TWI739864B - 用於電子工業之基於亞碸／二醇醚之溶劑 - Google Patents

用於電子工業之基於亞碸／二醇醚之溶劑 Download PDF

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Abstract

本發明關於尤其適用於自顯示器/半導體基板或電子加工設備移除光致抗蝕劑及聚(醯胺酸)/聚醯亞胺之溶劑，其主要由以下各項組成：(A)第一組分，其由亞碸，例如DMSO組成；(B)第二組分，其由二醇醚，例如乙二醇單丁基醚組成；以及(C)第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基丙醯胺、N-甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-乙基乙醯胺以及N-乙基丙醯胺。

Description

用於電子工業之基於亞碸/二醇醚之溶劑
本發明關於生態友好之溶劑(「生態溶劑」)，其適用於製造多種電子組件，例如展示單元及半導體。
一些極性溶劑(例如N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基甲醯胺(DMF)等)具有再生毒性，其推動不斷增加之與此等材料相關之全球性安全及監管問題。舉例而言，NMP在歐洲化學品之分類及標記之協調系統(European Globally Harmonized System of Classification and Labeling of Chemicals；GHS)之高度關注物質(Substance of Very High Concerns；SVHC)註冊表及REACH附件XVII中列出，所述文件列舉對某些危險物質、混合物及物品之製造、進入市場及使用之限制。
NMP在電子工業中用於清洗及剝離多種零件(例如展示單元、半導體基板等之組件)及設備，且其每年消耗量相當大。研發與NMP相比具有更好的環境概況之生態溶劑以實現類似效能為電子加工客戶之迫切需求。在一些實施例中，本發明詳細描述溶劑組合，其與NMP相比提供相同或更好的清洗能力及在光致抗蝕劑移除方面之剝離能力。
在一個實施例中，本發明關於一種溶劑，其基本上由以下各項組成：(A)第一組分，其由亞碸組成；(B)第二組分，其由二醇醚組成；以及(C)第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基丙醯胺、N-甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-乙基乙醯胺以及N-乙基丙醯胺。
在一個實施例中，本發明關於用於清洗或剝離基板表面之方法，所述方法包括使基板與溶劑接觸之步驟，所述溶劑基本上由以下各項組成：(A)第一組分，其由亞碸組成；(B)第二組分，其由二醇醚組成；以及(C)第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基丙醯胺、N-甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-乙基乙醯胺以及N-乙基丙醯胺。
定義
出於美國專利實務之目的，參考之任何專利案、 專利申請案或揭示案之內容皆以全文引用之方式併入(或其等效美國版本如此以引用之方式併入)，尤其在此項技術中之定義(就不與本發明特定提供之任何定義不一致而言)及常識之揭示內容方面。
本文中所揭示之數值範圍包含自下限值至上限值且包含下限值及上限值之所有值。對於含有明確值之範圍(例如1至7)，包含任何兩個明確值之間的任何子範圍(例如1至2；2至6；5至7；3至7；5至6；等)。
術語「包括」、「包含」、「具有」以及其衍生詞並不意欲排除任何其他組分、步驟或程序之存在，無論是否特定地將其揭示出來。為了避免任何疑問，除非相反地陳述，否則藉由使用術語「包括」所主張之所有組合物皆可包含任何額外添加劑、佐劑或化合物，無論聚合或以其他方式。相比之下，術語「基本上由......組成」自任何隨後列舉之範圍排除除了對可操作性而言並非必不可少之彼等之外的任何其他組分、步驟或程序。術語「由...組成」排除沒有特定敍述或列舉之任何組分、步驟或程序。除非另外說明，否則術語「或」指單獨以及以任何組合形式列舉之成員。單數之使用包含複數之使用且反之亦然。
除非相反地陳述，自上下文暗示或此項技術中慣用的，否則所有份數及百分比皆以重量計，且所有測試方法皆為直到本發明之申請日為止之現行方法。
「溶劑」及類似術語意謂能夠在分子或離子尺寸等級下溶解另一種物質(亦即，溶質)以形成基本上均勻分散之混合物(亦即，溶液)之物質。
「電子零件」及類似術語意謂電子產品(如半導體或展示單元)之製造過程之過程內物品或成品，或產品之組件。如在本發明之上下文中使用，電子零件包含用於製造產品之設備。
「過程內產物」及類似術語意謂未完成或中間產物。過程內產物包含起始物質，例如自供應商接收之材料，或在經歷製造過程開始之前的材料。
「光致抗蝕劑」及類似術語意謂在暴露於輻射時失去其對化學蝕刻之抗性之光敏樹脂且尤其用於在積體電路製造期間將電路圖案轉移至半導體晶片。
在本發明之上下文中，「清洗」及類似術語意謂自基板表面移除顆粒污染物及金屬離子，通常自過程內電子零件之表面以使所述零件準備用於後續處理。
