JP2019532504A

JP2019532504A - 電子工業で使用される溶媒

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Publication number: JP2019532504A
Application number: JP2019513964A
Authority: JP
Inventors: チ・ジアン; フア・レン; シン・ジアン; ユン・キュー・キム
Original assignee: ダウグローバルテクノロジーズエルエルシー
Priority date: 2016-09-28
Filing date: 2016-09-28
Publication date: 2019-11-07
Anticipated expiration: 2036-09-28
Also published as: EP3519895A4; EP3519895A1; CN109690415A; CA3037975A1; WO2018058339A1; CN109690415B; TW201829764A; US20190219925A1; BR112019004949A2; US10866518B2; TWI723222B; JP6783926B2

Abstract

フォトレジストおよびポリ（アミド酸）／ポリイミドをディスプレイ／半導体基板または電子処理装置から除去するためにとりわけ有用な溶媒は、（Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなる第１の成分、ならびに（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる第２の成分から本質的になる。

Description

本発明は、様々な電子部品、例えばディスプレイ装置および半導体の製造に有用な生態系に優しい溶媒（「エコ溶媒」）に関する。

幾つかの極性溶媒、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などは、生殖毒性を有し、これにより、これらの材料に関連するグローバルな安全性および規制についての懸念が益々高まっている。例えば、ＮＭＰは、欧州のグローバルに調和のとれた化学物質の分類体系および表示体系（ＧＨＳ）の非常に高い懸念のある登録物質（ＳＶＨＣ）、および特定の危険物、混合物、および製品の市場および使用に対して課される製造上の制限を列挙したＲＥＡＣＨ付属書ＸＶＩＩに列挙されている。

ＮＭＰは、電子工業において、様々な部品（例えば、ディスプレイ装置用の部品、半導体基板など）および装置を洗浄および剥離するために使用されており、かなりの量のＮＭＰが毎年消費されている。同様の性能をＮＭＰよりも優れた環境プロファイルで達成するエコ溶媒を開発することは、電子部品を処理する顧客からの切迫した要求になっている。本発明は、幾つかの実施形態において、ＮＭＰと同じ、またはより良好な洗浄能力、およびフォトレジストを除去する剥離能力を実現する溶媒の組み合わせについて詳述する。

１つの実施形態では、本発明は、
（Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなる第１の成分、ならびに
（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる第２の成分から本質的になる溶媒である。

１つの実施形態では、本発明は、基板の表面を洗浄または剥離するプロセスであり、当該プロセスは、基板を、
（Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなる第１の成分、ならびに
（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる第２の成分から本質的になる溶媒に接触させる工程を含む。

定義
米国特許実務を目的として、参照される特許、特許出願、または刊行物の内容は、特に定義の開示（本開示に具体的に提供される定義に絶対に矛盾しない範囲）、およびこの技術分野における一般的知識に関して、これらの文献の全体が参照により本明細書に組み込まれる（または、当該文献に相当する米国特許文献が、したがって参照により組み込まれる）。

本明細書に開示されている数値範囲は、下限値および上限値を含む下限値から上限値のすべての値を含む。範囲が明示的な値（例えば、１〜７）を含む場合、任意の２つの明示的な値の間の任意の部分範囲が含まれる（例えば、１〜２、２〜６、５〜７、３〜７、５〜６など）。

「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「有する」という用語、およびそれらの派生語は、任意の追加の構成要素、ステップ、または手順が、本明細書で具体的に開示されているか否かに関わらず、それらの存在を除外するよう意図されない。疑義が生じないようにするために、「含む」という用語の使用を通じて主張されるすべての組成物は、相反する記載がない限り、ポリマーであるか、ポリマーでないかに関わらない、任意の追加の添加剤、アジュバント、または化合物を含むことができる。対照的に、「本質的に〜からなる」という用語は、操作性に必須ではないものを除いて、あらゆる後続の記載の範囲から、任意の他の構成要素、ステップ、または手順を除外する。「からなる」という用語は、具体的に描写または列挙されていないあらゆる構成成分、工程、または手順を除外する。「または」という用語は、特に規定がない限り、列挙された構成要素を個々に、ならびに任意の組み合わせで指す。単数形の使用には、複数形の使用が含まれ、またその逆も含まれる。

