RU2082237C1 - Композиция - Google Patents

Композиция Download PDF

Info

Publication number
RU2082237C1
RU2082237C1 SU915010377A SU5010377A RU2082237C1 RU 2082237 C1 RU2082237 C1 RU 2082237C1 SU 915010377 A SU915010377 A SU 915010377A SU 5010377 A SU5010377 A SU 5010377A RU 2082237 C1 RU2082237 C1 RU 2082237C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
copper alloy
silver
particles
alloy powder
silver concentration
Prior art date
Application number
SU915010377A
Other languages
English (en)
Inventor
Екояма Акинори
Катсумата Тсутому
Накадзима Хитоси
Original Assignee
Асахи Касеи Когио Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Асахи Касеи Когио Кабусики Кайся filed Critical Асахи Касеи Когио Кабусики Кайся
Application granted granted Critical
Publication of RU2082237C1 publication Critical patent/RU2082237C1/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/17Metallic particles coated with metal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/05Mixtures of metal powder with non-metallic powder
    • C22C1/059Making alloys comprising less than 5% by weight of dispersed reinforcing phases
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C32/00Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ
    • C22C32/0089Non-ferrous alloys containing at least 5% by weight but less than 50% by weight of oxides, carbides, borides, nitrides, silicides or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides, whether added as such or formed in situ with other, not previously mentioned inorganic compounds as the main non-metallic constituent, e.g. sulfides, glass
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026Alloys based on copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/14Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
    • H01B1/16Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H01C17/281Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thick film techniques
    • H01C17/283Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • H01G4/0085Fried electrodes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014All metal or with adjacent metals having metal particles
    • Y10T428/12021All metal or with adjacent metals having metal particles having composition or density gradient or differential porosity
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12458All metal or with adjacent metals having composition, density, or hardness gradient

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электропроводящим композициям, которые имеют превосходную электропроводность, устойчивость к окислению, устойчивость к электромиграции, смачиваемость припоем, устойчивость к выщелачиванию припоя и стабильность. Эти композиции можно применять для экранирования электромагнитных волн, в качестве электродов для керамических конденсаторов, микроконденсаторов, в пьезоэлектрических элементах, переменных сопротивлениях, термисторах, солнечных элементах, электропроводящих пастах для чипрезисторов, в схемах резисторов или переменных сопротивлениях, в пастах для проводящих контуров. Сущность изобретения: композиция содержит порошок сплава меди, представленный общей формулой AgxCuyMz (где M представляет один или более металлов, выбранных из Pb, Bi и Zn; x, y и z являются соответствующими значениями атомных отношений и выбраны из условия: 0,001≅x≅0,4, 0,6≅y≅0,999, 0,000003 ≅z≅0,05 и x + y + z = 1), органический наполнитель и стеклянную смесь. Причем концентрация серебра на поверхности частиц выше, чем средняя концентрация серебра, и существует область, в которой концентрация серебра увеличивается в направлении к поверхности частиц. 5 з.п. ф-лы.