在本發明之上下文中，「剝離」及類似術語意謂自基板表面移除一個層，例如塗層或薄膜，如自半導體基板之表面移除光致抗蝕劑。
「冷凍點」及類似術語意謂使液體變成固體之溫度。本發明之溶劑之冷凍點可使用測試設備測定，所述測試設備包含玻璃容器、具有溫度控制系統及溫度計或熱感測器之冷卻浴或冷卻阱或冷凍機。將液體溶劑之二十克(20g)樣品置放於玻璃容器(例如玻璃缸)中。冷卻浴或冷卻阱或冷凍機之溫度設定成0℃。使用溫度計或熱感測器測定冷卻浴或冷卻阱或冷凍機內部之冷液體或冷氣流之溫度。將具有所製備之溶劑樣品之玻璃容器在冷卻浴或冷卻阱中儲存至少12小時。藉由觀測溶劑樣品之物理狀態(亦即，液體或固體)來 測定其冷凍點。若溶劑樣品仍展示流動性，則降低冷卻浴或冷卻阱或冷凍機之當前設定溫度直至藉由溫度計或熱感測器測定其溫度比其先前溫度低1℃。重複所述程序直至溶劑樣品為固體。
聚(醯胺酸)為聚醯亞胺之合成中之中間聚合物。其由於強氫鍵而可溶於極性溶劑中。
聚醯亞胺(PI)為醯亞胺單體之聚合物。其通常由二酐與二胺之反應產生。電子工業中一種常用PI為KAPTONTM。其由苯均四酸二酐與4,4'-氧基二苯基胺之縮合產生。
溶劑
本發明之溶劑基本上由第一組分、第二組分以及第三組分組成。第一分量由亞碸組成或為亞碸。第二組分由二醇醚組成或為二醇醚。第三組分由以下各項中之至少一者組成或基本上由上述物質組成：N-甲醯基嗎啉(CAS編號4394-85-8)、N,N-二甲基丙醯胺(CAS編號758-96-3)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺(CAS編號53185-52-7)、磷酸三乙酯(CAS編號78-40-0)、N,N-二甲基乙醯胺(CAS編號127-19-5)；N,N-二乙基乙醯胺(CAS編號685-91-6)、N,N-二乙基丙醯胺(CAS編號1114-51-8)、N-甲基乙醯胺(CAS編號79-16-3)、N-甲基丙醯胺(CAS編號1187-58-2)、N-乙基乙醯胺(CAS編號625-50-3)以及N-乙基丙醯胺(CAS編號5129-72-6)。第一、第二及第三組分形成摻合物，且所述摻合物可或可不經相分離。在一個實施例中，溶劑具有低於-25℃之冷凍點。
亞碸
本發明之溶劑之第一分量由亞碸組成或為亞碸，亦即，含有連接至兩個碳原子之亞磺醯基官能基之化合物。其為極性官能基。亞碸為硫醚之氧化衍生物。代表性亞碸包含(但不限於)二乙基亞碸、丁基亞碸、四亞甲基亞碸以及二甲亞碸(DMSO)。第一分量可由一或多種亞碸組成。在一個實施例中，第一分量由一種亞碸組成。在一個實施例中，第一分量由兩種或更多種亞碸組成。在一個實施例中，第一分量由DMSO組成或為DMSO(CAS編號67-68-5)。
二醇醚
本發明之溶劑之第二組分由二醇醚組成或為二醇醚，亦即，基於乙二醇或丙二醇之烷基醚之化合物。此等溶劑通常具有較高沸點，以及較低分子量醚及醇之有利的溶劑特性。代表性二醇醚包含(但不限於)乙二醇單丁基醚、乙二醇單丙基醚、二乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、二丙二醇單甲基醚以及三丙二醇單甲基醚。第二組分可由一或多種二醇醚組成。在一個實施例中，第二組分由一種二醇醚組成。在一個實施例中，第二組分由兩種或更多種二醇醚組成。在一個實施例中，第二組分為乙二醇烷基醚。在一個實施例中，第二組分為丙二醇烷基醚。在一個實施例中，乙二醇醚或丙二醇醚之烷基組分為具有2至12個，或3至10個，或3至8個碳原子之烷基。在一個實施例中，第二組分由乙二醇單丁基醚組成或為乙二醇單丁基醚(CAS編號111-76-2)。
實施例
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一 組分之亞碸、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之磷酸三乙酯組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之二醇醚以及作為第三組分之磷酸三乙酯組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三 組分之N-甲醯基嗎啉組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為摻合物，其由作為第一組分之亞碸、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之磷酸三乙酯組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為三員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為三員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為三員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為三員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之磷酸三乙酯組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