KR102210284B1 - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 이미 개질층이 형성되어 있는 웨이퍼의 의도하지 않은 균열의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것.
(해결수단) 웨이퍼의 가공 방법은 웨이퍼(W)를 고리형 프레임(F)의 개구에 점착 테이프(T)를 개재시켜 고정하여 웨이퍼 유닛(WU)을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 단계와, 점착 테이프(T)를 개재시켜 웨이퍼(W)를 척테이블(11)의 유지면(11a)에 의해 흡인 유지하는 웨이퍼 유닛 유지 단계와, 레이저 광선을 조사하여 개질층(K)을 웨이퍼(W) 내부에 형성하는 가공 단계와, 반출 단계와, 분할 단계를 적어도 구비한다. 반출 단계에서는 유지면(11a)으로부터 가압된 기체를 분출시켜 점착 테이프(T)와 유지면(11a)의 밀착을 해제하는 밀착 해제 단계를 실시한다. 그 후 웨이퍼 유닛(WU)을 척테이블(11)로부터 반출한다. 분할 단계에서는 개질층(K)을 기점으로 웨이퍼(W)를 분할한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{METHOD FOR PROCESSING WAFER}
본 발명은 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 제조 프로세스에서는, 대략 원판형인 반도체 웨이퍼의 표면에 격자형으로 배열된 스트리트라고 불리는 분할 예정 라인에 의해 복수의 영역이 구획되고, 이 구획된 영역에 IC, LSI, 미소 전기 기계 시스템(MEMS) 등의 디바이스를 형성한다. 그리고, 반도체 웨이퍼를 스트리트를 따라서 절단함으로써 디바이스가 형성된 영역을 분할하여 개개의 디바이스를 제조하고 있다.
이러한 디바이스는, 최근까지 절삭 블레이드를 이용한 절삭 장치에 의해 분할 가공되었다. 그러나, 절삭 블레이드는, 20∼40 ㎛ 정도의 폭으로 분할 홈을 형성하여 분할하기 때문에, 분할 예정 라인에 어느 정도의 폭이 필요하여 취할 수 있는 디바이스의 개수가 제한되는 것과, 절삭수로 절삭 부스러기를 제거하면서 가공하기 때문에, 절삭수의 비산에 의해 파손되어 버리는 MEMS 디바이스나, Low-k층의 박리없는 것의 절단은 절삭 장치에서의 가공이 어려운 등의 이유에 의해, 레이저 광선을 이용한 레이저 가공 장치에 의한 가공이 활발하게 행해지게 되었다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2011-166002호 공보
절삭 장치나 레이저 가공 장치에서는, 웨이퍼를 프레임에 고정한 웨이퍼 유닛의 상태로 가공하는 경우가 많다. 웨이퍼 유닛의 상태로 척테이블에 점착 테이프(다이싱 테이프)를 개재시켜 웨이퍼를 흡인 고정하면, 척테이블의 유지면의 미세한 요철을 따라서 점착 테이프가 밀착되어 버려, 유지면으로부터 웨이퍼가 떨어져 나가 버리는 경우가 있다. 그 경우, 이미 개질층이 형성되어 있는 웨이퍼에서는 의도하지 않은 균열을 발생시킬 우려가 있다.
본 발명은 상기 문제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 이미 개질층이 형성되어 있는 웨이퍼의 의도하지 않은 균열의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것에 있다.
전술한 과제를 해결하여 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 웨이퍼의 가공 방법은, 표면에 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 이면측을 노출한 상태로 웨이퍼를 고리형 프레임의 개구에 점착 테이프를 개재시켜 고정하여, 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 단계와, 상기 점착 테이프를 개재시켜 웨이퍼 유닛의 웨이퍼를 척테이블의 유지면에 의해 흡인 유지하는 웨이퍼 유닛 유지 단계와, 상기 척테이블에 유지된 웨이퍼 유닛의 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 웨이퍼 내부에 형성하는 가공 단계와, 상기 유지면으로부터 유체를 분출시켜 상기 점착 테이프와 상기 유지면의 밀착을 해제하는 밀착 해제 단계와, 상기 밀착 해제 단계를 실시한 후에, 상기 고리형 프레임을 유지하여 반송하는 반송 수단에 의해 상기 척테이블로부터 웨이퍼 유닛을 반출하는 반출 단계와, 반출 단계를 실시한 후에 웨이퍼 유닛의 웨이퍼에 외력을 부여하여 상기 개질층을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 단계를 구비한 웨이퍼의 가공 방법을 특징으로 한다.