Description

Настоящее изобретение относится к менее дорогим электропроводящим композициям, обладающим превосходной электропроводностью, устойчивостью к окислению, устойчивостью к электромиграции и стабильностью. Эти композиции можно применять для экранирования электромагнитных волн, в качестве электродов для керамических конденсаторов, в микроконденсаторах, пьезоэлектрических элементах, различных сопротивлениях, термисторах или солнечных элементах, электропроводящих пастах для чипрезисторов, цепочек сопротивлений или переменных сопротивлений и в пастах для электропроводящих цепей.
В качестве электропроводящих паст для толстых пленок хорошо известны металлический порошок и стеклянная смесь, диспергированные в органическом связующем веществе и растворителе, если необходимо. Металлический порошок и стеклянную смесь наносят на субстрат такой, как керамический субстрат или подобный, имеющий превосходную теплостойкость, отверждение проводят при температуре около 600 900oC, получая толстую пленку электропроводника. Подходящие металлические порошки для такого применения включают золотой порошок, серебряный порошок, медный порошок, порошок платины, порошок серебра-палладия, и подобные.
Металлические порошки, используемые раньше в толстослойных пастах, например, порошок золота, порошок платины, порошок серебра, порошок серебра-палладия, содержащий серебро составной порошок, имеют следующие недостатки. Благородные металлы так же, как золото, платина, серебро, серебро-палладий и подобные, очень дорогие, серебро способствует электромиграции, серебро-палладий имеет низкую электропроводность. Электропроводящие пасты, содержащие порошок меди, имеют другие проблемы, их электропроводность уменьшается вследствие окисления во время хранения, пасты имеют склонность окисляться при отверждении. Атмосферу, в которой отверждают пасты, трудно контролировать, и поэтому выход паст плохой. Кроме того, электропроводящие толстослойные пасты, имеющие порошок сплава серебро-медь, состоящие главным образом из серебра, диспергированные в органическом носителе вместе со стеклянной смесью, раскрыты в японском патенте Kokai (Laid Open) SHO 62 (1987) 140304. Описание раскрывает, что порошок сплава серебро-медь, содержащий 72 весовых процента серебра, можно отверждать при 600oC, но этот сплав дорогой, так как содержит большое количество серебра и имеет тенденцию к электромиграции серебра.
Раскрыто, что медный порошок с нанесенным серебром уменьшает требуемое количество дорогого металла (например, японский патент Kokai SHO 52 (1977) - 71531). Этот порошок имеет такую проблему: при добавлении медного порошка в пасту серебро расслаивается, происходит электромиграция, и трудно воспроизвести электропроводность.
Настоящее изобретение относится к затвердевающим при высокой температуре композициям со сплавом меди, которые имеют превосходную электропроводность, устойчивость к окислению, устойчивость к электромиграции, способность припоя, имеют меньшую выщелачиваемость припоя, содержащим электропроводящий компонент на основе порошка сплава меди, органический наполнитель и стеклянную смесь, причем в качестве электропроводящего компонента они содержат порошок сплава меди общей формулы AgxCuyMz, где x, y, z значения атомных соотношений, выбранные из условий:
0,001≅x≅0,4
0,6≅y≅0,999
0,000003≅z≅0,05
x + y + z 1,
и M один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов (вес.):
стеклянная смесь 0,1 50
органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них, и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности частиц.
Порошок сплава меди, используемый в настоящем изобретении, получают атомизацией, включая водную атомизацию и газовую атомизацию. В частности, предпочтителен порошок сплава меди, полученный газовой атомизацией. Например, предпочтительной является газовая атомизация, раскрытая в EP-A-0356867. Более подробно, этот способ таков: смесь металлов таких, как серебро, медь, свинец, если требуется, и подобные, имеющие специфический состав, плавят при нагревании методом высокочастотной индукции, нагревании сопротивления внешней горелкой или подобным образом в атмосфере инертного газа или в вакууме. В этом случае для этих целей используют тигель, сделанный предпочтительно из материала, который не реагирует с расплавом вообще или реагирует с ним очень медленно. Материал в основном составлен, например, из графита, нитрида бора, карбида кремния, кварца, окиси магния и нитрида кремния. Затем расплав выпрыскивают струей из тигля в атмосферу инертного газа. Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву подают поток инертного газа с большой скоростью так, что расплав атомизируется и получается в виде мелких частиц. Инертным газом является газ, который не реагирует с композицией вообще или не реагирует существенно и включает, например, азот, гелий, аргон, водород и их смесь. Инертный газ может содержать небольшое количество примесного газа, например, кислорода до тех пор, пока он не влияет на характеристики медного сплава, применяемого в настоящем изобретении. Количество кислорода в атомизирующем газе предпочтительно 2% или менее, более предпочтительно 0,5% или менее. Давление газа (до использования) предпочтительно 5 кг/см2 G или больше, более предпочтительно 15 кг/см2 G и больше и наиболее предпочтительно 30 кг/см2 G и более. Скорость высокоскоростного газового потока предпочтительна 50 м/с и больше, более предпочтительна 100 м/с и наиболее предпочтительна 300 м/с или более на выходе из газовой форсунки. Отношение массовых скоростей газа и расплава предпочтительно 0,1 или больше и более предпочтительно 1 или более.
Порошок расплава меди, используемый в настоящем изобретении представляют общей формулой AgxCuyMz (где M представляет один или более металлов, которые выбирают из Bi, Pb и Zn, x, y и z выражают соотношение атомов соответственно, и 0,001≅x≅0,4, 0,6≅y≅0,999, 0≅z≅0,05 и x + y + z 1). Когда x менее 0,001 нельзя достичь существенной устойчивости по отношению к окислению. Когда x является количеством серебра, превышающим 0,4, ухудшается устойчивость по отношению к электромиграции. Таким образом, предпочтительно 0,01≅x≅0,25 и более предпочтительно 0,01≅x≅0,2. Кроме того, M является одним или более металлами, которые выбирают из Bi, Pb и Zn, способность припоя и свойства внутреннего связывания улучшают, используя эти металлы. Когда z превышает 0,05, ухудшается электропроводность, таким образом, z предпочтителен 0,000003≅z≅0,05, более предпочтителен 0,000006≅z≅0,01 и наиболее предпочтителен 0,00001≅z≅0,005.
Частицы слава меди, используемые в настоящем изобретении, имеют такое строение, что концентрация серебра около поверхности каждой частицы постепенно увеличивается в направлении к поверхности. Хотя концентрация серебра на поверхности не менее чем в 2,1 раза выше средней концентрации серебра, предпочтительно, чтобы она была не более 20-кратной и не менее 3-кратной, а наиболее предпочтительно, чтобы она была не более 15-кратной и не менее 3-кратной. Как раскрыто настоящими заявителями в EP-A-0356867, можно предположить следующий механизм образования порошка сплава меди, используемого в настоящем изобретении, отличительный признак которого заключается в том, что серебро, имея низкую точку плавления, конденсируется на поверхности, но настоящее изобретение, конечно, не ограничено этим механизмом.