為四員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉與N,N-二甲基丙醯胺之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為四員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉與3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為四員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉與磷酸三乙酯之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為四員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺與3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為四員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺與磷酸三乙酯之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為五員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺及3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為五員摻合物，其由作為 第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺及磷酸三乙酯之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為五員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺及磷酸三乙酯之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，溶劑為六員摻合物，其由作為第一組分之DMSO、作為第二組分之乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺及磷酸三乙酯之組合組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，以基於溶劑重量之重量百分比(重量%)計，溶劑由50至90重量%第一組分、9至40重量%第二組分以及1至30重量%第三組分組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，以基於溶劑重量之重量百分比(重量%)計，溶劑由50至90重量% DMSO、9至40重量%乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之1至30重量% N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺及磷酸三乙酯中之至少一者組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，以基於溶劑重量之重量百分比(重量%)計，溶劑由10至30重量%第一組分、1至30重量%第二組分以及70至90重量%第三組分組成或基本上由上述物質組成。
在一個實施例中，以基於溶劑重量之重量百分比(重量%)計，溶劑由10至30重量% DMSO、10至30重量%乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之70至90重量% N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、磷酸三乙酯、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二乙基丙醯胺、N-甲基乙醯胺、N-甲基丙醯胺、N-乙基乙醯胺及N-乙基丙醯胺中之至少一者組成。
在一個實施例中，以基於溶劑重量之重量百分比(重量%)計，溶劑由10至30重量% DMSO、10至30重量%乙二醇單丁基醚以及作為第三組分之70至90重量% N,N-二甲基丙醯胺組成。
在一個實施例中，溶劑具有小於(<)-25℃，或<-20℃，或<-15℃，或<-10℃之冷凍點。在一個實施例中，溶劑具有-25℃或更低至-10℃或更高之冷凍點。
在其中第三組分由超過一種物質組成之實施例中，例如第三組分基本上由N-甲醯基嗎啉及N,N-二甲基丙醯胺及/或3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺及/或磷酸三乙酯等組成，第三組分中各化合物之量可大幅及方便地變化。以組分之重量計，第三組分中每種個別物質之量可在0至100重量%，或1至99重量%，或10至90重量%，或20至80重量%或30至70重量%，或40至60重量%，或50重量%範圍內變化。