相反して述べられていないか、文脈から暗黙的であるか、または当該技術分野で習慣的でない限り、すべての部およびパーセントは重量に基づき、すべての試験方法は、本開示の出願日の時点で最新のものである。

「溶媒」および同様の用語は、別の物質（すなわち、溶質）を溶解させて分子レベルまたはイオンサイズレベルで本質的に均一に分散する混合物（すなわち、溶液）を形成することができる物質を意味する。

「電子部品」および同様の用語は、半導体もしくはディスプレイ装置のような電子製品の製造プロセスの仕掛かり品もしくは完成品、または製品の構成要素を意味する。本発明の文脈において使用される電子部品は、製品を製造するために使用される装置を含む。

「仕掛かり品」および同様の用語は、未完成品または中間製品を意味する。仕掛かり品は、出発材料、例えば供給業者から受け取ったままの材料、または製造プロセスの開始時点の処理を受ける前の材料を含む。

「フォトレジスト」および同様の用語は、放射線で露光されるときに化学エッチングに対する耐性を失い、特に集積回路の製造中に回路パターンを半導体チップに転写するために使用される感光性樹脂を意味する。

「洗浄」および同様の用語は、本発明の文脈において、粒子状汚染物質および金属イオンを基板の表面から、普通、仕掛かり電子部品の表面から除去して、当該部品を引き続き処理する用意ができることを意味する。

「剥離」および同様の用語は、本発明の文脈において、ある層、例えばコーティングまたは膜を基板の表面から除去する、例えばフォトレジストを半導体基板の表面から除去することを意味する。

ポリ（アミド酸）は、ポリイミド合成における中間ポリマーである。中間ポリマーは、水素結合が強いため、極性溶媒に溶解することができる。

ポリイミド（ＰＩ）はイミドモノマーのポリマーである。ポリイミドは通常、二無水物とジアミンとの反応により製造される。電子工業で広く使用される１種類のＰＩが、ＫＡＰＴＯＮ（商標）である。ＫＡＰＴＯＮ（商標）は、ピロメリット酸二無水物と４，４’−オキシジフェニルアミンとの縮合により製造される。

溶媒
本発明の溶媒は、第１の成分および第２の成分から本質的になる。第１の成分は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（ＣＡＳ番号６７−６８−５）およびＮ−ホルミルモルホリン（ＣＡＳ番号４３９４−８５−８）のうち少なくとも１つからなるか、または少なくとも１つから本質的になる。第２の成分は、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド（ＣＡＳ番号７５８−９６−３）、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド（ＣＡＳ番号５３１８５−５２−７）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド（ＣＡＳ番号２０４４−６４−６）、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタム（ＣＡＳ番号２５５６−７３−２）の少なくとも１つからなるか、または少なくとも１つから本質的になる。第１の成分および第２の成分はブレンドを形成し、ブレンドは混和性であってもよく、または混和性でなくてもよい。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯおよびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯおよび３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯおよびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる二成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリンおよびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリンおよび３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリンおよびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリンおよびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる２成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、および３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、３−メトキシ−Ｎ、Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ、Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、および３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、およびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、および３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる３成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、および３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる４成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる５成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる５成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、およびＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドから本質的になる５成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる５成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、ＤＭＳＯ、Ｎ−ホルミルモルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる６成分溶媒である。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、１〜７０重量％または５０〜６０重量％の第１の成分、および３０〜９９重量％または４０〜５０重量％の第２の成分からなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、１〜７０重量％または５０〜６０重量％のＮ−ホルミルモルホリン、および３０〜９９重量％または４０〜５０重量％のＮ、Ｎ−ジメチルプロピオンアミドまたは３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−プロパンアミドのうち少なくとも１つからなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、１〜６０重量％または３０〜４０重量％の第１の成分、および４０〜９９重量％または６０〜７０重量％の第２の成分からなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、１〜６０重量％または３０〜４０重量％のＤＭＳＯ、および４０〜９９重量％または６０〜７０重量％のＮ、Ｎ−ジメチルプロピオンアミドまたは３−メトキシ−Ｎ、Ｎ−プロパンアミドのうち少なくとも１つからなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、４０〜７０重量％または４５〜６５重量％の第１の成分、および３０〜６０重量％または４０〜５５重量％の第２の成分からなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、４０〜７０重量％または４５〜６５重量％のＤＭＳＯおよびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つ、および３０〜６０重量％または４０〜５５重量％のＮ、Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドおよびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、４０〜７０重量％または４５〜６５重量％のＮ−ホルミルモルホリン、および３０〜６０重量％または４０〜５５重量％のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドからなる、または本質的になる。