바람직하게는, 웨이퍼 유닛 유지 단계에서는, 유지면보다 낮은 위치에 고리형 프레임을 고정하고, 밀착 해제 단계는, 상기 고리형 프레임을 상기 유지면보다 높은 위치로 상승시킨 후에 실시된다.
본원발명의 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 척테이블의 유지면과 점착 테이프의 밀착을 해제하기 위해, 유지면으로부터 유체를 분출시킨다. 이 때문에, 웨이퍼를 유지면으로부터 무리하게 떼어냄으로써 발생하는 균열을 억제할 수 있다. 따라서, 이미 개질층이 형성되어 있는 웨이퍼의 의도하지 않은 균열의 발생을 억제할 수 있다.
도 1의 (a)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법이 실시되는 웨이퍼를 나타내는 사시도이며, 도 1의 (b)는, 웨이퍼 유닛 형성 단계에서 형성된 웨이퍼 유닛의 사시도이다.
도 2의 (a)는, 웨이퍼 유닛 유지 단계의 개요를 나타내는 사시도이며, 도 2의 (b)는, 웨이퍼 유닛 유지 단계에 의해 유지된 웨이퍼 유닛 등의 단면도이다.
도 3은, 가공 단계의 개요를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 반출 단계의 반송 수단을 웨이퍼 유닛의 고리형 프레임에 대향시킨 상태를 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)는, 반출 단계의 고리형 프레임을 유지한 반송 수단을 상측으로 이동시킨 상태를 나타내는 단면도이며, 도 5의 (b)는, 반출 단계의 유지면으로부터 유체를 분출시킨 상태를 나타내는 단면도이며, 도 5의 (c)는, 반출 단계의 웨이퍼 유닛을 척테이블로부터 반출한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)는, 분할 단계의 개요를 나타내는 단면도이며, 도 6의 (b)는, 분할 단계에서 웨이퍼를 분할한 상태를 나타내는 단면도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태(실시형태)에 관하여, 도면을 참조하면서 상세히 설명한다. 이하의 실시형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절하게 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 여러가지 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
〔실시형태〕
실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법을, 도 1 내지 도 6에 기초하여 설명한다. 도 1의 (a)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법이 실시되는 웨이퍼를 나타내는 사시도, 도 1의 (b)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 웨이퍼 유닛 형성 단계에서 형성된 웨이퍼 유닛의 사시도, 도 2의 (a)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 웨이퍼 유닛 유지 단계의 개요를 나타내는 사시도, 도 2의 (b)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 웨이퍼 유닛 유지 단계에 의해 유지된 웨이퍼 유닛 등의 단면도, 도 3은, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 가공 단계의 개요를 나타내는 단면도, 도 4는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 반출 단계의 반송 수단을 웨이퍼 유닛의 고리형 프레임에 대향시킨 상태를 나타내는 단면도, 도 5의 (a)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 반출 단계의 고리형 프레임을 유지한 반송 수단을 상측으로 이동시킨 상태를 나타내는 단면도, 도 5의 (b)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 반출 단계의 유지면으로부터 유체를 분출시킨 상태를 나타내는 단면도, 도 5의 (c)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 반출 단계의 웨이퍼 유닛을 척테이블로부터 반출한 상태를 나타내는 단면도, 도 6의 (a)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 분할 단계의 개요를 나타내는 단면도, 도 6의 (b)는, 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법의 분할 단계에서 웨이퍼를 분할한 상태를 나타내는 단면도이다.
