KR102028235B1 - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102028235B1
KR102028235B1 KR1020160042783A KR20160042783A KR102028235B1 KR 102028235 B1 KR102028235 B1 KR 102028235B1 KR 1020160042783 A KR1020160042783 A KR 1020160042783A KR 20160042783 A KR20160042783 A KR 20160042783A KR 102028235 B1 KR102028235 B1 KR 102028235B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mark
mold
substrate
detection
alignment
Prior art date
Application number
KR1020160042783A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160120676A (ko
Inventor
다카미츠 고마키
요시유키 우스이
노조무 하야시
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20160120676A publication Critical patent/KR20160120676A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102028235B1 publication Critical patent/KR102028235B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G03F7/706—Aberration measurement
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

임프린트재 상에 패턴을 형성하는 임프린트 장치는 마크 쌍을 형성하는, 몰드 상에 형성된 몰드측 마크 및 기판 상에 형성된 기판측 마크를 검출하고 검출 결과에 기초하여 몰드 및 기판을 정렬하는 정렬 유닛을 포함한다. 정렬 유닛은 제1 마크 쌍의 검출 결과, 및 제1 마크 쌍과 상이한 제2 마크 쌍의 검출 결과를 사용하여, 동일한 방향에서의 제1 마크 쌍의 위치 어긋남 정보 및 제2 마크 쌍의 위치 어긋남 정보를 획득하고, 제1 마크 쌍의 위치 어긋남 정보 및 제2 마크 쌍의 위치 어긋남 정보를 이용하여 판정값을 획득하고, 판정값이 허용 가능한 범위 내에 있지 않은 경우 마크 검출이 이상이라고 판정한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
광 임프린트 공정은 기판 상에 패턴을 형성하기 위한 방법이다. 광 임프린트 공정에서, 그 표면에 부조(relief)가 형성된 몰드("마스크"로도 지칭됨)는 기판 상에 도포된 광 경화성 수지(임프린트재)와 접촉하고 자외광 등의 광이 그 위에 조사되어 광 경화성 수지를 경화시킨다. 그리고, 광경화성 수지로부터 몰드를 제거함으로써, 높은 부분 및 낮은 부분이 몰드 상의 패턴의 높은 부분 및 낮은 부분과 반전된 패턴이 기판 상에 형성된다.
경화 수지의 방법 및 목적에 따라서 다양한 임프린트 장치가 제안되어 왔다. 반도체 디바이스를 제조하기 위한 장치 등의 대량 생산 장치에 대해, 스텝-앤드-플래쉬(step-and-flash) 임프린트 리소그래피(이후, SFIL)가 유효하다.
이러한 임프린트 장치는 몰드 상의 패턴을 기판의 샷 영역과 정렬하기 위해 다이-바이-다이(die-by-die) 정렬 방법을 채용한다. 이 방식에서, 기판의 샷 영역마다, 모드에 구비된 몰드측 마크 및 기판에 구비된 기판측 마크가 광학적으로 검출되고, 몰드의 패턴과 기판의 샷 영역 사이의 위치 어긋남 및 형상 차이가 보정된다.
정렬 정밀도를 유지하기 위해, 광학 검출에 의해 획득되는 마크 파형은 마크 등의 형상을 근사할 필요가 있다. 일본 특허 공개 제2006-294854호는 이상이 있는 마크 (파형) 스코어(마크 파형 유사성을 나타냄)를 정상인 마크 (파형) 스코어와 구별되어, 정상인 스코어를 갖는 마크만을 정렬을 위해 사용하는 정렬 방법을 개시한다.
임프린트 장치에서, 가끔씩 기판의 샷 영역과 몰드 상의 패턴 사이의 정렬이 적절히 수행되지 않아 정렬 정밀도가 감소된다. 이 원인은, 예를 들어 몰드측 마크와 기판측 마크(마크 쌍) 사이에 포획된 이물질에 의해 발생되는 정렬 마크 검출 이상이다.
이러한 임프린트 장치에 일본 특허 공개 제2006-294854호에 개시된 방법이 적용되는 경우, 마크 파형 가능성을 나타내는 스코어가 정상이더라도, 계측 오차(마크 검출 이상), 즉 정렬 마크의 위치를 적절히 계측할 수 없는 것이 발생하여 정렬 정밀도가 저하된다.
본 발명은 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있는 임프린트 장치를 제공한다.
임프린트 장치는 임프린트 상에 패턴을 형성하도록 기판 상의 임프린트재 및 몰드를 서로 접촉시키도록 구성된다. 장치는 정렬 유닛을 포함하고, 정렬 유닛은 마크 쌍을 형성하는, 몰드에 형성된 몰드측 마크 및 기판에 형성된 기판측 마크를 검출하고, 검출 결과에 기초하여 몰드 및 기판을 정렬한다. 정렬 유닛은 제1 마크 쌍의 검출 결과, 및 제1 마크 쌍과 상이한 제2 마크 쌍의 검출 결과를 사용하여, 동일한 방향에서의 제1 마크 쌍의 위치 어긋남 정보 및 제2 마크 쌍의 위치 어긋남 정보를 획득하고, 제1 마크 쌍의 위치 어긋남 정보 및 제2 마크 쌍의 위치 어긋남 정보를 이용하여 판정값을 획득하고, 판정값이 허용 가능한 범위 내에 있지 않은 경우 마크 검출은 이상이라고 판정한다.
본 발명의 추가 특징은 첨부 도면을 참조하여 예시적인 실시예의 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 예시적인 구성의 도시도.
도 2는 제1 실시예에 따르는 임프린트 처리 및 정렬 처리의 예시적인 흐름의 도시도.
도 3a 내지 도 3c는 제1 실시예에 따르는 임프린트 처리에서 사용되는 몰드, 수지, 및 기판의 예의 도시도.
도 4는 제1 실시예에 따르는 정렬 마크 배열예의 도시도.
도 5는 제1 실시예에 따르는 정렬 마크 상세예의 도시도.
도 6은 제1 실시예에 따르는 샷 영역 및 칩 영역의 배열예의 도시도.
도 7은 제2 실시예의 정렬 처리의 예시적인 흐름의 도시도.
도 8은 제3 실시예에 따르는 임프린트 처리의 예시적인 흐름의 도시도.
도 9는 제4 실시예에 따르는 정렬 처리의 예시적인 흐름의 도시도.
도 10은 제5 실시예에 따르는 임프린트 처리의 예시적인 흐름의 도시도.
본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 이후 상세히 설명될 것이다.
제1 실시예
도 1 내지 도 6을 사용하여, 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치가 설명될 것이다.
도 1은 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치의 예시적인 구성을 도시한다. 도 1에 도시된 장치는 자외광(UV 광)의 조사에 의해 수지(임프린트재)를 경화시키는 UV 광 경화형 임프린트 장치이다. 그러나, 본 실시예에 따르는 정렬 방법은 다른 파장 영역의 광의 조사에 의해 수지를 경화시키는 임프린트 장치, 열 에너지 등의 다른 에너지에 의해 수지를 경화시키는 임프린트 장치, 및 기타 장치에 적용 가능하다.
임프린트 장치(100)는 임프린트 사이클을 반복함으로써 기판의 복수의 샷 영역에 패턴을 형성하도록 구성된다. 여기서, 하나의 임프린트 사이클에서, 몰드(제1 물체)가 수지에 대해 가압되고, 이 상태에서 수지가 경화되어, 기판(제2 물체)의 하나의 샷 영역에 패턴을 형성한다. 임프린트 장치(100)는 예를 들어 경화부(120), 몰드 구동부(130), 형상 보정부(140), 구동부(160), 검출부(170), 수지 공급부(180), 관찰부(190), 및 제어부(CNT)를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(100)는 도시되지 않은, 몰드 구동부(130)를 보유 지지하기 위한 브릿지 정반(bridge platen) 및 구동부(160)를 보유 지지하기 위한 베이스 정반을 포함한다.