Более подробно, мелкие частички металла (образующиеся при столкновении сплава с высокоскоростным потоком газа, результатом адиабатического расширения газа под высоким давлением) быстро охлаждаются и отвердевают во время движения с большой скоростью при взаимодействии с высокоскоростным потоком газа. При этом способе отверждения жидкая фаза, богатая серебряным компонентом с низкой точкой плавления, движется к поверхности и отвердевает позже, давая в результате частицы, в которых серебро конденсировано на поверхности.
Когда используют водную атомизацию, расплав данного состава выпрыскивают струей через край тигля. Одновременно с этим выпрыскивают сжатую воду из форсунки навстречу потоку расплава, сталкивая потоки таким образом, что расплав превращается в мелкие частицы, быстро охлаждается и конденсируется. При этом предпочтительно отношение массовых скоростей воды и расплава, равное 2 или больше и более предпочтительно 10 или более. Кроме того, скорость воды на выходе из форсунки предпочтительна 80 м/с и более предпочтительна 100 м/с и более. Давление, при котором сжатую воду выпрыскивают из форсунки, предпочтительно 50 кг/см2 G и более предпочтительно 100 кг/см2 G.
Концентрацию серебра в порошке сплава меди, используемом в настоящем изобретении, выражают атомным отношением по формуле Ag/(Ag +Cu + M). Концентрацию серебра, концентрацию меди и концентрацию M на поверхности и рядом с ней измеряют следующим методом при помощи XPS (рентгеновского фотоэлектронного спектрохимического анализатора). Прибор XSAM 800, производство KARATOS CO. Образец: чувствительную к давлению липкую ленту с двойным покрытием, обладающую электропроводимостью, прикрепляют к подложке, на нее легко прилепляют порошок, используемый в настоящем изобретении, покрывая ленту полностью с осторожностью, чтобы не деформировать порошок.
Условия травления: ускоряющее напряжение распылителя ионов аргона 2 кэВ, угол падения пучка ионов аргона на поверхность образца 45o, давление в камере -10-7 торр, время травления 5 мин каждое.
Условия измерения концентрации серебра: создают пучок магния K (напряжение 12 кэВ, ток 10 мА) и отводят фотоэлектроны под углом 90o относительно поверхности образца при давлении в камере 10-8 торр. Концентрацию серебра определяют, повторяя измерения и травя последовательно по пять раз, в качестве концентрации серебра на поверхности "x" берут среднее значение из первых двух измерений.
Средние концентрации серебра, меди, свинца, цинка и висмута измеряют при помощи 1CP (индуктивно связанный плазменный эмиссионный спектрохимический анализатор), используя растворы, приготовленные растворением образца в концентрированной азотной кислоте. Среднюю концентрацию меди "y" выражают атомным отношением по формуле Cu/(Ag +Cu +M), а среднюю концентрацию M (один или более элементов, выбранных из свинца, цинка и висмута) выражают атомным отношением по формуле M/(Ag +Cu+M).
Предпочтительная форма частиц сплава меди настоящего изобретения сферическая чешуйчатая или их смесь, более предпочтительны сферические частицы. Для получения порошка, состоящего из чешуйчатых частиц, можно применять метод, по которому порошок сплава меди настоящего изобретения механически выравнивают известными методами. Например, предпочтителен метод с использованием толкующей дробилки, шаровой мельницы, вибромельницы и подобных. При использовании шаровой мельницы предпочтительно для превращения сферических частиц в чешуйчатые частицы совместное использование инертного растворителя, шаров и подобного.
Хотя средний размер частиц, которые можно использовать в настоящем изобретении составляет от 0,1 до 50 μм предпочтительны частицы 0,2 30 μм и наиболее предпочтительны 0,2 15 μм При среднем размере частиц свыше 50 μм ухудшается способность к печати и тиксотропия, а при размерах меньше 0,1 μм ухудшается дисперсность, и, следовательно, частицы в получаемых пастах становятся нерегулярными. Средний размер частиц измеряют при помощи лазерного дифракционного измерителя распределения частиц по размерам SALD 1100 (производство Shimazu Seisakusho Ltd). Это измерение повторяют пять раз, используя суспензии, которые готовят, диспергируя достаточное количество порошка в растворе этиленгликоля, и среднее из пяти значений получают, как среднее при интеграции по объму, берут в качестве среднего размера частиц.
Порошок сплава меди настоящего изобретения представляют общей формулой AgxCuyMz (где 0,001 ≅ x≅0,04, 0,06≅y≅0,999, 0≅z≅0,05, x + y + z 1, M представляет один или более металлов, которые выбирают из Pb, Bi и Zn; x, y, и z значения атомных отношений соответственно): Ag, Al, Si, Mn, Cr, Ir, Nb, Sn, Fe, Ni, Hf, Se, S, Te, In, Pd и Rh можно смешать с порошком сплава меди в качестве агента, регулирующего сопротивление в порошкообразном состоянии или в сплаве. Кроме того, для улучшения эффекта связывания можно добавлять, если необходимо, органические соединения меди (например, карбоксилат меди и дикарбоксилат меди такой, как резинат меди, стеарат меди, олеат меди, ацетат меди, лаурат меди, салицилат меди, цитрат меди, оксалат меди, тартрат меди, каприлат меди, бензоат меди и подобные), органические соединения платины, палладия, органические цирконаты, органические титанаты, органические соединения родия (например, карбоксилатные соли и дикарбоксилатные соли такие, как ацетилацетонат, соль пальмитиновой кислоты, соль абиетиновой кислоты, стеариновой кислоты, олеиновой кислоты, нафтойной кислоты и подобные).
Стеклянную смесь, которую можно использовать в настоящем изобретении, нужно сплавить при определенной заранее температуре с металлическим электропроводником со строго фиксированными частицами в субстрат. Композиции настоящего изобретения могут использовать эту стеклянную смесь. Например, композиции обычно состоят из PbO -B2O3-ZnO, CaO-Al2O3-SiO2, ZnO-B2O3, ZnO-PbO-B2O3-SiO2, PbO-SiO2-B2O3, B2O3-PbO, SiO2-ZnO-MgO, SiO2-ZnO-CaO, SiO2-B2O3-MgO, SiO2-B2O3-BaO, SiO2-B2O3-CaO, SiO2-Al2O3=BaO, SiO2=Al2O3-MgO, SiO2-Al2O3-CaO, SiO2-B2O3-Al2O3, SiO2-B2O3-Na2O, SiO2-B2O3-K2O,
SiO2-B2O3-Li2O, SiO2-Na2O, SiO2-Li2O, SiO2-K2O, SiO2-B2O3-SrO, SiO2-PbO-Na2O, SiO2-PbO-Li2O, SiO2-PbO-K2O, SiO2-B2O3, SiO2-PbO-CaO, SiO2-PbO-ZnO, SiO2-B2O3-Bi2O3.
Предпочтительными являются комбинации, включающие в основном борсиликат цинка, борсиликат свинца и борсиликат висмута. Для улучшения внутреннего связывания дополнительно эти соединения можно объединить с мелким порошком окиси висмута, окиси марганца, окиси титана, окиси циркония, окиси бария, окиси бериллия, окиси меди (1), окиси олова, окиси молибдена, окиси ванадия, окиси неодима, окиси кадмия, окиси железа, окиси лантана, окиси вольфрама, окиси мышьяка, окиси сурьмы, окиси германия, окиси хрома, Pb3O4, окиси иттрия, окиси церия, вольфрама и подобными, когда необходимо. Предпочтительна точка размягчения стеклянной смеси не выше 900oC и не ниже 300oC, более предпочтительна не выше 800oC и не ниже 400oC с точки зрения внутреннего связывания и затвердевания, хотя это зависит от температуры затвердевания. Подходит любая структура стеклянной смеси: кристаллическая, аморфная или комбинация, когда это упомянутая выше смесь.
Предпочтительным средним размером частиц стеклянной смеси является размер приблизительно от 0,01 до 30 μм и более предпочтителен размер от 0,1 до 5 м для удовлетворительного затвердевания. Средний размер частиц, описанный здесь, является средним размером частиц, измеренным упомянутым выше методом лазерной дифракции. Когда размер частиц меньше 0,1 μм, стеклянная смесь имеет тенденцию конденсироваться и, следовательно, ухудшается ее обработка. Когда размер частиц превышает 30 μм, снижается способность печати.