실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법(이하, 단순히 가공 방법이라고 함)은, 도 1에 나타내는 웨이퍼(W)를 가공하는 가공 방법으로서, 웨이퍼(W)에 레이저 광선(L)(도 3에 도시함)을 조사하여 내부에 개질층(K)(도 3 등에 도시함)을 형성하여 개개의 디바이스칩(DT)(도 6 등에 도시함)으로 분할하는 방법이다. 또, 본 실시형태에 따른 가공 방법에 의해 개개의 디바이스칩(DT)으로 분할되는 가공 대상으로서의 웨이퍼(W)는, 본 실시형태에서는 실리콘, 사파이어, 갈륨 등을 모재로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼이다. 웨이퍼(W)는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 표면(WS)에 복수의 분할 예정 라인(S)에 의해 구획된 각 영역에 디바이스칩(DT)을 구성하는 디바이스(D)가 형성되어 있다. 디바이스(D)로서, IC(integrated circuit), LSI(large scale integration), MEMS(Micro Electro Mechanical Systems : 미소 전기 기계 시스템)이 각 영역에 형성된다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면(WS)에는, SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나, 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막으로 이루어진 저유전률 절연체 피막(Low-k막) 등의 표면막이 적층되어 있다.
또, 개질층(K)이란, 밀도, 굴절률, 기계적 강도나 그 밖의 물리적 특성이 주위의 그것과는 상이한 상태가 된 영역을 의미하며, 용융 처리 영역, 크랙 영역, 절연 파괴 영역, 굴절률 변화 영역 및 이들 영역이 혼재된 영역 등을 예시할 수 있다.
실시형태에 따른 가공 방법은, 웨이퍼 유닛 형성 단계와, 웨이퍼 유닛 유지 단계와, 가공 단계와, 반출 단계와, 분할 단계를 적어도 구비한다.
웨이퍼 유닛 형성 단계에서는, 도 1의 (a)에 나타낸 바와 같이, 디바이스(D)가 형성된 표면(WS)의 뒤쪽인 이면(WR)을 노출한 상태로, 도 1의 (b)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)를 고리형 프레임(F)의 개구에 점착 테이프(T)를 개재시켜 고정한다. 도 1의 (b)에 나타내는 웨이퍼 유닛(WU)을 형성한다. 그리고, 웨이퍼 유닛 유지 단계로 진행한다.
웨이퍼 유닛 유지 단계에서는, 웨이퍼(W)에 레이저 광선(L)을 조사하는 레이저 가공 장치(10)의 척테이블(11)(도 2의 (a)에 도시함)의 다공형 유지면(11a) 위에, 점착 테이프(T)를 개재시켜 웨이퍼 유닛(WU)의 웨이퍼(W)를 얹는다. 척테이블(11)에 도시하지 않은 진공 흡인 경로를 통해 접속된 진공 흡인원에 의해 유지면(11a)을 흡인하고, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(T)를 개재시켜 웨이퍼 유닛(WU)의 웨이퍼(W)의 표면(WS)측을 척테이블(11)의 유지면(11a)에 의해 흡인 유지한다. 또한, 웨이퍼 유닛 유지 단계에서는, 척테이블(11)의 주위에 설치되며 유지면(11a)보다 낮은 위치의 클램프부(12)를 도시하지 않은 에어 액츄에이터에 의해 구동시켜, 클램프부(12)로 웨이퍼(W)의 주위의 고리형 프레임(F)을 끼워서 유지한다. 이렇게 해서, 웨이퍼 유닛 유지 단계에서는, 클램프부(12)에 의해, 유지면(11a)보다 낮은 위치에 고리형 프레임(F)을 고정한다. 그리고, 가공 단계로 진행한다.
가공 단계에서는, 레이저 가공 장치(10)의 도시하지 않은 촬상 수단이 취득한 화상에 기초하여 얼라인먼트를 수행한다. 그 후, 척테이블(11)과 레이저 광선 조사 수단(13)을 상대적으로 이동 수단에 의해 이동시키면서, 도 3에 나타낸 바와 같이, 척테이블(11)에 유지된 웨이퍼 유닛(WU)의 웨이퍼(W)의 이면(WR)으로부터 웨이퍼(W)에 대하여 투과성을 갖는 파장(예컨대 1064 nm)의 레이저 광선(L)을 웨이퍼(W)의 내부에 집광점을 맞춰 분할 예정 라인(S)을 따라서 조사한다. 그리고, 분할 예정 라인(S)을 따르는 개질층(K)을 웨이퍼(W) 내부에 형성한다. 그리고, 반출 단계로 진행한다. 또, 가공 단계에서는, 진공 흡인원에 의해 유지면(11a) 위에 웨이퍼(W)를 흡인 유지하고 있다.
