KR102102195B1 - 반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법 - Google Patents

반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102102195B1
KR102102195B1 KR1020187011232A KR20187011232A KR102102195B1 KR 102102195 B1 KR102102195 B1 KR 102102195B1 KR 1020187011232 A KR1020187011232 A KR 1020187011232A KR 20187011232 A KR20187011232 A KR 20187011232A KR 102102195 B1 KR102102195 B1 KR 102102195B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
thin film
film transistor
upper electrode
Prior art date
Application number
KR1020187011232A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180118595A (ko
Inventor
젠밍 쑨
루이 황
후이리 우
Original Assignee
보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 filed Critical 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20180118595A publication Critical patent/KR20180118595A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102102195B1 publication Critical patent/KR102102195B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1446—Devices controlled by radiation in a repetitive configuration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
    • H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78642—Vertical transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/1013—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation devices sensitive to two or more wavelengths, e.g. multi-spectrum radiation detection devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/1016—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising transparent or semitransparent devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/105—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PIN type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

본 개시는 반도체 디바이스, 어레이 기판, 및 반도체 디바이스 제조 방법에 관한 것이다. 반도체 디바이스는 기판과, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터와, 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 포함하며, 여기서 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 제1 상부 전극, 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제1 상부 전극으로서 사용된다.

Description

반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 2017년 3월 13일에 출원된 중국 특허 출원 제201710146018.6호의 이익을 주장하며, 이 출원의 전체 내용은 본원의 일부로서 참조에 의해 이로써 통합된다.
본 개시는 반도체 기술 분야에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 디바이스, 어레이 기판, 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다.
광 검출 기술은 반도체 디바이스를 포함하는 디스플레이 영역에서 사용된다. 예를 들어, 외부 광원이 화면의 시각 효과에 영향을 줄 수 있으므로, 외부 광원의 밝기에 기초하여 화면의 광원 밝기를 조절하면 화면의 시각 효과를 향상시킬 수 있다.
광 검출기는 지문 인식에 사용될 수 있다. 광 검출기를 사용하는 지문 인식은 더 큰 광 전류를 검출하기 위해 더 큰 광 검출 영역을 요구하는 광 검출 디바이스에 대한 더 높은 요구 사항을 갖는다. 특히, TFT-LCD 디스플레이에 지문 인식 기술을 통합하면 광 검출에 대한 더 높은 요구 사항을 가질 것이다.
본 개시의 실시예들은 반도체 디바이스를 제조하는 방법, 어레이 기판, 및 반도체 디바이스를 제공하고, 관련 분야 기술에서 박막 트랜지스터와 효율적으로 통합될 수 없는 광 검출 문제를 적어도 해결할 수 있으며, 개구율에 영향을 미치지 않으면서 디바이스의 감광 영역을 적어도 증가시킬 수 있다.
본 개시의 제1 양태는 반도체 디바이스를 제공한다. 반도체 디바이스는 기판; 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 및 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 포함하고, 여기서 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 제1 상부 전극, 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하며, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되며; 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제1 상부 전극으로서 이용된다.
일 실시예에서, 제1 감광부는 하부면, 상부면, 박막 트랜지스터를 향하는 제1 측면, 및 박막 트랜지스터와 반대쪽을 향하는 제2 측면을 가지며, 반도체 디바이스는 박막 트랜지스터와 제1 광 검출 구조체 사이의 제1 스페이서층을 추가로 포함하고, 여기서 제1 스페이서층은 제1 측면을 커버하고 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나를 제1 하부 전극으로부터 이격시킨다.
일 실시예에서, 반도체 디바이스는 제1 광 검출 구조체의 제2 측면에 인접한 제2 광 검출 구조체를 추가로 포함하고, 여기서 제2 광 검출 구조체는 제2 하부 전극, 제2 상부 전극, 및 제2 하부 전극과 제2 상부 전극 사이에 배치되는 제2 감광부를 포함하고, 여기서 제2 하부 전극과 제1 하부 전극은 일체를 이루고; 제2 감광부는 제2 측면 상에서 연장된다.
일 실시예에서, 반도체 디바이스는 제1 광 검출 구조체와 제2 광 검출 구조체 사이에 배치된 제2 스페이서층을 추가로 포함하고, 여기서 제2 스페이서층은 제2 측면을 커버하고 제1 상부 전극을 제2 감광부로부터 이격시킨다.
일 실시예에서, 반도체 디바이스는 절연층을 추가로 포함하고, 여기서 절연층은 제1 부분, 제2 부분 및 제3 부분을 가지며, 제1 부분은 박막 트랜지스터의 활성층과 게이트 전극 사이에 제공되고, 제2 부분은 제1 상부 전극 위에 놓이고, 제3 부분은 제2 감광부 위에 놓인다.
일 실시예에서, 제1 감광부는 가시광 감광 재료를 포함하고, 제1 상부 전극은 투명 도전성 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 제1 감광부는 PIN 감광 구조체를 포함한다.
일 실시예에서, 제2 감광부는 UV광 감광 재료를 포함하고, 제2 상부 전극은 투명 도전성 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 박막 트랜지스터의 활성층 및 제2 광 검출 구조체의 제2 감광부는 인듐 갈륨 아연 산화물을 포함한다.
본 개시의 또 다른 목적은 어레이 기판을 제공하는 것이다.