Используемое количество стеклянной смеси от 0,1 до 100 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди. Когда количество стеклянной смеси меньше 0,1 вес. части, не получают удовлетворительного внутреннего связывания, а когда оно превышает 100 вес. частей, ухудшается припойная способность. Таким образом, предпочтительно количество используемой стеклянной смеси от 1 до 50 вес. частей, а более предпочтительно 1 30 вес. частей.
В настоящем изобретении обычно используют диспергирующий агент для хорошего диспергирования порошка сплава меди, стеклянной смеси и необходимых добавок, чтобы обеспечить композицию этих компонентов подходящей вязкостью, а также улучшить характеристики печати, в качестве диспергирующих агентов обычно используют известные органические связующие вещества. Количество используемого органического наполнителя составляет от 1 до 300 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди.
В частности, вещество, которое разлагается или испаряется при меньшей температуре, чем температура затвердевания композиции, является предпочтительным. Органические связующие вещества, описанные здесь, являются органическими связующими веществами и органическими растворителями, органические связующие вещества включают этилцеллюлозу, оксиэтилцеллюлозу, метилцеллюлозу, нитроцеллюлозу и производные этилцеллюлозы, акриловую смолу, бутиральную смолу, алкидную фенильную смолу, эпоксисмолу, экстракционную канифоль и подобные. Однако, предпочтительными органическими связующими являются этилцеллюлоза, акриловая смола или бутиральная смола. Акриловая смола имеет предпочтительную температуру разложения 500oC или менее и включает, например, полиметакриловую кислоту-бутил, полимеракриловую кислоту-изобутил, полиметакрила или низший спирт и подобные. Бутиральная смола предпочтительной является поливинилбутиральной смолой. При использовании в настоящем изобретении упомянутые выше вещества диспергируют в подходящем растворителе или подобном и в этом случае обычно используют известные растворители. Отметим, что необязательно всегда использовать указанные выше соединения, используют только растворитель в качестве диспергирующего агента, если можно получить подходящую вязкость и способность печати.
Хотя подходящий растворитель можно выбрать из известных растворителей, предпочтительно, чтобы выбранный растворитель меньше испарялся при хранении композиции, обеспечивая подходящую вязкость и превосходство в характеристиках печати. Растворители включают, например, эфиры, такие как терпинол, бутилкарбитол, этилкарбитол, метилкарбитол, этилцеллосольв, бутилцеллосольв и подобные; эфиры, такие как бутилцеллосольвацетат, этилкарболацетат, метилкарбитолацетат, этилцеллосольвацетат, бутилцеллосольвацетат, этилацетат, бутилацетат и подобные; кетоны, такие как метилэтилкетон, метилизобутилкетон и подобные; углеводороды, такие как н-метилпирролидон, уайт-спирит, толуол, ксилол и подобные.
Диспергирующий агент можно использовать в количестве, которое не вредит вязкости и электропроводности, например, от 50 до 1 вес. части диспергирующего агента используют на 100 вес. частей порошка сплава меди.
Композицию настоящего изобретения обычно соединяют с добавками, такими как смазочный материал, антиоксидант, агент, регулирующий вязкость, и подобные, когда необходимо. Можно добавлять пластификатор, например агент, содержащий силан, например трихлорпропилтриметоксисилан, винилтрихлорсилан и винилтриэтоксисилан, агент, содержащий алюминий, агент, содержащий титан, соевый лецитин, диэтаноламин, триэтаноламин, трибутилфосфат, микропарафин с количеством атомов углерода от 20 до 50, парафин с количеством атомов углерода от 20 до 35, стеаринов кислот, олеинов кислот, диоксилфталат и подобные. Кроме того, обычно добавляют антиоксиидант, включающий производные фенола, такие как монокарбоновая кислота с количеством атомов углерода более 20, дикарбоновая кислота, пирокатехин, метилоксихинон, оксихинон, фенол и подобные ацетилацетон и подобные. Предпочтительным количеством смазки, антиоксиданта, агента для регулирования вязкости и стабилизатора является 50 вес. частей и менее, более предпочтительно 20 вес. частей и наиболее предпочтительно 10 вес. частей на 100 вес. частей порошка сплава меди. При использовании композиций настоящего изобретения их компоненты тщательно смешивают с указанными выше соединениями, можно их смешивать, используя известный метод. Например, можно использовать автоматическую ступку, смеситель, трехроликовую мельницу, миксер и подобное. Отметим при этом, что способ смешивания не лимитирован. Предпочтительна вязкость композиции, изменяемая, например, вискозимером Brookficld НВТ (5 осей при 15 оборотах в мин), при 25oC равная 500 Па•с или менее, и более предпочтительно 300 Па•с и меньше.
Для печатания композиций настоящего изобретения можно использовать известные методы, такие как нанесение через сито, при помощи скребка, используя метод гравировки, метод сгибания, офсетный метод и подобные. Предпочтительным субстратом, на который печатают композицию, является керамический субстрат, состоящий, главным образом, из окиси алюминия, форстерита, стеарита, алюмисиликата, кордиерита, нитрида алюминия, карбида кремния и подобных. Альтернативными субстратами являются нержавеющий субстрат, эмальный субстрат и стеклянный субстрат.
При отверждении композиции настоящего изобретения предпочтительной температурой отверждения является температура, достаточная для спекания порошка сплава меди и стеклянной смеси, например от 500 до 900oC и более предпочтительно, от 600 до 850oC. Преимущественной атмосферой отверждения является инертная, но желательно, чтобы в ней содержалось небольшое количество кислорода для полного выгорания некоторых диспергирующих агентов. Это дополнительное количество кислорода преимущественно составляет 1% или меньше, более предпочтительно 1000-миллионных долей или меньше и наиболее предпочтительно 100- миллионных долей или меньше.
Композиция настоящего изобретения, содержащая порошок сплава меди, имеет структуру, в которой большое количество серебра кристаллизовано на поверхности, несмотря на то, что композиция содержит только небольшое количество серебра, и следовательно, композиция обладает высокой устойчивостью к окислению. Кроме того, композицию можно отверждать при выжигании в атмосфере с высокой концентрацией кислорода, увеличивают не только выход продуктов, но также осуществляют сочетание с рутениевыми пастами сопротивления. Также полученные отвержденные пленки сами состоят из стабилизированных соединений серебра и меди, образующихся в пленке, при этом достигают превосходного эффекта по предотвращению электромиграции.
Характеристики композиции настоящего изобретения измеряют и оценивают путем проверки электропроводности, свойства припоя, силы связывания, естественной способности выщелачивать припой и электромиграции.
Электропроводность определяет при использовании устройства на четыре пробы из листового сопротивления электропроводника размером 10 мм х 50 мм.
Для измерения силы связывания расплав помещают на пленку 2 мм х 2 мм, отверждают на субстрате, к пленке припаивают проволоку из нержавеющей стали размером 20, используя эвтектический припой Pb/Sn, и тянут в направлении перпендикулярном субстрату, затем измеряют силу связывания, когда проволока открывается. Подходящими считают образцы с силой связывания 3 кг/4 мм2.
