11 上海宝银电子材料有限公司 一种真空玻璃用导电浆料及其制备方法
CN115367796B (zh) * 2022-08-19 2023-11-17 陕西国际商贸学院 一种银铋氧系纳米粉末的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012125791A (ja) * 2010-12-15 2012-07-05 Asahi Kasei E-Materials Corp 金属フィラー及びこれを含む鉛フリーはんだ
TW201301528A (zh) * 2011-05-26 2013-01-01 Murata Manufacturing Co 導電性糊及太陽能電池

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2082237C1 (ru) * 1990-03-19 1997-06-20 Асахи Касеи Когио Кабусики Кайся Композиция
US5302557A (en) * 1991-12-03 1994-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Automotive glass thick film conductor paste
JPH08127829A (ja) * 1994-10-28 1996-05-21 Matsushita Electric Works Ltd 電気接点材料及びその製造方法
CA2426861C (en) * 2000-10-25 2008-10-28 Yorishige Matsuba Conductive metal paste
EP1266975A1 (de) 2001-06-12 2002-12-18 ESEC Trading SA Bleifreies Lötmittel
CN1240862C (zh) * 2003-12-05 2006-02-08 昆明贵金属研究所 铜基合金导电粉末材料
US7494607B2 (en) 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
JP2008227204A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Sumitomo Electric Ind Ltd ビア充填用導電性ペースト
US7833439B2 (en) 2007-07-24 2010-11-16 Ferro Corporation Ultra low-emissivity (ultra low E) silver coating
JP2011514432A (ja) 2007-09-07 2011-05-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 銀および少なくとも２種の非銀含有元素を含有する多元素合金粉末
JP2010123681A (ja) * 2008-11-18 2010-06-03 Hitachi Metals Ltd 配線基板用金属球
JP5242521B2 (ja) * 2009-08-17 2013-07-24 株式会社タムラ製作所 はんだ接合剤組成物
WO2011078918A2 (en) 2009-11-05 2011-06-30 Ormet Circuits, Inc. Preparation of metallurgic network compositions and methods of use thereof
JP5754090B2 (ja) * 2010-06-29 2015-07-22 旭硝子株式会社 ガラスフリット、およびこれを用いた導電性ペースト、電子デバイス
US9221979B2 (en) * 2011-05-18 2015-12-29 Toda Kogyo Corporation Copper particles, copper paste, process for producing conductive coating film, and conductive coating film
JP6047276B2 (ja) * 2011-06-30 2017-07-05 三井金属鉱業株式会社 焼結型導電性ペースト用銀粉
US8993159B2 (en) 2012-12-13 2015-03-31 24M Technologies, Inc. Semi-solid electrodes having high rate capability

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012125791A (ja) * 2010-12-15 2012-07-05 Asahi Kasei E-Materials Corp 金属フィラー及びこれを含む鉛フリーはんだ
TW201301528A (zh) * 2011-05-26 2013-01-01 Murata Manufacturing Co 導電性糊及太陽能電池

Also Published As

Publication number Publication date
US20160040271A1 (en) 2016-02-11
JP2014214340A (ja) 2014-11-17
CN105142824B (zh) 2018-05-25
CN105142824A (zh) 2015-12-09
TW201442961A (zh) 2014-11-16
KR20160003766A (ko) 2016-01-11
WO2014174984A1 (ja) 2014-10-30
SG11201508728YA (en) 2015-12-30
JP6184731B2 (ja) 2017-08-23
KR102236907B1 (ko) 2021-04-06
US10458004B2 (en) 2019-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI635051B (zh) 銀-鉍粉末、導電性糊及導電膜
TWI269312B (en) Conductive paste for terminal electrode of multilayer ceramic electronic part
WO2017033911A1 (ja) 低温焼結性に優れる金属ペースト及び該金属ペーストの製造方法
TWI778997B (zh) 銅粉、該銅粉的製造方法、使用該銅粉之導電性糊、及使用該導電性糊之導電性膜的製造方法
KR102430857B1 (ko) 은 분말 및 그의 제조 방법
CN108430671B (zh) 银合金粉末及其制造方法
WO2016002362A1 (ja) 導電性ペースト、及びガラス物品
EP2726639A1 (en) Thick film paste and use thereof
EP2727121A1 (en) Thick film paste and use thereof
WO2016029400A1 (en) Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom
JP5756694B2 (ja) 扁平金属粒子
JP6564024B2 (ja) 銅電極を有する太陽電池を製造する方法
US9951231B2 (en) Copper-containing conductive pastes and electrodes made therefrom
JP2018123427A (ja) 銀合金粉末およびその製造方法
WO2017115462A1 (ja) 銀合金粉末およびその製造方法
JP2018043895A (ja) 二酸化ルテニウム粉末とその製造方法、厚膜抵抗体ペースト、及び、厚膜抵抗体
JP5953003B2 (ja) セラミック多層回路基板用導電ペースト
JP7335768B2 (ja) 銀被覆金属粉末およびその製造方法並びに導電性塗料
JP2015043429A (ja) セラミック多層回路基板用導電ペースト
JP2024124771A (ja) ニッケル粉末の製造方法およびその利用
JP2017082259A (ja) 溶剤付金属粉末の製造方法