CN101997010B - 数字x光探测面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种数字X光探测面板及其制作方法，该数字X光探测面板，其包括一光波长转换层以及一光电探测器阵列基板。光波长转换层用于将X光转换为可见光。光电探测器阵列基板设置于光波长转换层的下方，其包括一基板与设置于基板且呈阵列排列的多个光电探测单元。每一光电探测单元包括一薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的一光二极管。薄膜晶体管包括一氧化物半导体层。此数字X光探测面板可避免于薄膜晶体管产生光电流，从而提高X光探测效果。本发明还涉及一种数字X光探测面板的制作方法。

Description

数字X光探测面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及一种数字X光探测装置，特别是涉及一种数字X光探测面板及其制作方法。

背景技术

数字X光探测器由于无损检测的特性在许多领域得到广泛的应用。现有习知的数字X光探测器通常包括一数字X光探测面板以及与数字X光探测面板电性连接的一感测驱动电路。数字X光探测面板将光信号转换成电信号，并将电信号传递至感测驱动电路，从而获得相应的图像资讯。而数字X光探测面板通常包括一光波长转换层以及一光电探测器阵列基板(photodetector array substrate)。光波长转换层用于将X光转换为可见光。光电探测器阵列基板设置于光波长转换层的下方，并用于将可见光转换成相应的电信号。光电探测器阵列基板通常包括一基板与设置于基板且呈阵列排列的多个光电探测器。

请参阅图1所示，为现有习知数字X光探测面板的其中一个光电探测器的结构示意图。现有习知数字X光探测面板的每一光电探测器100设置于基板105上，光电探测器100包括一非晶硅薄膜晶体管(amorphoussilicon thin film transistor，a-Si TFT)110以及与非晶硅薄膜晶体管110电性连接的一光二极管(photo diode)120。其中，非晶硅薄膜晶体管110包括依序形成于基板上的一第一金属层111、一绝缘层112、一非晶硅层113、一欧姆接触层114以及一第二金属层115。

承上述，非晶硅薄膜晶体管110通过第二金属层115电性连接至对应的光二极管120。然而，由于非晶硅材料具有感光的特性，所以X光被光波长转换层130转换成波长约为550纳米的可见光后，可见光会对非晶硅薄膜晶体管110的非晶硅层113造成光电流，而使得非晶硅薄膜晶体管110漏电，进而导致数字X光探测面板的感测效果不良。为解决此问题，现有习知技术通常需于对应非晶硅薄膜晶体管110区域上方再制做一层金属层140来遮挡光线，以避免可见光照射到非晶硅薄膜晶体管110。

由于现有习知技术需要另外制作金属层140，所以会造成现有习知数字X光探测面板的工艺(即制程，本文均称为工艺)变得更复杂，从而导致制作成本增加，且生产效率降低。

此外，现有习知数字X光探测面板的非晶硅薄膜晶体管110的非晶硅层113的形成方法为等离子体化学气相沉积法(plasma enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)。由于PECVD的工艺温度较高(约在摄氏380度左右)，所以制作非晶硅层113时的高温可能会影响数字X光探测面板其他结构材料的性能，从而对数字X光探测面板的品质造成不良的影响。

由此可见，上述现有的数字X光探测面板及其制作方法在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的数字X光探测面板及其制作方法，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的数字X光探测面板存在的缺陷，而提供一种新型的数字X光探测面板，所要解决的技术问题是使其防止薄膜晶体管因可见光照射而产生光电流，从而有效提高探测准确度，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，克服现有的数字X光探测面板的制作方法存在的缺陷，而提供一种新型的数字X光探测面板的制作方法，所要解决的技术问题是使其提升生产效率，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种数字X光探测面板，其包括一光波长转换层以及一光电探测器阵列基板。光波长转换层用于将X光转换为可见光。光电探测器阵列基板设置于光波长转换层的下方，其包括一基板与设置于基板且呈阵列排列的多个光电探测单元。每一光电探测单元包括一薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的一光二极管，其中薄膜晶体管包括一氧化物半导体层。

在本发明的一实施例中，上述的数字X光探测面板更包括一感测驱动集成电路，其电性连接至光电探测器阵列基板。

在本发明的一实施例中，上述的每一薄膜晶体管更包括一第一金属层、一第一绝缘层以及一第二金属层。第一金属层设置于基板上。第一绝缘层设置于基板上，且覆盖第一金属层。氧化物半导体层设置于第一绝缘层上，且位于第一金属层上方。第二金属层设置于第一绝缘层上，且覆盖部分氧化物半导体层。每一薄膜晶体管通过第二金属层电性连接至对应的光二极管。