반출 단계에서는, 가공 단계를 실시한 후에, 도 4에 나타낸 바와 같이, 클램프부(12)가 고리형 프레임(F)을 끼워서 유지하는 것을 해제하고, 진공 흡인원에 의한 흡인을 정지한다. 그리고, 고리형 프레임(F)을 유지하여 반송하는 반송 수단(20)의 흡착부(21)를 고리형 프레임(F)에 대향시킨다. 그리고, 반송 수단(20)을 하강시켜, 흡착부(21)에 고리형 프레임(F)을 흡착하여 유지한 후, 도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(T)가 유지면(11a)으로부터 박리되지 않을 정도로 반송 수단(20) 및 웨이퍼 유닛(WU)을 상승시킨다. 도 5의 (a)에서는, 반송 수단(20)이 고리형 프레임(F)을 유지면(11a)보다 약간 높은 위치로 상승시킨다. 또, 반송 수단(20)을 고리형 프레임(F)에 대향시키고, 고리형 프레임(F)을 상승시킬 때, 진공 흡인원에 의한 흡인을 실시하고 있어도 좋다.
그 후, 반출 단계에서는, 척테이블(11)에 접속된 도시하지 않은 유체 분출원에 의해 유지면(11a)으로부터 유체로서의 가압된 기체를 분출시켜, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 점착 테이프(T)와 유지면(11a)의 밀착을 해제하는 밀착 해제 단계를 실시한다. 점착 테이프(T)와 유지면(11a)이 간격을 두고 평행해지도록 유지한다. 그 후, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 반송 수단(20)에 의해 웨이퍼 유닛(WU)을 척테이블(11)로부터 반출한다. 또, 밀착 해제 단계에서는, 유체로서의 가압된 액체를 분출시켜도 좋고, 가압된 기체와 액체를 동시에 분출시켜도 좋다. 그리고, 분할 단계로 진행한다.
분할 단계에서는, 반출 단계를 실시한 후에, 반송 수단(20)에 의해 웨이퍼 유닛(WU)을 도 6에 나타내는 분할 장치(30)에 반송하고, 도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 고리형 프레임(F)을 분할 장치(30)의 클램프부(31)에 끼워서 유지하며, 압박 부재(32)를 점착 테이프(T)에 접촉시킨다. 그리고, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 압박 부재(32)를 상승시켜, 웨이퍼(W)가 점착된 점착 테이프(T)를 반경 방향으로 확장시킴으로써, 웨이퍼 유닛(WU)의 웨이퍼(W)에 반경 방향으로 확대되는 외력을 부여한다. 그리고, 개질층(K)을 기점으로, 분할 예정 라인(S)을 따라서 개개의 디바이스칩(DT)으로 웨이퍼(W)를 분할한다. 그 후, 분할된 디바이스칩(DT)은, 점착 테이프(T)로부터 떼어내고, 다음 공정으로 반송한다.
실시형태에 따른 가공 방법에 의하면, 척테이블(11)의 유지면(11a)과 점착 테이프(T)의 밀착을 해제하기 위해, 유지면(11a)으로부터 유체로서의 가압된 기체를 분출시킨다. 이 때문에, 본 실시형태의 가공 방법에 의하면, 웨이퍼(W)를 유지면(11a)으로부터 무리하게 떼어냄으로써 발생하는 균열을 억제할 수 있다. 따라서, 이미 개질층(K)이 형성되어 있는 웨이퍼(W)의 의도하지 않은 균열의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 통상, 웨이퍼 유닛 유지 단계에서는, 가공시에 레이저 광선 조사 수단(13)에 충돌하지 않도록 고리형 프레임(F)을 유지면(11a)보다 낮은 위치에 고정한다. 그러나, 이 상태대로 유지면(11a)으로부터 가압된 기체를 대량으로 분출시키면 웨이퍼(W)가 접착된 점착 테이프(T)가 돔형(반구형)으로 부푼 형상이 되어 버린다. 그 때, 개질층(K)이 형성되어 취약해진 웨이퍼(W)가 의도하지 않은 타이밍과 의도하지 않은 방향으로 균열되어 버릴 우려가 있었다.
따라서, 본 실시형태의 가공 방법에 의하면, 개질층(K)의 형성후에 밀착 해제 단계를 실시할 때, 미리 고리형 프레임(F)을 유지면(11a)보다 높은 위치로 상승시켜 놓는다. 그 결과, 점착 테이프(T)가 돔형으로 변형되어 웨이퍼(W)를 휘어지게 함으로써, 의도하지 않은 타이밍과 의도하지 않은 방향으로 균열되어 버리는 것을 억제하는 것이 가능해졌다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
11 : 척테이블 11a : 유지면
20 : 반송 수단 D : 디바이스
F : 고리형 프레임 K : 개질층
L : 레이저 광선 S : 분할 예정 라인
T : 점착 테이프 W : 웨이퍼
WS : 표면 WR : 이면
WU : 웨이퍼 유닛

Claims (2)

  1. 표면에 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 각 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    이면측을 노출한 상태로 웨이퍼를 고리형 프레임의 개구에 점착 테이프를 개재시켜 고정하여, 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 단계와,
    상기 점착 테이프를 개재시켜 웨이퍼 유닛의 웨이퍼를 척테이블의 유지면에 의해 흡인 유지함과 아울러, 상기 고리형 프레임을 상기 유지면보다 낮은 위치에 고정하는 웨이퍼 유닛 유지 단계와,
    상기 척테이블에 유지된 웨이퍼 유닛의 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하여, 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 웨이퍼 내부에 형성하는 가공 단계와,
    상기 고리형 프레임을 유지하여 반송하는 반송 수단에 의해 상기 고리형 프레임을 상기 유지면보다 높은 위치로 상승시킨 후, 상기 유지면으로부터 유체를 분출시켜 상기 점착 테이프와 상기 유지면의 밀착을 해제하는 밀착 해제 단계와,
    상기 밀착 해제 단계를 실시한 후에, 상기 반송 수단에 의해 상기 척테이블로부터 웨이퍼 유닛을 반출하는 반출 단계와,
    상기 반출 단계를 실시한 후에, 웨이퍼 유닛의 웨이퍼에 외력을 부여하여 상기 개질층을 기점으로 웨이퍼를 분할하는 분할 단계를 구비하는 것인 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 삭제
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6604715B2 (ja) * 2014-09-12 2019-11-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6478821B2 (ja) * 2015-06-05 2019-03-06 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015211017B4 (de) * 2015-06-16 2017-06-14 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zum hauptzeitparallelen Entladen eines freigeschnittenen Werkstückteils, zugehörige Laserschneidmaschine und Computerprogrammprodukt
JP6494451B2 (ja) * 2015-07-06 2019-04-03 株式会社ディスコ チャックテーブル及び洗浄装置
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP7015668B2 (ja) * 2017-10-11 2022-02-03 株式会社ディスコ 板状物の分割装置
JP7072993B2 (ja) * 2018-07-31 2022-05-23 株式会社ディスコ チップ製造方法
JP7173787B2 (ja) 2018-08-14 2022-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
TW202044703A (zh) * 2019-05-16 2020-12-01 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移除裝置及晶片移除方法
JP2022097232A (ja) * 2020-12-18 2022-06-30 株式会社ディスコ レーザー加工装置
CN114274386B (zh) * 2021-12-30 2024-07-02 博捷芯(深圳)半导体有限公司 一种高精度晶圆切割定位装置及晶圆切割机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228794A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2009140947A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003174077A (ja) * 2001-12-04 2003-06-20 Lintec Corp 吸着保持装置
JP2005175384A (ja) * 2003-12-15 2005-06-30 Nitto Denko Corp 保護テープの貼付方法及び剥離方法
US7838331B2 (en) * 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
JP4711904B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-29 日東電工株式会社 半導体ウエハへの粘着テープ貼付け方法および半導体ウエハからの保護テープ剥離方法
CN102623373B (zh) * 2007-05-25 2015-07-15 浜松光子学株式会社 切断用加工方法
JP5133660B2 (ja) * 2007-11-27 2013-01-30 株式会社ディスコ ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP2011166002A (ja) 2010-02-12 2011-08-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5860219B2 (ja) * 2011-03-10 2016-02-16 株式会社ディスコ レーザー加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005228794A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Tokyo Seimitsu Co Ltd チップ製造方法
JP2009140947A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法

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