Способность припоя определяют, готовя отвержденную пленку 10 мм х 10 мм, полностью покрывая расплавом поверхность пленки, погружая пленку в баню Pb/Sn эвтектического припоя (230oC) на 10 с, и измеряют площадь, смоченную припоем.
Для измерения выщелачивания припоя изготовляют отвержденную пленку 200 μм х 50 мм на алюминиевом субстрате и погружают ее в баню Pb/Sn эвтектического припоя (230oC) на 10 с, в каждом цикле, считают количество циклов при котором припаянная пленка отслаивается.
Электромигацию проверяют, помещая электропроводники на расстоянии 1 мм друг от друга, добавляя 0,2 мл каплю воды между электропроводниками и измеряя время до тех пор, пока величина утечки тока достигнет 100 μA после приложения напряжения 10 В напрямую к электропроводникам.
Примеры получения порошка
Пример 1. В тигле из борнитрида 5,35 г серебряных частиц (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих полимерах), 314,0075 г частиц меди (средний размер частиц 3 мм в диаметре, также используют в следующих примерах), 1,045 г частиц висмута (средний размер частиц 2 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают до 1700oC путем высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). После этого расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота. В то же время направляют струю газа азота (99,9% или более) при давлении 30 кг/см2 G навстречу расплаву (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 0,7) или атомизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 150 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 16 мм. Концентрация серебра у поверхности частиц порошка составляет 0,0916; 0,084; 0,072; 0,60, и 0,058, считая от поверхности частиц, концентрация серебра x на поверхности равна 0,0878, средняя концентрация серебра x=0,01, и таким образом, концентрация серебра на поверхности в 8,78 раз больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,989, а средняя концентрация висмута z=0,001.
Пример 2. В графитном тигле 210,405 г частиц серебра 193,675 г частиц меди и 0,00653 г частиц цинка (средний размер частиц 1 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают аналогичным образом до 1700oC путем высокочастотной индукции, плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву направляют струю азота (99,9% или более) при давлении газа 15 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 2) для атомизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 80 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 20 м. Концентрация серебра около поверхности частиц составляет 0,88; 0,84; 0,82; 0,80 и 0,76, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x= 0,86. Кроме того, средняя концентрация серебра x=0,39, и таким образом, концентрация серебра на поверхности в 2,20 раза больше средней концентрации серебра. К тому же средняя концентрация меди y=0,60999, а средняя концентрация цинка z=0,00001.
Пример 3. В борнитридом тигле 210,405 г частиц серебра, 192,0875 г частиц меди и 5,18 г частиц свинца (средний размер частиц 3 мм в диаметре, такие же используют в следующих примерах) нагревают до 1800oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере гелия (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу гелия (99,9% или более). В то же время навстречу расплаву направляют струю гелия под давлением 15 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава составляет 0,3) для автоматизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки равна 160 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц со средним размером 10 μм Концентрация серебра около поверхности составляет 0,9; 0,88; 0,82; 0,78 и 0,74, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x= 0,99, а средняя концентрация x 0,39, таким образом, концентрация серебра на поверхности в 2,28 раз больше, чем средняя концентрация серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,605, а средняя концентрация свинца z=0,005.
Пример 4. В графитовом тигле 26,975 г частиц серебра, 301,59325 г частиц меди и 0,03265 г частиц цинка нагревают до 1750oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выприскивают через форсунку, прикрепленную к краю тигля, в атмосферу азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием расплава навстречу расплаву направляют струю газообразного азота (99,9% или более) под давлением газа 40 кг/см2 G (при условии, что соотношение массовых скоростей газа и расплава составляет 2,1) для автоматизации расплава. В это время линейная скорость газа на выходе из газовой форсунки составляет 160 м/с. Полученный порошок состоит из сферических частиц среднего размера 14 μм. Концентрация серебра около поверхности равна 0,58; 0,46; 0,38; 0,25 и 0,1, считая от поверхности частиц, концентрация серебра на поверхности x=0,52, средняя концентрация серебра x=0,05, таким образом, концентрация серебра на поверхности в 10,4 раза больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди равна y=0,9499, а средняя концентрация цинка z=0,0001.
Пример 5. В борнитридном тигле 53,95 г частиц серебра, 285,7468 г частиц меди, 0,00518 г частиц свинца и 0,001632 г частиц цинка нагревают до 1700oC методом высокочастотной индукции и плавят в атмосфере азота (99,9% или более). Полученный расплав выпрыскивают из форсунки, прикрепленной к краю тигля, в атмосферу газообразного азота (99,9% или более). Одновременно с выпрыскиванием навстречу расплаву направляют струю газообразного азота (99,9% или более) под давлением газа 50 кг/см2 G (при условии, что отношение массовых скоростей газа и расплава равно 2, 3) для атомизации расплава. В это время линейная скорость газа равна 180 м/с. Полученный расплав состоит из сферических частиц со средним размером 13 μм Концентрация серебра около поверхности частиц порошка составляет 0,8; 0,77; 0,65; 0,54 и 0,43, считая от поверхности, концентрация серебра x на поверхности равна 0,785. Средняя концентрация серебра равна x=0,1, следовательно, концентрация серебра на поверхности в 7,85 раз больше средней концентрации серебра. Кроме того, средняя концентрация меди y=0,89999 и средняя концентрация (свинец+цинк) составляет z=0,00001.
Примеры композиций
Пример 6. 10 г частиц, полученных в примере 1 с размером частиц μм или менее и составом порошка (x 0,01, y 0,989, z 0,001 средний размер частиц 2,5 ), 2 г стеклянной смеси PbO-BiO-ZnO, 0,1 г стеклянной смеси BaO-SiO2 ZnO, 0,1 г стеклянной смеси SiO2-B2O3-Na2O и 0,5 г акриловой смолы диспергируют в 3 г терпинола и 0,1 г ксиленола. Полученную композицию используют для печати пяти полосок 100 μм • 50 мм на алюминиевом субстрате с ситом (отверстия 270). Затем покрытую пленку отверждают, используя печь для обжига с непрерывным действием производства Watkins Johnson. Условия отверждения следующие: после того, как выгорят органические вещества покрытой пленки в атмосфере азота с 10-миллионными долями кислорода при нагреве от комнатной температуры до 550oC в течение 15 мин, покрытую пленку отверждают в течение 10 мин в атмосфере азота по достижении температуры 600oC. Затем покрытую пленку охлаждают до комнатной температуры в атмосфере азота. Полученная покрытая пленка имеет объемное сопротивление 3•10-6 Ом•см и время миграции 230 с. Кроме того, смачивание припоем составляет 96% и выщелачивание припоя слабо наблюдается даже после 20-кратного погружения в баню из припоя. Вдобавок сила связывания равна 5 кг/4 мм2.
Пример 7. 10 г частиц, полученных в примере 2 с размером частица