在本发明的一实施例中，上述的每一光二极管为一NIP型光二极管。NIP型光二极管包括一n型掺杂非晶硅半导体层、一非晶硅本质层(intrinsic layer)、一p型掺杂非晶硅半导体层以及一透明电极层。n型掺杂非晶硅半导体层设置于对应的薄膜晶体管的第二金属层上。非晶硅本质层设置于n型掺杂非晶硅半导体层上。p型掺杂非晶硅半导体层设置于非晶硅本质层上。透明电极层设置于p型掺杂非晶硅半导体层上。

在本发明的一实施例中，上述的每一光二极管为一MIS型光二极管。MIS型光二极管包括一绝缘层、一非晶硅本质层、一n型掺杂非晶硅半导体层以及一透明电极层。绝缘层设置于对应的薄膜晶体管的第二金属层上。非晶硅本质层设置于绝缘层上。n型掺杂非晶硅半导体层设置于非晶硅本质层上。透明电极层设置于n型掺杂非晶硅半导体层上。

在本发明的一实施例中，上述的光电探测器阵列基板更包括一第二绝缘层以及一保护层。第二绝缘层覆盖薄膜晶体管及光二极管。第二绝缘层具有对应光二极管的多个第一开口。每一第一开口暴露出对应的光二极管的一部分。保护层设置于第二绝缘层上，且具有对应该些第一开口的多个第二开口。

在本发明的一实施例中，上述的氧化物半导体层的材质为非晶态铟镓锌氧化物(amorphous In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)。

在本发明的一实施例中，上述的氧化物半导体层的厚度介于500埃(angstrom)至1500埃。

在本发明的一实施例中，上述的氧化物半导体层的厚度介于600埃至900埃。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种数字X光探测面板的制作方法，其包括以下步骤：在一基板上形成多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管的一氧化物半导体层的形成方法为进行一溅镀工艺；以及在这些薄膜晶体管的第二金属层上分别形成一光二极管。

在本发明的一实施例中，上述的氧化物半导体层的材质为非晶态铟镓锌氧化物(amorphous In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)。

在本发明的一实施例中，进行上述的溅镀工艺时的温度为室温。

在本发明的一实施例中，进行上述的溅镀工艺时所用的溅镀气体包括氧气与氩气，氧气与总溅镀气体的比值介于0.02至0.15。

在本发明的一实施例中，进行上述的溅镀工艺时所用的溅镀气体包括氧气与氩气，氧气与总溅镀气体的比值介于0.03至0.09。

在本发明的一实施例中，上述的数字X光探测面板的制作方法更包括以下步骤：形成覆盖薄膜晶体管与光二极管的一绝缘层，其中绝缘层具有对应光二极管的多个第一开口，且每一第一开口暴露出对应的光二极管的一部分；以及在绝缘层上形成一保护层，其中部分保护层位于薄膜晶体管上方，且保护层具有对应第一开口的多个第二开口。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本发明数字X光探测面板及其制作方法至少具有下列优点及有益效果：

本发明的数字X光探测面板，其薄膜晶体管的半导体层为氧化物半导体层。由于氧化物半导体层对X光经过光波长转换层后形成的可见光不会产生光电流，所以薄膜晶体管不会产生漏电。如此，不需在薄膜晶体管上方再制作一层金属层来遮挡光线即可有效提高探测准确度。此外，本发明的数字X光探测面板的制作方法由于不需在薄膜晶体管上再另外制作一层金属层来遮挡光线及欧姆接触层，所以能提升数字X光探测面板的生产效率，并降低数字X光探测面板的生产成本。

综上所述，本发明一种数字X光探测面板及其制作方法，可防止薄膜晶体管因可见光照射而产生光电流，从而有效提高探测准确度，提升生产效率。本发明在技术上有显著的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1绘示为现有习知数字X光探测面板的对应一个光电探测单元的结构示意图。

图2是本发明一实施例的一种数字X光探测面板的示意图。

图3为图2的一个像素的剖面示意图。

图4是本发明另一实施例的一种X光探测面板的一个像素的剖面示意图。

100：现有习知光电探测器            105：基板

110：非晶硅薄膜晶体管              111：第一金属层

112：绝缘层                        114：欧姆接触层

115：第二金属层                    113：非晶硅层

120：光二极管                      130：光波长转换层

200、200a：数字X光探测面板         202：像素

210：光波长转换层                  220：光电探测器阵列基板

222：基板                          224：光电探测单元

225：薄膜晶体管                    226、226a：光二极管

2251：第一金属层                   2252：第一绝缘层

2253：氧化物半导体层               2254：第二金属层

2261、2267：n型掺杂非晶硅半导体层

2262、2266：非晶硅本质层   2263：p型掺杂非晶硅半导体层

2264、2268：透明电极层     2265：绝缘层

227：第二绝缘层            2271：第一开口

228：保护层                2281：第二开口

230：感测驱动集成电路

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的数字X光探测面板及其制作方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