본 개시의 제2 양태는 어레이 기판을 제공한다. 어레이 기판은 전술한 반도체 디바이스를 포함한다.
본 개시의 또 다른 목적은 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 개시의 제3 양태는 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 제공한다. 반도체 디바이스 제조 방법은 기판 상의 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 여기서 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 상부 전극 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되고; 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제1 상부 전극으로서 이용된다.
일 실시예에서, 방법은 제1 광 검출 구조체의 제2 측면에 인접한 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 여기서 제2 광 검출 구조체는 제2 하부 전극, 제2 상부 전극, 및 제2 하부 전극과 제2 상부 전극 사이에 배치된 제2 감광부를 포함하고, 여기서 제2 하부 전극과 제1 하부 전극은 일체를 이루고; 제2 감광부는 제2 측면 상에서 연장된다.
일 실시예에서, 박막 트랜지스터와 제2 광 검출 구조체는 동시에 형성된다.
일 실시예에서, 박막 트랜지스터, 제1 광 검출 구조체 및 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계는: 기판 상에 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나인 제1 서브 도전층 및 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극인 제2 서브 도전층을 형성하는 단계 -제1 서브 도전층과 제2 서브 도전층 사이에는 공간이 배열됨 -; 제2 서브 도전층 상에 제1 감광부를 형성하는 단계; 제1 상부 전극으로서 기능하는, 제1 감광부 상의 제2 도전층을 형성하는 단계; 제1 감광부 상에 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층을 형성하는 단계 - 제1 스페이서층은 제1 감광부의 제1 측면 및 공간을 커버하고, 제2 스페이서층은 제1 감광부의 제2 측면 및 제1 상부 전극의 일부를 커버함 -; 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층 상에 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계 - 제1 반도체층은 제1 스페이서층 위에 놓이고 또한 제1 상부 전극과 접촉하여 박막 트랜지스터의 활성층으로서 기능하고, 제2 반도체층은 제2 스페이서층 위에 놓여서 제2 광 검출 구조체의 제2 감광부로서 기능함 -; 제1 반도체층 및 제2 반도체층 상에 제2 캐핑층을 형성하는 단계; 제2 캐핑층 상에 제3 도전층을 형성하여 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계; 제2 캐핑층 상에 제4 도전층을 형성하는 단계 - 제4 도전층은 제2 반도체층과 접촉하여 제2 상부 전극으로서 기능함 - 를 포함한다.
일 실시예에서, 기판 상에 제1 서브 도전층 및 제2 서브 도전층을 형성하는 단계는: 기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 제1 도전층을 패터닝하여 공간에 의해 분리된 제1 서브 도전층 및 제2 서브 도전층을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 스페이서층을 형성하고 제2 스페이서층을 형성하는 단계는: 공간, 제1 측면, 제1 상부 전극의 상부면 및 제2 측면 상에 제1 캐핑층을 배치하는 단계; 상기 제1 캐핑층을 패터닝하여 패터닝된 제1 캐핑층이 제1 상부 전극의 상부면 상에 제1 개구를 포함하여 제1 개구에 의해 이격된 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층을 형성하도록 하는 단계를 포함하고, 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계는: 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층 상에 반도체 재료층을 형성하는 단계; 반도체 재료층을 패터닝하여 패터닝된 반도체 재료층이 제1 상부 전극의 상부면 상에 제2 개구를 포함하여 제2 개구에 의해 이격된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하도록 하는 단계를 포함하고, 여기서 제2 개구는 제1 개구보다 작고 제1 반도체층은 제1 상부 전극과 접촉한다.
본 개시의 또 다른 목적은 디스플레이 패널을 제공하는 것이다.
본 개시의 제4 양태는 디스플레이 패널을 제공한다. 디스플레이 패널은 전술한 어레이 기판을 포함한다.
본 개시의 또 다른 목적은 디스플레이 디바이스를 제공하는 것이다.
본 개시의 제5 양태는 디스플레이 디바이스를 제공한다. 디스플레이 디바이스는 전술한 바와 같은 디스플레이 패널을 포함한다.
본 개시의 실시예의 기술적 해결책을 보다 명확하게 설명하기 위해, 실시예의 첨부 도면을 이하에서 간략하게 설명한다. 이하에 기술된 도면은 본 개시의 일부 실시예만을 언급하고 본 개시를 제한하지 않는다는 것을 이해해야 한다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다.
도 2는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다.
도 3은 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다.
도 4는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다.
도 5는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다.
도 6은 본 개시의 실시예에 따라 반도체 디바이스를 제조하는 방법의 흐름도이다.
도 7a 내지 도 7h는 본 개시의 실시예에 따라 반도체 디바이스를 제조하는 방법의 공정 개략도이다.
도 8은 도 6의 반도체를 제조하는 방법의 추가 흐름도이다.
도 9는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 등가 회로도이다.
도 10은 본 개시의 실시예에 따른 어레이 기판의 개략도이다.
도 11은 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략도이다.
도 12는 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 디바이스의 개략도이다.
본 개시의 실시예의 목적, 기술적 해결책 및 이점을 보다 이해하기 쉽게 하기 위해, 본 개시의 실시예의 기술적 해결책이 첨부 도면을 참조하여 아래에서 명확하고 충분하게 설명된다. 명백하게, 설명된 실시예는 본 개시의 실시예의 일부일 뿐이고 전부는 아니다. 본 개시의 설명된 실시예에 기초하여, 창의적인 노력없이 통상의 기술자에 의해 획득되는 모든 다른 실시예도 본 개시의 보호 범위에 속한다.