Claims (6)

1. Композиция, содержащая электропроводящий компонент на основе порошка сплава меди, органический наполнитель и стеклянную смесь, отличающаяся тем, что в качестве электропроводящего компонента она содержит порошок сплава меди общей формулы Agx Cuy Mz, где x, y, z значения атомных соотношений, выбранные из условий
0,001 ≅ x ≅ 0,4;
0,6 ≅ y ≅ 0,999;
0,000003 ≅ z ≅ 0,05;
x + y + z 1,
М один или более металлов, выбранных из группы, состоящей из Pb, Bi и Zn, при следующем содержании компонентов, мас.ч.
Стеклянная смесь 0,1 50,0
Органический наполнитель 1 300
при этом концентрация серебра на поверхности частиц порошка сплава меди по крайней мере в 2,1 раза выше средней концентрации серебра в них и в каждой частице есть область, в которой концентрация серебра увеличивается к поверхности части.
2. Композиция по п.1, отличающаяся тем, что средний размер частиц указанного порошка сплава меди составляет 0,1 50 мкм, а форма частиц является сферической, чешуйчатой или их смесью.
3. Композиция по п. 1 или 2, отличающаяся тем, что указанный порошок сплава меди получают быстрым охлаждением для конденсации с атомизацией.
4. Композиция по любому из пп. 1 3, отличающаяся тем, что указанный органический наполнитель является по крайней мере одним из группы, включающей этилцеллюлозу, акриловую смолу, метилцеллюлозу, оксиэтилцеллюлозу, производные этилцеллюлозы, алкидную смолу, бутиральную смолу, эпоксидную смолу, фенольную смолу, алкидную фенольную смолу и древесную смолу.
5. Композиция по любому из пп. 1 4, отличающаяся тем, что указанный органический наполнитель является метилкарбитолом, этилкарбитолом, бутилкарбитолом или его ацетатом, этилцеллосольвом, бутилцеллосольвом, терпинолом, толуолом, ксилолом, метилэтилкетоном, этилкацетатом, ацетоном или ксиленолом.
6. Композиция по любому из пп. 1 5, отличающаяся тем, что указанная стеклянная смесь обычно содержит по крайней мере один компонент из группы, включающей PbO, B2O3, ZnO, SiO2, CaO, Al2O3, BaO, Bi2O3, Na2O, K2O, SrO и MgO.
SU915010377A 1990-03-19 1991-03-18 Композиция RU2082237C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP02-067197 1990-03-19
JP6719790 1990-03-19
PCT/JP1991/000363 WO1991015018A1 (fr) 1990-03-19 1991-03-18 Pate pour la cuisson a haute temperature