请先参阅图2所示，图2是本发明一实施例的一种数字X光探测面板的示意图，而图3为图2的一个像素的剖面示意图。本实施例的数字X光探测面板200包括多个像素202，且每一个像素202对应的结构相同，且故在下文中，将以200的一个像素202的结构来说明本实施例的数字X光探测面板200的结构。

请参阅图3所示，本实施例的数字X光探测面板200包括一光波长转换层210以及一光电探测器阵列基板220。光电探测器阵列基板220设置于光波长转换层210的下方。

光波长转换层210材料通常为本领域常用的硫氧化钆(Gd₂O₂S，GOS)，但不以此为限。光波长转换层210用于将探测的X光转换为可见光，亦即用于探测的X光通过光波长转换层210后会变成可见光，其波长例如约为550纳米(nanometer)，但不以此为限。

光电探测器阵列基板220用于将通过光波长转换层210所形成的可见光信号转换成相应的电信号。光电探测器阵列基板220包括一基板222与设置于基板222的一光电探测单元224。本实施例的数字X光探测面板200的多个光电探测单元224例如呈阵列排列。基板222可为一透明玻璃基板，但不以此为限。光电探测单元224包括一薄膜晶体管225以及与薄膜晶体管225电性连接的一光二极管226。

承上述，薄膜晶体管225设置于基板222上，其包括一第一金属层2251、一第一绝缘层2252、一氧化物半导体层2253以及一第二金属层2254。第一金属层2251设置于基板222上。第一绝缘层2252设置于基板222上，且覆盖第一金属层2251。氧化物半导体层2253设置于第一绝缘层2252上，且位于第一金属层2251上方。第二金属层2254设置于第一绝缘层2252上，且覆盖部分氧化物半导体层2253。薄膜晶体管225通过第二金属层2254电性连接至对应的光二极管226。

第一金属层2251的材质例如选自钼(Mo)、铬(Cr)及其的组合所组成的族群。第一金属层2251的厚度例如是介于1700埃至2300埃，较佳的厚度约为2000埃。第一绝缘层2252的材质可为氮化硅(Si₃N₄)、二氧化硅(Si0₂)或其他合适的材质。第一绝缘层2252的厚度例如是介于1500埃至2500埃，较佳的厚度约为2000埃。氧化物半导体层2253的材质为非晶态铟镓锌氧化物(amorphous In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)或其他受可见光照射后不易产生光电流的材质。氧化物半导体层2253的厚度例如是介于500埃至1500埃，较佳的是厚度介于600埃至900埃。第二金属层2254的材质例如选自钼、铬及其的组合所组成的族群。第二金属层2254的厚度例如是介于1700埃至2300埃，较佳的厚度约为2000埃。

上述的光二极管226为一NIP型光二极管。NIP型光二极管包括一n型掺杂非晶硅半导体层2261、一非晶硅本质层2262、一p型掺杂非晶硅半导体层2263以及一透明电极层2264。n型掺杂非晶硅半导体层2261设置于对应的薄膜晶体管225的第二金属层2254上。非晶硅本质层2262设置于n型掺杂非晶硅半导体层2261上。p型掺杂非晶硅半导体层2263设置于非晶硅本质层2262上。透明电极层2264设置于p型掺杂非晶硅半导体层2263上。透明电极层2264材质为铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)。

此外，如图4所示，在本发明的另一实施例中，数字X光探测面板200a的每一光二极管226a还可为一MIS型光二极管。MIS型光二极管包括一绝缘层2265、一非晶硅本质层2266、一n型掺杂非晶硅半导体层2267以及一透明电极层2268。绝缘层2265设置于对应的薄膜晶体管225的第二金属层2254上。非晶硅本质层2266设置于绝缘层2265上。n型掺杂非晶硅半导体层2267设置于非晶硅本质层2266上。透明电极层2268设置于n型掺杂非晶硅半导体层2267上。

上述的光电探测器阵列基板220可更包括一第二绝缘层227以及一保护层228。第二绝缘层227覆盖薄膜晶体管225及光二极管226。第二绝缘层227具有对应多个光二极管226的多个第一开口2271。每一光二极管226的一部分被对应的第一开口2271所暴露。保护层228设置于第二绝缘层227上，且具有对应这些第一开口2271的多个第二开口2281。每一第一开口2271与对应的每一第二开口2281形成一光通道，以使可见光可顺利到达光二极管226。需注意的是，由于图2为本发明一实施例的一种数字X光探测面板的对应一个像素的结构剖面示意图，因此仅显示对应一个光电探测单元224的部分第二绝缘层227以及保护层228。

第二绝缘层227的材质为氮化硅(Si₃N₄)、二氧化硅(SiO₂)或其他合适的材质。第二绝缘层227的厚度介于2200埃至2800埃，较佳的厚度是2500埃。保护层228的材质为二氧化硅(SiO₂)。保护层228的厚度例如是介于1000埃至2000埃，较佳的厚度是1500埃。

请再参阅图2所示，本实施例的数字X光探测面板200可更包括至少一感测驱动集成电路230，其电性连接至光电探测器阵列基板220。在本实施例的数字X光探测面板200中，用于探测的X光若未被物体阻挡则会穿过光波长转换层210并被转换成可见光。光电探测器阵列基板220将用于将穿过光波长转换层210所形成的可见光信号转换成相应的电信号。具体而言，光电探测器阵列基板220的每一光二极管226感测到通过光波长转换层210所形成的可见光信号后，会将可见光信号转换成相应的电信号。电信号会通过相应的薄膜晶体管225的第二金属层2254而传递到相应的薄膜晶体管225。由于接收到电信号的薄膜晶体管225及未接收到电信号的薄膜晶体管225的开关状态不同，所以感测驱动集成电路230可根据各薄膜晶体管225的开关状态而发送数字信号至电脑，以使电脑获得图像。

因为本实施例的薄膜晶体管225的半导体层为非晶态铟镓锌氧化物(amorphous In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)半导体层2253，而氧化物半导体层2253不会因可见光照射而产生光电流，所以能防止薄膜晶体管225产生漏电，进而提高本实施例的数字X光探测面板200的准确度。此外，由于本实施例的数字X光探测面板200不需用来遮挡光线的第三金属层且薄膜晶体管225不需欧姆接触层，所以可提高生产效率并降低生产成本。

下文将配合图3来说明本发明的一种数字X光探测面板的制作方法。本实施例的数字X光探测面板200的制作方法包括以下步骤：

首先，在一基板222上形成多个呈阵列排列的薄膜晶体管225，其中每一薄膜晶体管225的一氧化物半导体层2253的形成方法为进行一溅镀工艺。

接着，在这些薄膜晶体管225的第二金属层2254上分别形成一光二极管226。

具体而言，形成薄膜晶体管225的步骤例如是先在基板222上形成第一金属层2251，接着在基板222上形成第一绝缘层2252，并使其覆盖第一金属层2251。之后，在第一绝缘层2252上形成氧化物半导体层2253，且氧化物半导体层2253是形成于第一金属层2251的上方。其中，氧化物半导体层2253的形成方法是进行一溅镀工艺。溅镀氧化物半导体层2253时的工艺温度约为室温。溅镀氧化物半导体层2253时所用的溅镀气体包括氧气(O₂)与氩气(Ar)，氧气(O₂)与总溅镀气体(O₂+Ar)的比值例如是介于0.02至0.15，较佳的比值是介于0.03至0.09。然后，于第一绝缘层2252上形成第二金属层2254，且第二金属层2254覆盖部分氧化物半导体层2253。

经过上述步骤即可完成光探测单元224的薄膜晶体管225的制作。然后再在薄膜晶体管225的第二金属层2254上形成一光二极管226，使薄膜晶体管225通过第二金属层2254电性连接至对应的光二极管226，从而完成光探测单元224的制作。

此外，上述的数字X光探测面板200的制作方法可更包括以下步骤：

形成覆盖薄膜晶体管225与光二极管226的一第二绝缘层227，并在第二绝缘层227上形成对应光二极管226的第一开口2271，以使光二极管226的一部分从第一开口2271暴露出来；以及

在第二绝缘层227上形成一保护层228，并在保护层228形成对应第一开口2271的第二开口2281。

由于本实施例的种数字X光探测面板的制作方法不包括制作用以遮挡光线的第三金属层的步骤，所以可提高生产效率，进而降低数字X光探测面板200的生产成本。

综上所述，本发明至少具有下列优点：

1.本发明的数字X光探测面板因采用非晶态铟镓锌氧化物(amorphousIn₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)半导体层作为薄膜晶体管的半导体层，所以能防止半导体层被可见光照射而产生光电流，如此可有效提高探测准确性。