경화부(120)는 몰드(M)를 개재해서 수지(R)에 UV 광을 조사하여 수지(R)를 경화시킨다. 본 실시예에서, 수지(R)는 자외선 경화성 수지이다. 경화부(120)는 예를 들어, 광원부(110) 및 제1 광학계(112)를 포함할 수 있다. 광원부(110)는 예를 들어 i선, g선, 또는 다른 파장의 UV 광을 발생시키는 수은 램프 등의 광원, 및 광원에 의해 발생된 광을 집광하는 타원 미러를 포함할 수 있다. 제1 광학계(112)는 수지(R)를 경화시키기 위해 광을 샷 영역 내의 수지(R)에 조사하기 위한 렌즈, 조리개, 및 하프 미러(HM)를 포함할 수 있다. 조리개는 주로 원주부 차폐 제어를 위해 사용된다. 원주부 차폐 제어에 의해 UV 광이 기판(W)의 샷 영역 이외의 영역 상에 조사되는 것을 제한한다. 제1 광학계(112)는 몰드(M)를 균일하게 조명하기 위해 광학 적분기를 포함할 수 있다. 조리개에 의해 원주부가 규정된 광은 결상계 및 몰드(M)를 개재해서 기판(W)의 수지(R) 상에 입사한다.
몰드 구동부(130)는 예를 들어 몰드(M)를 보유 지지하는 몰드 척(132), 몰드 척(132)을 구동함으로써 몰드(M)를 구동하는 몰드 구동 기구(134), 및 몰드 구동 기구(134)을 지지하는 몰드 베이스(136)를 포함할 수 있다. 몰드 구동 기구(134)는 몰드(M)의 위치를 6축에 관해서 제어하는 위치 결정 기구 및, 몰드(M)를 기판(W) 또는 기판 상의 수지(R)에 대해 가압하고 몰드(M)를 경화된 수지(R)으로부터 분리하는 기구를 포함할 수 있다. 여기서, 6축은 몰드 척(132)의 지지면(기판(W)이 지지되는 면)이 XY 평면으로 기능하고 이에 수직 방향이 Z축인 XYZ 좌표계 내에서, X축, Y축, Z축 및 이들 축 중심의 회전을 포함한다.
형상 보정부(140)가 몰드 척(132)에 장착될 수 있다. 형상 보정부(140)는 공기나 오일과 같은 유체에 의해 이동되는 예를 들어 실린더 또는 압전 소자를 사용하여 이의 외측 원주부로부터 몰드(M)에 압력을 인가함으로써 몰드(M)의 형상을 보정할 수 있다. 또한, 형상 보정부(140)는 몰드(M)의 온도를 제어하는 온도 제어부를 포함하고 몰드(M)의 온도를 제어함으로써 몰드(M)의 형상을 보정할 수 있다. 기판(W)은 열처리 등의 프로세스를 통해 변형(전형적으로, 팽창 또는 수축)될 수 있다. 형상 보정부(140)는 기판(W)의 변형에 응답하여, 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위에 들어가도록 몰드(M)의 형상을 보정한다.
구동부(160)는 예를 들어 흡착에 의해 기판(W)을 보유 지지하는 기판 척(162)(기판 홀더), 기판 척(162)을 보유 지지하여 이동시킴으로써 기판(W)을 이동시키는 기판 스테이지(164), 및 스테이지 구동 기구(미도시)를 포함할 수 있다. 스테이지 구동 기구는 기판 스테이지(164)의 위치를 상술된 6축에 관해 제어함으로써 기판(W)의 위치를 제어하는 위치 결정 기구를 포함할 수 있다.
검출부(170)는 예를 들어 정렬 스코프(172), 정렬 스테이지 기구(174), 및 제2 광학계(175)를 포함할 수 있다. 정렬 스코프(172)는 몰드(M)에 형성된 정렬 마크 및 기판(W)에 형성된 정렬 마크를 몰드(M)를 개재해서 검출한다. 정렬 스코프(172)는 스코프 자체가 이동하여 미리 정해진 영역 내의 원하는 위치에서 몰드(M) 및 기판(W)의 상대 위치가 관찰되도록 할 수 있는 자동 조절 스코프(AAS)를 각각 포함할 수 있다. 정렬 스코프(172)는 광을 검출하고 광을 전하로 변환함으로써 촬상하는 촬상 소자를 더 포함할 수 있다. 정렬 스테이지 기구(174)는 정렬 스코프(172)의 위치를 결정한다. 제2 광학계(175)는 정렬 스코프(172)의 광로를 조절하기 위한 렌즈, 조리개, 미러, 하프 미러(HM)등을 포함할 수 있다.
수지 공급부(180)는 예를 들어 수지(R)를 수용하는 탱크, 탱크로부터 공급로를 통해 공급되는 수지(R)를 기판(W)에 대해 토출하는 노즐, 공급로 내에 설치된 밸브, 및 공급량 제어부를 포함할 수 있다. 전형적으로, 공급량 제어부는 1회 수지 토출 동작에서 하나의 샷 영역에 수지(R)가 도포되도록 밸브를 제어함으로써 기판(W)에 공급되는 수지(R)의 양을 제어한다.
관찰부(190)는 예를 들어 카메라를 포함하고 기판(W)의 전체 샷 영역을 관찰한다. 관찰부(190)는 몰드(M)와 기판(W) 상의 수지(R) 사이의 접촉 상태, 몰드(M)의 패턴으로의 수지(R)의 충전 상태, 기판(W) 상의 경화된 수지(R)으로부터의 몰드(M)의 이형 상태 등을 관찰할 수 있다.
제어부(CNT)는 CPU, 메모리 등을 포함하고, 임프린트 장치(100)의 전체(각 부)를 제어한다. 또한, 제어부(CNT)는 임프린트 처리, 정렬 처리, 및 이와 관련된 다른 처리를 제어한다. 예를 들어, 제어부(CNT)는 검출부(170)에 의해 획득된 검출 결과에 기초하여, 몰드의 패턴 및 기판의 샷 영역 사이의, 위치 어긋남 및 형상 차이 중 하나 또는 모두를 보정한다. 제어부(CNT)는 하나로 한정되지 않고 하나 초과의 제어부(CNT)가 각 부를 제어하기 위해 사용될 수 있는 점에 유의한다.
정렬 유닛(200)은 검출부(170) 및 제어부(CNT)를 포함할 수 있다. 정렬 유닛(200)은 몰드(M) 상에 형성된 몰드측 마크 및 기판(W) 상에 형성된 기판측 마크를 포함하는 마크 쌍을 검출하고, 검출 결과에 기초하여 몰드(M) 및 기판(W)을 정렬한다.
도 2, 도 3a 내지 도 3c를 참조하여, 제1 실시예에 따르는 예시적인 임프린트 장치에 의해 수행되는 임프린트 처리가 설명될 것이다.
도 2는 제1 실시예에 따르는 임프린트 처리 및 정렬 처리의 예시적인 흐름을 도시한다. 도 2의 단계(S201 내지 S205)는 임프린트 처리의 하나의 사이클(즉, 하나의 샷 영역에 대한 임프린트 처리)이다. 기판(W)의 복수 샷 영역이 임프린트되는 경우, 임프린트 처리(단계(S201 내지 S205))가 반복된다.
도 3a 내지 도 3c는 제1 실시예에 따르는 임프린트 처리에서 사용되는 몰드(M), 수지(R), 및 기판(W)의 예를 단면으로 도시한다. 도 3a 내지 도 3c는 기판(W) 상의 수지(R)에, 몰드(M) 상에 형성된 패턴(Ma)(부조 구조)을 전사하는 임프린트 처리를 도시한다.
단계(S201)에서, 도 3a에 도시된 바와 같이, 임프린트 공정을 개시하기 전에, 수지 공급부(180)를 사용하여 기판(W)의 샷 영역(5)에 수지(R)가 공급된다. 수지는 전형적으로 휘발성이 높기 때문에, 수지(R)는 임프린트 공정 직전에 기판(W)에 공급된다. 휘발성이 낮은 수지가 사용되는 경우, 수지(R)는 스핀 코팅 등에 의해 사전에 기판의 전체면(복수의 샷 영역)에 공급될 수 있다. 제어부(CNT)의 메모리는 기판(W)에 미리 공급되는 수지(R)의 액적의 배열 정보를 갖는다. 수지 공급부(180)에 의한 수지의 공급은 배열 정보에 따라서 제어된다. 수지(R)의 액적 배열 정보는 몰드(M)에 형성된 패턴(Ma)의 위치 및 잔류 층의 두께를 고려하여 결정된다. 예를 들어, 잔류 층의 두께가 증가되는 경우, 액적들 사이의 간격이 감소되어 액적의 밀도를 증가시키는 이러한 배열 정보에 따라서 수지(R)가 공급된다. 여기서, 잔류 층의 두께는, 경화된 수지로 형성되는 부조 패턴의 오목부의 표면(저면)과, 임프린트 공정 도중 기판의 표면 사이의 수지의 두께이다.