본 명세서 및 첨부된 청구 범위에서 사용된 바와 같이, 단어의 단수 형태는 그 문맥이 달리 지시하지 않는 한, 복수를 포함하고, 그 반대도 마찬가지이다. 따라서, 관사("a", "an" 및 "the")는 일반적으로 제각기 용어의 복수형을 포함한다. 유사하게, "포함한다(comprise)", "포함한다(comprises)" 및 "포함하는(comprising)"이라는 단어는 배타적으로가 아니라 포괄적으로 해석되어야 한다.
이후의 설명을 위해, 용어들 "상위", "하위", "우측", "좌측", "수직", "수평", "상부", "하부" 및 이들의 파생어는 도면의 그림들에서 위치가 맞추어진 대로 본 발명과 관련된다. 용어 "위에 놓이는", "꼭대기에", "상에 위치된" 또는 "꼭대기에 위치된"은 제1 구조체와 같은 제1 요소가 제2 구조체와 같은 제2 요소 상에 존재한다는 것을 의미하며, 여기서 인터페이스 구조체, 예를 들어 인터페이스 층과 같은 개재 요소들이 제1 요소와 제2 요소 사이에 존재할 수 있다. "직접 접촉"이라는 용어는 제1 구조체와 같은 제1 요소 및 제2 구조체와 같은 제2 요소가 어떠한 중간의 도전성, 절연성 또는 반도체층들 없이 2개의 요소의 인터페이스에서 연결된다는 것을 의미한다.
도 1은 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스는 기판(1), 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 및 상기 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체(DT1)를 포함할 수 있다. 제1 광 검출 구조체(DT1)는 제1 하부 전극(21), 제1 상부 전극(22), 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부(23)를 포함하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나(11)는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극(21)과 동일한 층에 배치되고; 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나(12)는 제1 상부 전극으로서 사용된다.
기판 상에 형성된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 통해 - 여기서, 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 제1 상부 전극 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이의 제1 감광부를 포함하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극과 동일한 층에 있고; 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제1 상부 전극으로서 사용됨 -, 박막 트랜지스터 및 광 검출 구조체는 적어도 하나의 디바이스에 통합될 수 있고, 추가적 장비 없이 광 검출을 적어도 달성할 수 있어서, 제조 비용이 감소되고, 개구율이 증가된다.
도 2는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다. 단순화를 위해, 박막 트랜지스터 TFT의 일부분은 도 2에서 생략되어 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 감광부(23)는 하부면, 상부면, 박막 트랜지스터를 향하는 제1 측면(S1) 및 박막 트랜지스터 반대쪽을 향하는 제2 측면(S2)을 갖는다. 반도체 디바이스는 제1 광 검출 구조체(DT1) 사이에 제1 스페이서층(120)을 추가로 포함하고, 여기서 제1 스페이서층(120)은 제1 측면(S1)을 커버하고 또한 소스 전극과 드레인 전극 중 하나(11)를 제1 하부 전극(21)으로부터 분리시킨다.
도 3은 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스는 제1 광 검출 구조체의 제2 측면(S2)에 인접한 제2 광 검출 구조체(DT2)를 추가로 포함하고, 여기서 제2 광 검출 구조체(DT2)는 제2 하부 전극(31), 제2 상부 전극(32) 및 제2 하부 전극(31)과 제2 상부 전극(32) 사이에 배치된 제2 감광부(33)를 포함하고, 제2 하부 전극(32)은 제1 하부 전극(21)과 일체형이며; 제2 감광부(33)는 제2 측면(S2) 상에서 연장된다.
도 4는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스는 제1 광 검출 구조체(DT1)와 제2 광 검출 구조체(DT2) 사이에 배치된 제2 스페이서층(230)을 추가로 포함하고, 여기서 제2 스페이서층(230)은 제2 측면(S2)을 커버하고 제1 상부 전극(22)을 제2 감광부(33)로부터 이격시킨다.
도 5는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 개략도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스는 절연층(123)을 추가로 포함하고, 여기서 절연층은 제1 부분(P1), 제2 부분(P2), 및 박막 트랜지스터의 활성층(13)과 게이트 전극(14) 사이에 배치된 제3 부분(P3)을 갖고, 제2 부분은 제1 상부 전극(22) 위에 놓이고, 제3 부분은 제2 감광부(33)를 커버한다. 도 5에 도시된 박막 트랜지스터는, 세로 방향(즉, 기판의 상부면에 수직한 방향)으로 더 긴 길이를 갖는다는 것을 알 수 있다. 따라서, 도 5의 반도체 디바이스가 디스플레이 디바이스에 사용되면, 디스플레이 디바이스의 개구율을 향상시키는 것이 가능하다.
실시예에서, 제1 광 검출 구조체는 가시광 검출 구조체일 수 있다. 이 경우, 제1 감광부는 가시광 감광 재료를 포함할 수 있고, 제1 상부 전극은 투명 도전성 재료를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 감광부는 PIN 감광 구조체를 포함할 수 있다. PIN 감광 구조체들과 같은 광 검출 구조체들은 그 표면에 입사하는 광 전력을 검출할 수 있다. 투명 도전성 재료는 인듐 주석 산화물(ITO: indium tin oxide)을 포함할 수 있다. 본 개시의 실시예의 반도체 디바이스가 제공된 디바이스에 손가락이 접촉하면, 손가락의 굴절로 인해 빛의 광 경로가 변화되어 제1 감광부의 저항이 변하도록 야기한다. 제1 감광부의 저항의 변화는 제1 광 검출 구조체에 의해 출력되는 전류를 변화하도록 야기하고, 따라서 지문 인식이 수행될 수 있다.
실시예에서, 제2 감광부는 UV 감광 재료를 포함할 수 있고, 제2 상부 전극은 ITO와 같은 투명 도전성 재료를 포함할 수 있다. 제2 감광부가 상이한 강도들의 자외선을 수신하면, 감광부로서 기능하는 자외선 감광 재료의 도전성이 변한다. 이 때의 제2 광 검출 구조체의 출력 전류에 기초하여, 대응하는 자외선의 강도를 획득할 수 있다.
제1 하부 전극뿐만 아니라 제1 하부 전극과 동일한 층에 제공되는 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 니오븀 합금(MoNb), 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴 합금(AlNd), 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 중 하나 이상을 포함하는 층 또는 층들로 형성될 수 있다. 제1 스페이서층, 제2 스페이서층 및 절연층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 하프늄 산화물(HfOx), 실리콘 산질화물(SiON) 중 하나 또는 2개를 포함하는 층 또는 층들을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터의 구동 기능 및 광 검출기의 광 감지 기능을 고려할 때, 박막 트랜지스터의 활성층 및 제2 광 검출 구조체의 제2 감광부의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO: indium gallium zinc oxide)을 포함할 수 있다.
본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스는 박막 트랜지스터와 광 검출 구조체가 하나의 디바이스에 통합되도록 할 수 있고, 추가 디바이스 없이 광 검출을 가능하게 하여, 제조 비용을 절감하며, 개구율을 향상시킨다. 가시광 검출 구조체는 지문 인식 및 외부 광원 강도 검출에 사용될 수 있다. UV 검출 구조체는 자외선의 강도를 검출할 수 있고, 따라서 추가 디바이스에 대한 필요 없이 UV 광의 강도를 검출할 필요를 충족시키며, 추가 디바이스로 인한 제품 손상의 위험을 피할 수 있다.
본 개시의 실시예는 또한 어레이 기판을 제공한다. 어레이 기판은 전술한 반도체 디바이스를 포함한다.
본 개시의 실시예는 또한 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 반도체 디바이스 제조 방법은 기판 상의 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 여기서 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 상부 전극 및 제1 하부 전극과 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하고, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 하나는 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되고; 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 하나는 제1 상부 전극으로서 이용된다.
일 실시예에서, 반도체 디바이스 제조 방법은 제1 광 검출 구조체의 제2 측면에 인접한 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 여기서 제2 광 검출 구조체는 제2 하부 전극, 제2 상부 전극, 및 제2 하부 전극과 제2 상부 전극 사이에 배치되는 제2 감광부를 포함하고, 여기서 제2 하부 전극과 상기 제1 하부 전극은 일체를 이루고; 제2 감광부는 제2 측면 상에서 연장된다.
실시예에서, 박막 트랜지스터와 제2 광 검출 구조체는 동시에 형성될 수 있다.
도 6은 본 개시의 실시예에 따라 반도체 디바이스를 제조하는 방법의 흐름도이다. 도 7a 내지 도 7h는 본 개시의 실시예에 따라 반도체 디바이스를 제조하는 방법의 공정 개략도이다. 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스 제조 방법이 도 6 및 도 7a 내지 도 7h를 참조하여 이하에 설명될 것이다. 도 6 및 도 7a 내지 도 7h에 도시된 바와 같이, 박막 트랜지스터, 제1 광 검출 구조체, 및 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계는:
S1, 도 7a에 도시된 바와 같이, 기판(1) 상에, 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나인 제1 서브 도전층(11A) 및 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극(21)인 제2 서브 도전층(21A)을 형성하는 단계 - 공간(SP)이 제1 서브 도전층(11A)과 제2 서브 도전층 사이에 배열됨 -;
S3, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제2 서브 도전층 상에 제1 감광부(23)를 형성하는 단계;
S5, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제1 감광부 상에 제2 도전층(22A)을 형성하여 제1 상부 전극(22)을 형성하는 단계;
S7, 도 7d에 도시된 바와 같이, 제1 감광부(23) 상에 제1 스페이서층(120) 및 제2 스페이서층(230)을 형성하는 단계 - 제1 스페이서층(120)은 제1 감광부(23)의 제1 측면(S1) 및 공간(SP)을 커버하고, 제2 스페이서층은 제1 감광부의 제2 측면(S2) 및 제1 상부 전극(22)의 일부를 커버함 -;
S9, 도 7e에 도시된 바와 같이, 제1 스페이서층(120) 및 제2 스페이서층(230) 상에 제1 반도체층(13A) 및 제2 반도체층(33A)을 형성하는 단계 - 제1 반도체층(13A)은 제1 스페이서층(120) 위에 놓이고 또한 제1 상부 전극(22)과 접촉하여 박막 트랜지스터의 활성층(13)으로서 기능하고, 제2 반도체층(33A)은 제2 스페이서층 위에 놓여서 제2 광 검출 구조체의 제2 감광부(33)로서 기능함 -;
S11, 도 7f에 도시된 바와 같이, 제1 반도체층(13A) 및 제2 반도체층(33A) 상에 절연층(123)으로서 제2 캐핑층(123A)을 형성하는 단계;
S13, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제2 캐핑층(123A) 상에 제3 도전층(14A)을 형성하여 박막 트랜지스터의 게이트 전극(14)을 형성하는 단계;
S15. 도 7h에 도시된 바와 같이, 제2 캐핑층(123A) 상에 제4 도전층(32A)을 형성하는 단계 - 제4 도전층(32A)은 제2 반도체층(33A)과 접촉하여 제2 상부 전극(32)으로서 기능함 - 를 포함한다.
도 8은 도 6의 반도체 제조 방법의 추가 흐름도이다. 도 8에 도시된 바와 같이, 기판 상에 제1 서브 도전층 및 제2 서브 도전층을 형성하는 단계는:
S101: 기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계;
S102: 제1 도전층을 패터닝하여 공간에 의해 분리되는 제1 서브 도전층 및 제2 서브 도전층을 형성하는 단계를 포함한다.
제1 스페이서층을 형성하고 제2 스페이서층을 형성하는 단계는:
S701: 공간, 제1 측면, 제1 상부 전극의 상부면 및 제2 측면 상에 제1 캐핑층을 배치하는 단계;
S702: 제1 캐핑층을 패터닝하여 패터닝된 제1 캐핑층이 제1 상부 전극의 상부면 상의 제1 개구를 포함하여 제1 개구에 의해 이격된 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층을 형성하도록 하는 단계를 포함한다.
제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계는:
S901: 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층 상에 반도체 재료층을 형성하는 단계;
S902: 반도체 재료층을 패터닝하여 패터닝된 반도체 재료층이 제1 상부 전극의 상부면 상의 제2 개구를 포함하여 제2 개구에 의해 이격된 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하도록 하는 단계를 포함하고, 여기서 제2 개구 및 제1 개구는 정렬되고 제1 반도체층은 제1 상부 전극과 접촉한다.
박막 트랜지스터의 게이트 전극으로서 기능하는 제3 도전층은 패터닝에 의해 형성될 수 있고, 제2 상부 전극으로서 기능하는 제4 도전층은 또한 패터닝에 의해 형성될 수 있다. 패터닝 공정은 포토리소그래피, 습식 에칭, 건식 에칭 등을 포함할 수 있으며 여기서 반복 설명되지 않을 것이다.
제1 도전층 및 제3 도전층은 몰리브덴(Mo), 몰리브덴 니오븀 합금(MoNb), 알루미늄(Al), 알루미늄 네오디뮴 합금(AlNd), 티타늄(Ti) 및 구리(Cu) 중 하나 이상을 포함하는 층 또는 층들을 포함할 수 있다. 제1 감광부는, 예를 들어, 가시광을 검출하기 위한 PIN 구조체를 포함할 수 있다. 제2 감광부는, 예를 들어 UV 광을 검출하기 위한 UV 감광 재료를 포함할 수 있다. 제2 도전층 및 제4 도전층은 ITO와 같은 투명 도전성 재료를 포함할 수 있다. 제1 캐핑층 및 제2 캐핑층은 실리콘 산화물(SiOx), 실리콘 질화물(SiNx), 하프늄 산화물(HfOx), 실리콘 산질화물(SiON) 중 하나 또는 2개를 포함하는 층 또는 층들을 포함할 수 있다.
박막 트랜지스터의 구동 기능 및 광 검출기의 광 감지 기능을 고려할 때, 박막 트랜지스터의 활성층 및 제2 광 검출 구조체의 제2 감광부의 재료는 인듐 갈륨 아연 산화물(IGZO)을 포함할 수 있다.
도 9는 본 개시의 실시예에 따른 반도체 디바이스의 등가 회로 개략도이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 광 검출 구조체(DT1) 및 제2 광 검출 구조체(DT2)에 전압 V1(예를 들어, -3V)이 인가될 수 있고, TFT에 타이밍 전압 V2를 인가한다. 따라서, 전류 i1을 검출함으로써 지문 인식 및 외부 광원의 강도 검출을 실현할 수 있고, 전류 i2를 검출함으로써 외부 자외선의 강도를 검출할 수 있다.
도 10은 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 디바이스의 개략도이다. 도 10에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예에 따른 어레이 기판(2000)은 본 개시에 따른 반도체 디바이스(1000)를 포함한다. 반도체 디바이스(1000)는 도 1, 도 2, 도 3, 도 4, 및 도 5에 도시된 반도체 디바이스를 포함할 수 있다.
도 11은 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 패널의 개략도이다. 도 11에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 패널(3000)은 본 개시에 따른 어레이 기판(2000)을 포함한다. 어레이 기판은 도 10에 도시된 바와 같은 어레이 기판을 포함할 수 있다.
도 12는 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 디바이스의 개략도이다. 도 12에 도시된 바와 같이, 본 개시의 실시예에 따른 디스플레이 디바이스(4000)는 본 개시에 따른 디스플레이 패널(3000)을 포함한다. 디스플레이 패널(3000)은 도 11에 도시된 바와 같은 디스플레이 패널을 포함할 수 있다.
소정의 특정 실시예를 설명하였지만, 이들 실시예는 단지 예로서 제시된 것이고, 본 개시의 범위를 제한하고자 하는 것은 아니다. 실제로, 본 명세서에 기술된 새로운 실시예는 다양한 다른 형태로 구체화될 수 있다; 더욱이, 본 명세서에 기술된 실시예의 형태에서의 다양한 생략, 대체 및 변경이 본 개시의 사상을 벗어나지 않고 이루어질 수 있다. 첨부된 청구 범위 및 그 등가물은 본 개시의 범위 및 사상 내에 드는 그러한 형태 또는 수정을 커버하도록 의도된다.

Claims (17)

  1. 반도체 디바이스로서: 기판; 상기 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 및 상기 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 포함하고, 상기 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 제1 상부 전극, 및 상기 제1 하부 전극과 상기 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하며,
    상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 상기 제1 광 검출 구조체의 상기 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되고;
    상기 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 다른 하나는 상기 제1 상부 전극으로서 이용되는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광부는 하부면, 상부면, 상기 박막 트랜지스터를 향하는 제1 측면, 및 상기 박막 트랜지스터 반대쪽을 향하는 제2 측면을 가지며, 상기 반도체 디바이스는:
    상기 박막 트랜지스터와 상기 제1 광 검출 구조체 사이에 배치되는 제1 스페이서층을 추가로 포함하고, 상기 제1 스페이서층은 상기 제1 측면을 커버하고 또한 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나를 상기 제1 하부 전극으로부터 이격시키는 반도체 디바이스.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 광 검출 구조체의 상기 제2 측면에 인접한 제2 광 검출 구조체를 추가로 포함하고,
    상기 제2 광 검출 구조체는 제2 하부 전극, 제2 상부 전극, 및 상기 제2 하부 전극과 상기 제2 상부 전극 사이에 배치된 제2 감광부를 포함하며,
    상기 제2 하부 전극 및 상기 제1 하부 전극은 일체를 이루며;
    상기 제2 감광부는 상기 제2 측면 상에서 연장되는 반도체 디바이스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 광 검출 구조체와 상기 제2 광 검출 구조체 사이에 배치된 제2 스페이서층을 추가로 포함하고, 상기 제2 스페이서층은 상기 제2 측면을 커버하고 또한 상기 제1 상부 전극을 상기 제2 감광부로부터 이격시키는 반도체 디바이스.
  5. 제4항에 있어서, 절연층을 추가로 포함하고, 상기 절연층은 제1 부분, 제2 부분, 및 제3 부분을 갖고, 상기 제1 부분은 상기 박막 트랜지스터의 활성층과 게이트 전극 사이에 제공되고, 상기 제2 부분은 상기 제1 상부 전극 위에 놓이고, 상기 제3 부분은 상기 제2 감광부 위에 놓이는 반도체 디바이스.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 감광부는 가시광 감광 재료를 포함하고, 상기 제1 상부 전극은 투명 도전성 재료를 포함하는 반도체 디바이스.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 감광부는 PIN 감광 구조체를 포함하는 반도체 디바이스.
  8. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 감광부는 UV광 감광 재료를 포함하고 상기 제2 상부 전극은 투명 도전성 재료를 포함하는 반도체 디바이스.
  9. 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 활성층 및 상기 제2 광 검출 구조체의 상기 제2 감광부는 인듐 갈륨 아연 산화물을 포함하는 반도체 디바이스.
  10. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 반도체 디바이스를 포함하는 어레이 기판.
  11. 반도체 디바이스를 제조하는 방법으로서: 기판 상의 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터에 인접한 제1 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 광 검출 구조체는 제1 하부 전극, 제1 상부 전극 및 상기 제1 하부 전극과 상기 제1 상부 전극 사이에 배치된 제1 감광부를 포함하고,
    상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 상기 제1 광 검출 구조체의 상기 제1 하부 전극과 동일한 층에 배치되고;
    상기 박막 트랜지스터의 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 다른 하나는 상기 제1 상부 전극으로서 이용되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 광 검출 구조체의 제2 측면에 인접하여 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 제2 광 검출 구조체는 제2 하부 전극, 제2 상부 전극, 상기 제2 하부 전극과 상기 제2 상부 전극 사이에 배치된 제2 감광부를 포함하며,
    상기 제2 하부 전극 및 상기 제1 하부 전극은 일체를 이루며;
    상기 제2 감광부는 상기 제2 측면 상에서 연장되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터와 상기 제2 광 검출 구조체는 동시에 형성되는 반도체 디바이스 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터, 상기 제1 광 검출 구조체 및 상기 제2 광 검출 구조체를 형성하는 단계는,
    기판 상에, 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나인 제1 서브 도전층 및 상기 제1 광 검출 구조체의 제1 하부 전극인 제2 서브 도전층을 형성하는 단계 - 상기 제1 서브 도전층과 상기 제2 서브 도전층 사이에 공간이 배열됨-;
    상기 제2 서브 도전층 상에 상기 제1 감광부를 형성하는 단계;
    상기 제1 상부 전극으로서 기능하는, 제1 감광부 상의 제2 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 감광부 상에 제1 스페이서층 및 제2 스페이서층을 형성하는 단계 - 상기 제1 스페이서층은 상기 제1 감광부의 제1 측면 및 상기 공간을 커버하고, 상기 제2 스페이서층은 상기 제1 감광부의 제2 측면 및 상기 제1 상부 전극의 일부를 커버함 -;
    상기 제1 스페이서층 및 상기 제2 스페이서층 상에 제1 반도체층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계 - 상기 제1 반도체층은 상기 제1 스페이서층 위에 놓이고 또한 상기 제1 상부 전극과 접촉하여 상기 박막 트랜지스터의 활성층으로서 기능하고, 상기 제2 반도체층은 상기 제2 스페이서층 위에 놓여서 상기 제2 광 검출 구조체의 상기 제2 감광부로서 기능함 -;
    상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 상에 제2 캐핑층을 형성하는 단계;
    상기 제2 캐핑층 상에 제3 도전층을 형성하여 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 제2 캐핑층 상에 제4 도전층을 형성하는 단계 - 상기 제4 도전층은 상기 제2 반도체층과 접촉하여 상기 제2 상부 전극으로서의 기능함 -를 포함하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 기판 상에 상기 제1 서브 도전층 및 상기 제2 서브 도전층을 형성하는 단계는:
    상기 기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 도전층을 패터닝하여 상기 공간에 의해 분리된 상기 제1 서브 도전층 및 상기 제2 서브 도전층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 스페이서층을 형성하고 상기 제2 스페이서층을 형성하는 단계는:
    상기 공간, 상기 제1 측면, 상기 제1 상부 전극의 상부면 및 상기 제2 측면 상에 제1 캐핑층을 배치하는 단계; 및
    상기 제1 캐핑층을 패터닝하여 상기 패터닝된 제1 캐핑층이 상기 제1 상부 전극의 상부면 상의 제1 개구를 포함하여 상기 제1 개구에 의해 이격된 상기 제1 스페이서층 및 상기 제2 스페이서층을 형성하도록 하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계는:
    상기 제1 스페이서층 및 상기 제2 스페이서층 상에 반도체 재료층을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 재료층을 패터닝하여 상기 패터닝된 반도체 재료층이 상기 제1 상부 전극의 상부면 상의 제2 개구를 포함하여 상기 제2 개구에 의해 이격된 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층을 형성하도록 하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 개구 및 상기 제1 개구는 정렬되고 상기 제1 반도체층은 상기 제1 상부 전극과 접촉하는 반도체 디바이스 제조 방법.
  16. 제10항에 따른 어레이 기판을 포함하는 디스플레이 패널.
  17. 제16항에 따른 디스플레이 패널을 포함하는 디스플레이 디바이스.
KR1020187011232A 2017-03-13 2017-09-22 반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법 KR102102195B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710146018.6A CN106935601B (zh) 2017-03-13 2017-03-13 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法
CN201710146018.6 2017-03-13
PCT/CN2017/102862 WO2018166166A1 (zh) 2017-03-13 2017-09-22 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180118595A KR20180118595A (ko) 2018-10-31
KR102102195B1 true KR102102195B1 (ko) 2020-04-21

Family

ID=59432118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020187011232A KR102102195B1 (ko) 2017-03-13 2017-09-22 반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10431701B2 (ko)
EP (1) EP3598497B1 (ko)
JP (1) JP7077222B2 (ko)
KR (1) KR102102195B1 (ko)
CN (1) CN106935601B (ko)
WO (1) WO2018166166A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935601B (zh) 2017-03-13 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法
TWI646691B (zh) * 2017-11-22 2019-01-01 友達光電股份有限公司 主動元件基板及其製造方法
CN108231804A (zh) * 2018-01-02 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种光电探测单元及其制造方法、光电探测设备
JP2020004922A (ja) * 2018-07-02 2020-01-09 セイコーエプソン株式会社 光電変換装置、電子機器および光電変換装置の製造方法
CN109166943B (zh) * 2018-09-19 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 探测基板及其制造方法、探测器
KR102551998B1 (ko) 2018-11-20 2023-07-06 엘지디스플레이 주식회사 수직 구조 트랜지스터 및 전자장치
CN109599424B (zh) * 2018-12-06 2021-01-29 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
TWI745119B (zh) * 2020-10-14 2021-11-01 友達光電股份有限公司 感光元件
CN112701149B (zh) 2020-12-29 2022-08-02 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 显示面板及显示装置
CN113325625B (zh) * 2021-06-24 2022-07-29 业成科技（成都）有限公司 显示面板的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050224698A1 (en) 2002-07-10 2005-10-13 Kazuhiro Uehara Method for detecting photoelectric conversion amount and photoelectric converter, method for inputting image and device for inputting image, two-dimesional image sensor and method for driving two-dimensional image sensor
US20080297709A1 (en) 2007-05-29 2008-12-04 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
US20120104405A1 (en) 2010-11-02 2012-05-03 Hee-Dong Choi Array substrate for organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US20170032167A1 (en) 2015-07-31 2017-02-02 Au Optronics Corporation Optical Sensing Device and Fabricating Method Thereof

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2201544A (en) * 1987-02-27 1988-09-01 Philips Electronic Associated Vertical thin film transistor
JPH01192166A (ja) * 1988-01-27 1989-08-02 Toppan Printing Co Ltd 受光素子
JP3144091B2 (ja) * 1992-09-30 2001-03-07 富士ゼロックス株式会社 ２次元イメージセンサ
JP2001326356A (ja) 2000-05-15 2001-11-22 Canon Inc Ｔｆｔマトリックスパネル、および、これを用いた画像表示装置、光電変換装置
US6724010B1 (en) 2000-08-03 2004-04-20 General Electric Company Solid state imager having gated photodiodes and method for making same
JP2002148342A (ja) * 2000-11-07 2002-05-22 Canon Inc 放射線撮像装置
KR100436376B1 (ko) * 2002-03-29 2004-06-19 테스텍 주식회사 접촉발광소자와 ｔｆｔ 지문입력기를 이용한 슬림형지문인식장치
US9577137B2 (en) * 2007-01-25 2017-02-21 Au Optronics Corporation Photovoltaic cells with multi-band gap and applications in a low temperature polycrystalline silicon thin film transistor panel
TWI384277B (zh) * 2007-09-07 2013-02-01 Japan Display West Inc 液晶顯示裝置
KR101579135B1 (ko) * 2008-12-03 2015-12-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2010225735A (ja) * 2009-03-23 2010-10-07 Mitsubishi Electric Corp フォトセンサー及びその製造方法
TWI410703B (zh) * 2009-06-18 2013-10-01 Au Optronics Corp 光學感測元件、其製作方法及光學式觸控裝置
CN101997010B (zh) * 2009-08-11 2012-12-05 元太科技工业股份有限公司 数字x光探测面板及其制作方法
CN103268891B (zh) * 2013-03-28 2016-08-10 北京京东方光电科技有限公司 一种薄膜晶体管、非晶硅平板探测基板及制备方法
CN104078421B (zh) * 2013-03-29 2018-01-30 北京京东方光电科技有限公司 非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置
CN103560135B (zh) * 2013-11-14 2015-12-02 北京京东方光电科技有限公司 一种x射线传感器的阵列基板及其制造方法
CN104897280B (zh) * 2014-03-05 2017-05-03 北京大学深圳研究生院 一种紫外光传感电路及感应系统
US9985061B2 (en) * 2014-03-20 2018-05-29 Sharp Kabushiki Kaisha Light detection device with integrated photodiode and thin film transistor
KR20150114639A (ko) * 2014-04-01 2015-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP2016122732A (ja) 2014-12-25 2016-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置
TWI574374B (zh) * 2015-09-09 2017-03-11 友達光電股份有限公司 製作光學感測元件與薄膜電晶體元件的方法
US10355040B2 (en) * 2016-02-29 2019-07-16 Sharp Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device
CN106129069B (zh) * 2016-07-26 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 一种指纹识别器、其制作方法及显示装置
CN106935601B (zh) * 2017-03-13 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 半导体器件、阵列基板和半导体器件的制造方法
TWI613804B (zh) * 2017-09-04 2018-02-01 友達光電股份有限公司 光感測裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050224698A1 (en) 2002-07-10 2005-10-13 Kazuhiro Uehara Method for detecting photoelectric conversion amount and photoelectric converter, method for inputting image and device for inputting image, two-dimesional image sensor and method for driving two-dimensional image sensor
US20080297709A1 (en) 2007-05-29 2008-12-04 Seiko Epson Corporation Liquid crystal device and electronic apparatus
US20120104405A1 (en) 2010-11-02 2012-05-03 Hee-Dong Choi Array substrate for organic electroluminescent device and method of fabricating the same
US20170032167A1 (en) 2015-07-31 2017-02-02 Au Optronics Corporation Optical Sensing Device and Fabricating Method Thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP3598497A4 (en) 2020-12-30
EP3598497B1 (en) 2024-08-28
US10431701B2 (en) 2019-10-01
CN106935601B (zh) 2019-08-23
EP3598497A1 (en) 2020-01-22
WO2018166166A1 (zh) 2018-09-20
US20190044007A1 (en) 2019-02-07
JP2020512678A (ja) 2020-04-23
KR20180118595A (ko) 2018-10-31
JP7077222B2 (ja) 2022-05-30
CN106935601A (zh) 2017-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102102195B1 (ko) 반도체, 어레이 기판 및 반도체 디바이스를 제조하는 방법
JP2020038679A (ja) 表示装置
US9280026B2 (en) Pixel structure and display panel
US20130088460A1 (en) Optical touch screen apparatus and method of manufacturing the optical touch screen apparatus
TWI465979B (zh) 觸控面板
JP5284553B2 (ja) 半導体装置および表示装置
KR20180124607A (ko) 표시 장치
JP7250558B2 (ja) 表示装置及び半導体装置
WO2015087586A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2008096523A (ja) 表示装置
US10347683B2 (en) Photo detector device
JP2020202223A (ja) 半導体装置
KR101955336B1 (ko) 광 센싱 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 채용한 디스플레이 패널
JP5964738B2 (ja) 薄膜トランジスタを採用したディスプレイパネル
KR102410616B1 (ko) 박막트랜지스터, 이의 제조 방법, 및 박막트랜지스터를 포함하는 표시장치
US8810762B2 (en) Display device equipped with touch sensor
JP2010251496A (ja) イメージセンサー
KR20220106264A (ko) 표시 장치 및 포토 마스크
TWI542016B (zh) 薄膜電晶體及顯示面板
KR102068275B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
WO2021111805A1 (ja) 半導体装置
KR102138037B1 (ko) 박막트랜지스터, 이를 포함하는 표시패널 및 박막트랜지스터 제조방법
US11489085B1 (en) Light sensing device having offset gate electrode and light sensing panel using the same
US12046688B2 (en) Light sensing unit of light sensing device
WO2024190878A1 (ja) 二次元フォトセンサ内蔵ディスプレイ及び二次元フォトセンサ内蔵ディスプレイの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant