KR102021158B1

KR102021158B1 - 레지스트 박리제

Info

Publication number: KR102021158B1
Application number: KR1020147000973A
Authority: KR
Inventors: 히로후미 오츠보; 게이이치로 이시이; 겐이치 구보; 모토노리 야나기
Original assignee: 노무라마이크로사이엔스가부시키가이샤
Priority date: 2012-06-26
Filing date: 2012-10-02
Publication date: 2019-09-11
Also published as: JP5437541B1; CN103733137A; KR20150037719A; CN103733137B; TWI572999B; WO2014002151A1; TW201400996A; JPWO2014002151A1

Abstract

본 발명은 레지스트 박리제로서의 우수한 레지스트 박리 성능을 갖고, 또한 순수 린스 시에, 레지스트 박리물의 기판으로의 석출이나 재부착이 없는 레지스트 박리제를 제공한다. 또한, 본 발명은 금속 배선, 특히 구리 배선에 대한 부식성이 없고, 재사용이 가능한 레지스트 박리제를 제공한다. 본 발명은 (A) 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1 종 이상의 50~99 질량%와, (B) 탄산글리세롤의 1~50 질량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제를 제공한다.

Description

레지스트 박리제{RESIST STRIPPING AGENT}

본 발명은 실리콘 기판이나 유리 기판에 금속 배선 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정에서, 에칭 조작후의 레지스트 피막을 박리하기 위해 사용되는 레지스트 박리제에 관한 것이다.

종래부터, 노보락 수지로 이루어진 레지스트 피막의 박리제로서, 아민계의 레지스트 박리제가 사용되고 있다. 상기 아민계의 레지스트 박리제로서는, 예를 들어 모노에탄올아민, N-메틸아미노에탄올, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아민류에, 디메틸설폭시드와 같은 수용성 유기용매와 물을 첨가한 다(多)성분의 레지스트 박리제가 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).

이들 아민계의 레지스트 박리제는, 노보락 수지와 감광제와의 가교점을 절단하고, 또한 감광제나 수지와 염을 형성한다. 그 결과, 레지스트 피막이 가용화되어 기판으로부터 박리된다.

그러나, 이들 다성분의 아민계의 레지스트 박리제의 성분에는, 저비점 성분이 많고, 또한 각 성분의 증기압이 각각 다르다. 그 때문에 사용중인 각 성분의 증발량이 다른 점에서, 사용 중에 조성이 변동되고 박리 성능이 저하되는 문제가 있다. 또한, 반복하여 사용하고 있으면 레지스트 박리제 중의 레지스트 박리물의 용해량이 증가하므로, 상기 레지스트 박리물의 영향에 의해 박리 성능이 저하되는 문제가 있다. 또한, 아민계의 레지스트 박리제는 구리 배선에 대한 부식성이 크고, 배선 패턴의 정밀화(finezation)가 더욱 진행된 경우에, 단선 등의 원인이 될 우려도 있다.

아민계의 레지스트 박리제 이외의 레지스트 박리제로서는, 예를 들어 탄산에틸렌과 탄산프로필렌을 주성분으로 하는 레지스트 박리제나, 탄산에틸렌과 γ-부티로락톤을 주성분으로 하는 레지스트 박리제가 알려져 있다. 이들 레지스트 박리제에서는, 레지스트 박리 후의 레지스트 박리물이 용해된 액에 오존 함유 가스를 불어 넣어 레지스트 박리물만 분해한 후, 레지스트 박리제를 재사용(reuse)하는 것도 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2, 특허문헌 3 참조).

또한, 시클로헥사논과 아세트산 부틸을 혼합한 레지스트 박리제도 알려져 있다(예를 들어 특허문헌 4 참조).

일반적으로 레지스트 박리제에는, 우수한 박리 성능, 금속 배선, 특히 구리 배선에 대한 부식성이 없는 점, 가온하에서의 작업을 고려하여, 인화점이 높고 안전성이 높은 점 등이 요구된다.

또한, 포토그래피 공정에서는, 에칭 후의 레지스트 박리공정에 이어서 린스 공정이 실시된다. 린스 공정에서는, 기판에 부착된 레지스트 박리제를 순수(純水)로 세정 제거한다. 이 순수에 의한 린스 공정에서, 레지스트 박리제 중에 용해되어 있는 레지스트 박리물이 기판 표면에 석출되거나, 레지스트 박리제 중에 분산되어 있는 레지스트 박리물의 미립자가 기판 표면에 재부착되는 문제가 있다.

이와 같은 레지스트 박리물의 기판 표면으로의 석출이나 재부착을 방지하기 위해서는, 고압의 순수(純水) 샤워 등에 의해 기판에 물리적인 힘을 가하면서 장시간 린스를 실시하는 방법이나, 순수에 의한 린스 공정에 앞서 수용성 유기 용제에 의한 린스를 실시하는 방법 등의 방법이 취해진다. 그러나, 어떤 방법도 생산성이나 작업성을 손상시키는 문제가 있다. 특히, 후자의 방법에서는 린스에 사용한 순수의 처리 이외에, 린스에 사용한 수용성 유기 용제의 처리 문제도 발생한다.

일본 특허 제2911792호 명세서 일본 특허 제3914842호 명세서 일본 특허 제4883975호 명세서 일본 특허 제4475664호 명세서

본 발명은 이러한 문제를 해소하기 위해 이루어진 것으로, 우수한 레지스트 박리 성능을 갖고, 또한 순수 린스시에 레지스트 박리물의 기판으로의 석출이나 재부착이 없는 레지스트 박리제의 제공을 목적으로 한다.

본 발명의 다른 목적은, 상기 레지스트 박리제에서 금속 배선, 특히 구리 배선에 대한 부식성이 없는 레지스트 박리제의 제공을 목적으로 한다. 또한, 재사용이 가능한 레지스트 박리제의 제공을 목적으로 한다.

본 발명자는 종래의 레지스트 박리제에서의 상기 문제를 해소하기 위해 예의 연구를 진행한 결과, 종래부터 레지스트 박리제로서 사용되고 있는 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1종 이상에, 탄산 글리세롤을 첨가함으로써, 순수 린스 시에 레지스트 박리물의 기판으로의 석출이나 재부착이 없어지는 것을 발견했다.

본 발명은 이러한 견지에 기초하여 이루어진 것으로, 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1종 이상에, 탄산글리세롤을 첨가하여 이루어지는, 순수 린스시에 레지스트 박리물의 기판으로의 석출이나 재부착이 없는 레지스트 박리제를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제1 실시형태는, (A)탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1종 이상의 50~99 질량%와, (B)탄산글리세롤의 1~50 질량%로 이루어진 것을 특징으로 한다.

또한, 본 명세서에서 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 「(A)성분」, 탄산 글리세롤을 「(B)성분」이라고 하는 것이 있다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제2 실시형태는, 제1 실시형태에서, (A)성분이 탄산에틸렌 및 탄산프로필렌으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제3 실시형태는, 제1 실시형태에서, 탄산에틸렌의 20~80질량%와, 탄산프로필렌의 5~30 질량%와, (B)탄산글리세롤의 5~50 질량%로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제4 실시형태는, 제1 실시형태에서, 탄산에틸렌의 55~75 질량%와, 탄산프로필렌의 5~25 질량%와, (B)탄산글리세롤의 10~30 질량%로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제5 내지 제8 실시형태는, 제1 내지 제4 중 어느 실시형태의 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부에 이하 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제9 및 제10 실시형태는, 제1 내지 제8 실시형태에서, 60 ℃에서의 점도가 10 cP 이하인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제의 제11 실시형태는, 제1 내지 제10 실시형태에서, 인화점이 100 ℃ 이상인 것을 특징으로 한다.

본 발명의 레지스트 박리제는 박리 성능이 우수하다. 또한, 레지스트 박리후에 직접 순수로 린스해도, 기판 표면에 레지스트 박리물이 석출되지 않고 재부착되지도 않는다.

또한, 구리 배선이나 알루미늄 배선에 대한 부식 작용이 없다. 또한, 저비점 성분을 포함하지 않으므로, 사용 중에 성분 조성이 변화되지 않아, 레지스트 박리제를 가열하여 레지스트 피막의 박리를 실시하는 경우에도 안전하다.

도 1은 본 발명의 실시예의 기판에 레지스트 박리물의 석출 또는 부착이 없는 상태를 도시한 광학현미경 사진이다.
도 2는 비교예의 기판에 레지스트 박리물의 석출 또는 부착이 있는 상태를 나타내는 광학현미경 사진이다.
도 3A는 본 발명의 실시예에 사용한 시료를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 3B는 도 3A에 도시한 시료를 모식적으로 도시한 측면도이다.
도 4A는 본 발명의 실시예에 사용한 시료를 모식적으로 도시한 평면도이다.
도 4B는 도 4A에 도시한 시료를 모식적으로 도시한 측면도이다.

(제1 실시형태)

본 발명의 제1 실시형태는, (A) 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1 종 이상의 50~99 질량%와, (B) 탄산글리세롤의 1~50 질량%로 이루어진다.

상기 실시형태에 사용되는 화합물은, 이하의 표 1과 같은 것이다.

또한, 예를 들어 공장의 클린룸에서의 통상의 작업환경온도는 22~27 ℃이므로, 이하의 설명에서의 「실온」은 이 온도범위를 말한다.

본 실시형태의 레지스트 박리제는, (A) 성분, (B) 성분 모두, 분자 구조에 5원 고리 구조를 갖고 있다. 그리고, 상기 5원 고리를 구성하는 탄소원자 중 하나가, 카르보닐기를 구성하는 공통의 분자구조를 갖고 있다. 그 때문에 상용성이 좋고, 용이하게 혼합할 수 있다. 또한, 레지스트 피막, 특히 노보락 수지로 이루어진 레지스트 피막에 대한 용해성이 높고, 레지스트 박리 성능이 우수하다.

(A)성분은 각각 레지스트 박리제로서 알려져 있는 것이다. 그러나, (A)성분만으로는, 기판의 레지스트 피막을 박리한 후 직접 순수로 린스했을 때, 용해되어 있는 레지스트 박리물이 기판 표면에 석출되거나, 재부착될 우려가 있다.

(B)성분은 상기 레지스트 박리물의 석출이나 재부착을 방지하는 작용을 한다.

(A)성분과 (B)성분의 배합비율은, (A)성분 50~99 질량%, (B)성분 1~50 질량%이지만, 바람직하게는 (A)성분 50~95 질량%, (B)성분 5~50 질량%, 보다 바람직하게는 (A)성분 70~90 질량%, (B)성분 10~30 질량%이다.

표 1에 나타낸 바와 같이, (B)성분은 (A)성분과 비교하여 점도가 높다. 그 때문에, 작업상 저점도의 레지스트 박리제를 필요로 하는 경우에는, (A)성분의 비율을 적당히 많게 하는 것이 바람직하다.

제1 실시형태에서, (A)성분의 비율이 50 질량% 미만이면, 레지스트 피막에 대한 박리 작용이 낮아지고, 또한 (B)성분의 비율이 과대해져 점도가 높아진다. 그 결과, 처리 온도가 높아지는 등 작업성에 문제가 발생하게 된다. 또한, (A)성분의 비율이 99 질량%를 초과하면, (B)성분의 비율이 과도하게 작아져, 기판의 레지스트 피막을 박리한 후에 직접 순수로 린스했을 때, 기판 표면에 레지스트 박리물이 석출되거나 재부착될 가능성이 발생한다.

탄산글리세롤의 첨가에 의해, 린스 공정에서의 레지스트 박리물의 미립자의 석출이나 레지스트 박리물의 재부착이 억제되는 이유는, 반드시 명백하지는 않다. 그러나, (A)성분에 (B)성분을 첨가한 레지스트 박리제는, (A)성분 단독의 레지스트 박리제와 비교하여 기판에 대한 접촉각이 작아져 있는 점에서, 레지스트에 대한 친화성이 높아진 것으로 추측되고 있다. 이것이 순수로 린스했을 때 레지스트 박리물을 석출하기 어려워지는 원인이라고 생각된다.

(제2 실시형태)

제2 실시형태의 레지스트 박리제는, (A)성분으로서 탄산에틸렌을 사용하는 것이다. 상기 실시형태는 제1 실시형태의 (A)성분이 탄산에틸렌으로 되어 있을 뿐, (A)성분과 (B)성분의 바람직한 비율, 보다 바람직한 비율은 제1 실시형태와 동일하다.

또한, 상기 실시형태에서는 탄산에틸렌이 80질량% 이상이 되면, 상온에서는 탄산에틸렌이 완전히 용해되지 않고 석출된다. 따라서, 이 경우에는 탄산에틸렌이 용해되는 온도까지 가온하여 사용할 필요가 있다.

(제3 및 제4 실시형태)

제3 및 제4 실시형태는, 제1 실시형태에서 (A)성분으로서, 탄산에틸렌 및 탄산프로필렌을 소정의 비율로 사용하는 것이다.

상기 실시형태의 레지스트 박리제의 탄산에틸렌의 함유 비율은, 20~80 질량%, 보다 바람직하게는 55~75 질량%이고, 탄산프로필렌의 함유 비율은 5~30 질량%, 보다 바람직하게는 5~25 질량%이다. (A)성분으로서의 탄산에틸렌과 탄산프로필렌의 합계량과 (B)성분의 비율은, 제1 실시형태와 동일하다.

탄산에틸렌의 함유 비율이 75 질량%이하이면, 융점이 15℃ 이하가 되고, 실온에서 액체가 되어 계량이 용이해지는 등, 작업성을 향상시킬 수 있다.

(A)성분과 (B)성분의 바람직한 비율이나 그 이유는, 제1 실시형태에 대해서 설명한 것과 동일하다.

(제5 내지 제8 실시형태)

제5 내지 제8 실시형태는, 제1 내지 제4 중 어느 하나의 실시형태의 레지스트 박리제 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부 이하 첨가한 것이다.

제1 내지 제4 실시형태의 레지스트 박리제는, 저비점 성분을 포함하지 않으므로, 상온이나 비교적 낮은 온도로 가온한 작업에는, 각별한 화염에 대한 배려는 불필요하다. 그러나, 보다 높은 온도에서의 박리작업시에는, 증기의 발생에 대한 배려가 필요하다.

제5 내지 제8 실시형태는, 제1 내지 제4 실시형태의 레지스트 박리제에, 추가로 물을 첨가함으로써 인화점을 높이고, 가열작업시의 안전성을 보다 높게 한 것이다.

이 실시형태의 레지스트 박리제의 물의 첨가량은, 레지스트 박리제 전체의 100 질량부에 대하여, 30 질량부 이하, 보다 바람직하게는 10~25 질량부이다.

물의 첨가량은 30 질량부를 초과하면, 충분한 레지스트 박리 성능이 얻어지지 않을 우려가 있고, 10 질량부보다 적으면 인화점의 상승 정도가 작아지게 된다.

(제9 및 제10 실시형태)

제9 및 제10 실시형태는, 레지스트 박리제의 60 ℃에서의 점도가 10 cP 이하인 것을 특징으로 하고 있고, 바람직하게는 5 cP이다.

본 발명의 (B)성분은 점도가 높으므로, (B)성분의 배합량이 많은 경우에는, 점도가 높아지고 작업에 지장을 초래하는 경우가 생각된다. 이와 같은 경우에는, 가열하여 점도를 상기 범위까지 낮게 하여, 박리작업을 실시하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명은 이상의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 효과를 손상시키지 않은 범위에서, 다른 첨가물, 예를 들어 소량의 수용성 유기용매를 첨가하는 등도 가능하다.

또한, 본 발명의 각 성분은 5원 고리의 기본 구조를 가지므로, 오존산화에 대하여 내성이 강하다. 그 때문에, 레지스트를 용해한 사용을 마친 박리제에, 오존 함유 가스를 불어 넣고, 불순물을 분해 제거하여, 청정화한 상태에서 재사용하는 것도 가능하다.

또한 본 발명의 레지스트 박리제는 아민계의 화합물을 사용하지 않으므로, 구리 배선이나 알루미늄 배선에 대한 부식성도 없다.

또한, 제2 내지 제4 실시형태에서는, 탄산에틸렌 및/또는 탄산프로필렌을 (A)성분으로서 사용한 예에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이러한 실시형태에 한정되는 것은 아니다. (A)성분으로서 γ-부티로락톤이나 시클로펜타논을 사용한 경우에도, 동일한 효과를 얻을 수 있다.

실시예

다음에 본 발명의 실시예에 대해서 설명한다.

또한, 이하의 기호는 다음 물질을 나타내고 있다.

EC: 탄산에틸렌

PC: 탄산프로필렌

GC: 탄산글리세롤

GBL: γ-부티로락톤

CP: 시클로펜타논

MEA: 모노에탄올아민

DMSO: 디메틸설폭시드

PFA: 사불화에틸렌-퍼플루오로알콕시에틸렌 공중합체

(레지스트 박리제의 평가 1)

모의실험 1(레지스트 허용 농도의 평가)

표 2의 혼합비율로 조정한 시료(레지스트 박리제)에 대해서, 이하와 같이 박리 레지스트 용해 박리제(이하, 「레지스트 용해액」이라고 함)를 조정한 후, 레지스트 허용 농도의 평가를 실시했다. 레지스트 허용 농도의 평가에서, 린스 후의 기판 표면에 도 1에 도시한 광학현미경 사진과 같이 석출물 또는 부착물이 생성되지 않는 최대의 농도를 측정하고, 이 농도를 레지스트 허용농도로 했다. 석출물 또는 부착물이 발생한 경우의 광학현미경 사진을, 도 2에 나타낸다.

[레지스트 용해액의 조정]

유리 샤알레[상품명/ 플랫 샤알레(아즈완(주)사제]에 노보락 수지계 포지티브형 레지스트[상품명/ZPP-1800-15(니혼제온(주)사제]를 1mL 적하하고, 박막으로 한 것을 프리베이크(pre-bake) 110℃에서 5분, 포스트베이크(post-bake) 130℃에서 5분 실시하여 경화시켰다.

평가 대상의 시료(레지스트 박리제)에, 경화시킨 노보락 수지계 포지티브형 레지스트를 용해시키고, 각종 농도의 레지스트 용해액을 조정했다.

[레지스트 허용 농도의 평가]

핫스터러(hot stirrer)에서 60℃로 가온한 평가대상의 각종 농도의 레지스트 용해액 100mL에 유리기판(CORNING사제, 상품명: 이글루 2000, 10㎜×50㎜, 두께 0.7㎜)을 60초간 침지하고, 이어서 상온의 순수(정수) 중에 60초간 침지하여 린스하고, 린스 후 질소가스로 건조시켰다. 10배의 광학현미경(올림퍼스사제, 상품명: 공업용 검사현미경 MX51)으로 기판 표면을 관찰하여, 기판 표면의 석출물 또는 부착물의 유무를 확인했다.

시료(레지스트 박리제) 1~33에 대해서, 이하와 같이 레지스트 허용농도를 평가했다.

[평가]

레지스트 허용농도:

1.0 질량% 이상 … A

0.3 질량% 이상 1.0 질량% 미만 … B

0.1 질량% 이상 0.3 질량% 미만 … C

0.1 질량% 미만 … D

또한, 공업적으로는 레지스트 허용농도가 0.1 질량% 정도 이상인 레지스트 박리제이면, 순수 린스 시에 잔사물이 발생하지 않고 실용적이다.

또한, 시료(레지스트 박리제) 1~33에 대해서, 이하와 같이 점도를 평가했다.

[점도의 평가]

평가 대상의 시료(레지스트 박리제)를 60 ℃로 가온하고, 회전식 점도계(CBC사제, 상품명: Viscomate Model VM-10A [원주 직경 3.5㎜])를 사용하여 점도를 측정했다.

점도:

5 cP 미만 …A

5 cP~10 cP 미만 …B

10 cP 이상 …C

이상의 결과를, 시료(레지스트 박리제)의 조성과 함께 표 2에 나타낸다.

또한, 시료 2~29는 실시예이고, 시료 1 및 시료 30~33은 비교예이다.

(레지스트 박리제의 평가 2)

EC:PC:GC = 65:15:20의 혼합물 100 질량부에, 표 3에 나타낸 비율로 물을 첨가하여 시료(레지스트 박리제) 34~38을 조정하고, 상기한 것과 동일하도록 레지스트 허용 농도, 점도를 평가하고, 다음과 같이 인화성을 평가했다.

[인화성의 평가]

평가 대상의 시료(레지스트 박리제)에 대해서, 클리블랜드 개방식을 채용하고, 소방법 위험물 확인시험 매뉴얼에 준거하여, 인화점의 측정 및 인화성의 평가를 실시했다.

인화성 없음 …A

인화점 100 ℃ 이상 …B

결과를 표 3에 나타낸다.

또한, 시료 34~38은 실시예이다.

표 2 및 표 3에서, 실시 형태의 레지스트 박리제는 레지스트 허용농도가 높은 것을 알 수 있다. 따라서, 실시형태의 레지스트 박리제에서는, 순수 린스 시의 잔사물의 발생이 매우 억제된다. 표 3에서, 물을 첨가한 실시형태의 레지스트 박리제는 인화점이 높고, 특히 물을 소정 비율 이상 함유한 시료 37 및 시료 38은 인화성이 없음을 알 수 있다. 따라서, 물을 첨가한 실시형태의 레지스트 박리제는, 보다 안전성이 우수한 것이라 할 수 있다.

또한, 실시 형태의 레지스트 박리제에서는, 본 발명의 비율로 EC, PC 및 GC를 함유하므로, 60℃에서의 점도도 낮고 작업성이 우수한 것을 알 수 있다.

(레지스트 박리제의 평가 3)

모의실험 2(레지스트 박리 성능의 평가)

[시료의 제작]

도 3A는 모의실험 2에 사용한 시료의 평면도이다. 도 3B는 동 측면도이다.

도 3A에서, 30㎜×50㎜×0.7㎜의 유리기판(1)(상품명/이글루 2000(CORNING사제)에 노보락 수지계 포지티브형 레지스트[상품명/ZPP-1800-15(니혼제온(주)사제)]를 2㎛의 막두께로 슬릿 도포하고, 이를 프리베이크(110℃에서 5분), 포스트베이크(130℃에서 5분)하여 경화시켰다.

다음에, 이 유리기판(1)의 레지스트 도포부(2)의 거의 중앙에, 폭 19.0㎜, 두께 0.06㎜의 폴리이미드 테입(3)[상품명/API-114(츄코프로샤제)]를 길이 방향으로 점착하여, 시료로 했다.

점착한 폴리이미드 테입(3)의 폭 방향의 가장자리 근처에 길이방향으로 유리기판(1) 표면에 도달하는 깊이로 노치(절개홈)를 넣어 외측 부분의 테입을 제거하고, 도 3A, 도 3B에 도시한 바와 같이, 테입의 절단선(부호 3과 2의 경계선)을 침입 거리의 스타트 라인으로 했다.

1.5L 석영 비이커에 시료의 300mL를 넣고, 핫스터러를 이용하여 200rpm으로 교반하면서, 액 온도를 50℃로 유지했다. PFA에서 제작한 지그(冶具)에 평가 샘플을 3매 설치하고, 평가 대상의 시료 중에 1분간 침지했다. 다음에 침지 후의 평가 샘플을, 18 ㏁·㎝의 순수로 세정하고, 질소 가스로 건조했다.

도 4A는 침지 후의 평가 샘플의 평면도이고, 도 4B는 동 측면도이다.

건조 처리후 도 4A, 도 4B에 도시한 바와 같은 평가 샘플의 폴리이미드 테입(3)을 벗기고, 폴리이미드 테입의 표면을 광학현미경으로 10배의 배율로 관찰하여, 레지스트 박리제의 침입 거리(S)를 측정하고, 박리 성능의 지표로 했다. 침입 거리(S)는 평가 샘플 1 매당 5 부분, 총 15 부분에서 측정하여, 그 평균값을 침입 거리로 했다.

실험결과를 표 4에 나타낸다.

또한, 시료 39, 40은 실시예이고, 시료 41~43은 비교예이다.

표 4에서 GC를 포함하는 시료(시료 39 및 시료 40)가, EC만(시료 41)이나 아민(시료 43)과 동등한 레지스트 박리 성능을 갖는 것을 알 수 있다.

또한, 표 4에서 시료 39는 시료 34와 동일한 조성이고, 시료 2는 시료 38과 동일한 조성이다.

(레지스트 박리제의 평가 4)

[금속 배선에 대한 부식성 평가]

유리 기판에 Cu 및 Al을 스퍼터링(sputtering)한 모의금속 배선시료를, 60~80 ℃로 가온한 평가 대상의 시료(레지스트 박리제) 200g 중에, 교반하에서 100분간 침지시켰다. 침지후, 시료(레지스트 박리제) 중에 용출된 금속량을 ICP-MS(유도결합 플라즈마 질량분석장치)로 측정하고, 그 결과로부터 Cu, Al의 1분당 에칭률(etching rate)을 구했다.

결과를 표 5에 나타낸다.

또한 시료 44, 45는 실시예이고, 시료 46은 비교예이다.

표 5로부터, EC:PC:GC를 65:15:20으로 함유한 시료(레지스트 박리제)(44), 및 EC:PC:GC:물을 50:15:15:20의 비율로 함유한 시료(레지스트 박리제)(45)는, 일반적인 아민계 박리제에 비하여, Cu, Al에 대한 부식성이 각각 낮은 것을 알 수 있다.

1: 유리 기판 2: 레지스트 도포부
3: 폴리이미드 테입 4: 레지스트 도포부
S: 침입거리

Claims

(A) 탄산에틸렌, 탄산프로필렌, γ-부티로락톤 및 시클로펜타논으로부터 선택되는 1종 이상의 50질량%를 초과하고 99 질량% 이하와,
(B) 탄산글리세롤의 1질량% 이상 50 질량% 미만으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항에 있어서,
상기 (A)가 탄산에틸렌 및 탄산프로필렌으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항에 있어서,
(A) 탄산에틸렌의 20~80 질량%와, 탄산프로필렌의 5~30 질량%와, (B) 탄산글리세롤의 5질량% 이상 50 질량% 미만으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항에 있어서,
(A) 탄산에틸렌의 55~75 질량%와, 탄산프로필렌의 5~25 질량%와, (B) 탄산글리세롤의 10~30 질량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항에 있어서,
레지스트 박리제 전체의 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 2 항에 있어서,
레지스트 박리제 전체의 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 3 항 있어서,
레지스트 박리제 전체의 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 4 항 있어서,
레지스트 박리제 전체의 100 질량부에 대하여, 물을 30 질량부 이하 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
60℃에서의 점도가 10 cP 이하인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
인화점이 100℃ 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.
제 9 항에 있어서,
인화점이 100℃ 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리제.