단계(S202)에서, 패턴(Ma)을 구비하는 몰드(M) 및 기판(W) 상의 수지(R)가 서로 접촉된다. 단계(S201)에서, 기판(W)의 샷 영역(5)에 수지(R)가 공급된 후, 기판 스테이지(164)가 이동하여, 샷 영역(5) 및 패턴(Ma)이 서로 대면하도록 기판(W)을 이동시킨다. 기판(W)이 이동된 이후, 몰드 구동 기구(134)가 구동되어 패턴(Ma) 및 기판(W) 상의 수지(R)가 서로 접촉하게 될 때까지 몰드(M) 및 기판(W)을 서로를 향해 이동시킨다.
단계(S203)에서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 몰드(M)가 수지(R)와 접촉한 상태에서, 수지(R)가 패턴(Ma) 내에 충전된다. 또한, 수지(R)의 충전이 완료되기 전에 패턴(Ma)과 샷 영역 사이의 위치 어긋남 및 형상 차이 중 하나 또는 모두는 보정될 필요가 있고, 패턴(Ma) 내의 수지(R)의 미충전 부분은 수지(R)가 경화되기 전에 제거될 필요가 있다. 따라서, 패턴(Ma) 내에 수지(R)를 충분히 충전시키도록 소정 기간(충전 시간)이 확보된다. 충전 시간을 적절하게 설정함으로써, 패턴(Ma) 내의 수지(R)의 미충전 부분이 감소될 수 있다. 또한, 충전 시간은 수지(R)의 잔류 층 두께에 영향을 주기 때문에, 적절한 잔류 층 두께를 달성하기 위해 적절한 충전 시간을 설정하는 것이 필요하다. 몰드(M) 및 기판(W) 상의 수지(R)가 서로 접촉하게 된 이후, 이들이 서로 접촉하게 되기 전의 경우와 마찬가지로, 위치 어긋남 및 형상 차이 중 하나 또는 모두의 보정, 즉 정렬 처리(후술됨)가 수행된다.
단계(S204)에서, 수지(R)를 경화시키기 위해, 경화부(120)는 몰드(M)를 개재하여 광(예를 들어, UV 광)으로 기판(W) 상의 수지(R)를 조사한다. 일반적으로, 경화부(120)로부터의 광이 수지(R)에 도달할 때 수지(R)의 경화가 개시된다. 따라서, 수지(R)의 경화가 개시되는 타이밍은 광의 조사가 개시되는 타이밍과 동일하다. 기판(W) 상의 수지(R)의 경화가 개시된 이후, 정렬 처리는 패턴을 파손시킬 수 있기 때문에 수행되지 않는다.
단계(S205)에서, 기판(W) 상의 경화된 수지(R)로부터 몰드(M)가 분리(이형)된다. 더 구체적으로, 도 3c에 도시된 바와 같이, 단계(S204)에서 기판(W) 상의 수지(R)가 경화된 이후, 몰드(M) 및 기판(W)이 서로 멀어지도록 몰드 구동 기구(134)가 구동되어, 기판(W) 상의 경화된 수지(R) 및 몰드(M)를 분리한다. 기판(W) 상의 경화된 수지(R) 및 몰드(M)는 몰드 구동 기구(134) 및 구동부(160)의 양쪽을 동시적으로 또는 순차적으로 구동시킴으로써 분리될 수 있다. 이에 의해, 기판(W) 상의 수지(R) 상에 패턴(Ma)에 대응하는 패턴이 형성된다. 또한, 몰드(M)에 형성된 정렬 마크로서 기능하는 몰드측 마크(18)에 대응하는 마크도 기판(W) 상의 수지(R)에 형성된다.
도 2 내지 도 9를 참조하여, 제1 실시예에 따르는 예시적인 임프린트 장치(100)에 의해 수행되는 정렬 처리가 설명될 것이다.
도 2의 단계(S206 내지 S211)는 정렬 처리의 하나의 사이클(즉, 하나의 샷 영역에 대한 정렬 처리)을 도시한다. 기판의 복수의 샷 영역이 임프린트되는 경우, 정렬 처리(단계(S206 내지 S211))가 반복된다. 정렬 처리에서, 먼저, 정렬 스코프(172)는 각각이 몰드측 마크(18), 및 몰드측 마크(18)에 대응하는 기판측 마크(19)를 포함하는, 적어도 2개의 마크 쌍을 검출한다. 이어서, 제어부(CNT)는 각각의 마크 쌍의 마크들 사이의 위치 어긋남량을 산출한다. 위치 어긋남량으로부터, 패턴(Ma)과 샷 영역(5) 사이의 위치 어긋남 및 형상 차이 중 하나 또는 모두를 보정하기 위한 보정값이 산출된다. 그리고, 패턴(Ma)과 샷 영역(5) 사이의 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위 내에 있도록 위치 어긋남량 및 형상 차이 중 하나 또는 모두가 보정된다. 정렬 처리는 단계(S203)가 개시된 이후에, 또는 패턴(Ma) 및 수지(R)가 서로 접촉하기 되기 전에 정렬 스코프(172)가 마크를 검출할 수 있는 경우 패턴(Ma) 및 수지(R)가 서로 접촉하게 되기 전 중 어느 하나에서 개시될 수 있다.
단계(S206)에서, 정렬 스코프(172)는 마크 쌍으로부터의 광을 검출한다. 그리고, 제어부(CNT)는 획득된 정렬 신호(마크 쌍의 화상)로부터 각각의 마크 쌍의 2개의 마크의 위치를 계측하고, 2개의 마크 사이의 위치 어긋남량(거리)을 산출하고, 제어부(CNT)의 메모리에 결과를 저장한다. 검출되는 정렬 마크의 개수는 정렬 스코프(172)의 개수에 따라서 변한다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 검출부(170)로부터 조사되는 광은 몰드(M) 및 수지(R)를 개재하여 투과되기 때문에, 검출부(170)는 기판측 마크(19)를 검출할 수 있다. 그러나, 몰드(M) 및 수지(R)가 서로 접촉하고 패턴의 오목부 내에 수지가 충전된 이후, 몰드측 마크(18)는 검출될 수 없다. 이는, 몰드(M) 및 수지(R)가 서로 접촉한 이후 몰드측 마크(18)와 몰드(M) 사이의 굴절률 차이가 몰드(M) 및 수지(R)가 서로 접촉하기 전보다 작기 때문이다. 이 문제를 해결하기 위해, 몰드(M)와 상이한 굴절률 및 투과율을 갖는 물질이 몰드측 마크(18)에 도포될 수 있거나, 이온 조사에 의해 굴절률이 변경될 수 있다. 이에 의해, 몰드(M) 및 기판(W) 상의 수지(R)가 서로 접촉한 경우에도, 몰드측 마크(18)를 검출할 수 있다.
단계(S207)에서, 제어부(CNT)는 메모리로부터, 단계(S206)에서 저장된 위치 어긋남량(위치 어긋남 정보)을 판독하고, 단계(S206)에서의 마크 검출의 결과가 정상인지 여부를 판정한다. 제어부(CNT)의 메모리로부터 판독된 위치 어긋남량 사이의 차이가 판정값으로서 산출되고, 판정값이 미리 정해진 판정 임계값보다 작은 경우, 위치 어긋남량은 허용 가능한 범위 내에 있다. 이 경우, 마크 검출의 결과가 정상이라고 판정되고, 처리는 단계(S209)로 진행한다. 위치 어긋남량 사이의 차이 외에, 위치 어긋남량의 비율, 및 위치 어긋남량이 정상인지 여부를 판정하는데 사용될 수 있는 다른 판정값이 판정값으로서 사용될 수 있다. 판정값이 판정 임계값보다 큰 경우, 위치 어긋남량은 허용 가능한 범위 내에 있지 않고, 이러한 경우, 마크 검출의 결과는 이상(abnormal)으로 판정되고, 처리는 단계(S208)로 진행한다. 판정 임계값은 판정 임계값이 콘솔 화면(미도시)로부터의 조작에 의해 변경될 수 있도록 제어부(CNT)의 메모리에 저장될 수 있다.