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2082237C1 true RU2082237C1 (ru) 1997-06-20

Family

ID=13337941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU915010377A RU2082237C1 (ru) 1990-03-19 1991-03-18 Композиция

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5198154A (ru)
EP (1) EP0474879B1 (ru)
KR (1) KR950007085B1 (ru)
CA (1) CA2058414C (ru)
DE (1) DE69132237T2 (ru)
HK (1) HK1004871A1 (ru)
RU (1) RU2082237C1 (ru)
WO (1) WO1991015018A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2510089C1 (ru) * 2012-08-06 2014-03-20 Общество с ограниченной ответственностью "БЕРС" Электропроводящая смазка "увс суперконт"
RU2746270C1 (ru) * 2020-10-06 2021-04-12 Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235497A (ja) * 1992-02-20 1993-09-10 Murata Mfg Co Ltd 銅導電性ペースト
US5413689A (en) * 1992-06-12 1995-05-09 Moltech Invent S.A. Carbon containing body or mass useful as cell component
JP2767729B2 (ja) * 1992-06-30 1998-06-18 アルプス電気株式会社 合金粉末、該合金粉末を用いた分散型導電体および合金粉末の製造方法
US5360591A (en) * 1993-05-17 1994-11-01 Kohler Co. Reduced lead bismuth yellow brass
US5879477A (en) * 1993-05-17 1999-03-09 Kohler Co. Reduced lead bismuth yellow brass
JP2677161B2 (ja) * 1993-07-08 1997-11-17 双葉電子工業株式会社 蛍光表示管
US5632833A (en) * 1993-10-29 1997-05-27 Nec Corporation Method of manufacturing laminated ceramic capacitor
US5608766A (en) * 1993-10-29 1997-03-04 General Electric Company Co-deposition of palladium during oxide film growth in high-temperature water to mitigate stress corrosion cracking
US6475903B1 (en) 1993-12-28 2002-11-05 Intel Corporation Copper reflow process
US5750202A (en) * 1994-07-19 1998-05-12 Santa Barbara Research Center Preparation of gold-coated molybdenum articles and articles prepared thereby
US5654232A (en) * 1994-08-24 1997-08-05 Intel Corporation Wetting layer sidewalls to promote copper reflow into grooves
JPH08148029A (ja) * 1994-11-24 1996-06-07 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電子部品の外部電極
JPH08180731A (ja) * 1994-12-26 1996-07-12 Murata Mfg Co Ltd 導電性厚膜組成物、厚膜電極、セラミック電子部品、および積層セラミックコンデンサ
US5653827A (en) * 1995-06-06 1997-08-05 Starline Mfg. Co., Inc. Brass alloys
TW392179B (en) * 1996-02-08 2000-06-01 Asahi Chemical Ind Anisotropic conductive composition
DE69733342D1 (de) 1996-03-13 2005-06-30 Ericsson Telefon Ab L M Herstellungsverfahren einer metallischen beschichtung auf der bauteiloberflache zur abschirmung gegen elektromagnetische strahlung
US5891803A (en) * 1996-06-26 1999-04-06 Intel Corporation Rapid reflow of conductive layers by directional sputtering for interconnections in integrated circuits
US5901336A (en) * 1996-08-30 1999-05-04 Brush Wellman Inc. Bonding beryllium to copper alloys using powder metallurgy compositional gradients
US6397357B1 (en) * 1996-10-08 2002-05-28 Dell Usa, L.P. Method of testing detection and correction capabilities of ECC memory controller
JP3941201B2 (ja) 1998-01-20 2007-07-04 株式会社デンソー 導体ペースト組成物及び回路基板
US6043298A (en) * 1998-01-21 2000-03-28 Prouse; David W. Solid fritted bonding material
KR100396367B1 (ko) * 1998-06-18 2003-09-02 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 형광표시관용 알루미늄 페이스트 및 알루미늄 페이스트를 이용한 형광표시관 및 그 제조방법
JP3722275B2 (ja) * 2000-06-15 2005-11-30 Tdk株式会社 金属粒子含有組成物、導電ペースト及びその製造方法
JP4623921B2 (ja) * 2002-09-13 2011-02-02 コーア株式会社 抵抗組成物および抵抗器
US20060102228A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Ferro Corporation Method of making solar cell contacts
US7462304B2 (en) 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US8093491B2 (en) * 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
US7718092B2 (en) * 2005-10-11 2010-05-18 E.I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
JP2007194580A (ja) * 2005-12-21 2007-08-02 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
JP5328353B2 (ja) 2006-08-05 2013-10-30 大豊工業株式会社 Pbフリー銅合金摺動材料及びその製造方法
US8253011B2 (en) * 2006-08-31 2012-08-28 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Semiconductor substrate, electrode forming method, and solar cell fabricating method
JP5629210B2 (ja) * 2007-08-31 2014-11-19 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 太陽電池用層状コンタクト構造
KR100841678B1 (ko) * 2007-09-07 2008-06-26 한국산업기술시험원 식품용기 검사공정에서 벤츄리관을 이용한 이송장치
EP2239345B1 (en) 2008-01-23 2014-11-26 Taiho Kogyo Co., Ltd Process for production of sintered copper alloy sliding material and sintered copper alloy sliding material
JP5155743B2 (ja) * 2008-03-04 2013-03-06 三井金属鉱業株式会社 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト
DE102008032554A1 (de) * 2008-07-10 2010-01-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallhaltige Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie elektronisches Bauteil
US8231934B2 (en) * 2008-11-26 2012-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for solar cell electrode
JP2010196105A (ja) * 2009-02-24 2010-09-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 導電性ペースト用銅粉及び導電性ペースト
WO2011114808A1 (ja) * 2010-03-16 2011-09-22 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
CN103295659B (zh) * 2012-02-24 2016-03-30 比亚迪股份有限公司 太阳能电池用导电浆料及其制备方法
CN102601355A (zh) * 2012-03-20 2012-07-25 昆明理工大学 一种提高铜金粉耐腐蚀性的表面改性方法
EP2763141B1 (en) * 2013-02-01 2016-02-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Low fire silver paste
JP6184731B2 (ja) 2013-04-25 2017-08-23 Dowaエレクトロニクス株式会社 銀−ビスマス粉末、導電性ペースト及び導電膜
US9520205B2 (en) 2013-05-10 2016-12-13 Lg Chem, Ltd. Copper containing particle and method for manufacturing same
CN103333532A (zh) * 2013-07-11 2013-10-02 合肥旭阳铝颜料有限公司 水性铜金粉的制备方法
HUE045443T2 (hu) * 2014-08-27 2019-12-30 Heraeus Deutschland Gmbh & Co Kg Forrasztópaszta és eljárás kohéziós kapcsolat kialakítására
CN106531379A (zh) * 2015-09-11 2017-03-22 成都铁达电子有限责任公司 一种电极材料和低成本的电极制造方法
JP7145652B2 (ja) * 2018-06-01 2022-10-03 太陽誘電株式会社 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
CN109280796A (zh) * 2018-09-29 2019-01-29 鹤壁宝发能源科技股份有限公司 一种铜镧氢氧发生器材料的制作方法及铜镧氢氧发生器
JP2023514930A (ja) * 2019-12-20 2023-04-12 ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン 金属結合用の銅合金を含有する銀焼結組成物
WO2022040334A1 (en) 2020-08-18 2022-02-24 Enviro Metals, LLC Metal refinement
JP2022136771A (ja) * 2021-03-08 2022-09-21 Tdk株式会社 セラミック電子部品

