TW202234032A - 測量設備、微影設備及物品製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種測量物體的位置的測量設備，包含：檢測器，其配置成利用具有複數個波長的光照射所述物體的測量目標點，並基於所述測量目標點反射的光來檢測所述測量目標點的位置；以及處理器，其配置成基於所述檢測器的檢測結果來確定所述物體的所述位置，其中所述檢測結果包括由波形表示的誤差，在所述波形中，振幅根據所述檢測器與所述物體之間的距離而週期性地變化，以及其中所述處理器係配置成使所述檢測器檢測在所述誤差的所述波形中的所述振幅落入允許範圍內的距離的所述測量目標點的所述位置。

Description

測量設備、微影設備及物品製造方法

本發明涉及測量設備、微影設備和物品製造方法。

已知一種測量設備(干涉儀)，其基於由物體(檢測表面)反射的檢測光和參考表面反射的參考光之間的干涉所產生的干涉訊號來測量物體的位置。在這種測量設備中，在測量結果中會產生根據光路長度週期性變化的非線性誤差(也稱為週期性誤差)。日本專利第6655888號揭露了一種在n種狀態中之各者下測量物體位置的方法，其中檢測光束的光路長度彼此相差誤差(週期性誤差)的週期的1/n(n≥2)，並使用在n種狀態下獲得的測量結果消除誤差。

在日本專利第6655888號中描述的n種狀態中之各者下測量物體位置的方法中，測量精確度隨著測量次數(也就是說，n的值)的增加而提高，但產出量會對應降低。

本發明提供例如在物體的位置的測量精確度方面有利的技術。

根據本發明的一個態樣，提供了一種測量物體的位置的測量設備，包含：檢測器，其配置成利用具有複數個波長的光照射所述物體的測量目標點，並基於所述測量目標點反射的光來檢測所述測量目標點的位置；以及處理器，其配置成基於所述檢測器的檢測結果來確定所述物體的所述位置，其中所述檢測結果包括由波形表示的誤差，在所述波形中，振幅根據所述檢測器與所述物體之間的距離而週期性地變化，以及其中所述處理器係配置成使所述檢測器檢測在所述誤差的所述波形中的所述振幅落入允許範圍內的距離的所述測量目標點的所述位置。

本發明的進一步特徵將透過以下參照附圖對範例性實施例的描述而變得明顯。

在下文中，將參照附圖詳細描述實施例。注意，以下實施例並非意於限制要求保護的發明的範圍。在實施例中描述了多個特徵，但是並不限制於需要所有這些特徵的發明，並且可以適當地組合多個這種特徵。此外，在附圖中，相同的參考符號表示相同或相似的配置，並且省略對其的重複描述。

儘管在以下實施例中將透過使用模具在基板上形成壓印材料圖案的壓印設備作為微影設備來舉例說明，但是本發明不限於此。本發明還適用於其它微影設備，例如，透過使用構件使基板上的組成物平坦化的平坦化設備、曝光基板並將原件的圖案轉移到基板上的曝光設備、使用帶電粒子束在基板上形成圖案的繪圖設備等。

＜第一實施例＞ 將描述根據本發明的第一實施例。壓印設備是使模具和供應在基板上的壓印材料相互接觸並向壓印材料施加固化能量以形成固化物的圖案的設備，所述固化物的圖案具有模具已轉移的凹凸部分的圖案。例如，壓印設備將壓印材料供應到基板上，並在其上已經形成具有凹凸部分的圖案的模具與基板上的壓印材料接觸的狀態下固化壓印材料。接著，壓印設備增加模具和基板之間的間隔，從而將模具與固化的壓印材料分離。因此，可以在基板上形成壓印材料的圖案層。這一系列處理被稱為「壓印處理」並且在基板上的複數個壓射區域中之各者上執行。

作為壓印材料，使用透過接收固化能量而固化的可固化組成物(也稱為未固化狀態的樹脂)。固化能量的範例是電磁波、熱等。電磁波是選自10nm(含)至1mm(含)的波長範圍的光，例如紅外光、可見光束、紫外光等。

可固化組成物可以是用光照射或加熱固化的組成物。透過光照射固化的可光固化組成物至少含有聚合性化合物和光聚合引發劑，根據需要還可以含有非聚合性化合物或溶劑。所述非聚合性化合物是選自由敏化劑、氫供體、內部脫模劑、表面活性劑、抗氧化劑和聚合物成分組成的群組中的至少一種材料。

透過旋塗機或狹縫塗佈機將壓印材料以膜的形式施加到基板上。或者，壓印材料可以用液滴的形式或以透過連接由液體噴射頭供應的複數個液滴獲得的島或膜的形式施加到基板上。壓印材料的黏度(25℃時的黏度)例如為1mPa·s(含)至100mPa·s(含)。

[壓印設備] 圖1是顯示根據本實施例的壓印設備1的佈置的示意圖。在圖1中，將與施加到模具3上的光的光軸平行的方向假設為Z軸方向，而將與Z軸方向垂直的平面內相互正交的方向分別假設為X軸方向和Y軸方向。注意，在以下描述中，「X軸方向」可以定義為包括+X方向和-X方向。這也適用於「Y軸方向」和「Z軸方向」。

壓印設備1可以包括例如固化單元2、壓印頭4、平台6、供應單元7、觀察單元13、第一測量單元8、第二測量單元9和控制單元10(控制器)。控制單元10例如由包括CPU、記憶體等的電腦形成，並且控制單元10控制壓印設備1的每個單元(控制壓印處理)。在此，壓印頭4設置在透過柱17由底板15支撐的橋板18上。平台6被設置為可在底板15上移動。壓印設備1設置有振動隔離器16，其用於減少從其上安裝壓印設備1的地板傳遞到底板15的振動。

模具3(原件)通常由能夠透射紫外光的石英玻璃等材料形成。在位於基板側表面的部分區域(圖案區域)中三維地形成具有要轉印到基板上的壓印材料的凹凸部分的圖案。如基板5，使用玻璃、陶瓷、金屬、半導體、樹脂等。根據需要，可以在基板的表面上形成由與基板不同的材料組成的構件。更具體而言，基板5是矽晶圓、半導體化合物晶圓、石英玻璃等。根據需要，可以在施加壓印材料之前提供接合層以提高壓印材料與基板之間的接合性。基板5可以是尚未形成圖案的毛坯模具。

在壓印處理中，固化單元2(照射單元)在位於基板5上的模具3和壓印材料相互接觸的狀態下，透過模具3用光(例如，紫外光)照射基板5上的壓印材料，從而固化壓印材料。固化單元2可以包括例如光源和用於將光源發出的光調整為適合壓印處理的光的光學元件。在圖1所示的壓印設備1中，它被配置成使得從固化單元2射出的光2a被反射鏡反射，施加到基板5上的壓印材料上。

壓印頭4可以包括保持由模具輸送單元11輸送的模具3的模具卡盤和配置成能夠改變由模具卡盤保持的模具3的位置和傾斜度的模具驅動單元。模具驅動單元可以包括例如Z驅動機構，其透過在Z方向上驅動模具3以將模具3壓靠在基板5上的壓印材料上來改變模具3和基板5之間的間隔，或者將模具3與固化的壓印材料分開。模具驅動單元還可以包括傾斜模具3的傾斜驅動機構等。

平台6係配置成能夠在X和Y方向上保持和移動底板15上的基板5。平台6例如可以包括保持由基板輸送單元12輸送的基板5的基板卡盤，以及能夠變更由基板卡盤保持的基板5的位置和傾斜度的基板驅動單元。基板驅動單元例如可以由在X和Y方向、Z方向、和θ方向(繞Z軸的旋轉方向)驅動基板5的驅動機構和/或傾斜基板5的傾斜驅動機構構成。

在根據本實施例的壓印設備1中，可以透過壓印頭4在Z方向上驅動模具3來執行改變模具3和基板5之間的間隔的操作。然而，本發明不限於此。所述動作例如可以透過工作台6在Z方向上驅動基板5來進行，也可以透過壓印頭4和工作台6在Z方向上分別相對驅動模具3和基板5來進行。

觀察單元13包括例如TTM(Through The Mold)觀察儀，所述觀察儀觀察(檢測)設置在模具3上的標記和設置在基板5上的標記之間的相對位置偏移。因此，控制單元10可以基於觀察單元13(TTM觀察儀)觀察到的模具3的標記與基板5的標記之間的相對位置偏移來執行模具3和基板5的對準。供應單元7將壓印材料14(例如，未固化樹脂)供應到基板5上。在本實施例中，具有透過紫外光的照射固化的特性的紫外光固化樹脂可以用作壓印材料14。

第一測量單元8測量基板5的表面(模具側表面)的高度分佈。例如，第一測量單元8可以包括用光(雷射束)照射基板5並檢測被光照射的基板5的測量目標點的高度(Z方向位置)的雷射干涉儀。第一測量單元8可以透過在工作台6移動基板5的同時檢測基板5表面上的複數個測量目標點中之各者的高度來測量基板5表面的高度分佈。例如，基板5的表面形狀和基板5的表面的傾斜度可以從基板5的表面的高度分佈得到。

第二測量單元9測量模具3的表面(基板側表面)的高度分佈。例如，第二測量單元9可以包括用光(雷射束)照射模具3並檢測被光照射的模具3的測量目標點的高度(Z方向位置)的雷射干涉儀。第二測量單元9設置在工作台6中。第二測量單元9可以透過在被平台6移動的同時檢測模具3表面上的複數個測量目標點中之各者的高度來測量模具3表面的高度分佈。例如，模具3的表面形狀和模具3的表面的傾斜度可以從模具3的表面的高度分佈得到。

[測量設備(第一測量單元和第二測量單元)] 在壓印設備1中，如果模具3和基板5在圖2A所示的壓印處理中相對傾斜，則如圖2B所示，可能會出現壓印材料14的未填充14a或擠出14b。壓印材料14的未填充14a是指壓印材料14部分未填充在基板5的壓射區域5a內。壓印材料14的擠出14b是指壓印材料14擠出到基板5的壓射區域5a外。此外，在這種情況下，由固化的壓印材料14形成的具有凹凸部分的圖案的殘留層厚度(具有凹凸部分的圖案的凹部與基板5之間的厚度)可能不均勻，這可能會影響後處理，如使用具有凹凸部分的圖案作為遮罩的蝕刻處理。因此，根據本實施例的壓印設備1設置有第一測量單元8和第二測量單元9，並且基於其測量結果進行控制，使得模具3和基板5之間的相對傾斜成為目標相對傾斜(例如，平行)。

圖3是顯示用作第一測量單元8和/或第二測量單元9的測量設備20的佈置範例的示意圖。測量設備20是測量物體OB的位置的設備(基板5或模具3)且可以包括例如光源21、檢測單元22(檢測器)和處理單元23(處理器)。光源21包括例如雷射光源、LED等，並且發射具有複數個波長的光。可以理解，光源21作為具有複數個波長的光發射具有一定程度的波長寬度(波長帶)的光。檢測單元22利用從光源21射出的光照射物體OB的測量目標點，並根據測量目標點反射的光檢測測量目標點的位置。處理單元23例如由包括CPU(處理器)、記憶體等的電腦形成。處理單元23控制測量設備20的各個單元，並基於檢測單元22的檢測結果確定物體OB的位置。在本實施例中，處理單元23可以配置成除了確定物體OB的位置之外還進行檢測單元22與物體OB之間距離L的控制(調整)。距離L的控制例如可以透過驅動壓印頭4和/或平台6來進行。或者，可以設置驅動檢測單元22的驅動機構24，並且可以透過驅動機構24進行距離L的控制。處理單元23可以形成為壓印設備1的控制單元10的一部分。

光源21包括半導體雷射、固態雷射等，並且發射光。在本實施例中，光源21配置成發出具有複數個波長(例如660nm的波長、700nm的波長)的雷射束21a。檢測單元22可以包括例如分束器22a、偏振分束器22b、λ/4板22c、反射鏡22d、參考表面22e和光接收器22f。從光源21射出且入射到檢測單元22的雷射21a透射穿過分束器22a，然後透過偏振分束器22b將光分割為包含P偏振光分量的光和包含S偏振光分量的光。包含P偏振光分量的光和包含S偏振光分量的光之一透射穿過偏振分束器22b，且入射到參考表面22e。由參考表面22e反射的光透射穿過偏振分束器22b且入射在分束器22a上。在以下的說明中，由參考表面22e反射的光將稱為參考光21b。

另一方面，包含P偏振光分量的光和包含S偏振光分量的光中的另一個被偏振分束器22b反射且入射到λ/4板22c上，光的偏振方向旋轉90°，且光入射到反射鏡22d。由反射鏡22d反射的光再次入射到λ/4板22c，將光的偏振方向旋轉90°，且光入射到偏振分束器22b。由於所述光具有從由偏振分束器22b反射的光的偏振方向旋轉180°的偏振方向，所以它透射穿過偏振分束器22b並被施加到物體OB(測量目標點)。被物體OB(測量目標點)反射的光透射穿過偏振分束器22b並入射到λ/4板22c，光的偏振方向旋轉90°，且光入射到反射鏡22d。由反射鏡22d反射的光再次入射到λ/4板22c，將光的偏振方向旋轉90°，且光入射到偏振分束器22b。由於所述光的偏振方向從透射穿過偏振分束器22b的光的偏振方向旋轉了180°，因此被偏振分束器22b反射，入射到分束器22a。在以下描述中，被物體OB反射的光將被稱為檢測光21c。

入射在分束器22a上並被分束器22a反射的參考光21b和檢測光21c形成干涉光，並且干涉光入射在光接收器22f上。光接收器22f包括接收干涉光的受光感測器，並且基於受光感測器接收到的干涉光(干涉訊號)來檢測物體OB的測量目標點的位置(高度)。因此，檢測單元22可以檢測物體OB的測量目標點的位置。基於檢測單元22的檢測結果，處理單元23確定物體OB的位置(高度)。處理單元23可以透過確定物體OB中的複數個測量目標點中之各者的位置來獲得物體OB的傾斜度和形狀。

在如上所述配置的測量設備20中，已知根據檢測單元22和物體OB(測量目標點)之間的距離L週期性變化的非線性誤差(也稱為週期性誤差)可以在檢測單元22的測量結果中產生。圖4A是圖，其中橫座標表示檢測單元22與物體OB之間的距離L，而縱座標表示檢測單元22的檢測結果(檢測值或輸出值)。距離L與檢測單元22的檢測結果之間的理想關係是如圖4A中虛線所示的線性關係。然而，如圖4A中的實線所示，實際關係具有包括根據距離L週期性變化的非線性分量的特性(值)。所述非線性分量是週期性誤差。圖4B顯示了透過提取圖4A所示的理想值(虛線)和測量值(實線)之間的差值，即週期性誤差而獲得的結果。可以看出，週期性誤差相對於距離L具有正弦波或接近正弦波的波形，如圖4B所示。所述波形的振幅A取決於測量設備20的配置，例如在一些情況下可以為幾十nm，或可以為多於100nm。波形的週期(period)(週期(cycle))T取決於測量設備20中使用的光的波長(也就是說，光源21的波長)。例如，當使用600nm的紅色雷射作為光源21時，週期T可以是300nm、150nm或其組合。注意，振幅A可以定義為一個週期內波形的峰值(絕對值)。

在此，本發明人發現，當使用具有複數個波長的光(這可以理解為具有預定寬度的波長帶的光)作為從測量設備20的光源21發射的光21a時，由於複數個波長的相互作用，週期性誤差部分地變小。當在測量設備20中使用具有複數個波長的光時，週期性誤差是取決於複數個波長的分量的組合。舉例而言，假設使用具有660nm的波長和700nm的波長的光，並且為了說明簡單，光源波長的1/2分量在週期性誤差中占主導地位。在這種情況下，週期性誤差具有由來自660nm的波長的光的330nm的週期的分量和來自700nm的波長的光的350nm的週期的分量形成的組合波形。

圖5A和5B是用於說明當使用具有複數個波長(660nm的波長和700nm的波長)的光時產生的週期性誤差的圖。在圖5A和5B中之各者中，橫座標表示檢測單元22與物體OB之間的距離L，縱座標表示週期性誤差。圖5A表示個別顯示了來自具有660nm的波長的光的週期性誤差的波形(週期為330nm的分量：實線)和來自具有700nm波長的光的週期性誤差的波形((週期為350nm的分量：虛線)的範例。在圖5A中，為了簡單說明，週期性誤差的振幅都是50nm。圖5B顯示了當使用具有660nm的波長和700nm的波長的光時實際獲得的週期性誤差的波形。注意，圖5A和5B中之各者顯示了關於距離L的週期性誤差的波形，其在0到6,000 nm的距離L的範圍內部分地(局部地)提取。在距離L等於或大於6,000 nm的範圍內，圖5A和5B中之各者中所示的波形重複出現。

從圖5B可以看出，當使用660nm的波長和700nm的波長的光時，實際得到的週期性誤差的波形是由移除了具有圖5A所示的具有各個波長的光束的週期性誤差形成的組合波形。也就是說，實際得到的週期性誤差的波形是由於複數個波長的相互作用，振幅A根據距離L而週期性變化的波形，出現週期性誤差相互增強的部分和週期性誤差相互減弱的部分。在圖5B所示的波形中，在距離L為0到2,900 nm的範圍內，振幅A趨於隨著距離L的增加而減少，而在距離L為2,900 nm到5,800 nm的範圍內，振幅A趨於隨著距離L的增加而增加。也就是說，週期性誤差趨於在2,900 nm的距離L附近變小。還可以理解，圖5B所示的波形是包括在大約350nm的週期中波動的高頻分量(週期性誤差的細微波動)和在大約5,800 nm的週期中波動的低頻分量(振幅A的波動)的波形。

因此，本實施例的測量設備20(處理單元23)使檢測單元22檢測在距離L的物體OB的測量目標點的位置，在所述距離L，週期性誤差的波形中的振幅A在允許範圍內(在允許範圍AR內)。例如，處理單元23確定檢測單元22與物體OB之間的目標距離，使得週期性誤差的波形中的振幅A(低頻分量)落入允許範圍AR內，並使得檢測單元22檢測在目標距離的物體OB的測量目標點的位置。由此，能夠降低檢測單元22的檢測結果中包含的週期性誤差，並且能夠精確度地測量物體OB的位置。注意，允許範圍可以任意設置。例如，允許範圍可以設置為等於或小於可在測量結果中產生的週期性誤差(絕對值)的最大值的一半(50%)，較佳地等於或小於最大值的30%，更較佳為等於或小於最大值的10%。

[確定目標距離的方法] 接下來，獲得如圖5B所示的週期性誤差的波形，並確定檢測單元22和物體OB之間的目標距離(以下有時簡稱為目標距離)的方法。圖6是說明獲得週期性誤差的波形和確定目標距離的方法的流程圖。週期性誤差的波形的獲得和目標距離的確定可以在壓印處理之前，諸如設備啟動時或設備維護時進行。在以下的說明中，以模具3作為物體物OB為例，且對作為上述測量設備20而形成的第二測量單元9測量模具3的位置(高度)的範例進行說明。

在步驟S11中，處理單元23調整第二測量單元9(檢測單元22)與模具3之間的距離L。例如，處理單元23調整距離L，使得模具3佈置在第二測量單元9實際測量模具3表面的高度的附近。距離L的調整可以透過在Z軸方向上驅動壓印頭4來進行。此時，為了減少空氣波動的影響，較佳使第二測量單元9和模具3盡可能靠近，也就是說，距離L設置為在第二測量單元9的測量範圍內盡可能小的值。然而，如果距離L太小，則壓印頭4(模具3)和平台6(基板5或第二測量單元9)可能相互接觸(干涉)，使得距離L被設置為使得它們不相互接觸。舉例而言，距離L可以設定為幾十μm～幾百μm左右的間隔(模具3與第二測量單元9的間隔)。此外，在步驟S11中，可以透過平台6調整第二測量單元9的X方向位置和Y方向位置，使得第二測量單元9測量模具3的中心部分作為測量目標點。

在步驟S12中，處理單元23使檢測單元22檢測模具3的表面高度(測量目標點的位置)，並將距離L和檢測結果(表面高度) 彼此相關地儲存。接著，在步驟S13中，處理單元23判斷是否改變距離L，並使得檢測單元22繼續檢測模具3的表面高度。例如，如果沒有得到包括一或多個週期的振幅A的變化的週期性誤差的波形(例如，圖5B所示的波形)，則處理單元23可以確定要改變距離L並繼續檢測模具3的表面高度。在這種情況下，處理返回到步驟S11，並且處理單元23透過在固定平台6(第二測量單元9)的X方向位置和Y方向位置的同時在Z軸方向上驅動壓印頭4來將距離L改變(調整)為下一個距離L，並使得檢測單元22檢測模具3的表面高度(測量目標點)。

在此，距離L的變化量需要充分小於第二測量單元9(檢測單元22)中的週期性誤差的週期(低頻分量的週期)。當週期性誤差的週期為大約300到400nm時，距離L(壓印頭4的Z驅動間距)的變化量可以設置為大約幾十nm。在如上所述改變距離L的複數個狀態的每一個中，重複執行步驟S11和S12中的模具3的表面高度的檢測。模具3的表面高度的重複檢測範圍取決於第二測量單元9。例如，在週期性誤差的波形中，如圖5B所示，週期性誤差的振幅A變小處的距離L以及週期性誤差的振幅A變大處的距離L每隔幾μm到幾十μm交替地(週期性地)出現。因此，模具3的表面高度的檢測在比能夠看到一個週期的振幅A的變化的範圍大的範圍內重複進行。注意，以這種方式重複進行模具3的表面高度的檢測需要相當長的時間，因此希望在實際執行壓印處理之前在調整設備時執行步驟S11至S13。

在步驟S14中，處理單元23基於透過重複步驟S11至S13獲得的週期性誤差的波形來確定目標距離。例如，處理單元23確定目標距離，使得週期性誤差的波形的振幅A落入允許範圍AR內。

作為確定目標距離的方法的範例，有一種方法，其中設置用於提取週期性誤差的一部分波形的區間(以下有時稱為提取區間)，並且在改變提取區間的同時，為每個提取區間獲得表示週期性誤差大小的指標值。在所述方法中，透過找到獲得最小指標值的提取區間，可以確定所述提取區間內的目標距離。在此，提取區間的條件是至少包含一個週期的週期性誤差。例如，在圖5B所示的範例中，由於週期性誤差的週期(高頻分量的週期)在350nm和360nm之間，因此可以將360nm以上的範圍定義為提取區間。此外，表示提取區間的週期性誤差的大小的指標值可以是提取區間的週期性誤差的標準差，或可以是提取區間中的週期性誤差最大值與最小值之差值(即範圍)。下面將描述獲得每個提取區間的索引值的範例。

(範例1) 在範例1中，將描述獲得週期性誤差的標準差作為每個提取區間的指標值的範例。圖7A顯示圖5B所示波形的一部分(虛線包圍的範圍)的放大圖，圖7B是顯示針對每個提取區間獲得週期性誤差的標準差作為指標值的結果的圖。圖7A和7B顯示了在將檢測單元22對模具3的表面高度的檢測間距(距離L的間距)設置為30nm的同時執行步驟S11到S13的範例。提取區間定義為距離L的區間，並且可以任意設定。在以下的說明中，將提取區間設定為比週期性誤差的週期(高頻分量的週期)大的360nm的區間。更具體地，將用於獲得給定樣本點的指標值(檢測結果)的距離L的提取區間設置為距樣本點±180nm的區間。注意，對於在0nm到150nm的距離L的每個取樣點，不能確保距取樣點-180nm的部分。因此，將在距離L為180nm的取樣點設置為起點。

如圖7A所示，對於在距離L為180nm的取樣點(檢測結果)，處理單元23將距取樣點±180nm的部分設置為提取區間，即0nm到360nm的部分。接著，獲得包含在所述提取區間中的複數個檢測結果的標準差作為指標值，並且如圖7B所示，將獲得的指標值繪製在距離L為180nm的位置處。類似地，對於在距離L為210nm的取樣點(檢測結果)，處理單元23將距取樣點±180nm的區間，即30nm至390nm的區間設定為提取區間。接著，獲得包含在提取區間中的複數個檢測結果的標準差作為指標值，並且將所獲得的指標值繪製在距離L為210nm的位置處。透過對各個取樣點重複上述處理，可以產生表示距離L和指標值(標準差)之間的關係的指標值資訊，如圖7C所示。由此，在圖7C所示的指標值資訊中，處理單元23能夠將指標值(標準差)為臨界值以下的距離L確定為目標距離，例如，指標值為最小的距離L。在圖7C所示的範例中，在2900nm的距離L處指標值最小，因此處理單元23可以將2900nm的距離L設定為目標距離。

在此，如上所述，在距離L與第一次測量中的距離L相比小於180nm的範圍內，不能設置提取部，因此不能獲得指標值。類似地，在距離L與上次測量中的距離L相比小於180nm的範圍內，無法設置提取區間，因此無法獲得指標值。因此，如果指標值最小的點包含在這些範圍任一者中，則可能難以獲得指標值最小的點作為目標距離。因此，較佳將在步驟S11至S13中反覆檢測的表面高度的距離L的範圍設定為足夠大以包含指標值最小的點的範圍。

(範例2) 在範例1中，提取區間中的週期性誤差的標準差被用作指標值。在範例2中，將描述使用提取區間中的週期性誤差的最大值和最小值之間的差值作為指標值的範例。此外，在將差值用作指標值的情況下，也可以進行與將標準差用作指標值的情況相同的處理。圖8A顯示了圖5B所示波形的一部分(虛線包圍的範圍)的放大圖，圖8B是顯示了針對每個提取區間獲得週期性誤差值的最大值和最小值之間的差值作為指標值的結果的圖。

如圖8A所示，對於在距離L為180nm的取樣點(檢測結果)，處理單元23將距取樣點±180nm的部分設置為提取區間，即從0nm到360nm的部分。接著，獲取包含在提取區間中的複數個檢測結果的最大值和最小值之差值作為指標值，並且如圖8B所示，將所獲得的指標值繪製在距離L為180nm的位置。類似地，對於在距離L為210nm的取樣點(檢測結果)，處理單元23將距取樣點±180nm的區間，即從30nm至390nm的區間設定為提取區間。接著，獲取包含在提取區間中的複數個檢測結果的最大值和最小值之差值作為指標值，並且在距離L為210nm的位置繪製所獲得的指標值。透過對各個取樣點重複上述處理，如圖8C所示，可以產生表示距離L和指標值(最大值和最小值之間的差值) 之間的關係的指標值資訊。由此，在圖8C所示的指標值資訊中，處理單元23可以將指標值(差值)等於或小於臨界值的距離L確定為目標距離，例如，索引值最小的距離L。在圖8C所示的範例中，在2900nm的距離L處指標值最小，因此處理單元23將2900nm的距離L設定為目標距離。

(範例3) 在提取區間中獲得週期性誤差的大小作為指標值的方法不限於上述範例1和2。例如，可以將透過用正弦波對提取區間中的波形進行函數近似而獲得的振幅用作指標值。設置提取區間的方法如上所述。圖9顯示了透過用正弦波對包含在第一提取區間(0nm到360nm)中的檢測結果進行函數近似而獲得的近似結果(虛線)。以此方式，在改變提取區間的同時獲得近似結果的振幅作為每個提取區間的指標值，並且可以將指標值(振幅)最小的距離L設置為目標距離。

在此，第二測量單元9中的檢測單元22的檢測結果可以包括除了週期性誤差之外的各種誤差分量。例如，平台6在Z軸方向的漂移和檢測壓印頭4在Z軸方向的位置的感測器(線性編碼器等)的誤差可以是檢測單元22的檢測結果中的誤差分量。因此，為了獲得圖5B的圖，需要單獨提取週期性誤差分量。由於週期性誤差的週期取決於測量設備20的光源21的波長，因此可以透過基於光源21的波長進行濾波處理等來提取週期性誤差分量。在上述範例中，週期性誤差的週期約為300nm至400nm，因此其頻率高於諸如級6的一般漂移或感測器的一般誤差之類的誤差分量的頻率。因此，第二測量單元9的檢測單元22可以透過對檢測結果施加高通濾波器來提取關於週期性誤差的頻率分量。當檢測單元22的檢測結果中包括具有比週期性誤差更高頻率的雜訊時，可以使用帶通濾波器僅提取週期性誤差的頻率分量。因此，可以獲得如圖5B所示的波形。

每個圖的橫座標表示檢測單元22和物體OB(測量目標點)之間的距離L。作為距離L，可以使用從壓印頭4的驅動指令值或檢測檢測單元22與物體OB之間的距離的感測器的輸出值(檢測值)獲得的距離，但較佳使用感測器的輸出值。這是因為感測器的輸出值中包含的週期性誤差的大小與感測器的輸出值有很大的相關性。當連續使用單一模具3時，可以將壓印頭4在Z軸方向上的位置用作參考。然而，如果更換模具3，模具3的厚度，即感測器的輸出值通常會發生變化。如果每次更換模具3時都獲得週期性誤差最小的壓印頭4在Z軸方向上的位置，則這需要時間並且效率低。當圖的橫座標代表感測器的輸出值時，即使模具3的厚度發生變化，也只需將壓印頭4在Z軸方向上的位置驅動到週期性誤差落在允許範圍AR內的目標距離。注意，感測器的輸出值也可能包括其包括週期性誤差的誤差分量。然而，如上已所述的，這些誤差分量大約為幾十nm到幾百nm。由於週期性誤差變小的範圍具有一定程度的寬度，如從幾百nm到幾μm的範圍，所以允許幾十nm到幾百nm的偏移。

同樣在圖5A和5B、圖7A至7C、圖8A至8C和圖9中所示的每個範例中，希望橫座標代表感測器的輸出值。在這種情況下，感測器的輸出值約為2,900nm的位置可以計算為週期性誤差變小的位置。如上已所述的，當第二測量單元9測量模具3的表面時，通常在模具3與第二測量單元9之間存在幾十μm或幾百μm的間隔的狀態下進行測量，以防止在驅動平台6時發生碰撞。圖5A和5B、圖7A至7C、圖8A至8C和圖9僅僅是有助於理解本發明的概念圖。實際上，在測量時在壓印頭4在Z軸方向上的位置附近搜索週期性誤差最小的感測器測量值。

標準差的圖可以包括取決於計算標準差的寬度的計算誤差。因此，獲得如圖7C所示的波浪形狀。那麼，求最小值的計算也包含誤差。為了防止這種情況，希望在透過對圖施加低通濾波器等來移除誤差之後獲得週期性誤差最小的感測器測量值。

[確定物體位置的方法] 接下來，使用利用圖6的流程圖確定的目標距離測量物體OB中的複數個測量目標點中之各者處的位置(高度)並從測量結果確定物體OB的位置的方法將被描述。可以理解，物體OB的位置包括物體OB的表面形狀和/或表面傾斜度。圖10是說明確定物體OB的位置的方法的流程圖。在以下的說明中，以模具3為例作為物體OB進行說明，並且以作為上述測量設備20而形成的第二測量單元9測量模具3的位置的範例進行說明。在此，將描述獲得模具3的表面傾斜度(一次平面形狀)作為模具3的位置，但是可以同時獲得模具3的厚度(0次)或二次曲面形狀的範例。可以使用壓印頭4在按壓時在Z軸方向上的位置來校正0次分量。另一方面，可以透過調整施加於遮罩3等的背面的氣壓來校正二次曲面形狀。在此將僅描述一次平面形狀，但本發明對於上述0次分量和二次曲面形狀的測量也是有效的。

在步驟S21中，處理單元23將第二測量單元9(檢測單元22)和模具3之間的距離L控制(調整)為使用圖6的流程圖確定的目標距離。如上已所述的，距離L的控制可以透過驅動壓印頭4和/或平台6來執行，或者可以透過驅動檢測單元22的驅動機構24來執行。注意，可以執行閉環，其中重複控制直到第二測量單元9的結果落入允許範圍內。如上已所述的，由於週期性誤差變小的感測器輸出值的範圍具有一定程度的寬度，因此基於此確定了允許範圍。通常，允許範圍為100nm到幾百nm的範圍就足夠了。

在步驟S22中，處理單元23在X和Y方向上驅動第二測量單元9(檢測單元22)，使得可以檢測到模具3的測量目標點的位置(Z軸方向上的位置)。例如，可以透過在X和Y方向上驅動平台6來驅動第二測量單元9。在步驟S23中，處理單元23使第二測量單元9(檢測單元22)檢測測量目標點的位置。為了獲得模具的X方向傾斜度和Y方向傾斜度，需要在X軸方向和Y軸方向的每一個上至少兩個測量目標點。為了計算多點測量中的二次形狀或平均效果，通常在網格中的X和Y方向各設置三到五個點。隨著測量目標點的數目增加，測量精確度會提高，但產出量會降低。因此，從精確度和時間的角度來選擇合適的測量目標點。接著，在步驟S24中，處理單元23判斷檢測單元22是否對所設定的全部測量目標點進行了位置檢測。如果檢測單元22沒有對所有測量目標點進行位置檢測，則處理返回到步驟S22。如果檢測單元22已經在所有測量目標點處執行了位置檢測，則處理前進到步驟S25。

在步驟S25中，處理單元23基於在步驟S22至S24中獲得的檢測單元22的檢測結果來確定用作物體OB的模具3的位置。在步驟S25中確定的模具3的位置可以包括例如模具3在Z軸方向上的位置(表面位置)和/或模具3在ωX方向和ωY方向上的傾斜度(表面傾斜度)。此外，模具3的位置可以理解為包括模具3的表面形狀。例如，處理單元23可以基於檢測單元22在步驟S22到S24中獲得的檢測結果，採用最小平方法得到模具3的表面傾斜度。

在本實施例中，如上已所述的，使第二測量單元9(檢測單元22)在確定的目標距離處檢測測量目標點的位置以減少週期性誤差。也就是說，透過使用所述檢測結果，可以精確地獲得模具3的位置。注意，可以執行閉環，其中基於確定的模具3的位置來驅動壓印頭4並且再次執行測量遮罩3的表面傾斜度的步驟。

[壓印處理] 接下來，將描述根據所述實施例的壓印處理。圖11是說明根據本實施例的壓印處理的流程圖，而圖12A～12E是顯示根據本實施例的壓印處理的各狀態的概念圖。

在步驟S31中，控制單元10使第二測量單元9測量安裝在壓印頭4上的模具3的位置(包括表面傾斜和表面形狀)(參見圖12A)。所述步驟S31可以根據上述圖10的流程圖進行。由此，能夠降低第二測量單元9的週期性誤差的影響，並精確度地測量模具3的位置。接著，在步驟S32中，控制單元10使第一測量單元8測量安裝在平台6上的基板5的位置(包括基板5的傾斜度和形狀) (參見圖12B)。第一測量單元8對基板5的位置的測量可以用與第二測量單元9對模具3的位置的測量類似的方式進行。因此，可以減少第一測量單元8中的週期性誤差的影響，並精確測量基板5的位置。

在步驟S33中，控制單元10計算要執行壓印處理的目標壓射區域中的表面位置(傾斜度和形狀)。可以透過從在步驟S32中獲得的基板表面形狀資訊中提取與目標壓射區域對應的部分並對提取的部分進行一次平面近似等來計算目標壓射區域中的表面位置。

在步驟S34中，控制單元10將目標壓射區域和模具3的表面設置為具有目標相對傾斜度(例如，平行)(參見圖12C)。基於在步驟S33中獲得的壓射區域中的表面位置(表面傾斜)和在步驟S31中獲得的模具3的表面位置(表面傾斜度)，控制單元10透過壓印頭4和/或平台6校正目標壓射區域和模具之間的相對傾斜度。

在步驟S35中，控制單元10透過供應單元7將壓印材料14供應到目標壓射區域上(參見圖12C)。接著，在步驟S36中，控制單元10透過壓印頭4驅動模具3以使模具3與目標壓射區域上的壓印材料14接觸(見圖12D)。在等待壓印材料14填充到模具3的圖案後，控制單元10使固化單元2用光2a照射壓印材料14以固化壓印材料14。在步驟S36中，在固化壓印材料14之前，也可以基於模具3的標記與觀察單元13(TTM觀察儀)觀察到的目標壓射區域的標記之間的相對位置偏移進行模具3與目標壓射區域的對準。

在步驟S37中，控制單元10將模具3與固化的壓印材料14分離(參見圖12E)。因此，模具3的圖案已被轉印到其上的壓印材料14的固化物的圖案可以形成在目標壓射區域上。接著，在步驟S38中，控制單元10確定是否已經在基板5的所有壓印區域中執行了壓印處理。如果存在沒有執行壓印處理的壓射區域，則處理返回到步驟S33，並且在將還沒有執行壓印處理的壓射區域設置為目標壓射區域的同時執行步驟S33至S37。另一方面，如果已在所有壓射區域中執行了壓印處理，則處理前進到步驟S39。在步驟S39中，控制單元10確定是否已經對批次中的所有基板5執行了壓印處理。如果存在未進行壓印處理的基板5，則處理返回步驟S32，對未進行壓印處理的基板5執行步驟S32至S38。另一方面，如果對所有基板5都進行了壓印處理，則結束處理。

＜第二實施例＞ 將描述根據本發明的第二實施例。注意，本實施例基本上取代了第一實施例，並且壓印設備1和測量設備20的佈置和處理如第一實施例中所述。

在上述第一實施例中，已經描述了第二測量單元9精確地獲得模具3的位置的情況。這也適用於第一測量單元8精確地獲得基板5的位置的情況。更具體地，在圖6和圖10的流程圖中，模具3被替換為基板5，第二測量單元9被替換為第一測量單元8，壓印頭4被替換為階段6，並執行類似的步驟。然而，在這種情況下，需要在平台6中設置Z軸方向驅動機構。

＜第三實施例＞ 將描述根據本發明的第三實施例。注意，本實施例基本上取代了第一實施例，並且壓印設備1和測量設備20的佈置和處理如第一實施例中所述。此外，第二實施例可以施加於本實施例。

在第一和第二實施例中，已經描述了控制單元10使檢測單元22檢測在距離L的測量目標點的位置的情況，在所述距離L，週期性誤差的波形的振幅A落在允許範圍AR內，從而減少了檢測結果產生的週期性誤差。在本實施例中，將描述進一步減少在檢測單元22的檢測結果中產生的週期性誤差的情況。更具體地，在振幅A落入允許範圍AR內的距離L的範圍內，處理單元23透過使檢測單元22在距離L彼此相差週期性誤差的波形週期(低頻分量的週期)的1/n(n≥2)的複數個狀態中之各者下檢測測量目標點的位置。由此，處理單元23能夠取得n個檢測結果，並基於n個檢測結果來確定測量目標點(物體OB)的位置，從而消除週期性誤差。

更具體地，處理單元23使在執行檢測單元22在測量軸方向(更具體地，Z軸方向)上週期性誤差的波形(正弦波)的週期的1/n(n≥2)的微間距驅動的同時檢測單元22檢測測量目標點的位置。透過對上述操作獲得的n個檢測結果進行平均，可以減少(消除)週期性誤差。例如，當週期性誤差的週期為300nm時，如果n＝2，則使第二測量單元9的檢測單元22在Z軸方向上的兩個位置檢測測量目標點的位置，它們是距壓印頭4的當前Z位置+0nm和+150nm的位置。由此獲得的兩個檢測結果包括彼此相反的方向(+方向和-方向)上的週期性誤差。因此，透過對兩個檢測結果進行平均，能夠減少(消除)各自的檢測結果中包含的週期性誤差，並且能夠正確地求出測量目標點的位置。同樣地，在n＝3的情況下，使檢測單元22在Z軸方向上的3個位置檢測測量目標點的位置，它們是距壓印頭4的當前Z位置+0nm、+100nm、+200nm的位置。透過對如此獲得的三個檢測結果進行平均，可以減少(消除)週期性誤差。注意，增加n的值會提高測量精確度，但在產出量方面是不利的。因此，n的值設置在2到4的範圍內。

圖13是說明根據所述實施例的確定物體OB的位置的方法的流程圖。所述流程圖與圖10的流程圖基本上相同，故以下將對與圖10的流程圖的不同點進行說明。

步驟S41至S43與圖10的流程圖中的步驟S21至S23類似，因此將省略對其的描述。在步驟S44中，處理單元23確定檢測單元22是否在距離L彼此不同的複數個(n)種狀態中之各者下檢測到測量目標點的位置。如果不是在所有狀態下都檢測到測量目標點的位置，則在步驟S45中，處理單元23將距離L改變週期性誤差的波形(正弦波)的週期的1/n(n≥2)，接著返回步驟S43。另一方面，如果在所有狀態下都檢測到測量目標點的位置，則處理進入步驟S46。

在步驟S46中，處理單元23基於在上述步驟中獲得的n個檢測結果來確定測量目標點的位置。更具體地，處理單元23確定透過將n個檢測結果平均得到的值作為測量目標點的位置。由此，可以減少(消除)週期性誤差。由於步驟S47和S48類似於圖10的流程圖中的步驟S24和S25，因此將省略對其的描述。

＜物品製造方法的實施例＞ 根據本發明實施例的物品製造方法適用於製造諸如半導體裝置等微型裝置或具有微結構的元件的物品。根據本實施例的物品製造方法包括透過使用上述壓印設備(壓印方法)在基板上供應(施加)的壓印材料中形成圖案的步驟(壓印方法)，以及處理圖案已在上一步中形成於其上的基板的步驟。所述製造方法還包括其它眾所周知的步驟(氧化、沉積、氣相沉積、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑移除、切割、接合、封裝等)。本實施例的物品製造方法與傳統的方法相比，在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一者具有優勢。

使用壓印設備模製的固化物的圖案永久地用於各種物品中的至少一些，或者在製造各種物品時臨時使用。物品是電路元件、光學元件、MEMS、記錄元件、感測器、模具等。電路元件的範例是揮發性和非揮發性半導體記憶體，如DRAM、SRAM、快閃記憶體和MRAM，以及半導體元件，如LSI、CCD、影像感測器和FPGA。模具的範例是壓印模具。

固化物的圖案直接用作至少一些上述物品的構成構件或暫時用作抗蝕劑遮罩。在基板處理步驟中進行蝕刻或離子佈植之後，移除抗蝕劑遮罩。

接下來將描述製造物品的更具體方法。如圖14A所示，準備在表面形成有諸如絕緣體的經處理材料2z的矽晶圓的基板1z。接著，透過噴墨法等將壓印材料3z施加到經處理材料2z的表面。這裡顯示了壓印材料3z作為複數個液滴施加到基板上的狀態。

如圖14B所示，用於壓印具有凹凸部分的圖案的模具4z的一側朝向並使其面對基板上的壓印材料3z。如圖14C所示，使對其施加了壓印材料3z的基板1z與模具4z接觸，並施加壓力。模具4z和經處理材料2z之間的間隙填充有壓印材料3z。在所述狀態下，當經由模具4z向壓印材料3z照射作為固化能量的光時，壓印材料3z被固化。

如圖14D所示，在壓印材料3z固化後，將模具4z與基板1z分離，在基板1z上形成壓印材料3z的固化物的圖案。在固化物的圖案中，模具的凹部對應於固化物的凸部，模具的凸部對應於固化物的凹部。也就是說，將模具4z的具有凹凸部分的圖案轉印到壓印材料3z上。

如圖14E所示，當使用固化物的圖案作為抗蝕刻遮罩進行蝕刻時，經處理材料2z的表面中固化物不存在或保持較薄的部分被移除以形成凹槽5z。如圖14F所示，當移除固化物的圖案時，可以獲得在經處理材料2z的表面中形成有凹槽5z的物品。在此，固化物的圖案被移除。然而，也可以不在處理後將固化物的圖案移除，而是可將其用作例如半導體元件等所包含的層間絕緣膜，即物品的構成構件。

例如，根據本發明實施例的物品製造方法可以用於製造諸如金屬部件或光學元件的物品。本實施例的物品製造方法包括使用上述測量設備來測量物體的形狀的步驟、以及基於在所述測量步驟中得到的測量結果對物體進行處理的步驟。例如，使用測量設備來測量物體的形狀，並使用測量結果來處理(製造)物體，使得物體的形狀具有設計值。同樣在這種情況下，所述方法在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一者具有優勢。

＜其它實施例＞ 本發明的實施例也可以透過系統或設備的電腦來實現，所述系統或設備的電腦讀取並執行記錄在儲存媒體(也可以更全面地稱為非暫態電腦可讀取儲存媒體)上的電腦可執行指令(例如，一或多個程式)來執行一或多個上述實施例的功能和/或包括一或多個電路(例如，特殊應用積體電路(ASIC))，以執行一或多個上述實施例的功能，以及也可以透過由該系統或設備的該電腦執行的方法來實現，例如透過從儲存媒體中讀取並執行電腦可執行指令來執行一或多個上述實施例的功能和/或控制一或多個電路以執行一或多個上述實施例的功能。電腦可以包含一或多個處理器(例如，中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU))，並且可以包括單獨的電腦或單獨的處理器的網路以讀取和執行電腦可執行指令。電腦可執行指令可以例如從網路或儲存媒體提供給電腦。儲存媒體可以包括例如硬碟、隨機存取記憶體(RAM)、唯讀記憶體(ROM)、分佈式計算系統的儲存、光學碟(如光碟(CD))、數位通用光碟(DVD)或藍光光碟(BD)™)、快閃記憶體裝置、記憶卡等中的一或多種。

儘管已經參考範例性實施例描述了本發明，但是應當理解，本發明不限於所揭露的範例性實施例。以下請求項的範圍應給予最廣泛的解釋，以涵蓋所有此類修改和等效結構和功能。

1:壓印設備 2:固化單元 2a:光 3:模具 4:壓印頭 5:基板 6:平台 7:供應單元 8:第一測量單元 9:第二測量單元 10:控制單元 11:模具輸送單元 12:基板輸送單元 13:觀察單元 14:壓印材料 14a:未填充 14b:擠出 15:底板 16:振動隔離器 17:柱 18:橋板 20:測量設備 21:光源 21a:雷射束 21b:參考光 21c:檢測光 22:檢測單元 22a:分束器 22b:偏振分束器 22c:λ/4板 22d:反射鏡 22e:參考表面 22f:光接收器 23:處理單元 24:驅動機構 S11:步驟 S12:步驟 S13:步驟 S14:步驟 S21:步驟 S22:步驟 S23:步驟 S24:步驟 S25:步驟 S31:步驟 S32:步驟 S33:步驟 S34:步驟 S35:步驟 S36:步驟 S37:步驟 S38:步驟 S39:步驟 S41:步驟 S42:步驟 S43:步驟 S44:步驟 S45:步驟 S46:步驟 S47:步驟 S48:步驟 1z:基板 2z:處理材料 3z:壓印材料 4z:模具 5z:凹槽

[圖1]是顯示壓印設備的佈置的示意圖；

[圖2A和2B]是用於說明壓印材料的未填充和擠出的視圖；

[圖3]是顯示測量設備的佈置範例的示意圖；

[圖4A和4B]是用於說明週期性誤差的圖；

[圖5A和5B]是用於說明使用具有複數個波長的光時產生的週期性誤差的圖；

[圖6]是說明獲得週期性誤差的波形和確定目標距離的方法的流程圖；

[圖7A]～[圖7C]是用於說明獲得週期性誤差的標準差作為各提取區間的指標值的範例的圖；

[圖8A]～[圖8C]是用於說明獲得週期性誤差的最大值與最小值之差值作為各提取區間的指標值的範例的圖；

[圖9]是用於說明透過用正弦波對週期性誤差的波形進行函數近似得到的振幅作為各提取區間的指標值的範例的圖；

[圖10]是說明確定物體的位置的方法的流程圖；

[圖11]是說明壓印處理的流程圖；

[圖12A]～[圖12E]是顯示壓印處理的各狀態的概念圖；

[圖13]是說明確定物體的位置的另一種方法的流程圖；以及

[圖14A]～[圖14F]是用於說明物品製造方法的圖。

20:測量設備

21:光源

21a:雷射束

21b:參考光

21c:檢測光

22:檢測單元

22a:分束器

22b:偏振分束器

22c:λ/4板

22d:反射鏡

22e:參考表面

22f:光接收器

23:處理單元

24:驅動機構

L:距離

OB:物體

Claims (9)

1. 一種測量物體的位置的測量設備，包含： 檢測器，其配置成利用具有複數個波長的光照射所述物體的測量目標點，並基於所述測量目標點反射的光來檢測所述測量目標點的位置；以及 處理器，其配置成基於所述檢測器的檢測結果來確定所述物體的所述位置， 其中所述檢測結果包括由波形表示的誤差，在所述波形中，振幅根據所述檢測器與所述物體之間的距離而週期性地變化，以及 其中所述處理器係配置成使所述檢測器檢測在所述誤差的所述波形中的所述振幅落入允許範圍內的距離的所述測量目標點的所述位置。
2. 如請求項1所述的設備，其中所述處理器係配置成確定所述檢測器與所述物體之間的目標距離，使得所述誤差的所述波形中的所述振幅落在所述允許範圍內，並使所述檢測器檢測在所述目標距離的所述測量目標點的所述位置。
3. 如請求項2所述的設備，其中所述處理器係配置成在改變用於提取所述誤差的所述波形的一部分的區間的同時，獲得表示每個區間的所述誤差的大小的指標值，以產生表示所述距離與所述指標值之間關係的資訊，並且基於所述資訊來確定所述目標距離。
4. 如請求項3的設備，其中所述處理器係配置成獲得所述區間中的所述誤差的最大值和最小值之間的差值作為所述指標值。
5. 如請求項3的設備，其中所述處理器係配置成獲得所述區間中的所述誤差的標準差作為所述指標值。
6. 如請求項3的設備，其中所述處理器係配置成獲得透過用正弦波對所述區間中的所述誤差的所述波形進行近似而獲得的振幅作為所述指標值。
7. 如請求項1的設備，其中所述處理器係配置成透過使所述檢測器在距離彼此相差所述誤差的所述波形的週期的1/n的複數個狀態中之各者下檢測所述測量目標點的所述位置來獲得n個檢測結果(n≥2)，並且基於所述n個檢測結果來確定所述物體的所述位置。
8. 一種在基板上形成圖案的微影設備，包含： 如請求項1至7中任一項的測量設備，其測量物體的位置；以及 控制器，其配置成基於所述測量設備的測量結果來控制所述基板上的所述圖案的形成， 其中所述測量設備測量所述基板的位置和/或包括要轉印到所述基板的圖案的原件的位置作為所述物體的所述位置。
9. 一種物品製造方法，所述方法包含： 透過使用如請求項1至7中任一項的測量設備來測量物體的位置； 基於測量所述物體的所述位置的結果來處理所述物體，以製造所述物品。

Images