단계(S208)에서, 마크 검출의 결과가 단계(S207)에서 이상이라고 판정되는 경우, 이들 위치 어긋남량이 후속 단계(S209)에서 보정값을 산출하는데 사용되는 것을 방지하기 위해 위치 어긋남량은 제어부(CNT)의 메모리로부터 삭제된다. 대안적으로, 각각의 마크 쌍의 마크들 사이의 위치 어긋남량에 대응하는 가중 계수가 사용될 수 있고, 위치 어긋남량에 대응하는 가중 계수는 0 또는 충분히 낮은 값으로 설정될 수 있다.
단계(S209)에서, 제어부(CNT)의 메모리에 저장된 위치 어긋남량이 판독되고, 위치 어긋남 및 형상 차이가 획득되고, 이들 중 하나 또는 모두를 보정하기 위해 보정값이 산출된다. 단계(S206)에서 검출되는 마크 쌍의 개수가 증가함에 따라, 배율 및 회전 오차에 대한 보정값에 추가로 왜곡 등의 보정값을 산출할 수 있게 된다. 각각의 마크 쌍의 마크 사이의 위치 어긋남량에 대응하는 가중 계수를 사용하는 경우, 보정값은 단계(S208)에서 설정된 가중 계수에 따라서 산출되어 보정값에 대한 위치 어긋남량의 영향을 최소화할 수 있다.
단계(S210)에서, 위치 어긋남 및 형상 차이 중 하나 또는 모두가 단계(S209)에서 산출된 보정값에 따라 보정되어, 위치 어긋남 및 형상 차이는 허용 가능한 범위 내에 들어온다. 위치 어긋남은 구동부(160)에 의해 보정되고, 형상 차이는 형상 보정부(140)에 의해 보정된다.
단계(S211)에서, 패턴(Ma)과 샷 영역(5) 사이의 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위 내에 있는지 여부가 판정되고, 허용 가능한 범위 내에 있지 않은 경우, 처리는 단계(S206)로 복귀하고, 허용 가능한 범위 내에 잇는 경우, 정렬 처리가 완료된다. 단계(S206 내지 S211)를 포함하는 처리를 반복함으로써, 위치 어긋남 및 형상 차이가 감소된다.
또한, 단계(S206)에서 산출된 위치 어긋남량(위치 어긋남 정보), 단계(S207)에서 수행된 판정 결과에 관한 정보, 단계(S208)에서 삭제된 위치 어긋남량, 및 가중 계수 등의 각종 정보는 임프린트 장치(100)의 콘솔 화면(미도시)에 표시될 수 있다. 대안적으로, 이러한 정보는 호스트 컴퓨터(미도시) 등의 다른 컴퓨터에 보고될 수 있다. 이러한 정보는 후속 공정, 예를 들어 검사 공정에서 참조되어, 품질 제어에서 유용하다.
도 4는 제1 실시예에 따르는 정렬 마크 배열예를 도시한다. 몰드측 마크(18a)가 몰드(M)의 네 코너부에 제공된다. 또한, 기판측 마크(19a)가 샷 영역(5)의 네 코너부에 제공된다. 각각이 몰드측 마크(18a) 및 기판측 마크(19a)를 포함하는 마크 쌍을 검출함으로써, 마크 쌍의 위치가 계측될 수 있다.
도 5는 제1 실시예에 따르는 정렬 마크의 상세 예를 도시한다. 단계(S207)에서 마크 검출의 결과가 정상인지 여부를 판정하기 위해, 정렬 스코프(172)는 적어도 2개의 마크 쌍을 관찰한다. 정렬 스코프(172)는 적어도 2개의 마크 쌍을 동일한 시야(촬상 소자의 단일 촬상면)로 관찰할 수 있다. 대안적으로, 적어도 2개의 마크 쌍은 정렬 스테이지 기구(174) 또는 스테이지 구동 기구(미도시)를 구동함으로써, 순차적으로 다양한 시야로 관찰될 수 있다. 정렬 스코프(172)는 적어도 2개의 마크 쌍을 동시적으로 또는 순차적으로 관찰할 수 있다.
적어도 2개의 마크 쌍의 위치는 동일한 방향에서 계측될 수 있다. 도 5는 2개의 마크 쌍의 Y 방향(세로 방향)의 위치가 계측되는 예를 도시한다. 제1 마크 쌍으로서 기능하는 몰드측 마크(18a-1) 및 기판측 마크(19a-1)는 대략적 검출 마크(제1 검출 마크)이다. 여기서, 대략적 검출 마크는 넓은 계측 범위에서 정밀도가 낮은 계측을 위한 정렬 마크이다. 도 5의 예에서 몰드측 마크(18a-1) 및 기판측 마크(19a-1)는 원형 마크이지만, 마크는 십자 형상, L 형상, 바아 형상, 직사각형 형상, 절두형 셰브런(chevron) 형상, 및 산 형상 등의 다른 특정 형상을 가질 수 있다. 정렬 스코프(172)는 원형 마크인, 몰드측 마크(18a-1) 및 기판측 마크(19a-1)(마크 쌍)을 검출한다. 제어부(CNT)는 마크 쌍의 중심 위치들을 계측하고, 위치들 사이의 거리(D1)를 산출하고, 원형 마크의 중심점들 사이의 미리 정해진 기준 거리(D2)와의 차이에 기초하여, 마크 쌍의 위치 어긋남량(D3)(위치 어긋남 정보)을 산출한다. 위치 어긋남량(D3)은 이하의 식에 의해 산출될 수 있다.
D3 = D1 - D2
제2 마크 쌍으로서 기능하는 몰드측 마크(18a-2) 및 기판측 마크(19a-2)는 정밀 검출 마크(제2 검출 마크)이다. 정밀 검출 마크는 좁은 계측 범위에서 정밀도가 높은 계측을 위한 정렬 마크이다. 도 5의 예에서, 몰드의 정밀 검출 마크 및 기판의 정밀 검출 마크는 위치 어긋남량이 모아레(Moire) 무늬를 사용하여 검출될 수 있는 격자 패턴 마크이지만, 격자 패턴 이외의 마크가 또는 사용될 수 있다.
정렬을 위한 격자 패턴 마크가 몰드 및 기판 각각에 제공된다. 몰드측 마크는 계측 방향에 격자 피치를 갖는 격자 패턴을 포함하고, 기판측 마크는 계측 방향 및 계측 방향에 수직 방향(비계측 방향)의 각각에 격자 피치를 갖는 체커보드(checkerboard) 격자 패턴을 포함한다. 마크를 조명하기 위한 조명 광학계 및 마크로부터 회절된 광을 검출하는 검출 광학계 모두는 몰드 및 기판에 수직인 방향으로부터 비계측방향으로 경사지도록 제공된다. 즉, 조명 광학계는 비계측 방향에서 마크에 대해 경사 조명을 수행하도록 구성된다. 마크에 경사지게 입사한 광은 기판 상에 제공된 체커보드 격자 패턴에 의해 비계측 방향에서 회절된다. 검출 광학계는 비계측 방향에서 제로 차수 이외의 특정 차수의 회절된 광만을 검출하도록 배치된다.
몰드에 제공된 격자 패턴 마크(몰드측 마크) 및 기판에 제동된 격자 패턴 마크(기판측 마크)는 계측 방향에서 약간 상이한 격자 피치를 갖는다. 상이한 격자 피치를 갖는 격자 패턴이 서로 중첩되는 경우, 2개의 격자 패턴으로부터의 회절된 광의 간섭으로 인해, 격자 패턴들 사이의 격자 피치의 차이를 반영하는 사이클을 갖는 간섭 무늬(소위 모아레 무늬)가 나타난다. 이때, 격자 패턴들 사이의 위치 관계에 따라서 모아레 무늬의 위상이 변하기 때문에, 모아레 무늬의 위상을 관찰함으로써 기판측 마크와 몰드측 마크(마크 쌍) 사이의 위치 어긋남을 계측할 수 있다. 모아레 무늬를 사용하여 위치 어긋남을 계측하는 방법은 저해상도 검출 광학계가 사용되는 경우에도 정밀한 정렬을 수행할 수 있다는 점에서 유리하다.
몰드측 마크(18a-2) 및 기판측 마크(19a-2)가 서로 중첩되는 것에 의해 발생되는 모아레 무늬에 의해 표현되는 신호 강도 분포에서의 피크의 위치가 계측된다. 몰드측 마크(18a-2)와 기판측 마크(19a-2)(마크 쌍) 사이의 위치 어긋남량(D5)을 산출하기 위해 피크들 사이의 거리(D4)가 산출된다. 몰드측 마크(18a-2)의 격자 패턴의 피치는 P1로 상정되고, 기판측 마크(19a-2)의 격자 패턴의 피치가 P2로 상정된다. 몰드측 마크(18a-2) 및 기판측 마크(19a-2)가 서로 중첩되는 것에 의해 모아레 신호가 발생된다. 이때, 모아레 신호의 하나의 기간의 길이(D6)는 이하의 식에 의해 획득될 수 있다.