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5271531A (en) * 1975-11-08 1977-06-15 Taiyo Yuden Kk Electrically conductive baking paint
JPS5837923B2 (ja) * 1977-02-17 1983-08-19 日立電線株式会社 耐熱性配線用電気導体
US4485153A (en) * 1982-12-15 1984-11-27 Uop Inc. Conductive pigment-coated surfaces
US4728580A (en) * 1985-03-29 1988-03-01 The Standard Oil Company Amorphous metal alloy compositions for reversible hydrogen storage
JPS62140304A (ja) * 1985-12-13 1987-06-23 古河電気工業株式会社 導電性ペ−スト
US5091114A (en) * 1988-08-23 1992-02-25 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Conductive metal powders, process for preparation thereof and use thereof

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент Японии N 62-140304, кл. H 01 B 1/22, 1987. 2. Патент Японии N 52-71531, кл. H 01 B 1/22, 1977. *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2510089C1 (ru) * 2012-08-06 2014-03-20 Общество с ограниченной ответственностью "БЕРС" Электропроводящая смазка "увс суперконт"
RU2746270C1 (ru) * 2020-10-06 2021-04-12 Общество с ограниченной ответственностью «Научное предприятие Монокристалл Пасты» Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами
WO2022075884A1 (ru) * 2020-10-06 2022-04-14 Общество с ограниченной ответственностью "Научное Предприятие Монокристалл Пасты" Полимерная токопроводящая паста для солнечных элементов с гетеропереходами

Also Published As

Publication number Publication date
EP0474879A1 (en) 1992-03-18
DE69132237D1 (de) 2000-07-06
DE69132237T2 (de) 2001-02-22
US5198154A (en) 1993-03-30
CA2058414C (en) 1995-11-14
CA2058414A1 (en) 1991-09-20
WO1991015018A1 (fr) 1991-10-03
KR920701990A (ko) 1992-08-12
HK1004871A1 (en) 1998-12-11
EP0474879A4 (en) 1992-08-12
EP0474879B1 (en) 2000-05-31
KR950007085B1 (ko) 1995-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2082237C1 (ru) Композиция
EP0131778B2 (en) Copper-containing thick-film conductor compositions
US4514321A (en) Thick film conductor compositions
US4122232A (en) Air firable base metal conductors
US4381945A (en) Thick film conductor compositions
US4540604A (en) Thick film conductor compositions
CA1110053A (en) Silver compositions
JPH07302510A (ja) 導電ペースト組成物
EP0046640B1 (en) Thick film conductor employing copper oxide
US4318830A (en) Thick film conductors having improved aged adhesion
JPH01192781A (ja) 銅厚膜導体組成物
JPH07109723B2 (ja) 高温焼成用組成物及びペースト
JPH06203626A (ja) 低温焼成可能な導電性ペースト
CN1051862C (zh) 高温烧结用糊剂及其应用
JP2795467B2 (ja) 接着性良好な金属ペースト
JPH06215617A (ja) 焼成用導電性ペースト
KR20040068118A (ko) 질화알루미늄 기판에 사용하기 위한 후막 전도체 조성물
JPH05114305A (ja) 焼成用ペースト
EP0045482B1 (en) Thick film conductor compositions
JPH0945130A (ja) 導体ペースト組成物
JP2931450B2 (ja) 導体ペースト
JPH05174617A (ja) 導体ペースト
KR830001482B1 (ko) 전기도체 형성용 니켈합금 페이스트
JPH0762275A (ja) セラミック焼成基板用導体ペースト
JP2992958B2 (ja) 低温焼成多層配線基板用導体ペースト