對可操作性不重要，但可包含在本發明之溶劑中之視情況選用之材料包含(但不限於)抗氧化劑、著色劑、去水劑、穩定劑及其類似物。此等材料對溶劑用於清洗或剝 離電子零件之功效不具有任何材料影響。以溶劑之重量計，此等視情況選用之材料按已知量使用，例如0.10至5，或4，或3，或2，或1重量百分比，且其按已知方式使用。
製備溶劑
本發明之溶劑是使用已知的設備及已知的技術製備。溶劑之個別組分可商購、在環境條件(23℃及大氣壓)下為液體且可使用習知混合設備及標準摻合方案簡單地彼此混合。組分可按任何順序(包含同時)添加至彼此中。
溶劑之用途
本發明之溶劑為生態溶劑，亦即，其不具有或具有降低之等級之與NMP相關之毒理學問題。此等溶劑適用於清洗及/或剝離基板表面之污染物及其他不合需要之物質，尤其極性污染物及極性不合需要之物質。
在一個實施例中，本發明之溶劑意欲作為電子工業中使用之NMP及其他極性溶劑之替代品。同樣，其在此類操作(如電子零件及設備之清洗及剝離，及自多種基板(例如半導體基板)移除光致抗蝕劑，以及自聚醯亞胺塗佈設備(例如對準層及可撓性顯示器基板塗佈機器)移除聚醯胺酸聚合物殘餘物)中與NMP及其他極性溶劑相同之方式使用。通常，此等方法或過程包含使待清洗或剝離或待移除光致抗蝕劑或聚醯胺酸/聚醯亞胺殘餘物之物件或基板與溶劑在多種條件(例如環境條件，或在升高或降低之溫度下)中之任一種下，在流動或攪拌(例如印刷、旋轉、浸沒、沖洗、振動、淋浴、噴霧等)下接觸足夠的時間以溶解任何待移除之材料(例如污染物，如聚(醯胺酸)/聚醯亞胺殘餘物、二酐、二胺等； 光致抗蝕劑及其類似物)之步驟。接著在此接觸步驟後通常為沖洗(一次或多次，通常用水性液體，如去離子水)及乾燥步驟。具有低於-25℃之凍結溫度之溶劑可尤其有利地用於清洗及/或剝離電子零件及設備之過程中。
以下實例為本發明之非限制性說明。
實例
材料
聚(醯胺酸)，聚醯亞胺之前驅體：聚(苯均四酸二酐-共-4,4'-氧基雙苯胺)，醯胺酸(來自Sigma-Aldrich，15-16重量%溶解於NMP中)。
光致抗蝕劑：SFP-1400(來自Merck)。
溶劑：N-甲醯基嗎啉(來自Accela ChemBio，98%)、二甲亞碸(DMSO)(來自Sinopharm，99%)、磷酸三乙酯(來自Sinopharm，99%)、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺(來自BOC Science，98%)、N,N-二甲基丙醯胺(來自Energy Chemical，98%)及乙二醇單丁基醚(來自The Dow Chemical Company，99%)。
溶劑
溶劑為根據NMP、DMF、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺等之漢森可溶性參數(Hansen Solubility Parameter)設計。此等商品化溶劑對大部分電子材料具有強溶解能力。溶劑描述於表1中。
實例1-10及比較實例1-5之方案
聚(醯胺酸)溶解：使聚(苯均四酸二酐-共-4,4'-氧基雙苯胺)(醯胺酸前驅體)於NMP中之溶液與去離子(DI)水或其他NMP不可溶液體接觸以自NMP提取所述前驅體。接著聚(醯胺酸)前驅體在54℃下烘烤4小時以蒸發任何殘餘溶劑/液體，隨後其藉由與測試溶劑接觸來溶解。在54℃下12小時之後記錄結果。
光致抗蝕劑剝離：將2毫升(ml)SFP-1400光 致抗蝕劑溶液置放在尺寸為100毫米(mm)×100mm×1mm之玻璃基板之表面上。基板以500轉/分鐘(RPM)之旋轉速度旋轉10秒(s)以展開光致抗蝕劑溶液。接著旋轉速度加快至1000rpm保持30秒以均勻地塗佈光致抗蝕劑且轉出多餘的溶劑。在130℃下加熱經塗佈之基板10分鐘(min)以蒸發溶劑。剝離步驟在容器中製備30克(g)實例。將經烘烤之基板置放在容器中且振盪，且最終量測自基板完全移除光致抗蝕劑之時間。
結果
聚(醯胺酸)溶解：各產物之聚(苯均四酸二酐-共-4,4'-氧基雙苯胺)、醯胺酸可溶性結果報導於表2中。各實例及比較樣品中聚合物之含量為20重量%。藉由溶液之流動性來判定效能。兩個實例，N-甲醯基嗎啉/N,N-二甲基丙醯胺及二甲亞碸/N,N-二甲基丙醯胺呈現良好流動性及低黏度。N-甲醯基嗎啉/3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺展示某種流動性及適合的黏度。然而，在比較樣品(3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺)中，溶液中發生膠凝，其表示聚合物之過飽和。對於N-甲基-2-吡咯啶酮，儘管樣品能夠流動，但其黏度相對較高。一般而言，對於市售產品，聚(苯均四酸二酐-共-4,4'-氧基雙苯胺)(醯胺酸)在N-甲基-2-吡咯啶酮中之可溶性應為15重量%。對於3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺，相關可溶性相對較低。因此，實例中聚(醯胺酸)之溶解力優於比較樣品。
光致抗蝕劑剝離：各組合之光致抗蝕劑剝離結果列舉於表3中。藉由剝離時間來評估效能。實例，二甲亞碸/乙二醇單丁基醚/N,N-二甲基丙醯胺，可在15秒內自玻璃基板完全剝離所塗佈之光致抗蝕劑。其他所發明之基於二甲亞碸/乙二醇單丁基醚之實例需要15至20秒來剝離光致抗蝕劑。基於水之單乙醇胺/二乙二醇丁基醚及單乙醇胺/N-甲基-2-吡咯啶酮比較樣品Dongji(KR1403516B1)需要約半分鐘用於剝離。然而，不具有水含量之另一種市售組合，單乙醇胺/二乙二醇丁基醚，展示相對較慢之剝離速度。因此，所述實例 對SFP-1400光致抗蝕劑具有較好的剝離效能。