１つの実施形態では、溶媒は、溶媒の重量を基準にした重量パーセント（重量％）で、４０〜７０重量％または４５〜６５重量％のＤＭＳＯ、および３０〜６０重量％または４０〜５５重量％のＮ−メチル−ε−カプロラクタムからなる、または本質的になる。

第１の成分および／または第２の成分が、１種類よりも多くの物質からなる、例えば第１の成分がＤＭＳＯおよびＮ−ホルミルモルホリンから本質的になるか、または第２の成分がＮ、Ｎ−ジメチルプロピオンアミドおよび３−３メトキシ−Ｎ、Ｎ−ジメチルプロパンアミド、および／またはＮ、Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、および／またはＮ−メチル−ε−カプロラクタムから本質的になる実施形態では、特定の成分中の各物質の量は、広範かつ有利に変えることができる。成分中の各個々の物質の量は、当該成分の重量を基準にして、０〜１００重量％、または１〜９９重量％、または１０〜９０重量％、または２０〜８０重量％、または３０〜７０重量％、または４０〜６０重量％、または５０重量％で変えることができる。

本発明の溶媒の操作性に必須ではないが、溶媒に含めることができる任意の材料として、これらには限定されないが、酸化防止剤、着色剤、水分捕捉剤、安定剤などを挙げることができる。これらの材料は、電子部品を洗浄または剥離するための溶媒の有効性に影響を及ぼすいかなる材料も有しない。これらの任意の材料は、既知の量で、例えば溶媒の重量を基準にして、０．１０〜５、または４、または３、または２、または１重量パーセントで使用され、これらの材料は、既知の方法で使用される。

溶媒の調製
本発明の溶媒は、既知の装置および既知の技術を用いて製造される。溶媒の個々の成分は市販されており、大気状態（２３℃および大気圧）で液体であり、従来の混合装置および標準的な混合プロトコルを使用して互いに簡単に混合することができる。これらの成分は、同時を含む任意の順序で互いに添加することができる。

溶媒の使用
本発明の溶媒はエコ溶媒である、すなわち本発明の溶媒は、ＮＭＰに関連する毒物学的問題を有していないか、または低いレベルでしか有していない。これらの溶媒は、汚染物質を除去して、基板の表面から汚染物質および他の不所望な物質、特に極性汚染物質および不所望な極性物質を洗浄する、および／または剥離するために有用である。