2.本发明的数字X光探测面板不需用来遮挡光线的第三金属层及薄膜晶体管的欧姆接触层，所以可降低生产成本。

3.本发明的数字X光探测面板的制作方法不需在薄膜晶体管上再另外制做第三金属层来遮挡光线且薄膜晶体管不需欧姆接触层，所以能提升生产效率。

4.本发明的数字X光探测面板的制作方法中，形成薄膜晶体管的非晶态铟镓锌氧化物(amorphous In₂O₃-Ga₂O₃-ZnO，InGaZnO₄)半导体层时的温度较低，所以可有效避免高温对材料性能的影响，从而有效提升数字X光探测面板的品质。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种数字X光探测面板，其特征在于其包括：

一光波长转换层，用于将X光转换为可见光；以及

一光电探测器阵列基板，设置于该光波长转换层的下方，该光电探测器阵列基板包括一基板与设置于该基板且呈阵列排列的多个光电探测单元，每一光电探测单元包括一薄膜晶体管以及与该薄膜晶体管电性连接的一光二极管，其中该薄膜晶体管包括一受可见光照射后不易产生光电流的氧化物半导体层。

2.根据权利要求1所述的数字X光探测面板，其特征在于其更包括一感测驱动集成电路，电性连接至该光电探测器阵列基板。

3.根据权利要求1所述的数字X光探测面板，其特征在于其中每一薄膜晶体管更包括：

一第一金属层，设置于该基板上；

一第一绝缘层，设置于该基板上，且覆盖该第一金属层，该氧化物半导体层设置于该第一绝缘层上，且位于该第一金属层上方；以及

一第二金属层，设置于该第一绝缘层上，且覆盖部分该氧化物半导体层，其中该薄膜晶体管通过该第二金属层电性连接至对应的该光二极管。

4.根据权利要求3所述的数字X光探测面板，其特征在于其中其中每一光二极管为一NIP型光二极管或一MIS型光二极管，且该NIP型光二极管包括：

一n型掺杂非晶硅半导体层，设置于对应的该薄膜晶体管的该第二金属层上；

一非晶硅本质层，设置于该n型掺杂非晶硅半导体层上；

一p型掺杂非晶硅半导体层，设置于该非晶硅本质层上；以及

一透明电极层，设置于该p型掺杂非晶硅半导体层上；

而该MIS型光二极管包括：

一绝缘层，设置于对应的该薄膜晶体管的该第二金属层上；

一非晶硅本质层，设置于该绝缘层上；

一n型掺杂非晶硅半导体层，设置于该非晶硅本质层上；以及

一透明电极层，设置于该n型掺杂非晶硅半导体层上。

5.根据权利要求3所述的数字X光探测面板，其特征在于其中所述的光电探测器阵列基板更包括：

一第二绝缘层，覆盖该些薄膜晶体管及该些光二极管，该第二绝缘层具有对应该些光二极管的多个第一开口，而每一第一开口暴露出对应的该光二极管的一部分；以及

一保护层，设置于该第二绝缘层上，且该保护层具有对应该些第一开口的多个第二开口。

6.根据权利要求1所述的数字X光探测面板，其特征在于其中所述的氧化物半导体层的材质为非晶态铟镓锌氧化物，该氧化物半导体层的厚度介于500埃至1500埃。

7.根据权利要求1所述的数字X光探测面板，其特征在于其中所述的氧化物半导体层的厚度介于600埃至900埃。

8.一种数字X光探测面板的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：

在一基板上形成多个薄膜晶体管，其中每一薄膜晶体管的一受可见光照射后不易产生光电流的氧化物半导体层的形成方法为进行一溅镀工艺；以及

在该些薄膜晶体管的第二金属层上分别形成一光二极管。

9.根据权利要求8所述的数字X光探测面板的制作方法，其特征在于其中所述的氧化物半导体层的材质为非晶态铟镓锌氧化物，进行该溅镀工艺时的温度为室温，进行该溅镀工艺时所用的溅镀气体包括氧气与氩气，氧气与总溅镀气体的比值介于0.02至0.15，进行该溅镀工艺时所用的溅镀气体包括氧气与氩气，氧气与总溅镀气体的比值介于0.03至0.09。

10.根据权利要求8所述的数字X光探测面板的制作方法，其特征在于其更包括：

形成覆盖该些薄膜晶体管与该些光二极管的一绝缘层，其中该绝缘层具有对应该些光二极管的多个第一开口，且每一第一开口暴露出对应的该光二极管的一部分；以及

在该绝缘层上形成一保护层，其中部分该保护层位于该些薄膜晶体管上方，且该保护层具有对应该些第一开口的多个第二开口。

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