具有點之空心圓=小於(<)15秒；空心圓(亦即，沒有點之空心圓)=15020秒；三角形-20-30秒；以及×=大於或等於(
Figure 106124023-A0202-12-0017-16
)30秒。
具有點之空心圓=小於(<)15秒；空心圓(亦即，沒有點之空心圓)=15020秒；三角形-20-30秒；以及×=大於或等於(
Figure 106124023-A0202-12-0017-17
)30秒。
實例11-17及比較實例6-10之方案
溶劑經設計以具有低於-25℃之冷凍點，且與NMP相比具有更快的光致抗蝕劑剝離及聚醯胺酸溶解。對於各摻合實例，各發明實例及比較實例之特定比率報導於表4 中。
聚醯胺酸溶解
此處重複實例1-10及比較實例1-5之程序。
光致抗蝕劑剝離
此處重複實例1-10及比較實例1-5之程序。
冷凍測試
製備二十克(20g)樣品且在冷凍機中在-25℃下儲存24小時，隨後觀測樣品之液體或固體(冷凍)狀態。
結果
聚合酸溶解
各產物之聚(苯均四酸二酐-共-4,4'-氧基雙苯胺)，醯胺酸可溶性結果報導於表5中。各實例及比較樣品中 聚合物之量為30重量%。藉由溶液之黏度來判定效能。所有基於二甲亞碸/乙二醇單丁基醚之溶劑可完全溶解聚醯胺酸且呈現良好黏度，其表明本發明之組合具有與N-甲基-2-吡咯啶酮類似的效能。對於另一比較樣品，3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺，相關可溶性相對較低。溶液難以流動。因此，本發明實例之聚醯胺酸之溶解力相對於某些市售產品而言為良好的。
光致抗蝕劑剝離
各組合之光致抗蝕劑剝離結果報導於表6中。藉由剝離時間來評估效能。二甲亞碸/乙二醇單丁基酯/N,N-二甲基丙醯胺可在15秒內自玻璃基板完全剝離所塗佈之光致抗蝕劑。基於二甲亞碸/乙二醇單丁基酯之實例需要15至20秒來剝離光致抗蝕劑。基於水之單乙醇胺/二乙二醇丁基醚及單乙醇胺/N-甲基-2-吡咯啶酮比較樣品需要約半分鐘用於剝離。然而，不具有水含量之另一種市售組合，單乙醇胺/二乙二醇丁 基醚，展示相對較慢之剝離速度。因此，所述實例對SFP-1400光致抗蝕劑具有較好的剝離效能。
O意謂<20秒；△意謂20至30秒；×意謂>30秒
光致抗蝕劑剝離(冷凍)
將二十克(20g)溶劑樣品置放於五十毫升(50毫升)玻璃缸中。將含有溶劑之玻璃容器及溫度計置放於冷凍機中，且將冷凍機之溫度設定成-25℃。樣品在冷凍機中保持在-25℃下12小時。結果報導於表7中。藉由玻璃缸中樣品之目視檢驗來測定溶劑之物理狀態，亦即，液態或固態。所有本發明之樣品皆為液態。在比較實例中，3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺及單乙醇胺/二乙二醇丁基醚為液態。然而，N-甲基-2-吡咯啶酮、單乙醇胺/二乙二醇丁基醚/去離子水以及單乙醇胺/N-甲基-2-吡咯啶酮/去離子水為固態。

Claims (13)

  1. 一種溶劑，其基本上由以下各項組成：(A)50至90重量%第一組分，其由亞碸組成；(B)9至40重量%第二組分，其由二醇醚組成，且所述二醇醚為乙二醇單丁基醚；以及(C)1至30重量%第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺以及磷酸三乙酯，且所述重量%係以所述溶劑之重量計。
  2. 如請求項1之溶劑，其中所述亞碸為DMSO。
  3. 如請求項2之溶劑，以所述溶劑之重量計，其基本上由52至66重量%所述第一組分、17至30重量%所述第二組分以及6至18重量%所述第三組分組成。
  4. 如請求項1之溶劑，其中所述第三組分為N-甲醯基嗎啉。
  5. 如請求項1之溶劑，其中所述第三組分為N,N-二甲基丙醯胺。
  6. 如請求項1之溶劑，其中所述第三組分為3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺。
  7. 如請求項1之溶劑，其中所述第三組分為磷酸三乙酯。
  8. 如請求項1至7中任一項之溶劑，其具有低於-25℃之冷凍點。
  9. 一種用於清洗或剝離基板表面之方法，所述方法包括使所述基板與基本上由以下各項組成之溶劑接觸之步驟：(A)50至90重量%第一組分，其由亞碸組成；(B)9至40重量%第二組分，其由二醇醚組成，且所述二 醇醚為乙二醇單丁基醚；以及(C)1至30重量%第三組分，其由以下各項中之至少一者組成：N-甲醯基嗎啉、N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺以及磷酸三乙酯，且所述重量%係以所述溶劑之重量計。
  10. 如請求項9之方法，其中所述亞碸為DMSO。
  11. 如請求項10之方法，以所述溶劑之重量計，其基本上由52至66重量%所述第一組分、17至30重量%所述第二組分以及6至18重量%所述第三組分組成。
  12. 如請求項9至11中任一項之方法，其中所述基板為電子零件且所述表面含有污染物或金屬離子。
  13. 如請求項12之方法，其中所述污染物為聚(醯胺酸)殘餘物或聚醯亞胺殘餘物。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112019004949A2 (pt) * 2016-09-28 2019-06-25 Dow Global Technologies Llc solventes para uso na indústria de eletrônica
CA3068808C (en) * 2017-07-06 2024-05-07 Dow Global Technologies Llc Amide combinations for cleaning and stripping of electronic parts
JP7151214B2 (ja) * 2018-06-29 2022-10-12 東レ株式会社 樹脂組成物
JP7394968B2 (ja) * 2019-08-30 2023-12-08 ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー フォトレジスト剥離組成物
CN115521743B (zh) * 2022-09-11 2023-07-25 广州天赐高新材料股份有限公司 半导体加工用粘合剂及提高半导体加工性能的方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770713A (en) * 1986-12-10 1988-09-13 Advanced Chemical Technologies, Inc. Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof
TW201042402A (en) * 2009-03-27 2010-12-01 Eastman Chem Co Compositions and methods for removing organic substances
TW201113652A (en) * 2009-08-11 2011-04-16 Dongwoo Fine Chem Co Ltd Resist stripper composition and method of stripping resist using the same
US20130099260A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Resist stripping composition and method of stripping resist using the same

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5556482A (en) * 1991-01-25 1996-09-17 Ashland, Inc. Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor
KR100390567B1 (ko) 2000-12-30 2003-07-07 주식회사 동진쎄미켐 근적외선 분광기를 이용한 포토레지스트 박리공정제어방법 및 포토레지스트 박리액 조성물의 재생방법
JP4443864B2 (ja) * 2002-07-12 2010-03-31 株式会社ルネサステクノロジ レジストまたはエッチング残さ物除去用洗浄液および半導体装置の製造方法
KR20050110955A (ko) 2004-05-20 2005-11-24 금호석유화학 주식회사 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법
US20060003910A1 (en) 2004-06-15 2006-01-05 Hsu Jiun Y Composition and method comprising same for removing residue from a substrate
SG118380A1 (en) * 2004-06-15 2006-01-27 Air Prod & Chem Composition and method comprising same for removing residue from a substrate
JP2009515055A (ja) 2005-11-09 2009-04-09 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 低ｋ誘電体材料をその上に有する半導体ウェハをリサイクルするための組成物および方法
KR101328097B1 (ko) 2006-01-11 2013-11-13 주식회사 동진쎄미켐 티에프티 엘시디용 칼라 레지스트 박리액 조성물
KR20090072546A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의제조 방법
JP5195063B2 (ja) 2008-06-19 2013-05-08 東ソー株式会社 レジスト剥離液
CN101866118A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 巴斯夫公司 有机光阻去除剂组合物
JP5646882B2 (ja) * 2009-09-30 2014-12-24 富士フイルム株式会社 洗浄組成物、洗浄方法、及び半導体装置の製造方法
JP2011105814A (ja) 2009-11-13 2011-06-02 Tosoh Corp 電子デバイスの洗浄方法
SG10201505535VA (en) * 2010-07-16 2015-09-29 Entegris Inc Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
CN102382319B (zh) 2011-07-28 2013-04-17 同济大学 一种碳纳米管接枝玻璃纤维多尺度增强体增强聚酰亚胺复合材料的制备方法
TWI565836B (zh) * 2011-12-28 2017-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Cleaning solution and anti-corrosion agent
TW201335724A (zh) * 2012-02-23 2013-09-01 Chi Mei Corp 光阻剝離液組成物及其應用
EP2825913B1 (en) * 2012-03-16 2019-05-08 Basf Se Photoresist stripping and cleaning composition, method of its preparation and its use
CN103424999A (zh) * 2012-05-24 2013-12-04 东友Fine-Chem股份有限公司 抗蚀剂剥离液组合物及使用其制造tft阵列基板的方法
JP6151484B2 (ja) * 2012-06-11 2017-06-21 東京応化工業株式会社 リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法
KR20140024625A (ko) * 2012-08-20 2014-03-03 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거용 박리액 조성물
US20140100151A1 (en) * 2012-10-08 2014-04-10 Air Products And Chemicals Inc. Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist
KR101957524B1 (ko) * 2012-12-31 2019-06-19 동우 화인켐 주식회사 포토레지스트 박리액 조성물
JP6191372B2 (ja) * 2013-10-04 2017-09-06 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法
KR102119438B1 (ko) * 2013-10-30 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
CN107155367B (zh) * 2014-06-30 2021-12-21 恩特格里斯公司 利用钨及钴兼容性移除蚀刻后残余物的含水及半含水清洁剂
KR101586453B1 (ko) * 2014-08-20 2016-01-21 주식회사 엘지화학 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4770713A (en) * 1986-12-10 1988-09-13 Advanced Chemical Technologies, Inc. Stripping compositions containing an alkylamide and an alkanolamine and use thereof
TW201042402A (en) * 2009-03-27 2010-12-01 Eastman Chem Co Compositions and methods for removing organic substances
TW201113652A (en) * 2009-08-11 2011-04-16 Dongwoo Fine Chem Co Ltd Resist stripper composition and method of stripping resist using the same
US20130099260A1 (en) * 2011-10-25 2013-04-25 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Resist stripping composition and method of stripping resist using the same

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