１つの実施形態では、本発明の溶媒は、電子工業において使用されるＮＭＰおよび他の極性溶媒の代わりに用いられることを意図している。したがって、本発明の溶媒は、ＮＭＰおよび他の極性溶媒と同じ方法で、電子部品および装置の洗浄および剥離、ならびに様々な基板、例えば半導体基板からのフォトレジストの除去、およびポリイミドコーティング装置、例えば配向層および可撓性ディスプレイ基板コーティング装置からのポリ（アミド酸）ポリマー残渣の除去のような作業において使用される。通常、これらの方法またはプロセスは、洗浄対象もしくは剥離対象の物体もしくは基板、またはフォトレジストまたはポリ（アミド酸）／ポリイミドが除去されることになる、当該物体もしくは基板を溶媒に、様々な条件のいずれかの条件で接触させる、例えば大気状態で、または高温で、流動または撹拌を伴って、もしくは伴わないで、例えばいかなる物質でも溶解させる、例えばポリ（アミド酸）／ポリイミド残渣、二無水物、ジアミンなど、除去対象のフォトレジストなどのような汚染物質を溶解させるために十分な期間にわたって、例えば印刷する、回転させる、浸漬させる、フラッシングする、振動させる、シャワーリングする処理を伴って、もしくは伴わないで、接触させる工程を含む。次に、この接触工程の後に通常、すすぎ工程（１回以上の）および乾燥工程が続く。

以下の実施例は、本発明の非限定的な実施例である。

材料
ポリ（アミド酸）、ポリイミドの前駆体：ポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）、アミド酸（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ製、ＮＭＰ中１５〜１６重量％に溶解）。

フォトレジスト：ＳＦＰ−１４００（Ｍｅｒｃｋ製）。

溶媒：Ｎ−ホルミルモルホリン（ＡｃｃｅｌａＣｈｅｍＢｉｏ製、９８％）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（Ｓｉｎｏｐｈａｒｍ製、９９％）、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド（ＢＯＣＳｃｉｅｎｃｅ製、９８％）、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタム（ＥｎｅｒｇｙＣｈｅｍｉｃａｌ製、全部で９８％）。

溶媒
溶媒は、ＮＭＰ、ＤＭＦ、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドなどのＨａｎｓｅｎ溶解性パラメータに従って設計される。これらの市販の溶媒は、強い溶解性をほとんどの電子材料に対して持つ。溶媒は表１に記載されている。

プロトコル
ポリ（アミド酸）溶解：ＮＭＰ中のポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）アミド酸前駆体の溶液を脱イオン（ＤＩ）水または他のＮＭＰ不溶液に接触させて前駆体をＮＭＰから抽出する。次に、ポリ（アミド酸）前駆体を５４℃で４時間焼成して、試験溶媒との接触により溶解する前に、すべての残留溶媒／液体を蒸発させる。結果は、１２時間後に５４℃で記録される。

フォトレジスト剥離：２ミリリットル（ｍｌ）のＳＦＰ−１４００フォトレジスト溶液を１００ミリメートル（ｍｍ）×１００ｍｍ×１ｍｍのサイズのガラス基板の表面に載置する。基板を毎分５００回転（ｒｐｍ）の回転速度で１０秒間回転させて、フォトレジスト溶液を広げる。次に、回転速度を１０００ｒｐｍに３０秒間かけて加速して、フォトレジストを均一にコーティングし、余分な溶媒をスピンアウトする。コーティングされた基板を加熱して、溶媒を１３０℃で１０分間かけて蒸発させる。剥離工程では、３０グラム（ｇ）の例を容器内で調製する。焼成された基板を容器の内部に、揺動しながら載置し、最後にフォトレジストを基板から完全に除去するために要する時間を測定する。

結果
ポリ（アミド酸）溶解：各生成物のポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）アミド酸溶解性の結果を表２に報告する。各実施例および比較サンプル中のポリマーの含有量は２０重量％である。性能は、溶液の流動性により判断される。２つの例、Ｎ−ホルミルモルホリン／Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、およびジメチルスルホキシド／Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドは、低粘度で良好な流動性を示す。Ｎ−ホルミルモルホリン／３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドは、所定の流動性、および適切な粘度を示す。しかしながら、比較サンプルでは、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドゲルが溶液中に生じ、これはポリマーの過飽和を表わしている。Ｎ−メチル−２−ピロリドンの場合、サンプルは流れることができるが、サンプルの粘度は比較的高い。一般に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン中のポリ（ピロメリット酸二無水物−ｃｏ−４，４’−オキシジアニリン）アミド酸の溶解性は、市販品に関して１５重量％となるようにする必要がある。３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミドの場合、関連する溶解性は比較的低い。したがって、実施例のポリアミド酸の溶解度は、比較サンプルよりも優れている。

フォトレジスト剥離：各組み合わせのフォトレジスト剥離結果を表３に列挙する。性能は剥離時間で評価される。ジメチルスルホキシド／Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドは、コーティングされたフォトレジストをガラス基板から３０秒以内に完全に剥離することができる。他の３つの例は、市販の比較サンプル、Ｄｏｎｇｊｉｎ製の水性モノエタノールアミン／ジエチレングリコールブチルエーテルおよびモノエタノールアミン／Ｎ−メチル−２−ピロリドンと同様の性能を有するフォトレジストを剥離するために３０〜４５秒を要する（ＫＲ１４０３５１６Ｂ１参照）。しかしながら、他の市販の組み合わせ、水分を含まないモノエタノールアミン／ジエチレングリコールブチルエーテルは、比較的遅い剥離速度を示す。これらの例は、ＳＦＰ−１４００フォトレジストに対して同等か、それ以上に良好な剥離性能を有する。

Claims

溶媒であって、
（Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなる第１の成分、ならびに
（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる第２の成分から本質的になる、溶媒。
前記溶媒の重量を基準として、１〜７０重量％の前記第１の成分、および３０〜９９重量％の前記第２の成分から本質的になる、請求項１に記載の溶媒。
前記第１の成分はＮ−ホルミルモルホリンであり、前記第２の成分は、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドまたは３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−プロパンアミドのうち少なくとも１つからなる、請求項２に記載の溶媒。
前記第２の成分はＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、請求項３に記載の溶媒。
前記第２の成分は３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−プロパンアミドである、請求項３に記載の溶媒。
前記溶媒の重量を基準として、１〜６０重量％の前記第１の成分、および４０〜９９重量％の前記第２の成分から本質的になる、請求項１に記載の溶媒。
前記第１の成分はＤＭＳＯであり、前記第２の成分は、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドまたは３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−プロパンアミドのうち少なくとも１つからなる、請求項６に記載の溶媒。
前記第２の成分はＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドである、請求項７に記載の溶媒。
前記第２の成分は３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−プロパンアミドである、請求項７に記載の溶媒。
前記溶媒の重量を基準にして、４０〜７０重量％の前記第１の成分、および３０〜６０重量％の前記第２の成分から本質的になる、請求項１に記載の溶媒。
前記第１の成分は、ＤＭＳＯおよびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなり、前記第２の成分は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドおよびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる、請求項１０に記載の溶媒。
前記第１の成分はＮ−ホルミルモルホリンであり、前記第２の成分はＮ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミドである、請求項１１に記載の溶媒。
前記第１の成分はＤＭＳＯであり、前記第２の成分はＮ−メチル−ε−カプロラクタムである、請求項１１に記載の溶媒。
基板の表面を洗浄または剥離するプロセスであって、前記基板を、
（Ａ）ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）およびＮ−ホルミルモルホリンのうち少なくとも１つからなる第１の成分、ならびに
（Ｂ）Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアセトアミド、およびＮ−メチル−ε−カプロラクタムのうち少なくとも１つからなる第２の成分から本質的になる溶媒に接触させる工程を含む、プロセス。
前記基板は電子部品であり、前記表面は汚染物質または金属イオンを含む、請求項１４に記載のプロセス。
前記汚染物質は、ポリ（アミド酸）残渣またはポリイミド残渣である、請求項１５に記載のプロセス。
前記基板は電子部品であり、表面はフォトレジストを含む、請求項１４に記載のプロセス。
前記第１の成分はＤＭＳＯである、請求項１４に記載のプロセス。
前記第１の成分はＮ−ホルミルモルホリンである、請求項１４に記載のプロセス。