D6 = (P1 × P2) / (P1 - P2) / 2
또한, 모아레 배율(K)은 이하의 식에 의해 획득될 수 있다.
K = P1 / (P1 - P2) / 2
따라서, 몰드측 마크(18a-2)와 기판측 마크(19a-2)(마크 쌍) 사이의 위치 어긋남량(D5)(위치 어긋남 정보)은 모아레 무늬에 의해 표현되는 신호 강도 분포에서의 피크들 사이의 거리(D4) 및 모아레 배율(K)로부터 이하의 식에 의해 획득될 수 있다.
D5 = D4 × K = D4 × P1 / (P1 - P2) / 2
마크가 적절히 검출되는 경우, 2개의 마크 쌍으로부터 획득되는, 제1 마크 쌍을 구성하는 마크들 사이의 거리(위치 어긋남량)(D3))와 제2 마크 쌍을 구성하는 마크들 사이의 거리(위치 어긋남량)(D5) 사이의 차이의 절대값은 충분히 작은 값이다. 이에 비해, 마크가 검출되는 경우에도, 몰드측 마크(18)과 기판측 마크(19)(마크 쌍) 사이의 위치 어긋남이 적절히 계측될 수 없는 경우, 절대값(|D3-D5|)은 큰 값이 된다. 이러한 상황은, 몰드측 마크와 기판측 마크의 사이에 포획되는 이물질, 몰드측 마크와 기판측 마크 사이의 수지 충전 실패, 몰드측 마크 및 기판측 마크 중 하나 또는 모두의 손상 등에 의해 발생될 수 있다.
단계(S207)에서의 판정은 제어부(CNT)에 저장된 판정 임계값(S)과 절대값을 비교함으로써 수행된다. 판정 임계값(S)이 절대값보다 큰 경우(S>|D3-D5|), 마크 검출이 정상이라고 판정되고, 판정 임계값(S)이 절대값 이하인 경우(S≤|D3-D5|), 마크 검출이 이상이라고 판정된다. 판정 임계값(S)이 절대값과 동일한 경우, 마크 검출은 정상이라고 판정될 수 있다.
도 5는 정밀 검출 마크 쌍 및 대략적 검출 마크 쌍이 조합된 예를 도시하지만, 정밀 검출 마크 쌍 및 정밀 검출 마크 쌍의 조합, 대략적 검출 마크 쌍 및 대략적 검출 마크 쌍의 조합, 셋 이상의 정밀 및 대략적 검출 마크 쌍의 임의의 조합이 또한 가능하다. 또한, 도 5는 Y 방향(수직 방향)의 위치 어긋남을 계측하기 위한 마크 쌍을 도시하지만, X 방향(수평 방향)의 위치 어긋남을 계측하기 위한 마크 쌍이 또한 조합될 수 있다.
도 6은 제1 실시예에 따르는 샷 영역 및 칩 영역의 배열의 예를 도시한다. 도 6은 샷 영역(5)의 네 코너부에 몰드측 마크(18a)가 제공되고 칩 영역들 사이의 스크라이브 라인 내에 다른 몰드측 마크(18b)가 제공되지만, 원하는 위치에 몰드측 마크(18b)가 제공될 수 있다. 또한, 6개의 칩 영역(4)을 구비한 샷 영역(5)을 갖는 몰드(M) 및 기판(W)이 사용되지만, 칩 영역(4)의 개수는 6개로 한정되지 않는다.
제1 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변경될 수 있다.
따라서, 제1 실시예에 따르는 임프린트 장치에 의하면, 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍으로부터 산출된 위치 어긋남량이 보정값의 산출에 미치는 영향을 낮춤으로써 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있다.
제2 실시예
도 4 및 도 7을 참조하여, 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치가 설명될 것이다. 이 부분에서 언급되지 않은 특징은 제1 실시예와 동일할 수 있다.
도 7은 제2 실시예에 따르는 임프린트 처리 및 정렬 처리의 예시적인 흐름을 도시한다. 도 7의 임프린트 처리는 도 2의 임프린트 처리와 동일하다. 도 7의 정렬 처리는 단계(S707 및 S708)에서 도 2의 정렬 처리와 상이하다.
단계(S707)에서, 단계(S206)에서의 마크 검출이 이상이라고 판정되는 경우, 처리는 단계(S708)로 진행한다. 단계(S707)에서 수행되는 판정은 제1 실시예의 단계(S207)에서의 판정과 동일하다. 단계(S708)에서, 정렬 스코프(172)가 구동되어, 대체 마크가 배열되는 위치까지 정렬 스코프(172)의 시야(173)를 이동시킨다. 그리고, 처리는 단계(S206)로 복귀되고, 대체 마크가 검출된다.
도 4는 대체 마크로서 기능하는 몰드측 마크(18b) 및 기판측 마크(19b)를 도시한다. 정렬 스테이지 기구(174)의 구동에 의해, 정렬 스코프(172)는 XY 방향으로 이동되고, 정렬 스코프(172)의 시야(173)를 몰드(M) 상의 다른 위치로 이동시킨다. 정렬 스코프(172)는 몰드측 마크(18b) 및 기판측 마크(19b)가 시야(173)에 포함되는 위치로 이동되고, 대체 마크로서 기능하는, 단계(S206)에서 검출된 몰드측 마크(18a) 및 기판측 마크(19a)와 상이한 몰드측 마크(18b) 및 기판측 마크(19b)를 검출한다.
단계(S206)에서, 몰드측 마크(18b) 및 기판측 마크(19b)가 검출되고, 이의 위치가 계측되고, 위치 어긋남량이 산출되어 제어부(CNT)의 메모리에 저장된다.
단계(S707)에서, 제어부(CNT)의 메모리로부터 몰드측 마크(18b) 및 기판측 마크(19b)의 위치 어긋남량이 판독되어, 단계(S206)에서의 마크 검출의 결과가 정상인지 여부를 판정한다. 마크 검출의 결과가 정상이라고 판정되는 경우, 처리는 단계(S209)로 진행한다. 마크 검출의 결과가 이상이라고 판정되는 경우, 처리는 단계(S708)로 진행하고, 다른 대체 마크(미도시)를 검출하기 위해 정렬 스코프(172)가 다시 구동된다. 다른 대체 마크(미도시)가 존재하지 않는 경우, 도 2의 단계(S208)과 같이, 이상인 검출값은 제어부(CNT)의 메모리로부터 삭제될 수 있다. 대안적으로, 보정값에 대한 위치 어긋남량의 영향은 검출 결과가 이상이라고 판정된 마크 쌍 사이의 위치 어긋남량에 대응하는 가중 계수를 0 또는 충분히 작은 값으로 설정함으로써 최소화될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 대체 마크로서 기능하는 몰드측 마크(18b)가 칩 영역(4)의 사이 스크라이브 라인 내에 제공될 수 있다.
제2 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
따라서, 제2 실시예에 따르는 임프린트 장치에 의하면, 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍으로부터 산출된 위치 어긋남량이 보정값의 산출에 미치는 영향을 낮춤으로써 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있다. 또한, 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍이 존재하는 경우, 대체 마크가 검출될 수 있다. 이에 의해, 정상으로 판정된 검출 결과로부터 산출된 보정값에 기초하여 보정을 수행할 수 있어, 정렬 정밀도를 향상시킬 수 있다.
제3 실시예
도 8을 참조하여, 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치가 설명될 것이다. 이 부분에서 언급되지 않은 특징은 제1 및 제2 실시예와 동일할 수 있다.
도 8은 제3 실시예에 따르는 임프린트 처리의 예시적인 흐름을 도시한다.
상술된 바와 같이, 정렬 처리는 임프린트 처리에서 경화(단계(S204))가 개시되기 전에 완료될 필요가 있다. 그러나, 예를 들어, 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위 내에 있지 않고 정렬 처리가 반복되기 때문에 정렬 처리 시간이 연장되는 경우, 정렬 처리는 단계(S204)의 개시 이전에 완료되지 않을 수 있다.
따라서, 도 8의 예에서, 정렬 처리가 완료되는지 여부가 단계(S801)에서 판정된다. 정렬 처리가 완료되는 경우, 처리는 단계(S204)로 진행하고, 정렬 처리가 완료되지 않은 경우, 처리는 단계(S203)로 복귀하고, 충전 시간은 정렬 처리가 완료될 때까지 연장된다. 연장되는 충전 시간의 상한은, 잔류 층의 두께에 미치는 영향을 고려하여 미리 결정되는 시간, 또는 수지의 특성, 몰드의 패턴 등과 같은 처리 조건으로부터 획득되는 기간일 수 있다. 이러한 경우, 단계(S801)에서, 충전 시간이 상한을 초과하는지 여부가 또한 판정되고, 충전 시간이 상한을 초과하는 경우, 정렬 처리가 종료되고, 처리는 단계(S204)로 진행한다. 대안적으로, 복수의 연장 기간을 제어부(CNT)의 메모리에 저장하여 충전 시간이 단계적으로 증가될 수도 있다.
제3 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
따라서, 제3 실시예에 따르는 임프린트 장치에 의하면, 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍으로부터 산출된 위치 어긋남량이 보정값의 산출에 미치는 영향을 낮춤으로써 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있다. 또한, 정렬 처리가 완료될 때까지 충전 시간을 연장함으로써, 정렬 정밀도가 향상될 수 있다.
제4 실시예
도 9를 참조하여, 제4 실시예에 따르는 임프린트 장치가 설명될 것이다. 이 부분에서 언급되지 않은 특징은 제1, 제2, 및 제3 실시예와 동일할 수 있다.
도 9는 제4 실시예에 따르는 정렬 처리의 예시적인 흐름을 도시한다.
단계(S203)에서, 상술된 바와 같이, 몰드(M)가 수지(R)에 접촉되고, 몰드(M) 상에 형성된 패턴(부조 구조) 내에 수지(R)가 충전된다. 상술된 바와 같이, 충전 시간은 수지(R)의 잔류 층의 두께에 영향을 주기 때문에, 충전 시간을 적절히 설정할 필요가 있다. 그러나, 제3 실시예와 같이 충전 시간이 연장되는 경우, 충전 시간은 적절한 시간을 초과하여 적절한 두께를 갖는 잔류 층을 형성하는데 실패할 수 있다.
따라서, 도 9의 단계(S911)에서, 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위 내에 있는지 여부가 판정되고, 정렬 처리의 개시로부터 경과된 시간이 적절한 충전 시간을 초과하는지 여부가 판정된다. 정렬 정밀도가 허용 가능한 범위 내에 아직 있지 않고 정렬 처리의 개시로부터 경과된 시간이 아직 적절한 충전 시간을 초과하지 않는 경우, 처리는 단계(S206)로 복귀하고, 기타의 경우, 정렬 처리가 완료된다. 정렬 처리의 개시로부터 경과된 시간이 적절한 충전 시간을 초과하는지 여부를 판정하기 위해, 적절한 시간은 제어부(CNT)의 메모리에 미리 저장된다. 여기서, 적절한 충전 시간은 잔류 층 두께에 미치는 영향을 고려하여 결정되는 기간, 또는 수지의 특성, 몰드의 패턴 등과 같은 처리 조건으로부터 획득되는 시간일 수 있다.
제4 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
따라서, 제4 실시예에 따르는 임프린트 장치에 의하면, 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍으로부터 산출된 위치 어긋남량이 보정값의 산출에 영향을 미치는 것을 낮춤으로써 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있다. 또한, 정렬 처리의 시간을 임계값과 동일하거나 짧게 함으로써, 정렬 정밀도의 저하를 감소시키고, 적절한 충전 시간을 설정하고, 적절한 두께를 갖는 잔류 층을 형성할 수 있다.
제5 실시예
도 10을 참조하여, 제5 실시예에 따르는 임프린트 장치가 설명될 것이다. 이 부분에서 언급되지 않은 특징은 제1, 제2, 제3, 및 제4 실시예와 동일할 수 있다.
도 10은 제5 실시예에 따르는 기판 처리의 예시적인 흐름을 도시한다.
정렬 처리에서, 마크 검출 결과가 이상(즉, 마크 쌍 사이의 위치 어긋남량을 사용하여 산출된 판정값이 허용 가능한 범위 내에 있지 않음)으로 판정되는 둘 이상의 연속 샷 영역이 존재하는 경우, 아마도 다음 샷 영역에서의 마크 검출의 결과가 이상으로 판정되어 정렬 정밀도가 저하될 수 있다. 따라서, 마크 검출 결과가 이상으로 판정되는 둘 이상의 연속 샷 영역이 존재하는 경우, 임프린트 처리는 다음 샷 영역에서 수행되지 않고 기판 처리가 종료된다.
단계(S1001)는 적어도 단계(S202 내지 S205)를 포함하는 임프린트 처리이고, 단계(S1002)는 적어도 단계(S206 내지 S211)를 포함하는 정렬 처리이다.
단계(S1003)에서는, 정렬 처리에서 검출 결과가 이상으로 판정된 마크 쌍이 존재하는지 여부가 판정된다. 검출 결과가 이상이라고 판정되는 마크 쌍이 존재한다고 판정되는 경우, 제어부(CNT)의 메모리에 저장된 연속 이상 샷 영역의 개수가 1만큼 증가된다. 검출 결과가 이상이라고 판정되는 마크 쌍이 존재한다고 판정되지 않는 경우, 제어부(CNT)의 메모리에 저장된 연속 이상 샷 영역의 개수는 0으로 설정된다. 연속 이상 샷 영역의 개수는 기판 처리가 개시될 때에는 0으로 초기화된다.
단계(S1004)에서, 제어부(CNT)의 메모리에 저장된 연속 이상 샷 영역의 개수가 미리 정해진 임계값에 도달하는지 또는 임계값을 초과하는지 여부가 판정된다. 연속 이상 샷 영역의 개수가 미리 정해진 임계값에 도달하거나 임계값을 초과한다고 판정되는 경우, 기판 처리가 완료된다. 연속 이상 샷 영역의 개수가 임계값보다 적다고 판정되는 경우, 처리는 단계(S1001)로 복귀한다. 단계(S1004)에서, 기판의 최종 샷 영역에 임프린트 처리가 수행되는지 여부가 또한 판정되고, 기판의 최종 샷 영역에 임프린트 처리가 수행된다고 판정되는 경우, 기판 처리가 완료된다.
제5 실시예가 상술되었으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형될 수 있다.
따라서, 제5 실시예에 따르는 임프린트 장치에 의하면, 검출 결과가 이상으로 판정되는 마크 쌍으로부터 산출된 위치 어긋남량이 보정값의 산출에 미치는 영향을 낮춤으로써, 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있다. 또한, 마크 검출 결과가 이상이라고 판정된 둘 이상의 연속 샷 영역이 존재하는 경우 기판 처리를 종료함으로써, 정렬 정밀도가 저하된 상태에서 패턴이 기판 상에 계속 임프린트되는 것을 방지할 수 있다.
(물품의 제조 방법)
물품 제조 방법이 후술될 것이다. 물품의 예는 디바이스(반도체 디바이스, 자기 기억 매체, 액정 표시 소자 등), 컬러 필터 또는 하드 디스크를 포함한다. 이 제조 방법은 임프린트 장치(100)를 사용하여 패턴을 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리 플레이트, 필름 기판)에 형성하는 처리를 포함한다. 이 제조 방법은 그 위에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 처리를 더 포함한다. 이 처리는 패턴의 잔류 층을 제거하는 단계, 및 패턴을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭하는 단계와 같은 임의의 공지된 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에 따르는 물품 제조 방법은 종래 방법에 비해, 성능, 품질, 생산 효율, 및 제조 비용 중 적어도 하나에 있어서 유리하다.
제1 내지 제5 실시예에 따르는 임프린트 장치는 단독으로뿐만 아니라 조합으로 구체화될 수 있다.
본 발명은 정렬 정밀도의 저하를 감소시킬 수 있는 임프린트 장치를 제공한다.
본 발명이 예시적인 실시예를 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예에 한정되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 그러한 변경예 및 등가적 구조예 및 기능예 모두를 포함하도록 가장 광의의 해석에 따라야 한다.

Claims (29)

  1. 기판 상의 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시켜 상기 임프린트재 상에 패턴을 형성하도록 구성된 임프린트 장치로서,
    상기 몰드 상에 형성된 제1 몰드측 마크와 제2 몰드측 마크 및 상기 기판 상에 형성된 제1 기판측 마크와 제2 기판측 마크로부터의 광을 촬상 소자를 사용하여 단일 시야로 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 몰드와 상기 기판을 정렬하는 정렬 유닛을 포함하고,
    상기 정렬 유닛은, 상기 제1 몰드측 마크와 상기 제1 기판측 마크 간의 미리 정해진 방향으로의 제1 위치 어긋남량과 상기 제2 몰드측 마크와 상기 제2 기판측 마크 간의 상기 미리 정해진 방향으로의 제2 위치 어긋남량 간의 차 또는 상기 제2 위치 어긋남량에 대한 상기 제1 위치 어긋남량의 비율을 임계값과 비교하고, 상기 차 또는 상기 비율과 상기 임계값 간의 크기 관계에 의해 상기 마크 검출이 비정상적인지 여부를 결정하는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정렬 유닛은, 상기 임프린트재가 상기 몰드 상의 패턴과 접촉하고 있는 상태에서 상기 제1 몰드측 마크, 상기 제1 기판측 마크, 상기 제2 몰드측 마크, 및 상기 제2 기판측 마크를 검출하는, 임프린트 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정렬 유닛은, 상기 기판을 보유 유지하기 위한 기판 홀더를 구동하는 구동부, 및 상기 몰드의 외측 원주부로부터 상기 몰드에 압력을 인가함으로써 상기 몰드의 형상을 보정하고 상기 구동부와 형상 보정부를 제어함으로써 상기 몰드 상의 패턴과 상기 기판의 샷 영역 간의 위치 어긋남과 형상 차이 중 하나 또는 모두를 보정하는 상기 형상 보정부를 포함하는, 임프린트 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 정렬 유닛은, 상기 기판의 복수의 샷 영역의 각 샷 영역에 대하여, 상기 몰드 상의 패턴과 상기 기판의 샷 영역 간의 위치 어긋남과 형상 차이 중 하나 또는 모두를 보정하는, 임프린트 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 몰드측 마크의 형상과 상기 제2 몰드측 마크의 형상이 서로 다르고, 상기 제1 기판측 마크의 형상과 상기 제2 기판측 마크의 형상이 서로 다른, 임프린트 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1 몰드측 마크와 상기 제1 기판측 마크는 제1 검출 마크이며, 상기 제2 몰드측 마크와 상기 제2 기판측 마크는 상기 제1 검출 마크를 사용하는 측정보다 정밀한 제2 검출 마크인, 임프린트 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 검출 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 제2 위치 어긋남량은 상기 모아레 무늬를 사용하여 검출되는, 임프린트 장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 마크 검출이 비정상적인지 여부를 결정하는 데 사용되는 결정 임계값은 변경가능한, 임프린트 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 정렬 유닛이 상기 마크 검출이 비정상적이라고 결정하는 경우, 상기 정렬 유닛은, 상기 몰드 상의 패턴과 상기 기판의 샷 영역 간의 위치 어긋남과 형상 차이 중 하나 또는 모두를 보정하기 위한 보정값의 계산에 상기 제1 위치 어긋남량 및 상기 제2 위치 어긋남량을 사용하지 않으며, 또는 상기 제1 위치 어긋남량과 상기 제2 위치 어긋남량의 상기 보정값의 계산에 대한 각 영향을 최소화하는, 임프린트 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 정렬 유닛이 상기 마크 검출이 비정상적이라고 결정하는 경우, 상기 정렬 유닛은, 상기 제1 몰드측 마크 및 상기 제2 몰드측 마크와는 다른 몰드측 마크, 및 상기 제1 기판측 마크 및 상기 제2 기판측 마크와는 다른 기판측 마크를 검출하는, 임프린트 장치.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1 몰드측 마크, 상기 제1 기판측 마크, 상기 제2 몰드측 마크, 및 상기 제2 기판측 마크는, 상기 촬상 소자의 단일 촬상면으로 동시에 검출되는, 임프린트 장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 마크 검출이 비정상적인 것으로 각각 결정된 두 개 이상의 연속 샷 영역이 존재하는 경우에, 상기 정렬 유닛이 기판 처리를 종료하는, 임프린트 장치.
  13. 제1항에 있어서, 상기 제2 몰드측 마크와 상기 제2 기판측 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 정렬 유닛은 상기 모아레 무늬를 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 몰드와 상기 기판을 정렬하는, 임프린트 장치.
  14. 제1항에 있어서, 상기 광은, 상기 제1 몰드측 마크로부터의 제1 광, 상기 제2 몰드측 마크로부터의 제2 광, 상기 제1 기판측 마크로부터의 제3 광, 및 상기 제2 기판측 마크로부터의 제4 광을 포함하는, 임프린트 장치.
  15. 물품 제조 방법으로서,
    제1항에 따른 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴을 형성하는 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  16. 제1 물체 상에 형성된 제1 마크와 제2 마크 및 제2 물체 상에 형성된 제3 마크와 제4 마크로부터의 광을 촬상 소자를 사용하여 단일 시야로 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 제1 물체와 상기 제2 물체를 정렬하는 정렬 방법으로서,
    상기 제1 마크와 상기 제3 마크 간의 미리 정해진 방향으로의 제1 위치 어긋남량 및 상기 제2 마크와 상기 제4 마크 간의 상기 미리 정해진 방향으로의 제2 위치 어긋남량을 검출하는 검출 단계;
    상기 제1 마크와 상기 제3 마크 간의 상기 미리 정해진 방향으로의 제1 위치 어긋남량과 상기 제2 마크와 상기 제4 마크 간의 상기 미리 정해진 방향으로의 제2 위치 어긋남량 간의 차 또는 상기 제2 위치 어긋남량에 대한 상기 제1 위치 어긋남량의 비율을 임계값과 비교하는 비교 단계; 및
    상기 차 또는 상기 비율과 상기 임계값 간의 크기 관계에 의해 상기 마크 검출이 비정상적인지 여부를 결정하는 결정 단계를 포함하는, 정렬 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 마크의 형상과 상기 제2 마크의 형상이 서로 다르고, 상기 제3 마크의 형상과 상기 제4 마크의 형상이 서로 다른, 정렬 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제1 마크와 상기 제3 마크는 제1 검출 마크이며, 상기 제2 마크와 상기 제4 마크는 상기 제1 검출 마크를 사용하는 측정보다 정밀한 제2 검출 마크인, 정렬 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2 검출 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 제2 위치 어긋남량은 상기 모아레 무늬를 사용하여 검출되는, 정렬 방법.
  20. 제16항에 있어서, 상기 제1 마크, 상기 제2 마크, 상기 제3 마크, 및 상기 제4 마크는 단일 시야로 관찰되는, 정렬 방법.
  21. 제16항에 있어서, 상기 제2 마크와 상기 제4 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 모아레 무늬를 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 제1 물체와 상기 제2 물체가 정렬되는, 정렬 방법.
  22. 제16항에 있어서, 상기 광은, 상기 제1 마크로부터의 제1 광, 상기 제2 마크로부터의 제2 광, 상기 제3 마크로부터의 제3 광, 및 상기 제4 마크로부터의 제4 광을 포함하는, 정렬 방법.
  23. 제1 물체와 제2 물체를 정렬하도록 구성된 정렬 장치로서,
    상기 제1 물체 상에 형성된 제1 마크와 제2 마크 및 상기 제2 물체 상에 형성된 제3 마크와 제4 마크로부터의 광을 촬상 소자를 사용하여 단일 시야로 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 제1 물체와 상기 제2 물체를 정렬하는 정렬 유닛을 포함하고,
    상기 정렬 유닛은, 상기 제1 마크와 상기 제3 마크 간의 미리 정해진 방향으로의 제1 위치 어긋남량과 상기 제2 마크와 상기 제4 마크 간의 상기 미리 정해진 방향으로의 제2 위치 어긋남량 간의 차 또는 상기 제2 위치 어긋남량에 대한 상기 제1 위치 어긋남량의 비율을 임계값과 비교하고, 상기 차 또는 상기 비율과 상기 임계값 간의 크기 관계에 의해 상기 마크 검출이 비정상적인지 여부를 결정하는, 정렬 장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제1 마크의 형상과 상기 제2 마크의 형상이 서로 다르고, 상기 제3 마크의 형상과 상기 제4 마크의 형상이 서로 다른, 정렬 장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 제1 마크와 상기 제3 마크는 제1 검출 마크이며, 상기 제2 마크와 상기 제4 마크는 상기 제1 검출 마크를 사용하는 측정보다 정밀한 제2 검출 마크인, 정렬 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제2 검출 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 제2 위치 어긋남량은 상기 모아레 무늬를 사용하여 검출되는, 정렬 장치.
  27. 제23항에 있어서, 상기 제1 마크, 상기 제2 마크, 상기 제3 마크, 및 상기 제4 마크는 단일 시야로 관찰되는, 정렬 장치.
  28. 제23항에 있어서, 상기 제2 마크와 상기 제4 마크는 모아레 무늬를 생성하는 격자 패턴 마크이고, 상기 정렬 유닛은 상기 모아레 무늬를 검출하는 마크 검출의 결과에 기초하여 상기 제1 물체와 상기 제2 물체를 정렬하는, 정렬 장치.
  29. 제23항에 있어서, 상기 광은, 상기 제1 마크로부터의 제1 광, 상기 제2 마크로부터의 제2 광, 상기 제3 마크로부터의 제3 광, 및 상기 제4 마크로부터의 제4 광을 포함하는, 정렬 장치.
KR1020160042783A 2015-04-08 2016-04-07 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법 KR102028235B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015079472A JP6138189B2 (ja) 2015-04-08 2015-04-08 インプリント装置および物品の製造方法
JPJP-P-2015-079472 2015-04-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160120676A KR20160120676A (ko) 2016-10-18
KR102028235B1 true KR102028235B1 (ko) 2019-10-02

Family

ID=57112219

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160042783A KR102028235B1 (ko) 2015-04-08 2016-04-07 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10732522B2 (ko)
JP (1) JP6138189B2 (ko)
KR (1) KR102028235B1 (ko)
CN (1) CN106054517B (ko)
SG (1) SG10201602475TA (ko)
TW (2) TWI634589B (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6120678B2 (ja) * 2013-05-27 2017-04-26 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法
JP6401501B2 (ja) * 2014-06-02 2018-10-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6755168B2 (ja) 2016-12-09 2020-09-16 キヤノン株式会社 インプリントシステム、レプリカ製造装置、管理装置、インプリント装置、および物品製造方法
JP6971567B2 (ja) * 2016-12-16 2021-11-24 キヤノン株式会社 位置合わせ装置、位置合わせ方法、リソグラフィ装置、および物品製造方法
US10998190B2 (en) 2017-04-17 2021-05-04 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP6937203B2 (ja) * 2017-09-14 2021-09-22 キオクシア株式会社 インプリント装置、インプリント方法および半導体装置の製造方法
JP7057094B2 (ja) * 2017-10-13 2022-04-19 キヤノン株式会社 位置検出装置、インプリント装置および、物品製造方法
JP6688273B2 (ja) * 2017-11-13 2020-04-28 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、決定方法及び物品の製造方法
CN109839799B (zh) * 2017-11-28 2022-07-19 上海仪电显示材料有限公司 掩膜组件及其曝光方法
JP2019102537A (ja) 2017-11-29 2019-06-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
JP7060961B2 (ja) * 2018-01-05 2022-04-27 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品製造方法
US11966157B2 (en) * 2021-05-20 2024-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
CN113314451B (zh) * 2021-06-10 2022-08-02 哈尔滨工业大学 一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249567A (ja) 2010-05-27 2011-12-08 Toshiba Corp インプリントマスク、その製造方法、及び半導体装置の製造方法
US20140346700A1 (en) 2013-05-27 2014-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2868548B2 (ja) * 1989-11-09 1999-03-10 キヤノン株式会社 アライメント装置
JP2829649B2 (ja) * 1989-11-09 1998-11-25 キヤノン株式会社 アライメント装置
JPH09293674A (ja) * 1996-04-24 1997-11-11 Nikon Corp 露光装置及び露光方法
JP3244633B2 (ja) * 1996-09-05 2002-01-07 株式会社日立製作所 電子線描画方法及び電子線描画装置
JPH1197510A (ja) * 1997-09-18 1999-04-09 Toshiba Corp アライメント方法
JPH11145039A (ja) * 1997-11-10 1999-05-28 Sony Corp 縮小投影露光の位置合わせ方法及び縮小投影露光装置
JPH11340133A (ja) * 1998-05-22 1999-12-10 Sony Corp 重ね合わせ精度測定方法及び半導体製造装置
JP2000294489A (ja) * 1999-04-06 2000-10-20 Sony Corp パターン重ね合わせ方法及び露光装置
JP2002110518A (ja) * 2000-09-28 2002-04-12 Toshiba Corp 重ね合わせ方法
JP2006294854A (ja) 2005-04-11 2006-10-26 Nikon Corp マーク検出方法、位置合わせ方法、露光方法、プログラム及びマーク計測装置
JP4795300B2 (ja) 2006-04-18 2011-10-19 キヤノン株式会社 位置合わせ方法、インプリント方法、位置合わせ装置、インプリント装置、及び位置計測方法
JP4789194B2 (ja) * 2006-05-01 2011-10-12 国立大学法人東京農工大学 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
JP2010283157A (ja) 2009-06-04 2010-12-16 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP5800456B2 (ja) 2009-12-16 2015-10-28 キヤノン株式会社 検出器、インプリント装置及び物品の製造方法
KR20120000846A (ko) * 2010-06-28 2012-01-04 삼성전자주식회사 웨이퍼의 정렬 방법 및 공정 모니터링 방법
JP5759195B2 (ja) * 2011-02-07 2015-08-05 キヤノン株式会社 型、インプリント方法及び物品製造方法
US20130090877A1 (en) 2011-10-07 2013-04-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Lithography tool alignment control system
JP6071221B2 (ja) * 2012-03-14 2017-02-01 キヤノン株式会社 インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6188382B2 (ja) * 2013-04-03 2017-08-30 キヤノン株式会社 インプリント装置および物品の製造方法
JP6271875B2 (ja) * 2013-06-18 2018-01-31 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
JP6401501B2 (ja) * 2014-06-02 2018-10-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP6549834B2 (ja) * 2014-11-14 2019-07-24 キヤノン株式会社 インプリント装置及び物品の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249567A (ja) 2010-05-27 2011-12-08 Toshiba Corp インプリントマスク、その製造方法、及び半導体装置の製造方法
US20140346700A1 (en) 2013-05-27 2014-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Imprinting method, imprinting apparatus, and device manufacturing method
JP2014229883A (ja) 2013-05-27 2014-12-08 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置及びデバイス製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201719726A (zh) 2017-06-01
KR20160120676A (ko) 2016-10-18
TW201642315A (zh) 2016-12-01
TWI634589B (zh) 2018-09-01
CN106054517B (zh) 2020-11-06
SG10201602475TA (en) 2016-11-29
JP6138189B2 (ja) 2017-05-31
US20160299444A1 (en) 2016-10-13
US10732522B2 (en) 2020-08-04
CN106054517A (zh) 2016-10-26
JP2016201423A (ja) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102028235B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
TWI567486B (zh) 圖案形成方法、微影裝置、微影系統、及製造物品的方法
JP6818859B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法
US10919195B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP6549834B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
CN110083009B (zh) 压印方法、压印装置和器件制造方法
US10634995B2 (en) Position detector, position detection method, imprint apparatus, and product manufacturing method
KR101390246B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR101965929B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 시스템 및 물품의 제조 방법
KR101765365B1 (ko) 임프린팅 장치, 디바이스 제조 방법 및 임프린팅 방법
US20150021803A1 (en) Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article
TW201311425A (zh) 壓印設備及物件製造方法
WO2016181644A1 (en) Imprint apparatus, imprinting method, and method of manufacturing product
KR102292951B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법
KR102026503B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
US10545416B2 (en) Detection apparatus, lithography apparatus, and method of manufacturing article
JP2018182230A (ja) インプリント装置、制御データの生成方法、及び物品の製造方法
JP2007250767A (ja) 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP6792669B2 (ja) パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
US11833737B2 (en) Imprint apparatus, method of imprinting, and method of manufacturing article
US20230294351A1 (en) Object alignment method, imprint method, article manufacturing method, detection apparatus, imprint apparatus, mold, and substrate
JP2018073862A (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
KR20230017725A (ko) 위치 검출 장치, 임프린트 장치, 및 물품 제조 방법
TW202234032A (zh) 測量設備、微影設備及物品製造方法
KR20210126502A (ko) 검출 장치, 리소그래피 장치, 물품의 제조 방법 및 검출 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant